TWI681501B - 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 - Google Patents

Abstract

在使用藉由混合藥液與氣體所生成之藥液的液滴來去除附著於基板的聚合物時，可獲得充分的去除性能。

基板處理裝置，係具有：第1噴嘴(41)，朝向基板(W)的表面，吐出藉由混合由氣體供給機構(71B)所供給的氣體與由加熱藥液供給機構(71A)所供給之已加熱的藥液所形成之藥液的液滴；及第2噴嘴(47)，朝向基板的背面，吐出由加熱純水供給機構(75)所供給之已加熱的純水。第1噴嘴，係將液滴供給至藉由從第2噴嘴所供給的加熱純水而從背面側加熱來使溫度上升之基板的表面。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體

本發明，係關於將藉由混合藥液與氣體所生成之藥液的液滴吐出至基板，並對基板施予處理的基板處理裝置。

在半導體裝置之製造工程中，係在半導體晶圓等之基板的表面，使SC-1(氨水與過氧化氫水之混合溶液)等的藥液和氣體之流動合流並進行噴射，藉此，進行去除附著於基板之表面的微粒或聚合物等之污染物質的洗淨處理。在使用單片式洗淨裝置來執行該洗淨處理時，基板，係被保持於稱作為旋轉夾盤的基板保持具，且使其繞著垂直軸周圍旋轉。從位於該旋轉之基板之上方的噴嘴，對基板供給藥液。將二流體噴嘴使用於藥液供給時，從二流體噴嘴所噴射的液滴之朝基板表面上的衝擊位置，係在基板中心部與周緣部之間移動。引用文獻1，係藉由提高從二流體噴嘴所吐出之液滴之溫度的方式，使污染物質的去除性能提升。然而，進行聚合物去除時，僅以引用文獻1的手法，無法獲得充分的去除性能。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2008-246319號公報

本發明，係提供如下述技術者：在使用藉由混合藥液與氣體所生成之藥液的液滴來去除附著於基板的聚合物時，可獲得充分的去除性能。

根據本發明之一實施形態，提供一種基板處理裝置，其特徵係，具備有：基板保持部，保持基板；加熱藥液供給機構，供給已加熱的藥液；氣體供給機構，供給氣體；加熱純水供給機構，供給已加熱的純水；第1噴嘴，朝向前述基板的表面，吐出藉由混合由前述氣體供給機構所供給的前述氣體與由前述加熱藥液供給機構所供給之已加熱的前述藥液所形成之前述藥液的液滴；及第2噴嘴，朝向前述基板的背面，吐出由前述加熱純水供給機構所供給之已加熱的前述純水，前述第1噴嘴，係將前述液滴供給至藉由從第2噴嘴所供給的加熱純水而從前述背面側所加熱之前述基板的表面。

根據本發明之其他實施形態，提供一種基板液處理方法，其特徵係，具備有：朝向基板之背面，吐出已加熱之純水的工程；及朝向吐出有前述已加熱之純水之基板的表面，吐出藉由混合氣體與已加熱之藥液所形成之前述藥液之液滴的工程。

根據本發明之其他實施形態，提供一種記憶媒體，其特徵係，記錄有程式，該程式，係在被用以控制基板處理裝置之動作的電腦所執行時，使前述電腦控制前述基板處理裝置而執行上述基板處理方法。

根據本發明之上述實施形態，在使用藉由混合藥液與氣體所生成之藥液的液滴來去除附著於基板的聚合物時，可獲得充分的去除性能。

W‧‧‧基板(晶圓)

20A‧‧‧處理腔室(腔室)

20B‧‧‧第1隔室

20C‧‧‧第2隔室

31‧‧‧基板保持部

31a‧‧‧基板保持部之板部分

31b‧‧‧基板保持部之保持部分

33‧‧‧旋轉驅動部(驅動部)

41‧‧‧第1噴嘴(二流體噴嘴)

45A‧‧‧噴嘴臂

46A‧‧‧臂驅動機構

47‧‧‧第2噴嘴(下噴嘴)

71A‧‧‧加熱藥液供給機構

71B‧‧‧氣體供給機構

7104‧‧‧純水溫度調節器(基板調溫液溫度調節器)

7110，7112‧‧‧藥液配管、純水配管(藥液管線、基板調溫液管線)

7120‧‧‧溫度調節器(藥液調溫液溫度調節器、用以調節基板調溫液之溫度之調溫液的溫度調節器)

7116‧‧‧調溫液夾套(水夾套)

7140‧‧‧隔熱材料

7160，7162‧‧‧藥液槽

7171‧‧‧第1分歧管線(稀釋液管線)

7180‧‧‧加熱純水夾套(調溫槽、調溫夾套)

7184‧‧‧第2分歧管線(槽調溫液供給管線)

75‧‧‧加熱純水供給機構(基板調溫液供給機構)

150‧‧‧罩杯

152‧‧‧上罩杯體

152a‧‧‧上罩杯體之下部分

152b‧‧‧上罩杯體之上部分

153‧‧‧外罩杯體

161‧‧‧分隔板

161a‧‧‧分隔板之開口

161b‧‧‧開口之緣

163‧‧‧分隔板

164‧‧‧縫隙

[圖1]表示本發明之實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。

[圖2]表示第1實施形態之處理單元之概略構成的縱剖面圖。

[圖3]表示第1實施形態之藥液供給機構及基板調溫液供給機構之構成的配管系統圖。

[圖4]表示第2實施形態之藥液供給機構及基板調溫 液供給機構之構成的配管系統圖。

[圖5]表示第3實施形態之基板保持機構及基板調溫液供給機構之構成的圖。

[圖6]用以說明第3實施形態之基板調溫液之供給及排出之順序的圖。

[圖7]用以說明關於第1實施形態之藥液處理工程之變形例的圖。

[圖8]第4實施形態之處理單元之概略縱剖面圖。

[圖9]圖8之區域IX的放大剖面圖。

[圖10]以其他剖面積來觀察第4實施形態之處理單元的概略縱剖面圖。

圖1，係表示本實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。下述，係為了明確位置關係，而規定彼此正交的X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。

如圖1所示，基板處理系統1，係具備有搬入搬出站2與處理站3。搬入搬出站2與處理站3，係鄰接設置。

搬入搬出站2，係具備有載體載置部11與搬送部12。在載體載置部11，係載置有以水平狀態收容複數片晶圓W的複數個載體C。

搬送部12，係鄰接設置於載體載置部11，在 內部具備有基板搬送裝置13與收授部14。基板搬送裝置13，係具備有保持晶圓W的基板保持機構。又，基板搬送裝置13，係可朝向水平方向及垂直方向移動及以垂直軸為中心旋轉，並使用基板保持機構，在載體C與收授部14之間進行晶圓W的搬送。

處理站3，係鄰接設置於搬送部12。處理站3，係具備有搬送部15與複數個處理單元16。複數個處理單元16，係並排設置於搬送部15的兩側。

搬送部15，係在內部具備有基板搬送裝置17。基板搬送裝置17，係具備有保持晶圓W的基板保持機構。又，基板搬送裝置17，係可朝向水平方向及垂直方向移動及以垂直軸為中心旋轉，並使用基板保持機構，在收授部14與處理單元16之間進行晶圓W的搬送。

處理單元16，係對藉由基板搬送裝置17所搬送的晶圓W進行預定之基板處理。

又，基板處理系統1，係具備有控制裝置4。控制裝置4，係例如電腦，具備有控制部18與記憶部19。在記憶部19，係儲存有控制在基板處理系統1所執行之各種處理的程式。控制部18，係藉由讀出並執行記憶於記憶部19之程式的方式，控制基板處理系統1的動作。

另外，該程式，係亦可為記錄於可藉由電腦讀取的記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體安裝於控制裝置4的記憶部19者。作為可藉由電腦讀取之記憶媒體， 係有例如硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

如上述般所構成的基板處理系統1，係首先，搬入搬出站2之基板搬送裝置13從載置於載體載置部11的載體C取出晶圓W，並將取出的晶圓W載置於收授部14。載置於收授部14的晶圓W，係藉由處理站3的基板搬送裝置17，從收授部14被取出，而搬入至處理單元16。

被搬入至處理單元16的晶圓W，係在藉由處理單元16進行處理後，藉由基板搬送裝置17，從處理單元16被搬出，而載置於收授部14。而且，載置於收授部14之處理完畢的晶圓W，係藉由基板搬送裝置13返回到載體載置部11的載體C。

其次，參閱圖2，說明關於處理單元16的概略構成。圖2，係表示處理單元16之概略構成的圖。

如圖2所示，處理單元16，係具備有腔室20、基板保持機構30、處理流體供給部40及回收罩杯50。

腔室20，係收容有基板保持機構30、處理流體供給部40及回收罩杯50。在腔室20的頂部，係設置有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21，係在腔室20內形成降流。

基板保持機構30，係具備有保持部31、支柱部32及驅動部33。保持部31，係水平地保持晶圓W。支 柱部32，係延伸於垂直方向的構件，基端部，係藉由驅動部33可旋轉地支撐，在前端部水平地支撐保持部31。驅動部33，係使支柱部32繞著垂直軸周圍旋轉。該基板保持機構30，係藉由使用驅動部33來使支柱部32旋轉的方式，使支撐於支柱部32的保持部31旋轉，藉此，使保持於保持部31的晶圓W旋轉。

處理流體供給部40，係對晶圓W供給處理流體。處理流體供給部40，係連接於處理流體供給源70。

回收罩杯50，係配置為包圍保持部31，以捕捉因保持部31之旋轉而從晶圓W飛散的處理液。在回收罩杯50的底部，係形成有排液口51，由回收罩杯50所捕捉的處理液，係從該排液口51被排出至處理單元16的外部。又，在回收罩杯50的底部，係形成有將從FFU21所供給之氣體排出至處理單元16之外部的排氣口52。

更詳細說明關於本發明之第1實施形態的處理流體供給部40及處理流體供給源70。處理流體供給部40，係具有：二流體噴嘴41，將藉由混合作為處理流體的藥液與氣體所形成之液滴(二流體)吐出至晶圓W的上面(形成有元件之晶圓的表面)；沖洗噴嘴42，將沖洗液例如純水(DIW)供給至晶圓W的上面；溶劑噴嘴43，將高揮發性且低表面張力之乾燥輔助溶劑例如IPA(異丙醇)供給至晶圓W的上面；及氣體噴嘴44，將N₂氣體等之低濕度且低氧氣濃度之乾燥用氣體供給至晶圓W的上面。

上述之噴嘴41~44，係被安裝於噴嘴臂45的前端部。噴嘴臂45，係可藉由臂驅動部46，繞著垂直方向軸線周圍旋轉，且可沿垂直方向進行升降，藉此，上述之噴嘴41~44，係可從晶圓W之上方的處理位置，在俯視時為與位於回收罩杯50之外方的退避位置之間移動。

處理流體供給部40，係更具有：下噴嘴47，將作為處理流體之基板調溫液，在此係指已加熱的純水(DIW)吐出至晶圓W的下面(未形成有元件之晶圓的背面)。

下噴嘴47，係具有吐出基板調溫液的基板調溫液吐出口471。基板調溫液吐出口471，係由在處理流體供給柱48內沿垂直方向延伸之基板調溫液通路472的上端開口部所構成。處理流體供給柱48，係與支柱部31同軸地設置於基板保持機構30之中空的支柱部31(亦即旋轉軸)內，且即便支柱部31旋轉亦以不旋轉的方式予以支撐。

在下噴嘴47，係更設置有吐出N₂氣體等之低濕度且低氧氣濃度之乾燥用氣體的氣體吐出口473。氣體吐出口473，係由在處理流體供給柱48內與基板調溫液通路472平行延伸之氣體通路474的上端開口部所構成。

處理流體供給源70，係具有：加熱藥液供給機構71A，將作為已加熱之藥液即已加熱的SC-1(SC-1(H))供給至二流體噴嘴41；氣體供給機構71B，將用以使SC-1液滴化的氮氣供給至二流體噴嘴41；沖洗液供 給機構72，將作為沖洗液的DIW供給至沖洗噴嘴42；溶劑供給機構73，將IPA供給至溶劑噴嘴43；乾燥氣體供給機構74，將乾燥用之氮氣供給至氣體噴嘴44；基板調溫液供給機構75，將已加熱的DIW(DIW(H))供給至下噴嘴47的基板調溫液吐出口471；及乾燥氣體供給機構76，將乾燥用之氮氣供給至下噴嘴47的氣體吐出口。

氣體供給機構71B、沖洗液供給機構72、溶劑供給機構73、乾燥氣體供給機構74、乾燥氣體供給機構76，係可使用半導體製造裝置之領域所熟知的一般者。亦即，該些供給機構，係可由配管、設置於該配管的開關閥、流量控制閥等的流量控制機器等所構成，該配管，係連接液儲存槽或氣瓶等的處理流體儲存部與所對應的噴嘴。

其次，參閱圖3，說明關於加熱藥液供給機構71A及基板調溫液供給機構75。另外，由於加熱藥液供給機構71A及基板調溫液供給機構75的構成，係除了所連接之噴嘴的形態不同該點以外，其餘在實質上相同，因此，僅說明關於加熱藥液供給機構71A來作為兩者的代表。

加熱藥液供給機構71A，係具有儲存有SC-1(氨水與過氧化氫水之混合溶液)的藥液槽7100(圖3，係以雙重圓的記號來表示)。於藥液槽7100內，以預先設定之混合比率來混合SC-1的原料即氨水、過氧化氫水及純水(稀釋液)，從而調合SC-1。

在藥液槽7100，係連接有由用以從藥液槽7100送出SC-1之管所構成的藥液管線7102。在藥液管線7102，係介設有藥液溫度調節器7104。供給至藥液溫度調節器7104的SC-1，係於藥液溫度調節器7104的內部，藉由作為發熱要素的泊耳帖元件7106，加熱至預先設定的溫度例如50℃後，從藥液溫度調節器7104流出，通過藥液管線7102流入至歧管7108。

藉由歧管7108，SC-1被分配至複數個，本例為4根藥液管線7110。各藥液管線7110，係將SC-1供給至複數個處理單元16(參閱圖1)中之一個處理單元16的二流體噴嘴41。圖3，係詳細表示僅1根藥液管線7110。

在構成藥液管線7110之小徑的管7112之外側設置有大徑的管，以形成雙重管構造。形成於小徑的管7112與大徑的管7114之間之圓環狀剖面的空間，係形成為用以使調節藥液的溫度(使藥液保溫)用之藥液調溫液流動的水夾套7116(藥液調溫液通路)。

作為流動至水夾套7116的藥液調溫液，係不必非要使用如DIW般的高純度水，可加熱PCW(Plant Cooling Water，工廠冷卻水)而使用。從設置於半導體裝置製造工廠的PCW供給源7118，供給調溫液循環系統的任一部位，本例為藥液調溫液溫度調節器7120。於藥液調溫液溫度調節器7120的內部，藉由泊耳帖元件7106來加熱PCW。在必須冷卻藥液調溫液溫度調節器7120時， 係使用PCW進行冷卻。

在藥液調溫液溫度調節器7120，係經由藥液調溫液供給管線7122，連接有歧管7124。藉由歧管7124，藥液調溫液被分配至複數個，本例為4根藥液調溫液供給管線7126。各藥液調溫液供給管線7126，係供給至複數個處理單元16(參閱圖1)中之一個處理單元16的水夾套7116。圖3，係詳細表示僅1根藥液調溫液供給管線7126。

藥液調溫液供給管線7126，係在靠近二流體噴嘴41之藥液管線7110之下游側的位置，連接於水夾套7116。在藥液管線7110之上游側的位置，水夾套7116，係連接於歧管7130。在流經水夾套7116內的藥液調溫液與流經藥液管線7110的SC-1的期間，進行經由管7112之壁體的熱交換，藉此，可使SC-1保溫，並使SC-1的溫度維持於所期望的範圍內。流經水夾套7116內之藥液調溫液的溫度，係與流經藥液管線7110之SC-1的溫度相同或稍微高。

在歧管7130，係亦連接有其他處理單元16的水夾套7116。歧管7130，係經由藥液調溫液回流管線7132，使藥液調溫液返回到藥液調溫液溫度調節器7120。返回的藥液調溫液，係藉由藥液調溫液溫度調節器7120予以加熱，再次從藥液調溫液溫度調節器7120朝向歧管7124流出。

如此一來，藥液調溫液，係在藉由藥液調溫 液溫度調節器7120、藥液調溫液供給管線7122、歧管7130、藥液調溫液供給管線7126、水夾套7116、藥液調溫液回流管線7132所形成的循環路徑內循環。在藥液調溫液供給管線7122或藥液調溫液回流管線7132，係設置有未圖示的泵，以形成通過前述循環路徑之藥液調溫液的循環流。存在於前述循環路徑內之藥液調溫液的總量減少時，PCW便從PCW供給源7118被補充至循環路徑內(藥液調溫液溫度調節器7120)。

為了控制供給至二流體噴嘴41之SC-1的流動，而在藥液管線7110的中途介設有流量調節閥7134及開關閥7136。因此，水夾套7116在設置有該些閥7134，7136的區域被分斷。為了連接位於該分斷區域之兩側之水夾套7116的端部彼此，而設置有連接管線7138。

藥液管線7110、藥液調溫液供給管線7126、水夾套7116的大部分，係被用以防止熱從水夾套7116散逸至周圍環境的隔熱材料7140覆蓋。藉由設置隔熱材料7140的方式，使流經藥液管線7110之SC-1的溫度更易維持於所期望的溫度。

設置有溫度感測器7142，該溫度感測器7142，係檢測流經靠近二流體噴嘴41之藥液管線7110之下游側部分之藥液的溫度。藥液調溫液溫度調節器7120，係以使藉由溫度感測器7142所檢測之溫度成為預先設定之目標值(例如50℃)的方式，控制泊耳帖元件7121的發熱量。只要溫度感測器7142的檢測溫度與目標 值一致(或落在目標範圍內)且從SC-1用之藥液溫度調節器7104供給目標溫度的SC-1，則所期望之溫度的SC-1便從二流體噴嘴41被吐出。

如前述，基板調溫液供給機構75，係具有除了所連接之噴嘴的形態不同該點以外，其餘與加熱藥液供給機構71A實質上相同的構成。因此，將作為用以加熱晶圓W的基板調溫液之已加熱的DIW供給至下噴嘴47之基板調溫液供給機構75的構成及作用，係可藉由將加熱藥液供給機構71A的說明中之「SC-1(藥液)」一詞讀作「DIW(基板調溫液)」來進行理解。

其次，說明關於在圖2之處理單元16所進行的一連串工程。在此，係進行去除附著於晶圓W之表面之聚合物的處理。在去除附著於晶圓的聚合物之際，必需進行管理，以使可獲得充分的去除性能之SC-1液的溫度範圍變窄，其液溫在晶圓W的表面形成為50℃。本實施形態，係不僅藉由SC-1液之供給側的調溫，另藉由來自背面之加熱DIW的供給，進行適當的溫度管理。以下的各工程，係如前述，於控制裝置4的控制下自動執行。

首先，未處理的晶圓W被基板搬送裝置17的臂(參閱圖1)搬入至處理單元16內，該晶圓W，係藉由基板保持機構30予以保持。

<藥液處理工程>

藉由基板保持機構30，使晶圓W繞著垂直方向軸線 周圍旋轉。從基板調溫液供給機構75所加熱之DIW亦即基板調溫液被供給至下噴嘴47，並從下噴嘴47的調溫液吐出口471朝向晶圓W之下面的中心部吐出基板調溫液。該基板調溫液，係藉由離心力，在晶圓W的下面，朝向晶圓W的周緣擴散並同時流動，藉此，晶圓W的下面便被基板調溫液覆蓋。藉由基板調溫液，晶圓W被加熱為所期望的溫度，例如與從二流體噴嘴41所吐出之SC-1大致相等的溫度。

二流體噴嘴41位於晶圓W之中心部的正上方。晶圓W被從下噴嘴47所吐出的基板調溫液充分加熱後，緊接著一面持續下噴嘴47之基板調溫液的吐出，一面以從加熱藥液供給機構71A所控制的溫度及流量，使液體的SC-1供給至二流體噴嘴41，並以從氣體供給機構71B所控制的流量，供給氮氣。來自下噴嘴47之基板調溫液的吐出，係持續直至該藥液處理工程的結束時點為止。亦即，從二流體噴嘴41朝向晶圓W吐出SC-1的期間，係晶圓W的下面一直被基板調溫液即已加熱之DIW的液膜覆蓋。

如該領域具有通常知識者所熟知，於二流體噴嘴41的內部，使從加熱藥液供給機構71A所供給之液體的SC-1和從氣體供給機構71B所供給之比較高流速且高壓力之氮氣的流動合流，藉此，SC-1被液滴化，且被液滴化的SC-1會與氮氣一起從二流體噴嘴41吐出。藉由液滴所具有的物理能量，促進SC-1所致之洗淨。

噴嘴臂45便旋轉，使從二流體噴嘴41所吐出的液滴之對於晶圓W表面的衝突位置從晶圓W的中心部往周緣部移動。亦可使液滴的衝突位置從晶圓W的中心部，在與周緣部之間往復移動一次或複數次。藉此，可均勻地洗淨晶圓W的表面。包含有因離心力而從晶圓W表面飛散之反應生成物的SC-1，係藉由回收罩杯50來回收。

<沖洗工程>

藥液處理工程結束後，緊接著使晶圓W維持旋轉，停止來自二流體噴嘴41之液滴的吐出，並且停止來自下噴嘴47之調溫用DIW的吐出，從位於晶圓W之中心部之上方的沖洗噴嘴42，將作為沖洗液的DIW供給至晶圓W的中心部，進行沖洗殘留於晶圓W之表面之藥液及反應生成物的沖洗處理。

<乾燥工程>

沖洗工程結束後，停止來自沖洗噴嘴42之DIW的供給，並使晶圓W的旋轉數增加而以離心力將殘存於晶圓W上的沖洗液甩乾，藉此，使晶圓W的表面乾燥。

藉由以上，對一片晶圓W的一連串液處理便結束。其後，晶圓W，係被搬出至處理單元16外。

根據上述實施形態，由於是在將SC-1之液滴與氮氣一起供給至晶圓的上面(表面)而進行晶圓W的 洗淨時，將基板調溫液即已加熱的DIW供給至晶圓W的下面(背面)，因此，在去除附著於晶圓W的聚合物時，可獲得充分的去除性能。又，可使處理對象即晶圓W之表面溫度的面內均勻性提升。因此，可提高去除聚合物的面內均勻性。

上述實施形態，雖係說明了使用SC-1作為從二流體噴嘴41所吐出之液滴之處理液的例子，但處理液並不限於此。例如，亦可使用純水作為處理液。將高溫之純水的液滴與氮氣一起供給至晶圓上面(表面)而進行晶圓W的洗淨，藉此，與使用常溫的純水時相比，微粒或聚合物等之對象物的去除性能更提升。而且，與上述實施形態相同地，將基板調溫液即已加熱的純水供給至晶圓W的下面(背面)，藉此，更進一步達成去除性能的提升。使用純水時的裝置構成，係由於可僅以將關於已說明之SC-1之液供給的構成置換成純水來實現，因此，在此省略說明。

其次，使用圖4，說明關於第2實施形態。第2實施形態，係關於將第1實施形態中之基板調溫液供給機構75與加熱藥液供給機構71A的一部分複合化的處理液供給機構者。在第2實施形態中，與第1實施形態相同的構件，係賦予相同符號，並省略重複說明。

該第2實施形態之基板調溫液供給機構75’，係具有基板調溫液管線7102，該基板調溫液管線7102，係連接至使用作為基板調溫液之純水(DIW)的供給源即 純水供給源7100。在基板調溫液管線7102，係從上游側依序設置有開關閥7150、基板調溫液溫度調節器7104、泵7152、三通閥弁7154、歧管7108(7108(DIW))。歧管7108及其下游側的構造，係與參閱圖3所說明者相同。亦即，經由4根基板調溫液管線7110(7110(DIW))，對4個下噴嘴471供給作為基板調溫液之已加熱的DIW。各基板調溫液管線7110，係具有形成如圖3所示之水夾套的雙重管構造，且由如圖3所示的隔熱材料所覆蓋。在附設於基板調溫液管線(7110(DIW))的水夾套，係只要供給藉由未圖示於圖4的如圖3所示之調溫液溫度調節器(若正確言之，為「用以調節基板調溫液之溫度之調溫液的溫度調節器」)(7120(DIW))所加熱的PCW即可。

該第2實施形態之加熱藥液供給機構71A’，係具有儲存SC-1的2個藥液槽7160，7162。在該些藥液槽7160，7162，係從氨水供給源164及過氧化氫水供給源7166供給有SC-1之原料即氨水及過氧化氫水，於該些藥液槽7160，7162內亦進行SC-1的調合。在藥液槽7160，7162，亦供給有作為SC-1之原料(稀釋液)的DIW，關於此內容如後述。

在藥液槽7160，7162，係連接有藥液管線7164，7166，該些藥液管線合流而成為一個藥液管線7168。藥液管線7168，係連接於歧管7108(7108(SC-1))。在藥液管線7168，係介設有泵7170。藉由切換設 置於藥液管線7164，7166之開關閥7165、7167，並驅動泵7170的方式，從藥液槽7160，7162中的一方，對歧管7108(7108(SC-1))送出SC-1。

在該第2實施形態之加熱藥液供給機構71A’中，歧管7108(7108(SC-1))及其下游側的構成，係與如圖3所示的加熱藥液供給機構71A相同。亦即，經由4根藥液管線7110(7110(SC-1))，對4個二流體噴嘴41供給已加熱的SC-1。各藥液管線7110，係具有形成如圖3所示之水夾套的雙重管構造，且由如圖3所示的隔熱材料所覆蓋。作為供給至附設於藥液管線7110(7110(SC-1))之水夾套的調溫液，係只要供給藉由未圖示於圖4的如圖3所示之藥液調溫液溫度調節器(7120)所加熱的PCW即可。

於三通閥7154的位置，用於將使用於SC-1的調合之DIW(稀釋液)供給至藥液槽7160，7162的稀釋液管線7171，係從基板調溫液管線7102分歧出。可藉由切換三通閥7154的方式，將流經基板調溫液管線7102的DIW供給至歧管108(7108(DIW))或藥液槽7160，7162的任一方。稀釋液管線7171，係於藥液槽7160，7162，分別分歧為稀釋液管線7172，7174。

在圖3中，符號7165，7167，7173，7175，係開關閥，可藉由適當切換該些開關閥的方式，將SC-1的原料供給至所期望的藥液槽7160，7162。

藥液槽7160，7162，係收容於調溫槽(或調 溫液夾套)7180內。在泵7152與三通閥7154之間的分歧點7156，槽調溫液供給管線7182，係從基板調溫液管線7102分歧出，並連接於調溫槽740。在供給至調溫槽7180內之已加熱的DIW與藥液槽7160，7162內的SC-1之間，進行經由藥液槽7160，7162之壁體的熱交換，藉此，使藥液槽7160，7162內之SC-1維持於所期望的溫度。供給至調溫槽7180內的DIW，係經由槽調溫液回流管線7184，返回到基板調溫液溫度調節器7104。

亦即，藉由基板調溫液溫度調節器7104、基板調溫液管線7102的一部分、槽調溫液供給管線7182、調溫槽7180及槽調溫液回流管線7184，形成調溫用之DIW的循環路徑。DIW常時在該循環路徑內循環，藉此，使位於藥液槽7160，7162內之SC-1的溫度維持於所期望的溫度範圍。

由於分歧點7156，係位於緊鄰泵7152的下游，因此，分歧點7156附近之基板調溫液管線7102內的壓力，係不會因三通閥7154的切換及來自下噴嘴471之DIW的吐出狀況變化而受到顯著影響。因此，流經上述循環路徑之DIW的流量便穩定，可使藥液槽7160，7162內之溫度穩定地維持於所期望的溫度範圍。

在第2實施形態中，亦與前述第1實施形態相同地進行晶圓W的處理。第2實施形態亦實現與第1實施形態相同的效果。另外，2個藥液槽7160，7162交互地使用作為SC-1的供給源，對未使用的藥液槽供給氨 水、過氧化氫水、DIW，從而調合SC-1。

根據該第2實施形態，無須SC-1之加熱專用之溫度調節器。亦即，僅無須昂貴的溫度調節器，從而可降低藥液供給機構的成本。

其次，說明第3實施形態。第3實施形態，係關於對晶圓W的下面之調溫DIW的供給及排出形態的改良者。

圖5，係表示由第3實施形態所使用的基板保持機構30’。基板保持機構30’的保持部31，係具有：圓盤狀之板部分31a，具有比晶圓W之直徑稍微大的直徑；及複數個保持部分31b，以在圓周方向上隔著間隔的方式，設置於板部分31a的周緣部。

該第3實施形態，係在設置於支柱部32內之處理流體供給柱(處理流體供給管)48的外周面與支柱部32的內周面之間，形成有氣體通路474’。氣體通路474’的上端開口部，係氣體吐出口473’。亦可在嵌入至支柱部32之內側之管狀體的內周面與處理流體供給柱48的外周面之間，形成氣體通路474’。在處理流體供給柱48，係僅設置有基板調溫液吐出口471及基板調溫液通路472。為了將N₂氣體等的乾燥用氣體吐出至氣體通路474’，而設置有氣體供給接頭475。氣體供給接頭475，係與支柱部32一體地旋轉。在氣體供給接頭475，係連接有乾燥氣體供給機構76的氣體管線76a。藉由開啟介設於氣體管線76a之開關閥76b的方式，經由氣體管線 76a，乾燥用氣體被供給至氣體供給接頭475，該乾燥用氣體，係從氣體通路474’的下端開口部流入至氣體通路474’，從氣體吐出口473’吐出。詳細構造的圖示雖省略，但氣體供給接頭475，係具有相當於作為具有連接至使已靜止的配管旋轉之配管之功能的接頭為習知之旋轉接頭的構成。

處理流體供給柱48的下端部，係貫通氣體供給接頭475而沿下方延伸。在基板調溫液通路472，係與第1實施形態相同，連接有基板調溫液供給機構75的基板調溫液管線7110(7110(DIW))。在基板調溫液管線7110，係介設有開關閥7136(亦可參閱圖3)。在基板調溫液管線7110，係連接有介設了開關閥37的排放管線36。該排放管線36的開放端，係位於比流體通路34之上端開口部(35)之高度位置更低的位置，與大氣氛圍(例如無塵室內的氛圍)相通。

參閱圖6，說明關於使用了如圖5所示之構成的藥液處理工程。

開始晶圓W的旋轉，當晶圓W的旋轉速度穩定後，如圖6(a)所示，開啟開關閥7136，從基板調溫液通路472的上端開口部(基板調溫液吐出口471)吐出作為基板調溫液之已加熱的DIW。此時，以使保持部31之板部分31a的上面與晶圓W的下面之間成為完全被基板調溫液填滿之狀態的方式，以較大的吐出流量充分地吐出基板調溫液。

藉由填滿板部分31a與晶圓W之間的基板調溫液，使晶圓W之溫度上升至所期望的溫度後(或供給基板調溫液後，經過預先設定的時間後)，如圖6(a)所示，從二流體噴嘴41，將藉由混合SC-1與氮氣所形成的液滴供給至晶圓W的上面(表面)。使來自二流體噴嘴41的液滴之朝晶圓W上面的衝擊位置移動至晶圓W中心部，進而使液滴碰撞晶圓W的上面全體，藉由液滴，對晶圓W的上面全體進行處理。

在進行上述的操作預定時間後，停止來自二流體噴嘴41之液滴的吐出，並且與第1實施形態相同地，對晶圓W的表面實施沖洗工程及乾燥工程。以下，省略關於對晶圓W上面之處理的詳細說明，說明關於對晶圓W下面所執行的處理。

在對晶圓上面之藥液處理工程結束後的適當時期，例如沖洗工程結束時，停止來自基板調溫液吐出口471之基板調溫液(DIW)的吐出。此時，基板調溫液管線7110的開關閥7136、氣體管線76a的開關閥76b、排放管線36的開關閥37，係全部呈關閉的狀態。在該狀態下，使晶圓W的旋轉速度增大。由於開關閥7136，76b、37是全部關閉，因此，位於流體通路34內的基板調溫液難以移動。另一方面，藉由作用於填滿晶圓W的下面及板部分31a的上面之間的空間之基板調溫液的離心力，基板調溫液，係會往半徑方向外側移動。因此，如圖6(b)所示，在晶圓W下面之中心部的下方形成有真空區 域V。

當在該狀態下，開啟排放管線36的開關閥37時，則如圖6(c)的實線箭頭所示，位於基板調溫液通路472內的基板調溫液會被排出，更換如虛線箭頭所示，導入外氣。於是，在晶圓W之中心部下方會產生施加了大氣壓的空間，藉此，直至為此仍受到離心力的基板調溫液會一口氣往外方移動，並從晶圓W的下面及板部分31a的上面之間的空間，在圓周方向上均等地排出。

其次，關閉排放管線36的開關閥37，並且開啟氣體管線76a的開關閥76b，將所加壓的氮氣供給至晶圓W的下面及板部分31a的上面之間的空間，以氮氣沖洗該空間。藉此，可效率良好地使晶圓W的下面乾燥。

根據該第3實施形態，由於晶圓W的下面及板部分31a的上面之間的空間全體被基板調溫液填滿，因此，晶圓W全體便迅速且均勻地被加熱。因此，可更提高晶圓W的溫度分布乃至處理結果的面內均勻性。又，在以基板調溫液填滿晶圓W與板部分31a之間的空間全體後，執行如圖6(b)~(d)所示的沖洗順序，藉此，可將位於晶圓W之下面側的基板調溫液在圓周方向上均等且效率良好地沖走，使晶圓W在短時間內乾燥。

其次，參閱圖7，說明第1實施形態之藥液處理工程的2個變形例。在此，考慮關於如下述的情形：使二流體噴嘴41在晶圓W之中心之正上方的位置與晶圓W之周緣之正上方的位置之間往復，並使從二流體噴嘴41 吐出之二流體中所含有之SC-1的液滴之朝晶圓W表面上的著液位置改變。

此時，由於晶圓W正在旋轉，因此，著液於晶圓W表面的SC-1，係藉由離心力而流向晶圓W的周緣。又，由於是從下噴嘴47對晶圓W背面中心部供給已加熱的DIW(基板調溫液)，因此，晶圓W之中心部的溫度，係比周緣部稍微高。因此，晶圓W表面的中心部，係難以維持SC-1的液膜(亦即，晶圓W表面的中心部變得容易乾燥)。特別是在藥液處理中，當晶圓W的表面進行乾燥時，由於容易產生微粒，因此，必須防止像這樣的乾燥。

說明關於用以防止乾燥的第1手法(亦即第1實施形態之藥液處理工程的第1變形例)。如圖7概略所示，在處理單元16設置有噴嘴42’，該噴嘴42’，係藉由不同於保持二流體噴嘴41之噴嘴臂45的噴嘴臂45’來予以保持。於一面使二流體噴嘴41在晶圓W中心部上方的位置與晶圓W周緣部上方的位置之間往復，一面從二流體噴嘴41將二流體(SC-1+氮氣)供給至晶圓W的期間，噴嘴42’，係持續地對晶圓W表面的中心部供給DIW。藉此，可防止在二流體噴嘴41位於從晶圓W中心部偏離的位置(特別是二流體噴嘴41返回到晶圓中心部之前)時，液膜在晶圓W表面之中心部消失的情形。來自噴嘴42’之DIW的吐出流量，係可為能夠維持液膜之最小限度的量。又，從噴嘴42’所吐出的DIW雖可為常溫， 但為了防止晶圓W的溫度降低，而亦可為高溫。另外，由於從噴嘴42’所供給的液體，係只要作用為至少可防止晶圓W表面的中心部之乾燥的乾燥防止液即可，因此，作為像這樣的乾燥防止液，亦可對晶圓W表面的中心部供給其他液體例如SC-1(較佳為非二流體的形態)以取代上述的DIW。在該情況下，可防止從二流體噴嘴41供給至晶圓W的SC-1被從噴嘴42’所供給的DIW稀釋，而產生濃度降低的情形。

說明關於用以防止乾燥的第2手法(亦即第1實施形態之藥液處理工程的第2變形例)。即便不藉由其他噴嘴供給乾燥防止液，亦使二流體噴嘴41在晶圓W的中心與周緣之間往復動作，藉此，可防止液膜在晶圓W消失的情形。亦即，在使二流體噴嘴41在晶圓W的中心與周緣之間往復動作之際，於比液滴之晶圓W供給位置更往晶圓W的周緣側及晶圓W的中心側，以使液膜不會在晶圓W之一部分消失的方式，設定二流體噴嘴41的移動速度。在此，越使二流體噴嘴41高速地往復動作，雖越可防止乾燥，但亦可能發生液滴容易朝罩杯外飛散的不良影響。

發明者們，係計測二流體噴嘴41從由晶圓W之中心之正上方的位置出發之時點起直至液膜在晶圓W之中心部的至少一部分消失之時點的經過時間(乾燥時間)。而且發現到，從下噴嘴47供給至晶圓W背面中心部之作為基板調溫液之DIW的溫度越高，則該乾燥時間越短。

從該結果已知，當從下噴嘴47所供給之基板調溫液的溫度相對低時，係只要使二流體噴嘴41的移動速度相對低即可。另一方面，已知當從下噴嘴47所供給之基板調溫液的溫度相對高時，係只要使二流體噴嘴41的移動速度上升即可。亦即，基板調溫液的溫度及二流體噴嘴41的移動速度之任一方的值，係因應於另一方的值來決定為較佳。

其次，參閱圖8~圖10，說明關於第4實施形態。第4實施形態，係與下述關連者：從二流體噴嘴41所吐出，與旋轉之晶圓W碰撞後而往晶圓W的周圍飛散之藥液之噴霧的處理。在第4實施形態中，基板保持機構30、下噴嘴47及與下噴嘴47關連之處理流體供給源70的部分，係可設成為與前述之第1實施形態相同的構成。

在基板保持機構30的周圍，係設置有不同於第1實施形態之罩杯50之構成的罩杯(罩杯組合件)150。罩杯150，係具有：下罩杯體151，包圍藉由基板保持機構30所包持之晶圓W的周圍；上罩杯體152，設置於下罩杯體151的上方；外罩杯體153，保持下罩杯體151及上罩杯體152；及底罩杯體154，設置於上述之罩杯體151，152，153的下方。

在底罩杯體154的底部，係連接有排出路徑170。在排出路徑170，係介設有氣液分離裝置171。在氣液分離裝置171，係連接有排氣路徑172與排液路徑173。經由排氣路徑172及排出路徑170，罩杯150的內 部空間會被吸引。排氣路徑172，係連接於減壓環境的工廠排氣系統。在排氣路徑172，係亦可介設噴射器或排氣泵。

下罩杯體151，係具有下部151a，呈大致圓筒形；及上部151b，從下部151a的上端朝向半徑方向內側斜上方延伸，呈大致圓錐梯形狀。相同地，上罩杯體152，亦具有下部152a，呈大致圓筒形；及上部152b，呈從下部152a的上端朝向半徑方向內側斜上方延伸，呈大致圓錐梯形狀。

外罩杯體153，係於其內周，具有：支撐面153a，支撐下罩杯體151；及支撐面153b，支撐上罩杯體152。於圖8中，在看上去相互接觸的下罩杯體151及外罩杯體153之相互對向的面之間，係設置有間隙(圖8中無法看見)。附著於比上罩杯體152之上部152b之上端更外側的液體(亦包含附著於後述之分隔板161之上面的液體)，係通過位於下部152a之外側的該間隙，且通過下罩杯體151與外罩杯體153之間，可使液體往下流。相同地，在看上去相互接觸的上罩杯體152及外罩杯體153之相互對向的面之間，係設置有間隙(圖8中無法看見)，附著於比上罩杯體153之上部153b之上端更外側的液體，係通過位於下部153a之外側的該間隙，且通過上罩杯體152與外罩杯體153之間，可使液體往下流。

間隙的形態雖為任意，但在圖9中表示一例。亦即，在上罩杯體152之圓筒形之下部152a的外周 面與和面朝它之外罩杯體153的內周面之間，係存在有液體可通過之沿垂直方向延伸之足夠寬的間隙150a。在支撐面153b，係以在圓周方向上隔著間隔的方式，設置有複數個溝153c。液體，係可經由溝153c，從下部152a的外側朝下部152a的內側且比下部152a更下方通過。下罩杯體151與外罩杯體153之間的間隙亦可設成為相同的形態。

如圖8所示，在外罩杯體153的上端部，係設置有沿半徑方向朝外延伸的凸緣156。在凸緣156，係安裝有由滾珠螺桿或氣缸等所構成的線性致動器155。藉由使線性致動器155動作的方式，可使外罩杯體153進行升降，伴隨著外罩杯體153的升降，藉由外罩杯體153所支撐的下罩杯體151及上罩杯體152亦會進行升降。

在進行晶圓W的處理時，係使外罩杯體153上升至如圖8所示的上限位置。此時，下罩杯體151，係接取從二流體噴嘴41供給至旋轉的晶圓W後而往晶圓W之外方飛散之SC-1的液滴(霧氣)，使其朝底罩杯體154內落下。上罩杯體152，係接取飛越下罩杯體151而朝向半徑方向外側上方之SC-1的液滴。上罩杯體152所接取的SC-1，係通過下罩杯體151與外罩杯體153之間，朝底罩杯體154內落下。

在外罩杯體153的上方，係設置有成為腔室20A之底壁的分隔板161。在分隔板161，係形成有與罩杯150同心的孔161a。在外罩杯體153位於上限位置 時，外罩杯體153之凸緣156便接觸於分隔板161的下面。又，此時，在上罩杯體152之上部152b的上端與分隔板161之孔的緣161b之間，存在有間隙G(參閱圖9)。亦即，從二流體噴嘴41所吐出跳返於晶圓W表面後而落下至分隔板161上之SC-1的液滴LD(參閱圖9)自分隔板161之孔161a的緣161b朝下方落下時，其液滴，係不會落下至上罩杯體152的內側。亦即，上述液滴，係沿上罩杯體152之上部152b的外周面流下，並進一步沿外罩杯體153的內周面流下，最後朝底罩杯154落下，從此處排出至排出路徑170。因此，不會有如下述之疑慮：一旦落下至分隔板161上而被污染的液滴朝晶圓W上落下而污染晶圓W。本實施形態中，分隔板161，雖係對XY軸方向具有水平的面，但只要為區劃出處理腔室20A的一部分，在外罩杯體153上升之際，與外罩杯體153的上端接觸而分隔處理腔室20A之內側與外側的空間者，即不限定形狀。因此，分隔板161，係亦可為朝向晶圓W之中心方向而往下方傾斜的面，或亦可為曲面。

另外，可藉由使外罩杯體153下降至下限位置(未圖示)的方式，於側面視時，使外罩杯體153及上罩杯體152的上端位於比基板保持機構30之保持部31及保持於此的晶圓W更下方。藉此，可於對處理單元16之晶圓W的搬入搬出時，往水平方向移動(參閱圖8之箭頭Y)，在進入處理單元16內之基板搬送裝置17的臂(參閱圖1)與保持部31之間進行晶圓W的收授。

處理單元16的腔室20A內，係藉由分隔板163分隔為2個隔室。第1隔室20B，係晶圓W之上方的空間，第2隔室20C，係第1隔室20B之側方的空間，在此，係收容有噴嘴臂45A的驅動機構46A。分隔板163，係為了抑制從二流體噴嘴41所吐出後，從晶圓W上面飛散之SC-1的液滴污染驅動機構46A而設置。

本實施形態之驅動機構46A，係如圖8概略所示，包含有水平驅動部46B與升降驅動部46C。水平驅動部46B，係藉由驅動噴嘴臂45A的方式，使藉由噴嘴臂45A所保持的二流體噴嘴41在晶圓W之中心之正上方的位置與待機位置(起始位置)之正上方的位置之間，往水平方向平移運動。升降驅動部46C，係藉由驅動噴嘴臂45A的方式，使二流體噴嘴41往垂直方向移動。

在分隔板163，係形成有用以容許噴嘴臂45A所需之移動的縫隙164。縫隙164的形狀，係因應於噴嘴臂45A的移動圖案而適當決定。以不會損傷分隔板163之霧氣遮蔽功能的方式，縫隙164之開口面積，係儘可能小地予以設定。

在本實施形態中，如圖10所示，縫隙164，係具有：水平部分164a；及2個垂直部分164b、164c，從水平部分的兩端沿下方延伸。藉由該形狀，保持於噴嘴臂45A的二流體噴嘴41可在待機位置與處理位置(晶圓上方之位置)之間，不與罩杯150等的周圍部件碰撞並移動，且於二流體噴嘴41接近晶圓W之上面的狀態下，可 位於從晶圓W之中心之正上方的位置至晶圓周緣之正上方的位置之間的任意位置。

為了自空間20C去除從第1隔室20B通過縫隙164滲入至第2隔室20C內的霧氣，而在區劃出空間20C之腔室20A的壁體設置有排氣口165。藉由連接於排氣口165之未圖示的排氣泵或噴射器等的排氣機構，空間20C內的氛圍便被吸引。另外，排氣口165，係設置於空間20C的上部為較佳，藉此，可在霧氣沈降之前，快速地從空間20C排出。

二流體噴嘴41及位於噴嘴臂45A之下方之分隔板161的部分161a，係低於罩杯151附近之分隔板161的部分。在分隔板161的部分161a，係設置有液承接部166，該液承接部166，係接取從二流體噴嘴41作為假注液而吐出，或從二流體噴嘴41滴落的液體。液承接部166所承接的液體，係經由連接於液承接部166的排液路徑而排出。

在第4實施形態中，關於處理單元16中之上面未描述之部分的構成及作用，係與第1實施形態相同即可。可在該第4實施形態之噴嘴臂45A設置例如第1實施形態的噴嘴42，43，44，以與第1實施形態相同的順序，對一片晶圓W進行一連串的處理。又，可在分隔板161的部分161a設置接取從噴嘴42，43，44所吐出或滴落之液體的液承接部。

20‧‧‧腔室

21‧‧‧FFU

30‧‧‧基板保持機構

31‧‧‧保持部

32‧‧‧支柱部

33‧‧‧驅動部

40‧‧‧處理流體供給部

41‧‧‧二流體噴嘴

42‧‧‧沖洗噴嘴

43‧‧‧溶劑噴嘴

44‧‧‧氣體噴嘴

45‧‧‧噴嘴臂

46‧‧‧臂驅動部

47‧‧‧下噴嘴

48‧‧‧處理流體供給柱

50‧‧‧回收罩杯

51‧‧‧排液口

52‧‧‧排氣口

70‧‧‧處理流體供給源

71A‧‧‧加熱藥液供給機構

71B‧‧‧氣體供給機構

72‧‧‧沖洗液供給機構

73‧‧‧溶劑供給機構

74‧‧‧乾燥氣體供給機構

75‧‧‧基板調溫液供給機構

76‧‧‧乾燥氣體供給機構

471‧‧‧調溫液吐出口

472‧‧‧基板調溫液通路

473‧‧‧氣體吐出口

474‧‧‧氣體通路

W‧‧‧晶圓

Claims (23)

1. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有：基板保持部，保持基板；藥液供給機構，加熱藥液，經由藥液配管供給已加熱的藥液；水夾套，包圍前述藥液配管，使調溫液流動；氣體供給機構，供給氣體；純水供給機構，加熱純水，經由純水配管供給已加熱的純水；第1噴嘴，朝向前述基板的表面，吐出藉由「混合由前述氣體供給機構所供給的前述氣體與由前述藥液供給機構所供給之已加熱的前述藥液」所形成之已加熱之前述藥液的液滴；第2噴嘴，朝向前述基板的背面，吐出由前述純水供給機構所供給之已加熱的前述純水；及控制部，控制基板處理裝置之整體動作，前述控制部，係為了藉由已加熱之前述純水來加熱前述基板，以使前述第1噴嘴將已加熱之前述藥液的前述液滴供給至前述基板的表面，並使前述第2噴嘴將已加熱之前述純水供給至前述基板的背面之方式，控制前述第1噴嘴與前述第2噴嘴，前述藥液供給機構，係以藉由前述調溫液使流經前述藥液配管之已加熱之前述藥液的溫度維持在預定溫度的方式，加熱流經前述水夾套之前述調溫液， 前述水夾套，係以一面使前述調溫液循環於前述水夾套，一面藉由前述藥液供給機構加熱的方式，形成閉迴路，更具備有：旋轉驅動部，使前述基板保持部旋轉；及回收罩杯，包圍前述基板保持部的周圍，接取並回收從藉由前述基板保持部所保持而旋轉之基板飛散的前述藥液，前述回收罩杯，係具有：不旋轉之上罩杯體，被設置於比前述基板保持部更上方，具有以越接近上端越朝向半徑方向內側之方式傾斜的上部分與圓筒形的下部分；及溝，附著於比前述上罩杯體之上部分的上端更外側且使前述上罩杯體之前述下部分的外側朝下方通過的液體會流下至比前述下部分更內側的下方。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更具有：次水夾套(secondary water jacket)，包圍前述純水配管，使前述調溫液流動，前述純水供給機構，係以藉由前述調溫液使流經前述純水配管之已加熱之前述純水的溫度維持在預定溫度的方式，加熱流經前述次水夾套之前述調溫液。
3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述藥液供給機構，係具有儲存前述藥液的藥液槽， 前述純水供給機構，係具有用以加熱被供給至前述第2噴嘴之純水的純水溫度調節器，並設置有包圍前述槽之周圍的加熱純水夾套，藉由前述純水溫度調節器所加熱的純水被供給至前述加熱純水夾套，將儲存於前述藥液槽內的前述藥液進行保溫或加熱，而從前述加熱純水夾套所排出的純水返回到前述純水溫度調節器。
4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述藥液，係以純水來稀釋藥液成分者，前述純水供給機構，係具有用以將藉由前述純水溫度調節器所加熱之純水供給至前述第2噴嘴的加熱純水管線，並設置有第1分歧管線與第2分歧管線，前述第2分歧管線從加熱純水管線分歧的位置，係位於比前述第1分歧管線從加熱純水管線分歧的位置更上游側，該第1分歧管線，係從前述加熱純水管線分歧，將流經前述加熱純水管線的加熱純水作為用以調合前述藥液的稀釋液而供給至前述槽，該第2分歧管線，係從前述加熱純水管線分歧，將流經前述加熱純水管線的加熱純水供給至前述加熱純水夾套。
5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述基板保持部，係具有：板部分，位於前述基板的下方，且面向前述基板；及保持部分，設置於前述板部分的周緣部，且保持前述基板的周緣部， 前述控制部，係以在前述基板與前述板部分之間的空間被從前述第2噴嘴所吐出之前述加熱純水填滿的狀態下，使前述第1噴嘴將前述液滴供給至前述基板的表面之方式，控制前述第1噴嘴與前述第2噴嘴。
6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述回收罩杯，係更具備有：圓筒形之外罩杯體，在內側支撐前述上罩杯體，並可對前述基板保持部相對地升降，在前述外罩杯體與前述上罩杯體的前述下部分之間，形成有液體可通過前述外罩杯體與前述上罩杯體的下部分之間的間隙。
7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，更具備有：分隔板，區劃出處理腔室的一部分，在前述外罩杯體上升之際，與前述外罩杯體的上端接觸，附著於前述分隔板的液體，係通過前述外罩杯體與前述上罩杯體的下部分之間的間隙。
8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更具備有：分隔板，區劃出處理腔室的底面；旋轉驅動部，使前述基板保持部旋轉；罩杯，包圍前述基板保持部的周圍，接取並回收從藉由前述基板保持部所保持而旋轉之基板飛散的前述藥液；噴嘴臂，保持前述第1噴嘴；及 臂驅動機構，使前述噴嘴臂移動，前述噴嘴臂待機的區域中之前述分隔板的高度，係比前述罩杯之周邊的區域中之前述分隔板的高度更低。
9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更具備有：噴嘴臂，保持前述第1噴嘴；臂驅動機構，使前述噴嘴臂移動；及分隔板，將處理腔室分隔成前述基板保持部之上方的第1隔室與位於前述第1隔室之側方且收容前述臂驅動機構的第2隔室，在前述分隔板形成有容許前述噴嘴之移動的縫隙。
10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，用以吸引前述第2隔室的排氣口，係設置於前述第2隔室的上部。
11. 一種基板液處理方法，係具備有如下述者之基板處理裝置之基板液處理方法，其包括：基板保持部，保持基板；加熱藥液供給機構，供給已加熱的藥液；氣體供給機構，供給氣體；加熱純水供給機構，供給已加熱的純水；第1噴嘴，朝向前述基板的表面，吐出藉由混合由前述氣體供給機構所供給的前述氣體與由前述加熱藥液供給機構所供給之已加熱的前述藥液所形成之前述藥液的液滴；及 第2噴嘴，朝向前述基板的背面，吐出由前述加熱純水供給機構所供給之已加熱的前述純水，該基板液處理方法，其特徵係，具備有：從前述第2噴嘴朝向前述基板的背面開始吐出前述已加熱的純水之工程；及在從前述第2噴嘴朝向前述基板的背面開始吐出前述已加熱的純水後，從前述第1噴嘴朝向前述基板的表面開始吐出前述液滴之工程。
12. 如申請專利範圍第11項之基板液處理方法，其中，前述基板保持部，係具有：板部分，位於前述基板的下方，且面向前述基板；及保持部分，設置於前述板部分的周緣部，且保持前述基板的周緣部，藉由從前述第2噴嘴朝向前述基板的背面吐出前述已加熱之純水的工程，前述基板與前述板部分之間的空間被前述已加熱的純水填滿，在該狀態下，執行從前述第1噴嘴吐出前述液滴的工程。
13. 如申請專利範圍第11項之基板液處理方法，其中，從前述第1噴嘴吐出前述液滴的工程，係使前述基板旋轉的同時，且一面使前述液滴朝前述基板之表面的著液點在前述基板的中心部與周緣部之間移動，一面進行，前述基板液處理方法，係更具備有如下述之工程：在 執行吐出前述液滴之工程的期間，朝向前述基板之表面的中心吐出乾燥防止液。
14. 如申請專利範圍第11項之基板液處理方法，其中，從前述第1噴嘴開始吐出前述液滴的工程，係使前述基板旋轉的同時，且一面使前述液滴朝前述基板之表面的著液點在前述基板的中心部與周緣部之間移動，一面進行，因應於從前述第2噴嘴所吐出之前述已加熱之純水的溫度，決定前述液滴之著液點的移動速度。
15. 如申請專利範圍第11項之基板液處理方法，其中，從前述第1噴嘴朝向前述基板的表面，開始吐出前述液滴後，前述已加熱的純水，係從前述第2噴嘴朝向前述基板的背面吐出。
16. 如申請專利範圍第11項之基板液處理方法，其中，從前述第1噴嘴開始吐出前述液滴的工程，係使前述基板旋轉的同時，且一面使前述液滴朝前述基板之表面的著液點在前述基板的中心部與周緣部之間移動，一面進行，前述液滴之著液點的移動速度，係設定為前述藥液之液膜不會在前述基板之表面消失的速度。
17. 如申請專利範圍第11項之基板液處理方法，其中，從前述第1噴嘴朝向前述基板的表面，開始吐出前述液滴後，前述已加熱的純水，係從前述第2噴嘴朝向前述基板的背面吐出，從前述第1噴嘴開始吐出前述液滴的工程，係使前述基板旋轉的同時，且一面使前述液滴朝前述基板之表面的著液點在前述基板的中心部與周緣部之間移動，一面進行，前述液滴之著液點的移動速度，係設定為前述藥液之液膜不會在前述基板之表面消失的速度。
18. 一種記憶媒體，其特徵係，記錄有程式，該程式，係在被用以控制基板處理裝置之動作的電腦所執行時，使前述電腦控制前述基板處理裝置而執行如申請專利範圍第11項之基板液處理方法。
19. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述藥液供給機構，係具有：溫度調節器，藉由泊耳帖元件加熱前述調溫液。
20. 如申請專利範圍第19項之基板處理裝置，其中，更具有：溫度感測器，被設置於靠近前述第1噴嘴之前述藥液配管的下游側，並用以檢測流經前述藥液配管之下游側之已加熱之前述藥液的溫度，前述溫度調節器，係以使藉由前述溫度感測器所檢測 到之已加熱之前述藥液的溫度成為預先設定之目標值的方式，控制前述泊耳帖元件的發熱量。
21. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，流經前述水夾套之前述調溫液的溫度，係成為流經前述藥液配管之已加熱之前述藥液的溫度以上。
22. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述藥液配管與前述水夾套，係被隔熱材料覆蓋。
23. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，具有：乾燥氣體供給機構，供給乾燥用氣體；及氣體吐出口，朝向前述基板的背面吐出藉由前述乾燥氣體供給機構所供給的前述乾燥用氣體。

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