KR20170017746A - 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

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Abstract

기판 중심부가 주위 분위기에 노출되지 않고, 하나의 노즐로부터 토출된 처리액이 다른 노즐로부터 토출되어 기판 표면을 기판 주연부를 향하는 처리액의 흐름을 막거나 혹은 기판 중심부를 향하여 되밀지 않도록 한다.
기판 액처리 방법은, (a) 기판(W)을 연직 축선 둘레로 회전시키는 단계와, (b) 제1 노즐(411)로부터 회전하는 상기 기판의 중심부에 처리액을 공급하면서, 제2 노즐(412)로부터 회전하는 상기 기판에 처리액을 공급하고, 이때, 상기 제2 노즐로부터 공급된 처리액의 착액점을 상기 기판의 중심부로부터 상기 기판의 주연부를 향하여 이동시키는 단계와, (c) 상기 (b)의 후에, 상기 제1 노즐로부터 회전하는 상기 기판의 중심부에 계속해서 처리액을 공급하면서, 상기 제2 노즐로부터의 처리액의 공급을 정지하여 상기 제2 노즐을 상기 회전하는 기판의 중심부를 향하여 이동시키는 단계와, (d) 상기 (c)의 후에, 상기 제2 노즐로부터 회전하는 상기 기판에 처리액을 공급하는 단계를 포함한다.

Description

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 회전하는 기판에 노즐로부터 처리액을 공급하면서 그 기판에 액처리를 실시하기 위한 기술에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에는, 포토리소그래피 기술을 이용하여, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면에 회로 패턴을 형성하는 공정이 포함된다. 포토레지스트를 마스크로서 드라이 에칭을 행하면, 기판의 표면에 불가피하게 폴리머라고 불리는 반응 생성물이 부착되기 때문에, 다음 공정에서 이 폴리머가 제거된다.
폴리머 제거 처리는, 예컨대, 기판을 연직 방향 축선 둘레로 회전시키면서, 기판의 중심부에 폴리머 제거액을 공급함으로써 행해진다. 폴리머 제거액은, 반응성을 높이기 위해 가열한 상태로 공급된다. 폴리머 제거액의 온도는, 기판의 중심부로부터 주연부로 흘러가는 과정에서, 기판에 열을 빼앗김으로써 저하해 간다. 또한, 기판의 주연부는 주속이 높기 때문에 차가워지기 쉽다. 이 때문에, 기판의 중심부와 비교하여 주연부에서는, 폴리머가 제거될 때까지 시간이 걸린다.
기판의 면 내에서의 열적 조건의 균일성을 향상시키기 위해, 폴리머 제거액의 착액점이 기판의 중심부와 주연부 사이에서 이동하도록 폴리머 제거액을 토출하고 있는 노즐을 이동시키는 스캔 토출이 행해지는 경우가 있다. 그러나, 이 스캔 토출을 행하면, 노즐이 기판 주연부의 상방에 위치하고 있을 때에 기판 중심부가 폴리머 제거액에 덮이지 않고 기판 주위 분위기(대기 분위기)에 노출되는 경우가 있고, 이 경우, 기판의 표면에 파티클 등의 결함이 생기기 쉽다.
특허문헌 1에는, 하나의 노즐 아암에 2개의 노즐을 마련한 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 노즐 아암을 선회시킴으로써, 이들 2개의 노즐이 평면에서 보아 기판의 중심을 지나는 원호 궤도를 따라 이동한다. 2개의 노즐은, 기판의 직경의 1/3 정도의 거리를 두고 노즐 아암에 부착되어 있다. 특허문헌 1에는, 양방의 노즐로부터 처리액을 토출하면서 이들 2개의 노즐을 이동시킴으로써, 기판 표면의 전역을 균일하게 처리할 수 있으며, 또한, 기판 중심부가 기판 주위 분위기에 노출되는 것을 방지할 수 있다고 기재되어 있다.
그러나, 특허문헌 1의 장치에서는, 주연부측에 위치하는 노즐로부터 토출된 처리액이, 중심부측에 위치하는 노즐로부터 토출되어 기판 표면을 원심력에 의해 기판 주연부를 향하는 처리액의 흐름을 저해하는 상황이 생긴다. 이러한 상황 하에서는, 처리액에 의해 기판으로부터 제거되어 주연부측에 흐르고 있는 물질이 중심부측에 복귀되거나, 정체하거나 하기 때문에 외부에 배출되지 않고, 기판에 재부착되기 쉽다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2007-088381호 공보
본 발명은, 기판 중심부가 기판 주위 분위기에 노출되는 일없이, 또한, 주연부측에 위치하는 노즐로부터 토출된 처리액이, 중심부측에 위치하는 노즐로부터 토출되어 기판 표면을 기판 주연부를 향하는 처리액의 흐름을 저해하지 않는 액처리 기술을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 일실시형태에 따르면, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 연직 축선 둘레로 회전시키는 회전 구동부와, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 적어도 중심부에 처리액을 공급하는 제1 노즐과, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 제2 노즐과, 상기 제1 노즐에 상기 처리액을 공급하는 제1 처리액 공급부와, 상기 제2 노즐에 상기 처리액을 공급하는 제2 처리액 공급부와, 상기 제2 노즐을, 상기 기판의 중심부와 주연부 사이에서 이동시키는 제2 노즐 이동 기구와, 적어도 상기 제1 처리액 공급부, 상기 제2 처리액 공급부 및 상기 제2 노즐 이동 기구의 동작을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 제1 노즐로부터 상기 기판의 중심부에 처리액을 공급시키고 있을 때에, 상기 제2 노즐을 상기 기판의 중심부로부터 주연부를 향하여 이동시키며 상기 제2 노즐로부터 상기 처리액을 공급시키고, 그 후, 상기 제1 노즐로부터 처리액을 공급한 상태로, 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 토출을 정지시키며 상기 제2 노즐을 상기 기판의 주연부로부터 중심부를 향하여 이동시키고, 그 후, 상기 제1 노즐로부터 처리액을 공급한 상태로, 상기 제2 노즐로부터 상기 기판에 상기 처리액을 공급 개시시키는 것인 기판 액처리 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면, (a) 기판을 연직 축선 둘레로 회전시키는 단계와, (b) 제1 노즐로부터 회전하는 상기 기판의 중심부에 처리액을 공급하면서, 제2 노즐로부터 회전하는 상기 기판에 처리액을 공급하고, 이때, 상기 제2 노즐로부터 공급된 처리액의 착액점을 상기 기판의 중심부로부터 상기 기판의 주연부를 향하여 이동시키는 단계와, (c) 상기 (b)의 후에, 상기 제1 노즐로부터 회전하는 상기 기판의 중심부에 계속해서 처리액을 공급하면서, 상기 제2 노즐로부터의 처리액의 공급을 정지하여 상기 제2 노즐을 상기 회전하는 기판의 중심부를 향하여 이동시키는 단계와, (d) 상기 (c)의 후에, 상기 제2 노즐로부터 회전하는 상기 기판에 처리액을 공급하는 단계를 포함하는 기판 액처리 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 기판 액처리 장치의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터에 의해 실행되었을 때에, 상기 컴퓨터가 상기 기판 액처리 장치를 제어하여 상기 기판 액처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기억 매체가 제공된다.
상기 본 발명의 실시형태에 따르면, 한쪽의 노즐이 기판의 중심부에 처리액을 공급하고 있을 때에, 다른쪽의 노즐로부터 토출된 처리액의 착액점을 기판의 중심부로부터 주연부를 향하여 이동시키지만, 그 반대 방향으로는 이동시키지 않는다. 이 때문에, 상기 한쪽의 노즐로부터 토출되어 기판 표면을 기판 주연부를 향하는 처리액의 흐름이 다른쪽의 노즐로부터 토출된 처리액에 의해 막히거나 혹은 기판 중심부를 향하여 되밀리는 일은 없다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 상기 기판 처리 시스템에 포함되는 처리 유닛의 개략 평면도이다.
도 3은 상기 처리 유닛의 개략 종단면도이다.
도 4는 폴리머 제거 공정에서의 처리액 노즐의 동작을 설명하기 위한 설명도이다.
도 5는 폴리머 제거 공정에서의 처리액 노즐의 동작을 설명하기 위한 타임 차트이다.
도 6은 폴리머 제거 공정에서의 처리액 노즐의 다른 동작을 설명하기 위한 타임 차트이다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 기판 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 기판 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 기판 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 기판 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(1)를 구비한다. 기억부(1)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(1)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(1)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.
다음에, 처리 유닛(16)의 개략 구성에 대해서 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.
처리 유닛(16)은, 챔버(처리 유닛 하우징)(20)를 가지고 있고, 이 챔버(20) 내에는, 기판 유지 기구(30)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 컵(50)이 마련되어 있다.
기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 회전축(32)과, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지할 수 있다. 구동부(33)는, 회전축(32)을 통해 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 연직 방향 축선 둘레로 회전시킨다.
처리 유체 공급부(40)는, 제1 노즐 아암(41)(제1 노즐 이동 기구)과, 제2 노즐 아암(42)(제2 노즐 이동 기구)을 가지고 있다.
제1 노즐 아암(41)의 선단부에는, 처리액으로서 폴리머 제거액(약액)을 토출하는 제1 처리액 노즐(411)과, 린스액으로서 DIW(순수)를 토출하는 린스 노즐(412)과, 용제 노즐(413)이 마련되어 있다. 용제 노즐(413)은, DIW와 상용성을 가지며, DIW보다 표면 장력이 낮고, 또한, DIW보다 고휘발성의 유기 용제, 여기서는 IPA(이소프로필알코올)를 토출한다.
제2 노즐 아암(42)의 선단부에는, 처리액으로서 폴리머 제거액[제1 처리액 노즐(421)이 토출하는 폴리머 제거액과 같은 것]을 토출하는 제2 처리액 노즐(421)과, 건조 가스 노즐(422)이 마련되어 있다. 건조 가스 노즐(422)은, 클린 룸 내의 공기보다 저습도의 가스(바람직하게는 클린 룸 내의 공기보다 저습도이며 또한 저산소 농도의 가스), 여기서는 질소 가스를 토출한다.
제1 노즐 아암(41)은, 아암 구동 기구(414)에 의해, 연직 방향 축선 둘레로 선회 가능하며[도 2의 화살표(M1)], 또한, 연직 방향으로 승강 가능하다. 제1 노즐 아암(41)을 선회시킴으로써, 제1 노즐 아암(41)에 마련된 노즐(411, 412, 413)을, 웨이퍼(W) 중심부의 상방의 위치[혹은 웨이퍼(W) 중심의 바로 위의 위치]와 웨이퍼(W) 주연부의 상방의 위치 사이의 임의의 위치에 위치시킬 수 있다.
제2 노즐 아암(42)은, 아암 구동 기구(424)에 의해, 연직 방향 축선 둘레로 선회 가능하며[도 2의 화살표(M2)], 또한, 연직 방향으로 승강 가능하다. 제2 노즐 아암(42)을 선회시킴으로써, 제2 노즐 아암(42)에 마련된 노즐(421, 422)을, 웨이퍼(W) 중심부의 상방의 위치[혹은 웨이퍼(W) 중심의 바로 위의 위치]와 웨이퍼(W) 주연부의 상방의 위치 사이의 임의의 위치에 위치시킬 수 있다.
제1, 제2 노즐 아암(41, 42)은, 전술한 바와 같은 스윙 모션(선회 운동) 타입의 것에 한정되지 않고, 노즐을 수평 방향으로 직선적으로 병진 운동시키는 리니어 모션(직동) 타입의 것이어도 좋다.
액받이 컵(50)은 기판 유지 기구(30)를 둘러싸며, 노즐(411, 412, 413, 421)로부터 회전하는 웨이퍼(W)에 공급된 후에 웨이퍼(W)로부터 뿌리쳐진 액을 회수한다.
각 노즐(411, 412, 413, 421, 422)에는, 대응하는 처리 유체 공급부[제1 처리액 공급부(711), 린스액 공급부(712), 용제 공급부(713), 제2 처리액 공급부(721), 건조 가스 공급부(722)]로부터 처리 유체(액 또는 가스)가 공급된다. 도시는 생략하지만, 각 처리 유체 공급부는, 탱크, 봄베, 공장 용력 공급원 등으로 이루어지는 처리 유체 공급원과, 처리 유체 공급원과 대응하는 노즐을 접속하는 처리 유체 라인과, 처리 유체 라인에 개재하여 설치된 개폐 밸브, 유량 조정 밸브 등의 유량 조정기로 구성되어 있다.
또한, 폴리머 제거액은 가열한 상태로 웨이퍼(W)에 공급되기 때문에, 제1 및 제2 처리액 노즐(411, 421)을 위한 처리액 공급부(711, 712) 및 대응하는 처리 유체 라인에는, 히터 또는 보온재(모두 도시하지 않음) 등이 마련되어 있다.
다음에, 처리 유닛(16)의 동작에 대해서, 도 2, 도 3에 더하여 도 4, 도 5를 참조하여 설명한다. 이하에 설명하는 처리 유닛(16)의 동작은, 기억부(1)(도 1을 참조)에 저장된 프로세스 레시피를 참조하면서 기억부(1)에 저장된 제어 프로그램을 실행함으로써, 제어 장치(4)의 제어부(18)가 처리 유닛(16)의 여러 가지 구성 요소(노즐 아암, 처리 유체 공급부 등)를 제어함으로써, 자동적으로 실행된다.
도 4는 처리액 노즐(411, 421)의 동작을 설명하는 모식도이고, 도 5는 처리액 노즐(411, 421)의 반경 방향 위치[Pos(단위 ㎜)], 처리액 노즐(411, 421)로부터의 폴리머 제거액의 토출 유량[Q(단위 ㎖/min)]의 경시 변화를 나타내는 타임 차트이다. 도 5에 있어서, 처리액 노즐(411, 421)의 위치(Pos)는, 웨이퍼(W)의 중심(Wc)으로부터의 거리로 나타낸다. 즉, 위치 0 ㎜는 노즐이 웨이퍼의 중심의 바로 위에 위치하고 있는 것을 의미하고 있고, 위치 150 ㎜는 노즐이 웨이퍼(W)(12인치 웨이퍼)의 주연부의 바로 위에 위치하고 있는 것을 의미하고 있으며, 위치 200 ㎜는 웨이퍼의 주연부보다 반경 방향 외측의 홈 포지션(대기 위치)(H)에 위치하고 있는 것을 의미하고 있다. 도 5에 있어서, 처리액 노즐(411)의 위치 및 토출 유량은 실선으로 나타내고, 처리액 노즐(421)의 위치 및 토출 유량은 파선으로 나타내고 있다.
먼저, 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)에 의해 처리 유닛(16)의 챔버(20) 내에 웨이퍼(W)가 반입되고, 웨이퍼(W)가 기판 유지 기구(30)의 유지부(31)에 의해 유지된다. 계속해서, 기판 유지 기구(30)의 구동부(33)에 의해, 유지부(31)에 의해 유지된 웨이퍼(W)가 연직 축선 둘레로 회전된다. 이 웨이퍼(W)의 회전은 이 웨이퍼(W)에 대한 일련의 처리 공정이 종료할 때까지 계속한다.
제1 처리액 노즐(411)을, 홈 포지션으로부터 이동시켜, 웨이퍼(W)의 중심의 상방(바로 위)의 위치에 위치시킨다. 또한, 제2 처리액 노즐(421)을, 제1 처리액 노즐(411)에는 충돌하지 않지만 제1 처리액 노즐(411)에 인접한 웨이퍼(W)의 중심부의 상방의 위치(중심의 상방의 위치로부터 수평 방향으로 약간 떨어진 위치)에 위치시킨다[이상, 도 4의 (a), 도 5의 14초 부근을 참조]. 여기서 「웨이퍼(W)의 중심부」란, 웨이퍼(W)의 회전 중심점인 「웨이퍼(W)의 중심」을 포함하는 어느 정도의 넓이를 갖은 영역을 의미한다. 또한, 이 작용의 설명에 있어서, 제1 처리액 노즐(411) 및 제2 처리액 노즐(421)의 이동은, 제1 노즐 아암(41) 및 제2 노즐 아암을 선회시킴으로써 실현된다.
계속해서, 제1 처리액 노즐(411)이 소유량(예컨대 500 ㎖/min)으로 폴리머 제거액의 토출을 개시하며, 제1 처리액 노즐(411)을 웨이퍼(W)의 주연부의 상방의 위치를 향하여 움직이기 시작한다. 즉, 제1 처리액 노즐(411)은, 최초에, 폴리머 제거액의 웨이퍼 표면 상에의 착액점이 웨이퍼(W)의 중심이 되도록 폴리머 제거액을 토출하고, 그 후, 제1 처리액 노즐(411)은, 폴리머 제거액의 착액점이 웨이퍼(W)의 주연부를 향하여 이동하도록 이동한다. 제1 처리액 노즐(411)이 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치로부터 이동을 개시함과 동시에, 제2 처리액 노즐(421)이 웨이퍼의 중심의 상방의 위치로 이동하고, 거기서 정지한다. 이 정지와 거의 동시에, 제2 처리액 노즐(421)이, 대유량(예컨대 1000 ㎖/min)으로 폴리머 제거액의 토출을 개시한다. 즉 이때, 제2 처리액 노즐(421)은, 착액점이 웨이퍼(W)의 중심이 되도록 폴리머 제거액을 토출한다[이상, 도 4의 (b), 도 5의 15초 부근을 참조].
제1 처리액 노즐(411) 및 제2 처리액 노즐(421)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 폴리머 제거액은, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 주연부를 향하여 확대되면서 흘러, 웨이퍼(W)의 표면의 전역이 폴리머 제거액의 액막에 의해 덮어진다. 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 있는 폴리머는, 폴리머 제거액에 의해 제거되고, 제거된 폴리머는 폴리머 제거액과 함께 웨이퍼(W)의 주연부의 외방으로 비산한다.
제1 처리액 노즐(411)이 웨이퍼(W)의 주연부의 상방의 위치에 도달하였다면[즉, 제1 처리액 노즐(411)로부터의 폴리머 제거액의 착액점이 웨이퍼(W)의 주연부가 되면], 제1 처리액 노즐(411)로부터의 폴리머 제거액의 토출을 정지하고, 그 후 즉시 제1 처리액 노즐(411)을 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치를 향하여 이동시킨다[이상, 도 4의 (c), 도 5의 18초 부근을 참조].
제1 처리액 노즐(411)이 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치에 도달하기 직전[즉 제1 처리액 노즐(411)이, 웨이퍼(W)의 중심의 상방에 위치하고 있는 제2 처리액 노즐(421)과 충돌하기 직전]에, 제2 처리액 노즐(421)이 웨이퍼(W)의 주연부의 상방의 위치를 향하여 이동을 개시한다. 이 이동 개시와 거의 동시에, 그때까지 대유량이었던 제2 처리액 노즐(421)로부터의 폴리머 제거액의 토출 유량을 소유량으로 감소시킨다. 제1 처리액 노즐(421)이 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치에 도달하면, 제1 처리액 노즐(421)은 그 위치에서 정지하고, 이 정지와 거의 동시에 제1 처리액 노즐(421)이 대유량으로 폴리머 제거액의 토출을 개시한다[이상, 도 4의 (d), 도 5의 20초 부근을 참조].
또한, 도 6의 타임 차트에 나타내는 바와 같이, 제2 처리액 노즐(421)이 웨이퍼(W)의 주연부의 상방의 위치를 향하여 이동을 개시한 후, 제1 처리액 노즐(411)이 웨이퍼 중심에 도달하기까지의 동안(기재의 간략화를 위해 「교체 기간」이라고 부름), 제2 처리액 노즐(421)로부터의 폴리머 제거액의 토출 유량을 대유량으로 유지하고, 제1 처리액 노즐(411)이 웨이퍼 중심에 도달하였다면 제2 처리액 노즐(421)로부터의 폴리머 제거액의 토출 유량을 소유량으로 감소시켜도 좋다. 이와 같이 함으로써, 상기 교체 기간 내에 웨이퍼 중심 부근에 폴리머 제거액의 액막이 존재하지 않게 되는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 즉, 상기 교체 기간 내에는, 제1, 제2 처리액 노즐(411, 421) 중 어느 것으로부터도 웨이퍼(W)의 중심에 폴리머 제거액이 직접적으로 공급되는 것이 아니고, 제2 처리액 노즐(421)로부터 웨이퍼(W)의 중심의 반경 방향 외측에 공급된 폴리머 제거액이 웨이퍼 중심을 향하여 확대됨으로써, 웨이퍼(W)의 중심이 폴리머 제거액의 액막에 의해 덮어진다. 웨이퍼(W)의 표면이 소수성이면, 폴리머 제거액이 웨이퍼 중심을 향하여 확대되기 어려워지기 때문에, 웨이퍼 중심 부근에 폴리머 제거액의 액막이 존재하지 않게 되기 쉽다. 제2 처리액 노즐(421)의 토출 유량을 증가시킴으로써, 액 기세에 의해 폴리머 제거액이 웨이퍼 중심을 향하여 강제적으로 확대되기 때문에, 웨이퍼 중심 부근을 폴리머 제거액의 액막으로 덮는 것이 가능해진다.
제2 처리액 노즐(421)이 웨이퍼(W)의 주연부의 상방의 위치에 도달하였다면, 제2 처리액 노즐(421)로부터의 폴리머 제거액의 토출을 정지하고, 그 후 즉시 제2 처리액 노즐(421)을 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치를 향하여 이동시킨다[이상, 도 4의 (e), 도 5의 24초 부근을 참조].
제2 처리액 노즐(421)이 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치에 도달하기 직전[즉 제2 처리액 노즐(421)이, 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치에 위치하고 있는 제1 처리액 노즐(411)과 충돌하기 직전]에, 제1 처리액 노즐(411)이 웨이퍼(W)의 주연부의 상방의 위치를 향하여 이동을 개시하며, 이 이동 개시와 거의 동시에, 그때까지 대유량이었던 제1 처리액 노즐(411)로부터의 폴리머 제거액의 토출 유량을 소유량으로 감소시킨다. 제1 처리액 노즐(411)이 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치에 도달하기 약간 이전의 시점에, 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치에 있는 제2 처리액 노즐(421)이 웨이퍼(W)의 주연부를 향하여 이동을 개시하며, 제2 처리액 노즐(421)로부터의 폴리머 제거액의 토출 유량을 소유량으로 감소시킨다(도 5의 25초 부근을 참조).
상기 설명으로부터 이해할 수 있는 바와 같이, 제1 처리액 노즐(411) 및 제2 처리액 노즐(421)은, 그 역할을 교대로 교체하면서 웨이퍼(W)에 폴리머 제거액을 공급한다.
제1 처리액 노즐(411) 및 제2 처리액 노즐(421)로부터의 폴리머 제거액의 공급을 미리 정해진 시간만큼 행하였다면, 다음에, 린스 노즐(412)로부터 린스액으로서의 DIW를 공급하여 린스 처리를 행한다.
구체적으로는 예컨대, 제1 처리액 노즐(411)로부터 웨이퍼(W)의 중심에 폴리머 제거액을 공급한 상태로, 폴리머 제거액을 토출하고 있는 제2 처리액 노즐(421)이 웨이퍼(W)의 주연부에 도달하였다면 제2 처리액 노즐(421)로부터의 폴리머 제거액의 토출을 정지한다. 그리고, 제2 처리액 노즐(421)은 웨이퍼(W)의 중심을 향하여 이동시키는 것이 아니라, 홈 포지션으로 후퇴시킨다. 그리고, 린스 노즐(412)을 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치로 이동시켜 그 위치에서 고정하며 린스 노즐(412)로부터 DIW의 토출을 개시하고, 그 직후에 제1 처리액 노즐(411)로부터의 폴리머 제거액의 토출을 정지한다. 린스 노즐(412)로부터 공급된 DIW에 의해, 웨이퍼(W) 상에 잔류하고 있는 폴리머 제거액 및 반응 생성물 등이 제거된다.
또한, 도 5의 타임 차트에 나타내는 바와 같이, 제1 처리액 노즐(411) 및 제2 처리액 노즐(421)로부터의 폴리머 제거액의 최후의 토출을 종료하였을 때(도 5의 68초∼70초 부근을 참조)에, 양 노즐(411, 421)을 일단 홈 포지션에 복귀시켜도 좋다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)의 표면이 마르지 않도록, 도시하지 않는 별도의 노즐에 의해 웨이퍼 표면에 DIW가 공급된다.
린스 노즐(412)로부터 미리 정해진 시간만큼 DIW를 웨이퍼(W)에 공급한 후, 용제 노즐(413)을 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치로 이동시켜 그 위치에서 고정하며 용제 노즐(413)로부터 IPA의 토출을 개시하고, 그 직후에 린스 노즐(412)로부터의 DIW의 토출을 정지한다. 용제 노즐(413)로부터 공급된 IPA에 의해, 웨이퍼(W) 상의 DIW가 치환된다.
다음에, 제2 노즐 아암(42)을 선회시켜, 건조 가스 노즐(422)을 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치를 향하여 이동시킨다. 건조 가스 노즐(422)이 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치에 도달하기 약간 이전의 시점에, 제1 노즐 아암(41)을 선회시켜, 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치에 있는 용제 노즐(413)을 웨이퍼(W)의 주연부를 향하여 이동시킨다. 건조 가스 노즐(422)이 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치에 도달하였다면 건조 가스 노즐(422)로부터 질소 가스의 토출을 개시하며, 건조 가스 노즐(422)을 웨이퍼(W)의 주연부를 향하여 이동시킨다. 건조 가스 노즐(422)로부터 토출되는 질소 가스의 웨이퍼(W) 표면에의 충돌점이, 용제 노즐(413)로부터 토출되는 IPA의 웨이퍼(W) 표면에의 착액점보다 반경 방향 내측의 위치에 유지되도록 용제 노즐(413) 및 건조 가스 노즐(422)을 웨이퍼(W)의 주연부를 향하여 이동시킨다. 이에 의해 웨이퍼(W) 표면형의 건조 영역이 서서히 확대되어 가, 최종적으로는 웨이퍼(W)의 표면 전체가 건조한다. 이상에 의해 폴리머 제거를 위한 일련의 공정이 종료한다.
상기 실시형태에서는, 가열된 폴리머 제거액을 토출하는 서로 독립적으로 이동할 수 있는 2개의 노즐[제1 처리액 노즐(411) 및 제2 처리액 노즐(421)]을 마련하고, 그 중 하나(이하, 기재의 간략화를 위해, 웨이퍼 중앙부 상방에서 정지하고 있는 노즐을 「노즐 1」이라고도 부름)로부터의 폴리머 제거액의 웨이퍼 표면에의 착액점을 웨이퍼 중심부에 고정하는 한편으로, 다른쪽의 노즐(이하, 기재의 간략화를 위해, 이동하고 있는 노즐을 「노즐 2」라고도 부름)로부터의 폴리머 제거액의 착액점을 중심부로부터 주연부로 이동시키고 있다.
즉, 노즐 1로부터 웨이퍼 중심부에 폴리머 제거액을 계속해서 공급하고 있기 때문에, 웨이퍼 표면의 중심부에 폴리머 제거액으로 덮어져 있지 않은 영역(웨이퍼 주위 분위기에 노출되어 있는 영역)이 발생하는 경우는 없다.
또한, 노즐 2로부터 토출된 폴리머 제거액의 착액점을 웨이퍼 주연부를 향하여 이동시킴으로써, 웨이퍼 표면 상에 존재하는 폴리머가 웨이퍼 주연부를 향하여 압출된다. 이 때문에, 웨이퍼 표면으로부터 박리된 폴리머를, 효율적으로 웨이퍼 표면으로부터 몰아낼 수 있다.
또한, 착액점을 웨이퍼 중심부로부터 주연부로 이동시키면서 노즐 2로부터 가열된 폴리머 제거액을 공급함으로써, 웨이퍼(W) 표면의 온도 및 웨이퍼 표면과 접하는 폴리머 제거액의 온도의 웨이퍼 직경 방향에 관한 균일성을 높일 수 있다. 이 때문에, 폴리머 제거 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 노즐 2로부터 토출된 폴리머 제거액은, 노즐 1로부터 웨이퍼 중심부에 토출된 후에 주연부를 향하여 흐르는 폴리머 제거액이 형성하는 액막에 대하여 하향의 힘을 부여하기 때문에, 액막을 형성하는 폴리머 제거액을 패턴의 오목부의 안으로 밀어넣도록 작용한다. 이 때문에, 웨이퍼의 중심부보다 반경 방향 외측에 있는 패턴의 오목부 내에 있는 폴리머를 보다 효율적으로 제거할 수 있다.
또한, 만약 노즐 2가 웨이퍼 표면에의 착액점을 주연부로부터 중심부로 이동시키면서 폴리머 제거액을 토출하였다고 하면, 노즐 1로부터 웨이퍼 중심부에 공급된 후에 웨이퍼 표면 상에서 막을 형성하면서 주연부를 향하여 흐르고 있는 폴리머 제거액이, 웨이퍼 중심부를 향하여 되밀리게 된다. 그렇게 되면, 웨이퍼 표면으로부터 일단 박리된 폴리머가 웨이퍼에 재부착될 가능성이 높아진다. 더구나, 노즐 1로부터 웨이퍼 중심부에 공급되어 웨이퍼 주연부를 향하여 흐르는 폴리머 제거액의 흐름과 노즐 2로부터 토출된 폴리머 제거액이 격심하게 충돌하기 때문에, 큰 액 튐(스플래시)이 생긴다. 그러나, 상기 실시형태에서는, 노즐 2를 웨이퍼 중심부의 상방의 위치에 복귀시킬 때에 노즐 2로부터 폴리머 제거액을 토출하지 않기 때문에, 그와 같은 사태는 생기지 않는다.
또한, 상기 실시형태에서는, 노즐 1, 2로부터 동시에 노즐 1로부터 폴리머 제거액이 토출될 때의 노즐 1, 2의 총토출 유량을, 노즐 1에 많이 분배하고 있다. 즉, 착액점을 중심부로부터 주연부로 이동시키고 있을 때의 노즐 2의 토출 유량은, 중심부에 고정적으로 처리액을 공급하고 있는 노즐 1의 토출 유량보다 작다. 이 때문에, 노즐 2로부터의 폴리머 제거액의 착액 위치에 관계없이, 웨이퍼 주연부를 향하는 처리액의 흐름을 저해하는 일이 없다. 또한, 웨이퍼의 표면 전체를 확실하게 폴리머 제거액으로 덮을 수 있다.
상기 실시형태에서는, 2개의 노즐[제1 처리액 노즐(411) 및 제2 처리액 노즐(421)]의 역할을 교대로 교체하고 있었지만, 이것에는 한정되지 않는다. 즉, 한쪽 예컨대 제1 처리액 노즐(411)에 웨이퍼 중심부에 처리액을 공급하는 역할만을 갖게 하고, 다른쪽 예컨대 제2 처리액 노즐(421)에 웨이퍼 표면에의 착액점을 중심부로부터 주연부로 이동시키면서 처리액을 토출하는 역할만을 갖게 하여도 좋다. 이 경우에는, 상기 한쪽의 노즐(411)은, 처리액 공급중에 제어부(18)에 의해 제어되어 움직이는 제1 노즐 아암(41)에 의해 유지되어 있을 필요는 없다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 제1 노즐(411)로부터 웨이퍼 중심부에 처리액을 공급시키고 있을 때에, 제2 노즐(421)을 웨이퍼 중심부로부터 주연부를 향하여 이동시키며 제2 노즐(421)로부터 처리액을 공급시키고, 그 후, 제1 노즐(411)로부터 처리액을 공급한 상태로, 제2 노즐(421)로부터의 처리액의 토출을 정지시키며 제2 노즐(421)을 웨이퍼 주연부로부터 중심부를 향하여 이동시키고, 그 후, 제1 노즐(411)로부터 처리액을 공급한 상태로, 제2 노즐(421)로부터 웨이퍼에 처리액을 공급 개시시켜, 제2 노즐(421)을 웨이퍼 중심부로부터 주연부를 향하여 이동시킨다. 또한, 챔버(20) 내의 임의의 위치, 예컨대, 액받이 컵(50)의 외측의 위치에 고정하여도 좋다. 이 경우, 이 고정된 노즐로부터 토출된 처리액은, 웨이퍼(W)의 상방의 공간을 가로질러 웨이퍼(W)의 중심에 도달한다.
상기 실시형태에 있어서 2개의 처리액 노즐로부터 토출되는 처리액은, 폴리머 제거액이지만, 이것에 한정되는 것이 아니며, 예컨대 폴리머 제거액 이외의 세정액, 혹은 에칭액 등이어도 좋다. 이 경우도, 웨이퍼 중심부로부터 액막이 소실됨으로써 웨이퍼 중심부가 웨이퍼의 주위의 분위기에 노출되는 것을 방지하면서, 세정 또는 에칭에 의해 웨이퍼 표면으로부터 일단 제거된 물질이 웨이퍼(W) 표면에 재부착하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 웨이퍼 면내의 온도 조건의 균일성을 높일 수 있기 때문에, 세정 처리 또는 에칭 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
상기 실시형태에 있어서 2개의 처리액 노즐로부터 토출되는 처리액은, 가열되어 있었지만, 이에 한정되는 것이 아니며, 상온이어도 좋다. 이 경우에도, 웨이퍼 중심부로부터 액막이 소실되어 웨이퍼 중심부가 웨이퍼 주위 분위기에 노출되는 것을 방지하면서, 웨이퍼 표면으로부터 일단 제거된 물질이 웨이퍼 표면에 재부착하는 것을 방지할 수 있다.
처리 대상의 기판은, 반도체 웨이퍼(W)에 한정되는 것이 아니며, 유리 기판, 세라믹 기판 등의 다른 기판이어도 좋다.
W 기판(반도체)
4 제어부(제어 장치)
31 기판 유지부
33 회전 구동부
41, 414 제1 노즐 이동 기구(노즐 아암 및 아암 구동 기구)
42, 424 제1 노즐 이동 기구(노즐 아암 및 아암 구동 기구)
411 제1 노즐(제1 처리액 노즐)
421 제2 노즐(제2 처리액 노즐)
711 제1 처리액 공급부(처리액 공급부)
721 제2 처리액 공급부(처리액 공급부)

Claims (15)

  1. 기판 액처리 장치에 있어서,
    기판을 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부를 연직 축선 둘레로 회전시키는 회전 구동부와,
    상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 적어도 중심부에 처리액을 공급하는 제1 노즐과,
    상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 제2 노즐과,
    상기 제1 노즐에 상기 처리액을 공급하는 제1 처리액 공급부와,
    상기 제2 노즐에 상기 처리액을 공급하는 제2 처리액 공급부와,
    상기 제2 노즐을, 상기 기판의 중심부와 주연부 사이에서 이동시키는 제2 노즐 이동 기구와,
    적어도 상기 제1 처리액 공급부, 상기 제2 처리액 공급부 및 상기 제2 노즐 이동 기구의 동작을 제어하는 제어부
    를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 제1 노즐로부터 상기 기판의 중심부에 처리액을 공급시키고 있을 때에, 상기 제2 노즐을 상기 기판의 중심부로부터 주연부를 향하여 이동시키며 상기 제2 노즐로부터 상기 처리액을 공급시키고, 그 후, 상기 제1 노즐로부터 처리액을 공급한 상태로, 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 토출을 정지시키며 상기 제2 노즐을 상기 기판의 주연부로부터 중심부를 향하여 이동시키고, 그 후, 상기 제1 노즐로부터 처리액을 공급한 상태로, 상기 제2 노즐로부터 상기 기판에 상기 처리액을 공급 개시시키는 것인, 기판 액처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 노즐을, 상기 기판의 중심부와 주연부 사이에서 이동시키는 제1 노즐 이동 기구를 더 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 제1 노즐 이동 기구의 동작의 제어를 행하며,
    상기 제2 노즐이 상기 기판의 주연부로부터 중심부를 향하여 이동하고,
    상기 제2 노즐이 상기 기판에 처리액을 공급 개시하여, 상기 기판의 중심부에 처리액을 공급하고 있을 때에, 상기 제1 노즐을 상기 기판의 중심부로부터 주연부를 향하여 이동시키며 상기 제1 노즐로부터 상기 처리액을 공급시키고, 그 후, 상기 제2 노즐로부터 처리액을 공급한 상태로, 상기 제1 노즐로부터의 상기 처리액의 토출을 정지시키며 상기 제1 노즐을 상기 기판의 주연부로부터 중심부를 향하여 이동시키고, 그 후, 상기 제2 노즐로부터 처리액을 공급한 상태로, 상기 제1 노즐로부터 상기 기판에 상기 처리액을 공급 개시시키는 것인, 기판 액처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제2 노즐이 상기 기판의 주연부로부터 중심부를 향하여 이동하여, 상기 기판에 처리액을 공급 개시한 후에,
    상기 제1 노즐로부터 상기 기판의 중심부에 처리액을 공급한 상태로, 상기 제2 노즐로부터 상기 처리액을 공급시키면서 상기 제2 노즐을 상기 기판의 중심부로부터 주연부로 이동시키는 것인, 기판 액처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제1 노즐이 상기 처리액을 공급하면서 기판의 중심부로부터 주연부로 이동하고 있을 때에, 상기 제2 노즐로부터 상기 기판의 중심부에 상기 처리액을 공급시켜, 상기 제2 노즐이 상기 처리액을 상기 기판의 중심부에 공급하고 있을 때의 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 유량을, 상기 제2 노즐이 상기 기판의 중심부로부터 주연부를 향하여 이동하고 있을 때의 공급 유량보다 크게 하는 것인, 기판 액처리 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제2 노즐이 상기 기판의 중심부에 공급하고 있는 처리액의 공급 유량을, 상기 제2 노즐이 상기 기판의 중심부로부터 주연부를 향하여 이동하고 있을 때의 공급 유량보다 크게 하고, 또한, 상기 제1 노즐이 상기 기판의 중심부에 공급하고 있는 처리액의 공급 유량을, 상기 제1 노즐이 상기 기판의 중심부로부터 주연부를 향하여 이동하고 있을 때의 공급 유량보다 크게 하는 것인, 기판 액처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제2 노즐이 상기 기판 중심부에 상기 처리액을 공급하고, 상기 제1 노즐이 상기 기판의 중심부로부터 주연부로 이동을 개시한 후에 상기 제1 노즐로부터의 처리액의 토출 유량을 줄이는 것인, 기판 액처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제2 노즐이 상기 기판의 주연부로부터 중심부로 이동할 때의 이동 속도를 중심부로부터 주연부로 이동할 때의 이동 속도보다 높게 하는 것인, 기판 액처리 장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제2 노즐이 상기 기판의 주연부로부터 중심부로 이동할 때의 이동 속도를 중심부로부터 주연부로 이동할 때의 이동 속도보다 높게 하고, 상기 제1 노즐이 상기 기판의 주연부로부터 중심부로 이동할 때의 이동 속도를 중심부로부터 주연부로 이동할 때의 이동 속도보다 높게 하는 것인, 기판 액처리 장치.
  9. 기판 처리 장치에 있어서의 기판 액처리 방법에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    기판을 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부를 연직 축선 둘레로 회전시키는 회전 구동부와,
    상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 적어도 중심부에 처리액을 공급하는 제1 노즐과,
    상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 제2 노즐과,
    상기 제1 노즐에 상기 처리액을 공급하는 제1 처리액 공급부와,
    상기 제2 노즐에 상기 처리액을 공급하는 제2 처리액 공급부와,
    상기 제2 노즐을, 상기 기판의 중심부와 주연부 사이에서 이동시키는 제2 노즐 이동 기구
    를 포함하고,
    상기 기판 액처리 방법은,
    (a) 기판을 연직 축선 둘레로 회전시키는 단계와,
    (b) 제1 노즐로부터 회전하는 상기 기판의 중심부에 처리액을 공급하면서, 제2 노즐로부터 회전하는 상기 기판에 처리액을 공급하고, 이때, 상기 제2 노즐로부터 공급된 처리액의 착액점을 상기 기판의 중심부로부터 상기 기판의 주연부를 향하여 이동시키는 단계와,
    (c) 상기 (b)의 후에, 상기 제1 노즐로부터 회전하는 상기 기판의 중심부에 계속해서 처리액을 공급하면서, 상기 제2 노즐로부터의 처리액의 공급을 정지하여 상기 제2 노즐을 상기 회전하는 기판의 중심부를 향하여 이동시키는 단계와,
    (d) 상기 (c)의 후에, 상기 제2 노즐로부터 회전하는 상기 기판에 처리액을 공급하는 단계
    를 포함하는 것인, 기판 액처리 방법.
  10. 제9항에 있어서, (e) 상기 (d)의 후에, 상기 제2 노즐로부터 상기 회전하는 기판의 중심부에 처리액을 공급하면서, 상기 제1 노즐로부터 회전하는 상기 기판에 처리액을 공급하고, 이때, 상기 제1 노즐로부터 공급된 처리액의 착액점을 상기 기판의 중심부로부터 상기 기판의 주연부로 연속적으로 이동시키는 단계를 더 포함하는, 기판 액처리 방법.
  11. 제9항에 있어서, (f) 상기 (d)의 후에, 상기 제1 노즐로부터 회전하는 상기 기판의 중심부에 계속해서 처리액을 공급하면서, 제2 노즐로부터 회전하는 상기 기판에 처리액을 공급하고, 이때, 상기 제2 노즐로부터 공급된 처리액의 착액점을 상기 기판의 중심부로부터 상기 기판의 주연부로 연속적으로 이동시키는 단계를 더 포함하는, 기판 액처리 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐부터의 상기 처리액의 공급 유량은, 각각 상기 기판의 중심부에 상기 처리액을 공급할 때의 공급 유량이, 상기 처리액의 착액점을 상기 기판의 중심부로부터 상기 기판의 주연부로 연속적으로 이동시키고 있을 때의 공급 유량보다 커지도록 제어되는 것인, 기판 액처리 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 처리액은 상온보다 높은 온도의 액인 것인, 기판 액처리 방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 처리액은 세정액 또는 에칭액인 것인, 기판 액처리 방법.
  15. 기판 액처리 장치의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터에 의해 실행되었을 때에, 상기 컴퓨터가 상기 기판 액처리 장치를 제어하여 제9항에 기재된 기판 액처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기억 매체.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210098895A (ko) * 2019-08-23 2021-08-11 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20220152611A (ko) * 2021-05-10 2022-11-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6910164B2 (ja) * 2017-03-01 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6986399B2 (ja) * 2017-09-14 2021-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR20200119312A (ko) * 2018-02-13 2020-10-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP7169865B2 (ja) * 2018-12-10 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7197376B2 (ja) * 2019-01-17 2022-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
CN112233996A (zh) * 2019-07-15 2021-01-15 长鑫存储技术有限公司 晶圆清洗装置、晶圆处理设备及晶圆清洗方法
TW202137839A (zh) * 2019-12-17 2021-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
JP7304932B2 (ja) * 2020-12-30 2023-07-07 セメス カンパニー，リミテッド ノズル待機ポートとこれを含む基板処理装置及びこれを利用したノズル洗浄方法
CN112735983B (zh) * 2020-12-30 2022-12-16 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种单晶圆载体清洗高度集成装置
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法
TWI776399B (zh) * 2021-02-22 2022-09-01 頂程國際股份有限公司 濕式處理設備與濕式處理方法
JP7505439B2 (ja) 2021-04-12 2024-06-25 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040187896A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Nobuo Konishi Substrate processing method and apparatus
JP2006086415A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
JP2007088381A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR20080035973A (ko) * 2006-10-19 2008-04-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20140034273A (ko) * 2008-04-03 2014-03-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
KR20150060556A (ko) * 2013-11-25 2015-06-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148459A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Toshiba Corp 半導体基板の洗浄方法
JP5317504B2 (ja) * 2008-03-24 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 現像装置および現像方法
JP5284004B2 (ja) * 2008-08-20 2013-09-11 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置
US8707974B2 (en) * 2009-12-11 2014-04-29 United Microelectronics Corp. Wafer cleaning device
JP5852871B2 (ja) * 2011-12-12 2016-02-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6223839B2 (ja) * 2013-03-15 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体
US9704730B2 (en) * 2013-05-28 2017-07-11 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and non-transitory storage medium
JP5994749B2 (ja) * 2013-08-05 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP6221954B2 (ja) * 2013-08-05 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP6022431B2 (ja) * 2013-10-17 2016-11-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP5995881B2 (ja) * 2014-01-09 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6384200B2 (ja) * 2014-08-28 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置、及び記憶媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040187896A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Nobuo Konishi Substrate processing method and apparatus
JP2006086415A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
JP2007088381A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR20080035973A (ko) * 2006-10-19 2008-04-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20140034273A (ko) * 2008-04-03 2014-03-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
KR20150060556A (ko) * 2013-11-25 2015-06-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210098895A (ko) * 2019-08-23 2021-08-11 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20220152611A (ko) * 2021-05-10 2022-11-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

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Publication number Publication date
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CN106449470A (zh) 2017-02-22

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