JP4447331B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
さらに、請求項1に記載の発明では、所定の処理液の供給を開始させる前に予めポンプの駆動を開始させた後、所定の処理液の供給を開始させるタイミングに応じて処理液の流路を開放状態とするように制御することにより、予めポンプに吐出圧を加えておくことができ、短時間でポンプを定常状態にすることができる。
さらに、請求項2に記載の発明では、所定の処理液の供給を開始させる前に予めポンプの駆動を開始させた後、所定の処理液の供給を開始させるタイミングに応じて処理液の流路を開放状態とするように制御することにより、予めポンプに吐出圧を加えておくことができ、短時間でポンプを定常状態にすることができる。
図1は、本発明に係る基板処理装置1の概略を示す斜視図である。図2は、基板処理装置1の本体2の側断面を示すと共に、レジスト液の塗布動作に係る主たる構成要素を示す図である。なお、図1において、図示および説明の都合上、Z軸方向が鉛直方向を表し、XY平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
基板処理装置1は、本体2と制御系6とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板(以下、単に「基板」と称する)90としており、基板90の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板90の表面に処理液としてのレジスト液を塗布する塗布処理装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル41はレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置1は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液(薬液)を塗布する装置として変形利用することもできる。
図8ないし図10は、本実施の形態における基板処理装置1の動作を示す流れ図である。また、図11は、基板処理装置1の動作における吐出ポンプ80の駆動速度と、スリットノズル41のX軸方向の移動速度を例示する図である。以下、図8ないし図10を用いて基板処理装置1の動作について説明する。なお、以下の基板処理装置1の動作は、特に明示しないかぎり、制御系6(演算部60)からの制御に基づいて行われるものである。
第1の実施の形態では、スリットノズル41が近接位置に移動してから液溜まりを形成するように構成した。すなわち、ステップS14の形成工程は、ステップS13の後に実行されていた。しかし、形成工程は、スリットノズル41が近接位置に移動する前に実行されてもよい。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
3 ステージ
30 保持面
4 架橋構造
41 スリットノズル
410 吐出口
412 マニホールド
43,44 昇降機構
43a,44a サーボモータ
5 走行機構
50,51 リニアモータ
52,53 リニアエンコーダ
6 制御系
60 演算部
601 液溜まり形成部
602 塗布制御部
61 記憶部
610 昇降量データ
611 駆動量データ
612 設定データ
613 移動量データ
64 タイマ
7 供給機構
71,72 バルブ
80 吐出ポンプ
821 ポンプ駆動モータ
90 基板
Claims (9)
- 基板に所定の処理液の膜を形成する基板処理装置であって、
基板を保持する保持台と、
先端に設けられたスリット状の吐出口から前記保持台に保持された前記基板の主面に、前記所定の処理液を吐出するスリットノズルと、
前記スリットノズルに前記所定の処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板の主面に沿って前記スリットノズルを相対的に移動させるノズル移動手段と、
前記基板の主面と前記スリットノズルの先端とが近接する近接位置にある状態で、前記処理液供給手段に前記所定の処理液の供給を行わせ、その後、前記処理液供給手段による前記所定の処理液の供給を所定の時間停止させることにより、前記基板の主面と前記スリットノズルの先端との間に前記所定の処理液の液溜まりを形成する液溜まり形成手段と、
前記液溜まり形成手段により前記液溜まりが形成された後、前記処理液供給手段による供給を再開させつつ前記ノズル移動手段によって前記基板と前記スリットノズルとを相対的に移動させるように制御する塗布制御手段と、
を備え、
前記処理液供給手段が、
前記スリットノズルに向けて前記所定の処理液を送液するポンプと、
前記ポンプから前記スリットノズルまでの前記所定の処理液の流路を開閉するバルブと、
を備え、
前記塗布制御手段は、前記所定の処理液の供給を開始させる前に予め前記ポンプの駆動を開始させた後、前記所定の処理液の供給を開始させるタイミングに応じて前記バルブが前記流路を開放状態とするように前記処理液供給手段を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 基板に所定の処理液の膜を形成する基板処理装置であって、
基板を保持する保持台と、
先端に設けられたスリット状の吐出口から前記保持台に保持された前記基板の主面に、前記所定の処理液を吐出するスリットノズルと、
前記スリットノズルに前記所定の処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板の主面と前記スリットノズルの先端との間隔を相対的に変更する変更手段と、
前記基板の主面に沿って前記スリットノズルを相対的に移動させるノズル移動手段と、
前記基板の主面と前記スリットノズルの先端とが離間する離間位置にある状態で、前記処理液供給手段を駆動して前記スリットノズルに前記所定の処理液を供給し、前記基板の主面と前記スリットノズルの先端との間に前記所定の処理液の液溜まりを形成する液溜まり形成手段と、
前記液溜まり形成手段により前記液溜まりが形成された後に、前記変更手段を制御することにより、前記基板の主面と前記スリットノズルの先端とが近接する近接位置にある状態とするとともに、前記処理液供給手段により前記所定の処理液を供給させつつ前記ノズル移動手段により前記基板と前記スリットノズルとを相対的に移動させるように前記処理液供給手段および前記ノズル移動手段を制御する塗布制御手段と、
を備え、
前記処理液供給手段が、
前記スリットノズルに向けて前記所定の処理液を送液するポンプと、
前記ポンプから前記スリットノズルまでの前記所定の処理液の流路を開閉するバルブと、
を備え、
前記塗布制御手段は、前記所定の処理液の供給を開始させる前に予め前記ポンプの駆動を開始させた後、前記所定の処理液の供給を開始させるタイミングに応じて前記バルブが前記流路を開放状態とするように前記処理液供給手段を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記液溜まり形成手段は、前記処理液供給手段による前記所定の処理液の供給を開始し、その後、前記処理液供給手段による前記所定の処理液の供給を所定の時間停止させることにより、前記液溜まりを形成することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記液溜まり形成手段は、前記処理液供給手段からの出力に基づいて、前記処理液供給手段から供給される前記所定の処理液の量が第1吐出量となるように、前記処理液供給手段を制御し、
前記第1吐出量は、前記スリットノズルが前記近接位置にある状態において、前記基板の主面と前記スリットノズルの先端との間に形成される隙間空間の体積と略同一体積以下とされることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記塗布制御手段は、前記処理液供給手段による前記所定の処理液の供給が行われている状態で、前記ノズル移動手段による前記スリットノズルの移動を開始させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記塗布制御手段は、前記ノズル移動手段による前記スリットノズルの移動を開始した後に、前記処理液供給手段による前記所定の処理液の供給加速度を低加速度状態から高加速度状態に変更することを特徴とする基板処理装置。 - 基板に所定の処理液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板を保持する保持工程と、
前記保持工程において保持された前記基板の主面に対して前記所定の処理液を吐出するスリットノズルに、前記所定の処理液を供給した後、一旦、前記所定の処理液の供給を停止することにより、前記スリットノズルの先端に前記所定の処理液の液溜まりを形成する形成工程と、
前記形成工程によって前記液溜まりが形成された後に、前記スリットノズルに前記所定の処理液を供給する供給工程と、
前記保持工程において保持された前記基板と前記スリットノズルとを前記基板の主面に沿う方向に相対的に移動させる移動工程と、
を有し、
前記供給工程が、
ポンプを駆動させる駆動工程と、
前記駆動工程による前記ポンプの駆動が開始された後、前記ポンプから前記スリットノズルまでの前記所定の処理液の流路を開放する開放工程と、
前記開放工程によって開放された前記流路を閉鎖する閉鎖工程と、
をさらに有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項7に記載の基板処理方法であって、
前記移動工程は、前記供給工程によって前記所定の処理液の供給を開始した後に、前記基板と前記スリットノズルとの相対的な移動を開始することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項7または8に記載の基板処理方法であって、
前記供給工程が、
前記移動工程が実行されていることにより前記基板と前記スリットノズルとが相対的に移動している状態で、前記所定の処理液の供給加速度を高加速度状態に変更する変更工程を有することを特徴とする基板処理方法。
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