JPH1133471A - 塗布装置 - Google Patents

塗布装置

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JPH1133471A
JPH1133471A JP9197227A JP19722797A JPH1133471A JP H1133471 A JPH1133471 A JP H1133471A JP 9197227 A JP9197227 A JP 9197227A JP 19722797 A JP19722797 A JP 19722797A JP H1133471 A JPH1133471 A JP H1133471A
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JP
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valve
resist
coating
nozzle
coating liquid
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JP9197227A
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Akihiro Fujimoto
昭浩 藤本
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低粘度型の塗布液を用いた場合でも滴りや気
泡の発生を完全に防止することができる塗布装置を提供
する。 【解決手段】 開閉バルブ79として、圧電素子により
駆動されるピエゾバルブを使用する。遅れ時間をほとん
ど無視できるピエゾバルブの使用により、開閉バルブ7
9の作動時期を正確に調節できるとともに開閉時の動作
速度を微調節することができる。そのため、バルブ閉鎖
時の動作をゆっくりと行わせることができるので、レジ
スト液の滴りやレジストノズル60先端から空気が入っ
てレジスト液に気泡が発生するのを適切に防止すること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ等の被処理体表面にレジスト液などの塗布液を塗布す
る塗布装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハ(以下、「ウエハ」という)の表面にレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理を行い、レジスト塗布後のウ
エハに対し露光処理をした後、現像処理が行われる。
【0003】レジスト塗布処理を行う塗布装置について
注目すると、従来の塗布装置では図17に示したよう
に、レジストタンク201に収容されたレジスト液をノ
ズルに向けてポンプ202で圧送し、ポンプ202とノ
ズル205との間に設けたバルブ204でレジスト液の
流路を開閉することによりノズル205からレジスト液
を吐出するタイミングを調節している。
【0004】図18はこの塗布液供給機構に用いられる
エアオペレーション型バルブ204の概略断面図であ
る。
【0005】ここで用いられるバルブ204は圧縮空気
を介して開閉動作をさせるエアオペレーション型のバル
ブである。
【0006】このバルブ204では、吸込側流路210
と吐出側流路211との間にシリンダ212が設けら
れ、このシリンダ212内にロッド213がダイヤフラ
ム214、215を介して図中上下に移動可能に保持さ
れており、スプリング216により図中下方に付勢され
ている。シリンダ212の上部でダイヤフラム214の
下側には空気室217が設けられており、この空気室2
17は操作ポート217aを介して外部と連通し、この
操作ポート217aにはソレノイドバルブ(図示省略)
を経由してエアコンプレッサ(図示省略)が接続され
る。
【0007】ソレノイドバルブを閉じてエアコンプレッ
サから圧縮空気を送らない状態では、スプリング216
の押圧力によりロッド213下端部とゲート部218と
の間は閉鎖されている。
【0008】このバルブ204を作動させるには、ソレ
ノイドバルブを開けてエアコンプレッサからの圧縮空気
を空気室217に送り込む。するとダイヤフラム214
が圧縮空気の力で変形しロッド213が押し上げられ、
ロッド213の下端とゲート部218との間に隙間が形
成されて吸込側流路210と吐出側流路211との間が
連通する。
【0009】ところで、製造コストを低減できたり大面
積の被処理体にも塗布できることなどから塗布液は低粘
度の方が有利であるため、従来のものより溶剤や界面活
性剤を多く含んだ低粘度型塗布液が主流になりつつあ
る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、低粘度
型の塗布液は従来の比較的高粘度のものに比べて表面張
力が低いため、ノズル先端から滴り落ちたり、ノズル先
端から空気が入って塗布液内に気泡が生じ易く、この垂
れや気泡により塗膜の膜厚が変動して被処理体の品質に
悪影響を及ぼし易い。
【0011】これを防止するためにはポンプとバルブと
をレスポンス良く作動させ、レジスト液の滴りや気泡が
生じないタイミングで正確にバルブを開閉させる必要が
あると同時に、バルブを閉じる際の動作をゆっくり行う
必要がある。
【0012】しかし、従来のエアオペレーション型バル
ブでは圧縮空気を介して駆動させる構造上、動作に遅れ
時間を伴ない、開閉バルブの作動時期を正確に調節する
のが困難である。更に、従来のソレノイドバルブでは開
閉時の作動速度を調節することは困難である。そのた
め、低粘度型の塗布液を用いた場合に滴りや気泡の発生
を完全に防止することができないという問題がある。
【0013】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、開閉バルブの作動時期を正確に調節
できるとともにバルブを閉じる際の動作をゆっくり行う
ことのできる塗布装置を提供することを目的とする。
【0014】本発明は、従来のエアオペレーション型の
バルブを大型化したり複雑化することなく開閉バルブの
作動時期を正確に調節できるとともにバルブを閉じる際
の動作をゆっくり行うことのできる塗布装置を提供する
ことを目的とする。
【0015】本発明は、低粘度型の塗布液を用いた場合
でも滴りや気泡の発生を完全に防止することができる塗
布装置を提供することを目的とする。
【0016】本発明は、従来のエアオペレーション型の
バルブを大型化したり複雑化することなく低粘度型の塗
布液を用いた場合でも滴りや気泡の発生を完全に防止す
ることができる塗布装置を提供することを目的とする。
【0017】本発明は、塗布液フィルタを配設し、低粘
度型の塗布液を用いた場合でも滴りや気泡の発生を完全
に防止することができる塗布装置を提供することを目的
とする。
【0018】本発明は、塗布液フィルタを配設し、低粘
度型の塗布液を用いた場合でも、従来のエアオペレーシ
ョン型のバルブを大型化したり複雑化することなく滴り
や気泡の発生を完全に防止することができる塗布装置を
提供することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項1記載の本発明の塗布装置は、塗布液を収容
するタンクと、タンクから供給された塗布液を被処理体
に吐出するノズルと、前記タンクと前記ノズルとの間に
配設され、タンク内の塗布液を圧送するポンプと、前記
ポンプとノズルとの間に配設され、電気的に駆動されて
塗布液の流路を開閉する開閉バルブとを具備する。
【0020】請求項2記載の本発明の塗布装置は、請求
項1に記載の処理装置であって、開閉バルブが圧電素子
により駆動されるバルブであることを特徴とする。
【0021】請求項3記載の本発明の塗布装置は、塗布
液を収容するタンクと、タンクから供給された塗布液を
被処理体に吐出するノズルと、前記タンクと前記ノズル
との間に配設され、タンク内の塗布液を圧送するポンプ
と、前記ポンプとノズルとの間に配設され、電気的に駆
動されて塗布液の流路を開閉する開閉バルブと、前記開
閉バルブとノズルとの間に配設され、電気的に駆動され
て開閉バルブ閉鎖後所定時間経過後に流路内の塗布液に
負圧を与えるサックバックバルブとを具備する。 請求
項4記載の本発明の塗布装置は、請求項3に記載の処理
装置であって、開閉バルブ及び/又はサックバックバル
ブが、圧電素子により駆動されるバルブであることを特
徴とする。
【0022】請求項5記載の本発明の塗布装置は、塗布
液を収容するタンクと、タンクから供給された塗布液を
被処理体に吐出するノズルと、前記タンクと前記ノズル
との間に配設され、塗布液流入側にフィルタを内蔵した
ポンプと、前記ポンプとノズルとの間に配設され、電気
的に駆動されて塗布液の流路を開閉する開閉バルブとを
具備する。
【0023】請求項6記載の本発明の塗布装置は、請求
項5に記載の塗布装置であって、開閉バルブが圧電素子
により駆動されるバルブであることを特徴とする。
【0024】請求項7記載の本発明の塗布装置は、塗布
液を収容するタンクと、タンクから供給された塗布液を
被処理体に吐出するノズルと、前記タンクと前記ノズル
との間に配設され、塗布液流入側にフィルタを内蔵した
ポンプと、前記ポンプとノズルとの間に配設され、電気
的に駆動されて塗布液の流路を開閉する開閉バルブと、
前記開閉バルブとノズルとの間に配設され、電気的に駆
動されて開閉バルブ閉鎖後所定時間経過後に流路内の塗
布液に負圧を与えるサックバックバルブとを具備する。
【0025】請求項8記載の本発明の塗布装置は、請求
項7に記載の処理装置であって、開閉バルブ及び/又は
サックバックバルブが圧電素子により駆動されるバルブ
であることを特徴とする。
【0026】請求項1の塗布装置では、塗布液の流路を
開閉する開閉バルブとして電気的に直接駆動されるバル
ブを備えているので、開閉バルブの作動時期を正確に調
節できるとともに開閉バルブの閉鎖速度を多段階に調整
できる塗布装置を提供することができる。
【0027】請求項2の塗布装置では、請求項1に記載
の塗布装置であって、開閉バルブとして圧電素子により
駆動されるバルブを備えているので、従来のエアオペレ
ーション型のバルブを大型化したり複雑化することなく
開閉バルブの作動時期を正確に調節できるとともに開閉
バルブの閉鎖速度を多段階に調整できる塗布装置を提供
することができる。
【0028】請求項3の塗布装置では、開閉バルブとし
て電気的に直接駆動されるバルブを備えていることに加
え、サックバックバルブとして電気的に直接駆動される
バルブを備えているので、低粘度型の塗布液を用いた場
合でも滴りや気泡の発生が完全に防止される塗布装置を
提供することができる。
【0029】請求項4の塗布装置では、請求項3に記載
の塗布装置であって、開閉バルブ及び/又はサックバッ
クバルブとして、圧電素子により駆動されるバルブを備
えているので、従来のエアオペレーション型のバルブを
大型化したり複雑化することなく低粘度型の塗布液を用
いた場合でも滴りや気泡の発生が完全に防止される塗布
装置を提供することができる。
【0030】請求項5の塗布装置では、塗布液流入側に
フィルタを内蔵したポンプを用いるとともに、開閉バル
ブとして電気的に直接駆動されるバルブを備えているの
で、フィルタを配設し、低粘度型の塗布液を用いた場合
でも滴りや気泡の発生が完全に防止される塗布装置を提
供することができる。
【0031】請求項6の塗布装置では、請求項5に記載
の塗布装置であって、開閉バルブとして圧電素子により
駆動されるバルブを備えているので、フィルタを配設
し、低粘度型の塗布液を用いた場合でも、従来のエアオ
ペレーション型のバルブを大型化したり複雑化すること
なく滴りや気泡の発生が完全に防止される塗布装置を提
供することができる。
【0032】請求項7の塗布装置では、塗布液流入側に
フィルタを内蔵したポンプを用い、開閉バルブとして電
気的に直接駆動されるバルブを備えていることに加え、
サックバックバルブとして電気的に直接駆動されるバル
ブを備えているので、フィルタを配設し、低粘度型の塗
布液を用いた場合でも滴りや気泡の発生が完全に防止さ
れる塗布装置を提供することができる。
【0033】請求項8の塗布装置では、請求項7に記載
の処理装置であって、開閉バルブ及び/又はサックバッ
クバルブとして圧電素子により駆動されるバルブを備え
ているので、フィルタを配設し、低粘度型の塗布液を用
いた場合でも、従来のエアオペレーション型のバルブを
大型化したり複雑化することなく滴りや気泡の発生が完
全に防止される塗布装置を提供することができる。
【0034】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の詳細を
図面に基づいて説明する。
【0035】図1は本発明の一実施形態に係るレジスト
塗布ユニット(COT)を備えた半導体ウエハ(以下、
「ウエハ」という)の塗布現像処理システム1全体を示
した平面図である。
【0036】この塗布現像処理システム1では、被処理
体としてのウエハWをウエハカセットCRで複数枚、例
えば25枚単位で外部からシステムに搬入・搬出した
り、ウエハカセットCRに対してウエハWを搬入・搬出
したりするためのカセットステーション10と、塗布現
像工程の中で1枚ずつウエハWに所定の処理を施す枚葉
式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置した処理ス
テーション11と、この処理ステーション11に隣接し
て設けられる露光装置(図示せず)との間でウエハWを
受け渡しするためのインタフェース部12とが一体的に
接続されている。このカセットステーション10では、
カセット載置台20上の位置決め突起20aの位置に、
複数個例えば4個までのウエハカセットCRが、夫々の
ウエハ出入口を処理ステーション11側に向けてX方向
(図1中の上下方向)一列に載置され、このカセット配
列方向(X方向)およびウエハカセッ卜CR内に収納さ
れたウエハWのウエハ配列方向(Z方向;垂直方向)に
移動可能なウエハ搬送体21が各ウエハカセットCRに
選択的にアクセスする。
【0037】このウエハ搬送体21はθ方向に回転自在
であり、後述するように処理ステーション11側の第3
の処理ユニット群G3 の多段ユニット部に配設されたア
ライメントユニット(ALIM)やイクステンションユ
ニット(EXT)にもアクセスできる。
【0038】処理ステーション11には、ウエハ搬送装
置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構22が設けら
れ、その周りに全ての処理ユニットが1組または複数の
組に亙って多段に配置されている。
【0039】図2は上記塗布現像処理システム1の正面
図である。
【0040】第1の処理ユニット群G1 では、カップC
P内でウエハWをスピンチャックに載せて所定の処理を
行う2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗
布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が
下から順に2段に重ねられている。第2の処理ユニット
群G2 では、2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレ
ジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット(D
EV)が下から順に2段に重ねられている。これらレジ
スト塗布ユニット(COT)は、レジスト液の排液が機
構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、こ
のように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に
応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。
【0041】図3は上記塗布現像処理システム1の背面
図である。
【0042】主ウエハ搬送機構22では、筒状支持体4
9の内側に、ウエハ搬送装置46が上下方向(Z方向)
に昇降自在に装備されている。筒状支持体49はモータ
(図示せず)の回転軸に接続されており、このモータの
回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬
送装置46と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送
装置46はθ方向に回転自在となっている。なお筒状支
持体49は前記モータによって回転される別の回転軸
(図示せず)に接続するように構成してもよい。ウエハ
搬送装置46には、搬送基台47の前後方向に移動自在
な複数本の保持部材48が配設されており、これらの保
持部材48は各処理ユニット間でのウエハWの受け渡し
を可能にしている。
【0043】また、図1に示すようにこの塗布現像処理
システム1では、5つの処理ユニット群G1 、G2 、G
3 、G4 、G5 が配置可能であり、第1および第2の処
理ユニット群G1 、G2 の多段ユニットは、システム正
面(図1において手前)側に配置され、第3の処理ユニ
ット群G3 の多段ユニットはカセットステーション10
に隣接して配置され、第4の処理ユニット群G4 の多段
ユニットはインタフェース部12に隣接して配置され、
第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットは背面側に配
置されることが可能である。
【0044】図3に示すように、第3の処理ユニット群
3 では、ウエハWを保持台(図示せず)に載せて所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処
理を行うクーリングユニット(COL)、レジストの定
着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒー
ジョンユニット(AD)、位置合わせを行うアライメン
トユニット(ALIM)、イクステンションユニット
(EXT)、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキン
グユニット(PREBAKE)および露光処理後の加熱
処理を行うポストベーキングユニット(POBAKE)
が、下から順に例えば8段に重ねられている。第4の処
理ユニット群G4 でも、オーブン型の処理ユニット、例
えばクーリングユニット(COL)、イクステンション
・クーリングユニット(EXTCOL)、イクステンシ
ョンユニット(EXT)、クーリングユニッ卜(CO
L)、プリベーキングユニット(PREBAKE)およ
びポストベーキングユニット(POBAKE)が下から
順に、例えば8段に重ねられている。
【0045】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、イクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット(PREBAKE)、ポストベーキン
グユニット(POBAKE)およびアドヒージョンユニ
ット(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラ
ンダムな多段配置としてもよい。
【0046】図1に示すように、インタフェース部12
では、奥行方向(X方向)は前記処理ステーション11
と同じ寸法を有するが、幅方向(Y方向)はより小さな
サイズである。このインタフェース部12の正面部に
は、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバ
ッファカセットBRとが2段に配置され、他方背面部に
は周辺露光装置23が配設され、さらに中央部にはウエ
ハ搬送体24が設けられている。このウエハ搬送体24
は、X方向、Z方向に移動して両カセットCR、BRお
よび周辺露光装置23にアクセスする。
【0047】ウエハ搬送体24は、θ方向にも回転自在
であり、処理ステーション11側の第4の処理ユニット
群G4 の多段ユニットに配設されたイクステンションユ
ニット(EXT)や、隣接する露光装置側のウエハ受渡
し台(図示せず)にもアクセスできる。
【0048】また塗布現像処理システム1では、既述の
如く主ウエハ搬送機構22の背面側にも図1中破線で示
した第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットを配置で
きるが、この第5の処理ユニット群G5 の多段ユニット
は、案内レール25に沿ってY方向へ移動可能である。
従って、この第5の処理ユニット群G5 の多段ユニット
を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール25に沿
って移動することにより、空間部が確保されるので、主
ウエハ搬送機構22に対して背後からメンテナンス作業
が容易に行える。
【0049】次に、本実施形態に係るレジスト塗布ユニ
ット(COT)について説明する。図4は本実施形態に
係るレジスト塗布ユニット(COT)の概略断面図であ
る。 このレジスト塗布ユニット(COT)の中央部に
は環状のカップCΡが配設され、カップCΡの内側には
スピンチャック51が配置されている。スピンチャック
51は真空吸着によってウエハWを固定保持した状態で
駆動モータ52によって回転駆動される。
【0050】駆動モータ52は、ユニット底板50に設
けられた開口50aに昇降移動可能に配置され、たとえ
ばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材53
を介してたとえばエアシリンダからなる昇降駆動手段5
4および昇降ガイド手段55と結合されている。
【0051】ウエハW表面に塗布液としてのレジスト液
を吐出するためのレジストノズル60は、レジストノズ
ルスキャンアーム61の先端部にノズル保持体62を介
して着脱可能に取り付けられている。このレジストノズ
ルスキャンアーム61は、ユニット底板50の上に一方
向(Y方向)に敷設されたガイドレール63上で水平移
動可能な垂直支持部材64の上端部に取り付けられてお
り、図示しないY方向駆動機構によって垂直支持部材6
4と一体にY方向に移動するようになっている。 図5
は、本実施形態に係るレジスト塗布ユニット(COT)
の概略平面図である。
【0052】レジストノズルスキャンアーム61は、レ
ジストノズル待機部65でレジストノズル60を選択的
に取り付けるためにY方向と直角なΧ方向にも移動可能
であり、図示しないΧ方向駆動機構によってΧ方向にも
移動できる。
【0053】さらに、レジストノズル待機部65でレジ
ストノズル60の吐出口が溶媒雰囲気室の口65aに挿
入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、レジスト
ノズル60先端のレジスト液が固化または劣化しないよ
うになっている。また、複数本のレジストノズル60,
60,…が設けられ、レジスト液の種類・粘度に応じて
それらのレジストノズル60が使い分けられるようにな
っている。
【0054】さらに、ガイドレール63上には、レジス
トノズルスキャンアーム61を支持する垂直支持部材6
4だけでなく、リンスノズルスキャンアーム70を支持
しY方向に移動可能な垂直支持部材71も設けられてい
る。
【0055】Y方向駆動機構(図示せず)によってリン
スノズルスキャンアーム70はカップCPの側方に設定
されたリンスノズル待機位置(実線の位置)とスピンチ
ャック51に設置されている半導体ウエハWの周辺部の
真上に設定されたリンス液吐出位置(点線の位置)との
間で並進または直線移動するようになっている。
【0056】図4に示すように、レジストノズル60
は、レジスト供給管66を介してレジスト塗布ユニット
(COT)の下方室内に配設されたレジスト液供給機構
に接続されている。
【0057】図6は本実施形態に係るレジスト塗布ユニ
ット(COT)のレジスト液供給機構の概略構成を示し
た図である。
【0058】本実施形態に係るレジスト塗布ユニット
(COT)のレジスト液供給機構では、レジスト液を収
容するレジストタンク72と、レジストタンク72から
供給されたレジスト液をウエハWに吐出するレジストノ
ズル60との間に、レジストタンク72内のレジスト液
を圧送するポンプ76が配設されており、このポンプ7
6とレジストノズル60との間に電気的に駆動されてレ
ジスト液の流路75と流路78との間を開閉するバルブ
77が配設されている。
【0059】図7は本実施形態に係るレジスト塗布ユニ
ット(COT)のバルブ77の垂直断面図である。
【0060】本実施形態に係るレジスト塗布ユニット
(COT)で用いたバルブ77には、レジスト液の流路
を開閉する開閉バルブ79に加え、この開閉バルブ79
のレジスト液移動方向下流側にサックバックバルブ80
が配設されている。
【0061】開閉バルブ79には流入側流路81と、吐
出側流路82とが設けられており、これら流入側流路8
1と吐出側流路82とは、先端がテーパ状に細くなった
管状のゲート部83を介して隣設されている。このゲー
ト部83の図中上側端面には可撓性材料、例えばシリコ
ーンゴム製の弁体84が当接するように配置されてい
る。この弁体84の側面からはダイヤフラム部85がフ
ランジ状に延設されており、その外周端部85aは開閉
バルブ79本体側に形成された溝部86に結合されてい
る。
【0062】弁体84の図中上側にはロッド87が配設
されている。このロッド87は円板状の複数の圧電素
子、例えば10個の圧電素子87a〜87jを図中上下
方向に積層して形成されており全体が円柱形をなしてい
る。それぞれの圧電素子87a〜87jは印加電圧を変
化させたときの最大伸縮方向が図中上下方向になるよう
に形成されており、各圧電素子87a〜87jは互いに
電気的に接続されると同時に機械的にも隙間のない状態
に結合されている。従って、上下方向両端の圧電素子8
7aと87jとの間に同一電源から印加した電圧を変化
させると、圧電素子87a〜87jのそれぞれが図中上
下方向に伸縮するためロッド87は圧電素子87a〜8
7jの一個の伸縮値の10倍伸縮する。なお、これらの
圧電素子87a〜87jは印加電圧を高くすると伸長
し、低くすると収縮する。
【0063】ロッド87は開閉バルブ79の本体側に形
成された円柱形のシリンダ88内に収容保持されてお
り、シリンダ88の図中上端部と下端部のそれぞれには
ロッド87の両端に配置された圧電素子87aと87j
とに電圧を印加するための電極89、90がそれぞれ配
設されており、開閉バルブ79内部を通る配線91、9
2を介して開閉バルブ79の上部に設けられた端子9
3、94とそれぞれ接続されている。これらの端子9
3、94は制御装置(図示せず)を介して電源(図示せ
ず)と接続されている。
【0064】サックバックバルブ80には吐出側流路8
2が開閉バルブ79側から延設されており、このサック
バックバルブ80の吐出側流路82には図中上方から円
柱形のピストン95の一部が突出した状態に保持されて
いる。このピストン95の図中上側にはピストン95と
同径のロッド96が配設されており、ピストン95の上
面とロッド96の下面とは結合されている。
【0065】このロッド96は上述したロッド87とほ
ぼ同じ構造をしており、円板状の複数の圧電素子、例え
ば10個の圧電素子96a〜96jを図中上下方向に積
層して全体が円柱形をなしている。それぞれの圧電素子
96a〜96jは印加電圧を変化させたときの最大伸縮
方向が図中上下方向になるように形成されており、各圧
電素子96a〜96jは互いに電気的に接続されると同
時に機械的にも隙間のない状態に結合されている。従っ
て、両端の圧電素子96aと96jとの間に同一電源か
ら印加した電圧を変化させると、圧電素子96a〜96
jのそれぞれが図中上下方向に伸縮するためロッド96
は圧電素子96a〜96jの一個の伸縮値の10倍伸縮
する。これらの圧電素子96a〜96jは印加電圧を高
くすると伸長し、低くすると収縮する。
【0066】ロッド96はサックバックバルブ80の本
体側に形成された円柱形のシリンダ97内に収容保持さ
れており、シリンダ97の図中上端部と下端部のそれぞ
れにはロッド96の両端に配置された圧電素子96aと
96jとに電圧を印加するための電極98、99がそれ
ぞれ配設されており、サックバックバルブ80内部を通
る配線100、101を介してサックバックバルブ80
の上部に設けられた端子102、103とそれぞれ接続
されている。これらの端子102、103は制御装置
(図示せず)を介して電源(図示せず)と接続されてい
る。
【0067】ロッド96の図中上側には突出量調節部材
104が配設されている。この突出量調節部材の下部に
は雄ネジ104aが形成されており、一方シリンダ97
の図中上部には雄ネジ104aと噛み合う雌ネジ105
が形成されている。この突出量調節部材104を回転す
ることにより突出量調節部材104が図中上下方向に移
動するため、突出量調節部材104の下端部がロッド9
6、ピストン95を上下させ、ピストン95の突出量
(図中lで表す)が調節される。
【0068】次に、本実施形態の塗布装置で用いるポン
プについて説明する。
【0069】図8は本実施形態に係る塗布装置に用いる
ポンプ76の詳細を示した図である。 このポンプ76
はフィルタ一体型ベローズポンプである。このポンプ7
6では、液体を圧送する機構として、ポンプ室110内
の圧力を室内容量を変動させることにより変化させてレ
ジスト液の吸液・吐出を行うチューブフラム機構を採用
している。
【0070】ポンプ76では、ポンプ室110は略円柱
状に設けられ、その周囲内壁は、流体(液体)を封入し
た例えばPFAからなるチューブフラム111の弾性膜
111aにより形成されている。このポンプ室110の
周囲内壁面はチューブフラム111におけるベローズ部
112の伸縮運動によって膨脹・収縮変位し、以てポン
プ室110の容量と圧が可変される。
【0071】ベローズ部112はモータ例えばステッピ
ングモータ113の動力によって高精度に伸縮駆動さ
れ、図示しないコントローラによってその伸縮動作タイ
ミングや伸縮速度、つまりレジスト液の吸入・吐出タイ
ミングや吸入・吐出速度が設定条件に従って制御され
る。また、ステッピングモータ113にはエンコーダ1
14が接続され、ステッピングモータ113の動作量は
コントローラにフィードバックされる。
【0072】115は光透過型センサであり、ベローズ
部112の可動支持部116に取り付けられたシャッタ
部材116aと干渉して、例えばベローズ部112の伸
縮の初期位置或いは終了位置の検出を行う。その検出信
号はコントローラに出力されることにより、ステッピン
グモータ113の制御に供される。
【0073】ポンプ室110内にレジスト液を導入する
ための吸入配管73は、その先端部周面に多数穿設され
た孔をフィルタ74内に開口せしめた状態でポンプ室1
10と接続され、一方、吐出配管75はポンプ室110
内のフィルタ外の空間に開口せしめた状態で接続されて
いる。すなわち、このフィルタ一体型のベローズポンプ
76において、レジスト液はポンプ室110内の減圧に
よる吸入過程でフィルタ74を通過してその濾過が行わ
れ、ポンプ室110内の加圧時には既に濾過を終えたレ
ジスト液が吐出される。なお、吸入配管73及び吐出配
管75の開口近傍には逆流防止のためのボール式のチェ
ッキ弁(図示せず)が各々設けられている。
【0074】チューブフラム111に封入される流体と
しては、テフロンオイルやその他のオイル、更には純水
などの液体が望ましい。液体をチューブフラム111に
封入することによって、気体を封入したものに比べてチ
ューブフラム111内の経年的な容量変化を抑制でき、
ポンプ室110周囲内壁面の膨脹・収縮変位特性の長期
安定化を図ることができる。
【0075】さらに、このフィルタ一体型のチューブフ
ラムポンプ76には、ポンプ室110内のフィルタ74
外の空間に開口した泡抜き用のベント117が設けられ
ている。
【0076】このベント117の開口と吐出配管75の
開口との間には高低差hが設けられており、ポンプ室1
10内で発生した泡は吐出配管75の開口よりも高い位
置に滞留し、そこから泡抜き用のベント117により排
出される。これにより、泡が吐出配管75内に浸入しに
くくなり、ウエハWに供給されるレジスト液中の気泡の
量を低減できる。
【0077】なお、泡抜き用のベント117には図示し
ない弁が接続され、定期的に例えばレジストタンク72
を交換する都度、この弁を開いてポンプ室110内の上
部に溜った泡を排出できる。
【0078】また、このようなフィルタ一体型のチュー
ブフラムポンプ76は、図9に示すように、泡抜き用の
ベント117の開口位置が頂点付近にくるように、水平
レベルに対して傾けて配置することが望ましい。このよ
うにすることで、泡抜き用のベント117の開口付近に
ポンプ室110内の泡118が集中し、泡の排出を効率
的に行うことが可能となる。
【0079】次に上記のように構成された塗布現像処理
システム1の動作を説明する。
【0080】本実施形態のレジスト塗布ユニット(CO
T)を備えた塗布現像処理システム1を起動すると、ウ
エハカセットCRからウエハWが取り出され、主ウエハ
搬送機構22により搬送されてレジスト塗布ユニット
(COT)内のスピンチャック51に吸着保持された
後、以下のレジスト塗布操作が開始される。
【0081】まず、スピンチャック51が回転してウエ
ハWを回転させ始めると同時に図示しないシンナー吐出
機構が作動してウエハWのほぼ中心真上の位置からシン
ナーをウエハWに吐出する。滴下されたシンナーは遠心
力によりウエハW表面全体に広がり、余分のシンナーは
遠心力で振り切られ除去される。
【0082】次いで、レジストノズルスキャンアーム6
1が移動してレジストノズル60をウエハWのほぼ中心
の真上の位置まで移動させ、この位置でレジストノズル
60からレジスト液が滴下される。滴下されたレジスト
液は前記シンナーと同様に遠心力によりウエハW表面全
体に広がり、余分のレジスト液は遠心力で振り切られ除
去される。
【0083】次いで、ウエハWはレジスト塗布ユニット
(COT)から取り出され、後続の処理ユニット、例え
ば乾燥ユニットへと搬送される。
【0084】ここで、本実施形態に係るレジスト塗布ユ
ニット(COT)のレジスト液供給機構の動作について
ついて説明する。 図6に示すように、レジストタンク
72内のレジスト液は配管73を通ってポンプ76に吸
い込まれた後、配管75を経てバルブ77へ圧送され
る。
【0085】以下、ポンプ76の動作について説明す
る。
【0086】このポンプ76は吸い込み、圧送の各動作
を交互に行う。
【0087】図10は吸い込み時のポンプ76の動作を
示した図である。
【0088】吸い込み時には、ステッピングモータ11
3を駆動してチューブフラム111のベローズ部112
を矢印方向へ引き伸ばし、ポンプ室110の周囲内壁面
を非膨脹(非突出)状態にしてポンプ室110内を大気
圧に対して減圧し、レジストタンク72内のレジスト液
を吸入配管72を通じてポンプ室110内に吸入する。
このとき、吸入配管74はその先端部周面に多数穿設さ
れた孔をフィルタ74の内部で開口させてあるので、レ
ジスト液はフィルタ74内を通過してポンプ室110に
吸入され、これによりレジスト液の濾過が行われる。
【0089】次いで、ポンプ76は吸い込んだレジスト
液を圧送する。
【0090】図11は圧送時のポンプ76の動作を示し
た図である。
【0091】一旦吸い込んだレジスト液を圧送するに
は、ステッピングモータ113を駆動してチューブフラ
ム111のベローズ部112を圧縮し、ポンプ室110
の周囲内壁面を膨脹突出状態にしてポンプ室110内の
容量を下げることによりポンプ室110内の圧力を上
げ、ポンプ室110内の濾過を終えたレジスト液を吐出
配管75より吐出する。
【0092】このポンプ76では上記のように吸い込み
時に濾過が行われ、フィルタに対して比較的遅い速度で
レジスト液を通過させることができるので、一旦捕捉し
たパーティクルやゲル化したレジストをフィルタに強く
押圧してフィルタの目を通過させてしまったり、フィル
タ通過時にレジスト液に気泡を生じさせることがない。
【0093】次に、ポンプ76、開閉バルブ79、サッ
クバックバルブ80、及びレジストノズル60相互間の
動作についてそれぞれのタイミングチャートに沿って説
明する。
【0094】図12はポンプ76の吐出時動作、開閉バ
ルブ79、及びサックバックバルブ80のそれぞれの動
作のタイミングチャートを示した図であり、図13はレ
ジストノズル60からレジスト液を吐出する前、ポンプ
76の吸込動作時の開閉バルブ79、サックバックバル
ブ80及びレジストノズル60のそれぞれの内部状態を
模式的に示した図である。
【0095】時間t以前では、図12のタイミングチ
ャートに示すように、ポンプ76、開閉バルブ79、及
びサックバックバルブ80のいずれも作動しない。
【0096】即ち、図13に示したように、弁体84と
ゲート部83との間は閉鎖されており、またピストン9
5は流路82側に突出した状態に保たれる。この状態で
レジストノズル60先端のレジスト液液面は図中上方に
凹んだ安定状態にあり、レジストノズル60先端からレ
ジスト液が滴り落ちることはない。
【0097】次に、時間tになると、ポンプ76がレ
ジスト液の圧送を開始するとともに、開閉バルブ79が
開放されて、レジストノズル60からウエハWへレジス
ト液が吐出される。
【0098】図14は開閉バルブ79が開放されてレジ
ストノズル60からレジスト液が吐出される状態を模式
的に示した図である。
【0099】時間tになると、ポンプ76が作動開始
してレジスト液が開閉バルブ79へ圧送される。開閉バ
ルブ79側では、ポンプ76の作動開始と同期してロッ
ド87への印加電圧が低電圧側に変化され、ロッド87
が収縮する。このロッド87の収縮によりロッド87の
底面に結合された弁体84が図中上方に持ち上げられ、
弁体84とゲート部83との間に隙間ができ、吸い込み
側流路81と吐出側流路82との間が連通する。吸い込
み側流路81にはポンプ76からのレジスト液が圧送さ
れるので、レジスト液は弁体84とゲート部83との間
の隙間を通って吐出側流路82へと流れ込み、流路78
及びレジストノズル60を経てウエハWへと滴下され
る。なお、この間もサックバックバルブ80のピストン
95は流路82側に突出した状態に保たれている。
【0100】次に、時間tになるとポンプ76を作動
させたまま開閉バルブ79が閉鎖される。
【0101】図15はポンプ76を作動状態で開閉バル
ブ79を閉鎖した直後の内部状態を模式的に示した図で
ある。
【0102】時間t〜tの間に所定量のレジスト液
を吐出させた後、ロッド87への印加電圧を再び高圧側
に変化させると、直ちにロッド87が図中下方に伸長
し、ロッド87に押圧された弁体84がゲート部83に
当接して吸い込み側流路81と吐出側流路82との間を
閉鎖する。レジストノズル60先端ではレジスト液の滴
下は一応停止するが、ゲート部からレジストノズル60
先端までの流路78はレジスト液で満たされている。そ
のため、図15に示すようにレジストノズル60先端の
液面はレジスト液の重量で図中下方に凸型に突出した状
態となる。
【0103】更に時間tから僅かな時間が経過して時
間tになると、サックバックバルブ80が作動を開始
する。
【0104】図16は時間tでの開閉バルブ79、サ
ックバックバルブ80及びレジストノズル60のそれぞ
れの内部状態を模式的に示した図である。
【0105】開閉バルブ79閉鎖後から所定の微小時間
が経過して時間tになると、サックバックバルブ80
側のロッド96への印加電圧を低電圧側に変化させ、ロ
ッド96を図中上方に収縮させる。これにつれてピスト
ン95が図中上方のシリンダ97内に引き込まれると、
ゲート部83からレジストノズル60までの流路78内
の容積が増大してこの流路78内に保持されるレジスト
液に負圧が作用する。ゲート部83と弁体84との間は
閉鎖されているので、負圧はレジストノズル60先端の
液面に作用し、この液面をレジストノズル60の内部に
引き込み、図16に示すように図中上方に凹んだ状態に
なる。
【0106】このように、本実施形態に係るレジスト塗
布ユニット(COT)では、開閉バルブ79として、作
動するまでの遅れ時間をほとんど無視できるピエゾバル
ブを使用しているので、開閉バルブの開閉時期を正確に
調節できる。
【0107】また、本実施形態のレジスト塗布ユニット
(COT)では、サックバックバルブ80として、作動
するまでの遅れ時間をほとんど無視できるピエゾバルブ
を使用しているので、前記開閉バルブ79の作動時期に
対するサックバックバルブ80の作動時期を正確に調節
できる。
【0108】その結果、開閉バルブ79閉鎖後、レジス
トノズル60の先端からレジスト液が滴り落ちる前にサ
ックバックバルブ80が作動してレジストノズル60先
端のレジスト液をレジストノズル60内に吸い戻すので
レジスト液の滴りを適切に防止することができる。
【0109】また、レジストノズル60先端にレジスト
液が残っている段階でレジスト液をレジストノズル60
内に吸い戻すので、吸い戻し過ぎによる気泡の発生が防
止される。
【0110】更に、既述したように、フィルタを内蔵す
るチューブフラム式のベローズポンプ76の使用により
気泡の発生が防止される。従って、開閉バルブ79、サ
ックバックバルブ80、及び上記ポンプ76の効果が相
俟って、より確実に気泡の発生が防止され、膜厚不良が
起きにくくなり、歩留まりが向上するという効果が得ら
れる。
【0111】なお、本発明は上述した実施形態には限定
されない。
【0112】例えば、上記実施形態では、開閉バルブや
サックバックバルブの駆動源として圧電素子を用いた
が、電気的に作動する駆動源であって遅れ時間をほとん
ど無視できるものであれば良く、例えばサーボモータに
より駆動されるものやムービングコイルを駆動源とした
ボイスコイルアクチュエータを用いることも可能であ
る。 また、本実施形態では、レジスト塗布装置に本発
明を適用した場合について説明したが、本発明は、例え
ば反射防止膜をウエハに塗布形成する装置など、その他
の処理液をウエハに塗布する塗布装置に適用できること
は言うまでもない。
【0113】さらに、本発明は、半導体ウエハ以外の基
板、例えばLCD基板にレジスト液やその他の処理液を
塗布する装置にも適用可能である。
【0114】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1記載の本
発明によれば、塗布液の流路を開閉するバルブとして電
気的に直接駆動されるバルブを備えているので、開閉バ
ルブの開閉時期を正確に調節できるとともに開閉バルブ
の閉鎖速度を多段階に調整できる塗布装置を提供するこ
とができる。
【0115】請求項2記載の本発明によれば、請求項1
に記載の塗布装置であって、バルブとして圧電素子によ
り駆動されるバルブを備えているので、従来のエアオペ
レーション型のバルブを大型化したり複雑化することな
く開閉バルブの開閉時期を正確に調節できるとともに開
閉バルブの閉鎖速度を多段階に調整できる塗布装置を提
供することができる。
【0116】請求項3記載の本発明によれば、塗布液の
流路を開閉するバルブとして電気的に直接駆動されるバ
ルブを備えていることに加え、バルブ閉鎖後所定時間経
過後に流路内の塗布液に負圧を与えるサックバックバル
ブとして電気的に直接駆動されるバルブを備えているの
で、低粘度型の塗布液を用いた場合でも滴りや気泡の発
生が完全に防止される塗布装置を提供することができ
る。
【0117】請求項4記載の本発明によれば、請求項3
に記載の塗布装置であって、バルブ及び/又はサックバ
ックバルブとして、圧電素子により駆動されるバルブを
備えているので、従来のエアオペレーション型のバルブ
を大型化したり複雑化することなく低粘度型の塗布液を
用いた場合でも滴りや気泡の発生が完全に防止される塗
布装置を提供することができる。
【0118】請求項5記載の本発明によれば、塗布液流
入側にフィルタを内蔵したポンプを用いるとともに、開
閉バルブとして電気的に直接駆動されるバルブを備えて
いるので、フィルタを配設し、低粘度型の塗布液を用い
た場合でも滴りや気泡の発生が完全に防止される塗布装
置を提供することができる。
【0119】請求項6記載の本発明によれば、請求項5
に記載の塗布装置であって、開閉バルブとして圧電素子
により駆動されるバルブを備えているので、フィルタを
配設し、低粘度型の塗布液を用いた場合でも、従来のエ
アオペレーション型のバルブを大型化したり複雑化する
ことなく滴りや気泡の発生が完全に防止される塗布装置
を提供することができる。
【0120】請求項7記載の本発明によれば、塗布液流
入側にフィルタを内蔵したポンプを用い、開閉バルブと
して電気的に直接駆動されるバルブを備えていることに
加え、サックバックバルブとして電気的に直接駆動され
るバルブを備えているので、フィルタを配設し、低粘度
型の塗布液を用いた場合でも滴りや気泡の発生が完全に
防止される塗布装置を提供することができる。
【0121】請求項8記載の本発明によれば、請求項7
に記載の処理装置であって、開閉バルブ及び/又はサッ
クバックバルブとして圧電素子により駆動されるバルブ
を備えているので、フィルタを配設し、低粘度型の塗布
液を用いた場合でも、従来のエアオペレーション型のバ
ルブを大型化したり複雑化することなく滴りや気泡の発
生が完全に防止される塗布装置を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係るレジスト塗布ユニット
を備えた塗布現像処理システムの平面図である。
【図2】本発明の実施形態に係るレジスト塗布ユニット
を備えた塗布現像処理システムの正面図である。
【図3】本発明の実施形態に係るレジスト塗布ユニット
を備えた塗布現像処理システムの背面図である。
【図4】本発明の実施形態に係るレジスト塗布ユニット
の断面図である。
【図5】本発明の実施形態に係るレジスト塗布ユニット
の平面図である。
【図6】本発明の実施形態に係るレジスト塗布ユニット
のレジスト液供給機構の概略構成図である。
【図7】本発明の実施形態に係るバルブの垂直断面図で
ある。
【図8】本実施形態に係るレジスト塗布ユニットに用い
るポンプの詳細を示した図である。
【図9】本実施形態に係るレジスト塗布ユニットに用い
る内蔵フィルタの取付け状態を示した図である。
【図10】本実施形態に係るレジスト塗布ユニットに用
いるポンプの動作を示した図である。
【図11】本実施形態に係るレジスト塗布ユニットに用
いるポンプの動作を示した図である。
【図12】本実施形態に係るレジスト塗布ユニット塗に
用いるポンプ、開閉バルブ、及びサックバックバルブの
各動作のタイミングチャートを示した図である。
【図13】本実施形態に係るレジスト塗布ユニットの開
閉バルブ作動前の状態を示した図である。
【図14】本実施形態に係るレジスト塗布ユニットの開
閉バルブ開放時の状態を示した図である。
【図15】本実施形態に係るレジスト塗布ユニットの開
閉バルブ閉鎖直後の状態を示した図である。
【図16】本実施形態に係るレジスト塗布ユニットのサ
ックバックバルブ作動時の状態を示した図である。
【図17】従来のエアオペレーション型バルブを用いた
塗布液供給システムの概念図である。
【図18】従来のエアオペレーション型バルブの垂直断
面図である。
【符号の説明】
72 レジストタンク 60 レジストノズル 76 ポンプ 79 開閉バルブ 80 サックバックバルブ 87a〜87j 圧電素子 96a〜96j 圧電素子 74 フィルタ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 塗布液を収容するタンクと、 前記タンクから供給された塗布液を被処理体に吐出する
    ノズルと、 前記タンクと前記ノズルとの間に配設され、前記タンク
    内の塗布液を圧送するポンプと、 前記ポンプと前記ノズルとの間に配設され、電気的に駆
    動されて塗布液の流路を開閉する開閉バルブとを具備す
    ることを特徴とする塗布装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の塗布装置であって、 前記開閉バルブが圧電素子により駆動されるバルブであ
    ることを特徴とする塗布装置。
  3. 【請求項3】 塗布液を収容するタンクと、 前記タンクから供給された塗布液を被処理体に吐出する
    ノズルと、 前記タンクと前記ノズルとの間に配設され、前記タンク
    内の塗布液を圧送するポンプと、 前記ポンプと前記ノズルとの間に配設され、電気的に駆
    動されて塗布液の流路を開閉する開閉バルブと、 前記開閉バルブと前記ノズルとの間に配設され、電気的
    に駆動されて開閉バルブ閉鎖後所定時間経過後に流路内
    の塗布液に負圧を与えるサックバックバルブとを具備す
    ることを特徴とする塗布装置。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の塗布装置であって、 前記開閉バルブ及び/又は前記サックバックバルブが、
    圧電素子により駆動されるバルブであることを特徴とす
    る塗布装置。
  5. 【請求項5】 塗布液を収容するタンクと、 前記タンクから供給された塗布液を被処理体に吐出する
    ノズルと、 前記タンクと前記ノズルとの間に配設され、塗布液流入
    側にフィルタを内蔵したポンプと、 前記ポンプと前記ノズルとの間に配設され、電気的に駆
    動されて塗布液の流路を開閉する開閉バルブとを具備す
    ることを特徴とする塗布装置。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載の塗布装置であって、 前記開閉バルブが圧電素子により駆動されるバルブであ
    ることを特徴とする塗布装置。
  7. 【請求項7】 塗布液を収容するタンクと、 前記タンクから供給された塗布液を被処理体に吐出する
    ノズルと、 前記タンクと前記ノズルとの間に配設され、塗布液流入
    側にフィルタを内蔵したポンプと、 前記ポンプと前記ノズルとの間に配設され、電気的に駆
    動されて塗布液の流路を開閉する開閉バルブと、 前記開閉バルブと前記ノズルとの間に配設され、電気的
    に駆動されて開閉バルブ閉鎖後所定時間経過後に流路内
    の塗布液に負圧を与えるサックバックバルブとを具備す
    ることを特徴とする塗布装置。
  8. 【請求項8】 請求項7に記載の塗布装置であって、 前記開閉バルブ及び/又は前記サックバックバルブが圧
    電素子により駆動されるバルブであることを特徴とする
    塗布装置。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002346451A (ja) * 2001-05-24 2002-12-03 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置及びその方法
JP2008041791A (ja) * 2006-08-03 2008-02-21 Toppan Printing Co Ltd 濾過装置及びそれを用いた塗布装置
JP2009141078A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置
JP2011177758A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Disco Corp レーザー加工装置
JP2013244874A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Mitsuba Corp バルブ及びウォッシャ装置
JP2014168734A (ja) * 2013-03-01 2014-09-18 Tokyo Electron Ltd 液供給装置
JP2015003315A (ja) * 2013-05-20 2015-01-08 日本電産マシナリー株式会社 液剤吐出装置
JP2016219791A (ja) * 2015-04-08 2016-12-22 ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングSuss MicroTec Lithography GmbH 基材にコーティングを施すための装置及び方法
CN112275559A (zh) * 2020-10-23 2021-01-29 深圳市今日丰科技电子有限公司 一种电池支架内壁四轴点胶机

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG115335A1 (en) * 1997-07-04 2005-10-28 Tokyo Electron Ltd Process solution supplying apparatus
KR100489764B1 (ko) * 1998-01-19 2005-05-16 동경 엘렉트론 주식회사 도포장치
DE20115847U1 (de) * 2001-09-26 2001-12-13 Loctite Deutschland GmbH, 81925 München Vorrichtung zur Ventilbetätigung und zum Stellen des Ventilhubs
US6544334B1 (en) * 2001-10-23 2003-04-08 General Electric Company Systems and methods for the deposition and curing of coating compositions
US6732017B2 (en) 2002-02-15 2004-05-04 Lam Research Corp. System and method for point of use delivery, control and mixing chemical and slurry for CMP/cleaning system
JP4024639B2 (ja) * 2002-10-16 2007-12-19 大日本スクリーン製造株式会社 薬液ポンプ、配管システム、基板処理ユニット、基板処理装置、薬液吐出方法、配液方法および基板処理方法
US6770424B2 (en) * 2002-12-16 2004-08-03 Asml Holding N.V. Wafer track apparatus and methods for dispensing fluids with rotatable dispense arms
US6874708B2 (en) * 2003-02-13 2005-04-05 Illinois Tool Works Inc. Automatic air-assisted manifold mounted gun
US7041172B2 (en) * 2003-02-20 2006-05-09 Asml Holding N.V. Methods and apparatus for dispensing semiconductor processing solutions with multi-syringe fluid delivery systems
US7107128B2 (en) * 2004-02-13 2006-09-12 Entegris, Inc. System for controlling fluid flow
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7394639B2 (en) * 2005-07-08 2008-07-01 Advanced Energy Industries, Inc. System and method for driving an industrial control device
KR100819019B1 (ko) * 2006-12-27 2008-04-02 세메스 주식회사 기판 세정 장치
GB2483311B (en) * 2008-03-28 2013-02-06 Shizuoka Prefectural University Corp Method of producing fermented tea drink
TWI435196B (zh) 2009-10-15 2014-04-21 Pivotal Systems Corp 氣體流量控制方法及裝置
US9400004B2 (en) 2010-11-29 2016-07-26 Pivotal Systems Corporation Transient measurements of mass flow controllers
WO2017011325A1 (en) 2015-07-10 2017-01-19 Pivotal Systems Corporation Method and apparatus for gas flow control
KR101817212B1 (ko) 2016-04-29 2018-02-21 세메스 주식회사 처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치
CN110159928B (zh) * 2018-02-13 2021-04-20 辛耘企业股份有限公司 流体控制装置
JP2022138462A (ja) * 2021-03-10 2022-09-26 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および供給弁

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS434482Y1 (ja) * 1965-03-27 1968-02-27
JPS5156845A (en) * 1974-11-13 1976-05-18 Hitachi Ltd Entojowaakuno tofusochi
JPS5156846A (ja) * 1974-11-14 1976-05-18 Mitsui Shipbuilding Eng Purasuchitsukutosohoho
JPS59115856A (ja) * 1982-12-23 1984-07-04 Konishiroku Photo Ind Co Ltd インクジエツト記録装置
JPH07121380B2 (ja) * 1987-03-24 1995-12-25 東京エレクトロン株式会社 液吐出装置
JP2962729B2 (ja) * 1988-08-26 1999-10-12 東京エレクトロン株式会社 レジスト塗布装置
KR0138097B1 (ko) * 1989-05-22 1998-06-15 고다까 토시오 도포장치
JP2803859B2 (ja) * 1989-09-29 1998-09-24 株式会社日立製作所 流動体供給装置およびその制御方法
AT397700B (de) * 1991-12-11 1994-06-27 Hoerbiger Fluidtechnik Gmbh Piezo-ventil
DE69408917T2 (de) * 1993-06-15 1998-06-25 Fuji Photo Film Co Ltd Verfahren zur Herstellung von blattartigen Platten
US5636402A (en) * 1994-06-15 1997-06-10 Minolta Co., Ltd. Apparatus spreading fluid on floor while moving
JPH0826849A (ja) * 1994-07-15 1996-01-30 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 軽量コンクリート製品
TW294821B (ja) * 1994-09-09 1997-01-01 Tokyo Electron Co Ltd

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002346451A (ja) * 2001-05-24 2002-12-03 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置及びその方法
JP2008041791A (ja) * 2006-08-03 2008-02-21 Toppan Printing Co Ltd 濾過装置及びそれを用いた塗布装置
JP2009141078A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置
JP2011177758A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Disco Corp レーザー加工装置
JP2013244874A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Mitsuba Corp バルブ及びウォッシャ装置
JP2014168734A (ja) * 2013-03-01 2014-09-18 Tokyo Electron Ltd 液供給装置
JP2015003315A (ja) * 2013-05-20 2015-01-08 日本電産マシナリー株式会社 液剤吐出装置
JP2016219791A (ja) * 2015-04-08 2016-12-22 ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングSuss MicroTec Lithography GmbH 基材にコーティングを施すための装置及び方法
CN112275559A (zh) * 2020-10-23 2021-01-29 深圳市今日丰科技电子有限公司 一种电池支架内壁四轴点胶机

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Publication number Publication date
SG115321A1 (en) 2005-10-28
KR19990014090A (ko) 1999-02-25
KR100380666B1 (ko) 2003-07-07
TW421823B (en) 2001-02-11
US6113695A (en) 2000-09-05

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