KR20080071552A - 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

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Abstract

노광 장치 (EX) 는, 소정의 물체에 접촉된 후의 액체의 온도를 검출하는 제 1 검출 장치 (31) 와, 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과에 기초하여, 액체 (LQ) 의 온도와 물체의 온도 관계를 검지하는 처리 장치를 구비하고 있다.
Figure P1020087008388
노광 장치, 검출 장치, 온도, 포토 리소그래피, 액침법

Description

노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법{EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE}
기술분야
본 발명은, 액체를 통하여 기판을 노광하는 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
본원은, 2005년 12월 6일에 출원된 일본 특허출원 제2005-351657호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
배경기술
포토 리소그래피 공정에서 사용되는 노광 장치에 있어서, 하기 특허 문헌에 개시되어 있는 바와 같은, 노광 광의 광로 공간을 액체로 채우고, 그 액체를 통하여 기판을 노광하는 액침법을 적용한 노광 장치가 알려져 있다.
특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 2005-12201호 (대응 미국 특허 공개 제2006/0082744호)
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
액침법을 사용하여 기판을 노광하는 경우, 액체의 온도는 물론, 그 액체에 접촉되는 물체의 온도를 원하는 값으로 할 필요가 있다. 액체에 접촉되는 물체의 온도가 원하는 값이 아닌 경우, 그 물체에 접촉된 액체의 온도가 변화하거나, 그 물체에 접촉된 액체에 온도 분포가 발생하거나 할 가능성이 있다. 그 결과, 노광 불량이 발생할 가능성이 있다.
또한, 액체가 복수의 물체에 접촉되는 경우에 있어서도, 각 물체의 온도를 원하는 값으로 할 뿐만 아니라, 각 물체의 온도 관계를 원하는 상태로 할 필요가 있다. 각 물체의 온도 관계가 원하는 상태가 아닌 경우에도, 액체의 온도가 변화하거나, 액체에 온도 분포가 발생하여, 노광 불량이 발생할 가능성이 있다.
본 발명은 액체를 통하여 기판을 양호하게 노광할 수 있는 노광 방법 및 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은, 액체가 복수의 물체에 접촉되는 경우에서도, 액체의 온도에서 기인하는 노광 불량의 발생을 억제하여, 액체를 통하여 기판을 양호하게 노광할 수 있는 노광 방법 및 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은, 액체를 통하여 기판을 양호하게 노광할 수 있는 노광 방법 및 노광 장치를 사용하는 디바이스 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명은 이하의 구성을 채용하고 있다.
본 발명의 제 1 양태에 따르면, 액침 노광을 실시하는 노광 방법에 있어서, 물체에 액체를 접촉시키는 것과, 그 액체를 회수하는 것과, 그 회수한 액체를 사용하여 그 물체의 온도 정보를 취득하는 것과, 그 물체의 온도 정보를 취득한 후, 기판을 노광하는 것을 포함하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 1 양태에 의하면, 액체에 접촉되는 물체의 온도 정보를 취득하 여, 액체를 통하여 기판을 양호하게 노광할 수 있다.
본 발명의 제 2 양태에 따르면, 액침 노광을 실시하는 노광 방법에 있어서 기판을 유지하며 이동할 수 있는 제 1 물체와, 제 1 물체와는 독립적으로 이동할 수 있는 제 2 물체가 소정의 온도 관계가 되도록, 제 1 물체 및 제 2 물체 중 적어도 일방의 온도를 조정하는 것과, 제 1 물체에 유지된 기판을 액체를 통하여 노광하는 것을 포함하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 2 양태에 의하면, 온도에서 기인하는 노광 불량의 발생을 억제하여, 액체를 통하여 기판을 양호하게 노광할 수 있다.
본 발명의 제 3 양태에 따르면, 상기 양태의 노광 방법을 이용하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 제 3 양태에 의하면, 기판을 양호하게 노광할 수 있는 노광 방법을 이용하여 디바이스를 제조할 수 있다.
본 발명의 제 4 양태에 따르면, 기판을 노광하는 액침 노광 장치에 있어서, 소정의 물체에 접촉된 후의 액체의 온도를 검출하는 제 1 검출 장치와, 제 1 검출 장치의 검출 결과에 기초하여, 액체의 온도와 물체의 온도 관계를 검지하는 처리 장치를 구비한 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 4 양태에 의하면, 액체에 접촉되는 물체의 온도 정보를 취득하여, 액체를 통하여 기판을 양호하게 노광할 수 있다.
본 발명의 제 5 양태에 따르면, 기판을 노광하는 액침 노광 장치에 있어서, 상기 기판을 향하여 노광 빔을 사출하는 광학 부재와, 상기 기판을 유지하며, 상기 광학 부재와 대향하는 위치로 이동할 수 있는 제 1 물체와, 상기 제 1 물체와는 독립적으로 이동할 수 있고, 또한 상기 광학 부재와 대향하는 위치로 이동할 수 있는 제 2 물체와, 제 1 물체와 제 2 물체가 소정의 온도 관계가 되도록, 제 1 물체 및 제 2 물체 중 적어도 일방의 온도를 조정하는 조정 장치를 구비한 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 5 양태에 의하면, 제 1 물체와 제 2 물체의 온도 관계를 원하는 상태로 하여, 온도에서 기인하는 노광 불량의 발생을 억제하여, 액체를 통하여 기판을 양호하게 노광할 수 있다.
본 발명의 제 6 양태에 따르면, 기판을 노광하는 액침 노광 장치로서, 상기 기판을 향하여 노광 빔을 사출하는 광학 부재와, 상기 기판을 유지하며, 상기 광학 부재와 대향하는 위치로 이동할 수 있는 제 1 물체와, 상기 제 1 물체와는 독립적으로 이동할 수 있고, 또한 상기 광학 부재와 대향하는 위치로 이동할 수 있으며, 기판을 유지하지 않는 제 2 물체와, 상기 제 2 물체의 온도를 조정하는 조정 장치를 구비한 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 6 양태에 의하면, 온도에서 기인하는 노광 불량의 발생을 억제하여, 액체를 통하여 기판을 양호하게 노광할 수 있다.
본 발명의 제 7 양태에 따르면, 상기 양태의 노광 장치를 사용하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 제 7 양태에 의하면, 기판을 양호하게 노광할 수 있는 노광 장치를 사용하여 디바이스를 제조할 수 있다.
발명의 효과
본 발명에 의하면, 액체를 통하여 기판을 양호하게 노광할 수 있어, 원하는 성능을 갖는 디바이스를 제조할 수 있다.
도면의 간단한 설명
도 1 은 노광 장치의 일 실시형태를 나타내는 개략 구성도이다.
도 2 는 기판 테이블 및 계측 테이블을 상방에서 본 평면도이다.
도 3 은 기판 스테이지 및 계측 스테이지의 동작의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 는 노광 방법의 일 실시형태를 설명하기 위한 플로우 차트도이다.
도 5a 는 액침 영역과 기판의 위치 관계와 기판 표면의 온도 분포의 관계를 설명하기 위한 모식도이다.
도 5b 는 액침 영역과 기판의 위치 관계와 기판 표면의 온도 분포의 관계를 설명하기 위한 모식도이다.
도 5c 는 액침 영역과 기판의 위치 관계와 기판 표면의 온도 분포의 관계를 설명하기 위한 모식도이다.
도 6a 는 액침 영역과 기판의 위치 관계와 기판 표면의 온도 분포의 관계를 설명하기 위한 모식도이다.
도 6b 는 액침 영역과 기판의 위치 관계와 기판 표면의 온도 분포의 관계를 설명하기 위한 모식도이다.
도 6c 는 액침 영역과 기판의 위치 관계와 기판 표면의 온도 분포의 관계를 설명하기 위한 모식도이다.
도 7 은 제 1 검출 장치의 검출값과 기판 스테이지에 인가되는 구동 신호의 관계를 설명하기 위한 모식도이다.
도 8a 는 액체 공급량을 변경하면서 액체를 회수하는 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 8b 는 액체 공급량을 변경하면서 액체를 회수하는 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 9 는 액체 공급량과 제 1 검출 장치의 검출값의 관계를 설명하기 위한 모식도이다.
도 10 은 마이크로 디바이스의 제조 공정의 일례를 나타내는 플로우 차트도이다.
부호의 설명
1 … 액침 시스템, 4 … 기판 스테이지, 4T … 기판 테이블, 5 … 계측 스테이지, 5T … 계측 테이블, 6 … 온도 조정 장치, 7 … 제어 장치, 12 … 공급구, 15 … 액체 온도 조정 장치, 22 … 회수구, 31 … 제 1 검출 장치, 32 … 제 2 검출 장치, 41 … 제 1 온도 조정 장치, 51 … 제 2 온도 조정 장치, EL … 노광 광, EX … 노광 장치, FL … 종단 광학 소자, LQ … 액체, LR … 액침 영역, P … 기판
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하면서 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, XYZ 직교 좌표계를 설정하고, 이 XYZ 직교 좌표계를 참조하면서 각 부재의 위치 관계에 대해 설명한다. 수평면 내에 있어서의 소정 방향을 X 축 방향, 수평면 내에 있어서 X 축 방향과 직교하는 방향을 Y 축 방향, X 축 방향 및 Y 축 방향 각각에 직교하는 방향 (즉, 연직 방향) 을 Z 축 방향으로 한다. 또한, X 축, Y 축 및 Z 축 둘레의 회전 (경사) 방향을 각각 θX, θY 및 θZ 방향으로 한다.
도 1 은 본 실시형태에 관련된 노광 장치 (EX) 를 나타내는 개략 구성도이다. 도 1 에 있어서, 노광 장치 (EX) 는, 마스크 (M) 를 유지하며 이동할 수 있는 마스크 스테이지 (3) 와, 기판 (P) 을 유지하는 기판 홀더 (4H) 를 갖고, 베이스 부재 (BP) 의 상면 내에서 기판 (P) 을 유지하며 이동할 수 있는 기판 스테이지 (4) 와, 노광에 관한 계측을 실시하는 계측기를 구비하고, 베이스 부재 (BP) 의 상면 내에서 기판 스테이지 (4) 와는 독립적으로 이동할 수 있는 계측 스테이지 (5) 와, 각 스테이지의 위치 정보를 계측할 수 있는 레이저 간섭계 시스템 (8) 과, 마스크 스테이지 (3) 에 유지되어 있는 마스크 (M) 를 노광 광 (EL) 으로 조명하는 조명계 (IL) 와, 노광 광 (EL) 이 통과하는 복수의 광학 소자를 갖고, 노광 광 (EL) 으로 조명된 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 기판 (P) 상에 투영하는 투영 광학계 (PL) 와, 노광 장치 (EX) 전체의 동작을 제어하는 제어 장치 (7) 를 구비하고 있다.
또한, 여기서 말하는 기판은 반도체 웨이퍼 등의 기재 상에 감광재 (포토 레지스트), 보호막 등의 막이 도포된 것을 포함한다. 마스크는 기판 상에 축소 투영되는 디바이스 패턴이 형성된 레티클을 포함한다. 또한, 본 실시형태에 있 어서는, 마스크로서 투과형의 마스크를 사용하는데, 반사형의 마스크를 사용해도 된다.
본 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 노광 파장을 실질적으로 짧게 하여 해상도를 향상시킴과 함께 초점 심도를 실질적으로 넓게 하기 위해 액침법을 적용한 액침 노광 장치로서, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면 근방의 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) 을 액체 (LQ) 로 채우기 위한 액침 시스템 (1) 을 구비하고 있다. 액침 시스템 (1) 의 동작은 제어 장치 (7) 로 제어된다. 액침 시스템 (1) 은, 투영 광학계 (PL) 의 복수의 광학 소자 중, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면에 가장 가까운 종단 광학 소자 (FL) 의 하면과, 그 종단 광학 소자 (FL) 와 대향하는 위치에 배치된 물체 사이의 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) 을 액체 (LQ) 로 채운다. 예를 들어, 기판 (P) 의 노광 중, 액침 시스템 (1) 은, 종단 광학 소자 (FL) 와, 종단 광학 소자 (FL) 와 대향하는 위치로 이동할 수 있는 기판 스테이지 (4) (기판 홀더 (4H)) 상의 기판 (P) 의 표면 사이의 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) 을 액체 (LQ) 로 채우도록, 기판 (P) 상에 액침 영역 (LR) 을 형성한다. 그 경우, 광로 공간 (K) 을 채우는 액체 (LQ) 는, 기판 (P) 에 접촉됨과 함께, 종단 광학 소자 (FL) 에도 접촉된다. 본 실시형태에서는, 액체 (LQ) 로서 물 (순수) 을 사용한다.
액침 시스템 (1) 은, 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) 에 액체 (LQ) 를 공급하는 공급구 (12) 및 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) 을 채우기 위해 공급구 (12) 로부터 공급된 액체 (LQ) 를 회수하는 회수구 (22) 를 구비하고 있으며, 공급구 (12) 와 회수구 (22) 를 사용하여 광로 공간 (K) 을 액체 (LQ) 로 채운다. 예를 들어, 기판 (P) 의 노광 중, 회수구 (22) 는, 기판 (P) 및 종단 광학 소자 (FL) 에 접촉된 액체 (LQ) 를 회수할 수 있다.
본 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 기판 (P) 의 노광 중에, 종단 광학 소자 (FL) 와 기판 (P) 사이의 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) 에 채워진 액체 (LQ) 가, 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (AR) 을 포함하는 기판 (P) 상의 일부 영역에, 투영 영역 (AR) 보다 크고 또한 기판 (P) 보다 작은 액체 (LQ) 의 액침 영역 (LR) 을 국소적으로 형성하는 국소 액침 방식을 채용하고 있다. 또한, 액침 시스템 (1) 은, 기판 (P) 상뿐만 아니라, 투영 광학계 (PL) 의 종단 광학 소자 (FL) 와 대향하는 위치로 이동할 수 있는 물체 상에 액체 (LQ) 의 액침 영역 (LR) 을 형성할 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 종단 광학 소자 (FL) 와 대향하는 위치로 이동할 수 있는 물체는, 기판 스테이지 (4), 기판 스테이지 (4) 에 유지된 기판 (P) 및 계측 스테이지 (5) 중 적어도 하나를 포함한다. 또한, 종단 광학 소자 (FL) 와 대향하는 위치에 배치되는 물체는 1 개로 한정되지 않고, 복수의 물체이어도 된다. 따라서, 복수의 물체에 걸쳐 액체 (LQ) 의 액침 영역 (LR) 이 형성되어도 된다. 또한, 이하에 있어서는, 종단 광학 소자 (FL) 와 기판 (P) 이 대향하고 있고, 액침 시스템 (1) 에 의해, 종단 광학 소자 (FL) 와 기판 (P) 사이의 광로 공간 (K) 이 액체 (LQ) 로 채워져 있는 경우를 주로 설명하지만, 다른 물체가 종단 광학 소자 (FL) 와 대향하고 있는 경우도 동일하다.
본 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 기판 (P) 및 종단 광학 소자 (FL) 에 접 촉된 후의 액체 (LQ) 의 온도를 검출하는 제 1 검출 장치 (31) 를 구비하고 있다. 본 실시형태에 있어서는, 제 1 검출 장치 (31) 는, 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 온도를 검출한다.
또한, 본 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 공급구 (12) 에 공급되는 액체 (LQ) 의 온도를 검출하는 제 2 검출 장치 (32) 를 구비하고 있다. 제 2 검출 장치 (32) 는, 공급구 (12) 를 통하여 광로 공간 (K) 에 공급되기 전의 액체 (LQ) 의 온도, 즉, 기판 (P) 및 종단 광학 소자 (FL) 에 접촉되기 전의 액체 (LQ) 의 온도를 검출한다.
노광 장치 (EX) 는, 적어도 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 기판 (P) 에 투영하고 있는 동안, 액침 시스템 (1) 을 사용하여, 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) 을 액체 (LQ) 로 채운다. 노광 장치 (EX) 는, 투영 광학계 (PL) 와 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) 을 채우도록 형성된 액침 영역 (LR) 의 액체 (LQ) 를 통하여 마스크 (M) 를 통과한 노광 광 (EL) 을 기판 홀더 (4H) 에 유지된 기판 (P) 상에 조사함으로써, 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 기판 (P) 상에 투영하여, 기판 (P) 을 노광한다.
조명계 (IL) 는, 마스크 (M) 상의 소정의 조명 영역을 균일한 조도 분포의 노광 광 (EL) 으로 조명하는 것이다. 조명계 (IL) 로부터 사출되는 노광 광 (EL) 으로는, 예를 들어, 수은 램프로부터 사출되는 휘선 (g 선, h 선, i 선) 및 KrF 엑시머 레이저 광 (파장 248㎚) 등의 원자외광 (DUV 광), ArF 엑시머 레이저 광 (파장 193㎚) 및 F2 레이저 광 (파장 157㎚) 등의 진공 자외광 (VUV 광) 등이 사용된다. 본 실시형태에 있어서는, 노광 광 (EL) 으로서, ArF 엑시머 레이저 광이 사용된다.
마스크 스테이지 (3) 는, 리니어 모터 등의 액추에이터를 포함하는 마스크 스테이지 구동 장치에 의해, 마스크 (M) 를 유지한 상태에서, X 축, Y 축 및 θZ 방향으로 이동할 수 있다. 마스크 스테이지 (3) (나아가서는 마스크 (M)) 의 위치 정보는, 레이저 간섭계 시스템 (8) 의 마스크 스테이지용 간섭계 (83) 에 의해 계측된다. 레이저 간섭계 (83) 는, 마스크 스테이지 (3) 상에 형성된 반사경 (3K) 을 사용하여 마스크 스테이지 (3) 의 위치 정보를 계측한다. 제어 장치 (7) 는, 레이저 간섭계 (83) 의 계측 결과에 기초하여 마스크 스테이지 구동 장치를 제어하여, 마스크 스테이지 (3) 에 유지되어 있는 마스크 (M) 의 위치 제어를 실시한다.
또한, 반사경 (3K) 은 평면경뿐만 아니라 코너 큐브 (레트로 리플렉터) 를 포함하는 것으로 해도 되고, 반사경 (3K) 을 마스크 스테이지에 고정 설치하는 대신, 예를 들어, 마스크 스테이지 (3) 의 단면 (측면) 을 경면 가공하여 반사면을 형성해도 된다. 또한, 마스크 스테이지 (3) 는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 평8-130179호 (대응 미국 특허 제6,721,034호) 에 개시되는 조미동 (粗微動) 가능한 구성으로 해도 된다.
투영 광학계 (PL) 는, 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 소정의 투영 배율로 기 판 (P) 에 투영하는 것이다. 투영 광학계 (PL) 의 광학 소자는 경통 (PK) 으로 유지되어 있다. 본 실시형태의 투영 광학계 (PL) 는, 그 투영 배율이 예를 들어, 1/4, 1/5, 1/8 등의 축소계로, 전술한 조명 영역과 공액인 투영 영역에 마스크 패턴의 축소 이미지를 형성한다. 또한, 투영 광학계 (PL) 는 축소계, 등배계 및 확대계 중 어느 것이어도 된다. 본 실시형태에 있어서는, 투영 광학계 (PL) 의 광축 (AX) 은 Z 축 방향과 평행하게 되어 있다. 또한, 투영 광학계 (PL) 는, 반사 광학 소자를 포함하지 않는 굴절계, 굴절 광학 소자를 포함하지 않는 반사계, 반사 광학 소자와 굴절 광학 소자를 포함하는 반사 굴절계 중 어느 것이어도 된다. 또한, 투영 광학계 (PL) 는, 도립상 (倒立像) 과 정립상 (正立像) 중 어느 것을 형성해도 된다.
투영 광학계 (PL) 에는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 소60-78454호 (대응하는 미국 특허 제4,666,273호), 일본 공개특허공보 평11-195602호 (대응하는 미국 특허 제6,235,438호), 국제 공개 제03/65428호 팜플렛 (대응하는 미국 특허 공개 제2005/0206850호) 등에 개시되어 있는 바와 같은, 투영 광학계 (PL) 의 결상 특성을 조정할 수 있는 결상 특성 조정 장치 (9) 가 설치되어 있다. 결상 특성 조정 장치 (9) 는, 투영 광학계 (PL) 의 복수의 광학 소자의 일부를 이동시킬 수 있는 광학 소자 구동 장치를 포함한다. 광학 소자 구동 장치는, 투영 광학계 (PL) 의 복수의 광학 소자 중 특정 광학 소자를 광축 (AX) 방향 (Z 축 방향) 으로 이동시키거나, 광축 (AX) 에 대하여 경사지게 할 수 있다. 결상 특성 조정 장치 (9) 는, 투영 광학계 (PL) 의 특정 광학 소자를 움직이게 함으로써, 투영 광학 계 (PL) 의 각종 수차 (투영 배율, 디스토션, 구면 수차 등) 및 이미지면 위치 (초점 위치) 등을 포함하는 결상 특성을 조정할 수 있다. 또한, 결상 특성 조정 장치 (9) 로서, 경통 (PK) 의 내부에 유지되어 있는 일부 광학 소자끼리 사이의 공간의 기체의 압력을 조정하는 압력 조정 장치를 설치할 수도 있다. 결상 특성 조정 장치 (9) 는, 제어 장치 (7) 에 의해 제어된다.
또한, 투영 광학계 (PL) 에는, 투영 광학계 (PL) 의 복수의 광학 소자의 온도, 및 광학 소자끼리 사이의 공간의 온도 중 적어도 일방을 조정할 수 있는 온도 조정 장치 (6) 가 설치되어 있다. 온도 조정 장치 (6) 는, 투영 광학계 (PL) 의 복수의 광학 소자 중, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면에 가장 가까운 종단 광학 소자 (FL) 의 온도도 조정할 수 있다.
기판 스테이지 (4) 는, 스테이지 본체 (4B) 와, 스테이지 본체 (4B) 상에 탑재된 기판 테이블 (4T) 과, 기판 테이블 (4T) 에 형성되고, 기판 (P) 을 착탈할 수 있도록 유지하는 기판 홀더 (4H) 를 구비하고 있다. 본 실시형태에 있어서는, 기판 홀더 (4H) 는, 기판 테이블 (4T) 상에 형성된 오목부 (4R) 에 배치되어 있다. 기판 테이블 (4T) 중 오목부 (4R) 의 주위에 형성된 상면 (4F) 은, 기판 홀더 (4H) 에 유지된 기판 (P) 의 표면과 거의 동일한 높이 (면일) 가 되는 평탄면으로 되어 있다. 또한, 기판 홀더 (4H) 에 유지된 기판 (P) 의 표면과 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 사이에 단차 (段差) 가 있어도 된다. 또한, 기판 스테이지 (4) 의 상면 (4F) 은 그 일부, 예를 들어, 기판 (P) 을 둘러싸는 소정 영역만, 기판 (P) 의 표면과 거의 동일한 높이로 해도 된다. 또한, 본 실시형태에서는 기 판 홀더 (4H) 와 기판 스테이지 (4) 를 별개로 구성하고, 예를 들어, 진공 흡착 등에 의해 기판 홀더 (4H) 를 기판 스테이지 (4) 의 오목부에 고정시키고 있는데, 기판 홀더 (4H) 를 기판 스테이지 (4) 와 일체로 형성해도 된다.
스테이지 본체 (4B) 는, 에어 베어링 (4A) 에 의해, 베이스 부재 (BP) 의 상면 (가이드면) 에 대하여 비접촉 지지되어 있다. 베이스 부재 (BP) 의 상면은 XY 평면과 거의 평행하고, 기판 스테이지 (4) 는 베이스 부재 (BP) 상에서 XY 방향으로 이동할 수 있다.
기판 스테이지 (4) 는, 리니어 모터 등의 액추에이터를 포함하는 기판 스테이지 구동 장치에 의해, 기판 홀더 (4H) 에 기판 (P) 을 유지한 상태에서, 베이스 부재 (BP) 상에서 이동할 수 있다. 기판 스테이지 구동 장치는, 스테이지 본체 (4B) 를 베이스 부재 (BP) 상에서 X 축 방향, Y 축 방향 및 θZ 방향으로 이동시킴으로써, 그 스테이지 본체 (4B) 상에 탑재되어 있는 기판 테이블 (4T) 을 X 축 방향, Y 축 방향 및 θZ 방향으로 이동시킬 수 있는 제 1 구동계와, 스테이지 본체 (4B) 에 대하여 기판 테이블 (4T) 을 Z 축 방향, θX 방향 및 θY 방향으로 이동시킬 수 있는 제 2 구동계를 구비하고 있다.
제 1 구동계는, 리니어 모터 등의 액추에이터를 포함한다. 제 2 구동계는, 스테이지 본체 (4B) 와 기판 테이블 (4T) 사이에 개재된, 예를 들어, 보이스 코일 모터 등의 액추에이터 (4V) 와, 각 액추에이터의 구동량을 계측하는 도시하지 않은 계측 장치 (인코더 등) 를 포함한다. 기판 테이블 (4T) 은, 적어도 3 개의 액추에이터 (4V) 에 의해 스테이지 본체 (4B) 상에 지지된다. 액추에이터 (4V) 각각은, 스테이지 본체 (4B) 에 대하여 기판 테이블 (4T) 을 Z 축 방향으로 독립적으로 구동할 수 있다. 제어 장치 (7) 는, 3 개의 액추에이터 (4V) 각각의 구동량을 조정함으로써, 스테이지 본체 (4B) 에 대하여 기판 테이블 (4T) 을 Z 축 방향, θX 방향 및 θY 방향으로 구동한다. 이와 같이, 제 1, 제 2 구동계를 포함하는 기판 스테이지 구동 장치는, 기판 스테이지 (4) 의 기판 테이블 (4T) 을 X 축, Y 축, Z 축, θX, θY 및 θZ 방향의 6 자유도의 방향으로 이동시킬 수 있다. 제어 장치 (7) 는, 기판 스테이지 구동 장치를 제어함으로써, 기판 테이블 (4T) 의 기판 홀더 (4H) 에 유지된 기판 (P) 표면의 X 축, Y 축, Z 축, θX, θY 및 θZ 방향의 6 자유도의 방향에 관한 위치를 제어할 수 있다.
기판 스테이지 (4) 의 기판 테이블 (4T) (나아가서는 기판 (P)) 의 위치 정보는, 레이저 간섭계 시스템 (8) 의 레이저 간섭계 (84) 에 의해 계측된다. 레이저 간섭계 (84) 는, 기판 테이블 (4T) 에 형성된 반사경 (4K) 을 사용하여, 기판 테이블 (4T) 의 X 축, Y 축 및 θZ 방향에 관한 위치 정보를 계측한다. 또한, 기판 테이블 (4T) 의 기판 홀더 (4H) 에 유지되어 있는 기판 (P) 표면의 면 위치 정보 (Z 축, θX 및 θY 방향에 관한 위치 정보) 는, 도시하지 않은 포커스·레벨링 검출계에 의해 검출된다. 제어 장치 (7) 는, 레이저 간섭계 (84) 의 계측 결과 및 포커스·레벨링 검출계의 검출 결과에 기초하여 기판 스테이지 구동 장치를 구동하여, 기판 홀더 (4H) 에 유지되어 있는 기판 (P) 의 위치 제어를 실시한다.
포커스·레벨링 검출계는 그 복수의 계측점에서 각각 기판의 Z 축 방향의 위 치 정보를 계측함으로써, 기판의 θX 및 θY 방향의 경사 정보 (회전각) 를 검출하는 것이다. 또한, 예를 들어, 레이저 간섭계가 기판의 Z 축, θX 및 θY 방향의 위치 정보를 계측할 수 있을 때에는, 기판의 노광 동작 중에 그 Z 축 방향의 위치 정보를 계측할 수 있도록 포커스·레벨링 검출계를 형성하지 않아도 되고, 적어도 노광 동작 중에는 레이저 간섭계의 계측 결과를 사용하여 Z 축, θX 및 θY 방향에 관한 기판 (P) 의 위치 제어를 실시하도록 해도 된다.
계측 스테이지 (5) 는, 스테이지 본체 (5B) 와, 스테이지 본체 (5B) 상에 탑재된 계측 테이블 (5T) 과, 계측 테이블 (5T) 에 형성되고, 노광에 관한 계측을 실시하는 계측기를 구비하고 있다. 스테이지 본체 (5B) 는, 에어 베어링 (5A) 에 의해, 베이스 부재 (BP) 의 상면 (가이드면) 에 대하여 비접촉 지지되어 있다. 베이스 부재 (BP) 의 상면은 XY 평면과 거의 평행하며, 계측 스테이지 (5) 는 베이스 부재 (BP) 상에서 XY 방향으로 이동할 수 있다.
계측 스테이지 (5) 는, 리니어 모터 등의 액추에이터를 포함하는 계측 스테이지 구동 장치에 의해, 계측 테이블 (5T) 에 계측기를 탑재한 상태에서, 베이스 부재 (BP) 상에서 이동할 수 있다. 계측 스테이지 구동 장치는, 스테이지 본체 (5B) 를 베이스 부재 (BP) 상에서 X 축 방향, Y 축 방향 및 θZ 방향으로 이동시킴으로써, 그 스테이지 본체 (5B) 상에 탑재되어 있는 계측 테이블 (5T) 을 X 축 방향, Y 축 방향 및 θZ 방향으로 이동시킬 수 있는 제 1 구동계와, 스테이지 본체 (5B) 에 대하여 계측 테이블 (5T) 을 Z 축 방향, θX 방향 및 θY 방향으로 이동시킬 수 있는 제 2 구동계를 구비하고 있다. 제 1 구동계는, 리니어 모터 등의 액추에이터를 포함한다. 제 2 구동계는, 스테이지 본체 (5B) 와 계측 테이블 (5T) 사이에 개재된, 예를 들어, 보이스 코일 모터 등의 액추에이터 (5V) 와, 각 액추에이터의 구동량을 계측하는 도시하지 않은 계측 장치 (인코더 등) 를 포함한다. 제어 장치 (7) 는, 계측 스테이지 구동 장치를 제어함으로써, 계측기를 탑재한 계측 테이블 (5T) 의 6 자유도의 방향에 관한 위치를 제어할 수 있다. 또한, 계측 스테이지 (5) 의 계측 테이블 (5T) 의 위치 정보는, 레이저 간섭계 시스템 (8) 의 레이저 간섭계 (85) 에 의해 계측된다. 레이저 간섭계 (85) 는, 계측 테이블 (5T) 에 형성된 반사경 (5K) 을 사용하여, 계측 테이블 (5T) 의 X 축, Y 축 및 θZ 방향에 관한 위치 정보를 계측한다. 제어 장치 (7) 는, 레이저 간섭계 (85) 의 계측 결과에 기초하여, 계측 스테이지 (5) (계측 테이블 (5T)) 의 위치 제어를 실시한다. 또한, 기판 (P) 을 유지하는 기판 스테이지와 계측기를 구비한 계측 스테이지를 갖는 노광 장치에 대해서는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 평11-135400호, 일본 공개특허공보 2000-164504호, 미국 특허 6,897,963호 등에 개시되어 있다.
이와 같이, 기판 테이블 (4T) 을 포함하는 기판 스테이지 (4) 는, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측의 XY 평면 내에서 기판 (P) 을 유지하며 이동할 수 있다. 계측 테이블 (5T) 을 포함하는 계측 스테이지 (5) 는, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측의 XY 평면 내에서 기판 스테이지 (4) 와는 독립적으로 이동할 수 있다. 또한, 기판 스테이지 구동 장치는, 액침 영역 (LR) 과 기판 (P) 을 포함하는 기판 테이블 (4T) 을 상대적으로 이동시킬 수 있다. 계측 스테이지 구동 장치는, 액 침 영역 (LR) 과 계측 테이블 (5T) 을 상대적으로 이동시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 노광 장치 (EX) 는, 기판 테이블 (4T) 의 온도를 조정할 수 있는 제 1 온도 조정 장치 (41) 를 구비하고 있다. 본 실시형태에 있어서는, 제 1 온도 조정 장치 (41) 는 기판 테이블 (4T) 의 내부에 설치되어 있다. 제어 장치 (7) 는, 제 1 온도 조정 장치 (41) 를 사용하여, 상면 (4F) 을 포함하는 테이블 (4T) 의 온도를 조정할 수 있다. 제 1 온도 조정 장치 (41) 는, 기판 테이블 (4T) 의 온도를 조정함으로써, 기판 홀더 (4H) 의 온도를 조정할 수 있다. 또한, 기판 홀더 (4H) 의 온도가 조정됨으로써, 그 기판 홀더 (4H) 에 유지된 기판 (P) 의 온도도 조정된다. 즉, 제 1 온도 조정 장치 (41) 는, 기판 (P) 을 유지한 기판 홀더 (4H) 를 갖는 기판 테이블 (4T) 의 온도를 조정함으로써, 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 및 기판 (P) 의 온도는 거의 동일한 온도로 조정할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 노광 장치 (EX) 는, 계측 테이블 (5T) 의 온도를 조정할 수 있는 제 2 온도 조정 장치 (51) 를 구비하고 있다. 본 실시형태에 있어서는, 제 2 온도 조정 장치 (51) 는 계측 테이블 (5T) 의 내부에 설치되어 있다. 제어 장치 (7) 는, 제 2 온도 조정 장치 (51) 를 사용하여, 상면 (5F) 을 포함하는 계측 테이블 (5T) 의 온도를 조정할 수 있다.
본 실시형태에 있어서의 제 1 온도 조정 장치 (41) 및 제 2 온도 조정 장치 (51) 는, 각각 기판 테이블 (4T) 및 계측 테이블 (5T) 에 형성된 유로에 온도 조정된 액체를 유동시킴으로써, 기판 테이블 (4T) 및 계측 테이블 (5T) 의 온도를 각각 조정하는 것이다. 또한, 액체를 유동시키는 대신, 또는 액체의 유동과 함께, 펠티에 소자와 히터에 의해 온도 조정을 실시해도 된다.
액침 시스템 (1) 은, 종단 광학 소자 (FL) 와 기판 (P) 사이의 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) 근방에 형성되고, 공급구 (12) 및 회수구 (22) 를 갖는 노즐 부재 (70) 와, 공급관 (13), 및 노즐 부재 (70) 의 내부에 형성된 공급 유로를 통하여 공급구 (12) 에 액체 (LQ) 를 공급하는 액체 공급 장치 (11) 와, 노즐 부재 (70) 의 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 를, 노즐 부재 (70) 의 내부에 형성된 회수 유로, 및 회수관 (23) 을 통하여 회수하는 액체 회수 장치 (21) 를 구비하고 있다. 본 실시형태에 있어서는, 노즐 부재 (70) 는, 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) 을 둘러싸도록 고리형으로 형성되어 있다. 액체 (LQ) 를 공급하는 공급구 (12) 는, 노즐 부재 (70) 중, 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) 을 향하는 내측면에 형성되어 있다. 액체 (LQ) 를 회수하는 회수구 (22) 는, 노즐 부재 (70) 중, 기판 (P) 의 표면과 대향하는 하면에 형성되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, 회수구 (22) 에는 다공 부재 (메시) 가 배치된다.
액체 공급 장치 (11) 는, 공급하는 액체 (LQ) 의 온도를 조정하는 액체 온도 조정 장치 (15), 액체 (LQ) 중의 기체 성분을 저감시키는 탈기 장치, 및 액체 (LQ) 중의 이물질을 제거하는 필터 유닛 등을 구비하고 있으며, 청정하고 온도 조정된 액체 (LQ) 를 송출할 수 있다. 또한, 액체 회수 장치 (21) 는 진공계 등을 구비하고 있으며, 액체 (LQ) 를 회수할 수 있다. 액체 공급 장치 (11) 로부터 송출된 액체 (LQ) 는, 공급관 (13), 및 노즐 부재 (70) 의 공급 유로를 흐른 후, 공 급구 (12) 로부터 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) (기판 (P) 상) 에 공급된다. 또한, 액체 회수 장치 (21) 를 가동시킴으로써 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 는, 노즐 부재 (70) 의 회수 유로를 흐른 후, 회수관 (23) 을 통하여 액체 회수 장치 (21) 에 회수된다. 제어 장치 (7) 는, 액침 시스템 (1) 을 제어하여, 액체 공급 장치 (11) 에 의한 액체 공급 동작과 액체 회수 장치 (21) 에 의한 액체 회수 동작을 병행하여 실시함으로써, 종단 광학 소자 (FL) 와 기판 (P) 사이의 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) 을 액체 (LQ) 로 채우도록, 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 의 액침 영역 (LR) 을 형성한다.
본 실시형태에 있어서는, 제 1 검출 장치 (31) 는, 회수관 (23) 의 소정 위치에 설치되어 있으며, 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 온도를 검출한다. 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과는 제어 장치 (7) 에 출력된다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 제 2 검출 장치 (32) 는, 공급관 (13) 의 소정 위치에 설치되어 있으며, 액체 공급 장치 (11) 의 액체 온도 조정 장치 (15) 로 온도 조정되고, 공급구 (12) 로부터 공급되기 전의 액체 (LQ), 즉, 광로 공간 (K) 에 공급되기 전의 액체 (LQ) 의 온도를 검출한다. 제 2 검출 장치 (32) 의 검출 결과는 제어 장치 (7) 에 출력된다.
도 2 는 기판 테이블 (4T) 및 계측 테이블 (5T) 을 상방에서 본 평면도이다. 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 소정 위치에는, 계측기 (계측 부재) 로서, 패턴 이미지의 투영 위치와 기판 (P) 상의 쇼트 영역을 위치 맞춤하기 위한 정보를 취득하는 처리 (얼라인먼트 처리) 에 사용되는 제 1, 제 2 기준 마크 (FM1, FM2) 가 형성된 기준판 (50) 이 형성되어 있다. 본 실시형태에 있어서는, 제 1 기준 마크 (FM1) 는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 평7-176468호 (대응 미국 특허 5,646,413호) 등에 개시되어 있는 바와 같은, 노광 파장의 광을 사용한 TTR (Through The Reticle) 방식의 얼라인먼트계로서, 마크에 대하여 광을 조사하고, CCD 카메라 등으로 촬상한 마크의 화상 데이터를 화상 처리하여 마크 위치를 검출하는 VRA (Visual Reticle Alignment) 방식의 얼라인먼트계로 계측된다. 또한, 제 2 기준 마크 (FM2) 는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 평4-65603호 (대응 미국 특허 5,493,403호) 등에 개시되어 있는 바와 같은, 오프 액시스 방식의 얼라인먼트계로서, 기판 (P) 상의 감광재를 감광시키지 않는 브로드 밴드한 검출 광속 (光束) 을 대상 마크 (기판 (P) 에 형성된 얼라인먼트 마크, 및 기준판 (50) 에 형성된 제 2 기준 마크 (FM2) 등) 에 조사하고, 그 대상 마크로부터의 반사광에 의해 수광면에 결상된 대상 마크의 이미지와 지표 (얼라인먼트계 ALG 내에 형성된 지표판 상의 지표 마크) 의 이미지를 촬상 소자 (CCD 등) 를 사용하여 촬상하고, 그들의 촬상 신호를 화상 처리함으로써 마크의 위치를 계측하는 FIA (Field Image Alignment) 방식의 얼라인먼트계로 계측된다.
또한, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 소정 위치에는, 제 1 개구 (52) 가 형성되어 있다. 제 1 개구 (52) 의 하방 (－Z 방향) 에는, 파면 수차 계측기 (53) 가 배치되어 있다. 파면 수차 계측기 (53) 는, 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이 및 CCD 등의 수광 소자를 구비하고 있으며, 투영 광학계 (PL) 를 통해 제 1 개구 (52) 를 통과한 노광 광 (EL) 의 파면을 마이크로 렌즈 어레이로 분할하고, 분할된 각각의 파면의 수광 소자 상에 있어서의 결상 위치에 의해 투영 광학계 (PL) 의 파면 수차를 계측한다. 파면 수차 계측기 (53) 로는, 예를 들어, 국제 공개 제99/60361호 팜플렛 (대응하는 유럽 특허 제1,079,223호 명세서) 등에 개시되어 있는 바와 같은, 파면 수차 계측기를 사용할 수 있다.
또한, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 소정 위치에는, 제 2 개구 (54) 가 형성되어 있다. 이 제 2 개구 (54) 의 하방 (－Z 방향) 에는, 투영 광학계 (PL) 를 통해 계측 테이블 (5T) 상에 조사되는 노광 광 (EL) 의 노광 에너지에 관한 정보 (광량, 조도, 조도 불균일 등) 를 계측하는 노광 광 계측기 (55) 가 배치되어 있다. 노광 광 계측기 (55) 로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 소57-117238호 (대응하는 미국 특허 제4,465,368호) 등에 개시되어 있는 바와 같은 조도 불균일을 계측하는 계측기, 일본 공개특허공보 2001-267239호 (대응하는 미국 특허 제6,721,039호) 등에 개시되어 있는 바와 같은 투영 광학계 (PL) 의 노광 광 (EL) 의 투과율의 변동량을 계측하는 계측기, 및 일본 공개특허공보 평11-16816호 (대응하는 미국 특허 출원 공개 제2002/0061469호 명세서) 등에 개시되는 바와 같은 조사량 계측기 (조도 계측기) 를 사용할 수 있다.
또한, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 소정 위치에는, 제 3 개구 (56) 가 형성되어 있다. 이 제 3 개구 (56) 의 하방 (－Z 방향) 에는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2002-14005호, 일본 공개특허공보 2002-198303호, 미국 특허 공개 제2002/0041377호 등에 개시되어 있는 바와 같은, 투영 광학계 (PL) 의 결상 특성 (광학 특성) 을 계측하는 공간 이미지 계측기 (57) 가 배치되어 있다.
또한, 계측 테이블 (5T) 에, 예를 들어, CCD 등의 촬상 소자를 가져, 액침 영역 (LR) 의 상태를 관찰할 수 있는 관찰 장치 (관찰 카메라) 를 설치할 수 있다.
도 3 은 기판 스테이지 (4) 및 계측 스테이지 (5) 의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도이다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 기판 스테이지 (4) 및 계측 스테이지 (5) 는, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측에서 이동할 수 있다. 제어 장치 (7) 는, 투영 광학계 (PL) 바로 아래의 위치를 포함하는 소정 영역 내에서, 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 과 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 을 접근 또는 접촉시킨 상태에서, 기판 스테이지 (4) 와 계측 스테이지 (5) 를 XY 방향으로 함께 이동시킴으로써, 액침 시스템 (1) 에 의해 형성된 액침 영역 (LR) 을, 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 과 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 사이에서 이동시킬 수 있다. 제어 장치 (7) 는, 소정의 타이밍으로 계측 테이블 (5T) 상에 액체 (LQ) 의 액침 영역 (LR) 을 형성하거나, 필요에 따라 상기 서술한 각종 계측기를 사용하여 소정의 계측을 실시한다.
다음으로, 상기 서술한 구성을 갖는 노광 장치 (EX) 를 사용하여 기판 (P) 을 노광하는 방법에 대해 설명한다.
상기 서술한 바와 같이, 기판 (P) 을 노광할 때에는, 투영 광학계 (PL) 의 종단 광학 소자 (FL) 와 기판 (P) 사이의 노광 광 (EL) 의 광로 공간 (K) 에 액체 (LQ) 가 채워지고, 그 액체 (LQ) 는, 기판 (P) 과 종단 광학 소자 (FL) 각각에 접촉된다. 노광 불량의 발생을 억제하여, 원하는 투영 상태에서 기판 (P) 상에 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 투영하기 위해서는, 광로 공간 (K) 을 채우는 액체 (LQ) 에 온도 변화가 발생하거나, 액체 (LQ) 에 온도 분포가 발생하는 것을 억제하여, 광로 공간 (K) 을 채우는 액체 (LQ) 의 온도를 원하는 값으로 유지하는 것이 바람직하다. 광로 공간 (K) 을 채우는 액체 (LQ) 의 온도를 원하는 값으로 유지하기 위해서는, 광로 공간 (K) 을 채우는 액체 (LQ) 의 온도와, 그 액체 (LQ) 에 접촉되는 기판 (P) 의 온도와, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도를 거의 일치시키는 것이 바람직하다.
또한, 도 3 을 참조하여 설명한 바와 같이, 광로 공간 (K) 을 채우도록 형성되는 액체 (LQ) 의 액침 영역 (LR) 은, 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 과 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 사이에서 이동하고, 액체 (LQ) 는 기판 테이블 (4T) 과 계측 테이블 (5T) 각각에 접촉된다. 광로 공간 (K) 을 채우는 액체 (LQ) 의 온도를 원하는 값으로 유지하기 위해서는, 광로 공간 (K) 을 채우는 액체 (LQ) 의 온도와, 그 액체 (LQ) 에 접촉되는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도와, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 온도도 거의 일치시키는 것이 바람직하다.
광로 공간 (K) 을 채우는 액체 (LQ) 의 온도와, 그 액체 (LQ) 에 접촉되는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도와, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 온도와, 기판 (P) 의 온도를 거의 일치시킴으로써, 기판 테이블 (4T) 에 유지된 기판 (P) 의 노광이 양호하게 실시되어, 계측 스테이지 (5) 를 사용하는 계측도 고정밀도로 실행할 수 있다.
그래서, 본 실시형태에 있어서는, 기판 (P) 의 노광을 실시하기 전에, 액체 (LQ) 의 온도와, 기판 (P) 의 표면을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도와, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도와, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 온도를 거의 일치시키는 처리를 실시한다.
이하, 광로 공간 (K) 을 채우는 액체 (LQ) 의 온도와, 기판 (P) 의 표면을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도와, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도와, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 온도를 거의 일치시키는 처리 순서에 대해 주로 설명한다. 도 4 는 본 실시형태에 관련된 처리 순서를 나타내는 플로우 차트도이다.
본 실시형태에 있어서는, 제어 장치 (7) 는, 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 온도를 제 1 검출 장치 (31) 를 사용하여 검출하고, 그 검출 결과에 기초하여, 액체 (LQ) 의 온도와, 액체 (LQ) 에 접촉되는 물체의 온도 관계를 취득한다. 즉, 제어 장치 (7) 는, 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과에 기초하여, 액체 (LQ) 의 온도와 기판 (P) (기판 테이블 (4T)) 의 온도가 동일한지의 여부, 또는 액체 (LQ) 의 온도와 종단 광학 소자 (FL) 의 온도가 동일한지의 여부, 또는 액체 (LQ) 의 온도와 계측 테이블 (5T) 의 온도가 동일한지의 여부를 판별한다. 구체적으로는, 공급구 (12) 로부터 공급되는 액체 (LQ) 의 온도와, 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 온도가 동일하면, 액체 (LQ) 의 온도와 액체 (LQ) 가 접한 물체 (예를 들어, 기판 (P)) 의 온도가 거의 동등하다고 판단하고, 상이하면 각각의 온도가 상이하다고 판단한다. 또한, 공급되는 액체 (LQ) 의 온도는, 제 2 검출 장치 (32) 를 사용하여 검출할 수 있는데, 액체 온도 조정 장치 (15) 의 조정 목표인 액체 (LQ) 의 목표 온도를 사용해도 상관없다. 한편, 상기 판단을 보다 고정밀도로 실시하기 위해, 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 온도를 검출할 때에 검출 조건을 변경하면서 검출을 실시하고, 이 복수의 검출 조건들 각각에 기초하여 상기 어느 하나 또는 모든 판별을 실시해도 된다. 여기서, 검출 조건은, 액침 영역 (LR) 과 물체 (기판 (P), 테이블 (4T, 5T) 중 적어도 하나) 의 상대적인 위치 관계를 포함한다. 또한, 검출 조건은, 물체 (기판 (P), 테이블 (4T, 5T) 중 적어도 하나) 상에 액체 (LQ) 를 공급할 때의 공급량을 포함한다. 제어 장치 (7) 는, 액체 (LQ) 의 온도와 그 액체 (LQ) 에 접촉되는 물체 (기판 (P), 종단 광학 소자 (FL), 테이블 (4T, 5T)) 의 온도가 동일한지의 여부를 판별한 결과에 기초하여, 소정의 처리를 실시한 후, 기판 (P) 을 노광한다.
먼저, 기판 테이블 (4T) 의 기판 홀더 (4H) 에 기판 (P) 이 반입 (로드) 된다. 기판 (P) 은 기판 홀더 (4H) 에 유지된다. 기판 홀더 (4H) 를 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 온도는, 제 1 온도 조정 장치 (41) 에 의해 미리 소정 온도로 조정되어 있다. 또한, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도도, 온도 조정 장치 (6) 에 의해 미리 소정 온도로 조정되어 있다. 기판 (P) 은, 소정 시간 (예를 들어, 20 분간) 기판 홀더 (4H) 로 유지됨으로써, 기판 홀더 (4H) 를 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 온도와 거의 동일해진다. 즉, 기판 테이블 (4T) 의 기판 홀더 (4H) 가 기판 (P) 을 소정 시간 계속해서 유지함으로써, 기판 테이블 (4T) 의 온도와 기판 (P) 의 온도가 평형 상태가 되어, 기판 테이블 (4T) 의 온도와 기판 (P) 의 온도가 거의 일치하고, 기판 (P) 표면의 온도와 기판 테이블 (4T) 상면 (4F) 의 온도가 거의 일치한다.
또한, 기판 (P) 을 기판 홀더 (4H) 로 유지한 후 (기판 (P) 을 기판 홀더 (4H) 에 로드한 후), 기판 (P) 의 온도와 기판 테이블 (4T) 의 온도를 거의 일치시키기 위한 소정 시간 (예를 들어, 20 분간) 은, 예를 들어, 실험이나 시뮬레이션에 의해 미리 구할 수 있다.
또한, 기판 (P) 의 반송 경로 상에, 기판 (P) 의 온도를 조정할 수 있는 기판 온도 조정 장치를 설치하고, 그 기판 온도 조정 장치를 사용하여, 기판 홀더 (4H) 에 로드하기 전의 기판 (P) 의 온도를 조정할 수 있다. 이것에 의하면, 기판 (P) 의 온도와 기판 테이블 (4T) 의 온도를 거의 일치시키기 위한 소정 시간을 단축시킬 수 있음과 함께, 기판 (P) 이 기판 테이블 (4T) 에 유지되는 과정에 온도 변화에 의해 변형되는 것을 방지할 수 있다.
기판 (P) 을 기판 홀더 (4H) 로 유지하고 나서 소정 시간 경과하여, 기판 (P) 의 온도와 기판 홀더 (4H) 를 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 온도가 거의 일치된 후, 제어 장치 (7) 는, 기판 (P) 상에 액침 영역 (LR) 을 형성하기 위한 액체 (LQ) 와, 기판 (P) 의 표면을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 을 온도 맞춤하기 위한 처리를 개시한다 (단계 SA1).
먼저, 제어 장치 (7) 는, 기판 (P) 을 기판 홀더 (4H) 로 유지하고 나서 소정 시간이 경과한 후, 즉, 기판 테이블 (4T) 상면 (4F) 의 온도와 기판 (P) 표면의 온도가 거의 일치된 후, 액침 시스템 (1) 을 사용하여, 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 의 액침 영역 (LR) 을 형성하는 동작을 개시한다. 제어 장치 (7) 는, 액침 시스템 (1) 을 제어하여, 공급구 (12) 로부터 기판 (P) 상에 단위 시간당 소정의 공 급량으로 액체 (LQ) 를 공급함과 함께, 회수구 (22) 로부터, 공급구 (12) 로부터의 액체 공급량에 따른 단위 시간당 소정의 회수량으로 액체 (LQ) 를 회수하고, 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 의 액침 영역 (LR) 을 형성한다.
상기 서술한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 액침 시스템 (1) 은, 기판 (P) 상의 일부 영역에 액체 (LQ) 의 액침 영역 (LR) 을 국소적으로 형성한다.
공급구 (12) 로부터 기판 (P) 상에 공급되는 액체 (LQ) 의 온도는, 액체 온도 조정 장치 (15) 에 의해, 제 1 값 (예를 들어, 23℃) 으로 조정되어 있다. 또한, 제 1 온도 조정 장치 (41) 는, 제 1 값을 목표값으로 하여, 기판 (P) 에 유지된 기판 (P) 의 표면, 및 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도를 조정하고 있다. 또한, 온도 조정 장치 (6) 도, 제 1 값을 목표값으로 하여, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도를 조정하고 있다. 또한, 공급구 (12) 로부터 공급되는 액체 (LQ) 의 온도는, 제 2 검출 장치 (32) 로 모니터 (계측) 되고, 회수구 (22) 를 통하여 회수된 액체 (LQ) 의 온도는, 제 1 검출 장치 (31) 로 모니터 (계측) 되고 있다.
제어 장치 (7) 는, 기판 스테이지 (4) 를 사용하여 액침 영역 (LR) 에 대하여 기판 (P) 을 XY 방향으로 이동시키면서, 액침 시스템 (1) 의 회수구 (22) 에 의한 액체 (LQ) 의 회수 동작을 실행하고, 회수한 액체 (LQ) 의 온도를 제 1 검출 장치 (31) 를 사용하여 검출한다.
제어 장치 (7) 는, 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과와 제 2 검출 장치 (32) 의 검출 결과에 기초하여, 액체 (LQ) 의 온도와, 기판 (P) 의 표면을 포함하 는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도가 동일한지의 여부를 판별한다.
액체 온도 조정 장치 (15) 가 액체 (LQ) 의 온도 조정을 양호한 정밀도로 실행하고 있는 경우, 공급구 (12) 로부터 공급되는 액체 (LQ) 의 온도는 거의 변화하지 않기 때문에, 제 2 검출 장치 (32) 의 검출 결과는 거의 변화하지 않는다.
공급구 (12) 로부터 기판 (P) 상에 공급되는 액체 (LQ) 와 기판 (P) 사이에 온도차가 있는 경우, 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과는 변동한다. 한편, 공급구 (12) 로부터 기판 (P) 상에 공급되는 액체 (LQ) 와 기판 (P) 사이에 온도차가 거의 없는 경우, 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과는 거의 변동하지 않는다. 이것에 대해, 도 5a 내지 도 5c, 및 도 6a 내지 도 6c 를 참조하면서 설명한다.
도 5a 내지 도 5c 는, 액체 (LQ) 와 기판 (P) 의 표면을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 사이에 온도차가 있을 때의, 액침 영역 (LR) 과 기판 (P) 의 위치 관계와 기판 (P) 의 표면 및 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도 분포의 관계를 모식적으로 나타낸 도면이다. 도 5a 내지 도 5c 에 있어서, 공급구 (12) 로부터 공급되는 액체 (LQ) 의 온도는 제 1 값 (TL) 으로 조정되어 있다. 한편, 제 1 온도 조정 장치 (41) 는, 제 1 값 (TL) 을 목표값으로 하여, 기판 테이블 (4T) (나아가서는 기판 (P)) 의 온도를 조정하고 있는데, 예를 들어, 공조계의 영향이나, 각종 구동 장치 등의 발열체의 영향 등, 무엇인가의 이유에 의해, 기판 (P) 의 표면 (기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F)) 온도가, 제 1 값 (TL) 과 상이한, 예를 들어, 제 1 값 (TL) 보다 높은 제 2 값 (TP) 이 될 가능성이 있다.
예를 들어, 액침 영역 (LR) 과 기판 (P) 의 상대적인 위치가 거의 고정된 상태에서, 즉, 기판 테이블 (4T) 의 XY 방향의 위치가 거의 정지된 상태에서, 액침 시스템 (1) 을 사용하여 기판 (P) 상의 일부에 액침 영역 (LR) 이 형성된 경우에 대해 생각한다.
도 5a 는, 소정의 공급량으로 기판 (P) 상의 제 1 영역 (SR1) 에 액침 영역 (LR) 을 형성하고, 소정 시간 경과한 후에 있어서의, 액침 영역 (LR) 과 기판 (P) 의 위치 관계와, 기판 (P) 표면의 온도 분포의 관계를 모식적으로 나타낸 도면이다. 도 5a 에 있어서, 액침 영역 (LR) 은, 기판 (P) (기판 테이블 (4T)) 상의 제 1 영역 (SR1) 에 국소적으로 형성되어 있다. 기판 (P) 표면의 실제 온도가 제 2 값 (TP) 이어도, 기판 (P) 표면 중, 액침 영역 (LR) 의 액체 (LQ) 와 접촉되는 제 1 영역 (SR1) 의 온도는, 액체 (LQ) 의 온도와 거의 동일한 값 (제 1 값 (TL)) 이 될 가능성이 있다. 이것은, 기판 (P) 상의 제 1 영역 (SR1) 에 액침 영역 (LR) 이 형성된 후, 소정 시간이 경과하여, 기판 (P) 표면의 온도와 액체 (LQ) 의 온도가 평형 상태로 되기 때문이다. 따라서, 제 1 영역 (SR1) 상에 액침 영역 (LR) 을 형성하고 있는 액체 (LQ) 를 회수구 (22) 로 회수하고, 그 회수한 액체 (LQ) 의 온도를 제 1 검출 장치 (31) 로 검출하였을 때, 그 검출값은 거의 제 1 값 (TL) 이 된다.
도 5b 는, 액침 영역 (LR) 을 기판 (P) 상의 제 1 영역 (SR1) 에서 다른 제 2 영역 (SR2) 으로 이동시킨 직후에 있어서의 상태를 나타내는 모식도이다. 액 침 영역 (LR) 이 기판 (P) 상의 제 1 영역 (SR1) 으로부터 물러남으로써, 제 1 온도 조정 장치 (41) 에 의해 온도 조정되고 있는 기판 (P) 표면의 제 1 영역 (SR1) 의 온도는, 제 2 값 (TP) 에 서서히 가까워진다. 또한, 액침 영역 (LR) 이 기판 (P) 상의 제 2 영역 (SR2) 에 배치됨으로써, 그 제 2 영역 (SR2) 의 온도는, 제 1 값 (TL) 에 서서히 가까워진다. 여기서, 제 2 영역 (SR2) 상에 액침 영역 (LR) 이 배치되어도, 제 2 영역 (SR2) 의 온도는, 바로 제 1 값 (TL) 으로는 되지 않으며, 액침 영역 (LR) 이 제 2 영역 (SR2) 에 배치된 직후에는, 제 2 영역 (SR2) 의 온도는, 제 2 값 (TP) 보다 낮고, 또한 제 1 값 (TL) 보다 높은 제 3 값 (TC) 이 된다. 따라서, 제 2 영역 (SR2) 상에 배치된 직후의 액침 영역 (LR) 을 형성하고 있는 액체 (LQ) 를 회수구 (22) 로 회수하고, 그 회수한 액체 (LQ) 의 온도를 제 1 검출 장치 (31) 로 검출하였을 때, 그 검출값은 거의 제 3 값 (TC) 이 된다.
도 5c 는, 기판 (P) 상의 제 2 영역 (SR2) 에 액침 영역 (LR) 을 배치하고, 소정 시간 경과한 후에 있어서의, 기판 (P) 표면의 온도 분포를 모식적으로 나타낸 도면이다. 액침 영역 (LR) 이 제 2 영역 (SR2) 상에 배치되고, 소정 시간 경과한 후에는, 액체 (LQ) 의 온도와 기판 (P) 상의 제 2 영역 (SR2) 의 온도가 평형 상태로 된다. 따라서, 제 2 영역 (SR2) 상에 액침 영역 (LR) 을 형성하고 있는 액체 (LQ) 를 회수구 (22) 로 회수하고, 그 회수한 액체 (LQ) 의 온도를 제 1 검출 장치 (31) 로 검출하였을 때, 그 검출값은 거의 제 1 값 (TL) 이 된다.
도 6a 내지 도 6c 는, 액체 (LQ) 와 기판 (P) 의 표면 (기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F)) 사이에 온도차가 없을 때의, 액침 영역 (LR) 과 기판 (P) 의 위치 관계와 기판 (P) 의 표면 및 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도 분포의 관계를 모식적으로 나타낸 도면이다. 액체 (LQ) 의 온도와 기판 (P) 표면의 온도는 거의 동일하기 때문에, 액침 영역 (LR) 을, 기판 (P) 표면의 제 1 영역 (SR1) 및 제 2 영역 (SR2) 중 어느 영역에 형성한 경우에도, 액체 (LQ) 와 기판 (P) 표면 사이에 온도차는 발생하지 않는다. 따라서, 도 6a 내지 도 6c 에 나타내는 바와 같이, 액침 영역 (LR) 에 대하여 기판 (P) 을 이동시키면서 액체 (LQ) 를 회수한 경우, 그 회수한 액체 (LQ) 의 온도의 제 1 검출 장치 (31) 에 의한 검출값은, 제 1, 제 2 영역 (SR1, SR2) 중 어느 것에 있어서도, 제 1 값 (TL) (＝ 제 2 값 (TP)) 이 된다.
도 7 은, 액침 영역 (LR) 에 대하여 기판 (P) 을 XY 방향으로 이동시키면서 액체 (LQ) 를 회수하였을 때의 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과를 나타내는 모식도이며, 도 7 의 (A) 부는 제 1 검출 장치 (31) 의 검출값, 도 7 의 (B) 부는 기판 (P) 을 이동시키기 위해 기판 스테이지 (4) 에 인가된 구동 신호를 나타내는 도면이다. 액침 영역 (LR) 의 액체 (LQ) 의 온도와 기판 (P) 표면의 온도가 상이한 경우, 도 7 의 모식도에 나타내는 바와 같이, 기판 스테이지 (4) 에 인가되는 구동 신호와 동기하여, 제 1 검출 장치 (31) 의 검출값이 변동한다는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 공급구 (12) 로부터 기판 (P) 상에 공급되는 액체 (LQ) 와 기판 (P) 사이에 온도차가 있는 경우, 액침 영역 (LR) 에 대하여 기판 (P) 을 XY 방향으로 이동시키면서 회수구 (22) 로부터 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과는 변동한다. 한편, 공급구 (12) 로부터 기판 (P) 상에 공급되는 액체 (LQ) 와 기판 (P) 사이에 온도차가 거의 없는 경우, 액침 영역 (LR) 에 대하여 기판 (P) 을 XY 방향으로 이동시키면서 회수구 (22) 로부터 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과는 거의 변동하지 않는다. 따라서, 액침 영역 (LR) 에 대하여 기판 (P) 을 이동시키면서 액체 (LQ) 를 회수함으로써, 제어 장치 (7) 는, 그 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과 (제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과) 에 기초하여, 액체 (LQ) 의 온도와 기판 (P) 의 온도가 동일한지의 여부를 판별할 수 있다.
또한, 이 때, 액체 (LQ) 와 종단 광학 소자 (FL) 사이에 온도차가 있을 가능성이 있지만, 종단 광학 소자 (FL) 에는 항상 공급구 (12) 로부터 공급되는 액체 (LQ) 가 닿고 있어, 액체 (LQ) 의 온도와 종단 광학 소자 (FL) 의 온도는 평형 상태가 된다. 또한, 공급구 (12) 로부터의 단위 시간당의 액체 공급량을 많게 함으로써, 액체 (LQ) 의 온도와 종단 광학 소자 (FL) 의 온도를 안정적으로 평형 상태로 할 수 있다. 따라서, 액체 (LQ) 와 기판 (P) 의 온도차 정보를 취득하고 있을 때에는, 액체 (LQ) 와 종단 광학 소자 (FL) 사이의 온도차가, 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과에 영향을 주는 경우는 거의 없다.
도 5a 내지 도 7 을 참조하여 설명한 바와 같이, 액침 영역 (LR) 에 대하여 기판 (P) 을 이동시키면서 액체 (LQ) 를 회수하고, 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과에 기초하여, 액체 (LQ) 의 온도와 기판 (P) 의 온도가 상이하다고 판단한 경 우, 제어 장치 (7) 는, 액체 (LQ) 와 기판 (P) 의 온도차가 작아지도록, 액체 (LQ) 의 온도 및 기판 (P) (기판 테이블 (4T)) 의 온도 중 적어도 일방을 조정한다. 제어 장치 (7) 는, 액체 온도 조정 장치 (15) 를 사용하여 액체 (LQ) 의 온도를 조정할 수 있고, 제 1 온도 조정 장치 (41) 를 사용하여 기판 (P) 의 온도를 조정할 수 있다. 제어 장치 (7) 는, 액체 (LQ) 의 온도 및 기판 (P) (기판 테이블 (4T)) 의 온도 중 적어도 일방을 변화시키면서, 액침 영역 (LR) 에 대하여 기판 (P) 을 이동시키면서, 회수한 액체 (LQ) 의 온도를 제 1 검출 장치 (31) 로 검출한다. 본 실시형태에서는, 제어 장치 (7) 는, 액침 영역 (LR) 에 대하여 기판 (P) 을 XY 방향으로 이동시키면서 회수구 (22) 로부터 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과가 거의 변동하지 않을 때까지, 액체 온도 조정 장치 (15) 를 사용하여, 액체 (LQ) 의 온도를 조정한다.
또한, 제어 장치 (7) 는, 액침 영역 (LR) 에 대하여 기판 (P) 을 XY 방향으로 이동시키면서 회수구 (22) 로부터 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과가 거의 변동하지 않을 때까지, 액체 (LQ) 의 온도를 변경하지 않고, 제 1 온도 조정 장치 (41) 를 사용하여, 기판 (P) 표면의 온도 (및 기판 테이블 (4T) 상면 (4F) 의 온도) 를 조정하도록 해도 된다.
액체 (LQ) 와 기판 (P) (기판 테이블 (4T)) 의 온도 맞춤이 완료된 후, 제어 장치 (7) 는, 액침 영역 (LR) 을 형성하기 위한 액체 (LQ) 와 종단 광학 소자 (FL) 를 온도 맞춤하기 위한 처리를 개시한다 (단계 SA2).
제어 장치 (7) 는, 액침 시스템 (1) 을 제어하여, 공급구 (12) 로부터 기판 (P) 상에 단위 시간당 소정의 공급량 (소정의 공급량 조건) 으로 액체 (LQ) 를 공급함과 함께, 회수구 (22) 로부터, 공급구 (12) 로부터의 공급량에 따른 단위 시간당 소정의 회수량으로 액체 (LQ) 회수하고, 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 의 액침 영역 (LR) 을 형성한다.
공급구 (12) 로부터 광로 공간 (K) 에 공급되는 액체 (LQ) 의 온도는, 액체 온도 조정 장치 (15) 에 의해, 제 1 값 (예를 들어, 23℃) (TL) 으로 조정되어 있다. 또한, 온도 조정 장치 (6) 는, 제 1 값 (TL) 을 목표값으로 하여, 종단 광학 소자 (FL) 를 포함하는 투영 광학계 (PL) 의 복수의 광학 소자의 온도를 조정하고 있다.
제어 장치 (7) 는, 광로 공간 (K) (기판 (P) 상) 에 공급하는 단위 시간당의 액체 공급량을 변경하면서 액체 (LQ) 를 회수하고, 회수한 액체 (LQ) 의 온도를 제 1 검출 장치 (31) 를 사용하여 검출한다. 구체적으로는, 제어 장치 (7) 는, 제 1 공급량으로 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 를 공급하는 동작과, 기판 (P) 상의 액체 (LQ) 를 회수하는 동작을 실시하여 액침 영역 (LR) 을 형성하고, 제 1, 제 2 검출 장치 (31, 32) 를 사용하여, 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 온도, 및 공급구 (12) 로부터 공급되는 액체 (LQ) 의 온도를 검출한다. 또한, 제어 장치 (7) 는, 제 1 공급량과는 상이한 제 2 공급량으로 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 를 공급하는 동작과, 기판 (P) 상의 액체 (LQ) 를 회수하는 동작을 실시하여 액침 영역 (LR) 을 형성하고, 제 1, 제 2 검출 장치 (31, 32) 를 사용하여, 회수구 (22) 로부 터 회수된 액체 (LQ) 의 온도, 및 공급구 (12) 로부터 공급되는 액체 (LQ) 의 온도를 검출한다.
제어 장치 (7) 는, 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과와, 제 2 검출 장치 (32) 의 검출 결과에 기초하여, 액체 (LQ) 의 온도와 종단 광학 소자 (FL) 의 온도가 동일한지의 여부를 판별한다.
공급구 (12) 로부터 광로 공간 (K) 에 공급되는 액체 (LQ) 와 종단 광학 소자 (FL) 사이에 온도차가 있는 경우, 공급구 (12) 로부터 광로 공간 (K) (기판 (P) 상) 에 대한 액체 공급량을 변경하면서 회수구 (22) 로부터 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과는, 변동한다. 한편, 공급구 (12) 로부터 광로 공간 (K) 에 공급되는 액체 (LQ) 와 종단 광학 소자 (FL) 사이에 온도차가 거의 없는 경우, 공급구 (12) 로부터 광로 공간 (K) (기판 (P) 상) 에 대한 액체 공급량을 변경하면서 회수구 (22) 로부터 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과는, 거의 변동하지 않는다. 이것에 대해, 도 8a, 도 8b 및 도 9 를 참조하면서 설명한다.
도 8a 는, 광로 공간 (K) 에 제 1 공급량으로 액체 (LQ) 를 공급함과 함께 제 1 공급량에 따른 회수량으로 액체 (LQ) 를 회수하고 있는 동작을 모식적으로 나타내는 도면, 도 8b 는 광로 공간 (K) 에 제 1 공급량보다 적은 제 2 공급량으로 액체 (LQ) 를 공급함과 함께 제 2 공급량에 따른 회수량으로 액체 (LQ) 를 회수하고 있는 동작을 모식적으로 나타내는 도면이다. 또한, 도 8a 및 도 8b 에 있어서는, 공급구 (12) 및 회수구 (22) 를 갖는 노즐 부재는 간략화되어 도시되어 있다. 또한, 도 9 는, 제 1 공급량 및 제 2 공급량 각각으로 광로 공간 (K) 에 공급된 액체 (LQ) 를 회수하였을 때의, 그 회수한 액체 (LQ) 온도의 제 1 검출 장치 (31) 에 의한 검출 결과를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 8a, 도 8b 및 도 9 에 있어서, 액체 공급 장치 (11) 로부터 공급구 (12) 에 공급되는 액체 (LQ) 의 온도는 제 1 값 (TL) 으로 조정되어 있다. 한편, 온도 조정 장치 (6) 는, 제 1 값 (TL) 을 목표값으로 하여 종단 광학 소자 (FL) 의 온도를 조정하고 있는데, 무엇인가의 이유에 의해, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도가, 예를 들어, 제 1 값 (TL) 보다 높은 제 4 값 (TE) 이 될 가능성이 있다.
공급구 (12) 로부터 공급되는 액체 공급량이 많은 경우, 회수구 (22) 로부터 회수되는 액체 (LQ) 의 온도는, 공급구 (12) 로부터 공급되는 액체 (LQ) 의 온도에 주로 지배되어, 액체 (LQ) 와 종단 광학 소자 (FL) 사이의 온도차가, 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과에 주는 영향은 작아진다. 따라서, 공급구 (12) 로부터 공급되는 액체 공급량이 많은 경우에는, 액침 영역 (LR) 을 형성하고 있는 액체 (LQ) 를 회수구 (22) 로 회수하고, 그 회수한 액체 (LQ) 의 온도를 제 1 검출 장치 (31) 로 검출하였을 때의 검출값은, 거의 제 1 값 (TL) 이 된다.
공급구 (12) 로부터 공급되는 액체 공급량이 적은 경우, 회수구 (22) 로부터 회수되는 액체 (LQ) 의 온도는, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도에 주로 지배되어, 액체 (LQ) 와 종단 광학 소자 (FL) 사이의 온도차가, 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과에 주는 영향은 커진다. 따라서, 공급구 (12) 로부터 공급되는 액체 공급량이 적은 경우에는, 액침 영역 (LR) 을 형성하고 있는 액체 (LQ) 를 회수구 (22) 로 회수하고, 그 회수한 액체 (LQ) 의 온도를 제 1 검출 장치 (31) 로 검출하였을 때의 검출값은, 거의 제 4 값 (TE) 이 된다.
한편, 액체 (LQ) 의 온도와 종단 광학 소자 (FL) 의 온도가 거의 동일한 경우, 액체 공급량에 상관없이, 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과는, 제 1 값 (TL) (＝ 제 4 값 (TE)) 이 된다.
이와 같이, 공급구 (12) 로부터 광로 공간 (K) 에 공급되는 액체 (LQ) 와 종단 광학 소자 (FL) 사이에 온도차가 있는 경우, 공급구 (12) 로부터 광로 공간 (K) 에 대하여 공급하는 단위 시간당의 액체 공급량에 따라, 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과가 변동하고, 공급구 (12) 로부터 광로 공간 (K) 에 공급되는 액체 (LQ) 와 종단 광학 소자 (FL) 사이에 온도차가 거의 없는 경우, 공급구 (12) 로부터 광로 공간 (K) 에 대하여 공급하는 단위 시간당의 액체 공급량을 변경하여도, 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과는 거의 변동하지 않는다. 따라서, 액체 공급량을 변경하면서 액체 (LQ) 를 회수함으로써, 제어 장치 (7) 는, 그 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과 (제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과) 에 기초하여, 액체 (LQ) 의 온도와 종단 광학 소자 (FL) 의 온도가 동일한지의 여부를 판별할 수 있다.
액체 공급량을 변경하면서 액체 (LQ) 를 회수하고, 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과에 기초하여, 액체 (LQ) 의 온도와 종단 광학 소자 (FL) 의 온도가 상이하다고 판단한 경우, 제어 장치 (7) 는, 액체 (LQ) 와 종단 광학 소자 (FL) 의 온도차가 작아지도록, 액체 (LQ) 의 온도 및 종단 광학 소자 (FL) 의 온도 중 적어도 일방을 조정한다. 제어 장치 (7) 는, 액체 온도 조정 장치 (15) 를 사용하여 액체 (LQ) 의 온도를 조정할 수 있고, 온도 조정 장치 (6) 를 사용하여 종단 광학 소자 (FL) 의 온도를 조정할 수 있다. 제어 장치 (7) 는, 액체 (LQ) 의 온도 및 종단 광학 소자 (FL) 의 온도 중 적어도 일방을 조정하면서, 액체 공급량을 변경하면서, 회수한 액체 (LQ) 의 온도를 제 1 검출 장치 (31) 로 검출한다. 본 실시형태에서는, 제어 장치 (7) 는, 광로 공간 (K) 에 공급하는 단위 시간당의 액체 공급량을 변경하면서 회수구 (22) 로부터 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과가 거의 변동하지 않을 때까지, 액체 온도 조정 장치 (15) 를 사용하여, 액체 (LQ) 의 온도를 조정한다.
액체 (LQ) 와 종단 광학 소자 (FL) 의 온도 맞춤이 완료된 후, 제어 장치 (7) 는, 상기 서술한 단계 SA1 과 동일한 순서로, 액체 (LQ) 와, 기판 (P) 의 표면을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도 맞춤을 실시한다 (단계 SA3).
상기 서술한 단계 SA2 에 있어서는, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도에 액체 (LQ) 의 온도를 맞추고 있으며, 액체 (LQ) 의 온도가 단계 SA1 과 단계 SA2 에서 상이할 가능성이 있다. 따라서, 단계 SA2 를 실행한 후, 상기 서술한 단계 SA1 과 동일한 순서로, 액체 (LQ) 의 온도에 대하여, 기판 (P) 의 표면을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도를 맞춘다. 본 실시형태에 있어서는, 단계 SA3 에 있어서, 액침 영역 (LR) 에 대하여 기판 (P) 을 이동시키면서 액체 (LQ) 를 회수하고, 제어 장치 (7) 는, 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과에 기초하여, 액체 (LQ) 와 기판 (P) (기판 테이블 (4T)) 의 온도차가 작아지도록, 제 1 온도 조정 장치 (41) 를 사용하여, 기판 (P) 의 표면 및 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도 조정을 실시한다.
또한, 상기 서술한 단계 SA1 ∼ SA3 을, 필요에 따라 복수 회 반복함으로써, 액체 (LQ) 의 온도와, 기판 (P) 을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 온도와, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도를 보다 고정밀도로 일치시킬 수 있다.
또한, 단계 SA2 에 있어서, 액체 (LQ) 의 온도를 변경하지 않고, 액체 (LQ) 의 온도와 종단 광학 소자 (FL) 의 온도를 거의 일치시킨 경우에는, 단계 SA3 을 생략해도 된다.
액체 (LQ) 의 온도와, 기판 (P) 을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 온도와, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도가 거의 일치된 후, 제어 장치 (7) 는, 액체 (LQ) 와 계측 스테이지 (5) 의 계측 테이블 (5T) 의 온도 맞춤을 실행한다 (단계 SA4).
도 3 을 참조하여 설명한 바와 같이, 제어 장치 (7) 는, 액침 영역 (LR) 을 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 과 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 사이에서 이동시킬 수 있다. 제어 장치 (7) 는, 액침 영역 (LR) 을 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 에서부터 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 으로 이동시킨다.
공급구 (12) 로부터 광로 공간 (K) 에 공급되는 액체 (LQ) 의 온도는, 액체 온도 조정 장치 (15) 에 의해 조정되고, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 은 제 2 온도 조정 장치 (51) 에 의해 조정된다. 제어 장치 (7) 는, 계측 테이블 (5T) 상에 형성된 액침 영역 (LR) 의 액체 (LQ) 를 회수구 (22) 로부터 회수하고, 회수 한 액체 (LQ) 의 온도를 제 1 검출 장치 (31) 를 사용하여 검출한다.
도 5a 내지 도 5c 등을 참조하여 설명한 원리와 동일하게, 공급구 (12) 로부터 계측 테이블 (5T) 상에 공급되는 액체 (LQ) 와 계측 테이블 (5T) 사이에 온도차가 있는 경우, 기판 테이블 (4T) 상에서 계측 테이블 (5T) 상으로 이동한 직후의 액침 영역 (LR) 의 액체 (LQ) 를 회수구 (22) 로 회수하였을 때, 그 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과는 변동한다. 한편, 액체 (LQ) 와 계측 테이블 (5T) 사이에 온도차가 거의 없는 경우, 회수구 (22) 로부터 회수한 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과는 거의 변동하지 않는다.
본 실시형태에서는, 제어 장치 (7) 는, 액침 영역 (LR) 을, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 과 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 사이에서 이동시키면서, 제 1 검출 장치 (31) 를 사용하여, 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 온도를 검출한다. 제어 장치 (7) 는, 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과에 기초하여, 계측 테이블 (5T) 상에 형성된 액침 영역 (LR) 의 액체 (LQ) 의 온도와, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 온도가 상이하다고 판단한 경우, 액체 (LQ) 와 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 온도차가 작아지도록, 제 2 온도 조정 장치 (51) 를 사용하여, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 온도를 조정한다. 이로써, 기판 (P) 의 표면을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도와, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 온도와, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도와, 액체 (LQ) 의 온도가 거의 일치된다.
또한, 여기에서는, 제어 장치 (7) 는, 액침 영역 (LR) 을 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 과 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 사이에서 이동시키고 있는데, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 내에 있어서의 제 1 영역과 제 1 영역과는 상이한 제 2 영역 사이에서 이동시킴으로써, 액체 (LQ) 와 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 온도차 정보를 취득할 수 있다.
액체 (LQ) 의 온도와, 기판 (P) 의 표면을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도와, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도와, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 온도가 거의 일치된 후, 제어 장치 (7) 는, 필요에 따라, 계측 스테이지 (5) (계측 테이블 (5T)) 에 형성되어 있는 계측기를 사용하여, 소정의 계측 처리를 실시한다 (단계 SA5). 계측 스테이지 (5) 를 사용한 계측 처리의 계측 결과는, 그 후의 노광 처리에 반영된다. 예를 들어, 계측 스테이지 (5) 의 계측기를 사용한 계측 결과에 기초하여, 투영 광학계 (PL) 의 결상 특성의 조정 (캘리브레이션) 이 실시된다.
그리고, 제어 장치 (7) 는, 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 의 액침 영역 (LR) 을 형성하고, 액체 (LQ) 를 통하여 기판 (P) 상에 노광 광 (EL) 을 조사하여, 기판 (P) 을 노광한다 (단계 SA6).
또한, 상기 단계 SA1 ∼ SA3 은 기판 (P) 각각에서 실행하지 않아도 된다. 특히 기판 테이블 (4T) 에 기판 (P) 을 반송하기 전에, 기판 (P) 의 온도를 조정하여, 기판 (P) 의 온도를 기판 테이블 (4T) 의 온도와 거의 일치시킬 수 있는 경우에는, 기판 (P) 각각에서 상기 단계 SA1 ∼ SA3 을 실행하지 않아도, 액체 (LQ) 의 온도와, 기판 (P) 의 표면을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도 와, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도와, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 온도를 거의 일치시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 기판 (P), 기판 테이블 (4T), 종단 광학 소자 (FL) 및 계측 테이블 (5T) 등, 소정의 물체에 접촉된 후의 액체 (LQ) 를 사용하여, 그 물체의 온도 정보를 효율적으로 또한 양호한 정밀도로 취득할 수 있다. 그리고, 취득한 온도 정보에 기초하여, 예를 들어, 액체 (LQ) 와 물체의 온도차를 작게 하거나 각 물체 사이의 온도차를 작게 하는 등, 노광 불량의 발생을 억제하기 위한 적절한 처치를 강구할 수 있어, 액체 (LQ) 를 통하여 기판을 양호하게 노광할 수 있다. 본 실시형태에 있어서는, 물체에 접촉된 후의 액체 (LQ) 의 온도를 검출하고 있으므로, 물체의 온도 정보로서, 액체 (LQ) 에 대한 온도차 정보를 효율적으로 취득할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 기판 스테이지 (4) 와 계측 스테이지 (5) 를 구비하고 있으며, 기판 스테이지 (4) 의 기판 테이블 (4T) 과 계측 스테이지 (5) 의 계측 테이블 (5T) 의 온도 관계를 원하는 상태로 할 수 있어, 온도에서 기인하는 노광 불량의 발생을 억제하고, 액체 (LQ) 를 통하여 기판 (P) 을 양호하게 노광할 수 있다.
또한, 제어 장치 (7) 는, 기판 테이블 (4T) 상에 형성된 액침 영역 (LR) 의 액체 (LQ) 를 회수하고, 그 회수된 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과에 기초하여, 기판 테이블 (4T) 에 대한 온도 정보를 구할 수 있다. 또한, 계측 테이블 (5T) 상에 형성된 액침 영역 (LR) 의 액체 (LQ) 를 회수하고, 그 회수된 액체 (LQ) 의 온도 검출 결과에 기초하여, 계측 테이블 (5T) 에 대한 온도 정보를 구할 수 있다. 그리고, 제어 장치 (7) 는, 기판 테이블 (4T) 에 대한 온도 정보와, 계측 테이블 (5T) 에 대한 온도 정보에 기초하여, 기판 테이블 (4T) 의 온도와 계측 테이블 (5T) 의 온도의 일치성을 판단할 수 있다.
복수의 물체가 액체 (LQ) 에 접촉되는 경우에 있어서, 액체 (LQ) 와 물체의 온도차 정보를 취득하거나, 각 물체 사이의 온도차 정보를 취득하는 경우, 액체 (LQ) 의 온도 정보를 취득할 수 있는 센서를 소정 위치에 형성함과 함께, 각 물체의 온도 정보를 취득할 수 있는 센서를 복수 형성하는 구성을 생각해 볼 수 있다. 그런데, 복수의 센서를 사용하여 액체 (LQ) 의 온도 및 각 물체의 온도를 검출하는 경우, 각 센서의 검출 특성 및/또는 검출 감도의 차이 등에서 기인하여, 액체 (LQ) 와 물체의 온도차 정보 및, 각 물체 사이의 온도차 정보를 정확 (精確) 하게 취득하는 것이 곤란해질 가능성이 있다. 또한, 기판 (P) 과 거의 동일한 외형을 갖고, 기판 홀더 (4H) 에 착탈할 수 있는 온도 센서를 준비하고, 그 온도 센서를 기판 홀더 (4H) 에 유지시킴으로써, 액체 (LQ) 의 온도나 기판 테이블 (4T) (기판 홀더 (4H)) 의 온도를 양호하게 검출할 수 있으나, 그 온도 센서를 사용하여 기판 스테이지 이외의 물체 (예를 들어, 계측 스테이지) 의 온도를 검출하는 것은 곤란하다. 본 실시형태에 있어서는, 물체에 접촉된 후의 액체 (LQ) 의 온도를 검출할 수 있는 제 1 검출 장치 (31) 를 사용하여, 액체 (LQ) 와 물체의 온도차 정보 및, 각 물체 사이의 온도차 정보를 효율적으로 또한 양호한 정밀도로 취득할 수 있다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 기판 (P) 등의 물체에 접촉된 후의 액체 (LQ) 의 온도를 취득하기 위해, 제 1 검출 장치 (31) 를 사용하여, 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 온도를 검출하고 있는데, 물체에 접촉된 후의 액체 (LQ) 의 온도를 검출할 수 있으면, 임의의 구성을 채용할 수 있다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 기판 홀더 (4H) 에 디바이스 제조용의 기판 (P) 을 유지시키고, 그 기판 (P) 상에 형성된 액체 (LQ) 의 온도 정보를 취득하고 있는데, 기판 홀더 (4H) 에, 기판 (P) 과 거의 동일한 외형을 갖는 소정 부재 (더미 기판) 를 유지시키고, 그 더미 기판 상에 형성된 액침 영역 (LR) 의 액체 (LQ) 의 온도 정보를 취득하도록 해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 기판 테이블 (4T) 내부에 설치된 제 1 온도 조정 장치 (41) 를 사용하여, 기판 테이블 (4T) 의 온도 조정을 실시하고 있는데, 예를 들어, 기판 스테이지 구동 장치의 리니어 모터의 온도 조정을 하기 위한 매체 (냉매) 를 사용하여, 기판 테이블 (4T) 의 온도 (나아가서는 기판 (P) 의 온도) 를 조정하도록 해도 된다. 리니어 모터는, 예를 들어, 소정 방향으로 복수 배열된 코일과, 그들 코일을 수용하는 하우징 (재킷) 을 구비하고 있으며, 하우징 내에는, 발열체인 코일의 온도를 조정 (냉각) 하기 위한 매체 (냉매) 가 흐른다. 이 리니어 모터가 기판 테이블 (4T) 의 근방에 배치되어 있는 경우, 리니어 모터의 하우징 내를 흐르는 매체의 온도를 조정함으로써, 간접적으로 기판 테이블 (4T) 의 온도 (기판 (P) 의 온도) 를 조정할 수 있다. 또한, 기판 테이블 (4T) 의 온도 조정을 실시하기 위해, 제 1 온도 조정 장치 (41) 와, 리니어 모터의 온도를 조정하기 위한 매체 양방을 사용해도 된다. 동일하게, 계측 테이블 (5T) 의 온도 조정을 실시하기 위해, 계측 스테이지 구동 장치의 리니어 모터의 온도 조정을 하기 위한 매체 (냉매) 를 사용할 수 있으며, 계측 테이블 (5T) 의 내부에 설치된 제 2 온도 조정 장치 (51) 와 병용할 수도 있다.
또한, 상기 서술한 단계 SA2 에 있어서, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도 정보를 구하기 위해, 광로 공간 (K) 에 공급하는 단위 시간당의 액체 공급량을 변경하면서 액체 (LQ) 를 회수하고, 그 회수된 액체 (LQ) 의 온도를 제 1 검출 장치 (31) 로 검출하고 있는데, 예를 들어, 공급구 (12) 를 사용한 액체 공급 동작과 회수구 (22) 를 사용한 액체 회수 동작을 정지시키고, 광로 공간 (K), 노즐 부재 (70) 내부의 공급 유로, 회수 유로, 공급관 (13) 및 회수관 (23) 에 액체 (LQ) 를 머물게 한 상태에서 (액체 (LQ) 의 흐름을 멈춘 상태에서), 종단 광학 소자 (FL) 등에 접촉된 후의 액체 (LQ) 의 온도를 검출하도록 해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 액체 (LQ) 의 온도와, 기판 (P) 의 표면을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도와, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 온도와, 종단 광학 소자 (FL) 의 온도를 거의 일치시켜, 액침 영역 (LR) 이 기판 (P) 상의 어느 위치에 형성되어도, 액체 (LQ) 의 온도 변화 및 온도 분포의 발생을 억제하도록 하고 있는데, 예를 들어, 액체 (LQ) 와 기판 (P) 사이, 또는 액체 (LQ) 와 종단 광학 소자 (FL) 사이에 약간의 온도차가 있어도 된다. 예를 들어, 그 온도차에 따른 수차 변동량을 미리 알고 있는 경우에는, 그 수차 변동량에 따라, 결상 특성 조정 장치 (9) 를 사용하여, 투영 광학계 (PL) 의 결상 특 성을 조정함으로써, 기판 (P) 상에 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 원하는 투영 상태에서 투영할 수 있다. 이와 같이, 액체 (LQ) 와, 액체 (LQ) 와 접촉되는 물체 (기판 (P) 의 표면을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 과, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 과, 종단 광학 소자 (FL) 중 적어도 하나) 가 소정의 온도 관계가 되도록, 액체 (LQ) 및 액체 (LQ) 와 접촉되는 물체 중 적어도 일방의 온도를 조정하도록 해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 액체 (LQ) 의 온도와, 기판 (P) 의 표면을 포함하는 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 의 온도와, 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 의 온도를 거의 일치시키고 있는데, 예를 들어, 기판 테이블 (4T) 의 상면 (4F) 과 계측 테이블 (5T) 의 상면 (5F) 사이에 약간의 온도차가 있어도 된다. 예를 들어, 그 온도차에 따른 계측기의 계측값 변동량을 미리 알고 있는 경우에는, 그 계측값 변동량에 따라, 예를 들어, 계측기의 계측값를 보정함으로써, 그 보정 후의 계측값을 사용하여, 기판 (P) 상에 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 원하는 투영 상태에서 투영할 수 있다. 이와 같이, 기판 테이블 (4T) 과 계측 테이블 (5T) 이 소정의 온도 관계가 되도록, 기판 테이블 (4T) 및 계측 테이블 (5T) 중 적어도 일방의 온도를 조정하도록 해도 된다.
또한, 액체 온도 조정 장치 (15) 의 구동량 (조정량) 에 따라, 액체 공급 장치 (11) 로부터 공급구 (12) 에 공급되는 액체 (LQ) 의 온도를 알 수 있는 경우, 또는, 액체 온도 조정 장치 (15) 가 액체 (LQ) 의 온도를 고정밀도로 조정할 수 있는 경우에는, 제 2 검출 장치 (32) 를 생략해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 기판 (P) 을 유지하며 이동할 수 있는 기판 테이블 (4T) 과, 계측기를 구비한 계측 테이블 (5T) 의 온도 관계를 조정하는 경우를 예로 하여 설명했지만, 상기 서술한 실시형태에서 설명한 온도 조정 수법을, 예를 들어, 일본 공개특허공보 평10-163099호, 일본 공개특허공보 평10-214783호, 일본 공표특허공보 2000-505958호, 미국 특허 6,341,007호, 미국 특허 6,400,441호, 미국 특허 6,549,269호, 및 미국 특허 6,590,634호, 미국 특허 6,208,407호, 미국 특허 6,262,796호 등에 개시되어 있는 바와 같은 복수의 기판 스테이지를 구비한 멀티 스테이지형의 노광 장치에 적용할 수 있다. 즉, 기판 (P) 을 유지하며 이동할 수 있는 제 1 기판 테이블과, 제 1 기판 테이블과는 독립적으로 기판 (P) 을 유지하며 이동할 수 있는 제 2 기판 테이블의 온도 관계를, 상기 서술한 실시형태에서 설명한 수법을 사용하여 조정하도록 해도 된다. 예를 들어, 제 1 기판 테이블의 온도와 제 2 기판 테이블의 온도를 거의 일치시킬 수 있다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서, 예를 들어, 제 1 검출 장치 (31) 의 검출 결과, 제 2 검출 장치 (32) 의 검출 결과, 공급구 (12) 로부터 공급되는 단위 시간당의 액체 공급량, 및 각 스테이지에 구동 신호를 인가하는 타이밍 등, 노광 장치 (EX) 의 동작 상황을 표시하는 표시 장치를 설치해도 된다. 또한, 노광 장치 (EX) 의 동작 상황을 그래프화하여 소정의 표시 장치에 표시시키는 컴퓨터 프로그램을 작성하도록 해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태의 투영 광학계는, 종단 광학 소자의 이미지면측 의 광로 공간을 액체로 채우고 있는데, 국제 공개 제2004/019128호 팜플렛에 개시되어 있는 바와 같이, 종단 광학 소자의 물체면측의 광로 공간도 액체로 채우는 투영 광학계를 채용할 수도 있다.
또한, 상기 각 실시형태에 있어서, 노광 광 (EL) 의 광로 공간을 액체 (LQ) 로 채워 액침 공간을 형성하는 액침 형성 장치로서의 노즐 부재는, 상기 서술한 구성에 한정되지 않고, 예를 들어, 유럽 특허 공개 제1,420,298호, 국제 공개 제2004/055803호, 국제 공개 제2004/057590호, 국제 공개 제2005/029559호, 국제 공개 제2004/086468호 팜플렛 (대응 미국 공개 2005/0280791 A1), 일본 공개특허공보 2004-289126호 (대응 미국 특허 제6,952,253호) 등에 개시되는 노즐 부재 (액침 시스템) 를 사용해도 된다.
또한, 본 실시형태의 액체 (LQ) 는 물 (순수) 이지만, 물 이외의 액체이어도 되고, 예를 들어, 노광 광 (EL) 의 광원이 F2 레이저인 경우, 이 F2 레이저 광은 물을 투과하지 않으므로, 액체 (LQ) 로는 F2 레이저 광을 투과할 수 있는 예를 들어, 과불화폴리에테르 (PFPE) 나 불소계 오일 등의 불소계 유체이어도 된다. 또한, 액체 (LQ) 로는, 그 밖에도, 노광 광 (EL)에 대한 투과성이 있어 가능한 한 굴절률이 높고, 투영 광학계 (PL) 나 기판 (P) 표면에 도포되어 있는 포토 레지스트에 대하여 안정적인 것 (예를 들어, 시더유 (cedar oil)) 을 사용할 수도 있다.
또한, 액체 (LQ) 로는, 굴절률이 1.6 ∼ 1.8 정도인 것을 사용해도 된다. 액체 (LQ) 로는, 예를 들어, 굴절률이 약 1.50 인 이소프로판올, 굴절률이 약 1.61 인 글리세롤 (글리세린) 과 같은 C-H 결합 또는 O-H 결합을 가지는 소정 액체, 헥산, 헵탄, 데칸 등의 소정 액체 (유기 용제), 데카린, 바이사이클로헥실 등의 소정 액체를 들 수 있다. 또는, 이들 소정 액체 중 임의의 2 종류 이상의 액체가 혼합된 것이어도 되고, 순수에 상기 소정 액체가 첨가 (혼합) 된 것이어도 된다. 또는, 액체 (LQ) 로는, 순수에 H＋, Cs＋, K＋, Cl－, SO4 2 －, PO4 2 － 등의 염기 또는 산을 첨가 (혼합) 한 것이어도 된다. 나아가서는, 순수에 Al 산화물 등의 미립자를 첨가 (혼합) 한 것이어도 된다. 이들 액체 (LQ) 는, ArF 엑시머 레이저 광을 투과할 수 있다. 또한, 액체 (LQ) 로는, 광의 흡수 계수가 작아, 온도 의존성이 적고, 투영 광학계 (PL) 및/또는 기판 (P) 의 표면에 도포되어 있는 감광재 (또는 보호막 (탑 코트막) 또는 반사 방지막 등) 에 대하여 안정적인 것인 것이 바람직하다.
광학 소자 (LS1) 는, 예를 들어, 석영 (실리카) 으로 형성할 수 있다. 또는, 불화칼슘 (형석), 불화바륨, 불화스트론튬, 불화리튬, 불화나트륨 및 BaLiF3 등의 불화 화합물의 단결정 재료로 형성되어도 된다. 또한, 최종 광학 소자는, 루테튬알루미늄가넷 (LuAG) 으로 형성되어도 된다. 그리고, 불화나트륨 등의 불화 화합물의 단결정 재료로 형성되어도 된다.
또한, 상기 실시형태의 기판 (P) 으로는, 반도체 디바이스 제조용의 반도체 웨이퍼뿐만 아니라, 디스플레이 디바이스용의 유리 기판이나, 박막 자기 헤드용의 세라믹 웨이퍼, 또는 노광 장치에서 사용되는 마스크 또는 레티클의 원판 (原版) (합성 석영, 실리콘 웨이퍼) 등이 적용된다. 기판은 그 형상이 원형에 한정되는 것이 아니고, 직사각형 등 다른 형상이어도 된다.
또한, 상기 각 실시형태에서는 간섭계 시스템을 사용하여 마스크 스테이지 (3) 및 기판 스테이지 (4) 의 각 위치 정보를 계측하는 것으로 하였지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들어, 각 스테이지에 형성되는 스케일 (회절 격자) 을 검출하는 인코더 시스템을 사용해도 된다. 이 경우, 간섭계 시스템과 인코더 시스템의 양방을 구비하는 하이브리드 시스템으로 하고, 간섭계 시스템의 계측 결과를 사용하여 인코더 시스템의 계측 결과의 교정 (캘리브레이션) 을 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 간섭계 시스템과 인코더 시스템을 전환하여 사용하거나, 또는 그 양방을 사용하여, 스테이지의 위치 제어를 실시하도록 해도 된다.
노광 장치 (EX) 로는, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 동기 이동시켜 마스크 (M) 의 패턴을 주사 노광하는 스텝·앤드·스캔 방식의 주사형 노광 장치 (스캐닝 스테퍼) 에 적용할 수 있고, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 정지시킨 상태에서 마스크 (M) 의 패턴을 일괄 노광하고, 기판 (P) 을 순차적으로 스텝 이동시키는 스텝·앤드·리피트 방식의 투영 노광 장치 (스테퍼) 에도 적용할 수 있다.
또한, 노광 장치 (EX) 로는, 제 1 패턴과 기판 (P) 을 거의 정지시킨 상태에서 제 1 패턴의 축소 이미지를 투영 광학계 (예를 들어, 1/8 축소 배율로 반사 소자를 포함하지 않는 굴절형 투영 광학계) 를 사용하여 기판 (P) 상에 일괄 노광하는 방식의 노광 장치에도 적용할 수 있다. 이 경우, 다시 그 후에, 제 2 패턴과 기판 (P) 을 거의 정지시킨 상태에서 제 2 패턴의 축소 이미지를 그 투영 광학 계를 사용하여, 제 1 패턴과 부분적으로 겹치게 기판 (P) 상에 일괄 노광하는 스티치 방식의 일괄 노광 장치에도 적용할 수 있다. 또한, 스티치 방식의 노광 장치로는, 기판 (P) 상에서 적어도 2 개의 패턴을 부분적으로 겹치게 전사하고, 기판 (P) 을 순차적으로 이동시키는 스텝·앤드·스티치 방식의 노광 장치에도 적용할 수 있다.
상기 각 실시형태에 있어서의 노광 장치는, 투영 광학계에 대하여 그 상방 (＋Z 측) 에 마스크가 배치되고, 그 하방 (－Z 측) 에 기판이 배치되는 것으로 하였으나, 예를 들어, 국제 공개 제2004/090956호 팜플렛 (대응 미국 공개 2006/0023188 A1) 에 개시되어 있는 바와 같이, 연직 방향 (Z 축 방향) 에 관하여 투영 광학계 (복수의 투영 모듈) 를 상하 반전시켜 형성하고, 그 상방 (＋Z 측) 에 기판을 배치하고, 그 하방 (－Z 측) 에 마스크를 배치하도록 해도 된다.
상기 각 실시형태에서는 간섭계 시스템을 사용하여 마스크 스테이지 및 기판 스테이지의 위치 정보를 계측하는 것으로 하였으나, 이것에 한정되지 않고, 예를 들어, 기판 스테이지의 상면에 형성되는 스케일 (회절 격자) 을 검출하는 인코더 시스템을 사용해도 된다. 이 경우, 간섭계 시스템과 인코더 시스템의 양방을 구비하는 하이브리드 시스템으로 하고, 간섭계 시스템의 계측 결과를 사용하여 인코더 시스템의 계측 결과의 교정 (캘리브레이션) 을 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 간섭계 시스템과 인코더 시스템을 전환하여 사용하거나, 또는 그 양방을 사용하여 기판 스테이지의 위치 제어를 실시하도록 해도 된다.
상기 각 실시형태에서는 복수의 광학 소자를 갖는 투영 광학계를 구비한 노 광 장치를 예로 들어 설명했지만, 하나의 광학 소자로 이루어지는 투영 광학계이어도 된다. 또는, 투영 광학계를 사용하지 않는 노광 장치 및 노광 방법에 본 발명을 적용할 수 있다. 투영 광학계를 사용하지 않는 경우에서도, 노광 광은 마스크 또는 렌즈 등의 광학 부재를 통해 기판에 조사되고, 그러한 광학 부재와 기판 사이의 소정 공간에 액침 영역이 형성된다.
노광 장치 (EX) 의 종류로는, 기판 (P) 에 반도체 소자 패턴을 노광하는 반도체 소자 제조용의 노광 장치에 한정되지 않고, 액정 표시 소자 제조용 또는 디스플레이 제조용의 노광 장치, 박막 자기 헤드, 촬상 소자 (CCD), 마이크로 머신, MEMS, DNA 칩, 혹은 레티클 또는 마스크 등을 제조하기 위한 노광 장치 등에도 널리 적용할 수 있다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 광 투과성의 기판 상에 소정의 차광 패턴 (또는 위상 패턴·감광 패턴) 을 형성한 광 투과형 마스크를 사용하였으나, 이 마스크 대신, 예를 들어, 미국 특허 제6,778,257호에 개시되어 있는 바와 같이, 노광해야 할 패턴의 전자 데이터에 기초하여 투과 패턴 또는 반사 패턴, 혹은 발광 패턴을 형성하는 전자 마스크 (가변 성형 마스크라고도 불리며, 예를 들어, 비발광형 화상 표시 소자 (공간 광 변조기) 의 일종인 DMD (Digital Micro-mirror Device) 등을 포함한다) 를 사용해도 된다.
또한, 예를 들어, 국제 공개 제2001/035168호 팜플렛에 개시되어 있는 바와 같이, 간섭 무늬를 기판 (P) 상에 형성함으로써, 기판 (P) 상에 라인·앤드·스페이스 패턴을 노광하는 노광 장치 (리소그래피 시스템) 에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 예를 들어, 일본 공표특허공보 2004-519850호 (대응 미국 특허 제6,611,316호) 에 개시되어 있는 바와 같이, 2 개의 마스크의 패턴을, 투영 광학계를 통해 기판 상에서 합성하고, 1 회의 스캔 노광에 의해 기판 상의 하나의 쇼트 영역을 거의 동시에 이중 노광하는 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 법령으로 허용되는 한에서, 상기 각 실시형태 및 변형예에서 인용한 노광 장치 등에 관한 모든 공개 공보 및 미국 특허의 개시를 원용하여 본문의 기재의 일부로 한다.
이상과 같이, 상기 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 각 구성 요소를 포함하는 각종 서브 시스템을, 소정의 기계적 정밀도, 전기적 정밀도, 광학적 정밀도를 유지하도록 조립함으로써 제조된다. 이들 각종 정밀도를 확보하기 위해, 이 조립의 전후에는, 각종 광학계에 대해서는 광학적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 기계계에 대해서는 기계적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 전기계에 대해서는 전기적 정밀도를 달성하기 위한 조정이 실시된다. 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치로의 조립 공정은, 각종 서브 시스템 상호의 기계적 접속, 전기 회로의 배선 접속, 기압 회로의 배관 접속 등이 포함된다. 이 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치로의 조립 공정 전에, 각 서브 시스템 개개의 조립 공정이 있는 것은 말할 필요도 없다. 각종 서브 시스템의 노광 장치에 대한 조립 공정이 종료되면, 종합 조정이 실시되어, 노광 장치 전체로서의 각종 정밀도가 확보된다. 또한, 노광 장치의 제조는 온도 및 클린도 등이 관리된 클린 룸에서 실시하는 것이 바람 직하다.
반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스는, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 마이크로 디바이스의 기능·성능 설계를 실시하는 단계 201, 이 설계 단계에 기초한 마스크 (레티클) 를 제작하는 단계 202, 디바이스의 기재인 기판을 제조하는 단계 203, 전술한 실시형태의 노광 장치 (EX) 에 의해 마스크의 패턴을 기판에 노광하는 공정, 노광한 기판을 현상하는 공정, 현상한 기판의 가열 (큐어) 및 에칭 공정 등의 기판 처리 프로세스를 포함하는 기판 처리 단계 204, 디바이스 조립 단계 (다이싱 공정, 본딩 공정, 패키지 공정을 포함한다) 205, 검사 단계 206 등을 거쳐 제조된다.

Claims (46)

  1. 액침 노광을 실시하는 노광 방법으로서,
    물체에 액체를 접촉시키는 것과,
    상기 액체를 회수하는 것과,
    상기 회수한 액체를 사용하여 상기 물체의 온도 정보를 취득하는 것과,
    상기 물체의 온도 정보를 취득한 후, 기판을 노광하는 것을 포함하는, 노광 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 물체의 온도 정보는, 상기 액체와 상기 물체 사이의 온도차 정보를 포함하는, 노광 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 물체로부터 회수한 액체의 온도를 검출하는 것을 추가로 포함하고,
    상기 물체의 온도 정보는, 상기 검출 결과에 기초하여 취득되는, 노광 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 물체와 상기 액체를 접촉시키기 위해, 상기 물체 상에 액체를 공급하여, 상기 물체 상에 상기 액체의 액침 영역을 형성하는 것을 추가로 포함하는, 노 광 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    복수의 검출 조건 각각의 하에서, 상기 액체의 온도를 검출하고, 그 결과에 기초하여, 상기 액체의 온도와 상기 물체의 온도 관계를 취득하는, 노광 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 검출 조건하에서 검출된 상기 액체의 온도에 기초하여, 상기 액체의 온도와 상기 물체의 온도가 동일한지의 여부를 판별하는, 노광 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 검출 조건은, 상기 액침 영역과 상기 물체의 상대적인 위치 관계를 포함하는, 노광 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 액침 영역에 대하여 상기 물체를 이동시키면서 상기 액체를 회수하고, 상기 회수한 액체의 온도를 검출하는, 노광 방법.
  9. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 검출 조건은, 상기 물체 상에 액체를 공급할 때의 공급량을 포함하는, 노광 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 물체 상에 공급하는 단위 시간당의 액체 공급량을 변경하면서 상기 액체를 회수하고, 상기 회수한 액체의 온도를 검출하는, 노광 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 물체의 온도 정보에 기초하여, 소정의 처리를 실시한 후, 상기 기판을 노광하는, 노광 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 소정의 처리는, 상기 액체의 온도 및 상기 물체의 온도 중 적어도 일방을 조정하는 동작을 포함하는, 노광 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 액체와 상기 물체의 온도차가 작아지도록 상기 조정을 실시하는, 노광 방법.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 물체는, 복수의 물체를 포함하고,
    상기 복수의 물체 사이의 온도차가 작아지도록 상기 조정을 실시하는, 노광 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 물체는, 상기 기판을 유지하며 이동할 수 있는 제 1 물체를 포함하는, 노광 방법.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 물체는, 상기 기판을 포함하는, 노광 방법.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 물체는, 상기 노광 광이 통과하는 광학 소자를 포함하는, 노광 방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 물체는, 상기 제 1 물체와는 독립적으로 이동할 수 있는 제 2 물체를 포함하는, 노광 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 물체의 온도 정보와, 상기 제 2 물체의 온도 정보에 기초하여, 상기 제 1 물체의 온도와 상기 제 2 물체의 온도의 일치성을 판단하는, 노광 방법.
  20. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 제 2 물체는, 노광에 관한 계측을 실시하는 계측기를 구비하는, 노광 방법.
  21. 액침 노광을 실시하는 노광 방법으로서,
    기판을 유지하며 이동할 수 있는 제 1 물체와, 상기 제 1 물체와는 독립적으로 이동할 수 있는 제 2 물체가 소정의 온도 관계가 되도록, 상기 제 1 물체 및 상기 제 2 물체 중 적어도 일방의 온도를 조정하는 것과,
    상기 제 1 물체에 유지된 기판을 액체를 통하여 노광하는 것을 포함하는, 노광 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 소정의 온도 관계는, 상기 제 1 물체의 온도와 상기 제 2 물체의 온도가 거의 일치하는 관계를 포함하는, 노광 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 소정의 온도 관계는, 상기 제 1 물체의 온도와 상기 제 2 물체의 온도가 상기 액체의 온도와 거의 일치하는 관계인, 노광 방법.
  24. 제 21 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 물체는, 노광에 관한 계측을 실시하는 계측기를 구비하는, 노광 방법.
  25. 제 1 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 방법을 이용하는, 디바이스 제조 방법.
  26. 기판을 노광하는 액침 노광 장치로서,
    소정의 물체에 접촉된 후의 액체의 온도를 검출하는 제 1 검출 장치와,
    상기 제 1 검출 장치의 검출 결과에 기초하여, 상기 액체의 온도와 상기 물체의 온도 관계를 검지하는 처리 장치를 구비한, 노광 장치.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 처리 장치는, 상기 제 1 검출 장치의 검출 결과에 기초하여, 상기 액체의 온도와 상기 물체의 온도가 동일한지의 여부를 판별하는, 노광 장치.
  28. 제 26 항 또는 제 27 항에 있어서,
    상기 액체를 회수하는 회수구를 추가로 구비하고,
    상기 제 1 검출 장치는, 상기 회수구로부터 회수된 상기 액체의 온도를 검출하는, 노광 장치.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 물체 상에 액체를 공급하는 공급구를 추가로 구비하고,
    상기 회수구는, 상기 공급구로부터 상기 물체 상에 공급된 액체를 회수하는, 노광 장치.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 공급구와 상기 회수구를 사용하여 상기 물체 상에 형성되는 액침 영역에 대하여 상기 물체를 상대적으로 이동시키는 구동 장치를 추가로 구비하고,
    상기 액침 영역에 대하여 상기 물체를 이동시키면서, 상기 회수구로부터 상기 액체를 회수하는, 노광 장치.
  31. 제 29 항 또는 제 30 항에 있어서,
    상기 공급구로부터 상기 물체 상에 공급하는 단위 시간당의 액체 공급량을 변경하면서 상기 회수구로부터 액체를 회수하는, 노광 장치.
  32. 제 29 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공급구로부터 공급되는 액체의 온도를 검출하는 제 2 검출 장치를 추가로 구비하고,
    상기 처리 장치는, 상기 제 1 검출 장치 및 상기 제 2 검출 장치의 검출 결 과에 기초하여, 상기 액체의 온도와 상기 물체의 온도 관계를 검지하는, 노광 장치.
  33. 제 26 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 장치의 검지 결과에 기초하여, 상기 액체 및 상기 물체 중 적어도 일방의 온도를 조정하는 조정 장치를 구비한, 노광 장치.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 조정 장치는, 상기 액체와 상기 물체의 온도차가 작아지도록 조정하는, 노광 장치.
  35. 제 26 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 물체는, 상기 기판을 포함하는, 노광 장치.
  36. 제 26 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 물체는, 상기 기판을 향하여 노광 빔을 사출하는 광학 부재를 포함하는, 노광 장치.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 물체는, 상기 기판을 유지하며, 상기 광학 부재와 대향하는 위치로 이 동할 수 있는 제 1 물체를 포함하는, 노광 장치.
  38. 제 37 항에 있어서,
    상기 물체는, 상기 제 1 물체와는 독립적으로 이동할 수 있고, 상기 광학 부재와 대향하는 위치로 이동할 수 있는 제 2 물체를 포함하는, 노광 장치.
  39. 제 38 항에 있어서,
    상기 제 2 물체는, 기판을 유지하지 않는, 노광 장치.
  40. 기판을 노광하는 액침 노광 장치로서,
    상기 기판을 향하여 노광 빔을 사출하는 광학 부재와,
    상기 기판을 유지하며, 상기 광학 부재와 대향하는 위치로 이동할 수 있는 제 1 물체와,
    상기 제 1 물체와는 독립적으로 이동할 수 있고, 또한 상기 광학 부재와 대향하는 위치로 이동할 수 있는 제 2 물체와,
    상기 제 1 물체와 상기 제 2 물체가 소정의 온도 관계가 되도록, 상기 제 1 물체 및 상기 제 2 물체 중 적어도 일방의 온도를 조정하는 조정 장치를 구비한, 노광 장치.
  41. 제 40 항에 있어서,
    상기 조정 장치는, 상기 제 1 물체의 온도와 상기 제 2 물체의 온도가 상기 액체의 온도와 거의 일치하도록 상기 조정을 실시하는, 노광 장치.
  42. 제 40 항 또는 제 41 항에 있어서,
    상기 제 2 물체는, 노광에 관한 계측을 실시하는 계측기를 구비하는, 노광 장치.
  43. 제 40 항 또는 제 41 항에 있어서,
    상기 제 2 물체는, 기판을 유지할 수 있는, 노광 장치.
  44. 기판을 노광하는 액침 노광 장치로서,
    상기 기판을 향하여 노광 빔을 사출하는 광학 부재와,
    상기 기판을 유지하며, 상기 광학 부재와 대향하는 위치로 이동할 수 있는 제 1 물체와,
    상기 제 1 물체와는 독립적으로 이동할 수 있고, 또한 상기 광학 부재와 대향하는 위치로 이동할 수 있으며, 기판을 유지하지 않는 제 2 물체와,
    상기 제 2 물체의 온도를 조정하는 조정 장치를 구비한, 노광 장치.
  45. 제 44 항에 있어서,
    상기 제 2 물체는, 노광 빔을 수광하는 계측기를 갖는, 노광 장치.
  46. 제 26 항 내지 제 45 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 장치를 사용하는, 디바이스 제조 방법.
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KR20150036786A (ko) 2003-04-09 2015-04-07 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TWI569308B (zh) 2003-10-28 2017-02-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造 方法
TWI519819B (zh) 2003-11-20 2016-02-01 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
TWI412067B (zh) 2004-02-06 2013-10-11 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法
KR101524964B1 (ko) 2005-05-12 2015-06-01 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
TWI514090B (zh) 2007-07-13 2015-12-21 Mapper Lithography Ip Bv 微影系統及用於支撐晶圓的晶圓台
US8705010B2 (en) * 2007-07-13 2014-04-22 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of clamping and wafer table
US9025126B2 (en) * 2007-07-31 2015-05-05 Nikon Corporation Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
KR101546987B1 (ko) 2007-10-16 2015-08-24 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP2179330A1 (en) 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5360057B2 (ja) 2008-05-28 2013-12-04 株式会社ニコン 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法

Family Cites Families (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS6078454A (ja) 1983-10-05 1985-05-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影露光装置
US4666273A (en) 1983-10-05 1987-05-19 Nippon Kogaku K. K. Automatic magnification correcting system in a projection optical apparatus
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
US5738165A (en) 1993-05-07 1998-04-14 Nikon Corporation Substrate holding apparatus
US6721034B1 (en) 1994-06-16 2004-04-13 Nikon Corporation Stage unit, drive table, and scanning exposure apparatus using the same
JP3484684B2 (ja) 1994-11-01 2004-01-06 株式会社ニコン ステージ装置及び走査型露光装置
JP3695000B2 (ja) 1996-08-08 2005-09-14 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
CN1244018C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
DE69717975T2 (de) 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands Bv In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
US6262796B1 (en) 1997-03-10 2001-07-17 Asm Lithography B.V. Positioning device having two object holders
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US6235438B1 (en) 1997-10-07 2001-05-22 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JPH11195602A (ja) 1997-10-07 1999-07-21 Nikon Corp 投影露光方法及び装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
AU2747999A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP4505989B2 (ja) 1998-05-19 2010-07-21 株式会社ニコン 収差測定装置並びに測定方法及び該装置を備える投影露光装置並びに該方法を用いるデバイス製造方法、露光方法
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
JP2001267239A (ja) 2000-01-14 2001-09-28 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2002198303A (ja) 2000-12-27 2002-07-12 Nikon Corp 露光装置、光学特性計測方法、及びデバイス製造方法
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
JP4714403B2 (ja) 2001-02-27 2011-06-29 エーエスエムエル ユーエス，インコーポレイテッド デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
KR100927560B1 (ko) 2002-01-29 2009-11-23 가부시키가이샤 니콘 이미지 형성 상태 조정 시스템, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 프로그램 및 정보 기록 매체
US20050088634A1 (en) 2002-03-15 2005-04-28 Nikon Corporation Exposure system and device production process
TWI300953B (en) 2002-03-15 2008-09-11 Nikon Corp Exposure system and device manufacturing process
TW200305927A (en) * 2002-03-22 2003-11-01 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device
CN100462844C (zh) 2002-08-23 2009-02-18 株式会社尼康 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2495613B1 (en) 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
CN101424883B (zh) 2002-12-10 2013-05-15 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
CN100370533C (zh) 2002-12-13 2008-02-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置
JP4364806B2 (ja) 2002-12-19 2009-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上にスポットを照射する方法及び装置
KR101506408B1 (ko) 2003-02-26 2015-03-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
EP1612850B1 (en) 2003-04-07 2009-03-25 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing a device
JP5143331B2 (ja) * 2003-05-28 2013-02-13 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR101915914B1 (ko) 2003-05-28 2018-11-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005123305A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Canon Inc 液浸型露光装置
JP4340866B2 (ja) 2003-11-14 2009-10-07 日立電線株式会社 窒化物半導体基板及びその製造方法
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP5167572B2 (ja) * 2004-02-04 2013-03-21 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
EP3252533B1 (en) * 2004-02-04 2019-04-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device
CN100524616C (zh) * 2004-02-19 2009-08-05 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
JP2005353762A (ja) 2004-06-09 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びパターン形成方法
KR101421915B1 (ko) 2004-06-09 2014-07-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7304715B2 (en) * 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196768B2 (en) 2004-10-26 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006295146A (ja) * 2005-03-18 2006-10-26 Canon Inc 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7440076B2 (en) 2005-09-29 2008-10-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7746447B2 (en) * 2005-12-22 2010-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and method of calibrating a lithographic apparatus
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007135990A1 (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Nikon Corporation 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
US9025126B2 (en) * 2007-07-31 2015-05-05 Nikon Corporation Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method

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Publication number Publication date
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