TW201940243A - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

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TW201940243A
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太田喬
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

基板處理裝置（100）包括處理液蓄積部（110）、液供給配管（130）、泵（140）、液循環配管（150）、氣體供給配管（160）以及內壓調整部（170）。處理液蓄積部（110）蓄積處理液L。液供給配管（130）將處理液蓄積部（110）內的處理液L供給於基板W。泵（140）安裝於液供給配管（130）。液循環配管（150）使處理液L以回到處理液蓄積部（110）的方式循環。氣體供給配管（160）將對處理液蓄積部（110）供給氣體的氣體供給部（210）、與處理液蓄積部（110）連通。內壓調整部（170）調整處理液蓄積部（110）的內壓。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本發明是有關於一種基板處理裝置以及基板處理方法。
對基板進行處理的基板處理裝置已為人所知。例如，基板處理裝置被用於半導體基板或玻璃基板的處理（例如參照專利文獻1）。專利文獻1的基板處理裝置利用溫度調整器來調整蝕刻液供給槽的蝕刻液的溫度，將溫度經調整的蝕刻液及溫度經調整的氣體供給於處理腔室，藉此提高對基板的蝕刻的面內均勻性。
[先前技術文獻][專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-69696號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，專利文獻1所記載的基板處理裝置中，若將蝕刻液供給於處理腔室內的基板，結果蝕刻液供給槽內的蝕刻液的量減少，則蝕刻液供給槽內的氣體的體積增大。此時，蝕刻液供給槽內的壓力降低，有蝕刻液供給槽外部的空氣滲入至蝕刻液供給槽內，蝕刻液供給槽內的蝕刻液的特性變化之虞。
本發明是鑒於所述課題而成，其目的在於提供一種可抑制處理液蓄積部內的處理液的特性變化的基板處理裝置以及基板處理方法。
[解決課題之手段]
根據本發明的一方面，基板處理裝置對基板進行處理。基板處理裝置包括處理液蓄積部、液供給配管、泵、液循環配管、氣體供給配管以及內壓調整部。所述處理液蓄積部蓄積處理液。所述液供給配管將所述處理液蓄積部內的所述處理液供給於所述基板。所述泵安裝於所述液供給配管。所述液循環配管使所述處理液以回到所述處理液蓄積部的方式循環。所述氣體供給配管將對所述處理液蓄積部供給氣體的氣體供給部、與所述處理液蓄積部連通。所述內壓調整部調整所述處理液蓄積部的內壓。
本發明的基板處理裝置中，所述內壓調整部包含根據所述泵的驅動而容積變動的容積變動部。
本發明的基板處理裝置中，所述容積變動部具有蛇腹（bellows）結構。
本發明的基板處理裝置中，所述容積變動部設於所述處理液蓄積部。
本發明的基板處理裝置中，所述容積變動部設於所述氣體供給配管。
本發明的基板處理裝置中，所述基板處理裝置更包括：止回閥，安裝於所述氣體供給配管中所述內壓調整部與所述氣體供給部之間。
本發明的基板處理裝置中，所述內壓調整部包含：閥，與所述處理液蓄積部連通，將所述處理液蓄積部的氣體排出至外部。
本發明的基板處理裝置中，所述基板處理裝置更包括：過濾器，安裝於所述液供給配管。
本發明的基板處理裝置中，所述基板處理裝置更包括閥。所述閥安裝於所述液供給配管，可切換為使所述液供給配管內流動的所述處理液通過的開狀態、及停止自所述處理液蓄積部供給所述處理液的閉狀態。
本發明的基板處理裝置中，所述基板處理裝置更包括：多個腔室，分別收容所述基板。所述多個腔室各自包含所述液供給配管，所述處理液自所述處理液蓄積部經由所述多個腔室各自的所述液供給配管而供給於所述基板。
根據本發明的另一方面，基板處理方法為對基板進行處理的方法。基板處理方法包含循環步驟以及基板處理步驟。於所述循環步驟中，以自蓄積有處理液的處理液蓄積部經由液循環配管而回到所述處理液蓄積部的方式使所述處理液循環。於所述基板處理步驟中，於所述循環步驟之後，將所述處理液蓄積部內的所述處理液供給於所述基板而對所述基板進行處理。所述循環步驟包含調整所述處理液蓄積部的內壓的內壓調整步驟。
本發明的基板處理裝置中，所述內壓調整步驟包含與所述處理液蓄積部連通的內壓調整部的容積變動的步驟。
本發明的基板處理裝置中，基板處理方法於所述循環步驟之前，更包含：置換步驟，自氣體供給部對所述處理液蓄積部供給氣體，以自所述氣體供給部供給的氣體來置換所述處理液蓄積部的內部。
根據本發明的另一方面，基板處理方法為對基板進行處理的方法。基板處理方法包含液注入步驟以及基板處理步驟。於所述液注入步驟中，自液供給部對處理液蓄積部注入處理液。於所述基板處理步驟中，將所述處理液蓄積部內的所述處理液供給於所述基板而對所述基板進行處理。所述液注入步驟包含調整所述處理液蓄積部的內壓的內壓調整步驟。
本發明的基板處理裝置中，所述基板處理方法於所述液注入步驟之前，更包含：置換步驟，自氣體供給部對所述處理液蓄積部供給氣體，以自所述氣體供給部供給的氣體來置換所述處理液蓄積部的內部。
[發明的效果]
根據本發明，可抑制處理液蓄積部內的處理液的特性變化。
以下，參照圖式對本發明的實施形態進行說明。再者，圖中對相同或相應部分標註相同的參照符號而不重覆進行說明。
參照圖1，對本發明的基板處理裝置100的實施形態進行說明。圖1為本實施形態的基板處理裝置100的示意圖。
基板處理裝置100對基板W進行處理。例如，基板W為半導體基板。或者，基板W亦可為玻璃基板。例如，基板處理裝置100以對基板W進行蝕刻、表面處理、特性賦予、處理膜形成、膜的至少一部分的去除以及清洗中的至少一種的方式，對基板W進行處理。
基板處理裝置100包括處理液蓄積部110、腔室120、液供給配管130、泵140、液循環配管150、氣體供給配管160以及內壓調整部170。處理液蓄積部110為中空形狀的容器。處理液蓄積部110的內部除了與後述的配管連結以外，與外部的空氣阻斷。處理液蓄積部110蓄積處理液L。再者，典型而言，於處理液蓄積部110的內部，存在處理液L並且於處理液L的上方存在氣體G。
例如，處理液L包含撥水劑。藉由將撥水劑供給於基板W，而對基板W的主面賦予撥水性。此時，附著於基板W的水對基板W顯示高的接觸角。
例如，可使用矽烷化劑作為撥水劑。藉由將矽烷化劑供給於基板W的主面，而於基板W的主面成為包含矽（Si）原子的疏水性的官能基（矽烷基）大量存在的狀態，對基板W的主面賦予撥水性。另外，藉由將活性劑與撥水劑混合使用，而利用活性劑使撥水劑化學活化，故而與僅使用撥水劑的情形相比，可對基板W的主面賦予更高的撥水性。
再者，處理液L不限定於包含撥水劑。處理液L亦可包含顯影劑。例如，可使用鹼性水溶液作為顯影劑。鹼性水溶液例如包含氫氧化四甲基銨（tetra methyl ammonium hydroxide，TMAH）或氫氧化鉀（potassium hydroxide，KOH）。
或者，於基板處理裝置100對形成有矽氮化膜的基板W進行蝕刻處理的情形時，處理液L較佳為包含磷酸。例如，於基板處理裝置100進行抗蝕劑的去除處理的情形時，處理液L包含硫酸過氧化氫水混合液（sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture，SPM）。包含磷酸或SPM的處理液為於高溫使用的處理液的一例。
另外，處理液L亦可用於基板W的清洗。例如，處理液L可使用緩衝氫氟酸（buffered hydrofluoric acid，BHF）、稀氫氟酸（diluted hydrofluoric acid，DHF）、氫氟酸、有水氫氟酸（hydrofluoric acid）、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、乙酸、草酸或氨水等水溶液、或該些的混合溶液等。
再者，處理液L不限於所述用途，可用於任意目的。例如，處理液L亦可為包含硫酸、乙酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸（例如檸檬酸、草酸等）、有機鹼、界面活性劑、防腐蝕劑中的至少一種的液體。將該些混合而成的化學液之例可列舉硫酸過氧化氫水混合液、氨過氧化氫水混合液（ammonia-hydrogen peroxide mixture，SC1）等。
腔室120具有大致箱形狀。腔室120收容基板W。基板W例如為大致圓板狀。此處，基板處理裝置100為對基板W逐片進行處理的單片式，於腔室120中逐片收容基板W。
腔室120具有噴嘴122。噴嘴122配置於腔室120內。噴嘴122朝向基板W噴出處理液L。
液供給配管130將處理液蓄積部110內的處理液L供給於基板W。液供給配管130將處理液蓄積部110與腔室120的噴嘴122連通。處理液蓄積部110內的處理液L經由液供給配管130而移送至腔室120的噴嘴122，自噴嘴122噴出至基板W。處理液蓄積部110位於液供給配管130的上游，腔室120及噴嘴122位於液供給配管130的下游。
例如，液供給配管130是由氟樹脂形成。作為一例，液供給配管130是由聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene，PTFE）或全氟烷氧基烷烴（perfluoro alkoxy alkane，PFA）所形成。
泵140安裝於液供給配管130。泵140暫且吸入處理液L後，將吸入的處理液L向下游擠出。由泵140擠出的處理液L的壓力例如為約兩個大氣壓。藉由泵140的驅動，處理液蓄積部110內的處理液L通過液供給配管130而移送至腔室120。
液循環配管150成為以處理液蓄積部110內的處理液L再次回到處理液蓄積部110的方式使處理液L循環的路徑。此處，液循環配管150自液供給配管130分支而與處理液蓄積部110連通。液供給配管130與液循環配管150的分支點152位於處理液蓄積部110與腔室120之間。
再者，液循環配管150的前端154較佳為位於較處理液蓄積部110內的處理液L與氣體G的界面更靠下方。藉由液循環配管150的前端154位於較處理液L與氣體G的界面更靠下方，處理液L能以不與處理液蓄積部110內的氣體G接觸的方式到達處理液蓄積部110內的處理液L。另外，即便於處理液L循環的情形時，亦可減少處理液蓄積部110內的處理液L與氣體G的界面的變動，可藉由泵140適當地移送處理液L。
氣體供給配管160將來自氣體供給部210的氣體G供給於處理液蓄積部110。典型而言，氣體G為對於處理液L而為惰性的氣體。例如，氣體G為氮氣。氣體供給配管160將處理液蓄積部110與氣體供給部210連通。氣體供給部210位於氣體供給配管160的上游，處理液蓄積部110位於氣體供給配管160的下游。
例如，氣體供給配管160是由金屬或樹脂所形成。作為一例，氣體供給配管160是由不銹鋼所形成。再者，此處，氣體供給部210為基板處理裝置100的外部的裝置，氣體供給部210為設置有基板處理裝置100的工場等的專用品。然而，亦可將氣體供給部210設為基板處理裝置100的一部分。
內壓調整部170調整處理液蓄積部110的內壓。藉此，可避免處理液蓄積部110的內部的氣體的壓力（處理液蓄積部110的內壓）偏離處理液蓄積部110的外部的氣體的壓力（處理液蓄積部110的外壓）的情形。例如，於若內壓調整部170不進行調整則處理液蓄積部110的內壓低於外壓的情形時，內壓調整部170以處理液蓄積部110的內壓不低於外壓的方式，調整處理液蓄積部110的內壓。或者，於若內壓調整部170不進行調整則處理液蓄積部110的內壓高於外壓的情形時，內壓調整部170以處理液蓄積部110的內壓不高於外壓的方式調整處理液蓄積部110的內壓。如此，內壓調整部170較佳為以處理液蓄積部110的內壓成為一定的方式調整處理液蓄積部110的內壓。
例如，於藉由泵140的驅動而處理液L通過液循環配管150循環的情形時，內壓調整部170調整處理液蓄積部110的內壓。於藉由泵140的驅動而處理液L通過液循環配管150循環的情形時，若泵140吸入處理液L，則處理液蓄積部110內的處理液L的量減少，故而處理液蓄積部110內的氣體的體積增大。此時，內壓調整部170使內壓調整部170的容積減少，藉此可調整處理液蓄積部110的內壓。另外，若泵140擠出處理液L而處理液蓄積部110內的處理液L的量還原，則處理液蓄積部110內的氣體的體積減少而回到原本的體積。此時，內壓調整部170使內壓調整部170的容積增大而回到原本的容積，藉此可調整處理液蓄積部110的內壓。
或者，內壓調整部170亦可於對處理液蓄積部110內注入處理液L時，調整處理液蓄積部110的內壓。若於處理液蓄積部110內存在氣體的狀態下對處理液蓄積部110內注入處理液L，則處理液蓄積部110內的氣體的體積減少，處理液蓄積部110的內壓增大。此時，內壓調整部170亦可將處理液蓄積部110的氣體排出至外部，以使處理液蓄積部110的內壓成為一定的方式進行調整。
根據本實施形態的基板處理裝置100，藉由內壓調整部170調整處理液蓄積部110的內壓，可抑制處理液蓄積部110的內壓變化。因此，可抑制氣體意外地滲入至處理液蓄積部110內，其結果，可抑制處理液蓄積部110的處理液L的特性變化。另外，因抑制處理液蓄積部110的內壓變化，故而泵140可適當移送既定量的處理液L。
本實施形態的基板處理裝置100中，處理液蓄積部110相對於外部而密閉。因此，即便處理液L的揮發性相對較高，亦可抑制處理液L擴散至處理液蓄積部110的外部。另外，即便為與空氣接觸的情形時特性變化的處理液L，亦因處理液蓄積部110相對於外部而密閉，故而可抑制處理液L的特性變化。進而，即便處理液L為含有揮發性不同的成分的混合物，亦因處理液蓄積部110相對於外部而密閉，故而可抑制處理液L的含有成分的變動。
再者，如圖1所示，基板處理裝置100較佳為更包括過濾器132。即便於處理液L中產生微粒子的情形時，亦藉由處理液L通過過濾器132，而過濾器132可將處理液L內的微粒子過濾，可減少供給於基板W的處理液L內的微粒子的量。
過濾器132配置於液供給配管130。此處，過濾器132配置於泵140的下游側。再者，過濾器132較佳為配置於較液供給配管130與液循環配管150的分支點152更靠上游側。藉由將過濾器132配置於較分支點152更靠上游側，處理液L於循環及向基板W供給的任一情形時均通過過濾器132，故而過濾器132可將處理液L充分過濾。
再者，過濾器132亦可配置於液循環配管150。此時，亦於每當處理液L於處理液蓄積部110循環時，處理液L通過過濾器132，故而過濾器132可將處理液L充分過濾。
如圖1所示，基板處理裝置100更包括閥112a。閥112a配置於液供給配管130。此處，閥112a配置於泵140的下游側。另外，閥112a較佳為位於較液供給配管130與液循環配管150的分支點152更靠下游側。
閥112a為開閉閥，可於開狀態與閉狀態之間切換。於閥112a為開狀態的情形時，以處理液L自處理液蓄積部110朝向腔室120而於液供給配管130內流動的方式，閥112a使處理液L通過。於閥112a為閉狀態的情形時，閥112a使自處理液蓄積部110朝向腔室120而於液供給配管130內流動的處理液L的流動停止。
另外，如圖1所示，基板處理裝置100較佳為更包括閥112b。閥112b配置於液循環配管150。閥112b較佳為配置於較液供給配管130與液循環配管150的分支點152更靠下游側。
閥112b為開閉閥，可於開狀態與閉狀態之間切換。於閥112b為開狀態的情形時，以處理液L自處理液蓄積部110通過液循環配管150而回到處理液蓄積部110的方式，閥112b使處理液L通過。於閥112b為閉狀態的情形時，閥112b使朝向處理液蓄積部110而於液循環配管150內流動的處理液L的流動停止。
再者，於閥112a及閥112c為閉狀態，且閥112b為開狀態的情形時，藉由泵140的驅動，處理液L自處理液蓄積部110經由液供給配管130、液循環配管150及閥112b而回到處理液蓄積部110。另一方面，於閥112a為開狀態，且閥112b為閉狀態的情形時，藉由泵140的驅動，處理液L自處理液蓄積部110經由液供給配管130及閥112a而自噴嘴122供給於基板W。
如圖1所示，基板處理裝置100較佳為更包括溫度調節器134。溫度調節器134對通過溫度調節器134的處理液L的溫度進行調節。溫度調節器134例如為對處理液L進行加熱的加熱器。溫度調節器134配置於液供給配管130。例如，溫度調節器134較佳為位於較液供給配管130與液循環配管150的分支點152更靠上游側。
藉由溫度調節器134對處理液L進行加熱，處理液L的溫度可維持於較室溫更高的規定溫度TM。規定溫度TM表示對基板W可實現規定的處理速率（例如，規定的蝕刻速率或規定的對象物去除速率）的溫度。藉由處理液L的溫度為規定溫度TM，處理液L對基板W於規定時間內可達成規定的處理結果（例如，規定的蝕刻量或規定的對象物去除量）。對於包含磷酸的處理液而言，規定溫度TM例如為175℃。對於包含SPM的處理液而言，規定溫度TM例如為200℃。另外，對於包含TMAH的處理液而言，規定溫度TM例如為60℃。
如圖1所示，基板處理裝置100較佳為更包括止回閥162。止回閥162配置於氣體供給配管160。藉由止回閥162，而將來自氣體供給部210的氣體G供給於處理液蓄積部110，另一方面，可防止處理液蓄積部110內的氣體倒流至氣體供給部210。
於處理液蓄積部110的內壓高於氣體供給部210的壓力的情形時，止回閥162關閉，防止處理液蓄積部110內的氣體向氣體供給部210移動。另一方面，於處理液蓄積部110的內壓低於氣體供給部210的壓力的情形時，止回閥162自動打開，使來自氣體供給配管160的氣體G通過。此時，氣體G自氣體供給部210供給於處理液蓄積部110，處理液蓄積部110的內壓增大直至與氣體供給部210的壓力相等為止。
再者，亦可代替止回閥162而於氣體供給配管160中設置開閉閥。開閉閥可於開狀態與閉狀態之間切換。於開閉閥為開狀態的情形時，以氣體G自氣體供給部210朝向處理液蓄積部110而於氣體供給配管160內流動的方式，使氣體G通過。於開閉閥為閉狀態的情形時，使氣體G自氣體供給部210向處理液蓄積部110而於氣體供給配管160內流動的氣體G的流動停止。
如圖1所示，基板處理裝置100亦可更包括氣壓感測器182。氣壓感測器182檢測處理液蓄積部110的內壓。如後述，內壓調整部170亦可基於氣壓感測器182的檢測結果而調整處理液蓄積部110的內壓。
另外，如圖1所示，基板處理裝置100較佳為更包括液供給部220及液供給配管222。液供給配管222將液供給部220與液供給配管222連通。液供給部220經由液供給配管222而對處理液蓄積部110供給處理液L。液供給部220位於液供給配管222的上游，處理液蓄積部110位於液供給配管222的下游。
例如，液供給配管222是由氟樹脂所形成。作為一例，液供給配管222是由聚四氟乙烯（PTFE）或全氟烷氧基烷烴（PFA）所形成。
此處，液供給部220及液供給配管222為基板處理裝置100的外部的裝置，液供給部220及液供給配管222為設置有基板處理裝置100的工場等的專用品。然而，亦可將液供給部220及液供給配管222設為基板處理裝置100的一部分。
於液供給配管222中設有閥112c。閥112c為開閉閥，可於開狀態與閉狀態之間切換。於閥112c為開狀態的情形時，閥112c以處理液L自液供給部220朝向處理液蓄積部110而於液供給配管222內流動的方式，使處理液L通過。於閥112c為閉狀態的情形時，閥112c使處理液L自液供給部220朝向處理液蓄積部110而於液供給配管222內流動的處理液L的流動停止。
圖2為基板處理裝置100的區塊圖。基板處理裝置100更包括控制部180以及記憶部190。
控制部180包含處理器。處理器例如具有中央處理運算機（中央處理單元（Central Processing Unit，CPU））。或者，處理器亦可具有通用運算機。
記憶部190記憶資料及計算機程式。記憶部190包含主記憶裝置及輔助記憶裝置。主記憶裝置例如為半導體記憶體。輔助記憶裝置例如為半導體記憶體及/或硬碟驅動器。記憶部190亦可包含可移動媒體（removable media）。控制部180的處理器執行記憶部190所記憶的計算機程式，從而執行基板處理方法。
圖2中，將圖1所示的閥112a、閥112b、閥112c總稱而記載為閥112。本說明書中，有時將閥112a、閥112b、閥112c總稱而記載為閥112。於基板處理裝置100包括閥112的情形時，控制部180亦可控制閥112的開閉。另外，於基板處理裝置100包括溫度調節器134的情形時，控制部180亦可控制溫度調節器134。
控制部180亦可控制噴嘴122。例如，控制部180亦可控制噴嘴122的位置及/或噴嘴122噴出處理液L的時序（timing）。
控制部180控制泵140。另外，控制部180亦可控制內壓調整部170。例如，控制部180亦可基於氣壓感測器182的檢測結果而控制內壓調整部170。
繼而，參照圖1～圖3（a）對基板處理裝置100執行的基板處理方法進行說明。圖3（a）為表示本實施形態的基板處理方法的流程圖。如圖3（a）所示，本實施形態的基板處理方法包含步驟S302～步驟S306。
如步驟S302所示，首先對處理液蓄積部110注入處理液L，於處理液蓄積部110內蓄積處理液L。控制部180將閥112a及閥112b設為閉狀態。另外，控制部180將閥112c設為開狀態，液供給部220經由液供給配管222而對處理液蓄積部110供給處理液L。處理液L是注入至處理液蓄積部110內的既定高度為止。伴隨著處理液L的高度於處理液蓄積部110內上升，於處理液L的注入前存在於處理液蓄積部110內的氣體（例如，空氣或氮氣）的體積減少，處理液蓄積部110的內壓增大。
此時，內壓調整部170調整處理液蓄積部110的內壓。內壓調整部170於處理液L的注入開始或處理液L的注入途中，開始調整處理液蓄積部110的內壓。或者，內壓調整部170於處理液L的注入完成後，開始調整處理液蓄積部110的內壓。內壓調整部170於向處理液蓄積部110內注入處理液L時，可調整處理液蓄積部110的內壓。再者，內壓調整部170較佳為伴隨著處理液L的注入而自動調整處理液蓄積部110的內壓。
如步驟S304所示，藉由泵140的驅動而使處理液L循環。控制部180將閥112a及閥112c設為閉狀態，將閥112b設為開狀態，驅動泵140。藉由泵140的驅動，處理液蓄積部110內的處理液L以經由液供給配管130及液循環配管150而回到處理液蓄積部110的方式循環。
此時，內壓調整部170調整處理液蓄積部110的內壓。內壓調整部170於處理液L的循環開始或循環中，開始調整處理液蓄積部110的內壓。內壓調整部170較佳為伴隨著處理液L的循環而自動調整處理液蓄積部110的內壓。再者，於後述的步驟S306中將高溫的處理液L供給於基板W的情形時，較佳為一面於步驟S304中使處理液L循環，一面藉由溫度調節器134而將處理液L加熱至既定溫度。
如步驟S306所示，藉由泵140的驅動對基板W供給處理液L而對基板W進行處理。控制部180將閥112b及閥112c設為閉狀態，將閥112a設為開狀態，驅動泵140。藉由泵140的驅動，處理液蓄積部110的處理液L經由液供給配管130而自腔室120的噴嘴122供給於基板W。
再者，伴隨著對基板W供給處理液L，處理液蓄積部110內的處理液L的量減少。因此，處理液蓄積部110內的氣體的體積增大，處理液蓄積部110的內壓減小。此時，止回閥162自動打開，使來自氣體供給配管160的氣體G流動，氣體G自氣體供給部210供給於處理液蓄積部110，處理液蓄積部110的內壓變得與氣體供給部210的壓力相等。如以上般執行本實施形態的基板處理方法。
再者，於步驟S306中對基板W供給處理液L而對基板W進行處理後，處理液蓄積部110內的處理液L的量變少的情形時，亦可於處理液蓄積部110內補充處理液L。此時，如參照步驟S302而上文所述般，控制部180將閥112a及閥112b設為閉狀態，將閥112c設為開狀態，液供給部220經由液供給配管222而對處理液蓄積部110供給處理液L。處理液L是注入至處理液蓄積部110內的既定高度為止。伴隨著處理液L的高度於處理液蓄積部110內上升，於處理液L的注入前存在於處理液蓄積部110內的氣體（例如，空氣或氮氣）的體積減少。此時，內壓調整部170較佳為如參照步驟S302而上文所述般，調整處理液蓄積部110的內壓。
再者，於參照圖3（a）的說明中，內壓調整部170於步驟S302及步驟S304中，分別伴隨著處理液蓄積部110的內壓的變化而調整處理液蓄積部110的內壓，但本實施形態不限定於此。處理液蓄積部110的內壓調整亦可僅於任一步驟中進行。另外，內壓調整部170亦可根據控制部180（圖2）的控制而調整處理液蓄積部110的內壓。
繼而，參照圖1、圖2及圖3（b），對基板處理裝置100執行的基板處理方法進行說明。圖3（b）為表示本實施形態的基板處理方法的流程圖。如圖3（b）所示，本實施形態的基板處理方法包含步驟S302a～步驟S306。再者，圖3（b）所示的流程圖除了控制部180控制內壓調整部170的方面以外，與參照圖3（a）而上文所述的流程圖相同。因此，為了避免冗長而省略重覆的記載。
如步驟S302a所示，首先開始向處理液蓄積部110注入處理液L。控制部180將閥112a及閥112b設為閉狀態。控制部180將閥112c設為開狀態，液供給部220經由液供給配管222而對處理液蓄積部110供給處理液L。
如步驟S302b所示，調整處理液蓄積部110的內壓。藉由控制部180的控制，內壓調整部170調整處理液蓄積部110的內壓。控制部180於處理液L的注入開始或處理液L的注入途中，開始內壓調整部170進行的處理液蓄積部110的內壓調整。或者，控制部180亦可於處理液L的注入完成後，開始內壓調整部170進行的處理液蓄積部110的內壓調整。例如，控制部180基於氣壓感測器182（圖1及圖2）的檢測結果，而開始內壓調整部170進行的處理液蓄積部110的內壓調整。
如步驟S304a所示，驅動泵140而開始處理液L的循環。控制部180將閥112a及閥112c設為閉狀態，將閥112b設為開狀態，驅動泵140。藉由泵140的驅動，處理液L以自處理液蓄積部110經由液供給配管130及液循環配管150而回到處理液蓄積部110的方式循環。
如步驟S304b所示，調整處理液蓄積部110的內壓。藉由控制部180的控制，內壓調整部170調整處理液蓄積部110的內壓。內壓調整部170進行的內壓調整是於處理液L的循環開始或循環中進行。例如，控制部180基於氣壓感測器182（圖1及圖2）的檢測結果，而開始內壓調整部170進行的處理液蓄積部110的內壓調整。
如步驟S306所示，藉由泵140的驅動，對基板W供給處理液L而對基板W進行處理。控制部180將閥112b及閥112c設為閉狀態，將閥112a設為開狀態，驅動泵140。處理液L自處理液蓄積部110經由液供給配管130而自腔室120的噴嘴122供給於基板W。如以上般執行本實施形態的基板處理方法。
再者，於參照圖3（b）所說明的流程圖中，於步驟S302b及步驟S304b中，分別藉由控制部180的控制，而內壓調整部170調整處理液蓄積部110的內壓，但本發明不限定於此。處理液蓄積部110的內壓調整亦可僅於任一步驟中進行。
另外，圖1所示的基板處理裝置100包括止回閥162。另外，於圖3（a）及圖3（b）所示的步驟S306中，若處理液蓄積部110內的處理液L的量減少，處理液蓄積部110的內壓變得低於氣體供給部210的壓力，則止回閥162使來自氣體供給配管160的氣體G流動。然而，本實施形態不限定於此。
基板處理裝置100亦可不包括止回閥162而包括開閉閥。此時，於藉由泵140的驅動將處理液L供給於基板W而對基板W進行處理的情形時，內壓調整部170亦可調整處理液蓄積部110的內壓。若對基板W供給處理液L，則處理液蓄積部110內的處理液L的量減少，故而處理液蓄積部110內的氣體的體積增大。此時，內壓調整部170使內壓調整部170的容積減少，藉此可調整處理液蓄積部110的內壓。
此時，內壓調整部170進行的內壓調整亦可於處理液L的基板處理的開始或基板處理的途中進行。另外，內壓調整部170亦可伴隨著處理液L的供給而自動調整處理液蓄積部110的內壓。或者，亦可藉由控制部180的控制，而內壓調整部170調整處理液蓄積部110的內壓。
再者，於使處理液L循環時內壓調整部170調整處理液蓄積部110的內壓的情形時，較佳為內壓調整部170使容積變動。
參照圖4對本實施形態的基板處理裝置100進行說明。圖4為基板處理裝置100的示意圖。圖4所示的基板處理裝置100除了於處理液蓄積部110設有內壓調整部170的方面、以及更包括真空泵230的方面以外，具有與參照圖1而上文所述的基板處理裝置100相同的構成。因此，為了避免冗長而省略重覆的記載。
於處理液蓄積部110的下方蓄積有處理液L，於處理液蓄積部110的上方填充有氣體G。此處，內壓調整部170安裝於處理液蓄積部110的上方。
於本實施形態的基板處理裝置100中，內壓調整部170設於處理液蓄積部110。內壓調整部170包含容積變動部172A。容積變動部172A以使由容積變動部172A所包圍的區域的容積變化的方式而可變形。例如，容積變動部172A為其中一個端部經開放的中空形狀，具有可伸縮的蛇腹結構（bellows structure）。例如，容積變動部172A是由氟樹脂所形成。作為一例，容積變動部172A是由聚四氟乙烯（PTFE）或全氟烷氧基烷烴（PFA）所形成。或者，容積變動部172A亦可具有氣缸結構。
或者，容積變動部172A亦可包含移動部，且移動部具有與處理液蓄積部110連通的中空形狀。此時，亦可藉由控制部180（圖2）的控制，而使移動部相對於處理液蓄積部110而可移動。
由容積變動部172A所包圍的區域與處理液蓄積部110的內部連通。此處，容積變動部172A相對於處理液蓄積部110而變形，藉此容積變動部172A的容積變動。
較佳為於為了使處理液L循環而泵140驅動之前，容積變動部172A變形直至容積變動部172A的容積達到最大為止。如上所述，於閥112a及閥112c為閉狀態，且閥112b為開狀態的情形時，藉由泵140的驅動，而處理液L以自處理液蓄積部110經由液供給配管130及液循環配管150而回到處理液蓄積部110的方式循環。
於藉由泵140的驅動而處理液L通過液循環配管150循環的情形時，若泵140吸入處理液L，則處理液蓄積部110內的處理液L的量減少，故而處理液蓄積部110內的氣體的體積增大。此時，容積變動部172A使容積變動部172A的容積減少，藉此可將處理液蓄積部110的內壓調整為一定。另外，若泵140擠出處理液L而處理液蓄積部110內的處理液L的量還原，則處理液蓄積部110內的氣體的體積減少而回到原本的體積。此時，容積變動部172A使容積變動部172A的容積增大而回到原本的容積，藉此可將處理液蓄積部110的內壓調整為一定。
如此，處理液L根據泵140對處理液L的吸入及擠出的時序，而自處理液蓄積部110朝向液供給配管130流動，自液循環配管150回到處理液蓄積部110。因此，容積變動部172A的容積根據泵140對處理液L的吸入及擠出的時序而變動。
再者，本實施形態的基板處理裝置100更包括真空泵230。真空泵230連結於處理液蓄積部110。真空泵230將處理液蓄積部110內的氣體排出。真空泵230藉由控制部180（圖2）的控制而驅動。
再者，於參照圖4而上文所述的基板處理裝置100中，將容積變動的內壓調整部170設於處理液蓄積部110，但本實施形態不限定於此。內壓調整部170亦可設於氣體供給配管160。
參照圖5對本實施形態的基板處理裝置100進行說明。圖5為基板處理裝置100的示意圖。圖5所示的基板處理裝置100除了將內壓調整部170設於氣體供給配管160的方面以外，具有與參照圖4而上文所述的基板處理裝置100相同的構成。因此，為了避免冗長而省略重覆的記載。
於本實施形態的基板處理裝置100中，內壓調整部170設於氣體供給配管160。內壓調整部170設於止回閥162的下游側。內壓調整部170包含容積變動部172B。容積變動部172B以使由容積變動部172B所包圍的容積變化的方式而可變形。例如，容積變動部172B藉由內壓與外壓之壓力差而變形。藉由容積變動部172B變形，而容積變動部172B的容積變動。例如，容積變動部172B為其中一個端部經開放的中空形狀的容器，具有可伸縮的蛇腹結構（bellows structure）。
例如，容積變動部172B是由氟樹脂所形成。作為一例，容積變動部172B是由聚四氟乙烯（PTFE）或全氟烷氧基烷烴（PFA）所形成。或者，容積變動部172B亦可具有氣缸結構。
或者，容積變動部172B亦可包含本體部及移動部，且本體部及移動部總體具有與氣體供給配管160連通的中空形狀。此時，亦可藉由控制部180（圖2）的控制，而移動部相對於本體部而可移動。
由容積變動部172B所包圍的區域經由氣體供給配管160而與處理液蓄積部110連通。此處，容積變動部172B相對於氣體供給配管160而變形，藉此容積變動部172B的容積變動。
較佳為於為了使處理液L循環而泵140驅動之前，容積變動部172B變形直至容積變動部172B的容積達到最大為止。如上所述，於閥112a及閥112c為閉狀態，且閥112b為開狀態的情形時，藉由泵140的驅動，處理液L以自處理液蓄積部110經由液供給配管130及液循環配管150而回到處理液蓄積部110的方式循環。
於藉由泵140的驅動而處理液L通過液循環配管150循環的情形時，若泵140吸入處理液L，則處理液蓄積部110內的處理液L的量減少，故而處理液蓄積部110內的氣體的體積增大。此時，容積變動部172B使容積變動部172B的容積減少，藉此可將處理液蓄積部110的內壓調整為一定。另外，若泵140擠出處理液L而處理液蓄積部110內的處理液L的量還原，則處理液蓄積部110內的氣體的體積減少而回到原本的體積。此時，容積變動部172B使容積變動部172B的容積增大而回到原本的容積，藉此可將處理液蓄積部110的內壓調整為一定。
如此，處理液L根據泵140對處理液L的吸入及擠出的時序，自處理液蓄積部110朝向液供給配管130流動，自液循環配管150回到處理液蓄積部110。因此，容積變動部172B的容積根據泵140對處理液L的吸入及擠出的時序而變動。
再者，於參照圖5而上文所述的基板處理裝置100中，與氣體供給配管160無關而另設有容積變動的內壓調整部170，但本實施形態不限定於此。容積變動的內壓調整部170亦可設於氣體供給配管160的一部分。
參照圖6對本實施形態的基板處理裝置100進行說明。圖6為基板處理裝置100的示意圖。圖6所示的基板處理裝置100除了將內壓調整部170設為氣體供給配管160的一部分的方面以外，具有與參照圖4及圖5而上文所述的基板處理裝置100相同的構成。因此，為了避免冗長而省略重覆的記載。
內壓調整部170設於氣體供給配管160。此處，內壓調整部170是作為氣體供給配管160的一部分而設置。內壓調整部170設於止回閥162的下游側。
內壓調整部170包含容積變動部172C。容積變動部172C作為氣體供給配管160的一部分而位於止回閥162的下游側。容積變動部172C以使由容積變動部172C所包圍的容積變化的方式而可變形。例如，容積變動部172C藉由氣體供給配管160的內壓與外壓之壓力差而可變形。藉由容積變動部172C變形，而內壓調整部170的容積變動。例如，容積變動部172C為其中一個端部經開放的中空形狀，位於氣體供給配管160的側部。
由容積變動部172C所包圍的區域經由氣體供給配管160而與處理液蓄積部110連通。此處，容積變動部172C相對於氣體供給配管160的其他部分而變形，藉此容積變動部172C的容積變動。
容積變動部172C是由氟樹脂所形成。例如，容積變動部172C是由聚四氟乙烯（PTFE）所形成。例如，氣體供給配管160是由金屬所形成，另一方面，容積變動部172C是由氟樹脂所形成。
較佳為於為了使處理液L循環而泵140驅動之前，容積變動部172C變形直至容積變動部172C的容積達到最大為止。如上所述，於閥112a及閥112c為閉狀態，且閥112b為開狀態的情形時，藉由泵140的驅動，處理液L以自處理液蓄積部110經由液供給配管130及液循環配管150而回到處理液蓄積部110的方式循環。
於藉由泵140的驅動而處理液L通過液循環配管150循環的情形時，若泵140吸入處理液L，則處理液蓄積部110內的處理液L的量減少，故而處理液蓄積部110內的氣體的體積增大。此時，容積變動部172C使容積變動部172C的容積減少，藉此可將處理液蓄積部110的內壓調整為一定。另外，若泵140擠出處理液L而處理液蓄積部110內的處理液L的量還原，則處理液蓄積部110內的氣體的體積減少而回到原本的體積。此時，容積變動部172C使容積變動部172C的容積增大而回到原本的容積，藉此可將處理液蓄積部110的內壓調整為一定。
如此，處理液L根據泵140對處理液L的吸入及擠出的時序，自處理液蓄積部110朝向液供給配管130流動，自液循環配管150而回到處理液蓄積部110。因此，容積變動部172C的容積根據泵140對處理液L的吸入及擠出的時序而變動。
繼而，參照圖2、圖4～圖7（a）對基板處理裝置100執行的基板處理方法進行說明。圖7（a）為表示本實施形態的基板處理方法的流程圖。如圖7（a）所示，本實施形態的基板處理方法包含步驟S701～步驟S706。
如步驟S701所示，首先對處理液蓄積部110注入氣體G，以氣體G來置換處理液蓄積部110內的空氣。控制部180將閥112a、閥112b及閥112c設為閉狀態，使真空泵230驅動。藉由真空泵230的驅動，而將處理液蓄積部110的內部的氣體排出。若將處理液蓄積部110的內部的氣體排出，則止回閥162打開，故而將來自氣體供給部210的氣體G經由氣體供給配管160供給於處理液蓄積部110。藉此，處理液蓄積部110內的空氣被置換為氣體G。
較佳為處理液蓄積部110經氣體G置換時，容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C變形直至容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C的容積變為最小為止。例如，較佳為於以氣體G來置換處理液蓄積部110的期間中，對容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C自外部賦予力，藉此不於容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C中填充氣體G。然而，於處理液蓄積部110經氣體G置換時，容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C的容積亦可不變為最小。
如步驟S702所示，對處理液蓄積部110注入處理液L，於處理液蓄積部110內蓄積處理液L。控制部180保持閥112a及閥112b為閉狀態，將閥112c設為開狀態。液供給部220的處理液L經由液供給配管222而供給於處理液蓄積部110。例如，處理液L是注入至處理液蓄積部110內的既定高度為止。
伴隨著處理液L的高度於處理液蓄積部110內上升，於處理液L的注入前存在於處理液蓄積部110內的氣體G的體積減少，處理液蓄積部110的內壓增大。較佳為於注入了處理液L時，容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C變形直至容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C的容積達到最大為止。
如步驟S704所示，藉由泵140的驅動而使處理液L循環。控制部180將閥112a及閥112c設為閉狀態，將閥112b設為開狀態，驅動泵140。藉由泵140的驅動，處理液L以自處理液蓄積部110經由液供給配管130及液循環配管150而回到處理液蓄積部110的方式循環。此時，根據泵140的驅動，而容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C的容積反覆減少及增大。
如步驟S706所示，藉由泵140的驅動對基板W供給處理液L而對基板W進行處理。控制部180將閥112b及閥112c設為閉狀態，將閥112a設為開狀態，驅動泵140。藉由泵140的驅動，處理液蓄積部110的處理液L自處理液蓄積部110經由液供給配管130而自腔室120的噴嘴122供給於基板W。
再者，伴隨著對基板W供給處理液L，處理液蓄積部110內的處理液L的量減少。因此，處理液蓄積部110內的氣體的體積增大，處理液蓄積部110的內壓減小。此時，止回閥162自動打開而使來自氣體供給配管160的氣體G流動，氣體G自氣體供給部210供給於處理液蓄積部110，處理液蓄積部110的內壓變得與氣體供給部210的壓力相等。如以上般執行本實施形態的基板處理方法。
再者，於參照圖2及圖4～圖7（a）而上文所述的基板處理裝置100中，容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C根據處理液蓄積部110的內壓變化而自動調整處理液蓄積部110的內壓，但本發明不限定於此。另外，容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C亦可根據控制部180（圖2）的控制而調整處理液蓄積部110的內壓。
繼而，參照圖2、圖4～圖6及圖7（b）對基板處理裝置100執行的基板處理方法進行說明。圖7（b）為表示本實施形態的基板處理方法的流程圖。如圖7（b）所示，本實施形態的基板處理方法包含步驟S701～步驟S706。再者，圖7（b）所示的流程圖除了控制部180控制容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C的方面以外，與參照圖7（a）而上文所述的流程圖相同。因此，為了避免冗長而省略重覆的記載。
如步驟S701所示，首先對處理液蓄積部110注入氣體G，以氣體G來置換處理液蓄積部110內的空氣。控制部180將閥112a、閥112b及閥112c設為閉狀態，使真空泵230驅動。藉由真空泵230的驅動，而將處理液蓄積部110的內部的氣體排出。若將處理液蓄積部110的內部的氣體排出，則止回閥162打開，故而將來自氣體供給部210的氣體G經由氣體供給配管160而供給於處理液蓄積部110。藉此，處理液蓄積部110內的空氣被置換為氣體G。
如步驟S702所示，對處理液蓄積部110注入處理液L，於處理液蓄積部110內蓄積處理液L。控制部180將閥112a及閥112b設為閉狀態。控制部180將閥112c設為開狀態，液供給部220經由液供給配管222而對處理液蓄積部110供給處理液L。處理液L是注入至處理液蓄積部110內的既定高度為止。
如步驟S704a所示，使泵140驅動而開始處理液L的循環。控制部180將閥112a及閥112c設為閉狀態，將閥112b設為開狀態並驅動泵140。藉由泵140的驅動，處理液L以自處理液蓄積部110經由液供給配管130及液循環配管150而回到處理液蓄積部110的方式循環。處理液L藉由泵140的驅動而循環。
如步驟S704b所示，容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C調整處理液蓄積部110的內壓。藉由控制部180的控制，而開始容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C進行的處理液蓄積部110的內壓調整。容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C進行的內壓調整是於處理液L的循環開始或循環中進行。例如，控制部180亦可基於氣壓感測器182（圖2及圖4～圖6）的檢測結果，而藉由容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C調整處理液蓄積部110的內壓。
如步驟S706所示，藉由泵140的驅動，對基板W供給處理液L而對基板W進行處理。控制部180將閥112b及閥112c設為閉狀態，將閥112a設為開狀態並驅動泵140。處理液L自處理液蓄積部110經由液供給配管130而自腔室120的噴嘴122供給於基板W。如以上般執行本實施形態的基板處理方法。
再者，於參照圖4～圖7（b）而上文所述的基板處理裝置100中，內壓調整部170藉由容積變動部172A、容積變動部172B、容積變動部172C的容積變動而調整處理液蓄積部110的內壓，但本發明不限定於此。內壓調整部170亦可於處理液蓄積部110的內壓高於外壓的情形時，以使處理液蓄積部110的內壓降低的方式調整處理液蓄積部110的內壓。例如，內壓調整部170亦可於處理液蓄積部110的內壓高於外壓的情形時，將處理液蓄積部110內的氣體排出至外部。
參照圖8對本實施形態的基板處理裝置100進行說明。圖8為基板處理裝置100的示意圖。圖8所示的基板處理裝置100除了內壓調整部170於處理液蓄積部110的內壓高於外壓的情形時，將處理液蓄積部110內的氣體排出至外部的方面以外，具有與參照圖1、圖4～圖6而上文所述的基板處理裝置100相同的構成。因此，為了避免冗長而省略重覆的記載。
於處理液蓄積部110的下方蓄積有處理液L，於處理液蓄積部110的上方填充有氣體G。於本實施形態的基板處理裝置100中，內壓調整部170設於處理液蓄積部110的外周。例如，內壓調整部170設於處理液蓄積部110的上方。
內壓調整部170包含閥172D。閥172D將處理液蓄積部110內的氣體排出至外部，另一方面，防止處理液蓄積部110的外部的氣體滲入至處理液蓄積部110內。
再者，內壓調整部170較佳為更包含連結於閥172D的排出配管174。藉由排出配管174，可使由閥172D自處理液蓄積部110排出的氣體移送至既定的場所而不於基板處理裝置100的周圍擴散。
例如，閥172D較佳為止回閥。於處理液蓄積部110的外壓高於處理液蓄積部110的內壓的情形時，閥172D關閉，防止處理液蓄積部110的外部的氣體滲入至處理液蓄積部110內。另一方面，於處理液蓄積部110的內壓高於處理液蓄積部110的外壓的情形時，閥172D自動打開，使處理液蓄積部110內的氣體排出至外部。此時，處理液蓄積部110的內壓降低至與氣體供給部210的外壓相等為止。
再者，閥172D亦可為開閉閥而非止回閥。開閉閥可於開狀態與閉狀態之間切換。例如，藉由控制部180（圖2）而可控制閥172D的開閉。於開閉閥為開狀態的情形時，閥172D將處理液蓄積部110內的氣體排出至外部。另外，於開閉閥為閉狀態的情形時，閥172D防止處理液蓄積部110的外部的氣體滲入至處理液蓄積部110內。
較佳為於注入處理液L時，閥172D成為開狀態。若於處理液蓄積部110內存在氣體的狀態下對處理液蓄積部110內注入處理液L，則處理液蓄積部110內的氣體的體積減少，處理液蓄積部110的內壓增大。此時，閥172D打開，將處理液蓄積部110內的氣體排出至外部，藉此可將處理液蓄積部110的內壓調整為一定。
再者，於閥172D為止回閥的情形時，即便於因處理液L的揮發而導致處理液蓄積部110的內壓增大的情形時，閥172D亦自動打開，可將處理液蓄積部110內的氣體排出至外部。因此，閥172D可將處理液蓄積部110的內壓保持於一定。
繼而，參照圖8及圖9（a）對本實施形態的基板處理裝置100執行的基板處理方法進行說明。圖9（a）為表示本實施形態的基板處理方法的流程圖。如圖9（a）所示，本實施形態的基板處理方法包含步驟S901～步驟S906。
如步驟S901所示，首先對處理液蓄積部110注入氣體G，以氣體G來置換處理液蓄積部110內的空氣。控制部180將閥112a、閥112b及閥112c設為閉狀態，使真空泵230驅動。藉由真空泵230的驅動，而將處理液蓄積部110的內部的氣體排出。若將處理液蓄積部110的內部的氣體排出，則止回閥162打開，故而將來自氣體供給部210的氣體G經由氣體供給配管160而供給於處理液蓄積部110。藉此，處理液蓄積部110內的空氣被置換為氣體G。
如步驟S902所示，對處理液蓄積部110注入處理液L，於處理液蓄積部110內蓄積處理液L。控制部180保持閥112a及閥112b為閉狀態，將閥112c設為開狀態。因此，液供給部220經由液供給配管222而對處理液蓄積部110供給處理液L。處理液L自液供給部220經由液供給配管222而供給於處理液蓄積部110。處理液L是注入至處理液蓄積部110內的既定高度為止。
伴隨著處理液L的高度於處理液蓄積部110內上升，於處理液L的注入前存在於處理液蓄積部110內的氣體G的體積減少。此時，閥172D調整處理液蓄積部110的內壓。閥172D於處理液L的注入開始或處理液L的注入途中，開始調整處理液蓄積部110的內壓。閥172D伴隨著處理液L的注入而自動打開，藉此調整處理液蓄積部110的內壓。藉由閥172D調整處理液蓄積部110的內壓，而於對處理液蓄積部110內注入處理液L時可調整處理液蓄積部110的內壓。
如步驟S904所示，藉由泵140的驅動而使處理液L循環。控制部180將閥112a及閥112c設為閉狀態，將閥112b設為開狀態，驅動泵140。藉由泵140的驅動，處理液蓄積部110內的處理液L以經由液供給配管130及液循環配管150而回到處理液蓄積部110的方式循環。
如步驟906所示，藉由泵140的驅動對基板W供給處理液L而對基板W進行處理。控制部180將閥112b及閥112c設為閉狀態，將閥112a設為開狀態，驅動泵140。藉由泵140的驅動，處理液蓄積部110的處理液L經由液供給配管130而自腔室120的噴嘴122供給於基板W。
再者，伴隨著對基板W供給處理液L，處理液蓄積部110內的處理液L的量減少。因此，處理液蓄積部110內的氣體的體積增大，處理液蓄積部110的內壓減小。此時，止回閥162自動打開而使來自氣體供給配管160的氣體G流動，氣體G自氣體供給部210供給於處理液蓄積部110，處理液蓄積部110的內壓變得與氣體供給部210的壓力相等。如以上般執行本實施形態的基板處理方法。
再者，於參照圖9（a）而上文所述的基板處理方法的流程圖中，於步驟S902中注入處理液L之後，於步驟S906中將處理液L供給於基板W而進行基板處理之前，如步驟S904所示般進行處理液L的循環，但本實施形態不限定於此。步驟S904所示的循環步驟亦可省略。此時，圖8所示的基板處理裝置100亦可不包括液循環配管150及閥112b。
繼而，參照圖8及圖9（b）對本實施形態的基板處理裝置100執行的基板處理方法進行說明。圖9（b）為表示本實施形態的基板處理方法的流程圖。如圖9（b）所示，本實施形態的基板處理方法包含步驟S901～步驟S906。再者，圖9（b）所示的流程圖除了控制部180控制閥172D的方面以外，與參照圖9（a）而上文所述的流程圖相同。因此，為了避免冗長而省略重覆的記載。
如步驟S901所示，首先對處理液蓄積部110注入氣體G，以氣體G來置換處理液蓄積部110內的空氣。控制部180將閥112a、閥112b及閥112c設為閉狀態，使真空泵230驅動。藉由真空泵230的驅動，而將處理液蓄積部110的內部的氣體排出。若將處理液蓄積部110的內部的氣體排出，則止回閥162打開，故而將來自氣體供給部210的氣體G經由氣體供給配管160而供給於處理液蓄積部110。藉此，處理液蓄積部110內的空氣被置換為氣體G。
如步驟S902a所示，開始向處理液蓄積部110注入處理液L。控制部180保持閥112a及閥112b為閉狀態，將閥112c設為開狀態，液供給部220經由液供給配管222而對處理液蓄積部110供給處理液L。處理液L是注入至處理液蓄積部110內的既定高度為止。
如步驟S902b所示，閥172D調整處理液蓄積部110的內壓。藉由控制部180的控制，閥172D打開而調整處理液蓄積部110的內壓。控制部180於處理液L的注入開始或處理液L的注入途中，開始閥172D進行的處理液蓄積部110的內壓調整。或者，控制部180亦可於處理液L的注入完成後，開始閥172D進行的處理液蓄積部110的內壓調整。例如，控制部180基於氣壓感測器182（圖2及圖8）的檢測結果，而開始閥172D進行的處理液蓄積部110的內壓調整。
如步驟S904所示，使泵140驅動而使處理液L循環。控制部180將閥112a及閥112c設為閉狀態，將閥112b設為開狀態並驅動泵140。藉由泵140的驅動，處理液L以自處理液蓄積部110經由液供給配管130及液循環配管150而回到處理液蓄積部110的方式循環。
如步驟S906所示，藉由泵140的驅動，對基板W供給處理液L而對基板W進行處理。控制部180將閥112b及閥112c設為閉狀態，將閥112a設為開狀態並驅動泵140。處理液L自處理液蓄積部110經由液供給配管130而自腔室120的噴嘴122供給於基板W。如以上般執行本實施形態的基板處理方法。
再者，於參照圖9（b）而上文所述的基板處理方法的流程圖中，於步驟S902a中開始注入處理液L，於步驟S902b中調整處理液蓄積部110的內壓之後，於步驟S906中將處理液L供給於基板W而進行基板處理之前，如步驟S904所示般進行處理液L的循環，但本實施形態不限定於此。步驟S904所示的循環步驟亦可省略。此時，圖8所示的基板處理裝置100亦可不包括液循環配管150及閥112b。
參照圖10～圖12對本實施形態的基板處理裝置100進行說明。本實施形態的基板處理裝置100於包括多個腔室120的方面，與參照圖1、圖4～圖6及圖8而上文所述的基板處理裝置100不同。其中，為了避免冗長的說明而省略重覆的記載。再者，圖10～圖12中，為了容易理解，記載彼此正交的X軸、Y軸及Z軸。X軸及Y軸平行於水平方向，Z軸平行於鉛垂方向。
首先，參照圖10對基板處理裝置100進行說明。圖10為表示基板處理裝置100的平面圖。如圖10所示，基板處理裝置100包括處理液箱（cabinet）100A、多個流體盒100B、多個處理單元100C、多個裝載埠LP、索引機器人（indexer robot）IR、中央機器人（center robot）CR以及控制裝置185。控制裝置185控制裝載埠LP、索引機器人IR、中央機器人CR以及處理單元100C。控制裝置185包含控制部180以及記憶部190。
裝載埠LP各自積層收容多片基板W。索引機器人IR於裝載埠LP與中央機器人CR之間搬送基板W。中央機器人CR於索引機器人IR與處理單元100C之間搬送基板W。處理單元100C各自對基板W噴出處理液，對基板W進行處理。流體盒100B各自收容流體機器。處理液箱100A收容處理液L。
具體而言，多個處理單元100C形成以俯視包圍中央機器人CR的方式配置的多個塔TW（圖10中為四個塔TW）。各塔TW包含上下積層的多個處理單元100C（圖10中為三個處理單元100C）。多個流體盒100B分別與多個塔TW對應。處理液箱100A內的處理液經由任一流體盒100B而供給於與流體盒100B對應的塔TW所含的所有處理單元100C。
繼而，參照圖11對向處理單元100C的處理液L的供給進行說明。圖11為表示基板處理裝置100的配管的圖。如圖11所示，基板處理裝置100於各塔TW中與多個處理單元100C各自對應，包括液供給配管130、閥112a、流量計136以及流量調整閥138。閥112a、流量計136及流量調整閥138收容於與塔TW對應的流體盒100B中。各液供給配管130的一部分收容於流體盒100B中，各液供給配管130的另一部分收容於腔室120中。
另外，基板處理裝置100包括處理液蓄積部110、過濾器132、溫度調節器134、泵140以及液循環配管150。處理液蓄積部110、過濾器132、溫度調節器134及泵140收容於處理液箱100A中。液循環配管150的一部分收容於處理液箱100A中，液循環配管150的另一部分收容於流體盒100B中。
液循環配管150包含自處理液蓄積部110向下游延伸的上游配管150a、自上游配管150a分支的多根個別配管150b、及自各個別配管150b向下游延伸至處理液蓄積部110的下游配管150c。
上游配管150a的上游端連接於處理液蓄積部110。下游配管150c的下游端連接於處理液蓄積部110。上游配管150a的上游端相當於液循環配管150的上游端，下游配管150c的下游端相當於液循環配管150的下游端。各個別配管150b自上游配管150a的下游端向下游配管150c的上游端延伸。
多根個別配管150b分別與多個塔TW對應。與一個塔TW所含的三個處理單元100C對應的三根液供給配管130連接於一根個別配管150b。
泵140將處理液蓄積部110內的處理液送至液循環配管150。過濾器132自液循環配管150中流動的處理液中去除異物。溫度調節器134調節處理液蓄積部110內的處理液的溫度。溫度調節器134例如為對處理液進行加熱的加熱器。
過濾器132、溫度調節器134及泵140配置於上游配管150a。處理液蓄積部110內的處理液L藉由泵140而被送至上游配管150a，自上游配管150a流至多根個別配管150b。個別配管150b內的處理液L流至下游配管150c，自下游配管150c回到處理液蓄積部110。處理液蓄積部110內的處理液是以成為規定溫度TM以上的特定溫度的方式由溫度調節器134加熱。因此，於液循環配管150中循環的處理液的溫度維持於規定溫度TM以上的特定溫度。若處理液L於液循環配管150內維持於特定溫度，則處理液L供給於液供給配管130。
繼而，參照圖12對處理單元100C進行說明。圖12為處理單元100C的示意圖。如圖12所示，處理單元100C包含腔室120、噴嘴122、旋轉夾頭124、杯體126a、待機桶（standby pot）126b以及噴嘴移動單元128。基板處理裝置100包含閥112a、液供給配管130、流量計136及流量調整閥138。
腔室120具有大致箱形狀。旋轉夾頭124一面於腔室120內將基板W保持於水平，一面使基板W繞旋轉軸線AX1旋轉。杯體126a具有大致筒形狀。杯體126a接受自基板W排出的處理液。
待機桶126b配置於噴嘴122的待機位置的下方。待機位置表示相對於旋轉軸線AX1而較旋轉夾頭124更靠外側的第一既定位置。噴嘴移動單元128繞轉動軸線AX2轉動，使噴嘴122水平移動。具體而言，噴嘴移動單元128使噴嘴122於噴嘴122的待機位置與處理位置之間水平移動。處理位置表示基板W的上方的第二既定位置。
對噴嘴122的處理液L的供給開始及供給停止是由閥112a切換。供給於噴嘴122的處理液的流量是由流量計136檢測。流量藉由流量調整閥138而可變更。若閥112a成為開狀態，則處理液以與流量調整閥138的開度對應的流量而自液供給配管130供給於噴嘴122。其結果，自噴嘴122噴出處理液。開度表示流量調整閥138打開的程度。
噴嘴122於對基板W噴出處理液之前，執行預分配（predispense）處理。藉由預分配處理，於對基板W噴出處理液之前，向待機桶126b噴出處理液。
另外，本實施形態的基板處理裝置100中，控制部180以泵140可適當移送處理液蓄積部110內的處理液L的方式進行控制。因此，於在多個腔室120中進行處理的多個基板W間，可提高處理液的處理結果的均勻性。例如，於一個塔TW內的多個腔室120間，對於多個基板W可提高處理液L的處理結果的均勻性。進而，於多個塔TW間，對於多個基板W可提高處理液L的處理結果的均勻性。再者，基板處理裝置100在每個腔室120中執行圖3（a）及圖3（b）、圖7（a）及圖7（b）或圖9（a）及圖9（b）所示的基板處理方法。
以上，一面參照圖式一面說明了本發明的實施形態（包括變形例）。然而，本發明不限於所述實施形態，可於不偏離其主旨的範圍內以各種態樣實施。另外，藉由將所述實施形態中揭示的多個構成元件適當組合，可形成各種發明。例如，亦可自實施形態所示的所有構成元件中刪除若干構成元件。進而，亦可將不同的三個實施形態的構成元件適當組合。圖式是為了容易理解而以各構成元件為主體示意性地表示，圖示的各構成元件的厚度、長度、個數、間隔等亦有時為了便於製作圖式而與實際不同。另外，所述實施形態中所示的各構成元件的材質、形狀、尺寸等為一例，且並無特別限定，於實質上不偏離本發明的效果的範圍內可進行各種變更。
再者，圖1、圖4～圖6、圖8及圖10～圖12所示的基板處理裝置100為對基板W逐片進行處理的單片式，但本實施形態不限定於此。基板處理裝置100亦可為對多個基板W同時進行處理的批量式。
[產業上的可利用性]
本發明可較佳地用於對基板進行處理的基板處理裝置以及基板處理方法。
100‧‧‧基板處理裝置
100A‧‧‧處理液箱
100B‧‧‧流體盒
100C‧‧‧處理單元
110‧‧‧處理液蓄積部
112、112a、112b、112c、172D‧‧‧閥
120‧‧‧腔室
122‧‧‧噴嘴
124‧‧‧旋轉夾頭
126a‧‧‧杯體
126b‧‧‧待機桶
128‧‧‧噴嘴移動單元
130‧‧‧液供給配管
132‧‧‧過濾器
134‧‧‧溫度調節器
136‧‧‧流量計
138‧‧‧流量調整閥
140‧‧‧泵
150‧‧‧液循環配管
150a‧‧‧上游配管
150b‧‧‧個別配管
150c‧‧‧下游配管
152‧‧‧分支點
154‧‧‧前端
160‧‧‧氣體供給配管
162‧‧‧止回閥
170‧‧‧內壓調整部
172A、172B、172C‧‧‧容積變動部
174‧‧‧排出配管
180‧‧‧控制部
182‧‧‧氣壓感測器
185‧‧‧控制裝置
190‧‧‧記憶部
210‧‧‧氣體供給部
220‧‧‧液供給部
222‧‧‧液供給配管
230‧‧‧真空泵
AX1‧‧‧旋轉軸線
AX2‧‧‧轉動軸線
CR‧‧‧中央機器人
G‧‧‧氣體
IR‧‧‧索引機器人
L‧‧‧處理液
LP‧‧‧裝載埠
S302、S302a、S302b、S304、S304a、S304b、S306、S701、S702、S704、S704a、S704b、S706、S901、S902、S902a、S902b、S904、S906‧‧‧步驟
TW‧‧‧塔
W‧‧‧基板
圖1為表示本發明的基板處理裝置的實施形態的示意圖。圖2為本實施形態的基板處理裝置的區塊圖。圖3（a）及圖3（b）分別為表示圖1所示的基板處理裝置執行的基板處理方法的流程圖。圖4為表示本實施形態的基板處理裝置的示意圖。圖5為表示本實施形態的基板處理裝置的示意圖。圖6為表示本實施形態的基板處理裝置的示意圖。圖7（a）及圖7（b）分別為表示圖4～圖6所示的基板處理裝置執行的基板處理方法的流程圖。圖8為表示本發明的基板處理裝置的實施形態的示意圖。圖9（a）及圖9（b）分別為表示圖8所示的基板處理裝置執行的基板處理方法的流程圖。圖10為表示本實施形態的基板處理裝置的示意圖。圖11為表示本實施形態的基板處理裝置的配管的示意圖。 圖12為表示本實施形態的基板處理裝置的處理單元的示意圖。

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，對基板進行處理，且包括： 處理液蓄積部，蓄積處理液； 液供給配管，將所述處理液蓄積部內的所述處理液供給於所述基板； 泵，設於所述液供給配管； 液循環配管，使所述處理液以回到所述處理液蓄積部的方式循環； 氣體供給配管，將對所述處理液蓄積部供給氣體的氣體供給部、與所述處理液蓄積部連通；以及 內壓調整部，調整所述處理液蓄積部的內壓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述內壓調整部包含根據所述泵的驅動而容積變動的容積變動部。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的基板處理裝置，其中所述容積變動部具有蛇腹結構。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的基板處理裝置，其中所述容積變動部設於所述處理液蓄積部。
  5. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的基板處理裝置，所述容積變動部設於所述氣體供給配管。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一所述的基板處理裝置，更包括：止回閥，安裝於所述氣體供給配管中所述內壓調整部與所述氣體供給部之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述內壓調整部包含：閥，與所述處理液蓄積部連通，將所述處理液蓄積部的氣體排出至外部。
  8. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的基板處理裝置，更包括：過濾器，安裝於所述液供給配管。
  9. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的基板處理裝置，更包括：閥，安裝於所述液供給配管，能夠切換為使所述液供給配管內流動的所述處理液通過的開狀態、及停止自所述處理液蓄積部供給所述處理液的閉狀態。
  10. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的基板處理裝置，更包括：多個腔室，分別收容所述基板， 所述多個腔室各自包含所述液供給配管，所述處理液自所述處理液蓄積部經由所述多個腔室各自的所述液供給配管而供給於所述基板。
  11. 一種基板處理方法，對基板進行處理，且包含： 循環步驟，以自蓄積有處理液的處理液蓄積部經由液循環配管而回到所述處理液蓄積部的方式使所述處理液循環；以及 基板處理步驟，於所述循環步驟之後，將所述處理液蓄積部內的所述處理液供給於所述基板而對所述基板進行處理， 所述循環步驟包含：內壓調整步驟，調整所述處理液蓄積部的內壓。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的基板處理方法，其中所述內壓調整步驟包含與所述處理液蓄積部連通的內壓調整部的容積變動的步驟。
  13. 如申請專利範圍第11項或第12項所述的基板處理方法，其中於所述循環步驟之前，更包含：置換步驟，自氣體供給部對所述處理液蓄積部供給氣體，以自所述氣體供給部供給的氣體來置換所述處理液蓄積部的內部。
  14. 一種基板處理方法，對基板進行處理，且包含： 液注入步驟，自液供給部對處理液蓄積部注入處理液；以及 基板處理步驟，將所述處理液蓄積部內的所述處理液供給於所述基板而對所述基板進行處理， 所述液注入步驟包含：內壓調整步驟，調整所述處理液蓄積部的內壓。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的基板處理方法，其中於所述液注入步驟之前，更包含：置換步驟，自氣體供給部對所述處理液蓄積部供給氣體，以自所述氣體供給部供給的氣體來置換所述處理液蓄積部的內部。
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