WO2006016469A1 - 照明光学装置、露光装置、および露光方法 - Google Patents

照明光学装置、露光装置、および露光方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2006016469A1
WO2006016469A1 PCT/JP2005/013410 JP2005013410W WO2006016469A1 WO 2006016469 A1 WO2006016469 A1 WO 2006016469A1 JP 2005013410 W JP2005013410 W JP 2005013410W WO 2006016469 A1 WO2006016469 A1 WO 2006016469A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
optical
illumination
polarization
illumination optical
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/013410
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yuji Kudo
Original Assignee
Nikon Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corporation filed Critical Nikon Corporation
Priority to US11/659,978 priority Critical patent/US20070222962A1/en
Priority to JP2006531380A priority patent/JPWO2006016469A1/ja
Priority to EP05766348A priority patent/EP1796139A4/en
Publication of WO2006016469A1 publication Critical patent/WO2006016469A1/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
    • G02B27/288—Filters employing polarising elements, e.g. Lyot or Solc filters
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566—Polarisation control

Definitions

  • Illumination optical apparatus illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
  • the present invention relates to an illumination optical apparatus, an exposure apparatus, and an exposure method, and more particularly to an exposure apparatus for manufacturing a microdevice such as a semiconductor element, an imaging element, a liquid crystal display element, and a thin film magnetic head in a lithography process. is there.
  • a secondary light source as a substantial surface light source consisting of a large number of light sources through a fly-eye lens as a light source force, an emitted light beam force, and an optical integrator.
  • the light flux from the secondary light source (generally, the illumination pupil distribution formed in or near the illumination pupil of the illumination optical device) is restricted through an aperture stop arranged in the vicinity of the rear focal plane of the fly-eye lens. Is incident on the condenser lens
  • the light beam collected by the condenser lens illuminates a mask on which a predetermined pattern is formed in a superimposed manner.
  • the light transmitted through the mask pattern forms an image on the wafer through the projection optical system.
  • the mask pattern is projected and exposed (transferred) onto the wafer. Note that the pattern formed on the mask is highly integrated, and in order to accurately transfer this fine pattern onto the wafer, it is essential to obtain a uniform illuminance distribution on the wafer.
  • Japanese Patent No. 3246615 which is an application filed by the present applicant, describes a rear focal plane of a fly-eye lens in order to realize an illumination condition suitable for faithfully transferring a fine pattern in any direction.
  • An annular secondary light source is formed in the linearly polarized state where the light flux passing through the annular secondary light source has a polarization direction in the circumferential direction (hereinafter referred to as “circumferential polarization state” for short) )
  • circumferential polarization state Disclosed is a technology for setting to be!
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 3246615
  • the present invention provides an illumination optical device capable of illuminating a surface to be irradiated with light in a desired polarization state or non-polarization state while suppressing a change in the polarization state of light in an optical path. With the goal.
  • the present invention uses an illumination optical device that illuminates a mask as an irradiated surface with light in a desired polarization state or non-polarization state, and based on a desired illumination condition according to a mask pattern.
  • An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and an exposure method capable of faithfully transferring a fine pattern onto a photosensitive substrate.
  • 0.9 is disposed in the optical path between the light source that supplies light having a polarization degree of 9 or more and the irradiated surface, and sets the polarization state of the light reaching the irradiated surface to a predetermined polarization state.
  • a holding member for supporting three points on one optical surface side of at least one light transmitting member constituting an optical system in the optical path between the light source and the irradiated surface in three regions.
  • An illumination optical device is provided.
  • an exposure apparatus comprising the illumination optical device according to the first aspect for illuminating a mask, and exposing the pattern of the mask onto a photosensitive substrate. To do.
  • the third aspect of the present invention includes an illumination step of illuminating a mask using the illumination optical device of the first aspect, and an exposure step of exposing the pattern of the mask onto a photosensitive substrate.
  • An exposure method is provided.
  • a required light transmitting member (generally at least one light transmitting member) among the light transmitting members arranged in the optical path is substantially opposed. Three points are supported by three sides. In this case, only a stress distribution concentrated in the support region of the light transmission member is generated, and no substantial stress distribution is generated in the effective region of the light transmission member. As a result, almost no birefringence due to the stress distribution occurs, and hence the polarization state of the light passing therethrough hardly changes due to the birefringence.
  • the illumination optical device of the present invention it is possible to illuminate the irradiated surface with light in a desired polarization state or non-polarization state while suppressing a change in the polarization state of light in the optical path. . Therefore, in the exposure apparatus and the exposure method of the present invention, the illumination optical device that illuminates the mask as the irradiated surface with light in a desired polarization state or non-polarization state is used to achieve a desired illumination condition according to the mask pattern. On the basis of this, a fine pattern can be loyally transferred onto a photosensitive substrate, and as a result, a good device can be manufactured.
  • FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus that works on an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the configuration of the polarization conversion element in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the optical rotation of quartz.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a ring-shaped secondary light source set in a circumferential polarization state by the action of a polarization conversion element.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing the force acting from the outside on the light transmitting member and the stress distribution generated on the light transmitting member in the prior art.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing a force acting on the light transmission member from the outside and a stress distribution generated in the light transmission member in the present embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing a configuration of a holding member that supports a light transmitting member at three points on both sides of a force in the present embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing an annular secondary light source that is set in a radially polarized state by the action of a polarization conversion element.
  • FIG. 9 is a flowchart of a method for obtaining a semiconductor device as a micro device.
  • FIG. 10 is a flowchart of a method for obtaining a liquid crystal display element as a micro device.
  • FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • Fig. 1 the Z-axis along the normal direction of wafer W, which is the photosensitive substrate, the Y-axis in the direction parallel to the plane of Fig. 1 in the plane of wafer W, and Fig. 1 in the plane of wafer W.
  • the X axis is set in the direction perpendicular to the page.
  • the exposure apparatus of the present embodiment includes a light source 1 for supplying exposure light (illumination light).
  • the light source 1 for example, a KrF excimer laser light source that supplies light with a wavelength of 248 nm, an ArF excimer laser light source that supplies light with a wavelength of 193 nm, or the like can be used.
  • a substantially parallel light beam emitted from the light source 1 along the Z direction has a rectangular cross section extending along the X direction, and is incident on the beam expander 2 composed of a pair of lenses 2a and 2b.
  • Each lens 2a and 2b has a negative refracting power and a positive refracting power in the plane of FIG. 1 (in the YZ plane), respectively. Therefore, the light beam incident on the beam expander 2 is expanded in the plane of FIG. 1 and shaped into a light beam having a predetermined rectangular cross section.
  • a substantially parallel light beam via a beam expander 2 as a shaping optical system is deflected in the Y direction by a bending mirror 3, and then 1Z4 wavelength plate 4a, 1Z2 wavelength plate 4b, and a depolarizer (non-polarizing element).
  • the light enters the focal lens 6 through 4c and the diffractive optical element 5 for annular illumination.
  • the 1Z4 wavelength plate 4a, the 1Z2 wavelength plate 4b, and the depolarizer 4c constitute a polarization state switching unit 4 as described later.
  • the focal lens 6 is The front focal position of the lens group 6a and the position of the diffractive optical element 5 are substantially coincident with each other, and the rear focal position of the rear lens group 6b is substantially coincident with the position of the predetermined plane 7 indicated by a broken line in the figure.
  • the afocal system afocal optical system.
  • a diffractive optical element is configured by forming a step having a pitch on the substrate that is about the wavelength of exposure light (illumination light), and has a function of diffracting an incident beam to a desired angle.
  • the diffractive optical element 5 for annular illumination forms an annular light intensity distribution in the far field (or Fraunhofer diffraction region) when a parallel light flux having a rectangular cross section is incident.
  • the substantially parallel light beam incident on the diffractive optical element 5 as the light beam conversion element forms a ring-shaped light intensity distribution on the pupil plane of the focal lens 6, and then has a ring-shaped angular distribution with a focal lens. Ejected from 6.
  • the conical axicon system 8 is arranged on the pupil plane or in the vicinity thereof. The operation will be described later. In the following, for the sake of simplicity, the basic configuration and operation will be described ignoring the operation of the conical axicon system 8.
  • the light beam through the afocal lens 6 enters a micro fly's eye lens (or fly eye lens) 11 as an optical integrator through a zoom lens 9 for variable ⁇ value and a polarization conversion element 10. To do.
  • the configuration and operation of the polarization conversion element 10 will be described later.
  • the micro fly's eye lens 11 is an optical element composed of a large number of microlenses having positive refractive powers arranged vertically and horizontally and densely.
  • a micro fly's eye lens is configured by, for example, performing etching on a plane parallel plate to form a micro lens group.
  • each micro lens constituting the micro fly's eye lens is smaller than each lens element constituting the fly eye lens. Further, unlike a fly-eye lens composed of lens elements isolated from each other, a micro fly-eye lens is integrally formed without being isolated from each other.
  • the micro fly's eye lens is the same wavefront division type optical integrator as the fly's eye lens in that lens elements having positive refractive power are arranged vertically and horizontally. The position of the predetermined surface 7 is disposed in the vicinity of the front focal position of the zoom lens 9, and the incident surface of the micro fly lens 11 is disposed in the vicinity of the rear focal position of the zoom lens 9.
  • the zoom lens 9 arranges the predetermined plane 7 and the incident surface of the micro fly's eye lens 11 substantially in a Fourier transform relationship, and as a result, the pupil plane of the focal lens 6 and the incident of the micro fly's eye lens 11.
  • the surface is optically substantially conjugate.
  • an annular illumination field centered on the optical axis AX is formed in the same manner as the pupil surface of the focal lens 6.
  • the overall shape of the ring-shaped illumination field changes in a similar manner depending on the focal length of the zoom lens 9.
  • the microlenses constituting the mic fly eye lens 11 are similar to the shape of the illumination field to be formed on the mask M (the shape of the exposure area to be formed on the wafer W). It has a rectangular cross section.
  • the light beam incident on the micro fly's eye lens 11 is two-dimensionally divided by a large number of microlenses, and the illumination formed by the incident light beam on the rear focal plane or in the vicinity thereof (and thus the illumination pupil).
  • a secondary light source having substantially the same light intensity distribution as the field that is, a secondary light source such as a ring-shaped substantial surface light source centered on the optical axis AX is formed.
  • the light beam from the secondary light source formed at or near the rear focal plane of the micro flyar lens 11 passes through the beam splitter 12a and the condenser optical system 13, and then the mask M or wafer W as the irradiated surface.
  • the mask blind 14 placed at an optically nearly conjugate position is illuminated in a superimposed manner.
  • a rectangular illumination field corresponding to the shape and focal length of each microlens constituting the micro fly's eye lens 11 is formed on the mask blind 14 as an illumination field stop.
  • the light beam that has passed through the rectangular opening (light transmitting portion) of the mask blind 14 receives the light condensing action of the imaging optical system 15 and then illuminates the mask M on which a predetermined pattern is formed in a superimposed manner.
  • the imaging optical system 15 guides the light through the mask brand 14 disposed at a position optically conjugate with the mask M or the wafer W as the irradiated surface to the mask M, and the rectangular shape of the mask blind 14 An image of the opening is formed on the mask M.
  • the light beam that has passed through the pattern of the mask M forms an image of the mask pattern on the wafer W, which is a photosensitive substrate, via the projection optical system PL.
  • the optical axis AX of the projection optical system PL By performing batch exposure or scan exposure while driving and controlling the wafer w two-dimensionally in an orthogonal plane (XY plane), the pattern of the mask M is sequentially exposed in each exposure area of the wafer W.
  • the 1Z4 wavelength plate 4a is configured such that the crystal optical axis is rotatable about the optical axis AX, and converts incident elliptically polarized light into linearly polarized light.
  • the 1Z2 wave plate 4b is configured such that the crystal optical axis is rotatable about the optical axis AX, and changes the polarization plane of the incident linearly polarized light.
  • the depolarizer 4c is composed of a wedge-shaped quartz prism having a complementary shape and a wedge-shaped quartz prism. The quartz prism and the quartz prism are configured so as to be freely removable with respect to the illumination optical path as an integral prism thread and solid.
  • the light emitted by these light source powers typically has a polarization degree of 95% or more, and the 1Z4 wavelength plate 4a Nearly linearly polarized light is incident.
  • the polarization plane of the incident linearly polarized light coincides with the P-polarization plane or the S-polarization plane. Otherwise, linearly polarized light changes to elliptically polarized light due to total reflection at the right angle prism.
  • the polarization state switching unit 4 for example, even if elliptically polarized light is incident due to total reflection by a right-angle prism, linearly polarized light converted by the action of the 1Z4 wavelength plate 4a is converted to the 1Z2 wavelength plate 4b. Is incident on.
  • the crystal optical axis of 1Z2 wave plate 4b is set to make an angle of 0 ° or 90 ° with respect to the plane of polarization of linearly polarized light that is incident, linearly polarized light that is incident on 1Z2 wave plate 4b is polarized Passes without change.
  • the crystal optical axis of the 1Z2 wave plate 4b is set to form an angle of 45 degrees with respect to the plane of polarization of the linearly polarized light incident thereon, the linearly polarized light incident on the 1Z2 wave plate 4b is polarized. It is converted into linearly polarized light whose surface changes by 90 degrees.
  • the crystal optic axis of the quartz prism of the depolarizer 4c is set to make an angle of 45 degrees with respect to the plane of polarization of the linearly polarized light that is incident, the linearly polarized light incident on the quartz prism is unpolarized light. Converted to (unpolarized).
  • the crystal optical axis of the crystal prism is configured to make an angle of 45 degrees with respect to the plane of polarization of the linearly polarized light that is incident.
  • the crystal optical axis of the crystal prism is set to make an angle of 0 or 90 degrees with respect to the plane of polarization of the linearly polarized light that is incident, the plane of polarization of the linearly polarized light incident on the crystal prism changes. It passes without any changes.
  • the depolarizer 4c When the depolarizer 4c is positioned in the illumination optical path, if it is set to make an angle of 0 or 90 degrees with respect to the polarization plane (polarization direction) of the Z-direction polarization incident on the crystal optical axis of the 1Z2 wave plate 4b, 1Z2
  • the Z-polarized light that has entered the wave plate 4b passes through the Z-polarized light without changing the plane of polarization and enters the quartz prism of the depolarizer 4c.
  • the crystal optical axis of the quartz prism is set to make an angle of 45 degrees with respect to the polarization plane of the incident Z-direction polarized light, so that the Z-direction polarized light incident on the quartz prism is converted to unpolarized light. Is done.
  • the light depolarized through the quartz prism enters the diffractive optical element 5 in a non-polarized state via the quartz prism as a compensator for compensating the traveling direction of the light.
  • the crystal optical axis of the 1Z2 wave plate 4b is set to make an angle of 45 degrees with respect to the polarization plane of the Z-direction polarization incident on the 1Z2 wave plate 4b, the Z-direction polarization light incident on the 1Z2 wave plate 4b It changes by 0 degrees and becomes linearly polarized light (hereinafter referred to as “X-direction polarized light”) having a polarization direction (electric field direction) in the X direction in FIG.
  • the crystal optical axis of the quartz prism is set to make an angle of 45 degrees with respect to the polarization plane of the incident X-direction polarized light, so that the X-polarized light incident on the quartz prism is converted into unpolarized light.
  • the light is converted and enters the diffractive optical element 5 through the quartz prism in an unpolarized state.
  • the crystal optic axis of the 1Z2 wave plate 4b is made to have an angle of 0 degree or 90 degrees with respect to the polarization plane of the Z-direction polarized light incident thereon.
  • the Z-direction polarized light incident on the 1Z2 wave plate 4b passes through the Z-direction polarized light without changing the polarization plane, and enters the diffractive optical element 5 in the Z-direction polarization state.
  • the polarization plane of the Z-direction polarization incident on the Z2 wavelength plate 4b is only 90 degrees. Changes to X-polarized light and enters the diffractive optical element 5 in the X-polarized state.
  • the polarization state switching unit 4 As described above, in the polarization state switching unit 4, light in the non-polarized state can be incident on the diffractive optical element 5 by inserting the depolarizer 4 c into the illumination optical path and determining the position. In addition, the depolarizer 4c is retracted and the crystal optical axis of the 1Z2 wave plate 4b is set so as to make an angle of 0 degree or 90 degrees with respect to the polarization plane of the Z direction polarization. The light in the state can be incident on the diffractive optical element 5. Further, the depolarizer 4c is retracted from the illumination optical path, and the crystal optical axis of the 1Z2 wave plate 4b is set to be 45 degrees with respect to the polarization plane of the Z-direction polarization. Can be incident on the diffractive optical element 5.
  • the polarization state of the incident light to the diffractive optical element 5 is obtained by the action of the polarization state switching unit including the 1Z4 wavelength plate 4a, the 1Z2 wavelength plate 4b, and the depolarizer 4c. (And thus the polarization state of the light that illuminates the mask M and the wafer W) can be switched between the linear polarization state and the non-polarization state. And X polarization).
  • both the 1Z2 wavelength plate 4b and the depolarizer 4c are retracted from the illumination optical path, and the crystal optical axis of the 1Z4 wavelength plate 4a is made to have a predetermined angle with respect to the incident elliptically polarized light.
  • the polarization state of the light incident on the diffractive optical element 5 is set to a linear polarization state having a polarization direction in an arbitrary direction by the action of the 1Z2 wavelength plate 4b.
  • the conical axicon system 8 includes, in order, the light source side force, the first prism member 8a having a plane facing the light source side and a concave conical refracting surface facing the mask side, and a plane facing the mask side. And a second prism member 8b having a convex conical refracting surface facing the light source.
  • the concave conical refracting surface of the first prism member 8a and the convex conical refracting surface of the second prism member 8b are complementarily formed so as to be in contact with each other.
  • the first prism member 8 At least one of a and the second prism member 8b is configured to be movable along the optical axis AX.
  • the concave conical refracting surface of the first prism member 8a and the convex conical shape of the second prism member 8b are configured. The distance from the refracting surface is variable.
  • the conical axicon system 8 functions as a plane-parallel plate.
  • the concave conical refracting surface of the first prism member 8a and the convex conical bending surface of the second prism member 8b are in contact with each other, the conical axicon system 8 functions as a plane-parallel plate.
  • the width of the annular secondary light source (the outer diameter of the annular secondary light source and The outer diameter (inner diameter) of the annular secondary light source changes while keeping the difference 1Z2) from the inner diameter constant. That is, the annular ratio (inner diameter Z outer diameter) and size (outer diameter) of the annular secondary light source change.
  • the zoom lens 9 has a function of enlarging or reducing the overall shape of the annular secondary light source in a similar manner. For example, by expanding the focal length of the zoom lens 9 to a predetermined value with the minimum value force, the entire shape of the annular secondary light source is similarly enlarged. In other words, due to the action of the zoom lens 9, both the width and size (outer diameter) of the annular zone of the annular secondary light source change without change. In this way, the annular ratio and size (outer diameter) of the annular secondary light source can be controlled by the action of the conical axicon system 8 and the zoom lens 9.
  • the polarization monitor 12 includes a first beam splitter 12a disposed in the optical path between the micro fly's eye lens 11 and the condenser optical system 13, and is incident on the first beam splitter 12a. It has a function of detecting the polarization state of light.
  • the control unit confirms that the illumination light to the mask M (and thus the wafer W) is in the desired polarization state or non-polarization state based on the detection result of the polarization monitor 12, the polarization state
  • the state of the illumination light to the mask M can be adjusted to a desired polarization state or a non-polarization state.
  • quadrupole illumination can be performed by setting a diffractive optical element for quadrupole illumination (not shown) in the illumination optical path instead of the diffractive optical element 5 for annular illumination.
  • a diffractive optical element for quadrupole illumination has a far-off structure when a parallel light beam having a rectangular cross section is incident. It has the function of forming a quadrupole light intensity distribution in the field. Therefore, the light beam that has passed through the diffractive optical element for quadrupole illumination has a quadrupole illumination field on the entrance surface of the micro fly's eye lens 11 that also has, for example, four circular illumination fields centered on the optical axis AX. Form.
  • the same quadrupole secondary light source as the illumination field formed on the incident surface is also formed at or near the rear focal plane of the micro fly's eye lens 11.
  • the diffractive optical element for circular illumination has a function of forming a circular light intensity distribution in the far field when a parallel light beam having a rectangular cross section is incident. Therefore, the light beam that has passed through the diffractive optical element for circular illumination forms, for example, a circular illumination field around the optical axis AX on the incident surface of the micro fly's eye lens 11. As a result, a secondary light source having the same circular shape as the illumination field formed on the incident surface is also formed at or near the rear focal plane of the micro fly's eye 11.
  • diffractive optical element 5 for annular illumination instead of the diffractive optical element 5 for annular illumination, other diffractive optical elements (not shown) for multi-pole illumination are set in the illumination optical path, so that various multi-pole illuminations (2 Polar lighting, 8-pole lighting, etc.).
  • various forms of modified illumination can be performed by setting a diffractive optical element (not shown) having appropriate characteristics in the illumination optical path instead of the diffractive optical element 5 for annular illumination. it can.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration of the polarization conversion element of FIG.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the optical rotation of quartz.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing an annular secondary light source that is set in a circumferential polarization state by the action of the polarization conversion element.
  • the polarization conversion element 10 according to the present embodiment is disposed immediately before the micro fly's eye lens 11, that is, in the vicinity of the pupil of the illumination optical device (1 to PL) or in the vicinity thereof. Therefore, in the case of annular illumination, a light beam having a substantially annular cross section around the optical axis AX is incident on the polarization conversion element 10.
  • the polarization conversion element 10 as a whole has a ring-shaped effective area centered on the optical axis AX, and the ring-shaped effective area is a circumferential direction centered on the optical axis AX. It consists of eight fan-shaped basic elements that are equally divided into two! These eight basic elements The pair of basic elements facing each other across the optical axis AX have the same characteristics. In other words, the eight basic elements contain four types of basic elements 10A to 10: L0D, each having a different thickness (length in the optical axis direction) along the light transmission direction (Y direction). .
  • the thickness of the fourth basic element 10D where the thickness of the first basic element 10A is the largest is the thickness of the second basic element 10B where the thickness of the fourth basic element 10D is the smallest. Is also set large.
  • one surface (for example, the entrance surface) of the polarization conversion element 10 is planar, but the other surface (for example, the exit surface) is uneven due to the difference in thickness of each of the basic elements 10A to L0D. Yes.
  • both surfaces (incident surface and exit surface) of the polarization conversion element 10 can be formed in an uneven shape.
  • each basic element 10A ⁇ : LOD is composed of quartz that is an optical material having optical rotation
  • the crystal optical axis of each basic element 10A ⁇ : LOD substantially coincides with the optical axis AX.
  • a parallel flat plate-like optical member 100 made of quartz having a thickness d is arranged so that its crystal optical axis and optical axis AX coincide.
  • the incident linearly polarized light is emitted in a state in which the polarization direction is rotated by about ⁇ around the optical axis AX.
  • the rotation angle (rotation angle) ⁇ in the polarization direction due to the optical rotation of the optical member 100 is expressed by the following equation (1) according to the thickness d of the optical member 100 and the optical rotation power p of the crystal. .
  • the optical rotatory power p of quartz has a wavelength dependency (a property in which the value of optical rotatory power varies depending on the wavelength of light used: optical rotatory dispersion), and specifically, it tends to increase as the wavelength of light used decreases. is there.
  • the optical rotation power / 0 of quartz for light having a wavelength of 250.3 nm is 153.9 ° Zmm.
  • the first basic element 10A when linearly polarized light having a polarization direction in the Z direction is incident, the first basic element 10A is polarized in the direction obtained by rotating the Z direction by +180 degrees around the Y axis, that is, in the Z direction.
  • the thickness dA is set to emit linearly polarized light having a direction. Therefore, in this case, the annular secondary light source 31 shown in FIG. 4 passes through the pair of arc-shaped regions 31 A formed by the light beam that has undergone the optical rotation of the pair of first basic elements 10 A. Luminous flux deviation The light direction is the z direction.
  • the Z direction is rotated by +135 degrees around the Y axis, that is, the Z direction is around the Y axis.
  • the thickness dB is set so that linearly polarized light having a polarization direction in the direction of rotation is emitted. Therefore, in this case, in the annular secondary light source 31 shown in FIG. 4, the polarization direction of the light beam passing through the pair of arcuate regions 31B formed by the light beam subjected to the optical rotation of the pair of second basic elements 10B is The Z direction is rotated by -45 degrees around the Y axis.
  • the third basic element 10C is a linearly polarized light having a polarization direction in the X direction, that is, a direction obtained by rotating the Z direction around the Y axis by +90 degrees.
  • the thickness dC is set so as to emit light. Therefore, in this case, of the annular secondary light source 31 shown in FIG. 4, the polarization of the light beam passing through the pair of arcuate regions 31C formed by the light bundle subjected to the optical rotation of the pair of third basic elements 10C.
  • the direction is the X direction.
  • the fourth basic element 10D When linearly polarized light having a polarization direction in the Z direction is incident, the fourth basic element 10D emits linearly polarized light having a polarization direction in the direction obtained by rotating the Z direction by +45 degrees around the Y axis. Thickness dD is set to project. Therefore, in this case, in the annular secondary light source 31 shown in FIG. 4, the polarization direction of the light beam passing through the pair of arcuate regions 31D formed by the light beam subjected to the optical rotation of the pair of fourth basic elements 10D is The Z direction is rotated +45 degrees around the Y axis.
  • the polarization conversion element 10 can be obtained by combining eight separately formed basic elements, or by forming the required concavo-convex shape (step) on a plane-parallel crystal substrate.
  • the polarization conversion element 10 can also be obtained.
  • the effective area of the polarization conversion element 10 has a radial size of 1Z3 or more and an optical rotation.
  • a circular central region 10E having no property is provided.
  • the central region 10E may be formed of an optical material that does not have optical rotation, such as quartz, or may simply be a circular opening.
  • the central region 10E is not an essential element for the polarization conversion element 10.
  • the depolarizer 4 of the polarization state switching unit 4 in the circumferential polarization annular illumination (modified illumination in which the light beam passing through the annular secondary light source is set in the circumferential polarization state).
  • the illumination optical path force By retracting c the illumination optical path force and adjusting the angle position of the crystal optical axis of the 1Z2 wave plate 4b around the optical axis to make the Z direction polarized light incident on the diffractive optical element 5 for annular illumination, the Z direction Then, linearly polarized light having a polarization direction is incident on the polarization conversion element 10.
  • annular secondary light source (annular illumination pupil distribution) 31 is formed at or near the rear focal plane of the micro fly's eye lens 11, as shown in FIG.
  • the light beam passing through the secondary light source 31 is set in the circumferential polarization state.
  • the light beams passing through the arc-shaped regions 31A to 31D constituting the annular light source 31 have the optical axis AX at the center position along the circumferential direction of each of the arc-shaped regions 31A to 31D.
  • a linear polarization state having a polarization direction substantially coincident with the tangential direction of the center circle is obtained.
  • linearly polarized light having a polarization direction in a substantially single direction light in a circumferential polarization state having a polarization direction in a substantially circumferential direction, or a diameter having a polarization direction in a substantially radial direction.
  • a ring-shaped secondary light source 31 in a circumferential polarization state that substantially does not cause a loss of light amount can be formed.
  • the light irradiated on the wafer W as the final irradiated surface becomes a polarization state mainly composed of S polarization.
  • S-polarized light is linearly polarized light having a polarization direction in a direction perpendicular to the incident surface (polarized light having an electric vector oscillating in a direction perpendicular to the incident surface).
  • the incident surface is defined as a surface that includes the normal of the boundary surface at that point and the incident direction of light when the light reaches the boundary surface of the medium (irradiated surface: the surface of the wafer W).
  • circumferentially polarized annular illumination can improve the optical performance (such as depth of focus) of the projection optical system, and can be used on a wafer (photosensitive substrate)!
  • light that is incident on the wafer W is mainly composed of S-polarized light even in illumination based on a multipolar illumination pupil distribution in a circumferentially polarized state, without being limited to annular illumination.
  • a diffractive optical element for multipole illumination (2-pole illumination, 4-pole illumination, 8-pole illumination, etc.) is set as the illumination optical path, and the depolarizer 4c is illuminated.
  • Polarization is performed in the Z direction by retracting the optical path force and adjusting the angular position of the 1Z2 wave plate 4b around the optical axis of the crystal optical axis so that it is incident on the diffractive optical element for multipole illumination.
  • Linearly polarized light having a direction is incident on the polarization conversion element 10.
  • the light incident on the wafer W is mainly S-polarized light. It becomes a polarization state as a component, and a high-contrast mask pattern image can be obtained on the wafer W.
  • polarization state switching section (4: 4a, 4b, 4c) and polarization conversion element 10
  • those proposed in International Application No. PCTZJPZ2005Z000407 can be applied.
  • a diffractive optical element as a light beam shape conversion element for forming a predetermined light intensity distribution such as a zonal shape, a circular shape, or a multipolar shape at or near the pupil plane of an illumination optical device, it is published internationally.
  • the light flux conversion element and the polarization conversion element disclosed in the pamphlet of WO2005Z050718 may be applied. In this case, it is preferable to remove the existing polarization conversion element 10 from the optical path, but it can be applied in combination with the polarization conversion element 10.
  • the illumination optical apparatus (1 to 15) of the present embodiment that illuminates the mask M as the irradiation surface based on the light having the polarization degree of 0.9 or more supplied from the light source 1.
  • the light transmissive member disposed in the illumination light path is generally held in a form that is sandwiched from both sides by a cylindrical spacing ring in the lens barrel.
  • the light transmission member is continuously supported along an annular region centered on the optical axis.
  • the light transmitting member is not continuously supported along the annular region due to the manufacturing error of the end face of the spacing ring (surface that contacts the light transmitting member).
  • it is supported by a plurality of point regions (especially intended regions).
  • one optical surface side of the light transmitting member 50 is supported at three points by the three regions 51a to 51c, and the light transmitting member 50 is used.
  • the other optical surface side is supported at three points by three regions 52a to 52c substantially opposite to the three regions 51a to 51c.
  • the position of the three forces F3 acting on the one optical surface side of the light transmitting member 50 from the outside and the position of the three forces F4 acting on the other optical surface side of the light transmitting member 50 from the outside are provided. Almost matches.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing a configuration of a holding member that supports the light transmission member from three sides from both sides in the present embodiment.
  • the holding member of this embodiment is a light transmitting member 60 to be held.
  • a first spacing ring 71 having three support portions 71a to 71c for supporting one of the optical surfaces (upper side in FIG. 7) at three points in three regions (corresponding to 51a to 51c in FIG. 6);
  • a second interval having three support portions 72a to 72c for supporting the other optical surface side (lower side in FIG. 7) of the transmission member 60 in three areas (corresponding to 52a to 52c in FIG. 6).
  • Ring 72 is a diagram schematically showing a configuration of a holding member that supports the light transmission member from three sides from both sides in the present embodiment.
  • the holding member of this embodiment is a light transmitting member 60 to be held.
  • a first spacing ring 71 having three support portions 71a to 71c for supporting one of the optical surfaces (upper side in FIG. 7) at three points
  • the three support portions 71a to 71c of the first interval ring 71 are provided at substantially equal angular intervals, and the three support portions 72a to 72c of the second interval ring 72 are also provided at substantially equal angular intervals.
  • the first spacing ring 71 and the second spacing ring 72 are such that the support portion 71a and the support portion 72a are substantially opposed to each other, and consequently the support portions 71b and 71c and the support portions 72b and 72c are substantially opposite to each other. So that it is positioned. In this way, the light transmitting member 60 is supported by the holding force (71, 72) at three points on both sides in almost three regions facing each other.
  • a required light transmitting member (generally at least one light transmitting member) among the light transmitting members disposed in the optical path. ) Is supported at three points from both sides in almost opposite areas. In this case, only a stress distribution concentrated in the supporting region of the light transmitting member is generated, and no substantial stress distribution is generated in the effective region of the light transmitting member. As a result, almost no birefringence due to the stress distribution occurs, and as a result, the polarization state of the light passing therethrough hardly changes due to the birefringence.
  • the change of the polarization state of light in the optical path is satisfactorily suppressed, and the surface to be irradiated is irradiated with light in a desired polarization state or non-polarization state.
  • All masks M and thus wafer W) can be illuminated. Therefore, in the exposure apparatus of the present embodiment, the illumination optical apparatus (1 to 15) that illuminates the mask M as the irradiated surface with light in a desired polarization state or non-polarization state, and a desired pattern according to the mask pattern.
  • a fine pattern can be faithfully transferred onto a wafer (photosensitive substrate) W based on illumination conditions.
  • the light transmitting member disposed in the optical path between the micro fly's eye lens 11 as the optical integrator and the mask M as the irradiated surface is easily increased in size in the radial direction.
  • the polarization state of the light passing therethrough is likely to change due to the birefringence. Therefore, the change in the polarization state of light in the optical path
  • a relatively large light transmitting member in the radial direction is used. It is preferable that three points are supported by the holding member.
  • the average birefringence in the effective region of the light transmitting member in the state supported by the holding member at three points is preferably 2 nmZcm or less.
  • the average birefringence is not more than InmZcm.
  • each of the support portions (71a to 71c, 71a, 71c, 71b, 71b, 71b, 71b, 71b, 71c, 71b, 71c 72a to 72c) are preferably movable or flexible in the radial direction of a circle centering on the optical axis.
  • Japanese Patent Laid-Open No. 2002-131605 can be referred to for an example of mechanically imparting radial mobility to the support end of the support portion.
  • each support portion may be provided so that stress is not easily generated in the radial direction of the light transmitting member, and each support portion can be configured to be rotatable with respect to the frame body.
  • each support portion can be configured to be rotatable with respect to the frame (lens cell).
  • the light transmitting member 61 adjacent to the light transmitting member 60 is arranged at three points from both sides in three regions that are substantially opposed by the holding members (72, 73).
  • the three-point support position of the light transmitting member 60 by the holding member (71, 72) and the three-point support position of the light transmitting member 61 by the holding member (72, 73) may be displaced around the optical axis. It is preferable. With this configuration, it is possible to disperse the influence of the three-point support of a plurality of light transmitting members in the angular direction around the optical axis, and thus it is possible to satisfactorily suppress changes in the polarization state of light in the optical path. . This point is generally the same for a plurality of light transmitting members without being limited between adjacent light transmitting members.
  • the light transmission member is supported by the holding member at three points on both sides in three regions substantially facing each other.
  • it is not limited to this.
  • a modification in which only the optical surface side of the light transmitting member is supported at three points in three regions by using the brazing method disclosed in Japanese Utility Model Publication No. 11-228192 is also possible.
  • a linearly polarized light having a polarization direction in the X direction is incident on the polarization conversion element 10, whereby the light beam that passes through the annular secondary light source 32 as shown in FIG. Can be set to a radially polarized state, and radially polarized annular illumination (modified illumination in which the light beam passing through the annular secondary light source is set to the radially polarized state) can be performed.
  • Radial direction In the polarization state the light beams passing through the arc-shaped regions 32A to 32D constituting the annular secondary light source 32 are at the center positions along the circumferential direction of the respective arc-shaped regions 32A to 32D. It becomes a linearly polarized state having a polarization direction almost coincident with the radius method of the circle centered on the optical axis AX.
  • the light irradiated on the wafer W as the final irradiated surface changes to a polarized state mainly composed of P-polarized light.
  • P-polarized light is linearly polarized light having a polarization direction in a direction parallel to the incident surface defined as described above (polarized light whose electric vector vibrates in a direction parallel to the incident surface). It is.
  • the radial polarization annular illumination it is possible to obtain a good mask pattern on the wafer (photosensitive substrate) while suppressing the light reflectance of the resist applied to the wafers W and W to be small.
  • the light beam incident on the polarization conversion element 10 is switched between the linear polarization state having the polarization direction in the Z direction and the linear polarization state having the polarization direction in the X direction.
  • the circumferential polarization annular illumination and the radial polarization annular illumination are realized.
  • the present invention is not limited to this.
  • the polarization conversion element 10 is connected to the first state and the optical axis AX shown in FIG. By switching between the second state rotated by 90 degrees around, it is also possible to realize circumferential polarization annular illumination and radial polarization illumination.
  • the polarization conversion element 10 is disposed immediately before the micro fly's eye lens 11.
  • the present invention is not limited to this, for example, the pupil of the projection optical system PL or its vicinity, the pupil of the imaging optical system 15 or its vicinity, or immediately before the conical axicon system 8 (the pupil of the afocal lens 6 or the vicinity thereof). Place the polarization conversion element 10 in the vicinity) Say it with a word.
  • the polarization conversion element 10 is arranged in the projection optical system PL or the imaging optical system 15, the required effective diameter of the polarization conversion element 10 tends to be large, so that a high-quality and large quartz substrate can be obtained. Considering the current situation where is difficult, it is not preferable. Also, if the polarization conversion element 10 is placed immediately before the conical axicon system 8, the required effective diameter of the polarization conversion element 10 can be kept small. During this period, the distance to the wafer W, which is the final irradiated surface, increases. This is not preferable because an element that changes the polarization state such as an antireflection coating of a lens or a reflection film of a mirror is likely to be interposed in the optical path.
  • the difference in reflectance easily occurs depending on the polarization state (P-polarized light and S-polarized light) and the incident angle, and the light polarization state is likely to change.
  • At least one surface (for example, the exit surface) of the polarization conversion element 10 is formed in an uneven shape, and as a result, the polarization conversion element 10 changes discretely (discontinuously) in the circumferential direction. Thickness distribution.
  • at least one surface (e.g., exit surface) of the polarization conversion element 10 so that the polarization conversion element 10 has a thickness distribution that changes substantially discontinuously in the circumferential direction. ) Can be formed into a curved surface.
  • the polarization conversion element 10 is configured by eight fan-shaped basic elements corresponding to eight divisions of the ring-shaped effective region.
  • the present invention is not limited to this.
  • it corresponds to eight sector-shaped basic elements corresponding to eight divisions of a circular effective area, or four divisions of a circular or annular effective area 4
  • the polarization conversion element 10 can also be configured by one fan-shaped basic element or by 16 fan-shaped basic elements corresponding to 16 divisions of a circular or ring-shaped effective area.
  • various modifications can be made to the shape of the effective area of the polarization conversion element 10 and the number of divisions of the effective area (number of basic elements).
  • each basic element 10A ⁇ : LOD (and thus the polarization conversion element 10) is formed using quartz.
  • each basic element can also be formed using other suitable optical materials having optical rotation without being limited thereto.
  • the polarization conversion element 10 is fixedly provided with respect to the illumination optical path. However, the polarization conversion element 10 may be provided so as to be detachable from the illumination optical path.
  • S-polarized light and annular illumination for wafer W are combined.
  • S-polarized light for wafer W and W are combined with multipolar illumination such as dipole and quadrupole, and circular illumination. May be combined.
  • the illumination conditions for the mask M and the imaging conditions for the wafer W are automatically set according to the pattern type of the mask M, for example. Can do.
  • the optical system illumination optical system or projection optical system
  • the polarization direction may change due to this polarization aberration.
  • the direction of the polarization plane rotated by the polarization conversion element 10 may be set in consideration of the influence of the polarization aberration of these optical systems.
  • a reflecting member is disposed in the optical path on the wafer W side with respect to the polarization conversion element 10
  • a phase difference may occur for each polarization direction reflected by the reflecting member.
  • the direction of the polarization plane rotated by the polarization conversion element 10 may be set in consideration of the phase difference of the light beam caused by the polarization characteristics of the reflection surface. Further, adjustment may be performed using each of the wave plates 4a and 4b so that a desired polarization state is obtained on the incident surface of the polarization conversion element 10.
  • An internal reflection type rod integrator as disclosed in Japanese Patent No. 1 may be applied.
  • one of at least one light transmitting member (5, 6, 11, 13R, 16, 18) of the optical members in the optical path between the polarization control member 4 as the polarization setting unit and the irradiated surface It is preferable to support three points on the optical surface side in three regions.
  • a substantially uniform illumination region formed on the exit surface of the rod-type integrator.
  • a polarization selection member is disposed in the vicinity of the device. In such a case, one optical surface side of at least one light transmitting member among the optical members in the optical path between the polarization selecting member 10 as the polarization setting unit and the irradiated surface is divided into three regions. It is preferable to support at three points.
  • an illumination imaging optical system for guiding a substantially uniform illumination region formed on the exit surface of the rod integrator to the irradiated surface
  • a polarization conversion member that converts non-polarized light to linearly polarized light is disposed in the vicinity of the pupil position, the polarization conversion member 22 as the polarization setting unit and the optical member in the optical path between the irradiated surface It is preferable to support one optical surface side of at least one light transmitting member at three points in three regions.
  • the illumination optical device illuminates the mask (reticle) (illumination process), and the transfer pattern formed on the mask using the projection optical system is applied to the photosensitive substrate.
  • Microdevices semiconductor elements, imaging elements, liquid crystal display elements, thin film magnetic heads, etc.
  • exposure process exposure process
  • a metal film is deposited on one lot of wafers.
  • a photoresist is applied onto the metal film on the one lot of wafers.
  • the pattern image on the mask is sequentially exposed and transferred to each shot area on the wafer of one lot via the projection optical system.
  • the photoresist on the one lot of wafers is developed, and in step 305, the resist pattern is used as an etching mask on the one lot of wafers.
  • a circuit pattern force corresponding to each is formed in each shot area on each wafer.
  • a device pattern such as a semiconductor element is manufactured by forming a circuit pattern of an upper layer. According to the semiconductor device manufacturing method described above, a semiconductor device having an extremely fine circuit pattern can be obtained with high throughput.
  • a predetermined pattern is formed on the plate (glass substrate).
  • a liquid crystal display element as a microdevice can also be obtained.
  • a so-called photolithography process is performed in which the exposure pattern of the above-described embodiment is used to transfer and expose a mask pattern onto a photosensitive substrate (such as a glass substrate coated with a resist).
  • a predetermined pattern including a large number of electrodes and the like is formed on the photosensitive substrate.
  • the exposed substrate is subjected to a development process, an etching process, a resist stripping process, and the like, whereby a predetermined pattern is formed on the substrate, and the process proceeds to the next color filter forming process 402.
  • a large number of sets of three dots corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a matrix, or R, G, A color filter is formed by arranging a set of filters of the three stripes B in the horizontal scanning line direction.
  • a cell assembling step 403 is executed.
  • a liquid crystal panel liquid crystal cell
  • liquid crystal is injected between the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern formation step 401 and the color filter obtained in the color filter formation step 402, so that the liquid crystal Manufactures panels (liquid crystal cells).
  • the module assembling step 404 components such as an electric circuit and a backlight for performing display operation of the assembled liquid crystal panel (liquid crystal cell) are attached to complete the liquid crystal display element.
  • a liquid crystal display element having an extremely fine circuit pattern can be obtained with high throughput.
  • the force using KrF excimer laser light (wavelength: 248 nm) or ArF excimer laser light (wavelength: 193 nm) as the exposure light is not limited to this, and other suitable Laser light source, for example, F laser light that supplies laser light with a wavelength of 157 nm
  • the present invention can be applied to two sources. Furthermore, in the above-described embodiment, the present invention has been described by taking an exposure apparatus provided with an illumination optical apparatus as an example. It is obvious that the present invention can be applied to a general illumination optical device for lighting.
  • a method of filling the optical path between the projection optical system and the photosensitive substrate with a medium having a refractive index larger than 1.1 may apply.
  • a method for filling the liquid in the optical path between the projection optical system and the photosensitive substrate a method for locally filling the liquid as disclosed in International Publication No. WO99Z49504, A method of moving a stage holding a substrate to be exposed as disclosed in Japanese Patent No. 124873 in a liquid tank, or a predetermined stage on such a stage as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 10-303114.
  • a method can be employed in which a liquid tank having a depth is formed and the substrate is held in the tank.
  • the liquid it is preferable to use a liquid that is stable with respect to a projection optical system that is transparent to exposure light and has a refractive index as high as possible, and a photoresist that is applied to the substrate surface.
  • a liquid that is stable with respect to a projection optical system that is transparent to exposure light and has a refractive index as high as possible, and a photoresist that is applied to the substrate surface.
  • KrF excimer laser light or ArF excimer laser light is used as exposure light
  • pure water or deionized water can be used as the liquid.
  • F laser light use a fluorine-based liquid that can transmit the F laser light, such as fluorine-based polyethylene or perfluorinated polyether (PFPE)! ,.
  • PFPE perfluorinated polyether

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
  • Projection-Type Copiers In General (AREA)

Abstract

　光路中における光の偏光状態の変化を良好に抑えて、所望の偏光状態または非偏光状態の光で被照射面を照明することのできる照明光学装置。光源（１）から供給される０．９以上の偏光度を有する光に基づいて被照射面（Ｍ）を照明する照明光学装置。光源と被照射面との間の光路中に配置されて被照射面に達する光の偏光状態を所定の偏光状態に設定するための偏光設定部（４，１０）と、光源と被照射面との間の光路中の光学系を構成する少なくとも１つの光透過部材の一方の光学面側を３つの領域で三点支持するための保持部材とを備えている。

Description

明 細 書
照明光学装置、露光装置、および露光方法
技術分野
[0001] 本発明は、照明光学装置、露光装置、および露光方法に関し、特に半導体素子、 撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスをリソグラフィー工程 で製造するための露光装置に関するものである。
背景技術
[0002] この種の典型的な露光装置においては、光源力 射出された光束力 オプティカル インテグレータとしてのフライアイレンズを介して、多数の光源カゝらなる実質的な面光 源としての二次光源を形成する。二次光源 (一般には、照明光学装置の照明瞳また はその近傍に形成される照明瞳分布)からの光束は、フライアイレンズの後側焦点面 の近傍に配置された開口絞りを介して制限された後、コンデンサーレンズに入射する
[0003] コンデンサーレンズにより集光された光束は、所定のパターンが形成されたマスクを 重畳的に照明する。マスクのパターンを透過した光は、投影光学系を介してウェハ上 に結像する。こうして、ウェハ上には、マスクパターンが投影露光 (転写）される。なお 、マスクに形成されたパターンは高集積ィ匕されており、この微細パターンをウェハ上 に正確に転写するにはウェハ上において均一な照度分布を得ることが不可欠である
[0004] たとえば本出願人の出願に力かる特許第 3246615号公報には、任意方向の微細 ノターンを忠実に転写するのに適した照明条件を実現するために、フライアイレンズ の後側焦点面に輪帯状の二次光源を形成し、この輪帯状の二次光源を通過する光 束がその周方向を偏光方向とする直線偏光状態 (以下、略して「周方向偏光状態」と V、う）になるように設定する技術が開示されて!、る。
[0005] 特許文献 1 :特許第 3246615号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題 [0006] 上述の周方向偏光状態に限定されることなぐ特定の直線偏光状態の光を用いて 投影露光を行うことは、投影光学系の解像度向上に有効である。さら〖こ一般的〖こは、 マスクパターンに応じて特定の偏光状態または非偏光状態の光を用いて投影露光を 行うことは、投影光学系の解像度向上に有効である。
[0007] し力しながら、所望の偏光状態または非偏光状態の光でマスク（ひ 、てはウェハ）を 照明しょうとしても、照明光路中に光の偏光状態を変化させる光学素子が介在すると 、所望の偏光状態または非偏光状態で結像しなくなり、ひいては結像性能が悪ィ匕す る可能性がある。特に、光源とマスクとの間の照明光路中に配置されたレンズや平行 平面板のような光透過部材では、外部から力が作用すると複屈折性が発生し、この 複屈折性に起因して通過する光の偏光状態が変化する。
[0008] 本発明は、光路中における光の偏光状態の変化を良好に抑えて、所望の偏光状 態または非偏光状態の光で被照射面を照明することのできる照明光学装置を提供 することを目的とする。
[0009] また、本発明は、所望の偏光状態または非偏光状態の光で被照射面としてのマス クを照明する照明光学装置を用いて、マスクパターンに応じた所望の照明条件に基 づいて微細パターンを感光性基板上に忠実に転写することのできる露光装置および 露光方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0010] 前記目的を達成するために、本発明の第 1形態では、被照射面を照明する照明光 学装置において、
0. 9以上の偏光度を有する光を供給する光源と前記被照射面との間の光路中に 配置されて、前記被照射面に達する光の偏光状態を所定の偏光状態に設定するた めの偏光設定部と、
前記光源と前記被照射面との間の光路中の光学系を構成する少なくとも 1つの光 透過部材の一方の光学面側を 3つの領域で三点支持するための保持部材とを備え ていることを特徴とする照明光学装置を提供する。
[0011] 本発明の第 2形態では、マスクを照明するための第 1形態の照明光学装置を備え、 前記マスクのパターンを感光性基板上に露光することを特徴とする露光装置を提供 する。
[0012] 本発明の第 3形態では、第 1形態の照明光学装置を用いてマスクを照明する照明 工程と、前記マスクのパターンを感光性基板上に露光する露光工程とを含むことを特 徴とする露光方法を提供する。
発明の効果
[0013] 本発明の典型的な形態にしたがう照明光学装置では、光路中に配置された光透過 部材のうちの所要の光透過部材 (一般的には少なくとも 1つの光透過部材)を、ほぼ 対向する 3つの領域で両側力ゝら三点支持している。この場合、光透過部材の支持領 域に集中した応力分布が生じるだけで、光透過部材の有効領域には実質的な応力 分布が生じない。その結果、応力分布による複屈折性がほとんど発生することなぐ ひいては複屈折性に起因して通過する光の偏光状態がほとんど変化することがない
[0014] こうして、本発明の照明光学装置では、光路中における光の偏光状態の変化を良 好に抑えて、所望の偏光状態または非偏光状態の光で被照射面を照明することがで きる。したがって、本発明の露光装置および露光方法では、所望の偏光状態または 非偏光状態の光で被照射面としてのマスクを照明する照明光学装置を用いて、マス クパターンに応じた所望の照明条件に基づいて微細パターンを感光性基板上に忠 実に転写することができ、ひいては良好なデバイスを製造することができる。
図面の簡単な説明
[0015] [図 1]本発明の実施形態に力かる露光装置の構成を概略的に示す図である。
[図 2]図 1の偏光変換素子の構成を概略的に示す図である。
[図 3]水晶の旋光性について説明する図である。
[図 4]偏光変換素子の作用により周方向偏光状態に設定された輪帯状の二次光源を 概略的に示す図である。
[図 5]従来技術において光透過部材に外部から作用する力および光透過部材に発 生する応力分布を模式的に示す図である。
[図 6]本実施形態において光透過部材に外部から作用する力および光透過部材に 発生する応力分布を模式的に示す図である。 [図 7]本実施形態において光透過部材を両側力 三点支持する保持部材の構成を 概略的に示す図である。
[図 8]偏光変換素子の作用により径方向偏光状態に設定された輪帯状の二次光源を 概略的に示す図である。
[図 9]マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法のフローチャートであ る。
[図 10]マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る際の手法のフローチャートである 発明を実施するための最良の形態
[0016] 本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図 1は、本発明の実施形態 にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図 1において、感光性基板であ るウェハ Wの法線方向に沿つて Z軸を、ウェハ Wの面内において図 1の紙面に平行な 方向に Y軸を、ウェハ Wの面内において図 1の紙面に垂直な方向に X軸をそれぞれ 設定している。図 1を参照すると、本実施形態の露光装置は、露光光 (照明光)を供 給するための光源 1を備えている。
[0017] 光源 1として、たとえば 248nmの波長の光を供給する KrFエキシマレーザ光源や 1 93nmの波長の光を供給する ArFエキシマレーザ光源などを用いることができる。光 源 1から Z方向に沿って射出されたほぼ平行な光束は、 X方向に沿って細長く延びた 矩形状の断面を有し、一対のレンズ 2aおよび 2bからなるビームエキスパンダー 2に 入射する。各レンズ 2aおよび 2bは、図 1の紙面内（YZ平面内）において負の屈折力 および正の屈折力をそれぞれ有する。したがって、ビームエキスパンダー 2に入射し た光束は、図 1の紙面内において拡大され、所定の矩形状の断面を有する光束に整 形される。
[0018] 整形光学系としてのビームエキスパンダー 2を介したほぼ平行な光束は、折り曲げミ ラー 3で Y方向に偏向された後、 1Z4波長板 4a、 1Z2波長板 4b、デボラライザ (非 偏光化素子) 4c、および輪帯照明用の回折光学素子 5を介して、ァフォーカルレンズ 6に入射する。ここで、 1Z4波長板 4a、 1Z2波長板 4b、およびデボラライザ 4cは、 後述するように、偏光状態切換部 4を構成している。ァフォーカルレンズ 6は、前側レ ンズ群 6aの前側焦点位置と回折光学素子 5の位置とがほぼ一致し且つ後側レンズ 群 6bの後側焦点位置と図中破線で示す所定面 7の位置とがほぼ一致するように設 定されたァフォーカル系（無焦点光学系）である。
[0019] 一般に、回折光学素子は、基板に露光光 (照明光)の波長程度のピッチを有する段 差を形成することによって構成され、入射ビームを所望の角度に回折する作用を有 する。具体的には、輪帯照明用の回折光学素子 5は、矩形状の断面を有する平行光 束が入射した場合に、そのファーフィールド (またはフラウンホーファー回折領域）に 輪帯状の光強度分布を形成する機能を有する。
[0020] したがって、光束変換素子としての回折光学素子 5に入射したほぼ平行光束は、ァ フォーカルレンズ 6の瞳面に輪帯状の光強度分布を形成した後、輪帯状の角度分布 でァフォーカルレンズ 6から射出される。なお、ァフォーカルレンズ 6の前側レンズ群 6 aと後側レンズ群 6bとの間の光路中においてその瞳面またはその近傍には、円錐ァ キシコン系 8が配置されている力 その詳細な構成および作用については後述する。 以下、説明を簡単にするために、円錐アキシコン系 8の作用を無視して、基本的な構 成および作用を説明する。
[0021] ァフォーカルレンズ 6を介した光束は、 σ値可変用のズームレンズ 9および偏光変 換素子 10を介して、オプティカルインテグレータとしてのマイクロフライアイレンズ (ま たはフライアイレンズ） 11に入射する。偏光変換素子 10の構成および作用について は後述する。マイクロフライアイレンズ 11は、縦横に且つ稠密に配列された多数の正 屈折力を有する微小レンズからなる光学素子である。一般に、マイクロフライアイレン ズは、たとえば平行平面板にエッチング処理を施して微小レンズ群を形成することに よって構成される。
[0022] ここで、マイクロフライアイレンズを構成する各微小レンズは、フライアイレンズを構 成する各レンズエレメントよりも微小である。また、マイクロフライアイレンズは、互いに 隔絶されたレンズエレメントからなるフライアイレンズとは異なり、多数の微小レンズ（ 微小屈折面）が互いに隔絶されることなく一体的に形成されている。し力しながら、正 屈折力を有するレンズ要素が縦横に配置されている点でマイクロフライアイレンズは フライアイレンズと同じ波面分割型のオプティカルインテグレータである。 [0023] 所定面 7の位置はズームレンズ 9の前側焦点位置の近傍に配置され、マイクロフラ ィアイレンズ 11の入射面はズームレンズ 9の後側焦点位置の近傍に配置されて 、る 。換言すると、ズームレンズ 9は、所定面 7とマイクロフライアイレンズ 11の入射面とを 実質的にフーリエ変換の関係に配置し、ひいてはァフォーカルレンズ 6の瞳面とマイ クロフライアイレンズ 11の入射面とを光学的にほぼ共役に配置している。
[0024] したがって、マイクロフライアイレンズ 11の入射面上には、ァフォーカルレンズ 6の瞳 面と同様に、たとえば光軸 AXを中心とした輪帯状の照野が形成される。この輪帯状 の照野の全体形状は、ズームレンズ 9の焦点距離に依存して相似的に変化する。マ イク口フライアイレンズ 11を構成する各微小レンズは、マスク M上において形成すベ き照野の形状 (ひ 、てはウェハ W上にぉ 、て形成すべき露光領域の形状）と相似な 矩形状の断面を有する。
[0025] マイクロフライアイレンズ 11に入射した光束は多数の微小レンズにより二次元的に 分割され、その後側焦点面またはその近傍 (ひいては照明瞳）には、入射光束によつ て形成される照野とほぼ同じ光強度分布を有する二次光源、すなわち光軸 AXを中 心とした輪帯状の実質的な面光源カゝらなる二次光源が形成される。マイクロフライア ィレンズ 11の後側焦点面またはその近傍に形成された二次光源からの光束は、ビー ムスプリッター 12aおよびコンデンサー光学系 13を介した後、被照射面としてのマス ク Mまたはウェハ Wと光学的にほぼ共役な位置に配置されたマスクブラインド 14を重 畳的に照明する。
[0026] こうして、照明視野絞りとしてのマスクブラインド 14には、マイクロフライアイレンズ 11 を構成する各微小レンズの形状と焦点距離とに応じた矩形状の照野が形成される。 マスクブラインド 14の矩形状の開口部（光透過部）を介した光束は、結像光学系 15 の集光作用を受けた後、所定のパターンが形成されたマスク Mを重畳的に照明する 。すなわち、結像光学系 15は、被照射面としてのマスク Mまたはウェハ Wと光学的に ほぼ共役な位置に配置されたマスクブランド 14を介した光をマスク Mへ導き、マスク ブラインド 14の矩形状開口部の像をマスク M上に形成することになる。
[0027] マスク Mのパターンを透過した光束は、投影光学系 PLを介して、感光性基板であ るウェハ W上にマスクパターンの像を形成する。こうして、投影光学系 PLの光軸 AXと 直交する平面 (XY平面）内においてウェハ wを二次元的に駆動制御しながら一括露 光またはスキャン露光を行うことにより、ウェハ Wの各露光領域にはマスク Mのパター ンが逐次露光される。
[0028] なお、偏光状態切換部 4において、 1Z4波長板 4aは、光軸 AXを中心として結晶 光学軸が回転自在に構成されて、入射する楕円偏光の光を直線偏光の光に変換す る。また、 1Z2波長板 4bは、光軸 AXを中心として結晶光学軸が回転自在に構成さ れて、入射する直線偏光の偏光面を変化させる。また、デボラライザ 4cは、相補的な 形状を有する楔形状の水晶プリズムと楔形状の石英プリズムとにより構成されている 。水晶プリズムと石英プリズムとは、一体的なプリズム糸且立体として、照明光路に対し て揷脱自在に構成されて 、る。
[0029] 光源 1として KrFエキシマレーザ光源や ArFエキシマレーザ光源を用いる場合、こ れらの光源力も射出される光は典型的には 95%以上の偏光度を有し、 1Z4波長板 4aにはほぼ直線偏光の光が入射する。しカゝしながら、光源 1と偏光状態切換部 4との 間の光路中に裏面反射鏡としての直角プリズムが介在する場合、入射する直線偏光 の偏光面が P偏光面または S偏光面に一致していないと、直角プリズムでの全反射に より直線偏光が楕円偏光に変わる。
[0030] 偏光状態切換部 4では、たとえば直角プリズムでの全反射に起因して楕円偏光の 光が入射しても、 1Z4波長板 4aの作用により変換された直線偏光の光が 1Z2波長 板 4bに入射する。 1Z2波長板 4bの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対 して 0度または 90度の角度をなすように設定された場合、 1Z2波長板 4bに入射した 直線偏光の光は偏光面が変化することなくそのまま通過する。
[0031] また、 1Z2波長板 4bの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して 45度の 角度をなすように設定された場合、 1Z2波長板 4bに入射した直線偏光の光は偏光 面が 90度だけ変化した直線偏光の光に変換される。さらに、デボラライザ 4cの水晶 プリズムの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して 45度の角度をなすよう に設定された場合、水晶プリズムに入射した直線偏光の光は非偏光状態の光に変 換 (非偏光化)される。
[0032] 偏光状態切換部 4では、デボラライザ 4cが照明光路中に位置決めされたときに水 晶プリズムの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して 45度の角度をなす ように構成されている。ちなみに、水晶プリズムの結晶光学軸が入射する直線偏光の 偏光面に対して 0度または 90度の角度をなすように設定された場合、水晶プリズムに 入射した直線偏光の光は偏光面が変化することなくそのまま通過する。
[0033] 偏光状態切換部 4では、上述したように、直線偏光の光が 1Z2波長板 4bに入射す る力 以下の説明を簡単にするために、図 1において Z方向に偏光方向（電場の方向 )を有する直線偏光 (以下、「Z方向偏光」と称する）の光が 1Z2波長板 4bに入射す るものとする。デボラライザ 4cを照明光路中に位置決めした場合、 1Z2波長板 4bの 結晶光学軸を入射する Z方向偏光の偏光面 (偏光方向）に対して 0度または 90度の 角度をなすように設定すると、 1Z2波長板 4bに入射した Z方向偏光の光は偏光面が 変化することなく Z方向偏光のまま通過してデボラライザ 4cの水晶プリズムに入射す る。水晶プリズムの結晶光学軸は入射する Z方向偏光の偏光面に対して 45度の角度 をなすように設定されているので、水晶プリズムに入射した Z方向偏光の光は非偏光 状態の光に変換される。
[0034] 水晶プリズムを介して非偏光化された光は、光の進行方向を補償するためのコンペ ンセータとしての石英プリズムを介して、非偏光状態で回折光学素子 5に入射する。 一方、 1Z2波長板 4bの結晶光学軸を入射する Z方向偏光の偏光面に対して 45度 の角度をなすように設定すると、 1Z2波長板 4bに入射した Z方向偏光の光は偏光面 力^ 0度だけ変化し、図 1において X方向に偏光方向（電場の方向）を有する直線偏 光（以下、「X方向偏光」と称する）の光になってデボラライザ 4cの水晶プリズムに入 射する。水晶プリズムの結晶光学軸は入射する X方向偏光の偏光面に対しても 45度 の角度をなすように設定されているので、水晶プリズムに入射した X方向偏光の光は 非偏光状態の光に変換され、石英プリズムを介して、非偏光状態で回折光学素子 5 に入射する。
[0035] これに対し、デボラライザ 4cを照明光路力 退避させた場合、 1Z2波長板 4bの結 晶光学軸を入射する Z方向偏光の偏光面に対して 0度または 90度の角度をなすよう に設定すると、 1Z2波長板 4bに入射した Z方向偏光の光は偏光面が変化することな く Z方向偏光のまま通過し、 Z方向偏光状態で回折光学素子 5に入射する。一方、 1 Z2波長板 4bの結晶光学軸を入射する Z方向偏光の偏光面に対して 45度の角度を なすように設定すると、 1Z2波長板 4bに入射した Z方向偏光の光は偏光面が 90度 だけ変化して X方向偏光の光になり、 X方向偏光状態で回折光学素子 5に入射する
[0036] 以上のように、偏光状態切換部 4では、デボラライザ 4cを照明光路中に挿入して位 置決めすることにより、非偏光状態の光を回折光学素子 5に入射させることができる。 また、デボラライザ 4cを照明光路力 退避させ且つ 1Z2波長板 4bの結晶光学軸を 入射する Z方向偏光の偏光面に対して 0度または 90度の角度をなすように設定する ことにより、 Z方向偏光状態の光を回折光学素子 5に入射させることができる。さらに、 デボラライザ 4cを照明光路から退避させ且つ 1Z2波長板 4bの結晶光学軸を入射す る Z方向偏光の偏光面に対して 45度をなすように設定することにより、 X方向偏光状 態の光を回折光学素子 5に入射させることができる。
[0037] 換言すれば、偏光状態切換部 4では、 1Z4波長板 4aと 1Z2波長板 4bとデポララ ィザ 4cとからなる偏光状態切換部の作用により、回折光学素子 5への入射光の偏光 状態 (ひいてはマスク Mおよびウェハ Wを照明する光の偏光状態)を直線偏光状態と 非偏光状態との間で切り換えることができ、直線偏光状態の場合には互いに直交す る偏光状態間 (Z方向偏光と X方向偏光との間)で切り換えることができる。
[0038] さらに、偏光状態切換部 4では、 1Z2波長板 4bおよびデボラライザ 4cをともに照明 光路から退避させ、且つ 1Z4波長板 4aの結晶光学軸を入射する楕円偏光に対して 所定の角度をなすように設定することにより、円偏光状態の光を回折光学素子 5に入 射させることができる。また、一般的には、 1Z2波長板 4bの作用により、回折光学素 子 5への入射光の偏光状態を、任意方向に偏光方向を有する直線偏光状態に設定 することちでさる。
[0039] 次に、円錐アキシコン系 8は、光源側力も順に、光源側に平面を向け且つマスク側 に凹円錐状の屈折面を向けた第 1プリズム部材 8aと、マスク側に平面を向け且つ光 源側に凸円錐状の屈折面を向けた第 2プリズム部材 8bとから構成されている。そして 、第 1プリズム部材 8aの凹円錐状の屈折面と第 2プリズム部材 8bの凸円錐状の屈折 面とは、互いに当接可能なように相補的に形成されている。また、第 1プリズム部材 8 aおよび第 2プリズム部材 8bのうち少なくとも一方の部材が光軸 AXに沿って移動可 能に構成され、第 1プリズム部材 8aの凹円錐状の屈折面と第 2プリズム部材 8bの凸 円錐状の屈折面との間隔が可変に構成されている。
[0040] ここで、第 1プリズム部材 8aの凹円錐状屈折面と第 2プリズム部材 8bの凸円錐状屈 折面とが互いに当接している状態では、円錐アキシコン系 8は平行平面板として機能 し、形成される輪帯状の二次光源に及ぼす影響はない。しかしながら、第 1プリズム 部材 8aの凹円錐状屈折面と第 2プリズム部材 8bの凸円錐状屈折面とを離間させると 、輪帯状の二次光源の幅 (輪帯状の二次光源の外径と内径との差の 1Z2)を一定に 保ちつつ、輪帯状の二次光源の外径（内径)が変化する。すなわち、輪帯状の二次 光源の輪帯比（内径 Z外径)および大きさ (外径)が変化する。
[0041] ズームレンズ 9は、輪帯状の二次光源の全体形状を相似的に拡大または縮小する 機能を有する。たとえば、ズームレンズ 9の焦点距離を最小値力 所定の値へ拡大さ せることにより、輪帯状の二次光源の全体形状が相似的に拡大される。換言すると、 ズームレンズ 9の作用により、輪帯状の二次光源の輪帯比が変化することなぐその 幅および大きさ（外径）がともに変化する。このように、円錐アキシコン系 8およびズー ムレンズ 9の作用により、輪帯状の二次光源の輪帯比と大きさ (外径)とを制御するこ とがでさる。
[0042] また、偏光モニター 12は、マイクロフライアイレンズ 11とコンデンサー光学系 13との 間の光路中に配置された第 1ビームスプリツター 12aを備えており、この第 1ビームス プリツター 12aへの入射光の偏光状態を検知する機能を有する。そして、制御部が偏 光モニター 12の検知結果に基づいてマスク M (ひいてはウェハ W)への照明光が所 望の偏光状態または非偏光状態になって 、な 、ことを確認した場合、偏光状態切換 部 4を構成する 1Z4波長板 4a、 1Z2波長板 4bおよびデボラライザ 4cを駆動調整し 、マスク Mへの照明光の状態を所望の偏光状態または非偏光状態に調整することが できる。
[0043] なお、輪帯照明用の回折光学素子 5に代えて、 4極照明用の回折光学素子 (不図 示)を照明光路中に設定することによって、 4極照明を行うことができる。 4極照明用 の回折光学素子は、矩形状の断面を有する平行光束が入射した場合に、そのファー フィールドに 4極状の光強度分布を形成する機能を有する。したがって、 4極照明用 の回折光学素子を介した光束は、マイクロフライアイレンズ 11の入射面に、たとえば 光軸 AXを中心とした 4つの円形状の照野力もなる 4極状の照野を形成する。その結 果、マイクロフライアイレンズ 11の後側焦点面またはその近傍にも、その入射面に形 成された照野と同じ 4極状の二次光源が形成される。
[0044] また、輪帯照明用の回折光学素子 5に代えて、円形照明用の回折光学素子 (不図 示)を照明光路中に設定することによって、通常の円形照明を行うことができる。円形 照明用の回折光学素子は、矩形状の断面を有する平行光束が入射した場合に、フ ァーフィールドに円形状の光強度分布を形成する機能を有する。したがって、円形照 明用の回折光学素子を介した光束は、マイクロフライアイレンズ 11の入射面に、たと えば光軸 AXを中心とした円形状の照野を形成する。その結果、マイクロフライアイレ ンズ 11の後側焦点面またはその近傍にも、その入射面に形成された照野と同じ円形 状の二次光源が形成される。
[0045] さらに、輪帯照明用の回折光学素子 5に代えて、他の複数極照明用の回折光学素 子 (不図示)を照明光路中に設定することによって、様々な複数極照明（2極照明、 8 極照明など)を行うことができる。同様に、輪帯照明用の回折光学素子 5に代えて、適 当な特性を有する回折光学素子 (不図示)を照明光路中に設定することによって、様 々な形態の変形照明を行うことができる。
[0046] 図 2は、図 1の偏光変換素子の構成を概略的に示す図である。また、図 3は、水晶 の旋光性について説明する図である。また、図 4は、偏光変換素子の作用により周方 向偏光状態に設定された輪帯状の二次光源を概略的に示す図である。本実施形態 にかかる偏光変換素子 10は、マイクロフライアイレンズ 11の直前に、すなわち照明光 学装置（1〜PL)の瞳またはその近傍に配置されている。したがって、輪帯照明の場 合、偏光変換素子 10には光軸 AXを中心としたほぼ輪帯状の断面を有する光束が 入射することになる。
[0047] 図 2を参照すると、偏光変換素子 10は、全体として光軸 AXを中心とした輪帯状の 有効領域を有し、この輪帯状の有効領域は光軸 AXを中心とした円周方向に等分割 された 8つの扇形形状の基本素子により構成されて!ヽる。これらの 8つの基本素子に おいて、光軸 AXを挟んで対向する一対の基本素子は互いに同じ特性を有する。す なわち、 8つの基本素子は、光の透過方向（Y方向）に沿った厚さ（光軸方向の長さ） が互いに異なる 4種類の基本素子 10A〜： L0Dを 2個づっ含んでいる。
[0048] 具体的には、第 1基本素子 10Aの厚さが最も大きぐ第 4基本素子 10Dの厚さが最 も小さぐ第 2基本素子 10Bの厚さは第 3基本素子 10Cの厚さよりも大きく設定されて いる。その結果、偏光変換素子 10の一方の面 (たとえば入射面）は平面状であるが、 他方の面 (たとえば射出面）は各基本素子 10A〜： L0Dの厚さの違いにより凹凸状に なっている。なお、偏光変換素子 10の双方の面 (入射面および射出面)をともに凹凸 状に形成することもできる。
[0049] また、本実施形態では、各基本素子 10A〜： LODが旋光性を有する光学材料である 水晶により構成され、各基本素子 10A〜： LODの結晶光学軸が光軸 AXとほぼ一致す るように設定されている。以下、図 3を参照して、水晶の旋光性について簡単に説明 する。図 3を参照すると、厚さ dの水晶からなる平行平面板状の光学部材 100が、そ の結晶光学軸と光軸 AXとが一致するように配置されている。この場合、光学部材 10 0の旋光性により、入射した直線偏光の偏光方向が光軸 AX廻り〖こ Θだけ回転した状 態で射出される。
[0050] このとき、光学部材 100の旋光性による偏光方向の回転角（旋光角度） Θは、光学 部材 100の厚さ dと水晶の旋光能 pとにより、次の式（1)で表わされる。
Θ =d- p (1)
一般に、水晶の旋光能 pは、波長依存性 (使用光の波長に依存して旋光能の値が 異なる性質:旋光分散)があり、具体的には使用光の波長が短くなると大きくなる傾向 がある。「応用光学 II」の第 167頁の記述によれば、 250. 3nmの波長を有する光に 対する水晶の旋光能 /0は、 153. 9度 Zmmである。
[0051] 本実施形態において、第 1基本素子 10Aは、 Z方向に偏光方向を有する直線偏光 の光が入射した場合、 Z方向を Y軸廻りに + 180度回転させた方向すなわち Z方向 に偏光方向を有する直線偏光の光を射出するように厚さ dAが設定されて 、る。した がって、この場合、図 4に示す輪帯状の二次光源 31のうち、一対の第 1基本素子 10 Aの旋光作用を受けた光束が形成する一対の円弧状領域 31 Aを通過する光束の偏 光方向は z方向になる。
[0052] 第 2基本素子 10Bは、 Z方向に偏光方向を有する直線偏光の光が入射した場合、 Z方向を Y軸廻りに + 135度回転させた方向すなわち Z方向を Y軸廻りに— 45度回 転させた方向に偏光方向を有する直線偏光の光を射出するように厚さ dBが設定され ている。したがって、この場合、図 4に示す輪帯状の二次光源 31のうち、一対の第 2 基本素子 10Bの旋光作用を受けた光束が形成する一対の円弧状領域 31Bを通過 する光束の偏光方向は Z方向を Y軸廻りに—45度回転させた方向になる。
[0053] 第 3基本素子 10Cは、 Z方向に偏光方向を有する直線偏光の光が入射した場合、 Z方向を Y軸廻りに + 90度回転させた方向すなわち X方向に偏光方向を有する直線 偏光の光を射出するように厚さ dCが設定されている。したがって、この場合、図 4〖こ 示す輪帯状の二次光源 31のうち、一対の第 3基本素子 10Cの旋光作用を受けた光 束が形成する一対の円弧状領域 31Cを通過する光束の偏光方向は X方向になる。
[0054] 第 4基本素子 10Dは、 Z方向に偏光方向を有する直線偏光の光が入射した場合、 Z方向を Y軸廻りに +45度回転させた方向に偏光方向を有する直線偏光の光を射 出するように厚さ dDが設定されている。したがって、この場合、図 4に示す輪帯状の 二次光源 31のうち、一対の第 4基本素子 10Dの旋光作用を受けた光束が形成する 一対の円弧状領域 31Dを通過する光束の偏光方向は Z方向を Y軸廻りに +45度回 転させた方向になる。
[0055] なお、別々に形成された 8つの基本素子を組み合わせて偏光変換素子 10を得るこ ともできるし、あるいは平行平面板状の水晶基板に所要の凹凸形状 (段差)を形成す ることにより偏光変換素子 10を得ることもできる。また、偏光変換素子 10を光路から 退避させることなく通常の円形照明を行うことができるように、偏光変換素子 10の有 効領域の径方向の大きさの 1Z3以上の大きさを有し且つ旋光性を有しない円形状 の中央領域 10Eが設けられている。ここで、中央領域 10Eは、たとえば石英のように 旋光性を有しない光学材料により形成されていてもよいし、単純に円形状の開口で あってもよい。ただし、中央領域 10Eは偏光変換素子 10に必須の要素ではない。
[0056] 本実施形態では、周方向偏光輪帯照明 (輪帯状の二次光源を通過する光束が周 方向偏光状態に設定された変形照明）に際して、偏光状態切換部 4のデボラライザ 4 cを照明光路力 退避させ、且つ 1Z2波長板 4bの結晶光学軸の光軸廻りの角度位 置を調整して輪帯照明用の回折光学素子 5に Z方向偏光を入射させることによって、 Z方向に偏光方向を有する直線偏光の光を偏光変換素子 10に入射させる。その結 果、マイクロフライアイレンズ 11の後側焦点面またはその近傍には、図 4に示すように 、輪帯状の二次光源 (輪帯状の照明瞳分布) 31が形成され、この輪帯状の二次光源 31を通過する光束が周方向偏光状態に設定される。周方向偏光状態では、輪帯状 の二次光源 31を構成する円弧状領域 31A〜31Dをそれぞれ通過する光束は、各 円弧状領域 31A〜31Dの円周方向に沿った中心位置における光軸 AXを中心とす る円の接線方向とほぼ一致する偏光方向を有する直線偏光状態になる。
[0057] こうして、本実施形態では、ほぼ単一方向に偏光方向を有する直線偏光の光を、ほ ぼ周方向に偏光方向を有する周方向偏光状態の光またはほぼ径方向に偏光方向を 有する径方向偏光状態の光に変換する偏光変換素子 10の旋光作用により、光量損 失を実質的に発生させることなぐ周方向偏光状態の輪帯状の二次光源 31を形成 することができる。換言すれば、本実施形態の照明光学装置では、光量損失を良好 に抑えつつ、周方向偏光状態の輪帯状の照明瞳分布を形成することができる。なお 、周方向偏光状態の輪帯状の照明瞳分布に基づく周方向偏光輪帯照明では、最終 的な被照射面としてのウェハ Wに照射される光が S偏光を主成分とする偏光状態に なる。
[0058] ここで、 S偏光とは、入射面に対して垂直な方向に偏光方向を有する直線偏光 (入 射面に垂直な方向に電気ベクトルが振動している偏光）のことである。ただし、入射 面とは、光が媒質の境界面 (被照射面：ウェハ Wの表面）に達したときに、その点での 境界面の法線と光の入射方向とを含む面として定義される。その結果、周方向偏光 輪帯照明では、投影光学系の光学性能 (焦点深度など)の向上を図ることができ、ゥ ェハ (感光性基板)上にお!、て高 ヽコントラストのマスクパターン像を得ることができる 一般に、輪帯照明に限定されることなぐたとえば周方向偏光状態の複数極状の照 明瞳分布に基づく照明においても、ウェハ Wに入射する光が S偏光を主成分とする 偏光状態になり、ウエノ、 W上において高いコントラストのマスクパターン像を得ること ができる。このときには、輪帯照明用の回折光学素子 5に代えて、複数極照明（2極 照明、 4極照明、 8極照明など)用の回折光学素子を照明光路に設定し、デボラライ ザ 4cを照明光路力 退避させ、且つ 1Z2波長板 4bの結晶光学軸の光軸廻りの角 度位置を調整して複数極照明用の回折光学素子に Z方向偏光を入射させることによ つて、 Z方向に偏光方向を有する直線偏光の光を偏光変換素子 10に入射させる。ま た、前述したように、マスク M上のラインパターンのピッチ方向に垂直に偏光方向を 有する直線偏光の光でマスク Mを照明する場合にも、ウェハ Wに入射する光が S偏 光を主成分とする偏光状態になり、ウェハ W上において高いコントラストのマスクパタ 一ン像を得ることができる。
[0060] なお、上述のような偏光状態切換部 (4:4a, 4b, 4c)および偏光変換素子 10につ いては、国際出願番号 PCTZJPZ2005Z000407号で提案されたものを適用する ことができる。また、照明光学装置の瞳面またはその近傍の位置に輪帯状、円形状、 多極状などの所定の光強度分布を形成するための光束形状変換素子としての回折 光学素子に代えて、国際公開第 WO2005Z050718号パンフレットに開示された光 束変換素子および偏光変換素子を適用しても良い。この場合、既存の偏光変換素 子 10を光路中から外すことが好ましいが、この偏光変換素子 10と組み合わせて適用 することちでさる。
[0061] 以上のように、光源 1から供給される 0. 9以上の偏光度を有する光に基づいて被照 射面としてのマスク Mを照明する本実施形態の照明光学装置（1〜15)は、光源 1と マスク Mとの間の光路中に配置されてマスク Mに達する光の偏光状態を所定の偏光 状態 (非偏光状態を含む）に設定するための偏光設定部として、偏光状態切換部 (4 :4a, 4b, 4c)および偏光変換素子 10を備えている。
[0062] し力しながら、たとえば偏光状態切換部 4および偏光変換素子 10の作用により所望 の偏光状態または非偏光状態の光でマスク M (ひいてはウェハ W)を照明しょうとして も、照明光路中に光の偏光状態を変化させる光学素子が介在すると、所望の偏光状 態または非偏光状態で結像しなくなり、ひいては結像性能が悪ィヒする可能性がある 。特に、照明光路中に配置された光透過部材 (レンズや平行平面板など)では、外部 から力が作用すると複屈折性が発生し、この複屈折性に起因して通過する光の偏光 状態が変化する。
[0063] 具体的に、従来技術では、照明光路中に配置される光透過部材は、鏡筒内におい て円筒形状の間隔環により両側から挟まれる形態で保持されるのが一般的である。こ の場合、原理的には、光透過部材は光軸を中心とする円環状の領域に沿って連続 支持される。しかしながら、実際には、間隔環の端面 (光透過部材と当接する面)の製 造誤差などの影響により、光透過部材は円環状領域に沿って連続支持されることなく 、円環状領域に沿った複数の点領域 (特に意図して 、な 、領域)で支持されることに なる。
[0064] すなわち、従来技術では、図 5 (a)に示すように、光透過部材 50の一方の光学面側 に外部力 作用する主要な力 F1の位置と、光透過部材 50の他方の光学面側に外 部から作用する主要な力 F2の位置とがー致しない。その結果、図 5 (b)において等 高線で示すように、外部からの力 F1および F2に応答して光透過部材 50の有効領域 50aのほぼ全体に亘つて比較的大きな応力分布が生じ、この応力分布に応じて発生 する複屈折性に起因して光透過部材 50を通過する光の偏光状態が変化する。
[0065] これに対し、本実施形態では、図 6 (a)に示すように、光透過部材 50の一方の光学 面側を 3つの領域 51a〜51cで三点支持するとともに、光透過部材 50の他方の光学 面側を 3つの領域 51a〜51cにほぼ対向する 3つの領域 52a〜52cで三点支持する 。この場合、光透過部材 50の一方の光学面側に外部から作用する 3つの力 F3の位 置と、光透過部材 50の他方の光学面側に外部から作用する 3つの力 F4の位置とが ほぼ一致する。
[0066] したがって、図 6 (b)において等高線で示すように、外部からの力 F3および F4に応 答して光透過部材50の支持領域51&〜51じ（52&〜52(：)に集中した応力分布が生 じるだけで、有効領域 50aには実質的な応力分布が生じない。その結果、本実施形 態にしたがってほぼ対向する領域において三点支持された光透過部材では、応力 分布による複屈折性がほとんど発生することなぐひいては複屈折性に起因して通過 する光の偏光状態がほとんど変化することがな 、。
[0067] 図 7は、本実施形態において光透過部材を両側から三点支持する保持部材の構 成を概略的に示す図である。本実施形態の保持部材は、保持すべき光透過部材 60 の一方の光学面側（図 7中上側）を 3つの領域（図 6の 51a〜51cに対応)で三点支持 するための 3つの支持部 71a〜71cを有する第 1間隔環 71と、光透過部材 60の他方 の光学面側（図 7中下側）を 3つの領域（図 6の 52a〜52cに対応)で三点支持するた めの 3つの支持部 72a〜72cを有する第 2間隔環 72とを備えている。
[0068] ここで、第 1間隔環 71の 3つの支持部 71a〜71cはほぼ等角度間隔に設けられ、第 2間隔環 72の 3つの支持部 72a〜72cもほぼ等角度間隔に設けられている。さらに、 第 1間隔環 71と第 2間隔環 72とは、支持部 71aと支持部 72aとがほぼ対向するように 、ひいては支持部 71bおよび 71cと支持部 72bおよび 72cとがそれぞれほぼ対向す るように位置決めされている。こうして、保持部材（71, 72)により、ほぼ対向する 3つ の領域において光透過部材 60が両側力 三点支持される。
[0069] 以上のように、本実施形態の照明光学装置（1〜15)では、光路中に配置された光 透過部材のうちの所要の光透過部材 (一般的には少なくとも 1つの光透過部材)を、 ほぼ対向する 3つの領域で両側から三点支持している。この場合、光透過部材の支 持領域に集中した応力分布が生じるだけで、光透過部材の有効領域には実質的な 応力分布が生じない。その結果、応力分布による複屈折性がほとんど発生することな ぐひいては複屈折性に起因して通過する光の偏光状態がほとんど変化することが ない。
[0070] こうして、本実施形態の照明光学装置（1〜15)では、光路中における光の偏光状 態の変化を良好に抑えて、所望の偏光状態または非偏光状態の光で被照射面とし てのマスク M (ひいてはウェハ W)を照明することができる。したがって、本実施形態 の露光装置では、所望の偏光状態または非偏光状態の光で被照射面としてのマスク Mを照明する照明光学装置（1〜15)を用いて、マスクパターンに応じた所望の照明 条件に基づいて微細パターンをウェハ (感光性基板) W上に忠実に転写することがで きる。
[0071] ところで、上述の実施形態では、オプティカルインテグレータとしてのマイクロフライ アイレンズ 11と被照射面としてのマスク Mとの間の光路中に配置される光透過部材 が径方向に大型化し易ぐ外部力 の力を受けたときに複屈折性に起因して通過す る光の偏光状態が変化し易い。したがって、光路中における光の偏光状態の変化を 良好に抑えるには、オプティカルインテグレータとしてのマイクロフライアイレンズ 11と 被照射面としてのマスク Mとの間の光路中に配置される光透過部材のうち、径方向 に比較的大型な光透過部材を保持部材により三点支持することが好ましい。
[0072] また、上述の実施形態において、光路中における光の偏光状態の変化を良好に抑 えるには、保持部材により三点支持された状態において、光透過部材の有効領域に おける平均複屈折量は 2nmZcm以下であることが好ましい。また、光路中における 光の偏光状態の変化をさらに良好に抑えるには、平均複屈折量は InmZcm以下で あることが好ましい。
[0073] また、上述の実施形態では、保持部材 (71, 72)により三点支持された状態におい て光透過部材の径方向に応力が発生しにくいように、各支持部（71a〜71c, 72a〜 72c)の支持端 (光透過部材と当接する端部）が光軸を中心とする円の径方向に可動 性または可撓性を有することが好ましい。なお、支持部の支持端に対して径方向の 可動性を機構的に付与する例につ 、ては、特開 2002— 131605号公報を参照する ことができる。
[0074] 同様に、光透過部材の径方向に応力が発生しにくいように、各支持部と接続される 枠体を備え、各支持部を枠体に対して回転可能に構成することもできる。なお、枠体 (レンズセル）に対してレンズ支持部を回転可能に構成する例についても、たとえば 特開 2002— 131605号公報を参照することができる。
[0075] また、上述の実施形態において、図 7に示すように、光透過部材 60と隣り合う光透 過部材 61を保持部材（72, 73)によりほぼ対向する 3つの領域で両側から三点支持 する場合、保持部材 (71, 72)による光透過部材 60の三点支持位置と保持部材 (72 , 73)による光透過部材 61の三点支持位置とを光軸廻りに位置ずれさせることが好 ましい。この構成により、複数の光透過部材の三点支持の影響を光軸廻りの角度方 向に分散させることができ、ひ 、ては光路中における光の偏光状態の変化を良好に 抑えることができる。この点は、隣り合う光透過部材の間に限定されることなぐ一般に 複数の光透過部材について同様である。
[0076] なお、上述の実施形態では、光透過部材を保持部材によりほぼ対向する 3つの領 域で両側力も三点支持している。しかしながら、これに限定されることなぐたとえば特 開平 11― 228192号公報に開示されたロー付けの手法を用いて、光透過部材のー 方の光学面側だけを 3つの領域で三点支持する変形例も可能である。
[0077] ところで、上述の実施形態では、 X方向に偏光方向を有する直線偏光の光を偏光 変換素子 10に入射させることにより、図 8に示すように輪帯状の二次光源 32を通過 する光束を径方向偏光状態に設定し、径方向偏光輪帯照明 (輪帯状の二次光源を 通過する光束が径方向偏光状態に設定された変形照明）を行うことができる。径方向 偏光状態では、輪帯状の二次光源 32を構成する円弧状領域 32A〜32Dをそれぞ れ通過する光束は、各円弧状領域 32A〜32Dの円周方向に沿った中心位置にお ける光軸 AXを中心とする円の半径方法とほぼ一致する偏光方向を有する直線偏光 状態になる。
[0078] 径方向偏光状態の輪帯状の照明瞳分布に基づく径方向偏光輪帯照明では、最終 的な被照射面としてのウェハ Wに照射される光が P偏光を主成分とする偏光状態に なる。ここで、 P偏光とは、上述のように定義される入射面に対して平行な方向に偏光 方向を有する直線偏光 (入射面に平行な方向に電気ベクトルが振動して ヽる偏光） のことである。その結果、径方向偏光輪帯照明では、ウエノ、 Wに塗布されたレジスト における光の反射率を小さく抑えて、ウェハ (感光性基板)上において良好なマスク ノターン像を得ることができる。
[0079] なお、上述の実施形態では、偏光変換素子 10に入射する光束を、 Z方向に偏光方 向を有する直線偏光状態と X方向に偏光方向を有する直線偏光状態との間で切り換 えることにより、周方向偏光輪帯照明と径方向偏光輪帯照明とを実現している。しか しながら、これに限定されることなぐたとえば Z方向または X方向に偏光方向を有す る直線偏光状態の入射光束に対して、偏光変換素子 10を図 2に示す第 1状態と光 軸 AX廻りに 90度だけ回転させた第 2状態との間で切り換えることにより、周方向偏光 輪帯照明と径方向偏光輪帯照明とを実現することもできる。
[0080] また、上述の実施形態では、マイクロフライアイレンズ 11の直前に偏光変換素子 10 を配置している。し力しながら、これに限定されることなぐたとえば投影光学系 PLの 瞳またはその近傍や、結像光学系 15の瞳またはその近傍や、円錐アキシコン系 8の 直前 (ァフォーカルレンズ 6の瞳またはその近傍)などに偏光変換素子 10を配置する ことちでさる。
[0081] ただし、投影光学系 PL中や結像光学系 15中に偏光変換素子 10を配置すると、偏 光変換素子 10の所要有効径が大きくなり易いため、高品質で大きい水晶基板を得る ことが困難である現状を考えるとあまり好ましくない。また、円錐アキシコン系 8の直前 に偏光変換素子 10を配置すると、偏光変換素子 10の所要有効径を小さく抑えること ができる力 最終的な被照射面であるウェハ Wまでの距離が長ぐその間の光路中に レンズの反射防止コートやミラーの反射膜のように偏光状態を変化させる要素が介在 し易いのであまり好ましくない。ちなみに、レンズの反射防止コートやミラーの反射膜 では、偏光状態 (P偏光と S偏光)や入射角度によって反射率に差が生じ易ぐひい ては光の偏光状態が変化し易い。
[0082] また、上述の実施形態では、偏光変換素子 10の少なくとも一方の面 (たとえば射出 面)が凹凸状に形成され、ひいては偏光変換素子 10が周方向に離散的 (不連続的） に変化する厚さ分布を有する。し力しながら、これに限定されることなぐ偏光変換素 子 10が周方向にほぼ不連続的に変化する厚さ分布を有するように、偏光変換素子 1 0の少なくとも一方の面 (たとえば射出面）を曲面状に形成することもできる。
[0083] また、上述の実施形態では、輪帯状の有効領域の 8分割に対応する 8つの扇形形 状の基本素子により偏光変換素子 10を構成している。し力しながら、これに限定され ることなぐたとえば円形状の有効領域の 8分割に対応する 8つの扇形形状の基本素 子により、あるいは円形状または輪帯状の有効領域の 4分割に対応する 4つの扇形 形状の基本素子により、あるいは円形状または輪帯状の有効領域の 16分割に対応 する 16つの扇形形状の基本素子により偏光変換素子 10を構成することもできる。す なわち、偏光変換素子 10の有効領域の形状、有効領域の分割数 (基本素子の数） などにつ!、て様々な変形例が可能である。
[0084] また、上述の実施形態では、水晶を用いて各基本素子 10A〜： LODを (ひいては偏 光変換素子 10を)形成している。し力しながら、これに限定されることなぐ旋光性を 有する他の適当な光学材料を用いて各基本素子を形成することもできる。この場合、 使用波長の光に対して 100度 Zmm以上の旋光能を有する光学材料を用いることが 好ましい。すなわち、旋光能の小さい光学材料を用いると、偏光方向の所要回転角 を得るために必要な厚さが大きくなり過ぎて、光量損失の原因になるので好ましくな い。
[0085] また、上述の実施形態において、偏光変換素子 10を照明光路に対して固定的に 設けたが、この偏光変換素子 10を照明光路に対して挿脱可能に設けても良い。また 、上述の実施形態では、ウェハ Wに対する S偏光と輪帯照明とを組み合わせた例を 示したが、ウエノ、 Wに対する S偏光と 2極や 4極などの多極照明および円形照明と組 み合わせても良い。なお、上述の実施形態において、マスク Mへの照明条件ゃゥェ ハ Wへの結像条件（開口数や収差等）は、例えばマスク Mのパターンの種類等に従 つて自動的に設定することができる。
[0086] また、上述の実施形態において、偏光変換素子 10よりもウェハ W側の光学系（照明 光学系や投影光学系）が偏光収差 (リタ一デーシヨン)を有して!/、る場合には、この偏 光収差に起因して偏光方向が変化することがある。この場合には、これらの光学系の 偏光収差の影響を考慮した上で、偏光変換素子 10により旋回される偏光面の方向 を設定すれば良い。また、偏光変換素子 10よりもウェハ W側の光路中に反射部材が 配置されている場合、この反射部材にて反射された偏光方向毎に位相差が生じるこ とがある。このとき、反射面の偏光特性に起因する光束の位相差を考慮した上で、偏 光変換素子 10により旋回される偏光面の方向を設定すれば良い。また、偏光変換素 子 10の入射面において所望の偏光状態となるように、各波長板 4a, 4bを用いて調 整を行ってもよい。
[0087] なお、上述の実施形態にお!、て、オプティカルインテグレータとして波面分割型の マイクロフライアイレンズ 11を用いた力 その代わりに、たとえば特開 2005— 11683
1号公報に開示されるような内面反射型のロッド型インテグレータを適用してもよい。 この場合、偏光設定部としての偏光制御部材 4と被照射面との間の光路中の光学部 材のうちの少なくとも 1つの光透過部材（5, 6, 11, 13R, 16, 18)の一方の光学面 側を 3つの領域で三点支持することが好ましい。
[0088] また、このようなロッド型インテグレータを適用した際に、たとえは国際公開第 W02 005Z024516号パンフレット〖こ開示されるよう〖こ、ロッド型インテグレータの射出面 に形成されるほぼ均一な照明領域を被照射面へ導くための照明結像光学系の瞳位 置近傍に偏光選択部材を配置する場合がある。このような場合には、偏光設定部とし ての偏光選択部材 10と被照射面との間の光路中の光学部材のうちの少なくとも 1つ の光透過部材の一方の光学面側を 3つの領域で三点支持することが好ましい。
[0089] また、たとえば国際公開第 WO2005/050325号パンフレットに開示されるように、 ロッド型インテグレータの射出面に形成されるほぼ均一な照明領域を被照射面へ導 くための照明結像光学系の瞳位置近傍に非偏光を直線偏光に変換する偏光変換部 材が配置される場合には、偏光設定部としての偏光変換部材 22と被照射面との間の 光路中の光学部材のうちの少なくとも 1つの光透過部材の一方の光学面側を 3つの 領域で三点支持することが好ま 、。
[0090] 上述の実施形態に力かる露光装置では、照明光学装置によってマスク（レチクル） を照明し (照明工程)、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを 感光性基板に露光する（露光工程)ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像 素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、上述の実 施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形 成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例 にっき図 9のフローチャートを参照して説明する。
[0091] 先ず、図 9のステップ 301において、 1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次の ステップ 302において、その 1ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布され る。その後、ステップ 303において、上述の実施形態の露光装置を用いて、マスク上 のパターンの像がその投影光学系を介して、その 1ロットのウェハ上の各ショット領域 に順次露光転写される。その後、ステップ 304において、その 1ロットのウェハ上のフ オトレジストの現像が行われた後、ステップ 305において、その 1ロットのウェハ上でレ ジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対 応する回路パターン力 各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上の レイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造 される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有 する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
[0092] また、上述の実施形態の露光装置では、プレート (ガラス基板)上に所定のパターン (回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての 液晶表示素子を得ることもできる。以下、図 10のフローチャートを参照して、このとき の手法の一例につき説明する。図 10において、パターン形成工程 401では、上述の 実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板 (レジストが塗布された ガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィー工程が実行される。この光リソ グラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形 成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程 等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフ ィルター形成工程 402へ移行する。
[0093] 次に、カラーフィルター形成工程 402では、 R (Red)、 G (Green)、 B (Blue)に対応し た 3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、または R、 G、 Bの 3本のストラ イブのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルターを形成する 。そして、カラーフィルター形成工程 402の後に、セル組み立て工程 403が実行され る。セル組み立て工程 403では、パターン形成工程 401にて得られた所定パターン を有する基板、およびカラーフィルター形成工程 402にて得られたカラーフィルター 等を用いて液晶パネル (液晶セル)を組み立てる。
[0094] セル組み立て工程 403では、例えば、パターン形成工程 401にて得られた所定パ ターンを有する基板とカラーフィルター形成工程 402にて得られたカラーフィルターと の間に液晶を注入して、液晶パネル (液晶セル)を製造する。その後、モジュール組 み立て工程 404にて、組み立てられた液晶パネル (液晶セル）の表示動作を行わせ る電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上 述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶 表示素子をスループット良く得ることができる。
[0095] なお、上述の実施形態では、露光光として KrFエキシマレーザ光（波長： 248nm) や ArFエキシマレーザ光（波長： 193nm)を用いている力 これに限定されることなく 、他の適当なレーザ光源、たとえば波長 157nmのレーザ光を供給する Fレーザ光
2 源などに対して本発明を適用することもできる。さらに、上述の実施形態では、照明 光学装置を備えた露光装置を例にとって本発明を説明したが、以外の被照射面を照 明するための一般的な照明光学装置に本発明を適用することができることは明らか である。
[0096] また、上述の実施形態において、投影光学系と感光性基板との間の光路中を 1. 1 よりも大きな屈折率を有する媒体 (典型的には液体)で満たす手法、所謂液浸法を適 用しても良い。この場合、投影光学系と感光性基板との間の光路中に液体を満たす 手法としては、国際公開番号 WO99Z49504号公報に開示されているような局所的 に液体を満たす手法や、特開平 6— 124873号公報に開示されているような露光対 象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる手法や、特開平 10— 30311 4号公報に開示されて 、るようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に 基板を保持する手法などを採用することができる。
[0097] なお、液体としては、露光光に対する透過性があってできるだけ屈折率が高ぐ投 影光学系や基板表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なものを用いるこ とが好ましぐたとえば KrFエキシマレーザ光や ArFエキシマレーザ光を露光光とす る場合には、液体として純水、脱イオン水を用いることができる。また、露光光として F レーザ光を用いる場合は、液体としては Fレーザ光を透過可能な例えばフッ素系ォ ィルゃ過フッ化ポリエーテル（PFPE)等のフッ素系の液体を用いればよ！、。
符号の説明
[0098] 1 光源
4 偏光状態切換部
4a 1Z4波長板
4b 1Z2波長板
4c デポラライザ
5 回折光学素子 (光束変換素子）
6 ァフォー力ノレレンズ
8 円錐アキシコン系
9 ズームレンズ
10 偏光変換素子
10A〜： LOD 各基本素子 11 マイクロフライアイレンズ
12 偏光モニター
12a ビームスプリツター
13 コンデンサー光学系
14 マスクブラインド
15 結像光学系
60, 61 光透過部材
71 , 72, 73 間隔環 (保持部材)
71a〜71c, 72a〜72c 支持部
M マスク
PL 投影光学系
W ウェハ

Claims

請求の範囲
[1] 被照射面を照明する照明光学装置において、
0. 9以上の偏光度を有する光を供給する光源と前記被照射面との間の光路中に 配置されて、前記被照射面に達する光の偏光状態を所定の偏光状態に設定するた めの偏光設定部と、
前記光源と前記被照射面との間の光路中の光学系を構成する少なくとも 1つの光 透過部材の一方の光学面側を 3つの領域で三点支持するための保持部材とを備え ていることを特徴とする照明光学装置。
[2] 前記保持部材は、前記光透過部材の他方の光学面側を、前記光透過部材の前記 一方の光学面側の前記 3つの領域にほぼ対向する 3つの領域で三点支持することを 特徴とする請求項 1に記載の照明光学装置。
[3] 前記保持部材は、前記偏光設定部と前記被照射面との間の光路中の光学系を構成 する少なくとも 1つの光透過部材の一方の光学面側を 3つの領域で三点支持すること を特徴とする請求項 1または 2に記載の照明光学装置。
[4] 入射光の偏光状態を所定の偏光状態に変換する偏光変換素子をさらに備え、
前記保持部材は、前記偏光変換素子と前記被照射面との間の光路中の光学系を 構成する少なくとも 1つの光透過部材の一方の光学面側を 3つの領域で三点支持す ることを特徴とする請求項 1乃至 3のいずれか 1項に記載の照明光学装置。
[5] 前記偏光変換素子は、前記偏光設定部と前記被照射面との間に配置されることを特 徴とする請求項 4に記載の照明光学装置。
[6] 前記偏光変換素子は、ほぼ単一方向に偏光方向を有する直線偏光の光を、ほぼ周 方向に偏光方向を有する周方向偏光状態の光またはほぼ径方向に偏光方向を有 する径方向偏光状態の光に変換することを特徴とする請求項 4または 5に記載の照 明光学装置。
[7] 前記偏光変換素子は、前記照明光学装置の瞳またはその近傍に配置されることを特 徴とする請求項 4乃至 6のいずれ力 1項に記載の照明光学装置。
[8] 前記光源からの光束に基づいて照明瞳面に実質的な面光源を形成するためのォプ ティカルインテグレータをさらに備え、 前記少なくとも 1つの光透過部材は、前記オプティカルインテグレータと前記被照射 面との間の光路中に配置されていることを特徴とする請求項 1乃至 7のいずれか 1項 に記載の照明光学装置。
[9] 前記オプティカルインテグレータと前記被照射面と光学的に共役な面との間の光路 中に配置されて、前記オプティカルインテグレータからの光束を集光して前記被照射 面と光学的に共役な面へ導くコンデンサー光学系と、
コンデンサー光学系と前記被照射面との間の光路中に配置されて、前記被照射面 と光学的に共役な面からの光を前記被照射面へ導く照明結像光学系とをさらに備え 前記少なくとも 1つの光透過部材は、前記照明結像光学系内に配置されていること を特徴とする請求項 8に記載の照明光学装置。
[10] 前記光源からの光束に基づいて前記被照射面と光学的にほぼ共役な面にほぼ均一 な照明領域を形成するためのオプティカルインテグレータと、
前記オプティカルインテグレータと前記被照射面との間の光路中に配置されて、前 記被照射面と光学的にほぼ共役な面からの光を前記被照射面へ導くための照明結 像光学系とを備え、
前記少なくとも 1つの光透過部材は、前記照明結像光学系内に配置されていること を特徴とする請求項 1乃至 7のいずれか 1項に記載の照明光学装置。
[11] 前記偏光設定部は、前記照明結像光学系内に配置され、
前記少なくとも 1つの光透過部材は、前記偏光設定部と前記被照射面との間の光 路中に配置されていることを特徴とする請求項 10に記載の照明光学装置。
[12] 前記保持部材により三点支持された状態において、前記少なくとも 1つの光透過部 材の有効領域における平均複屈折量は 2nmZcm以下であることを特徴とする請求 項 1乃至 11のいずれか 1項に記載の照明光学装置。
[13] 前記保持部材は、前記少なくとも 1つの光透過部材を各領域で支持するための 3つ の支持部を有し、
各支持部の支持端は、光軸を中心とする円の径方向に可動性または可撓性を有 することを特徴とする請求項 1乃至 12のいずれか 1項に記載の照明光学装置。
[14] 前記保持部材は、前記光透過部材の他方の光学面側を、前記光透過部材の前記 一方の光学面側の前記 3つの領域にほぼ対向する 3つの領域で三点支持し、且つ 前記少なくとも 1つの光透過部材を各領域で支持するための 6つの支持部を有し、 各支持部の支持端は、光軸を中心とする円の径方向に可動性または可撓性を有 することを特徴とする請求項 1乃至 12のいずれか 1項に記載の照明光学装置。
[15] 前記保持部材は、前記少なくとも 1つの光透過部材を各領域で支持するための 3つ の支持部と、該 3つの支持部と接続される枠体とを備え、
前記 3つの支持部は前記枠体に対して回転可能であることを特徴とする請求項 1乃 至 12のいずれか 1項に記載の照明光学装置。
[16] 前記保持部材は、第 1の光透過部材を三点支持するための第 1保持部材と、第 2の 光透過部材を三点支持するための第 2保持部材とを有し、
前記第 1保持部材による三点支持位置と前記第 2保持部材による三点支持位置と は光軸廻りに実質的に位置ずれして 、ることを特徴とする請求項 1乃至 15の 、ずれ 力 1項に記載の照明光学装置。
[17] マスクを照明するための請求項 1乃至 16のいずれ力 1項に記載の照明光学装置を 備え、前記マスクのパターンを感光性基板上に露光することを特徴とする露光装置。
[18] 請求項 1乃至 16のいずれか 1項に記載の照明光学装置を用いてマスクを照明する 照明工程と、前記マスクのパターンを感光性基板上に露光する露光工程とを含むこ とを特徴とする露光方法。
PCT/JP2005/013410 2004-08-10 2005-07-21 照明光学装置、露光装置、および露光方法 WO2006016469A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/659,978 US20070222962A1 (en) 2004-08-10 2005-07-21 Illumination Optical Equipment, Exposure System and Method
JP2006531380A JPWO2006016469A1 (ja) 2004-08-10 2005-07-21 照明光学装置、露光装置、および露光方法
EP05766348A EP1796139A4 (en) 2004-08-10 2005-07-21 OPTICAL LIGHTING DEVICES, EXPOSURE SYSTEM AND METHOD

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004233006 2004-08-10
JP2004-233006 2004-08-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006016469A1 true WO2006016469A1 (ja) 2006-02-16

Family

ID=35839242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/013410 WO2006016469A1 (ja) 2004-08-10 2005-07-21 照明光学装置、露光装置、および露光方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20070222962A1 (ja)
EP (1) EP1796139A4 (ja)
JP (1) JPWO2006016469A1 (ja)
TW (1) TW200608154A (ja)
WO (1) WO2006016469A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006245115A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Canon Inc 露光方法及び装置
WO2011158912A1 (ja) * 2010-06-19 2011-12-22 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2013239750A (ja) * 2013-08-23 2013-11-28 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8270077B2 (en) 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
CN1910522B (zh) 2004-01-16 2010-05-26 卡尔蔡司Smt股份公司 偏振调制光学元件
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
US7324280B2 (en) 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
TW200903138A (en) * 2007-07-12 2009-01-16 Young Optics Inc Illumination system
KR102140789B1 (ko) * 2014-02-17 2020-08-03 삼성전자주식회사 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법
US10928606B2 (en) * 2016-03-23 2021-02-23 Tianjin Ofilm Opto Electronics Co., Ltd. Lens unit
CN113267840B (zh) * 2021-05-08 2022-02-22 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 锯齿光阑及其应用及其对光路的调试方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6122114A (en) 1996-11-26 2000-09-19 Canon Kabushiki Kaisha Optical-element supporting device and optical apparatus
EP1139521A1 (en) 1999-09-10 2001-10-04 Nikon Corporation Light source and wavelength stabilization control method, exposure apparatus and exposure method, method for producing exposure apparatus, and device manufacturing method and device
JP2001274083A (ja) * 2000-03-03 2001-10-05 Carl Zeiss:Fa マイクロリソグラフィーによる接線偏光型投影露光
JP2001343576A (ja) * 2000-03-30 2001-12-14 Canon Inc 光学要素の支持構造、それを用いた露光装置及び半導体デバイスの製造方法
US20010052968A1 (en) 2000-03-31 2001-12-20 Takahisa Shiozawa Exposure apparatus and device manufacturing method
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JP2002141270A (ja) 2000-11-01 2002-05-17 Nikon Corp 露光装置
JP2002156571A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Nikon Corp 支持方法及び支持装置、露光装置
JP2003172857A (ja) * 2001-12-05 2003-06-20 Canon Inc 光学素子の支持手段、およびこれを用いた光学系、露光装置、デバイス製造方法、デバイス
JP2004111678A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Canon Inc 露光方法
WO2004051717A1 (ja) 2002-12-03 2004-06-17 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置および露光方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19735760A1 (de) * 1997-08-18 1999-02-25 Zeiss Carl Fa Lötverfahren für optische Materialien an Metallfassungen und gefaßte Baugruppen
JP3956454B2 (ja) * 1997-11-18 2007-08-08 株式会社ニコン レンズ支持装置、支持方法および投影露光装置
US6201634B1 (en) * 1998-03-12 2001-03-13 Nikon Corporation Optical element made from fluoride single crystal, method for manufacturing optical element, method for calculating birefringence of optical element and method for determining direction of minimum birefringence of optical element
DE10019562A1 (de) * 2000-04-20 2001-10-25 Zeiss Carl Vorrichtung zum Verbinden von Gehäusen oder Fassungen für optische Elemente
DE10030005A1 (de) * 2000-06-17 2001-12-20 Zeiss Carl Objektiv, insbesondere Projektionsobjektiv in der Halbleiter-Lithographie
AU2001277758A1 (en) * 2000-08-18 2002-03-04 Nikon Corporation Optical element holding device
DE10053899A1 (de) * 2000-10-31 2002-05-08 Zeiss Carl Vorrichtung zur Lagerung eines optischen Elementes
US6850371B2 (en) * 2001-03-15 2005-02-01 Nikon Corporation Optical member and method of producing the same, and projection aligner
DE10123725A1 (de) * 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren
DE10124803A1 (de) * 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
JP2003172858A (ja) * 2001-12-06 2003-06-20 Nikon Corp 光学部品保持装置及び露光装置
US6674585B1 (en) * 2002-02-04 2004-01-06 Siwave, Inc. Flexure assemblies and methods of making the same
US20030234918A1 (en) * 2002-06-20 2003-12-25 Nikon Corporation Adjustable soft mounts in kinematic lens mounting system
JP2004146792A (ja) * 2002-08-29 2004-05-20 Nikon Corp 光学部材の保持装置、照明光学装置、露光装置および露光方法
WO2005024516A2 (de) * 2003-08-14 2005-03-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
TWI612338B (zh) * 2003-11-20 2018-01-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
US7085080B2 (en) * 2003-12-06 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Low-deformation support device of an optical element
TWI494972B (zh) * 2004-02-06 2015-08-01 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
US6122114A (en) 1996-11-26 2000-09-19 Canon Kabushiki Kaisha Optical-element supporting device and optical apparatus
EP1139521A1 (en) 1999-09-10 2001-10-04 Nikon Corporation Light source and wavelength stabilization control method, exposure apparatus and exposure method, method for producing exposure apparatus, and device manufacturing method and device
JP2001274083A (ja) * 2000-03-03 2001-10-05 Carl Zeiss:Fa マイクロリソグラフィーによる接線偏光型投影露光
JP2001343576A (ja) * 2000-03-30 2001-12-14 Canon Inc 光学要素の支持構造、それを用いた露光装置及び半導体デバイスの製造方法
US20010052968A1 (en) 2000-03-31 2001-12-20 Takahisa Shiozawa Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2002141270A (ja) 2000-11-01 2002-05-17 Nikon Corp 露光装置
JP2002156571A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Nikon Corp 支持方法及び支持装置、露光装置
JP2003172857A (ja) * 2001-12-05 2003-06-20 Canon Inc 光学素子の支持手段、およびこれを用いた光学系、露光装置、デバイス製造方法、デバイス
JP2004111678A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Canon Inc 露光方法
WO2004051717A1 (ja) 2002-12-03 2004-06-17 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置および露光方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1796139A4

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006245115A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Canon Inc 露光方法及び装置
WO2011158912A1 (ja) * 2010-06-19 2011-12-22 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2012004465A (ja) * 2010-06-19 2012-01-05 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
US8934086B2 (en) 2010-06-19 2015-01-13 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus and device manufacturing method
US9563130B2 (en) 2010-06-19 2017-02-07 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus and device manufacturing method
US10168620B2 (en) 2010-06-19 2019-01-01 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus and device manufacturing method
US10520825B2 (en) 2010-06-19 2019-12-31 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2013239750A (ja) * 2013-08-23 2013-11-28 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2006016469A1 (ja) 2008-05-01
US20070222962A1 (en) 2007-09-27
TW200608154A (en) 2006-03-01
EP1796139A1 (en) 2007-06-13
EP1796139A4 (en) 2009-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6493325B2 (ja) 光束変換素子、照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP4465720B2 (ja) 光学系、露光装置、および露光方法
KR101195687B1 (ko) 조명 광학 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
WO2006016469A1 (ja) 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JPWO2005124420A1 (ja) 光学系、露光装置、および露光方法
JP4976094B2 (ja) 照明光学装置、露光装置、露光方法、およびマイクロデバイスの製造方法
JP4748015B2 (ja) 照明光学装置、露光装置、露光方法、およびマイクロデバイスの製造方法
WO2006059549A1 (ja) 照明光学装置、その製造方法、露光装置、および露光方法
JP4752702B2 (ja) 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2006100429A (ja) 投影光学系、露光装置、および露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006531380

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005766348

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11659978

Country of ref document: US

Ref document number: 2007222962

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005766348

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11659978

Country of ref document: US