JP5853971B2 - 液供給装置 - Google Patents

液供給装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5853971B2
JP5853971B2 JP2013040814A JP2013040814A JP5853971B2 JP 5853971 B2 JP5853971 B2 JP 5853971B2 JP 2013040814 A JP2013040814 A JP 2013040814A JP 2013040814 A JP2013040814 A JP 2013040814A JP 5853971 B2 JP5853971 B2 JP 5853971B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid supply
liquid
nozzle
valve
supply path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013040814A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014168734A (ja
Inventor
大久保 敬弘
敬弘 大久保
誠也 戸塚
誠也 戸塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2013040814A priority Critical patent/JP5853971B2/ja
Priority to KR1020140017654A priority patent/KR101998894B1/ko
Priority to TW103106567A priority patent/TWI538743B/zh
Publication of JP2014168734A publication Critical patent/JP2014168734A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5853971B2 publication Critical patent/JP5853971B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

本発明は、ノズルを介して処理液を被処理体に供給するための液供給装置に関する。
薬液などの処理液を供給して液処理を行う枚葉式の装置としては、例えばスピンチャック上のウエハにレジスト液や絶縁膜の前駆体を含む薬液などを塗布する装置が挙げられる。この種の液処理装置において、処理液をウエハに供給する液供給装置では、液供給路の下流端に設けられた液吐出部であるノズルから処理液が吐出され、開閉バルブの開閉によって処理液の給断が行われる。ノズルからの処理液の供給を止めた後、処理液がウエハ上に垂れると、ウエハ上の液膜の膜厚分布が乱れてしまい、当該ウエハは不良品となる。このため液だれが問題になる場合には、通常開閉バルブの下流側にサックバックバルブを設けて、開閉バルブを閉じた後にサックバックバルブにより液を引き戻すようにしている。
しかしながら、開閉バルブを急激に閉じると、液圧の大きな変動が生じ、処理液が液供給路内で流れ方向に振動するいわゆるウォーターハンマー現象が起こる。そのため、サックバックバルブの動作のタイミングが適切でない場合には、液の振動が増幅して液がノズルから飛び出すおそれがある。ウォーターハンマー現象は、液供給路の長さ寸法が長い程顕著になる。サックバックバルブの動作タイミングは、液の振動が収まった後に設定されることが好ましいが、そのタイミングを遅らせると、処理の遅れにつながる。従って、前記タイミングは、両者の兼ね合いで設定されることになり、前記タイミングの設定が難しいという課題があり、また前記タイミングを遅らせたとしても、サックバックバルブが動作する前に液の振動により液がノズルから飛び出す懸念がある。
特許文献1には、サックバックバルブについて記載されているが、ウォーターハンマー現象については検討されていない。
特開2000−223402
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、処理液をノズルから被処理体に供給するにあたり、バルブを閉じた時のウォーターハンマー現象による液だれを抑えることができる液供給装置を提供することにある。
本発明の液供給装置は、
処理液をノズルから被処理体に供給するための液供給装置において、
屈曲部位を有する流路における当該屈曲部位の上流側に相当し、その上流端が前記処理液の液供給源に接続された第1の液供給路と、
この第1の液供給路に介設され、処理液の給断を行うためのバルブと、
前記流路における前記屈曲部位の下流側に相当し、その下流端にノズルが設けられた第2の液供給路と、
前記屈曲部位に臨む壁部を構成する進退自在な振動吸収用の可動壁部と、
前記バルブを閉じた時に処理液が前記ノズル側に押し出された後、前記バルブ側に引き戻される時に、前記振動吸収用の可動壁部を後退させるための駆動部と、
前記第2の液供給路の下流側に設けられ、前記ノズルからの液の吐出が終了し、前記振動吸収用の可動壁部が後退した後、前記ノズル内の処理液の液面を引き込むための吸引機構と、を備えたことを特徴とする。
前記液供給装置は、以下の構成であっても良い。前記駆動部を制御する制御部を備えた構成。前記制御部は、前記バルブを閉止した後、設定時間経過後に前記可動壁部を後退させるように制御信号を出力する構成。前記制御部は、前記バルブが開くと同時にまたは開いている時に、前記可動壁部を前進させるように制御信号を出力する構成。前記可動壁部は、ダイアフラムである構成。
本発明は、液供給源の処理液をノズルから吐出するにあたり、液供給源とノズルとの間における第1の液供給路と前記第2の液供給路とについて、互いに交差する向きとなるように液圧調整室に各々接続している。また、液圧調整室における第2の液供給路の上流端に対向する壁部を進退自在な可動壁部として構成している。そして、第1の液供給路に設けられたバルブを閉止した時、処理液がノズル側に押し出された後、バルブ側に引き戻される時に、可動壁部を後退させている。従って、処理液の吐出完了後、ノズルからの液だれを抑制できる。
本発明の液供給装置を備えたレジスト塗布装置を示す斜視図である。 前記液供給装置を示す縦断面図である。 前記液供給装置における流路の一部を模式的に示す斜視図である。 前記レジスト塗布装置における各バルブの開閉タイミングを示す模式図である。 従来の液供給装置における作用を模式的に示す縦断面図である。 従来の液供給装置における作用を模式的に示す縦断面図である。 従来の液供給装置と本発明の液供給装置とにおける液圧の変動を示す特性図である。 本発明の液供給装置における作用を模式的に示す縦断面図である。 本発明の液供給装置における作用を模式的に示す縦断面図である。 本発明の液供給装置における作用を模式的に示す縦断面図である。 本発明の液供給装置における作用を模式的に示す縦断面図である。 本発明の液供給装置の他の例を示す縦断面図である。 本発明の液供給装置の更に他の例を示す縦断面図である。 本発明の液供給装置の別の例を示す縦断面図である。 本発明の液供給装置の更に別の例を示す縦断面図である。 本発明の液供給装置の他の例を示す縦断面図である。 本発明の液供給装置の他の例における各バルブの開閉タイミングを示す模式図である。
本発明の実施の形態に係る液供給装置について、当該液供給装置を適用したレジスト塗布装置と共に図1〜図3を参照して以下に説明する。このレジスト塗布装置は、被処理体をなす基板であるウエハWに対して処理液であるレジスト液の塗布を行うために複数例えば3個横並びに配置された処理部11と、各処理部11に配置されるウエハWに対してレジスト液を供給するための液供給制御部4とを備えている。先ず、液供給制御部4以外の部位について、簡単に説明する。
図1に示すように、各々の処理部11には、ウエハWの裏面側を吸引保持するためのスピンチャック12が設けられており、各スピンチャック12は、図示しない回転機構によって鉛直軸周りに回転自在に構成されている。図1中13はカップ体、14はウエハWを昇降させるための昇降ピンである。また、図1中10は各処理部11が配置された基部である。
各々の処理部11には、レジスト膜が形成されたウエハWの周縁部から当該レジスト膜を除去するためにシンナーを吐出する補助ノズル15と、この補助ノズル15を待機させるためのノズルバス16とが設けられている。そして、補助ノズル15は、アーム17によって支持されると共に、ウエハWの周縁部の上方側に対向する位置と、ノズルバス16の上方側の位置との間において、レール18に沿って水平方向に移動できるように構成されている。
基部10上には、ウエハWに対してレジスト液を供給するための集合ノズル1が液吐出部として設けられており、この集合ノズル1は、既述の処理部11の各々に共通のレジスト供給部として設けられている。具体的には、集合ノズル1は、アーム21によって支持されると共に、これら処理部11の並びに沿って敷設されたレール22に沿って移動自在に構成されている。また、この集合ノズル1は、アーム21の先端部におけるノズルヘッド23の下面側に、複数本のノズル24を配置して構成されている。即ち、集合ノズル1は、各処理部11におけるウエハWの各々に対して、濃度や成分の異なる複数種類のレジスト液とシンナーとを供給できるように構成されており、これら各ノズル24を当該集合ノズル1の移動経路に沿って一列に配置している。尚、図1などではこれらノズル24の数量については省略している。
集合ノズル1のアーム21には、当該集合ノズル1の各ノズル24から伸びるフレキシブルな(可撓性のある)液供給路3の途中部位が固定されており、各々の液供給路3における上流側(ノズル24とは反対側)の端部は、本発明の液供給制御部4を介して液供給源2に接続されている。液供給路3は、アーム21と液供給制御部4との間において固定部26によって基部10に固定されており、後述するように、液供給制御部4の内部及び当該液供給制御部4の近傍では例えば金属などの硬質部材により構成されている。固定部26と集合ノズル1との間における液供給路3の長さ寸法は、集合ノズル1を各処理部11の並びに沿って移動自在に構成するために、例えば0.5m〜3.0mとなっている。
各々の液供給源2には、当該液供給源2の内部における気相側に空気などを供給するための送液用流路25が駆動部として接続されており、液供給源2内を加圧して、液供給路3に処理液を送り出すように構成されている。尚、図1では、液供給路3及び液供給源2について、複数種類のレジスト液のうちの1種類及びシンナーについて代表して描画している。また、液供給源2の各々は、例えばレジスト塗布装置の下方側における収納部に纏めて載置されているが、ここでは模式的にレジスト塗布装置の側方側に描画している。図1中27は、集合ノズル1を待機させるためのノズルバスである。
次に、本発明の実施の形態である液供給装置について説明する。この液供給装置は、液供給路3に介設された液供給制御部4を備えている。液供給制御部4は、図2に示すように、処理液の流路(液供給路3)に沿って、処理液の給断を行うための開閉バルブ31Aと、液圧調整バルブ31Bと、サックバックバルブ31Cとが、上流側からこの順に配列されて構成されている。これらバルブ31A〜31Cは、ダイアフラム5〜7により夫々構成されている。開閉バルブ31Aの上流側(液供給源2側)における液供給路3は、ダイアフラム5がなす面に沿って水平に伸び、下流側の液供給路3はダイアフラム5の中央に臨む部位にて下方側に向かって直角に屈曲している。前記下流側の液供給路3は、液圧調整バルブ31Bのダイアフラム6がなす面に沿って上下方向に伸びるように当該液圧調整バルブ31Bに接続されている。液圧調整バルブ31Bの下流側の液供給路3は、ダイアフラム6の中央に臨む部位にて直角に屈曲して水平に伸び出している。
このように、液供給路3は、2か所で直角に屈曲しており、上流側の屈曲部位に開閉バルブ31Aが設けられ、また下流側の屈曲部位に液圧調整バルブ31Bが設けられている。以下の説明では、液圧調整バルブ31Bの上流側における液供給路3及び下流側における液供給路3を夫々「第1の液供給路3A」及び「第2の液供給路3B」と呼ぶ。サックバックバルブ31Cは、第2の液供給路3Bに設けられている。この例では、開閉バルブ31Aと液圧調整バルブ31Bとの間における第1の液供給路3A、及び液圧調整バルブ31Bとサックバックバルブ31Cとの間における第2の液供給路3Bは、例えば金属などの硬質の材質により構成されている。
液圧調整バルブ31Bは、以上のように流路の屈曲部位に設けられていると言えるが、この屈曲部位は、後述するように開閉バルブ31Aを閉じた時に生じるウォーターハンマー現象による圧力変動を抑える部位であることから、液圧調整室8と呼ぶことにする。
各バルブ31A〜31Cには、ダイアフラム5〜7の背面側の領域に対して例えば空気などの流体を流入させる流入口33と、この空気を排出させる排出口34とが設けられている。従って、各々のダイアフラム5〜7は、前記領域に空気を流入させると処理液の液流れに向かって前進し、一方当該領域から空気を排出すると、当該ダイアフラム5〜7の剛性による復元力に基づいて前記液流れに対して後退するように構成されている。図2中36及び37は夫々バルブ及び流量調整部であり、38は空気などの流体が貯留された貯留部である。尚、後述の図4では、流入口33から空気をダイアフラム5〜7の背面側の領域に流入させる動作を「ON」、排出口34から排出する動作を「OFF」として説明している。
従って、開閉バルブ31Aのダイアフラム5は、集合ノズル1に向かう液流れに対して上方側に離間する位置(開放位置)と、下方側に向かって伸びる第1の液供給路3Aの上端開口部を塞ぐ位置(閉止位置)との間で進退することにより、処理液の給断を行うように構成されている。図2中35は、開閉バルブ31Aにおけるダイアフラム5を上方側に向かって付勢する(引き寄せる)ためのスプリングなどの付勢機構である。尚、図2では、集合ノズル1を簡略化して描画している。
液圧調整室8のダイアフラム6は、図2及び図3に示すように、当該液圧調整室8における第2の液供給路3Bの上流端に対向する壁部をなすように配置されると共に、当該第2の液供給路3Bが伸びる方向に沿って進退できる可動壁部として構成されている。即ち、前記ダイアフラム6は、液圧調整室8において第1の液供給路3Aから第2の液供給路3Bに向かう液流れに対して側方側に離間する位置と、当該位置よりも第2の液供給路3Bから離間する(後退する)位置との間で進退するように構成されている。このダイアフラム6は、以下に詳述するように、液流れの給断ではなく、第2の液供給路3Bの内部あるいは液圧調整室8の内部における液圧の変動(脈動)を抑制する働きを持っている。ここで、本発明においてこのような液圧調整バルブ31Bを設けた理由について、言い換えると従来の液供給路3において液圧の脈動が生じる理由について、以下に説明する。尚、図3は、液圧調整室8を縦方向に切断した様子を示している。
即ち、液供給路3を介してノズル24からウエハWに処理液を吐出した後、開閉バルブ31Aにより液供給路3を閉止するにあたって、ノズル24側では、処理液は慣性力や重力によりそのまま当該ノズル24から吐出されようとする。また、ノズル24の先端部では処理液の表面張力が生じるので、この表面張力によっても処理液はノズル24の近傍に留まろうとする。従って、開閉バルブ31Aにより液供給路3を閉止する時、ノズル24からの余分な液だれを防止するためには、前記慣性力、重力あるいは表面張力に対抗するように、図5に示すように、液供給路3内における開閉バルブ31A側の領域にて陰圧を生じさせる必要がある。具体的には、処理液の給断を行うための機構としてダイアフラム5を用いることにより、液流れを急激に遮断している。
従って、ノズル24近傍の処理液は、液供給路3内における開閉バルブ31A側の領域で生じる陰圧によって当該領域に引き寄せられるので、ノズル24からの液だれが抑制される。しかしながら、液供給路3内が陰圧になると、既述の液圧調整バルブ31Bを設けていない従来の構成の場合には、図6に示すように、その後いわばウォーターハンマーが生じて前記領域は陽圧になる。即ち、液供給路3内の陰圧によって処理液が開閉バルブ31Aに引き寄せられるにあたって、陰圧が解消される程度の処理液が当該開閉バルブ31A側に到達しても、ノズル24側の処理液は慣性によりそのままこの開閉バルブ31A側に通流しようとする。このように液供給路3内が陽圧になると、液供給路3内の処理液は、液供給路3内の圧力によって押し出されるように、ノズル24側に向かって通流していく。そのため、開閉バルブ31Aの近傍における液供給路3の内部は、陰圧になる。こうして開閉バルブ31Aの近傍位置では、液圧調整バルブ31Bを設けない場合には、処理液の吐出を停止した後、図7に破線にて示すように、陰圧と陽圧とが交互に発生して、いわば液圧の脈動(振動)が生じる。
液供給路3の内部では、脈動を繰り返すうちにある液圧に次第に収束していくが、開閉バルブ31Aとノズル24との間における液供給路3の長さ寸法が長い程、長時間に亘って脈動が継続しようとする。即ち、液供給路3内を流動する処理液の容積が大きい程、当該液供給路3内にて生じる液圧の変動の度合い(振幅)が大きくなるので、脈動が収まりにくくなる。従って、既述のように集合ノズル1を複数の処理部11に共通化するために当該集合ノズル1をこれら処理部11に跨って移動できるように構成すると、従来の構成の場合には、液圧の脈動は収束しにくくなってしまう。
このように液圧の脈動が生じると、ノズル24内部の液面が下がりすぎた場合には、ノズル24から余分な処理液が吐出されて、ノズル24の汚染の原因となったり、あるいはウエハWの歩留まり低下に繋がってしまったりする。更に、液圧の脈動によってノズル24内部の液面が上がりすぎると、ノズル24内に気泡を巻き込んでしまうおそれもある。
また、液供給路3内の液圧がある範囲内に落ち着かないと、後述のサックバックバルブ31Cを動作させにくくなってしまう。即ち、液圧が落ち着く前にサックバックバルブ31Cを動作させると、例えばウォーターハンマー現象が増幅されてしまう。言い換えると、液供給路3内にて液圧の脈動が生じると、後続のウエハWに対する吐出処理を行うにあたって、当該脈動が落ち着くまでのある程度の待機時間を設ける必要が生じる。従って、前記待機時間の分だけスループットの低下に繋がってしまう。
そこで、本発明では、液圧調整バルブ31Bをいわば振動吸収用のバルブとして設けて、前記脈動を抑制している。この液圧調整バルブ31Bの作用については、レジスト塗布装置の作用と共に後で詳述するが、簡単に説明すると、液供給路3内にて液圧が増加しようとする時、図7に実線で示すように、この液圧の増加を打ち消すようにダイアフラム6を動作させている。
続いて、液供給制御部4の説明に戻る。サックバックバルブ31Cにおけるダイアフラム7は、サックバック用の吸引機構をなしている。即ち、このダイアフラム7は、ノズル24からの処理液吐出完了後、次の吐出作業の前に、例えばノズル24の先端側における処理液の乾燥を抑制するために、当該ノズル24内の処理液を上方側(液供給源2側)に僅かに引き上げるためのものである。具体的には、サックバック動作を行う時には、ダイアフラム7を上昇させることにより、当該ダイアフラム7が接触している処理液をこのダイアフラム7側に引き込み、こうしてノズル24内の液面を僅かに上昇させる。
このレジスト塗布装置には、既述の図2に示すように、ウエハWの表面にレジスト膜を形成するために装置全体に対して制御信号を出力する制御部41が設けられている。この制御部41は、各ノズル24から処理液の吐出を開始し、その後所定の時間経過後に処理液の吐出を終了するように構成されたプログラムを備えており、具体的には各バルブ36の開閉や流量調整部37における空気の流量を制御して、以下に説明するレジスト液の吐出処理を実施するように構成されている。バルブ36の開閉タイミングは、例えば予め行った実験に基づいて設定される。
続いて、液供給装置の作用について、レジスト塗布装置の作用と共に図8〜図11を参照して以下に説明する。始めに、スピンチャック12上において吸着保持されると共に鉛直軸周りに回転しているウエハWの中央部に対して、ノズル24から処理液(シンナーあるいはレジスト液)の吐出を開始する(T1)。具体的には、図8に示すように、開閉バルブ31Aにおけるダイアフラム5を開放位置に上昇させる(OFF)。また、液圧調整バルブ31Bのダイアフラム6については第2の液供給路3B側に前進させる(ON)と共に、サックバックバルブ31Cのダイアフラム7については下方位置に移動させる(ON)。
液供給源2の処理液は、送液用流路25から当該液供給源2に流入する空気の圧力によって液供給制御部4を介して液供給路3A、3B内を通流していき、ノズル24からウエハWの中央部に吐出される。こうしてウエハWの中央部から外周側に向かって液膜が広がっていき、その後当該ウエハWの表面に亘って液膜が形成される。尚、既述の図4は、各ダイアフラム5〜7の動作(ON、OFF)と共に液供給路3の内部における液圧(高、低)についても描画しており、また従来のサックバック用のダイアフラムの動作及び液圧の変動(破線)についても併せて描画している。
次いで、図9に示すように、開閉バルブ31Aのダイアフラム5を下降させる(ON)ことにより、処理液の吐出を終了する(T2)。ここで、ダイアフラム5によって液供給路3を閉止した時、既述のように、当該液供給路3の内部では陰圧が発生する。そのため、液供給路3の内部では、図10に示すように、処理液が前記陰圧により開閉バルブ31A側に引き寄せられるので、図4に示すように、液供給路3内の液圧が上昇し始める。言い換えると、開閉バルブ31Aの近傍位置に向かって、常圧では当該近傍位置における液供給路3内に収納しきれない程の容積の処理液が向かって行こうとする。
そこで、本発明では、このように液供給路3内の液圧が上昇しようとする時(第2の液供給路3B内の液圧変動を表す曲線が下に凸のピークとなった時、図4参照)、図10に示すように、液圧調整バルブ31Bのダイアフラム6を後退させている(T3)。即ち、開閉バルブ31Aを閉止した後、予め設定した設定時間経過後に、液供給路3の内部において発生する液圧の波形を打ち消すように、液圧調整バルブ31Bのダイアフラム6を作動させている。そのため、開閉バルブ31Aの近傍位置では処理液の収納容積が増加し、また第2の液供給路3Bから液圧調整バルブ31Bに向かって通流する処理液の向きに対して当該ダイアフラム6が後退する向きを合わせ込んでいるため、第2の液供給路3Bの内部では、図4に示すように、液圧が常圧程度に速やかに落ち着く。具体的には、液供給路3の内部では、液圧が陽圧にならないか、あるいは陽圧になったとしても液圧の脈動が起こりにくい程度に抑えられる。
従って、ノズル24から余分な処理液が吐出されたり、あるいはノズル24内に気泡を巻き込んだりすること(その後のウエハWへの処理液の吐出不良)、更には処理液の不必要な消費が抑えられる。処理液がレジスト液の場合には、前記余分な処理液によってノズル24が汚染されること、及びレジスト膜の膜厚不良(歩留まり低下)が抑制される。
その後、図11に示すように、サックバックバルブ31Cのダイアフラム7を上昇させて、ノズル24内の処理液を上方側に引き上げることにより、サックバック動作が完了する(T4)。このサックバック動作を行うタイミングについて、図4を参照して本発明(T4)と従来(T5)とを比較すると、従来(液圧調整バルブ31Bを設けていない構成)では、既述のように第2の液供給路3B内における液圧の脈動が収まるまでに待機時間を設ける必要がある。そのため、従来では、処理液の吐出が完了した後、サックバック動作を行うまでの間には、大きなタイムラグが生じている。
一方、本発明では、液圧調整バルブ31Bにおけるダイアフラム6の後退動作を開始した後は、第2の液供給路3B内の液圧は速やかに常圧に落ち着く。従って、サックバック動作は、液圧調整バルブ31Bにおけるダイアフラム6後退動作が完了した後、速やかに開始されている。ここで、サックバックバルブ31Cのダイアフラム6を動作させるタイミングは、第2の液供給路3B内の液圧が落ち着くまでの時間を予め実験などにより測定し、この測定結果に基づいて設定している。尚、第2の液供給路3Bに処理液の圧力を測定する測定部を設けておき、この測定部における測定結果がある範囲内に落ち着いた時、サックバックバルブ31Cを動作させても良い。
尚、ノズル24から処理液を吐出するにあたり、シンナー及びレジスト液を順番にウエハWに供給すると共に、これらシンナー及びレジスト液の吐出を停止する時は既述の液圧調整バルブ31B及びサックバックバルブ31Cにおけるダイアフラム6、7を夫々動作させているが、以上の例ではシンナー及びレジスト液の個別の説明については省略している。
上述の実施の形態によれば、液供給源2とノズル24との間における第1の液供給路3Aと第2の液供給路3Bとについて、液圧調整バルブ31Bが設けられた液圧調整室8にて互いに交差する向きとなるように接続している。そして、液圧調整バルブ31Bのダイアフラム6について、第2の液供給路3Bの上流端に対向するように配置すると共に、第2の液供給路3Bの伸びる方向に沿って進退自在に構成している。そのため、処理液の吐出を停止した時、液供給路3内の液圧が脈動しようとしても、この脈動を打ち消すように液圧調整バルブ31Bを後退させることにより、当該脈動を抑制できるので、処理液の吐出完了後におけるノズル24からの液だれを抑制できる。従って、レジスト膜の膜厚不良を抑制できる。また、ノズル24内への気泡の巻き込みについても抑制できる。更に、サックバックバルブ31Cを設けている場合には、一のウエハWへの吐出処理が終了した後、直ぐにサックバック動作を行うことができるので、後続の他のウエハWへの吐出処理を速やかに開始できる。
以上説明した液圧調整バルブ31Bの他の例について、以下に列挙する。図12は、液圧調整バルブ31Bにおけるダイアフラム6を進退させるにあたり、当該ダイアフラム6と流入口33や排出口34が連通する領域とを区画する樹脂などからなる区画壁51を設けると共に、この区画壁51とダイアフラム6とを接続するシリンダなどの支持部52を配置した例を示している。この例では、前記領域に空気を流入させると区画壁51が第2の液供給路3B側に向かって膨張し、ダイアフラム6を当該第2の液供給路3Bに向かって前進させるように構成されている。
また、図13は、液圧調整バルブ31Bのダイアフラム6を進退させる機構として、モーターからなる駆動部53と、当該駆動部53によって第2の液供給路3Bが伸びる方向に進退自在に構成された進退軸54とを液圧調整室8内に配置した例を示している。前記ダイアフラム6は、この進退軸54の先端部に取り付けられている。この例においても、進退軸54の動作に応じてダイアフラム6が進退する。
図14は、液圧調整バルブ31Bにおけるダイアフラム6に代えて、圧電素子55を可動壁部として設けた例を示している。具体的には、圧電素子55は、例えば水晶などの圧電基板56と、当該圧電基板56の左右両面に形成された一対の電極膜57とを備えている。そして、駆動部をなす高周波電源部59から電極膜57に対して極僅かな時間の間だけパルス状の高周波電力を供給すると、圧電基板56が屈曲振動を起こし、既述の例と同様の作用効果が得られる。図14中58は、圧電素子55を支持すると共に当該圧電素子55の外周部と液圧調整室8の内壁面との間を気密に塞ぐための支持部である。
また、図15は、液圧調整バルブ31Bのダイアフラム6に代えて、円板状の磁石61を配置した例を示している。この磁石61は、S極及びN極の磁極のうち一方の磁極が第2の液供給路3B側を向くように(対向するように)、支持部62によって液圧調整室8の内壁面に支持されると共に、当該液圧調整室8の内部領域と液供給路3内の液流れとを気密に区画するように配置されている。前記内部領域には、磁石61に対向するように電磁石63が駆動部として配置されており、直流電源部64との間に設けられたスイッチ65を切り替えることにより、当該磁石61側における磁極を変更できるように構成されている。従って、この例においても、電磁石63における磁石61側の磁極を切り替えることにより、第2の液供給路3Bに対して磁石61を進退させるように構成されている。
図16は、液圧調整バルブ31Bのダイアフラム6を設ける代わりに、第1の液供給路3Aにおける管壁の一部に樹脂などからなる薄膜71を可動壁部として気密に設けた例を示している。即ち、第1の液供給路3Aの壁面部に、ダイアフラム6を設けているとも言える。この例では、第1の液供給路3Aと第2の液供給路3Bとは、互いに直接接続されている。そして、薄膜71は、第2の液供給路3Bにおける第1の液供給路3A側の先端部に対向する位置に配置されている。従って、第1の液供給路3Aにおける第2の液供給路3B側の部位が液圧調整室8をなしている。
また、薄膜71の背面側(第2の液供給路3Bとは反対側)には、当該薄膜71を進退させる機構が設けられており、具体的には既述の図13の構成と同様の駆動部72及び進退軸73が配置されている。薄膜71には、進退軸73の先端部が取り付けられており、駆動部72を駆動させることによって、薄膜71における中央部を進退させるように構成されている。
以上の各例において、液圧調整バルブ31Bにおけるダイアフラム6の後退動作を開始するタイミングとしては、図4において、液供給路3の閉止により当該液供給路3内の液圧が低くなってその後上昇しようとする時(谷)と、当該液圧が上昇しきって下降しようとし始める時(山)との間(変曲点同士の間)であることが好ましい。また、前記タイミングとしては、既述のように液圧の谷あるいは山からなる変曲点が順番に発生していく(液圧の脈動が生じる)中で、液供給路3を閉止した後最初に生じる液圧の谷と山との間に設定したが、2番目以降に生じる液圧の谷と山との間に設定しても良い。図17は、このような例を示しており、前記2番目の液圧の谷が生じた時に液圧調整バルブ31Bにおけるダイアフラム6の後退動作を開始した例を示している。
以上の液供給制御部4としては、集合ノズル1に設ける例について説明したが、各処理部11に設けられたシンナー吐出用の補助ノズル15に設けても良いし、あるいはシリコン(Si)を含む有機系の塗布膜を形成するためのノズル(図示せず)に設けても良い。
1 集合ノズル
2 液供給源
3 液供給路
4 液供給制御部
5〜7 ダイアフラム
8 液圧調整室
31 バルブ
33 流入口
34 排出口

Claims (5)

  1. 処理液をノズルから被処理体に供給するための液供給装置において、
    屈曲部位を有する流路における当該屈曲部位の上流側に相当し、その上流端が前記処理液の液供給源に接続された第1の液供給路と、
    この第1の液供給路に介設され、処理液の給断を行うためのバルブと、
    前記流路における前記屈曲部位の下流側に相当し、その下流端にノズルが設けられた第2の液供給路と、
    前記屈曲部位に臨む壁部を構成する進退自在な振動吸収用の可動壁部と、
    前記バルブを閉じた時に処理液が前記ノズル側に押し出された後、前記バルブ側に引き戻される時に、前記振動吸収用の可動壁部を後退させるための駆動部と、
    前記第2の液供給路の下流側に設けられ、前記ノズルからの液の吐出が終了し、前記振動吸収用の可動壁部が後退した後、前記ノズル内の処理液の液面を引き込むための吸引機構と、を備えたことを特徴とする液供給装置。
  2. 前記駆動部を制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項1に記載の液供給装置。
  3. 前記制御部は、前記バルブを閉止した後、設定時間経過後に前記振動吸収用の可動壁部を後退させるように制御信号を出力するものであることを特徴とする請求項2に記載の液供給装置。
  4. 前記制御部は、前記バルブが開くと同時にまたは開いている時に、前記振動吸収用の可動壁部を前進させるように制御信号を出力するものであることを特徴とする請求項2または3に記載の液供給装置。
  5. 前記振動吸収用の可動壁部は、ダイアフラムにより構成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の液供給装置。
JP2013040814A 2013-03-01 2013-03-01 液供給装置 Active JP5853971B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013040814A JP5853971B2 (ja) 2013-03-01 2013-03-01 液供給装置
KR1020140017654A KR101998894B1 (ko) 2013-03-01 2014-02-17 액 공급 장치
TW103106567A TWI538743B (zh) 2013-03-01 2014-02-26 液體供給裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013040814A JP5853971B2 (ja) 2013-03-01 2013-03-01 液供給装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014168734A JP2014168734A (ja) 2014-09-18
JP5853971B2 true JP5853971B2 (ja) 2016-02-09

Family

ID=51691579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013040814A Active JP5853971B2 (ja) 2013-03-01 2013-03-01 液供給装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5853971B2 (ja)
KR (1) KR101998894B1 (ja)
TW (1) TWI538743B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6319117B2 (ja) * 2015-01-26 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体
JP6512894B2 (ja) * 2015-03-27 2019-05-15 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法
JP6925872B2 (ja) * 2017-05-31 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、処理液供給方法及び記憶媒体
CN110159928B (zh) * 2018-02-13 2021-04-20 辛耘企业股份有限公司 流体控制装置
JP6789271B2 (ja) * 2018-09-18 2020-11-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03115267U (ja) * 1990-03-09 1991-11-28
JP2766253B2 (ja) * 1996-06-27 1998-06-18 山形日本電気株式会社 液体の流量安定化装置
JPH1133471A (ja) * 1997-07-23 1999-02-09 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
JP3490320B2 (ja) 1999-02-02 2004-01-26 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法および塗布処理装置
JP3990567B2 (ja) * 2001-12-18 2007-10-17 大日本スクリーン製造株式会社 ダイヤフラムバルブ、基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP4668027B2 (ja) * 2005-10-17 2011-04-13 シーケーディ株式会社 薬液供給システム
JP5045741B2 (ja) * 2009-12-25 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 薬液供給ノズル及び薬液供給方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140109258A (ko) 2014-09-15
TWI538743B (zh) 2016-06-21
KR101998894B1 (ko) 2019-07-10
TW201440897A (zh) 2014-11-01
JP2014168734A (ja) 2014-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5853971B2 (ja) 液供給装置
WO2016158032A1 (ja) 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法
JP5979700B2 (ja) 基板処理方法
JP4705517B2 (ja) 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
KR101838418B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP5923300B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20150034644A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TW201041080A (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP2015185813A (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP6347708B2 (ja) 塗布装置および洗浄方法
KR102328464B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TW202131437A (zh) 基板處理裝置
JP6726997B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6576217B2 (ja) 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法
JP6915498B2 (ja) ノズル待機装置、液処理装置及び液処理装置の運転方法並びに記憶媒体
JP2007059868A (ja) 基板処理装置
WO2018076152A1 (en) Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers
JP4447331B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2007258565A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP4583216B2 (ja) 基板処理方法
JP7048403B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、遅延期間設定方法およびプログラム
JP4446917B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP4347734B2 (ja) 基板処理装置
JP4813430B2 (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法、および記録媒体
JP6678448B2 (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150114

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150409

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150421

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150622

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151110

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151123

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5853971

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250