KR101195687B1 - 조명 광학 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

조명 광학 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101195687B1
KR101195687B1 KR1020107000897A KR20107000897A KR101195687B1 KR 101195687 B1 KR101195687 B1 KR 101195687B1 KR 1020107000897 A KR1020107000897 A KR 1020107000897A KR 20107000897 A KR20107000897 A KR 20107000897A KR 101195687 B1 KR101195687 B1 KR 101195687B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polarization
light
illumination
optical
light source
Prior art date
Application number
KR1020107000897A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100024490A (ko
Inventor
오사무 다니츠
고지 시게마츠
히로유키 히로타
도모유키 마츠야마
Original Assignee
가부시키가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 니콘 filed Critical 가부시키가이샤 니콘
Publication of KR20100024490A publication Critical patent/KR20100024490A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101195687B1 publication Critical patent/KR101195687B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566—Polarisation control
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V13/00—Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
    • F21V13/02—Combinations of only two kinds of elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/14—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters for producing polarised light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/0977—Reflective elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
    • G02B27/286—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising for controlling or changing the state of polarisation, e.g. transforming one polarisation state into another
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

광량 손실을 억제하면서, 대략 단일 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태의 입사광을, 대략 원주 방향으로 편광 방향을 갖는 원주 방향 편광 상태의 광으로 변환할 수 있는 편광 변환 소자. 입사광의 편광 상태를 소정의 편광 상태로 변환하는 편광 변환 소자(10). 예를 들면, 수정과 같은 선광성을 갖는 광학 재료에 의해 형성되어 원주 방향으로 변화하는 두께 분포를 갖는다. 두께 분포는, 대략 단일 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태의 광을, 대략 원주 방향으로 편광 방향을 갖는 원주 방향 편광 상태의 광으로 변환하도록 설정되어 있다. 원주 방향으로 분할된 복수의 영역(10A~10D)을 갖고, 이 복수의 영역에 있어서 서로 이웃하는 임의의 2개의 영역의 두께가 서로 상이하다. 또한, 복수의 영역에 있어서 대향하는 임의의 2개의 영역은 서로 대략 동등한 선광 각도를 갖는다.

Description

조명 광학 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법{LIGHTING OPTICAL DEVICE, EXPOSURE SYSTEM, EXPOSURE METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF DEVICE}
본 발명은 편광 변환 소자, 조명 광학 장치, 노광 장치, 및 노광 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 소자, 촬상 소자, 액정 표시 소자, 박막 자기 헤드 등의 마이크로 디바이스를 리소그래피 공정으로 제조하기 위한 노광 장치에 관한 것이다.
이러한 종류의 전형적인 노광 장치에 있어서는, 광원으로부터 사출된 광속이 광학 인티그레이터(optical integrator)로서의 플라이아이 렌즈를 거쳐서, 다수의 광원으로 이루어지는 실질적인 면광원으로서의 2차 광원을 형성한다. 2차 광원(일반적으로는, 조명 광학 장치의 조명 동공 또는 그 근방에 형성되는 조명 동공 분포)으로부터의 광속은, 플라이아이 렌즈의 뒤쪽 초점면의 근방에 배치된 개구 조리개를 거쳐서 제한된 후, 콘덴서 렌즈에 입사한다.
콘덴서 렌즈에 의해 집광된 광속은, 소정의 패턴이 형성된 마스크를 중첩적으로 조명한다. 마스크의 패턴을 투과한 광은 투영 광학계를 거쳐서 웨이퍼 위에 결상한다. 이렇게 해서, 웨이퍼 위에는 마스크 패턴이 투영 노광(전사)된다. 또한, 마스크에 형성된 패턴은 고집적화되어 있어, 이 미세 패턴을 웨이퍼 위에 정확하게 전사하기 위해서는 웨이퍼 위에 있어서 균일한 조도 분포를 얻는 것이 불가결하다.
예를 들면, 본 출원인의 출원에 관한 일본 특허 제 3246615호 공보에는, 임의 방향의 미세 패턴을 충실하게 전사하는 데 적합한 조명 조건을 실현하기 위해서, 플라이아이 렌즈의 뒤쪽 초점면에 윤대(輪帶) 형상의 2차 광원을 형성하고, 이 윤대 형상의 2차 광원을 통과하는 광속이 그 원주 방향을 편광 방향으로 하는 직선 편광 상태(이하, 줄여서 「원주 방향 편광 상태」라고 함)로 되도록 설정하는 기술이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 제 3246615호 공보
그러나, 상술한 공보에 개시된 종래 기술에서는, 플라이아이 렌즈를 거쳐서 형성된 원 형상의 광속을 윤대 형상의 개구부를 갖는 개구 조리개를 거쳐서 제한함으로써 윤대 형상의 2차 광원을 형성하고 있다. 그 결과, 종래 기술에서는, 개구 조리개에 있어서 큰 광량 손실이 발생하고, 나아가서는 노광 장치의 스루풋이 저하한다고 하는 불리한 경우가 있었다.
본 발명은 광량 손실을 억제하면서, 대략 단일 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태의 입사광을, 대략 원주 방향으로 편광 방향을 갖는 원주 방향 편광 상태의 광으로 변환하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 대략 단일 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태의 입사광을 대략 원주 방향으로 편광 방향을 갖는 원주 방향 편광 상태의 광으로 변환할 수 있는 편광 변환 소자를 이용하여, 광량 손실을 양호하게 억제하면서 원주 방향 편광 상태의 윤대 형상의 조명 동공 분포를 형성하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 광량 손실을 양호하게 억제하면서 원주 방향 편광 상태의 윤대 형상의 조명 동공 분포를 형성할 수 있는 조명 광학 장치를 이용하여, 적절한 조명 조건에 근거하여 미세 패턴을 충실하게 또한 높은 스루풋으로 전사하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 실시예 1에서는, 입사광의 편광 상태를 소정의 편광 상태로 변환하는 편광 변환 소자에 있어서, 선광성을 갖는 광학 재료에 의해 형성되어 원주 방향으로 변화하는 두께 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 편광 변환 소자를 제공한다.
본 발명의 실시예 2에서는, 조명광을 공급하기 위한 광원과, 해당 광원과 피조사면 사이의 광로중에 배치된 실시예 1의 편광 변환 소자를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예 3에서는, 광원으로부터 공급되는 조명광에 근거하여 피조사면을 조명하는 조명 광학 장치에 있어서, 상기 조명 광학 장치의 조명 동공면 또는 해당 조명 동공면과 공액의 면내에 형성되는 광강도 분포에 있어서의 소정의 유효 광원 영역에서의 제 1 방향 편광에 관한 평균 특정 편광율을 RSPh(Ave)로 하고, 제 2 방향 편광에 관한 평균 특정 편광율 RSPv(Ave)로 할 때,
RSPh(Ave)>70%, RSPv(Ave)>70%
를 만족시키는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치를 제공한다.
단,
RSPh(Ave)=Ix(Ave)/(Ix+Iy)Ave
RSPv(Ave)=Iy(Ave)/(Ix+Iy)Ave
이다.
여기서, Ix(Ave)는 소정의 유효 광원 영역을 통과하여 상면(像面) 위의 한 점에 도달하는 광선속에 있어서의 제 1 방향 편광 성분의 강도의 평균, Iy(Ave)는 상기 소정의 유효 광원 영역을 통과하여 상면 위의 한 점에 도달하는 광선속에 있어서의 제 2 방향 편광 성분의 강도의 평균, (Ix+Iy)Ave는 상기 소정의 유효 광원 영역을 통과하는 전광속(全光束)의 강도의 평균이다. 또한, 상기 조명 광학 장치의 조명 동공면이란, 상기 피조사면에 대해서 광학적으로 퓨리에 변환의 관계로 되는 면으로 정의하는 것이나, 상기 조명 광학 장치가 투영 광학계와 조합되는 경우에는, 투영 광학계의 개구 조리개와 광학적으로 공액의 조명 광학 장치 내의 면으로 정의할 수 있다. 또한, 상기 조명 광학 장치의 조명 동공면과 공액의 면이란, 상기 조명 광학 장치 내에 있는 면에만 한정되지 않고, 예를 들면 상기 조명 광학 장치가 투영 광학계와 조합되는 경우에는, 투영 광학계 내의 면이더라도 무방하고, 또한 조명 광학 장치(혹은, 투영 노광 장치)의 편광 상태를 검출하기 위한 편광 측정기 내의 면이더라도 무방하다.
본 발명의 실시예 4에서는, 실시예 2 또는 실시예 3의 조명 광학 장치를 구비하고, 그 조명 광학 장치를 거쳐서 마스크의 패턴을 감광성 기판 위에 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예 5에서는, 실시예 2 또는 실시예 3의 조명 광학 장치를 이용하여, 마스크의 패턴을 감광성 기판 위에 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예 6에서는, 입사광의 편광 상태를 소정의 편광 상태로 변환하는 편광 변환 소자의 제조 방법에 있어서, 선광성을 갖는 광학 재료를 준비하는 공정과, 상기 광학 재료에 원주 방향으로 변화하는 두께 분포를 부여하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 편광 변환 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 편광 변환 소자는, 예를 들면 수정과 같은 선광성을 갖는 광학 재료에 의해 형성되고, 원주 방향으로 변화하는 두께 분포를 갖는다. 여기서, 두께 분포는, 예를 들면, 대략 단일 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태의 광을, 대략 원주 방향으로 편광 방향을 갖는 원주 방향 편광 상태의 광으로 변환하도록 설정되어 있다. 그 결과, 본 발명에서는, 광량 손실을 억제하면서, 대략 단일 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태의 입사광을, 대략 원주 방향으로 편광 방향을 갖는 원주 방향 편광 상태의 광으로 변환할 수 있는 편광 변환 소자를 실현할 수 있다. 특히, 선광성을 갖는 광학 재료에 의해 편광 변환 소자를 형성하고 있기 때문에, 예를 들면 파장판과 비교해서 제조가 매우 용이하다고 하는 이점이 있다.
따라서, 본 발명의 조명 광학 장치에서는, 대략 단일 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태의 입사광을 대략 원주 방향으로 편광 방향을 갖는 원주 방향 편광 상태의 광으로 변환할 수 있는 편광 변환 소자를 이용하고 있으므로, 광량 손실을 양호하게 억제하면서 원주 방향 편광 상태의 윤대 형상의 조명 동공 분포를 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 노광 장치 및 노광 방법에서는, 광량 손실을 양호하게 억제하면서 원주 방향 편광 상태의 윤대 형상의 조명 동공 분포를 형성할 수 있는 조명 광학 장치를 이용하고 있으므로, 적절한 조명 조건에 근거하여 미세 패턴을 충실하게 또한 높은 스루풋으로 전사할 수 있고, 나아가서는 높은 스루풋으로 양호한 디바이스를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 노광 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면,
도 2는 윤대 형상의 2차 광원에 대한 원추 액시콘계의 작용을 설명하는 도면,
도 3은 윤대 형상의 2차 광원에 대한 줌 렌즈의 작용을 설명하는 도면,
도 4는 도 1의 편광 모니터의 내부 구성을 개략적으로 나타내는 사시도,
도 5는 도 1의 편광 변환 소자의 구성을 개략적으로 나타내는 도면,
도 6은 수정의 선광성에 대해서 설명하는 도면,
도 7은 편광 변환 소자의 작용에 의해 원주 방향 편광 상태로 설정된 윤대 형상의 2차 광원을 개략적으로 나타내는 도면,
도 8은 편광 변환 소자의 작용에 의해 직경 방향 편광 상태로 설정된 윤대 형상의 2차 광원을 개략적으로 나타내는 도면,
도 9는 복수의 편광 변환 소자를 교환 가능하게 마련한 변형예를 나타내는 도면,
도 10은 도 9에서의 교환 기구로서의 터릿(turret)(10T)에 탑재된 복수 종류의 편광 변환 소자(10a~10e)를 나타내는 도면,
도 11은 복수 종류의 편광 변환 소자(10a~10e)의 각각의 구성을 나타내는 도면,
도 12는 편광 변환 소자의 작용에 의해 원주 방향 편광 상태로 설정된 2차 광원의 일례를 개략적으로 나타내는 도면,
도 13은 광축 AX 둘레로 회전 가능하게 마련된 편광 변환 소자(10f)의 구성을 개략적으로 나타내는 도면,
도 14는 편광 변환 소자(10f)의 작용에 의해 원주 방향 편광 상태로 설정된 2차 광원의 일례를 개략적으로 나타내는 도면,
도 15는 8개의 부채꼴 형상의 기본 소자로 구성되는 편광 변환 소자를 광축 AX 둘레로 회전 가능하게 했을 때에 얻어지는 2차 광원의 일례를 개략적으로 나타내는 도면,
도 16은 편광 변환 소자를 조명 광학 장치의 동공 근방의 위치 중, 원추 액시콘계(8) 바로 앞의 위치(입사측 근방의 위치)에 배치한 예를 나타내는 도면,
도 17은 도 16에 나타내는 변형예에 있어서 만족해야 하는 조건식(1) 및 (2)를 설명하기 위한 도면,
도 18은 편광 변환 소자를 조명 광학 장치의 동공 근방의 위치 중, 결상 광학계(15)의 동공 위치의 근방에 배치한 예를 나타내는 도면,
도 19는 웨이퍼 W를 조명하는 광의 편광 상태 및 광강도를 검출하기 위한 웨이퍼면 편광 모니터(90)의 개략적인 구성을 나타내는 도면,
도 20은 4분할 편광 변환 소자(10f)를 이용하여 4분할 원주 방향 편광 윤대 조명을 실행할 때에 얻어지는 윤대 형상의 2차 광원(31)을 나타내는 도면,
도 21은 마이크로 디바이스로서의 반도체 디바이스를 얻을 때의 수법의 흐름도,
도 22는 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 소자를 얻을 때의 수법의 흐름도.
본 발명의 실시예를 첨부 도면에 근거하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 노광 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 1에서, 감광성 기판인 웨이퍼 W의 법선 방향을 따라 Z축을, 웨이퍼 W의 면내에 있어서 도 1의 지면에 평행한 방향으로 Y축을, 웨이퍼 W의 면내에 있어서 도 1의 지면에 수직한 방향으로 X축을 각각 설정하고 있다. 도 1을 참조하면, 본 실시예의 노광 장치는 노광광(조명광)을 공급하기 위한 광원(1)을 구비하고 있다.
광원(1)으로서, 예를 들면 248㎚ 파장의 광을 공급하는 KrF 엑시머 레이저 광원이나 193㎚ 파장의 광을 공급하는 ArF 엑시머 레이저 광원 등을 이용할 수 있다. 광원(1)으로부터 Z방향을 따라 사출된 거의 평행한 광속은, X방향을 따라 가늘고 길게 연장한 직사각형 형상의 단면을 갖고, 1쌍의 렌즈(2a, 2b)로 이루어지는 빔 익스팬더(2)에 입사한다. 각 렌즈(2a, 2b)는 도 1의 지면 내(YZ 평면 내)에 있어서 부(負)의 굴절력 및 정(正)의 굴절력을 각각 갖는다. 따라서, 빔 익스팬더(2)에 입사한 광속은 도 1의 지면 내에 있어서 확대되어, 소정의 직사각형 형상의 단면을 갖는 광속으로 정형(整形)된다.
정형 광학계로서의 빔 익스팬더(2)를 거친 거의 평행한 광속은, 벤딩 미러(3)에 의해 Y방향으로 편향된 후, 1/4 파장판(4a), 1/2 파장판(4b), 디폴라라이저(비편광화 소자)(4c), 및 윤대 조명용의 회절 광학 소자(5)를 거쳐서, 어포컬 렌즈(afocal lens)(6)에 입사한다. 여기서, 1/4 파장판(4a), 1/2 파장판(4b), 및 디폴라라이저(4c)는, 후술하는 바와 같이, 편광 상태 전환부(4)를 구성하고 있다. 어포컬 렌즈(6)는 그 앞쪽 초점 위치와 회절 광학 소자(5)의 위치가 거의 일치하고 또한 그 뒤쪽 초점 위치와 도면 중 파선으로 나타내는 소정면(7)의 위치가 거의 일치하도록 설정된 어포컬계(무초점 광학계)이다.
일반적으로, 회절 광학 소자는 기판에 노광광(조명광)의 파장 정도의 피치를 갖는 단차를 형성함으로써 구성되고, 입사 빔을 소망하는 각도로 회절하는 작용을 갖는다. 구체적으로는, 윤대 조명용의 회절 광학 소자(5)는, 직사각형 형상의 단면을 갖는 평행 광속이 입사한 경우에, 그의 파필드(far field)(또는, 프라운호퍼(Fraunhofer) 회절 영역)에 윤대 형상의 광강도 분포를 형성하는 기능을 갖는다.
따라서, 광속 변환 소자로서의 회절 광학 소자(5)에 입사한 거의 평행 광속은 어포컬 렌즈(6)의 동공면에 윤대 형상의 광강도 분포를 형성한 후, 거의 평행 광속으로 되어 어포컬 렌즈(6)로부터 사출된다. 또한, 어포컬 렌즈(6)의 앞쪽 렌즈군(6a)과 뒤쪽 렌즈군(6b) 사이의 광로중에 있어서 그 동공면 또는 그 근방에는, 원추 액시콘계(8)가 배치되어 있지만, 그 상세한 구성 및 작용에 대해서는 후술한다. 이하, 설명을 간단하게 하기 위해서, 원추 액시콘계(8)의 작용을 무시하고, 기본적인 구성 및 작용을 설명한다.
어포컬 렌즈(6)를 거친 광속은, σ값 가변용의 줌 렌즈(9) 및 편광 변환 소자(10)를 거쳐서, 광학 인티그레이터로서의 마이크로 플라이아이 렌즈(또는, 플라이아이 렌즈)(11)에 입사한다. 편광 변환 소자(10)의 구성 및 작용에 대해서는 후술한다. 마이크로 플라이아이 렌즈(11)는 종횡으로 또한 조밀하게 배열된 다수의 정(正) 굴절력을 갖는 미소 렌즈로 이루어지는 광학 소자이다. 일반적으로, 마이크로 플라이아이 렌즈는, 예를 들면 평행 평면판에 에칭 처리를 실시해서 미소 렌즈군을 형성함으로써 구성된다.
여기서, 마이크로 플라이아이 렌즈를 구성하는 각 미소 렌즈는 플라이아이 렌즈를 구성하는 각 렌즈 요소보다도 미소하다. 또한, 마이크로 플라이아이 렌즈는 서로 격절된 렌즈 요소로 이루어지는 플라이아이 렌즈와는 상이하게, 다수의 미소 렌즈(미소 굴절면)가 서로 격절되지 않고 일체적으로 형성되어 있다. 그러나, 정 굴절력을 갖는 렌즈 요소가 종횡으로 배치되어 있는 점에서, 마이크로 플라이아이 렌즈는 플라이아이 렌즈와 동일한 파면 분할형의 광학 인티그레이터이다.
소정면(7)의 위치는 줌 렌즈(9)의 앞쪽 초점 위치의 근방에 배치되고, 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 입사면은 줌 렌즈(9)의 뒤쪽 초점 위치의 근방에 배치되어 있다. 환언하면, 줌 렌즈(9)는 소정 면(7)과 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 입사면을 실질적으로 퓨리에 변환의 관계로 배치하고, 나아가서는 어포컬 렌즈(6)의 동공면과 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 입사면을 광학적으로 거의 공액으로 배치하고 있다.
따라서, 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 입사면 위에는, 어포컬 렌즈(6)의 동공면과 마찬가지로, 예를 들면 광축 AX을 중심으로 한 윤대 형상의 조명시야가 형성된다. 이러한 윤대 형상의 조명시야의 전체 형상은 줌 렌즈(9)의 초점 거리에 의존해서 상사적(相似的)으로 변화한다. 마이크로 플라이아이 렌즈(11)를 구성하는 각 미소 렌즈는, 마스크 M 위에서 형성해야 할 조명시야의 형상(나아가서는, 웨이퍼 W 위에서 형성해야 할 노광 영역의 형상)과 상사인 직사각형 형상의 단면을 갖는다.
마이크로 플라이아이 렌즈(11)에 입사한 광속은 다수의 미소 렌즈에 의해 2차원적으로 분할되고, 그의 뒤쪽 초점면 또는 그 근방(나아가서는, 조명 동공)에는, 입사 광속에 의해서 형성되는 조명시야와 거의 동일한 광강도 분포를 갖는 2차 광원, 즉 광축 AX를 중심으로 한 윤대 형상의 실질적인 면광원으로 이루어지는 2차 광원이 형성된다. 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 뒤쪽 초점면 또는 그 근방에 형성된 2차 광원으로부터의 광속은 빔 스플리터(12a) 및 콘덴서 광학계(13)를 거친 후, 마스크 블라인드(14)를 중첩적으로 조명한다.
이렇게 해서, 조명 시야 조리개로서의 마스크 블라인드(14)에는, 마이크로 플라이아이 렌즈(11)를 구성하는 각 미소 렌즈의 형상과 초점 거리에 따른 직사각형 형상의 조명시야가 형성된다. 또한, 빔 스플리터(12a)를 내장하는 편광 모니터(12)의 내부 구성 및 작용에 대해서는 후술한다. 마스크 블라인드(14)의 직사각형 형상의 개구부(광 투과부)를 거친 광속은 결상 광학계(15)의 집광 작용을 받은 후, 소정 패턴이 형성된 마스크 M을 중첩적으로 조명한다.
즉, 결상 광학계(15)는 마스크 블라인드(14)의 직사각형 형상 개구부의 상(像)을 마스크 M 위에 형성하게 된다. 마스크 M의 패턴을 투과한 광속은 투영 광학계 PL을 거쳐서, 감광성 기판인 웨이퍼 W 위에 마스크 패턴의 상을 형성한다. 이렇게 해서, 투영 광학계 PL의 광축 AX와 직교하는 평면(XY 평면) 내에 있어서 웨이퍼 W를 2차원적으로 구동 제어하면서 일괄 노광 또는 스캔 노광을 실행함으로써, 웨이퍼 W의 각 노광 영역에는 마스크 M의 패턴이 순차적으로 노광된다.
또한, 편광 상태 전환부(4)에 있어서, 1/4 파장판(4a)은 광축 AX를 중심으로 해서 결정 광학축이 회전 자유롭게 구성되어, 입사하는 타원 편광의 광을 직선 편광의 광으로 변환한다. 또한, 1/2 파장판(4b)은 광축 AX를 중심으로 해서 결정 광학축이 회전 자유롭게 구성되어, 입사하는 직선 편광의 편광면을 변화시킨다. 또한, 디폴라라이저(4c)는 상보적인 형상을 갖는 쐐기 형상의 수정 프리즘과 쐐기 형상의 석영 프리즘에 의해 구성되어 있다. 수정 프리즘과 석영 프리즘은 일체적인 프리즘 조립체로서, 조명 광로에 대해서 삽입 탈착 자유롭게 구성되어 있다.
광원(1)으로서 KrF 엑시머 레이저 광원이나 ArF 엑시머 레이저 광원을 이용하는 경우, 이들 광원으로부터 사출되는 광은 전형적으로는 95% 이상의 편광도를 갖고, 1/4 파장판(4a)에는 거의 직선 편광의 광이 입사한다. 그러나, 광원(1)과 편광 상태 전환부(4) 사이의 광로중에 이면(裏面) 반사경으로서의 직각 프리즘이 개재하는 경우, 입사하는 직선 편광의 편광면이 P편광면 또는 S편광면에 일치하고 있지 않으면, 직각 프리즘에서의 전반사에 의해 직선 편광이 타원 편광으로 바뀐다.
편광 상태 전환부(4)에서는, 예를 들면 직각 프리즘에서의 전반사에 기인하여 타원 편광의 광이 입사하더라도, 1/4 파장판(4a)의 작용에 의해 변환된 직선 편광의 광이 1/2 파장판(4b)에 입사한다. 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축이 입사하는 직선 편광의 편광면에 대해서 0° 또는 90°의 각도를 이루도록 설정된 경우, 1/2 파장판(4b)에 입사한 직선 편광의 광은 편광면이 변화하지 않고 그대로 통과한다.
또한, 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축이 입사하는 직선 편광의 편광면에 대해서 45°의 각도를 이루도록 설정된 경우, 1/2 파장판(4b)에 입사한 직선 편광의 광은 편광면이 90°만큼 변화한 직선 편광의 광으로 변환된다. 또한, 디폴라라이저(4c)의 수정 프리즘의 결정 광학축이 입사하는 직선 편광의 편광면에 대해서 45°의 각도를 이루도록 설정된 경우, 수정 프리즘에 입사한 직선 편광의 광은 비편광 상태의 광으로 변환(비편광화)된다.
편광 상태 전환부(4)에서는, 디폴라라이저(4c)가 조명 광로중에 위치 결정되었을 때에 수정 프리즘의 결정 광학축이 입사하는 직선 편광의 편광면에 대해서 45°의 각도를 이루도록 구성되어 있다. 덧붙여서 말하면, 수정 프리즘의 결정 광학축이 입사하는 직선 편광의 편광면에 대해서 0° 또는 90°의 각도를 이루도록 설정된 경우, 수정 프리즘에 입사한 직선 편광의 광은 편광면이 변화하지 않고 그대로 통과한다. 또한, 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축이 입사하는 직선 편광의 편광면에 대해서 22.5°의 각도를 이루도록 설정된 경우, 1/2 파장판(4b)에 입사한 직선 편광의 광은, 편광면이 변화하지 않고 그대로 통과하는 직선 편광 성분과 편광면이 90°만큼 변화한 직선 편광 성분을 포함하는 비편광 상태의 광으로 변환된다.
편광 상태 전환부(4)에서는, 상술한 바와 같이, 직선 편광의 광이 1/2 파장판(4b)에 입사하지만, 이하의 설명을 간단하게 하기 위해서, 도 1에서 Z방향으로 편광 방향(전계의 방향)을 갖는 직선 편광(이하, 「Z방향 편광」이라고 칭함)의 광이 1/2 파장판(4b)에 입사하는 것으로 한다. 디폴라라이저(4c)를 조명 광로중에 위치 결정한 경우, 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축을 입사하는 Z방향 편광의 편광면(편광 방향)에 대해서 0° 또는 90°의 각도를 이루도록 설정하면, 1/2 파장판(4b)에 입사한 Z방향 편광의 광은 편광면이 변화하지 않고 Z방향 편광 그대로 통과해서 디폴라라이저(4c)의 수정 프리즘에 입사한다. 수정 프리즘의 결정 광학축은 입사하는 Z방향 편광의 편광면에 대해서 45°의 각도를 이루도록 설정되어 있으므로, 수정 프리즘에 입사한 Z방향 편광의 광은 비편광 상태의 광으로 변환된다.
수정 프리즘을 거쳐서 비편광화된 광은 광의 진행 방향을 보상하기 위한 보상기로서의 석영 프리즘을 거쳐서, 비편광 상태로 회절 광학 소자(5)에 입사한다. 한편, 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축을 입사하는 Z방향 편광의 편광면에 대해서 45°의 각도를 이루도록 설정하면, 1/2 파장판(4b)에 입사한 Z방향 편광의 광은 편광면이 90°만큼 변화하고, 도 1에서 X방향으로 편광 방향(전계의 방향)을 갖는 직선 편광(이하, 「X방향 편광」이라고 칭함)의 광으로 되어 디폴라라이저(4c)의 수정 프리즘에 입사한다. 수정 프리즘의 결정 광학축은 입사하는 X방향 편광의 편광면에 대해서도 45°의 각도를 이루도록 설정되어 있으므로, 수정 프리즘에 입사한 X방향 편광의 광은 비편광 상태의 광으로 변환되고, 석영 프리즘을 거쳐서 비편광 상태로 회절 광학 소자(5)에 입사한다.
이에 대해서, 디폴라라이저(4c)를 조명 광로로부터 퇴피시킨 경우, 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축을 입사하는 Z방향 편광의 편광면에 대해서 0° 또는 90°의 각도를 이루도록 설정하면, 1/2 파장판(4b)에 입사한 Z방향 편광의 광은 편광면이 변화하지 않고 Z방향 편광 그대로 통과하여, Z방향 편광 상태로 회절 광학 소자(5)에 입사한다. 한편, 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축을 입사하는 Z방향 편광의 편광면에 대해서 45°의 각도를 이루도록 설정하면, 1/2 파장판(4b)에 입사한 Z방향 편광의 광은 편광면이 90°만큼 변화해서 X방향 편광의 광으로 되어, X방향 편광 상태로 회절 광학 소자(5)에 입사한다.
이상과 같이, 편광 상태 전환부(4)에서는, 디폴라라이저(4c)를 조명 광로중에 삽입해서 위치 결정함으로써, 비편광 상태의 광을 회절 광학 소자(5)에 입사시킬 수 있다. 또한, 디폴라라이저(4c)를 조명 광로로부터 퇴피시키고 또한 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축을 입사하는 Z방향 편광의 편광면에 대해서 0° 또는 90°의 각도를 이루도록 설정함으로써, Z방향 편광 상태의 광을 회절 광학 소자(5)에 입사시킬 수 있다. 또한, 디폴라라이저(4c)를 조명 광로로부터 퇴피시키고 또한 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축을 입사하는 Z방향 편광의 편광면에 대해서 45°를 이루도록 설정함으로써, X방향 편광 상태의 광을 회절 광학 소자(5)에 입사시킬 수 있다.
환언하면, 편광 상태 전환부(4)에서는, 1/4 파장판(4a)과 1/2 파장판(4b)과 디폴라라이저(4c)로 이루어지는 편광 상태 전환부의 작용에 의해, 회절 광학 소자(5)로의 입사광의 편광 상태(나아가서는, 마스크 M 및 웨이퍼 W를 조명하는 광의 편광 상태)를 직선 편광 상태와 비편광 상태 사이에서 전환할 수 있으며, 직선 편광 상태의 경우에는 서로 직교하는 편광 상태 사이(Z방향 편광과 X방향 편광 사이)에서 전환할 수 있다.
또한, 편광 상태 전환부(4)에서는, 1/2 파장판(4b) 및 디폴라라이저(4c)를 모두 조명 광로로부터 퇴피시키고, 또한 1/4 파장판(4a)의 결정 광학축을 입사하는 타원 편광에 대해서 소정의 각도를 이루도록 설정함으로써, 원편광 상태의 광을 회절 광학 소자(5)에 입사시킬 수 있다. 또한, 일반적으로는, 1/2 파장판(4b)의 작용에 의해, 회절 광학 소자(5)로의 입사광의 편광 상태를, 임의 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태로 설정할 수도 있다.
다음에, 원추 액시콘계(8)는, 광원측으로부터 순서대로, 광원 쪽에 평면을 향하고 또한 마스크 쪽에 오목 원추 형상의 굴절면을 향한 제 1 프리즘 부재(8a)와, 마스크 쪽에 평면을 향하고 또한 광원 쪽에 볼록 원추 형상의 굴절면을 향한 제 2 프리즘 부재(8b)로 구성되어 있다. 그리고, 제 1 프리즘 부재(8a)의 오목 원추 형상의 굴절면과 제 2 프리즘 부재(8b)의 볼록 원추 형상의 굴절면은, 서로 맞닿을 수 있도록 상보적으로 형성되어 있다. 또한, 제 1 프리즘 부재(8a) 및 제 2 프리즘 부재(8b) 중 적어도 한쪽의 부재가 광축 AX를 따라 이동 가능하게 구성되고, 제 1 프리즘 부재(8a)의 오목 원추 형상의 굴절면과 제 2 프리즘 부재(8b)의 볼록 원추 형상의 굴절면과의 간격이 가변으로 구성되어 있다.
여기서, 제 1 프리즘 부재(8a)의 오목 원추 형상 굴절면과 제 2 프리즘 부재(8b)의 볼록 원추 형상 굴절면이 서로 맞닿아 있는 상태에서는, 원추 액시콘계(8)는 평행 평면판으로서 기능하여, 형성되는 윤대 형상의 2차 광원에 미치는 영향은 없다. 그러나, 제 1 프리즘 부재(8a)의 오목 원추 형상 굴절면과 제 2 프리즘 부재(8b)의 볼록 원추 형상 굴절면을 이간시키면, 원추 액시콘계(8)는 이른바 빔 익스팬더로서 기능한다. 따라서, 원추 액시콘계(8)의 간격 변화에 따라, 소정면(7)으로의 입사 광속의 각도는 변화한다.
도 2는 윤대 형상의 2차 광원에 대한 원추 액시콘계의 작용을 설명하는 도면이다. 도 2를 참조하면, 원추 액시콘계(8)의 간격이 0이고 또한 줌 렌즈(9)의 초점 거리가 최소값으로 설정된 상태(이하, 「표준 상태」라고 함)에서 형성된 가장 작은 윤대 형상의 2차 광원(30a)이, 원추 액시콘계(8)의 간격을 0부터 소정의 값까지 확대시킴으로써, 그 폭(외경과 내경과의 차의 1/2: 도면 중 화살표로 나타냄)이 변화하지 않고, 그 외경 및 내경이 모두 확대된 윤대 형상의 2차 광원(30b)으로 변화한다. 환언하면, 원추 액시콘계(8)의 작용에 의해, 윤대 형상의 2차 광원의 폭이 변화하지 않고, 그 윤대비(내경/외경) 및 크기(외경)가 모두 변화한다.
도 3은 윤대 형상의 2차 광원에 대한 줌 렌즈의 작용을 설명하는 도면이다. 도 3을 참조하면, 표준 상태에서 형성된 윤대 형상의 2차 광원(30a)이, 줌 렌즈(9)의 초점 거리를 최소값으로부터 소정의 값으로 확대시킴으로써, 그 전체 형상이 상사적으로 확대된 윤대 형상의 2차 광원(30c)으로 변화한다. 환언하면, 줌 렌즈(9)의 작용에 의해, 윤대 형상의 2차 광원의 윤대비가 변화하지 않고, 그 폭 및 크기(외경)가 모두 변화한다.
도 4는 도 1의 편광 모니터의 내부 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다. 도 4를 참조하면, 편광 모니터(12)는 마이크로 플라이아이 렌즈(11)와 콘덴서 광학계(13) 사이의 광로중에 배치된 제 1 빔 스플리터(12a)를 구비하고 있다. 제 1 빔 스플리터(12a)는, 예를 들면 석영 유리에 의해 형성된 비코팅의 평행 평면판(즉, 맨 유리) 형태를 갖고, 입사광의 편광 상태와는 상이한 편광 상태의 반사광을 광로로부터 취출하는 기능을 갖는다.
제 1 빔 스플리터(12a)에 의해 광로로부터 취출된 광은 제 2 빔 스플리터(12b)에 입사한다. 제 2 빔 스플리터(12b)는 제 1 빔 스플리터(12a)와 마찬가지로, 예를 들면 석영 유리에 의해 형성된 비코팅의 평행 평면판의 형태를 갖고, 입사광의 편광 상태와는 상이한 편광 상태의 반사광을 발생시키는 기능을 갖는다. 그리고, 제 1 빔 스플리터(12a)에 대한 P편광이 제 2 빔 스플리터(12b)에 대한 S편광으로 되고, 또한 제 1 빔 스플리터(12a)에 대한 S편광이 제 2 빔 스플리터(12b)에 대한 P편광으로 되도록 설정되어 있다.
또한, 제 2 빔 스플리터(12b)를 투과한 광은 제 1 광강도 검출기(12c)에 의해 검출되고, 제 2 빔 스플리터(12b)에서 반사된 광은 제 2 광강도 검출기(12d)에 의해 검출된다. 제 1 광강도 검출기(12c) 및 제 2 광강도 검출기(12d)의 출력은 각각 제어부(도시하지 않음)에 공급된다. 제어부는 편광 상태 전환부(4)를 구성하는 1/4 파장판(4a), 1/2 파장판(4b) 및 디폴라라이저(4c)를 필요에 따라서 구동한다.
상술한 바와 같이, 제 1 빔 스플리터(12a) 및 제 2 빔 스플리터(12b)에 있어서, P편광에 대한 반사율과 S편광에 대한 반사율이 실질적으로 상이하다. 따라서, 편광 모니터(12)에서는, 제 1 빔 스플리터(12a)로부터의 반사광이, 예를 들면 제 1 빔 스플리터(12a)로의 입사광의 10% 정도인 S편광 성분(제 1 빔 스플리터(12a)에 대한 S편광 성분으로서 제 2 빔 스플리터(12b)에 대한 P편광 성분)과, 예를 들면 제 1 빔 스플리터(12a)로의 입사광의 1% 정도인 P편광 성분(제 1 빔 스플리터(12a)에 대한 P편광 성분으로서 제 2 빔 스플리터(12b)에 대한 S편광 성분)을 포함하게 된다.
또한, 제 2 빔 스플리터(12b)로부터의 반사광은, 예를 들면 제 1 빔 스플리터(12a)로의 입사광의 10%×%=0.1% 정도인 P편광 성분(제 1 빔 스플리터(12a)에 대한 P편광 성분으로서 제 2 빔 스플리터(12b)에 대한 S편광 성분)과, 예를 들면 제 1 빔 스플리터(12a)로의 입사광의 1%×10%=0.1% 정도인 S편광 성분(제 1 빔 스플리터(12a)에 대한 S편광 성분으로서 제 2 빔 스플리터(12b)에 대한 P편광 성분)을 포함하게 된다.
이렇게 해서, 편광 모니터(12)에서는, 제 1 빔 스플리터(12a)가 그 반사 특성에 따라, 입사광의 편광 상태와는 상이한 편광 상태의 반사광을 광로로부터 취출하는 기능을 갖는다. 그 결과, 제 2 빔 스플리터(12b)의 편광 특성에 의한 편광 변동의 영향을 약간 받지만, 제 1 광강도 검출기(12c)의 출력(제 2 빔 스플리터(12b)의 투과광의 강도에 관한 정보, 즉 제 1 빔 스플리터(12a)로부터의 반사광과 거의 동일한 편광 상태의 광의 강도에 관한 정보)에 근거하여, 제 1 빔 스플리터(12a)로의 입사광의 편광 상태(편광도)를, 나아가서는 마스크 M으로의 조명광의 편광 상태를 검지할 수 있다.
또한, 편광 모니터(12)에서는, 제 1 빔 스플리터(12a)에 대한 P편광이 제 2 빔 스플리터(12b)에 대한 S편광으로 되고 또한 제 1 빔 스플리터(12a)에 대한 S편광이 제 2 빔 스플리터(12b)에 대한 P편광으로 되도록 설정되어 있다. 그 결과, 제 2 광강도 검출기(12d)의 출력(제 1 빔 스플리터(12a) 및 제 2 빔 스플리터(12b)에서 순차적으로 반사된 광의 강도에 관한 정보)에 근거하여, 제 1 빔 스플리터(12a)로의 입사광의 편광 상태 변화의 영향을 실질적으로 받지 않고, 제 1 빔 스플리터(12a)로의 입사광의 광량(강도)을, 나아가서는 마스크 M으로의 조명광의 광량을 검지할 수 있다.
이렇게 해서, 편광 모니터(12)를 이용하여, 제 1 빔 스플리터(12a)로의 입사광의 편광 상태를 검지하고, 나아가서는 마스크 M으로의 조명광이 소망하는 비편광 상태, 직선 편광 상태 또는 원 편광 상태로 되어 있는지 여부를 판정할 수 있다. 그리고, 제어부가 편광 모니터(12)의 검지 결과에 근거하여 마스크 M(나아가서는, 웨이퍼 W)으로의 조명광이 소망하는 비편광 상태, 직선 편광 상태 또는 원 편광 상태로 되어 있지 않은 것을 확인한 경우, 편광 상태 전환부(4)를 구성하는 1/4 파장판(4a), 1/2 파장판(4b) 및 디폴라라이저(4c)를 구동 조정하고, 마스크 M으로의 조명광의 상태를 소망하는 비편광 상태, 직선 편광 상태 또는 원 편광 상태로 조정할 수 있다.
또한, 윤대 조명용의 회절 광학 소자(5) 대신에, 4극 조명용의 회절 광학 소자(도시하지 않음)를 조명 광로중에 설정함으로써, 4극 조명을 실행할 수 있다. 4극 조명용의 회절 광학 소자는, 직사각형 형상의 단면을 갖는 평행 광속이 입사한 경우에, 그 파필드에 4극 형상의 광강도 분포를 형성하는 기능을 갖는다. 따라서, 4극 조명용의 회절 광학 소자를 거친 광속은, 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 입사면에, 예를 들면 광축 AX를 중심으로 한 4개의 원 형상의 조명시야로 이루어지는 4극 형상의 조명시야를 형성한다. 그 결과, 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 뒤쪽 초점면 또는 그 근방에도, 그 입사면에 형성된 조명시야와 동일한 4극 형상의 2차 광원이 형성된다.
또한, 윤대 조명용의 회절 광학 소자(5) 대신에, 원형 조명용의 회절 광학 소자(도시하지 않음)를 조명 광로중에 설정함으로써, 통상의 원형 조명을 실행할 수 있다. 원형 조명용의 회절 광학 소자는, 직사각형 형상의 단면을 갖는 평행 광속이 입사한 경우에, 파필드에 원 형상의 광강도 분포를 형성하는 기능을 갖는다. 따라서, 원형 조명용의 회절 광학 소자를 거친 광속은, 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 입사면에, 예를 들면 광축 AX를 중심으로 한 원 형상의 조명시야로 이루어지는 4극 형상의 조명시야를 형성한다. 그 결과, 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 뒤쪽 초점면 또는 그 근방에도, 그 입사면에 형성된 조명시야와 동일한 원 형상의 2차 광원이 형성된다.
또한, 윤대 조명용의 회절 광학 소자(5) 대신에, 다른 복수극 조명용의 회절 광학 소자(도시하지 않음)를 조명 광로중에 설정함으로써, 다양한 복수극 조명(2극 조명, 8극 조명 등)을 실행할 수 있다. 마찬가지로, 윤대 조명용의 회절 광학 소자(5) 대신에, 적당한 특성을 갖는 회절 광학 소자(도시하지 않음)를 조명 광로중에 설정함으로써, 다양한 형태의 변형 조명을 실행할 수 있다.
도 5는 도 1의 편광 변환 소자의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 또한, 도 6은 수정의 선광성에 대해서 설명하는 도면이다. 또한, 도 7은 편광 변환 소자의 작용에 의해 원주 방향 편광 상태로 설정된 윤대 형상의 2차 광원을 개략적으로 나타내는 도면이다. 본 실시예에 따른 편광 변환 소자(10)는 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 바로 앞에, 즉 조명 광학 장치(1~PL)의 동공 또는 그 근방에 배치되어 있다. 따라서, 윤대 조명의 경우, 편광 변환 소자(10)에는 광축 AX를 중심으로 한 거의 윤대 형상의 단면을 갖는 광속이 입사하게 된다.
도 5를 참조하면, 편광 변환 소자(10)는 전체적으로 광축 AX를 중심으로 한 윤대 형상의 유효 영역을 갖고, 이 윤대 형상의 유효 영역은 광축 AX를 중심으로 한 원주 방향으로 등분할된 8개의 부채꼴 형상의 기본 소자에 의해 구성되어 있다. 이들 8개의 기본 소자에 있어서, 광축 AX를 사이에 두고서 대향하는 1쌍의 기본 소자는 서로 동일한 특성을 갖는다. 즉, 8개의 기본 소자는 광의 투과 방향(Y방향)을 따른 두께(광축 방향의 길이)가 서로 상이한 4종류의 기본 소자(10A~10D)를 2개씩 포함하고 있다.
구체적으로는, 제 1 기본 소자(10A)의 두께가 가장 크고, 제 4 기본 소자(10D)의 두께가 가장 작고, 제 2 기본 소자(10B)의 두께는 제 3 기본 소자(10C)의 두께보다도 크게 설정되어 있다. 그 결과, 편광 변환 소자(10)의 한쪽 면(예를 들면, 입사면)은 평면 형상이지만, 다른쪽 면(예를 들면, 사출면)은 각 기본 소자(10A~10D)의 두께 차이에 의해 요철 형상으로 되어 있다. 또한, 편광 변환 소자(10)의 양쪽면(입사면 및 사출면)을 모두 요철 형상으로 형성할 수도 있다.
또한, 본 실시예에서는, 각 기본 소자(10A~10D)가 선광성을 갖는 광학 재료인 결정 재료로서의 수정에 의해 구성되고, 각 기본 소자(10A~10D)의 결정 광학축이 광축 AX와 거의 일치, 즉 입사광의 진행 방향과 거의 일치하도록 설정되어 있다. 이하, 도 6을 참조하여, 수정의 선광성에 대해서 간단하게 설명한다. 도 6을 참조하면, 두께 d의 수정으로 이루어지는 평행 평면판 형상의 광학 부재(100)가, 그 결정 광학축과 광축 AX가 일치하도록 배치되어 있다. 이 경우, 광학 부재(100)의 선광성에 의해, 입사한 직선 편광의 편광 방향이 광축 AX 둘레로 θ만큼 회전한 상태로 사출된다.
이 때, 광학 부재(100)의 선광성에 의한 편광 방향의 회전각(선광 각도) θ는, 광학 부재(100)의 두께 d와 수정의 선광성 ρ에 의해, 다음의 식(a)로 표현된다.
Figure 112010002553235-pat00001
일반적으로, 수정의 선광성 ρ은 파장 의존성(사용광의 파장에 의존하여 선광성의 값이 상이한 성질: 선광 분산)이 있으며, 구체적으로는 사용광의 파장이 짧아지면 커지는 경향이 있다. 「응용 광학 Ⅱ」의 제 167페이지의 기술에 따르면, 250.3㎚의 파장을 갖는 광에 대한 수정의 선광성 ρ은 153.9°/㎜이다.
본 실시예에 있어서, 제 1 기본 소자(10A)는, Z방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 광이 입사한 경우, Z방향을 Y축 둘레로 +180° 회전시킨 방향, 즉 Z방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 광을 사출하도록 두께 dA가 설정되어 있다. 따라서, 이 경우, 도 7에 나타내는 윤대 형상의 2차 광원(31) 중, 1쌍의 제 1 기본 소자(10A)의 선광 작용을 받은 광속이 형성하는 1쌍의 원호 형상 영역(31A)을 통과하는 광속의 편광 방향은 Z방향으로 된다.
제 2 기본 소자(10B)는, Z방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 광이 입사한 경우, Z방향을 Y축 둘레로 +135° 회전시킨 방향, 즉 Z방향을 Y축 둘레로 -45° 회전시킨 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 광을 사출하도록 두께 dB가 설정되어 있다. 따라서, 이 경우, 도 7에 나타내는 윤대 형상의 2차 광원(31) 중, 1쌍의 제 2 기본 소자(10B)의 선광 작용을 받은 광속이 형성하는 1쌍의 원호 형상 영역(31B)을 통과하는 광속의 편광 방향은 Z방향을 Y축 둘레로 -45° 회전시킨 방향으로 된다.
제 3 기본 소자(10C)는, Z방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 광이 입사한 경우, Z방향을 Y축 둘레로 +90° 회전시킨 방향, 즉 X방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 광을 사출하도록 두께 dC가 설정되어 있다. 따라서, 이 경우, 도 7에 나타내는 윤대 형상의 2차 광원(31) 중, 1쌍의 제 3 기본 소자(10C)의 선광 작용을 받은 광속이 형성하는 1쌍의 원호 형상 영역(31C)을 통과하는 광속의 편광 방향은 X방향으로 된다.
제 4 기본 소자(10D)는, Z방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 광이 입사한 경우, Z방향을 Y축 둘레로 +45° 회전시킨 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 광을 사출하도록 두께 dD가 설정되어 있다. 따라서, 이 경우, 도 7에 나타내는 윤대 형상의 2차 광원(31) 중, 1쌍의 제 4 기본 소자(10D)의 선광 작용을 받은 광속이 형성하는 1쌍의 원호 형상 영역(31D)을 통과하는 광속의 편광 방향은 Z방향을 Y축 둘레로 +45° 회전시킨 방향으로 된다.
또한, 개별적으로 형성된 8개의 기본 소자를 조합하여 편광 변환 소자(10)를 얻을 수도 있고, 혹은 평행 평면판 형상의 수정 기판에 소요의 요철 형상(단차)을 형성함으로써 편광 변환 소자(10)를 얻을 수도 있다. 또한, 편광 변환 소자(10)를 광로로부터 퇴피시키지 않고 통상의 원형 조명을 실행할 수 있도록, 편광 변환 소자(10)의 유효 영역의 직경 방향의 크기의 3/10 이상, 바람직하게는 1/3 이상의 크기를 갖고 또한 선광성을 갖지 않는 원 형상의 중앙 영역(10E)이 마련되어 있다. 여기서, 중앙 영역(10E)은, 예를 들면 석영과 같이 선광성을 갖지 않는 광학 재료에 의해 형성되어 있어도 되고, 단순히 원 형상의 개구이더라도 무방하다. 단, 중앙 영역(10E)은 편광 변환 소자(10)에 필수 요소는 아니다. 또한, 중앙 영역(10E)의 크기는 원주 방향 편광 상태인 영역과 그렇지 않은 영역과의 경계를 결정한다.
본 실시예에서는, 원주 방향 편광 윤대 조명(윤대 형상의 2차 광원을 통과하는 광속이 원주 방향 편광 상태로 설정된 변형 조명)시에, Z방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 광을 편광 변환 소자(10)에 입사시킨다. 그 결과, 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 뒤쪽 초점면 또는 그 근방에는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 윤대 형상의 2차 광원(윤대 형상의 조명 동공 분포)(31)가 형성되고, 이 윤대 형상의 2차 광원(31)을 통과하는 광속이 원주 방향 편광 상태로 설정된다. 원주 방향 편광 상태에서는, 윤대 형상의 2차 광원(31)을 구성하는 원호 형상 영역(31A~31D)을 각각 통과하는 광속은, 각 원호 형상 영역(31A~31D)의 원주 방향을 따른 중심 위치에서의 광축 AX를 중심으로 하는 원의 접선 방향과 거의 일치하는 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태로 된다.
이렇게 해서, 본 실시예에서는, 개구 조리개에 있어서 큰 광량 손실이 발생하는 종래 기술과는 상이하게, 편광 변환 소자(10)의 선광 작용에 의해, 광량 손실을 실질적으로 발생시키지 않고, 원주 방향 편광 상태의 윤대 형상의 2차 광원(31)을 형성할 수 있다. 환언하면, 본 실시예의 조명 광학 장치에서는, 광량 손실을 양호하게 억제하면서, 원주 방향 편광 상태의 윤대 형상의 조명 동공 분포를 형성할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는, 광학 소자의 편광 작용을 이용하고 있기 때문에, 편광 변환 소자 자체의 제조가 극히 용이하고, 전형적으로는 각 기본 소자의 두께 공차를 극히 완만하게 설정할 수 있다고 하는 우수한 효과를 나타낸다.
또한, 원주 방향 편광 상태의 윤대 형상의 조명 동공 분포에 근거하는 원주 방향 편광 윤대 조명에서는, 최종적인 피조사면으로서의 웨이퍼 W에 조사되는 광이 S편광을 주성분으로 하는 편광 상태로 된다. 여기서, S편광이란, 입사면에 대해서 수직한 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광(입사면에 수직한 방향으로 전기 벡터가 진동하고 있는 편광)인 것이다. 단, 입사면이란, 광이 매질의 경계면(피조사면:웨이퍼 W의 표면)에 도달했을 때에, 그 점에서의 경계면의 법선과 광의 입사 방향을 포함하는 면으로서 정의된다.
그 결과, 원주 방향 편광 윤대 조명에서는, 투영 광학계의 광학 성능(초점 심도 등)의 향상을 도모할 수 있어, 웨이퍼(감광성 기판) 위에 있어서 높은 콘트라스트의 마스크 패턴 상(像)을 얻을 수 있다. 즉, 본 실시예의 노광 장치에서는, 광량 손실을 양호하게 억제하면서 원주 방향 편광 상태의 윤대 형상의 조명 동공 분포를 형성할 수 있는 조명 광학 장치를 이용하고 있으므로, 적절한 조명 조건에 근거하여 미세 패턴을 충실하게 또한 높은 스루풋으로 전사할 수 있다.
그런데, 본 실시예에서는, X방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 광을 편광 변환 소자(10)에 입사시킴으로써, 도 8에 나타내는 바와 같이 윤대 형상의 2차 광원(32)을 통과하는 광속을 직경 방향 편광 상태로 설정하고, 직경 방향 편광 윤대 조명(윤대 형상의 2차 광원을 통과하는 광속이 직경 방향 편광 상태로 설정된 변형 조명)을 실행할 수 있다. 직경 방향 편광 상태에서는, 윤대 형상의 2차 광원(32)을 구성하는 원호 형상 영역(32A~32D)을 각각 통과하는 광속은, 각 원호 형상 영역(32A~32D)의 원주 방향을 따른 중심 위치에서의 광축 AX를 중심으로 하는 원의 반경 방향과 거의 일치하는 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태로 된다.
직경 방향 편광 상태의 윤대 형상의 조명 동공 분포에 근거하는 직경 방향 편광 윤대 조명에서는, 최종적인 피조사면으로서의 웨이퍼 W에 조사되는 광이 P편광을 주성분으로 하는 편광 상태로 된다. 여기서, P편광이란, 상술한 바와 같이 정의되는 입사면에 대해서 평행한 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광(입사면에 평행한 방향으로 전기 벡터가 진동하고 있는 편광)인 것이다. 그 결과, 직경 방향 편광 윤대 조명에서는, 웨이퍼 W에 도포된 레지스트에 있어서의 광의 반사율을 작게 억제하여, 웨이퍼(감광성 기판) 위에 있어서 양호한 마스크 패턴 상을 얻을 수 있다.
또한, 상술한 실시예에서는, 편광 변환 소자(10)에 입사하는 광속을, Z방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태와 X방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태 사이에서 전환함으로써, 원주 방향 편광 윤대 조명과 직경 방향 편광 윤대 조명을 실현하고 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 예를 들면 Z방향 또는 X방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태의 입사 광속에 대해서, 편광 변환 소자(10)를 도 5에 나타내는 제 1 상태와 광축 AX 둘레로 90°만큼 회전시킨 제 2 상태 사이에서 전환함으로써, 원주 방향 편광 윤대 조명과 직경 방향 편광 윤대 조명을 실현할 수도 있다.
또한, 상술한 실시예에서는, 마이크로 플라이아이 렌즈(11) 바로 앞에 편광 변환 소자(10)를 배치하고 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 일반적으로 조명 광학 장치(1~PL)의 동공 또는 그 근방에, 예를 들면 투영 광학계 PL의 동공 또는 그 근방이나, 결상 광학계(15)의 동공 또는 그 근방이나, 원추 액시콘계(8)의 바로 앞(어포컬 렌즈(6)의 동공 또는 그 근방) 등에 편광 변환 소자(10)를 배치할 수도 있다.
단, 투영 광학계 PL 중이나 결상 광학계(15) 중에 편광 변환 소자(10)를 배치하면, 편광 변환 소자(10)의 소요의 유효 직경이 커지기 쉽기 때문에, 고품질이며 큰 수정 기판을 얻는 것이 곤란한 현상을 생각하면 그다지 바람직하지 않다. 또한, 원추 액시콘계(8)의 바로 앞에 편광 변환 소자(10)를 배치하면, 편광 변환 소자(10)의 소요의 유효 직경을 작게 억제할 수 있지만, 최종적인 피조사면인 웨이퍼 W까지의 거리가 길고, 그 사이의 광로중에 렌즈의 반사 방지 코팅이나 미러의 반사막과 같이 편광 상태를 변화시키는 요소가 개재하기 쉽기 때문에 그다지 바람직하지 않다. 덧붙여서 말하면, 렌즈의 반사 방지 코팅이나 미러의 반사막에서는, 편광 상태(P편광과 S편광)나 입사 각도에 따라서 반사율에 차가 생기기 쉽고, 나아가서는 광의 편광 상태가 변화하기 쉽다.
또한, 상술한 실시예에서는, 편광 변환 소자(10)가 적어도 한쪽 면(예를 들면, 사출면)이 요철 형상으로 형성되고, 나아가서는 편광 변환 소자(10)가 원주 방향으로 이산적(불연속적)으로 변화하는 두께 분포를 갖는다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 편광 변환 소자(10)가 원주 방향으로 거의 불연속적으로 변화하는 두께 분포를 갖도록, 편광 변환 소자(10)의 적어도 한쪽 면(예를 들면, 사출면)을 곡면 형상으로 형성할 수도 있다.
또한, 상술한 실시예에서는, 윤대 형상의 유효 영역의 8분할에 대응하는 8개의 부채꼴 형상의 기본 소자에 의해 편광 변환 소자(10)를 구성하고 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 예를 들면 원 형상의 유효 영역의 8분할에 대응하는 8개의 부채꼴 형상의 기본 소자에 의해, 혹은 원 형상 또는 윤대 형상의 유효 영역의 4분할에 대응하는 4개의 부채꼴 형상의 기본 소자에 의해, 혹은 원 형상 또는 윤대 형상의 유효 영역의 16분할에 대응하는 16개의 부채꼴 형상의 기본 소자에 의해 편광 변환 소자(10)를 구성할 수도 있다. 즉, 편광 변환 소자(10)의 유효 영역의 형상, 유효 영역의 분할 수(기본 소자의 수) 등에 대해서 다양한 변형예가 가능하다.
또한, 상술한 실시예에서는, 수정을 이용하여 각 기본 소자(10A~10D)를(나아가서는, 편광 변환 소자(10)를) 형성하고 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 선광성을 갖는 다른 적당한 광학 재료를 이용하여 각 기본 소자를 형성할 수도 있다. 이 경우, 사용 파장의 광에 대해서 100°/㎜ 이상의 선광능을 갖는 광학 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 즉, 선광능이 작은 광학 재료를 이용하면, 편광 방향의 소요 회전각을 얻기 위해서 필요한 두께가 지나치게 커져, 광량 손실의 원인으로 되기 때문에 바람직하지 않다.
또한, 상술한 실시예에 있어서, 편광 변환 소자(10)를 조명 광로에 대해서 고정적으로 마련했지만, 이 편광 변환 소자(10)를 조명 광로에 대해서 삽입 탈착 가능하게 마련해도 된다. 또한, 상술한 실시예에서는, 웨이퍼 W에 대한 S편광과 윤대 조명을 조합한 예를 나타냈지만, 웨이퍼 W에 대한 S편광과 2극이나 4극 등의 다극 조명 및 원형 조명과 조합해도 무방하다. 또한, 상술한 실시예에 있어서, 마스크 M으로의 조명 조건이나 웨이퍼 W로의 결상 조건(개구수나 수차 등)은, 예를 들면 마스크 M의 패턴의 종류 등에 따라서 자동적으로 설정할 수 있다.
도 9는 복수의 편광 변환 소자를 교환 가능하게 마련한 변형예를 나타낸다. 또한, 도 9의 변형예는 도 1에 나타낸 실시예와 유사한 구성을 갖지만, 복수의 편광 변환 소자를 교환 가능하게 하는 터릿(10T)을 갖는 점에서 상이하다.
도 10은 도 9에서의 교환 기구로서의 터릿(10T)에 탑재된 복수 종류의 편광 변환 소자(10a~10e)를 나타내는 도면이다. 도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 이 변형예에서는, 광축 AX와 평행한 방향을 축으로 해서 회전 가능한 터릿(10T) 위에 복수 종류의 편광 변환 소자(10a~10e)를 마련하고, 터릿(10T)의 회전 동작에 의해 이들 복수 종류의 편광 변환 소자(10a~10e)를 교환 가능하게 하고 있다. 또한, 도 9에서는 복수 종류의 편광 변환 소자(10a~10c) 중, 편광 변환 소자(10a, 10b)만을 도시하고 있다. 또한, 편광 변환 소자의 교환 기구로서는 터릿(10T)에는 한정되지 않고, 예를 들면 슬라이더라도 무방하다.
도 11은 복수 종류의 편광 변환 소자(10a~10e)의 각각의 구성을 나타내는 도면이다. 도 11(a)에서, 제 1 편광 변환 소자(10a)는 도 5에 나타낸 실시예의 편광 변환 소자(10)와 동일한 구성을 갖는다. 도 11(b)에서, 제 2 편광 변환 소자(10b)는 도 11(a)에 나타낸 편광 변환 소자(10a)와 유사한 구성을 갖지만, 중앙 영역(10E)에 편광 해소 부재(104c)가 마련되어 있는 점에서 상이하다. 이 편광 해소 부재(104c)는 도 1에 나타낸 디폴라라이저(4c)와 마찬가지의 구성을 갖고, 입사하는 직선 편광의 광을 비편광 상태의 광으로 변환하는 기능을 갖는다.
도 11(c)에서, 제 3 편광 변환 소자(10c)는 도 11(a)에 나타낸 편광 변환 소자(10a)와 유사한 구성을 갖지만, 중앙 영역(10E)의 크기가 크게 되어 있는 점(제 1~제 4 기본 소자(10A~10D)의 폭이 좁게 되어 있는 점)에서 상이하다. 또한, 도 11(d)에서, 제 4 편광 변환 소자(10d)는 도 11(c)에 나타낸 편광 변환 소자(10c)와 유사한 구성을 갖지만, 중앙 영역(10E)에 편광 해소 부재(104c)가 마련되어 있는 점에서 상이하다.
도 11(c)에서, 제 5 편광 변환 소자(10e)는 8개의 기본 소자가 아니라, 6개의 기본 소자(10C, 10F, 10G)를 조합해서 구성되어 있다. 제 5 편광 변환 소자(10e)는 전체적으로 광축 AX를 중심으로 한 윤대 형상의 유효 영역을 갖고, 이 윤대 형상의 유효 영역은 광축 AX를 중심으로 한 원주 방향으로 등분할된 6개의 부채꼴 형상의 기본 소자(10C, 10F, 10G)에 의해 구성되어 있다. 이들 6개의 기본 소자(10C, 10F, 10G)에 있어서, 광축 AX를 사이에 두고서 대향하는 1쌍의 기본 소자는 서로 동일한 특성을 갖는다. 즉, 6개의 기본 소자(10C, 10F, 10G)는 광의 투과 방향(Y방향)을 따른 두께(광축 방향의 길이)가 서로 상이한 3종류의 기본 소자(10C, 10F, 10G)를 2개씩 포함하고 있다.
여기서, 기본 소자(10C)는 도 7에 나타낸 제 3 기본 소자(10C)와 동일한 기능을 갖는 부재이기 때문에, 그 기능의 설명을 생략한다. 기본 소자(10F)는 Z방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광이 입사한 경우, Z방향을 Y축 둘레로 +150° 회전시킨 방향, 즉 Z방향을 Y축 둘레로 -30° 회전시킨 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 광을 사출하도록 두께 dF가 설정되어 있다. 기본 소자(10G)는 Z방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광이 입사한 경우, Z방향을 Y축 둘레로 +30° 회전시킨 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 광을 사출하도록 두께 dG가 설정되어 있다. 또한, 중앙 영역(10E) 대신에 편광 해소 부재(104c)를 마련해도 된다.
또한, 도 10으로 되돌아가서, 터릿(10T)에는 편광 변환 소자가 탑재되지 않는 개구부(40)가 마련되어 있고, 원주 방향 편광 조명이 아닌 편광 조명을 실행하는 경우나, 큰 σ값(σ값=조명 광학 장치의 마스크측 개구수/투영 광학계의 마스크측 개구수)에 근거하여 비편광 조명을 실행하는 경우에는, 이 개구부(40)가 조명 광로중에 위치한다.
또한, 상술에서는, 터릿(10T)에 탑재되는 편광 변환 소자(10a~10e)의 중앙부에, 원 형상의 개구 또는 선광성을 갖지 않는 재료로 이루어지는 중앙 영역(10E) 혹은 편광 해소 부재(104c)를 마련한 예만 나타냈지만, 중앙 영역(10E) 또는 편광 해소 부재(104c)를 마련하지 않은 편광 변환 소자(부채꼴 형상의 기본 소자로 이루어지는 편광 변환 소자)를 탑재해도 된다.
도 12는 편광 변환 소자의 작용에 의해 원주 방향 편광 상태로 설정된 2차 광원의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 또한, 도 12에서는, 이해를 용이하게 하기 위해서 편광 변환 소자도 겹쳐서 도시하고 있다.
도 12(a)는 회절 광학 소자(5) 대신에, 파필드(또는, 프라운호퍼 회절 영역)에 8극 형상의 광강도 분포를 형성하는 회절 광학 소자(광속 변환 소자)가 조명 광로에 설치되고, 또한, 편광 변환 소자(10a, 10b)가 조명 광로에 설치된 경우에 있어서의 8극 형상의 2차 광원(33)을 나타내고 있다. 여기서, 8극 형상의 2차 광원(33)을 통과하는 광속이 원주 방향 편광 상태로 설정된다. 원주 방향 편광 상태에서는, 8극 형상의 2차 광원(33)을 구성하는 8개의 원형 영역(33A~33D)을 각각 통과하는 광속이, 이들 8개의 원형 영역(33A~33D)을 연결하는 원의 원주 방향, 즉 이들 8개의 원형 영역(33A~33D)을 연결하는 원의 접선 방향과 거의 일치하는 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태로 된다. 또한, 도 12(a)에서는, 8극 형상의 2차 광원(33)을 8개의 원형 영역(33A~33D)으로 구성한 예를 나타냈지만, 8개의 영역의 형상은 원형에만 한정되지 않는다.
도 12(b)에는, 회절 광학 소자(5) 대신에, 파필드(또는, 프라운호퍼 회절 영역)에 4극 형상의 광강도 분포를 형성하는 회절 광학 소자(광속 변환 소자)가 조명 광로에 설치되고, 또한, 편광 변환 소자(10c, 10d)가 조명 광로에 설치된 경우에 있어서의 4극 형상의 2차 광원(34)을 도시하고 있다. 여기서, 4극 형상의 2차 광원(34)을 통과하는 광속이 원주 방향 편광 상태로 설정된다. 원주 방향 편광 상태에서는, 4극 형상의 2차 광원(34)을 구성하는 4개의 영역(34A, 34C)을 각각 통과하는 광속이, 이들 4개의 영역(34A, 34C)을 연결하는 원의 원주 방향, 즉 이들 4개의 영역(34A, 34C)을 연결하는 원의 접선 방향과 거의 일치하는 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태로 된다. 또한, 도 12(b)에서는, 4극 형상의 2차 광원(34)을 4개의 거의 타원 형상의 영역(34A, 34C)으로 구성한 예를 나타냈지만, 4개의 영역의 형상은 거의 타원 형상에만 한정되지 않는다.
도 12(c)에는, 회절 광학 소자(5) 대신에, 파필드(또는, 프라운호퍼 회절 영역)에 6극 형상의 광강도 분포를 형성하는 회절 광학 소자(광속 변환 소자)가 조명 광로에 설치되고, 또한, 편광 변환 소자(10e)가 조명 광로에 설치된 경우에 있어서의 6극 형상의 2차 광원(35)을 나타내고 있다. 여기서, 6극 형상의 2차 광원(35)을 통과하는 광속이 원주 방향 편광 상태로 설정된다. 원주 방향 편광 상태에서는, 6극 형상의 2차 광원(35)을 구성하는 6개의 영역(35C, 35F, 35G)을 각각 통과하는 광속이, 이들 6개의 영역(35C, 35F, 35G)을 연결하는 원의 원주 방향, 즉 이들 6개의 영역(35C, 35F, 35G)을 연결하는 원의 접선 방향과 거의 일치하는 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태로 된다. 또한, 도 12(c)에서는, 6극 형상의 2차 광원(35)을 4개의 거의 사다리꼴 형상의 영역(35C, 35F, 35G)으로 구성한 예를 나타냈지만, 6개의 영역의 형상은 거의 사다리꼴 형상에만 한정되지 않는다.
또한, 상술한 실시예 및 변형예에서는, 편광 변환 소자가 광축 둘레에 고정되어 있었지만, 편광 변환 소자를 광축 둘레로 회전시켜도 된다. 도 13은 광축 AX 둘레로 회전 가능하게 마련된 편광 변환 소자(10f)의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 13에서, 편광 변환 소자(10f)는 4개의 기본 소자(10A, 10C)를 조합해서 구성되어 있다. 편광 변환 소자(10f)는 전체적으로 광축 AX를 중심으로 한 윤대 형상의 유효 영역을 갖고, 이 윤대 형상의 유효 영역은 광축 AX를 중심으로 한 원주 방향으로 등분할된 4개의 부채꼴 형상의 기본 소자(10A, 10C)에 의해 구성되어 있다. 이들 4개의 기본 소자(10A, 10C)에 있어서, 광축 AX를 사이에 두고서 대향하는 1쌍의 기본 소자는 서로 동일한 특성을 갖는다. 즉, 4개의 기본 소자(10A, 10C)는 광의 투과 방향(Y방향)을 따른 두께(광축 방향의 길이)가 서로 상이한 2종류의 기본 소자(10A, 10C)를 2개씩 포함하고 있다.
여기서, 기본 소자(10A)는 도 7에 나타낸 제 1 기본 소자(10A)와 동일한 기능을 갖는 부재이며, 기본 소자(10C)는 도 7에 나타낸 제 3 기본 소자(10C)와 동일한 기능을 갖는 부재이기 때문에, 그 기능의 설명을 생략한다. 또한, 중앙 영역(10E) 대신에, 편광 해소 부재(104c)를 마련해도 된다.
이 편광 변환 소자(10f)는 광축 AX를 중심으로 해서 회전 가능하게 되도록 마련되어 있고, 예를 들면 광축 AX를 중심으로 해서 +45° 또는 -45°만큼 회전 가능하게 되어 있다. 도 14는 편광 변환 소자(10f)의 작용에 의해 원주 방향 편광 상태로 설정된 2차 광원의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 또한, 도 14에서는, 이해를 용이하게 하기 위해서 편광 변환 소자(10f)도 겹처서 도시하고 있다.
도 14(a)는 회절 광학 소자(5) 대신에, 파필드(또는, 프라운호퍼 회절 영역)에 2극 형상의 광강도 분포를 형성하는 회절 광학 소자(광속 변환 소자)가 조명 광로에 설치되고, 또한, 편광 변환 소자(10f)가 회전각 0°인 상태(기준 상태)에서 조명 광로에 설치된 경우에 있어서의 2극 형상의 2차 광원(36)((36A))을 나타내고 있다. 여기서는, 2극 형상의 2차 광원(36)((36A))을 통과하는 광속이 종방향 편광 상태로 설정된다.
도 14(b)는 회절 광학 소자(5) 대신에, 파필드(또는, 프라운호퍼 회절 영역)에 4극 형상의 광강도 분포를 형성하는 회절 광학 소자(광속 변환 소자)가 조명 광로에 설치되고, 또한, 편광 변환 소자(10f)가 회전각 0°인 상태(기준 상태)에서 조명 광로에 설치된 경우에 있어서의 4극 형상의 2차 광원(37)을 나타내고 있다. 여기서는, 4극 형상의 2차 광원(37)을 통과하는 광속이 원주 방향 편광 상태로 설정된다. 또한, 도 14(b)에서의 4극 형상의 광강도 분포는 지면내 상하 방향(Z방향) 및 좌우 방향(X방향)으로 국재하고 있다.
원주 방향 편광 상태에서는, 4극 형상의 2차 광원(37)을 구성하는 4개의 원형 영역(37A, 37C)을 각각 통과하는 광속이, 이들 4개의 원형 영역(37A, 37C)을 연결하는 원의 원주 방향, 즉 이들 4개의 원형 영역(37A, 37C)을 연결하는 원의 접선 방향과 거의 일치하는 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태로 된다. 또한, 도 14(b)에서는, 4극 형상의 2차 광원(37)을 4개의 원형 영역(37A, 37C)으로 구성한 예를 나타냈지만, 4개의 영역의 형상은 원형에만 한정되지 않는다.
도 14(c)는 도 14(b)의 회절 광학 소자 대신에, 파필드(또는, 프라운호퍼 회절 영역)에 지면내 +45°(-135°) 방향 및 지면내 -45°(+135°) 방향으로 국재하는 4극 형상의 광강도 분포를 형성하는 회절 광학 소자(광속 변환 소자)가 조명 광로에 설치되고, 또한 편광 변환 소자(10f)를 회전각 +45° 상태(기준 상태에 대해서 시계 방향으로 45°만큼 회전시킨 상태)로 회전시켜서 조명 광로에 설치한 경우에 있어서의 4극 형상의 2차 광원(38)을 나타내고 있다.
도 14(c)에서는, 편광 상태 전환부(4) 중의 1/2 파장판(4b)을 광축 둘레로 회전시키고, 편광 변환 소자(10f)에 대해서 +45° 방향(-135° 방향)으로 편광 방향을 갖는 직선 편광을 입사시킨다. 여기서, 기본 소자(10A)는 입사한 직선 편광의 편광 방향을 180°±n×180°(n은 정수)만큼 회전시키는 기능을 갖으며, 기본 소자(10C)는 입사한 직선 편광의 편광 방향을 90°±n×180°(n은 정수)만큼 회전시키는 기능을 갖기 때문에, 4극 형상의 2차 광원(38)을 통과하는 광속이 원주 방향 편광 상태로 설정된다.
도 14(c)에 나타낸 원주 방향 편광 상태에서는, 4극 형상의 2차 광원(38)을 구성하는 4개의 원형 영역(38B, 38D)을 각각 통과하는 광속이, 이들 4개의 원형 영역(38B, 38D)을 연결하는 원의 원주 방향, 즉 이들 4개의 원형 영역(38B, 38D)을 연결하는 원의 접선 방향과 거의 일치하는 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태로 된다. 또한, 도 14(c)에서는, 4극 형상의 2차 광원(38)을 4개의 원형 영역(38B, 38D)으로 구성한 예를 나타냈지만, 4개의 영역의 형상은 원형에만 한정되지 않는다.
이와 같이, 편광 상태 전환부(4)의 편광 방향의 변경 동작과, 편광 변환 소자(10f)의 회전 동작에 의해, +45°(-135°) 방향 및 -45°(+135°) 방향으로 국재하는 4극 형상의 2차 광원이더라도, 0°(+180°) 방향 및 90°(270°), 즉 종횡 방향으로 국재하는 4극 형상의 2차 광원이더라도, 0°(+180°) 방향 또는 90°(270°), 즉 종횡 방향으로 국재하는 2극 형상의 2차 광원이더라도, 원주 방향 편광 상태를 실현할 수 있다.
또한, 광축 AX를 중심으로 한 원주 방향으로 등분할된 8개의 부채꼴 형상의 기본 소자로 구성되는 편광 변환 소자를, 광축 AX 둘레로 회전 가능하게 해도 좋다. 도 15(a)에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 상기 8분할의 기본 소자로 이루어지는 편광 변환 소자(예를 들면, 편광 변환 소자(10a))를 +45°만큼 광축 AX 둘레로 회전시키면, 8극 형상의 2차 광원(39)을 구성하는 8개의 원형 영역(39A~39D)을 각각 통과하는 광속이, 이들 8개의 원형 영역(39A~39D)을 연결하는 원의 원주 방향(이들 8개의 원형 영역(39~39D)을 연결하는 원의 접선 방향)에 대해서 -45°만큼 회전된 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태로 된다.
또한, 도 15(b)에 나타내는 바와 같이, 8극 형상의 2차 광원을 구성하는 8개의 원형 영역을 각각 통과하는 광속이, 이들 8개의 원형 영역을 연결하는 원의 원주 방향(이들 8개의 원형 영역을 연결하는 원의 접선 방향)에 대해서 +45°만큼 회전된 방향으로 긴 축을 갖는 타원 편광인 경우에는, 도 15(a)에 나타낸 바와 같이 편광 변환 소자(예를 들면, 편광 변환 소자(10a))를 +45°만큼 광축 AX 둘레로 회전시킴으로써, 도 15(c)에 나타내는 바와 같이, 대략 원주 방향 편광 상태를 얻을 수 있다.
도 16은 편광 변환 소자를 조명 광학 장치의 동공 근방의 위치 중, 원추 액시콘계(8)의 바로 앞의 위치(입사측 근방의 위치)에 배치한 예를 나타낸다. 이 도 16의 예에서는, 줌 렌즈계(9)의 변배 작용에 의해서, 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 입사면에 투영되는 중앙 영역(10E)의 상(像)의 크기와, 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 입사면에 투영되는 각 기본 소자(10A~10D)의 상의 크기가 변경되고, 원추 액시콘계(8)의 동작에 의해서, 마이크로 플라이아이 렌즈(11)의 입사면에 투영되는 각 기본 소자(10A~10D)의 상에서의 광축 AX를 중심으로 하는 반경 방향의 폭이 변경된다.
따라서, 도 16에 나타낸 변형예와 같이 중앙 영역(10E)(또는, 편광 해소 부재(104c))을 갖는 편광 변환 소자를, 변배 작용을 갖는 광학계(줌 렌즈(9))보다도 광원 쪽에 마련하는 경우에는, 중앙 영역(10E)이 차지하는 영역이 줌 렌즈(9)의 변배에 의해서 변경되는 것을 고려하여, 중앙 영역(10E)의 크기를 정하면 된다.
또한, 도 16에 나타낸 변형예와 같이, 중앙 영역(10E)(또는, 편광 해소 부재(104c))을 갖는 편광 변환 소자를, 윤대비를 변경하는 작용을 갖는 광학계(원추 액시콘계(8))보다도 광원 쪽에 마련하는 경우에는, 도 17에 나타내는 바와 같이, 이하의 조건식(1) 및 (2) 중 적어도 한쪽의 조건식을 만족하는 것이 바람직하다.
Figure 112010002553235-pat00002
Figure 112010002553235-pat00003
단,
10in: 편광 변환 소자(10)의 중앙 영역(10E)의 유효 반경,
10out : 편광 변환 소자(10)의 외측 유효 반경,
ΔA: 윤대비를 변경하는 작용을 갖는 광학계를 통과한 광속의 내측 반경의 증가분
이다.
여기서, 조건식(1)을 만족하지 않는 경우에는, 편광 변환 소자(10)에 의해서 원주 방향 편광 상태로 변환되는 윤대 형상의 영역의 폭이 좁아지고, 작은 윤대비에 근거하여 윤대 형상 또는 다극 형상 2차 광원에 의한 원주 방향 편광 조명을 달성할 수 없게 되기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 조건식(2)를 만족하지 않는 경우에는, 편광 변환 소자(10)의 중앙 영역을 통과할 수 있는 광속의 직경이 현저하게 작아지고, 예를 들면 당해 편광 변환 소자(10)를 조명 광로로부터 분리하지 않고, 편광 상태를 바꾸지 않고서 작은 σ 조명을 할 수 없게 되기 때문에 바람직하지 않다.
또한, 도 18에 나타내는 바와 같이, 편광 변환 소자를 조명 광학 장치의 동공 근방의 위치 중, 마이크로 플라이아이 렌즈(11)보다도 마스크 쪽의 위치, 구체적으로는 마스크 블라인드(14)의 상을 마스크 위에 투영하는 결상 광학계(15)의 동공 위치의 근방에 마련해도 된다. 도 16 및 도 18에 나타낸 실시예에 있어서도, 도 9 내지 도 11의 실시예와 마찬가지로 복수의 편광 변환 소자를 교환 가능하게 해도 된다.
또한, 상술한 실시예에 있어서, 편광 변환 소자(10)보다도 웨이퍼 W 쪽의 광학계(조명 광학계나 투영 광학계)가 편광 수차(지연(retardation))를 갖고 있는 경우에는, 이 편광 수차에 기인해서 편광 방향이 변화하는 일이 있다. 이 경우에는, 이들 광학계의 편광 수차의 영향을 고려한 후에, 편광 변환 소자(10)에 의해 선회되는 편광면의 방향을 설정하면 된다. 또한, 편광 변환 소자(10)보다도 웨이퍼 W 쪽의 광로중에 반사 부재가 배치되어 있는 경우, 이 반사 부재에서 반사된 편광 방향마다 위상차가 생기는 일이 있다. 이 때, 반사면의 편광 특성에 기인하는 광속의 위상차를 고려한 후에, 편광 변환 소자(10)에 의해 선회되는 편광면의 방향을 설정하면 된다.
다음에, 편광 상태의 평가 수법의 실시예에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는, 감광성 기판으로서의 웨이퍼 W를 유지하는 웨이퍼 스테이지(기판 스테이지)의 옆쪽에 부착 가능한 웨이퍼면 편광 모니터(90)를 이용하여, 감광성 기판으로서의 웨이퍼 W에 도달하는 광속의 편광 상태를 검출한다. 또한, 웨이퍼면 편광 모니터(90)는 웨이퍼 스테이지 내에 마련되어도 무방하고, 당해 웨이퍼 스테이지와는 별도의 계측 스테이지에 마련되어도 무방하다.
도 19는 웨이퍼 W를 조명하는 광의 편광 상태 및 광강도를 검출하기 위한 웨이퍼면 편광 모니터(90)의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다. 도 19에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼면 편광 모니터(90)는 웨이퍼 W의 위치 또는 그 근방에 위치 결정 가능한 핀홀 부재(91)를 구비하고 있다. 핀홀 부재(91)의 핀홀(91a)을 통과한 광은, 투영 광학계 PL의 상면(像面) 위치 또는 그 근방이 앞쪽 초점 위치로 되도록 배치되어 있는 콜리메이트 렌즈(92)를 거쳐서 거의 평행한 광속으로 되어, 반사경(93)에서 반사된 후, 릴레이 렌즈계(94)에 입사한다. 릴레이 렌즈계(94)를 거친 거의 평행한 광속은, 위상 시프터(移相子)로서의 λ/4판(95) 및 편광자로서의 편광 빔 스플리터(96)를 거친 후, 2차원 CCD(97)의 검출면(97a)에 도달한다. 여기서, 2차원 CCD(97)의 검출면(97a)은 투영 광학계 PL의 사출 동공과 광학적으로 거의 공액, 나아가서는 조명 광학 장치의 조명 동공면과 광학적으로 거의 공액으로 되어 있다.
λ/4판(95)은 광축을 중심으로 해서 회전 가능하게 구성되어 있고, 이 λ/4판(95)에는, 그 광축을 중심으로 한 회전각을 설정하기 위한 설정부(98)가 접속되어 있다. 이렇게 해서, 웨이퍼 W에 대한 조명광의 편광도가 0이 아닌 경우에는, 설정부(98)를 거쳐서 λ/4판(95)을 광축 둘레로 회전시킴으로써 2차원 CCD(97)의 검출면(97a)에 있어서의 광강도 분포가 변화한다. 따라서, 웨이퍼면 편광 모니터(90)에서는, 설정부(98)를 이용하여 λ/4판(95)을 광축 둘레로 회전시키면서 검출면(97a)에 있어서의 광강도 분포의 변화를 검출하고, 이 검출 결과로부터 회전 위상 시프터법에 의해 조명광의 편광 상태를 측정할 수 있다.
또한, 회전 위상 시프터법에 대해서는, 예를 들면 츠루다 저술, 「광의 연필-광 기술자를 위한 응용 광학」, 주식회사 신기술 커뮤니케이션 등에 상세하게 기재되어 있다. 실제로는, 핀홀 부재(90)(나아가서는, 핀홀(90a))를 웨이퍼면을 따라 2차원적으로 이동시키면서, 웨이퍼면 내의 복수의 위치에 있어서의 조명광의 편광 상태를 측정한다. 이 때, 웨이퍼면 편광 모니터(90)에서는, 2차원적인 검출면(97a)에 있어서의 광강도 분포의 변화를 검출하기 때문에, 이 검출 분포 정보에 근거하여 조명광의 동공 내에 있어서의 편광 상태의 분포를 측정할 수 있다.
또한, 웨이퍼면 편광 모니터(90)에서는, 위상 시프터로서 λ/4판(95) 대신에λ/2판을 이용하는 것도 가능하다. 어떠한 위상 시프터를 이용했다고 하더라도, 편광 상태, 즉 4개의 스토크스(stokes) 파라미터를 측정하기 위해서는, 위상 시프터와 편광자(편광 빔 스플리터(96))와의 광축 둘레의 상대 각도를 바꾸거나, 위상 시프터 또는 편광자를 광로로부터 퇴피시키거나 해서, 적어도 4개의 상이한 상태에서 검출면(97a)에 있어서의 광강도 분포의 변화를 검출할 필요가 있다. 또한, 본 실시예에서는 위상 시프터로서의 λ/4판(95)을 광축 둘레로 회전시켰지만, 편광자로서의 편광 빔 스플리터(96)를 광축 둘레로 회전시켜도 되고, 위상 시프터 및 편광자의 양쪽을 광축 둘레로 회전시켜도 된다. 또한, 이 동작 대신에, 혹은 이 동작에 부가하여, 위상 시프터로서의 λ/4판(95) 및 편광자로서의 편광 빔 스플리터(96) 중 한쪽 또는 양쪽을 광로로부터 삽입 탈착시켜도 된다.
또한, 웨이퍼면 편광 모니터(90)에서는, 반사경(93)의 편광 특성에 의해 광의 편광 상태가 변화해 버리는 경우가 있다. 이 경우, 반사경(93)의 편광 특성은 미리 알 수 있기 때문에, 소요의 계산에 의해서 반사경(93)의 편광 특성의 편광 상태에 대한 영향에 근거해서 웨이퍼면 편광 모니터(90)의 측정 결과를 보정하여, 조명광의 편광 상태를 정확하게 측정할 수 있다. 또한, 반사경에 한정되지 않고, 렌즈 등의 다른 광학 부품에 기인해서 편광 상태가 변화해 버리는 경우에도 마찬가지로 측정 결과를 보정하여, 조명광의 편광 상태를 정확하게 측정할 수 있다.
이하, 조명광의 동공 내에 있어서의 편광 상태의 분포의 평가에 대해서 구체적으로 설명한다. 먼저, 동공 위의 한 점(또는, 미소 영역)을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선의 한개 한개에 대해서 특정 편광도(DSP)를 산출한다. 또한, 이하의 설명에서는, 도 1, 도 16, 도 18에서 이용한 XYZ 좌표계를 이용한다. 상술한 동공 위의 한 점(미소 영역)은 2차원 CCD(97)의 1화소에 대응하고, 상면 위의 한 점(미소 영역)은 핀홀(90a)의 XY 좌표에 대응한다.
이 특정 편광도(DSP)는 동공 위의 한 점(또는, 미소 영역)을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 특정 광선에 있어서의 X방향 편광(동공 위에 있어서 X방향으로 진동 방향을 가지는 편광) 성분의 강도를 Ix로 하고, 당해 특정 광선에 있어서의 Y방향 편광(동공 위에 있어서 Y방향으로 진동 방향을 가지는 편광) 성분의 강도를 Iy로 할 때,
Figure 112010002553235-pat00004
로 표현된다. 또한, 이 특정 편광도(DSP)는 전강도 S0에 대한 수평 직선 편광강도 마이너스 수직 직선 편광강도 S1(S1/S0)과 동일한 의미이다.
또한, 동공 위의 한 점(또는, 미소 영역)을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 특정 광선에 있어서의 X방향 편광(동공 위에 있어서 X방향으로 진동 방향을 가지는 편광) 성분의 강도 Ix, 및 당해 특정 광선에 있어서의 Y방향 편광(동공 위에 있어서 Y방향으로 진동 방향을 가지는 편광) 성분의 강도 Iy로부터, 아래 식(4), (5)와 같이, 수평 편광(패턴면 내에서 수평 방향으로 연장한 마스크 패턴의 회절광에 대해서 S편광으로 되는 편광)에 대한 적정 편광율 RSPh, 및 수직 편광(패턴면 내에서 수직 방향으로 연장한 마스크 패턴의 회절광에 대해서 S편광으로 되는 편광)에 대한 적정 편광율 RSPv를 정의할 수 있다.
Figure 112010002553235-pat00005
Figure 112010002553235-pat00006
여기서, 이상적인 비편광 조명시에는 RSPh, RSPv는 모두 50%로 되고, 이상적인 수평 편광시에는 RSPh가 100%로 되고, 이상적인 수직 편광시에는 RSPv가 100%로 된다.
또한, 동공 위의 한 점(또는, 미소 영역)을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선의 한개 한개에 대해서, 아래 식(6)~(9)로 편광도 V를 정의할 때, 소정의 유효 광원 영역을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선속에 대해서, 아래 식(10)과 같이 평균 편광도 V(Ave)를 정의할 수 있다.
Figure 112010002553235-pat00007
Figure 112010002553235-pat00008
Figure 112010002553235-pat00009
Figure 112010002553235-pat00010
단, S0은 전강도이고, S1은 수평 직선 편광 강도 마이너스 수직 직선 편광 강도이고, S2는 45° 직선 편광 강도 마이너스 135° 직선 편광 강도이며, S3은 우회전 원편광 강도 마이너스 좌회전 원편광 강도이다.
Figure 112010002553235-pat00011
또한, (10)식에서, S0(xi, yi)는 소정의 유효 광원 영역(xi, yi) 위의 한 점(또는, 미소 영역)을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선에 대한 전강도 S0이고, V(xi, yi)는 소정의 유효 광원 영역(xi, yi) 위의 한 점(또는, 미소 영역)을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선의 편광도이다.
또한, 소정의 유효 광원 영역을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선속에 대해서, 이하의 (11)식에서 수평 편광에 관한 평균 특정 편광율 RSPh(Ave)를, (12)식에서 및 수직 편광에 관한 평균 특정 편광율 RSPv(Ave)를 정의할 수 있다.
Figure 112010002553235-pat00012
Figure 112010002553235-pat00013
여기서, Ix(Ave)는 소정의 유효 광원 영역(xi, yi)를 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선속에 있어서의 X방향 편광(동공 위에 있어서 X방향으로 진동 방향을 가지는 편광) 성분의 강도의 평균, Iy(Ave)는 소정의 유효 광원 영역(xi, yi)을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선속에 있어서의 Y방향 편광(동공 위에 있어서 Y방향으로 진동 방향을 가지는 편광) 성분의 강도의 평균, RSPh(xi, yi)는 소정의 유효 광원 영역(xi, yi) 위의 한 점(또는, 미소 영역)을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선의 수평 편광에 대한 적정 편광율, RSPv(xi, yi)는 소정의 유효 광원 영역(xi, yi) 위의 한 점(또는, 미소 영역)을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선의 수직 편광에 대한 적정 편광율이다. 또한, (Ix+Iy)Ave는 상기 소정의 유효 광원 영역을 통과하는 전광속의 강도의 평균이다.
여기서, 이상적인 비편광 조명시에는 RSPh(xi, yi), RSPv(xi, yi)는 모두 50%로 되고, 이상적인 수평 편광시에는 RSPh(xi, yi)가 100%로 되고, 이상적인 수직 편광시에는 RSPv(xi, yi)가 100%로 된다.
그리고, 소정의 유효 광원 영역(xi, yi)을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선속에 대해서, 아래 식(13)과 같이 평균 특정 편광도 DSP(Ave)를 정의할 수 있다.
Figure 112010002553235-pat00014
여기서, (Ix-Iy)Ave는 소정의 유효 광원 영역(xi, yi)를 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선속에 있어서의 X방향 편광 성분의 강도와 소정의 유효 광원 영역(xi, yi)를 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선속에 있어서의 Y방향 편광 성분의 강도와의 차의 평균, Ix(xi, yi)는 소정의 유효 광원 영역(xi, yi) 위의 한 점(또는, 미소 영역)을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선에 있어서의 X방향 편광 성분의 강도, Iy(xi, yi)는 소정의 유효 광원 영역(xi, yi) 위의 한 점(또는, 미소 영역)을 통과해서 상면 위의 한 점(미소 영역)에 도달하는 광선에 있어서의 Y방향 편광 성분의 강도, S1(Ave)는 소정의 유효 광원 영역(xi, yi)에 있어서의 S1 성분의 평균이다.
(13)식에서, 이상적인 비편광 조명시에는 DSP(Ave)는 0으로 되고, 이상적인 수평 편광시에는 DSP(Ave)가 1로 되고, 이상적인 수직 편광시에는 DSP(Ave)가 -1로 된다.
그런데, 본 실시예의 조명 광학 장치, 나아가서는 노광 장치에서는, 소정의 유효 광원 영역에 있어서의 평균 특정 편광율 RSPh(Ave), RSPv(Ave)가,
RSPh(Ave)>70%, RSPv(Ave)>70%
를 만족시킬 때, 그 소정의 유효 광원 영역 내를 직선 편광으로 간주할 수 있다. 여기서, 평균 특정 편광율 RSPh(Ave), RSPv(Ave)가 상기 조건을 만족하지 않는 경우에는, 원주 방향 편광 윤대 조명이나, 원주 방향 편광 4극 조명, 원주 방향 편광 2극 조명 등에 있어서, 소정 방향으로 편광면을 갖는 소망하는 직선 편광 상태가 실현되지 않기 때문에, 특정한 피치 방향을 갖는 선폭이 가는 패턴에 대한 결상 성능의 향상을 도모할 수 없게 되어 버린다.
또한, 예를 들면 도 13에 나타낸 4분할 편광 변환 소자(10f)를 이용하여 4분할 원주 방향 편광 윤대 조명을 실행하는 경우에는, 도 20에 나타내는 바와 같이, 윤대 형상의 2차 광원(31)을 4분할하여, 각각의 분할 영역(31A1, 31A2, 31C1, 31C2)마다 평균 특정 편광율 RSPh(Ave), RSPv(Ave)를 평가하면 된다.
상술한 실시예에 따른 노광 장치에서는, 조명 광학 장치에 의해서 마스크(레티클)를 조명하고(조명 공정), 투영 광학계를 이용하여 마스크에 형성된 전사용 패턴을 감광성 기판에 노광하는(노광 공정) 것에 의해, 마이크로 디바이스(반도체 소자, 촬상 소자, 액정 표시 소자, 박막 자기 헤드 등)를 제조할 수 있다. 이하, 상술한 실시예의 노광 장치를 이용하여 감광성 기판으로서의 웨이퍼 등에 소정의 회로 패턴을 형성함으로써, 마이크로 디바이스로서의 반도체 디바이스를 얻을 때의 수법의 일례에 대해 도 9의 흐름도를 참조하여 설명한다.
먼저, 도 9의 단계 301에서, 1로트의 웨이퍼 위에 금속막이 증착된다. 다음의 단계 302에서, 그 1로트의 웨이퍼 위의 금속막 위에 포토레지스트가 도포된다. 그 후, 단계 303에서, 상술한 실시예의 노광 장치를 이용하여, 마스크 위의 패턴의 상(像)이 그 투영 광학계를 거쳐서, 그 1로트의 웨이퍼 위의 각 쇼트(shot) 영역에 순차적으로 노광 전사된다. 그 후, 단계 304에서, 그 1로트의 웨이퍼 위의 포토레지스트의 현상이 실행된 후, 단계 305에서, 그 1로트의 웨이퍼 위에서 레지스트 패턴을 마스크로 하여 에칭을 실행함으로써, 마스크 위의 패턴에 대응하는 회로 패턴이 각 웨이퍼 위의 각 쇼트 영역에 형성된다. 그 후, 더욱 위의 레이어의 회로 패턴의 형성 등을 실행함으로써, 반도체 소자 등의 디바이스가 제조된다. 상술한 반도체 디바이스 제조 방법에 의하면, 극히 미세한 회로 패턴을 갖는 반도체 디바이스를 양호한 스루풋으로 얻을 수 있다.
또한, 상술한 실시예의 노광 장치에서는, 플레이트(유리 기판) 위에 소정의 패턴(회로 패턴, 전극 패턴 등)을 형성함으로써, 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 소자를 얻을 수도 있다. 이하, 도 10의 흐름도를 참조하여, 이 때의 수법의 일례에 대해서 설명한다. 도 10에서, 패턴 형성 공정 401에서는, 상술한 실시예의 노광 장치를 이용하여 마스크의 패턴을 감광성 기판(레지스트가 도포된 유리 기판 등)에 전사 노광하는, 소위 광리소그래피 공정이 실행된다. 이 광리소그래피 공정에 의해서, 감광성 기판 위에는 다수의 전극 등을 포함하는 소정 패턴이 형성된다. 그 후, 노광된 기판은 현상 공정, 에칭 공정, 레지스트 박리 공정 등의 각 공정을 거침으로써, 기판 위에 소정의 패턴이 형성되고, 다음의 컬러 필터 형성 공정 402로 이행한다.
다음에, 컬러 필터 형성 공정 402에서는, R(Red), G(Green), B(Blue)에 대응한 3개의 도트의 세트가 매트릭스 형상으로 다수개 배열되거나, 또는 R, G, B의 3개의 스트라이프 필터의 세트를 복수개 수평 주사선 방향으로 배열한 컬러 필터를 형성한다. 그리고, 컬러 필터 형성 공정 402 후에, 셀 조립 공정 403이 실행된다. 셀 조립 공정 403에서는, 패턴 형성 공정 401에서 얻어진 소정 패턴을 갖는 기판, 및 컬러 필터 형성 공정 402에서 얻어진 컬러 필터 등을 이용하여 액정 패널(액정 셀)을 조립한다.
셀 조립 공정 403에서는, 예를 들면, 패턴 형성 공정 401에서 얻어진 소정 패턴을 갖는 기판과 컬러 필터 형성 공정 402에서 얻어진 컬러 필터 사이에 액정을 주입해서, 액정 패널(액정 셀)을 제조한다. 그 후, 모듈 조립 공정 404에서, 조립된 액정 패널(액정 셀)의 표시 동작을 실행시키는 전기 회로, 백라이트 등의 각부품을 부착해서 액정 표시 소자로서 완성시킨다. 상술한 액정 표시 소자의 제조 방법에 의하면, 극히 미세한 회로 패턴을 갖는 액정 표시 소자를 양호한 스루풋으로 얻을 수 있다.
또한, 상술한 실시예에서는, 노광광으로서 KrF 엑시머 레이저광(파장:248nm)이나 ArF 엑시머 레이저광(파장:193nm)을 이용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 다른 적당한 레이저 광원, 예를 들면 파장 157㎚의 레이저광을 공급하는 F2 레이저 광원 등에 대하여 본 발명을 적용할 수도 있다. 또한, 상술한 실시예에서는, 조명 광학 장치를 구비한 노광 장치를 예로 들어서 본 발명을 설명했지만, 마스크나 웨이퍼 이외의 피조사면을 조명하기 위한 일반적인 조명 광학 장치에 본 발명을 적용할 수 있는 것은 명백하다.
또한, 상술한 실시예에 있어서, 투영 광학계와 감광성 기판 사이의 광로중을 1.1보다도 큰 굴절률을 갖는 매체(전형적으로는 액체)로 채우는 수법, 소위 액침법(液浸法)을 적용해도 된다. 이 경우, 투영 광학계와 감광성 기판 사이의 광로중에 액체를 채우는 수법으로서는, 국제 공개 번호 WO99/49504호 공보에 개시되어 있는 바와 같은 국소적으로 액체를 채우는 수법이나, 일본 특허 공개 평성 제6-124873호 공보에 개시되어 있는 바와 같은 노광 대상의 기판을 유지한 스테이지를 액조 중에서 이동시키는 수법이나, 일본 특허 공개 평성 제10-303114호 공보에 개시되어 있는 바와 같은 스테이지 위에 소정 깊이의 액체조를 형성하여, 그 중에 기판을 보존유지하는 수법 등을 채용할 수 있다.
또한, 액체로서는, 노광광에 대한 투과성이 있어서 가능한 한 굴절률이 높고, 투영 광학계나 기판 표면에 도포되어 있는 포토레지스트에 대하여 안정한 것을 이용하는 것이 바람직하며, 예를 들면 KrF 엑시머 레이저광이나 ArF 엑시머 레이저광을 노광광으로 하는 경우에는, 액체로서 순수한 물, 탈이온수를 이용할 수 있다. 또한, 노광광으로서 F2 레이저광을 이용하는 경우에는, 액체로서는 F2 레이저광을 투과 가능한 예를 들어 불소계 오일이나 과불소화 폴리에테르(PFPE) 등의 불소계 액체를 이용하면 된다.
1 : 광원 4 : 편광 상태 전환부
4a : 1/4 파장판 4b : 1/2 파장판
4c : 디폴라라이저 5 : 회절 광학 소자(광속 변환 소자)
6 : 어포컬 렌즈 8 : 원추 액시콘계
9 : 줌 렌즈 10 : 편광 변환 소자
10A~10D : 각 기본 소자 11 : 마이크로 플라이아이 렌즈
12 : 편광 모니터 12a : 빔 스플리터
13 : 콘덴서 광학계 14 : 마스크 블라인드
15 : 결상 광학계 M : 마스크
PL : 투영 광학계 W : 웨이퍼

Claims (33)

  1. 광원으로부터 공급되는 조명광을 제 1 광학계를 거쳐서 물체에 조사하여, 상기 물체를 조명하는 조명 광학 장치에 있어서,
    상기 제 1 광학계는,
    상기 제 1 광학계의 동공면에서 상기 조명광이 분포되는 윤대 형상의 윤대비(輪帶比)를 변경하기 위한 윤대비 변경 부재와,
    상기 조명광의 광로 중 상기 윤대비 변경 부재보다 상기 광원측에 배치되어, 상기 조명광의 편광 상태를 변화시키는 편광 변환 소자
    를 구비하되,
    상기 편광 변환 소자는, 상기 편광 변환 소자에 소정 방향의 직선 편광 상태로 입사하는 상기 조명광이, 상기 동공면에서 직경 방향을 따른 편광 방향을 갖는 직경 방향 편광 상태로 되도록, 상기 조명광의 편광 상태를 변화시키는 것
    을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  2. 광원으로부터 공급되는 조명광을 제 1 광학계를 거쳐서 물체에 조사하여, 상기 물체를 조명하는 조명 광학 장치에 있어서,
    상기 제 1 광학계는,
    상기 제 1 광학계의 동공면에서 상기 조명광이 분포되는 윤대 형상의 영역의 윤대비를 변경하기 위한 윤대비 변경 부재와,
    상기 조명광의 광로 중 상기 윤대비 변경 부재보다 상기 물체측에 배치된 광학 인티그레이터(optical integrator)와,
    상기 윤대비 변경 부재와 상기 광학 인티그레이터 사이의 광로에 배치되고, 상기 조명광의 편광 상태를 변화시키는 편광 변환 소자
    를 구비하되,
    상기 편광 변환 소자는, 상기 편광 변환 소자에 소정 방향의 직선 편광 상태로 입사하는 상기 조명광이, 상기 동공면에서 직경 방향을 따른 편광 방향을 갖는 직경 방향 편광 상태로 되도록, 상기 조명광의 편광 상태를 변화시키는 것
    을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 윤대비 변경 부재는,
    광의 사출측에 오목면을 향한 오목 원추 프리즘 부재와,
    광의 입사측에 볼록면을 향한 볼록 원추 프리즘 부재
    를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 오목 원추 프리즘 부재와 상기 볼록 원추 프리즘 부재의 간격은 변경 가능한 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 편광 변환 소자는 선광성을 갖는 결정 광학 재료에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 결정 광학 재료의 결정 광학축은 상기 제 1 광학계의 광축과 일치하는 방향을 향하고 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  10. 삭제
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 편광 변환 소자는 원주 방향으로 분할된 복수의 영역을 갖고,
    상기 복수의 영역에서 인접하는 임의의 2개의 영역으로부터 사출되는 상기 조명광의 편광 방향이 서로 다른 것
    을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 복수의 영역 중 대향하는 임의의 2개의 영역으로부터 사출되는 상기 조명광의 편광 방향은 서로 동일한 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  13. 삭제
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 복수의 영역의 각각은 부채꼴 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 편광 변환 소자는 상기 윤대비 변경 부재의 바로 앞에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  16. 제 2 항에 있어서,
    상기 편광 변환 소자는 상기 광학 인티그레이터의 바로 앞에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  17. 제 2 항에 있어서,
    상기 조명광의 광로 중 상기 윤대비 변경 부재보다 상기 광원측에 배치되는 회절 광학 소자를 포함하여, 상기 동공면에서의 상기 윤대 형상의 영역에 상기 조명광에 의한 소정 형상의 광 강도 분포를 형성하는 분포 형성 부재를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 분포 형성 부재는 상기 윤대 형상의 영역에 윤대 형상의 광 강도 분포를 형성하는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 분포 형성 부재는 상기 윤대 형상의 영역에 복수 극 형상의 광 강도 분포를 형성하는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  20. 삭제
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 회절 광학 소자와 상기 광학 인티그레이터 사이에 배치되는 줌 렌즈를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  22. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 조명광은 상기 광원으로부터 직선 편광 상태로 공급되는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 조명광의 광로 중 상기 편광 변환 소자보다 상기 광원측에 배치되어, 상기 조명광의 편광 상태를 상기 소정 방향의 직선 편광 상태로 설정하는 편광 상태 전환부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 제 23 항에 있어서,
    상기 편광 상태 전환부는 상기 제 1 광학계의 광축에 대해 원주 방향으로 회전 가능한 파장판을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  28. 제 22 항에 있어서,
    상기 광원으로부터 공급되는 상기 조명광의 편광도는 95% 이상인 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  29. 마스크의 패턴을 감광성 기판에 노광하는 노광 장치로서,
    상기 마스크를 조명하는 청구항 1 또는 2에 기재된 조명 광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 패턴의 상(像)을 상기 감광성 기판 위에 투영하는 투영 광학계를 구비하고,
    상기 패턴의 상은 상기 투영 광학계와 상기 감광성 기판 사이에 공급되는 액체를 거쳐서 상기 감광성 기판에 투영되는 것
    을 특징으로 하는 노광 장치.
  31. 마스크의 패턴을 감광성 기판에 노광하는 노광 방법으로서,
    청구항 1 또는 2에 기재된 조명 광학 장치를 이용하여, 상기 패턴을 조명하는 것
    을 특징으로 하는 노광 방법.
  32. 제 31 항에 있어서,
    투영 광학계에 의해서 상기 패턴의 상을 상기 감광성 기판 위에 투영하는 투영 공정을 포함하고,
    상기 패턴의 상은 상기 투영 광학계와 상기 감광성 기판 사이에 공급되는 액체를 거쳐서 상기 감광성 기판에 투영되는 것
    을 특징으로 하는 노광 방법.
  33. 회로 패턴을 포함하는 디바이스를 제조하는 디바이스 제조 방법으로서,
    청구항 1 또는 2에 기재된 조명 광학 장치를 이용하여 마스크의 패턴을 조명하는 것과,
    상기 조명 광학 장치에 의해서 조명된 상기 패턴을 감광성 기판에 노광하는 것과,
    상기 패턴이 노광된 상기 감광성 기판에 상기 회로 패턴을 형성하는 것
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
KR1020107000897A 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 KR101195687B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2004-030555 2004-02-06
JP2004030555 2004-02-06
JP2004358218 2004-12-10
JPJP-P-2004-358218 2004-12-10
PCT/JP2005/000407 WO2005076045A1 (ja) 2004-02-06 2005-01-14 偏光変換素子、照明光学装置、露光装置、および露光方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067018069A Division KR101293399B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100024490A KR20100024490A (ko) 2010-03-05
KR101195687B1 true KR101195687B1 (ko) 2012-10-30

Family

ID=34840152

Family Applications (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187016763A KR20180069120A (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치
KR1020137027411A KR101429868B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
KR1020147009165A KR101578312B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치
KR1020167013759A KR20160063423A (ko) 2004-02-06 2005-01-14 노광 장치
KR1020067018069A KR101293399B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
KR1020127003793A KR101323492B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
KR1020137002721A KR101429864B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
KR1020147009172A KR101626226B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치
KR1020107000893A KR101244282B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR1020107000897A KR101195687B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법

Family Applications Before (9)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187016763A KR20180069120A (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치
KR1020137027411A KR101429868B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
KR1020147009165A KR101578312B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치
KR1020167013759A KR20160063423A (ko) 2004-02-06 2005-01-14 노광 장치
KR1020067018069A KR101293399B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
KR1020127003793A KR101323492B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
KR1020137002721A KR101429864B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
KR1020147009172A KR101626226B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치
KR1020107000893A KR101244282B1 (ko) 2004-02-06 2005-01-14 조명 광학 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (10) US20060170901A1 (ko)
EP (5) EP2615480B1 (ko)
JP (8) JP4747844B2 (ko)
KR (10) KR20180069120A (ko)
HK (9) HK1098198A1 (ko)
TW (12) TWI511182B (ko)
WO (1) WO2005076045A1 (ko)

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1857880B1 (en) 2003-04-09 2015-09-16 Nikon Corporation Exposure method and apparatus and device manufacturing method
TW201834020A (zh) 2003-10-28 2018-09-16 日商尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI519819B (zh) 2003-11-20 2016-02-01 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
US8270077B2 (en) * 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
ATE539383T1 (de) 2004-01-16 2012-01-15 Zeiss Carl Smt Gmbh Projektionssystem mit einem polarisationsmodulierenden optischen element mit variabler dicke
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
TWI511182B (zh) 2004-02-06 2015-12-01 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US7324280B2 (en) 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
EP1796139A4 (en) * 2004-08-10 2009-08-26 Nikon Corp OPTICAL LIGHTING DEVICES, EXPOSURE SYSTEM AND METHOD
TW200923418A (en) * 2005-01-21 2009-06-01 Nikon Corp Exposure device, exposure method, fabricating method of device, exposure system, information collecting device, and measuring device
US7375799B2 (en) 2005-02-25 2008-05-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4612849B2 (ja) * 2005-03-01 2011-01-12 キヤノン株式会社 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP2006269853A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Sony Corp 露光装置および露光方法
TWI352878B (en) * 2005-06-13 2011-11-21 Asml Netherlands Bv Lithographic device, and method
JP4976670B2 (ja) * 2005-08-24 2012-07-18 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007103835A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Toshiba Corp 露光装置及び露光方法
JP2007123333A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Canon Inc 露光方法
US20090115989A1 (en) * 2005-11-10 2009-05-07 Hirohisa Tanaka Lighting optical system, exposure system, and exposure method
KR20080088579A (ko) * 2005-12-28 2008-10-02 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
JP4798489B2 (ja) * 2006-01-23 2011-10-19 株式会社ニコン 光学特性計測方法及び装置、並びに露光装置
KR20080102192A (ko) 2006-02-16 2008-11-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
EP1986222A4 (en) 2006-02-16 2010-09-01 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JPWO2007100081A1 (ja) 2006-03-03 2009-07-23 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US20070242254A1 (en) 2006-03-17 2007-10-18 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7884921B2 (en) * 2006-04-12 2011-02-08 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, projection exposure apparatus, projection optical system, and device manufacturing method
JP4998803B2 (ja) * 2006-04-14 2012-08-15 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、および露光方法
JP5158439B2 (ja) * 2006-04-17 2013-03-06 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
EP1857879A1 (en) * 2006-05-15 2007-11-21 Advanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG An illumination system and a photolithography apparatus
JP5071385B2 (ja) 2006-06-16 2012-11-14 株式会社ニコン 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP5023589B2 (ja) * 2006-07-21 2012-09-12 大日本印刷株式会社 フォトマスクおよび該フォトマスクの設計方法
DE102007027985A1 (de) * 2006-12-21 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US7952685B2 (en) * 2007-03-15 2011-05-31 Carl Zeiss Smt Ag Illuminator for a lithographic apparatus and method
WO2008119794A1 (en) * 2007-04-03 2008-10-09 Carl Zeiss Smt Ag Optical system, in particular illumination device or projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
US7872731B2 (en) * 2007-04-20 2011-01-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080285000A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100916623B1 (ko) * 2007-06-12 2009-09-09 한국과학기술원 고개구수 렌즈의 입사광을 변조하기 위한 삼층 편광 변조장치
US8451427B2 (en) * 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
DE102007043958B4 (de) 2007-09-14 2011-08-25 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP4971932B2 (ja) * 2007-10-01 2012-07-11 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、デバイス製造方法および偏光制御ユニット
US20090091730A1 (en) * 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL1036026A1 (nl) * 2007-10-10 2009-04-15 Asml Netherlands Bv Apparatus and method for obtaining information indicative of the uniformity of a projection system of a lithographic apparatus.
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JPWO2009048051A1 (ja) * 2007-10-12 2011-02-17 株式会社ニコン 照明光学装置、並びに露光方法及び装置
CN101681123B (zh) * 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
EP2179329A1 (en) * 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2010004008A (ja) * 2007-10-31 2010-01-07 Nikon Corp 光学ユニット、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP5326259B2 (ja) 2007-11-08 2013-10-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102007055062A1 (de) * 2007-11-16 2009-05-28 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System, sowie Verfahren zur Charakterisierung eines optischen Systems
WO2009078223A1 (ja) 2007-12-17 2009-06-25 Nikon Corporation 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
TW200929333A (en) 2007-12-17 2009-07-01 Nikon Corp Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8908151B2 (en) 2008-02-14 2014-12-09 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, compensation filter, and exposure optical system
TW200938957A (en) * 2008-03-05 2009-09-16 Nanya Technology Corp Feedback system and feedback method for controlling power ratio of light source
KR20110000619A (ko) * 2008-04-11 2011-01-04 가부시키가이샤 니콘 공간 광 변조 유닛, 조명 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US20090257043A1 (en) * 2008-04-14 2009-10-15 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, and exposure optical system
US20090265148A1 (en) * 2008-04-16 2009-10-22 Synopsys, Inc. Modeling a sector-polarized-illumination source in an optical lithography system
US9116302B2 (en) 2008-06-19 2015-08-25 Ravenbrick Llc Optical metapolarizer device
DE102008041179B4 (de) * 2008-08-12 2010-11-04 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage
EP2324386A4 (en) 2008-08-20 2013-03-27 Ravenbrick Llc METHODS OF MANUFACTURING THERMOCHROMIC FILTERS
JPWO2010024106A1 (ja) * 2008-08-28 2012-01-26 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5051475B2 (ja) * 2008-10-27 2012-10-17 セイコーエプソン株式会社 １／４波長板、光ピックアップ装置及び反射型液晶表示装置
US20100123883A1 (en) * 2008-11-17 2010-05-20 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2010073794A1 (ja) 2008-12-24 2010-07-01 株式会社 ニコン 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
KR101708948B1 (ko) 2008-12-24 2017-03-08 가부시키가이샤 니콘 조명 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법
JP5671455B2 (ja) * 2009-01-21 2015-02-18 レイブンブリック，エルエルシー 光学的メタポラライザ・デバイス
JP2010197352A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP2011014707A (ja) * 2009-07-01 2011-01-20 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
TW201102765A (en) 2009-07-01 2011-01-16 Nikon Corp Grinding device, grinding method, exposure device and production method of a device
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2011102109A1 (ja) 2010-02-20 2011-08-25 株式会社ニコン 光源最適化方法、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、露光装置、リソグラフィシステム、及び光源評価方法、並びに光源変調方法
US20110205519A1 (en) 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9389519B2 (en) 2010-02-25 2016-07-12 Nikon Corporation Measuring method and measuring apparatus of pupil transmittance distribution, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2012004465A (ja) * 2010-06-19 2012-01-05 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5366019B2 (ja) 2010-08-02 2013-12-11 株式会社ニコン 伝送光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
US20120212722A1 (en) 2011-02-21 2012-08-23 Nikon Corporation Fast Illumination Simulator Based on a Calibrated Flexible Point Spread Function
US10120283B2 (en) 2011-06-06 2018-11-06 Nikon Corporation Illumination method, illumination optical device, and exposure device
FR2978255B1 (fr) * 2011-07-22 2014-02-21 Horiba Jobin Yvon Sas Dispositif optique d'eclairage conoscopique a cone creux pour microscope optique et procede de microscopie optique en conoscopie
US9760012B2 (en) 2011-08-04 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination device
US9213227B2 (en) * 2011-08-18 2015-12-15 Nikon Corporation Custom color or polarization sensitive CCD for separating multiple signals in autofocus projection system
CN103033942B (zh) * 2011-09-29 2015-07-15 通用电气公司 光学成像系统和方法以及孔径光阑组合和孔径元件
GB2508972B (en) * 2011-09-29 2015-09-02 Gen Electric Aperture stop assembly and aperture element for an optical imaging system
WO2013057644A1 (en) * 2011-10-18 2013-04-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Split beam luminaire and lighting system
CN107479333B (zh) 2011-10-24 2020-09-01 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置及组件制造方法
JP6001874B2 (ja) 2012-02-17 2016-10-05 日東電工株式会社 光学積層体及び光学積層体の製造方法
DE102012206150B9 (de) * 2012-04-16 2014-06-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US9581811B2 (en) 2012-05-02 2017-02-28 Nikon Corporation Method for evaluating and improving pupil luminance distribution, illumination optical system and adjustment method thereof, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20140240705A1 (en) * 2013-02-27 2014-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, reticle method for checking position misalignment and method for manufacturing position misalignment checking mark
JP6234105B2 (ja) * 2013-08-05 2017-11-22 オリンパス株式会社 超解像顕微鏡
JP5534276B2 (ja) * 2013-08-23 2014-06-25 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
EP3076160A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-05 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Spatially resolved aerosol detection
US9709897B2 (en) 2015-10-28 2017-07-18 Cymer, Llc Polarization control of pulsed light beam
DE102016214695B3 (de) * 2016-08-08 2017-10-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System und Verfahren zur Korrektur von Maskenfehlern mit diesem System
KR20180092185A (ko) 2017-02-08 2018-08-17 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN110431486B (zh) 2017-03-16 2022-03-15 株式会社尼康 控制装置及控制方法、曝光装置及曝光方法、元件制造方法、数据生成方法和计算机可读介质

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075816A (ja) 2000-08-24 2002-03-15 Asahi Optical Co Ltd ビーム列検出方法および検出用位相フィルター

Family Cites Families (1015)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE206607C (ko)
JP3293882B2 (ja) 1992-03-27 2002-06-17 株式会社東芝 投影露光装置
GB856621A (en) * 1956-07-20 1960-12-21 Nat Res Dev Improvements in or relating to polarising microscopes
US3146294A (en) * 1959-02-13 1964-08-25 American Optical Corp Interference microscope optical systems
US3180216A (en) * 1962-08-13 1965-04-27 American Optical Corp System and apparatus for variable phase microscopy
JPS444993Y1 (ko) 1964-05-28 1969-02-24
GB1192417A (en) * 1967-04-10 1970-05-20 Safege Transp Improvements in or relating to Overhead Railways
US3758201A (en) 1971-07-15 1973-09-11 American Optical Corp Optical system for improved eye refraction
US3892470A (en) 1974-02-01 1975-07-01 Hughes Aircraft Co Optical device for transforming monochromatic linearly polarized light to ring polarized light
US3892469A (en) * 1974-02-01 1975-07-01 Hughes Aircraft Co Electro-optical variable focal length lens using optical ring polarizer
FR2385241A1 (fr) 1976-12-23 1978-10-20 Marie G R P Convertisseurs de mode de polarisation pour faisceaux laser et generateurs de plasma les utilisant
US4103260A (en) * 1977-01-03 1978-07-25 Hughes Aircraft Company Spatial polarization coding electro-optical transmitter
US4198123A (en) * 1977-03-23 1980-04-15 Baxter Travenol Laboratories, Inc. Optical scrambler for depolarizing light
FR2413678A1 (fr) * 1977-12-28 1979-07-27 Marie G R P Convertisseurs de mode d'une onde non confinante en une onde confinante dans l'infrarouge lointain
US4286843A (en) * 1979-05-14 1981-09-01 Reytblatt Zinovy V Polariscope and filter therefor
JPS5857066B2 (ja) 1979-06-29 1983-12-17 古河電気工業株式会社 リニアモ−タ
DE2963537D1 (en) 1979-07-27 1982-10-07 Tabarelli Werner W Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer
FR2465241A1 (fr) * 1979-09-10 1981-03-20 Thomson Csf Dispositif illuminateur destine a fournir un faisceau d'eclairement a distribution d'intensite ajustable et systeme de transfert de motifs comprenant un tel dispositif
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57152129A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Sanyo Electric Co Ltd Developing method of resist
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS5845502U (ja) 1981-09-21 1983-03-26 株式会社津山金属製作所 広角反射器
JPS5849932A (ja) 1981-09-21 1983-03-24 Ushio Inc 照度分布パタ−ンの調整器
JPS58115945A (ja) 1981-12-29 1983-07-09 Toyoda Gosei Co Ltd ハンドル部への電力伝送と信号送受方法
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS59226317A (ja) 1983-06-06 1984-12-19 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
JPS59155843A (ja) 1984-01-27 1984-09-05 Hitachi Ltd 露光装置
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
JPS6145923A (ja) 1984-08-10 1986-03-06 Aronshiya:Kk 反射式ロ−タリ−エンコ−ダ−用回転デイスクの製作方法
JPH0682598B2 (ja) 1984-10-11 1994-10-19 日本電信電話株式会社 投影露光装置
JPS61217434A (ja) 1985-03-20 1986-09-27 Mitsubishi Chem Ind Ltd 搬送用装置
JPS6194342U (ko) 1984-11-27 1986-06-18
JPS61156736A (ja) 1984-12-27 1986-07-16 Canon Inc 露光装置
JPS61196532A (ja) 1985-02-26 1986-08-30 Canon Inc 露光装置
JPS61251025A (ja) 1985-04-30 1986-11-08 Canon Inc 投影露光装置
JPS61270049A (ja) 1985-05-24 1986-11-29 Toshiba Corp テ−ブル装置
JPS622539A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc 照明光学系
JPS622540A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc ライトインテグレ−タとそれを含むケ−ラ−照明系
DE3523641C1 (de) * 1985-07-02 1986-12-18 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Einrichtung zum Selektieren von rotationssymmetrischen Polarisationskomponenten einesLichtbuendels und Verwendung einer solchen Einrichtung
US4683420A (en) 1985-07-10 1987-07-28 Westinghouse Electric Corp. Acousto-optic system for testing high speed circuits
JPS6217705A (ja) 1985-07-16 1987-01-26 Nippon Kogaku Kk <Nikon> テレセントリツク光学系用照明装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62100161A (ja) 1985-10-23 1987-05-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 平面モ−タ
JPS62120026A (ja) 1985-11-20 1987-06-01 Fujitsu Ltd Ｘ線露光装置
JPH07105323B2 (ja) 1985-11-22 1995-11-13 株式会社日立製作所 露光方法
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS62153710A (ja) 1985-12-27 1987-07-08 Furukawa Alum Co Ltd ロ−タリエンコ−ダ用反射基板の製造方法
US4744615A (en) 1986-01-29 1988-05-17 International Business Machines Corporation Laser beam homogenizer
JPH0782981B2 (ja) 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPS62188316A (ja) 1986-02-14 1987-08-17 Canon Inc 投影露光装置
JPS62203526A (ja) 1986-02-28 1987-09-08 トヨタ自動車株式会社 無線電力伝送装置
JPH0666246B2 (ja) 1986-05-14 1994-08-24 キヤノン株式会社 照明光学系
JP2506616B2 (ja) 1986-07-02 1996-06-12 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法
JPS6336526A (ja) 1986-07-30 1988-02-17 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハ露光装置
JPH0695511B2 (ja) 1986-09-17 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 洗浄乾燥処理方法
JPS63128713A (ja) 1986-11-19 1988-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法
JPS63131008A (ja) 1986-11-20 1988-06-03 Fujitsu Ltd 光学的アライメント方法
JPS63141313A (ja) 1986-12-03 1988-06-13 Hitachi Ltd 薄板変形装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63160192A (ja) 1986-12-23 1988-07-02 株式会社明電舎 高周波加熱装置の接続導体
JPS63231217A (ja) 1987-03-19 1988-09-27 Omron Tateisi Electronics Co 移動量測定装置
JPH0718699B2 (ja) 1987-05-08 1995-03-06 株式会社ニコン 表面変位検出装置
JPS6426704A (en) 1987-05-11 1989-01-30 Jiei Shirinian Jiyon Pocket structure of garment
JPS63292005A (ja) 1987-05-25 1988-11-29 Nikon Corp 走り誤差補正をなした移動量検出装置
JPH07117371B2 (ja) 1987-07-14 1995-12-18 株式会社ニコン 測定装置
JPS6468926A (en) 1987-09-09 1989-03-15 Nikon Corp Measurement of image distortion in projection optical system
US4981342A (en) * 1987-09-24 1991-01-01 Allergan Inc. Multifocal birefringent lens system
JPH0191419A (ja) 1987-10-01 1989-04-11 Canon Inc 露光装置
JPH01115033A (ja) 1987-10-28 1989-05-08 Hitachi Ltd ガス放電表示装置
JPH01147516A (ja) 1987-12-04 1989-06-09 Canon Inc ビーム位置制御装置
JP2728133B2 (ja) 1987-12-09 1998-03-18 株式会社リコー デジタル画像形成装置
JPH01202833A (ja) 1988-02-09 1989-08-15 Toshiba Corp 高精度ｘｙステージ装置
JPH0831513B2 (ja) 1988-02-22 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0545102Y2 (ko) 1988-02-24 1993-11-17
JPH01255404A (ja) 1988-04-05 1989-10-12 Toshiba Corp 浮上用電磁石装置
US4952815A (en) 1988-04-14 1990-08-28 Nikon Corporation Focusing device for projection exposure apparatus
JPH01278240A (ja) 1988-04-28 1989-11-08 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置用無停電電源
JPH01276043A (ja) 1988-04-28 1989-11-06 Mitsubishi Cable Ind Ltd 導波路型液体検知器
JPH01286478A (ja) 1988-05-13 1989-11-17 Hitachi Ltd ビーム均一化光学系おゆび製造法
JPH01292343A (ja) 1988-05-19 1989-11-24 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH01314247A (ja) 1988-06-13 1989-12-19 Fuji Plant Kogyo Kk プリント基板の自動露光装置
JPH0831514B2 (ja) 1988-06-21 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0242382A (ja) 1988-08-02 1990-02-13 Canon Inc 移動ステージ構造
WO1990002125A1 (en) 1988-08-22 1990-03-08 Idemitsu Kosan Co. Ltd. Oxirane derivatives and herbicides containing same as active ingredients
JPH0265149A (ja) 1988-08-30 1990-03-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2729058B2 (ja) 1988-08-31 1998-03-18 山形日本電気株式会社 半導体装置の露光装置
JPH0297239A (ja) 1988-09-30 1990-04-09 Canon Inc 露光装置用電源装置
JP2682067B2 (ja) 1988-10-17 1997-11-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2697014B2 (ja) 1988-10-26 1998-01-14 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH02139146A (ja) 1988-11-15 1990-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 一段６自由度位置決めテーブル
JP2940553B2 (ja) 1988-12-21 1999-08-25 株式会社ニコン 露光方法
US5253110A (en) 1988-12-22 1993-10-12 Nikon Corporation Illumination optical arrangement
JPH07104442B2 (ja) 1989-04-06 1995-11-13 旭硝子株式会社 フッ化マグネシウム膜及び低反射膜の製造方法
DE3907136A1 (de) 1989-03-06 1990-09-13 Jagenberg Ag Vorrichtung zum verbinden von materialbahnen
JPH02261073A (ja) 1989-03-29 1990-10-23 Sony Corp 超音波モータ
JPH02287308A (ja) 1989-04-03 1990-11-27 Mikhailovich Khodosovich Vladimir 光学ユニットのマウント内のレンズの中心合わせの方法
JPH02285320A (ja) 1989-04-27 1990-11-22 Olympus Optical Co Ltd 内視鏡の絞装置
JP2527807B2 (ja) * 1989-05-09 1996-08-28 住友大阪セメント株式会社 光学的連想識別装置
JPH02298431A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Mitsubishi Electric Corp 放電加工装置
JPH02311237A (ja) 1989-05-25 1990-12-26 Fuji Electric Co Ltd 搬送装置
JPH0335201A (ja) * 1989-06-30 1991-02-15 Nitto Denko Corp 位相差板及びその製造方法
JPH0341399A (ja) 1989-07-10 1991-02-21 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0364811A (ja) 1989-07-31 1991-03-20 Okazaki Seisakusho:Kk 中空心線ｍｉケーブルと中空心線ｍｉケーブルの製造方法
JPH0372298A (ja) 1989-08-14 1991-03-27 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0394445A (ja) 1989-09-06 1991-04-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ搬送システム
JPH03132663A (ja) 1989-10-18 1991-06-06 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH03134341A (ja) 1989-10-20 1991-06-07 Fuji Photo Film Co Ltd ダンパ機構、防振機構およびこのダンパ機構等を組み込む光ビーム走査装置
JP3067142B2 (ja) 1989-11-28 2000-07-17 富士通株式会社 ホトマスクの検査装置及びホトマスクの検査方法
JP2784225B2 (ja) 1989-11-28 1998-08-06 双葉電子工業株式会社 相対移動量測定装置
JPH03211812A (ja) 1990-01-17 1991-09-17 Canon Inc 露光装置
JPH03246615A (ja) 1990-02-23 1991-11-05 Nec Corp マウス入力装置
JPH03263810A (ja) 1990-03-14 1991-11-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd 半導体露光装置の振動制御方法
JPH0710897B2 (ja) 1990-04-27 1995-02-08 日本油脂株式会社 プラスチックレンズ
JPH0432154A (ja) 1990-05-25 1992-02-04 Iwasaki Electric Co Ltd メタルハライドランプ装置
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JP3077176B2 (ja) 1990-08-13 2000-08-14 株式会社ニコン 露光方法、装置、及び素子製造方法
US7656504B1 (en) 1990-08-21 2010-02-02 Nikon Corporation Projection exposure apparatus with luminous flux distribution
JP3049774B2 (ja) 1990-12-27 2000-06-05 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP2995820B2 (ja) 1990-08-21 1999-12-27 株式会社ニコン 露光方法及び方法，並びにデバイス製造方法
JPH04130710A (ja) 1990-09-21 1992-05-01 Hitachi Ltd 露光装置
JP2548834B2 (ja) 1990-09-25 1996-10-30 三菱電機株式会社 電子ビーム寸法測定装置
JPH04133414A (ja) 1990-09-26 1992-05-07 Nec Yamaguchi Ltd 縮小投影露光装置
JPH04152512A (ja) 1990-10-16 1992-05-26 Fujitsu Ltd ウエハチャック
DE4033556A1 (de) 1990-10-22 1992-04-23 Suess Kg Karl Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische
US5072126A (en) 1990-10-31 1991-12-10 International Business Machines Corporation Promixity alignment using polarized illumination and double conjugate projection lens
JPH04179115A (ja) 1990-11-08 1992-06-25 Nec Kyushu Ltd 縮小投影露光装置
US6252647B1 (en) 1990-11-15 2001-06-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6710855B2 (en) * 1990-11-15 2004-03-23 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
JP3094439B2 (ja) 1990-11-21 2000-10-03 株式会社ニコン 露光方法
JPH0480052U (ko) 1990-11-27 1992-07-13
JPH04235558A (ja) 1991-01-11 1992-08-24 Toshiba Corp 露光装置
JP3255168B2 (ja) 1991-02-28 2002-02-12 株式会社ニコン 露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法、及び露光装置
JP3084761B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及びマスク
JP3084760B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
JP2860174B2 (ja) 1991-03-05 1999-02-24 三菱電機株式会社 化学気相成長装置
JP3200894B2 (ja) 1991-03-05 2001-08-20 株式会社日立製作所 露光方法及びその装置
JPH04280619A (ja) 1991-03-08 1992-10-06 Canon Inc ウエハ保持方法およびその保持装置
JPH04282539A (ja) 1991-03-11 1992-10-07 Hitachi Ltd 反射・帯電防止膜の形成方法
JPH05259069A (ja) 1991-03-13 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd ウエハ周辺露光方法
JPH04211110A (ja) 1991-03-20 1992-08-03 Hitachi Ltd 投影式露光方法
JPH04296092A (ja) 1991-03-26 1992-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd リフロー装置
JP2602345Y2 (ja) 1991-03-29 2000-01-11 京セラ株式会社 静圧軸受装置
US5251222A (en) 1991-04-01 1993-10-05 Teledyne Industries, Inc. Active multi-stage cavity sensor
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH04330961A (ja) 1991-05-01 1992-11-18 Matsushita Electron Corp 現像処理装置
FR2676288B1 (fr) 1991-05-07 1994-06-17 Thomson Csf Collecteur d'eclairage pour projecteur.
JPH04343307A (ja) 1991-05-20 1992-11-30 Ricoh Co Ltd レーザー調整装置
JP2884830B2 (ja) 1991-05-28 1999-04-19 キヤノン株式会社 自動焦点合せ装置
JPH0590128A (ja) 1991-06-13 1993-04-09 Nikon Corp 露光装置
US5541026A (en) 1991-06-13 1996-07-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and photo mask
JPH0545886A (ja) 1991-08-12 1993-02-26 Nikon Corp 角形基板の露光装置
US5272501A (en) 1991-08-28 1993-12-21 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
US5348837A (en) 1991-09-24 1994-09-20 Hitachi, Ltd. Projection exposure apparatus and pattern forming method for use therewith
KR950004968B1 (ko) 1991-10-15 1995-05-16 가부시키가이샤 도시바 투영노광 장치
JPH05109601A (ja) 1991-10-15 1993-04-30 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JPH05129184A (ja) 1991-10-30 1993-05-25 Canon Inc 投影露光装置
JPH05127086A (ja) 1991-11-01 1993-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光強度の均一化方法およびそれを用いた露光装置
JPH05134115A (ja) * 1991-11-11 1993-05-28 Ricoh Opt Ind Co Ltd 複屈折部材
JP3203719B2 (ja) 1991-12-26 2001-08-27 株式会社ニコン 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法
JPH05199680A (ja) 1992-01-17 1993-08-06 Honda Motor Co Ltd 電源装置
JPH0794969B2 (ja) 1992-01-29 1995-10-11 株式会社ソルテック 位置合せ方法及びその装置
JP3194155B2 (ja) 1992-01-31 2001-07-30 キヤノン株式会社 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
JPH05217837A (ja) 1992-02-04 1993-08-27 Toshiba Corp Ｘｙ移動テーブル
JP2866243B2 (ja) * 1992-02-10 1999-03-08 三菱電機株式会社 投影露光装置及び半導体装置の製造方法
JP2796005B2 (ja) * 1992-02-10 1998-09-10 三菱電機株式会社 投影露光装置及び偏光子
JP3153372B2 (ja) 1992-02-26 2001-04-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JPH05241324A (ja) 1992-02-26 1993-09-21 Nikon Corp フォトマスク及び露光方法
JPH05243364A (ja) 1992-03-02 1993-09-21 Hitachi Ltd 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置
JP3278896B2 (ja) 1992-03-31 2002-04-30 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP3242693B2 (ja) 1992-05-15 2001-12-25 富士通株式会社 ペリクル貼り付け装置
JP2673130B2 (ja) 1992-05-20 1997-11-05 株式会社キトー 走行用レールの吊下支持装置
JP2946950B2 (ja) 1992-06-25 1999-09-13 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた露光装置
JPH0629204A (ja) 1992-07-08 1994-02-04 Fujitsu Ltd レジスト現像方法及び装置
JPH0629102A (ja) 1992-07-10 1994-02-04 Alps Electric Co Ltd チップ抵抗器およびその製造方法
JPH0636054A (ja) 1992-07-20 1994-02-10 Mitsubishi Electric Corp ワンチップマイクロコンピュータ
JP3246615B2 (ja) * 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH07318847A (ja) 1994-05-26 1995-12-08 Nikon Corp 照明光学装置
JPH06104167A (ja) 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd 露光装置及び半導体装置の製造方法
JP2884947B2 (ja) 1992-10-01 1999-04-19 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法および半導体集積回路の製造方法
US6404482B1 (en) 1992-10-01 2002-06-11 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JPH06118623A (ja) 1992-10-07 1994-04-28 Fujitsu Ltd レチクル及びこれを用いた半導体露光装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2724787B2 (ja) 1992-10-09 1998-03-09 キヤノン株式会社 位置決め装置
US5459000A (en) 1992-10-14 1995-10-17 Canon Kabushiki Kaisha Image projection method and device manufacturing method using the image projection method
JPH06124872A (ja) 1992-10-14 1994-05-06 Canon Inc 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法
JP3322274B2 (ja) 1992-10-29 2002-09-09 株式会社ニコン 投影露光方法及び投影露光装置
JPH06148399A (ja) 1992-11-05 1994-05-27 Nikon Corp Ｘ線用多層膜ミラーおよびｘ線顕微鏡
JPH06163350A (ja) 1992-11-19 1994-06-10 Matsushita Electron Corp 投影露光方法および装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3180133B2 (ja) 1992-12-01 2001-06-25 日本電信電話株式会社 投影露光装置
JPH06177007A (ja) 1992-12-01 1994-06-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 投影露光装置
JP2866267B2 (ja) * 1992-12-11 1999-03-08 三菱電機株式会社 光描画装置およびウェハ基板の光描画方法
JP2698521B2 (ja) * 1992-12-14 1998-01-19 キヤノン株式会社 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置
JPH06181157A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Nikon Corp 低発塵性の装置
JPH06186025A (ja) 1992-12-16 1994-07-08 Yunisun:Kk 三次元測定装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JP3201027B2 (ja) 1992-12-22 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
JP2765422B2 (ja) 1992-12-28 1998-06-18 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JPH06204121A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2786070B2 (ja) 1993-01-29 1998-08-13 セントラル硝子株式会社 透明板状体の検査方法およびその装置
JPH07245258A (ja) 1994-03-08 1995-09-19 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
US5739898A (en) 1993-02-03 1998-04-14 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
JPH06241720A (ja) 1993-02-18 1994-09-02 Sony Corp 変位量の測定方法及び変位計
JPH06244082A (ja) 1993-02-19 1994-09-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3291818B2 (ja) 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3537843B2 (ja) 1993-03-19 2004-06-14 株式会社テクノ菱和 クリーンルーム用イオナイザー
JPH0777191B2 (ja) 1993-04-06 1995-08-16 日本電気株式会社 露光光投射装置
JP3309871B2 (ja) 1993-04-27 2002-07-29 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法
JPH06326174A (ja) 1993-05-12 1994-11-25 Hitachi Ltd ウェハ真空吸着装置
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
JPH07142338A (ja) * 1993-06-14 1995-06-02 Canon Inc 像投影方法及びそれを用いた露光装置
US6304317B1 (en) 1993-07-15 2001-10-16 Nikon Corporation Projection apparatus and method
JP3291849B2 (ja) 1993-07-15 2002-06-17 株式会社ニコン 露光方法、デバイス形成方法、及び露光装置
US5677757A (en) 1994-03-29 1997-10-14 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3463335B2 (ja) * 1994-02-17 2003-11-05 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH0757993A (ja) 1993-08-13 1995-03-03 Nikon Corp 投影露光装置
JPH0757992A (ja) 1993-08-13 1995-03-03 Nikon Corp 投影露光装置
JP3844787B2 (ja) 1993-09-02 2006-11-15 日産化学工業株式会社 フッ化マグネシウム水和物ゾルとその製造法
JP3359123B2 (ja) 1993-09-20 2002-12-24 キヤノン株式会社 収差補正光学系
KR0153796B1 (ko) 1993-09-24 1998-11-16 사토 후미오 노광장치 및 노광방법
JP3099933B2 (ja) 1993-12-28 2000-10-16 株式会社東芝 露光方法及び露光装置
JPH07122469A (ja) 1993-10-20 1995-05-12 Nikon Corp 投影露光装置
JP3505810B2 (ja) 1993-10-29 2004-03-15 株式会社日立製作所 パターン露光方法及びその装置
KR0166612B1 (ko) 1993-10-29 1999-02-01 가나이 쓰토무 패턴노광방법 및 그 장치와 그것에 이용되는 마스크와 그것을 이용하여 만들어진 반도체 집적회로
JP3376045B2 (ja) 1993-11-09 2003-02-10 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH07134955A (ja) 1993-11-11 1995-05-23 Hitachi Ltd 表示装置およびその反射率調整方法
JP3339144B2 (ja) 1993-11-11 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
JP3278303B2 (ja) 1993-11-12 2002-04-30 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH07147223A (ja) 1993-11-26 1995-06-06 Hitachi Ltd パターン形成方法
EP0656555B1 (en) 1993-12-01 2003-03-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display for 3D images
JPH07161622A (ja) 1993-12-10 1995-06-23 Nikon Corp 投影露光装置
JPH07167998A (ja) 1993-12-15 1995-07-04 Nikon Corp レーザープラズマｘ線源用標的
JP3487517B2 (ja) 1993-12-16 2004-01-19 株式会社リコー 往復移動装置
JP3508190B2 (ja) 1993-12-21 2004-03-22 セイコーエプソン株式会社 照明装置及び投写型表示装置
JPH07183201A (ja) 1993-12-21 1995-07-21 Nec Corp 露光装置および露光方法
JPH07190741A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 測定誤差補正法
JPH07220989A (ja) 1994-01-27 1995-08-18 Canon Inc 露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JP2715895B2 (ja) 1994-01-31 1998-02-18 日本電気株式会社 光強度分布シミュレーション方法
JP3372633B2 (ja) 1994-02-04 2003-02-04 キヤノン株式会社 位置合わせ方法及びそれを用いた位置合わせ装置
JPH07234382A (ja) * 1994-02-24 1995-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超解像走査光学装置
JP2836483B2 (ja) 1994-05-13 1998-12-14 日本電気株式会社 照明光学装置
US5559583A (en) 1994-02-24 1996-09-24 Nec Corporation Exposure system and illuminating apparatus used therein and method for exposing a resist film on a wafer
JPH07239212A (ja) 1994-02-28 1995-09-12 Nikon Corp 位置検出装置
JPH07243814A (ja) 1994-03-03 1995-09-19 Fujitsu Ltd 線幅測定方法
JPH07263315A (ja) 1994-03-25 1995-10-13 Toshiba Corp 投影露光装置
US20020080338A1 (en) * 1994-03-29 2002-06-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6333776B1 (en) 1994-03-29 2001-12-25 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
JPH07283119A (ja) 1994-04-14 1995-10-27 Hitachi Ltd 露光装置および露光方法
FR2719124B1 (fr) 1994-04-21 1996-06-07 Merlin Gerin Procédé et dispositif de correction d'un signal de courant.
JPH088177A (ja) 1994-04-22 1996-01-12 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3193567B2 (ja) 1994-04-27 2001-07-30 キヤノン株式会社 基板収容容器
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07335748A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
EP0687956B2 (de) 1994-06-17 2005-11-23 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung
US5473465A (en) 1994-06-24 1995-12-05 Ye; Chun Optical rotator and rotation-angle-variable half-waveplate rotator
JP3800616B2 (ja) 1994-06-27 2006-07-26 株式会社ニコン 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置
JP3205663B2 (ja) 1994-06-29 2001-09-04 日本電子株式会社 荷電粒子ビーム装置
JP3090577B2 (ja) 1994-06-29 2000-09-25 浜松ホトニクス株式会社 導電体層除去方法およびシステム
JPH0822948A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Nikon Corp 走査型露光装置
JP3205468B2 (ja) 1994-07-25 2001-09-04 株式会社日立製作所 ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置
JPH0846751A (ja) 1994-07-29 1996-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 照明光学系
JP3613288B2 (ja) 1994-10-18 2005-01-26 株式会社ニコン 露光装置用のクリーニング装置
WO1996013752A1 (fr) 1994-10-26 1996-05-09 Seiko Epson Corporation Dispositif a cristaux liquides et appareil electronique
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JPH08151220A (ja) 1994-11-28 1996-06-11 Nippon Sekiei Glass Kk 石英ガラスの成形方法
JPH08162397A (ja) 1994-11-30 1996-06-21 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH08195375A (ja) 1995-01-17 1996-07-30 Sony Corp 回転乾燥方法および回転乾燥装置
JPH08203803A (ja) 1995-01-24 1996-08-09 Nikon Corp 露光装置
JP3521544B2 (ja) 1995-05-24 2004-04-19 株式会社ニコン 露光装置
JP3312164B2 (ja) 1995-04-07 2002-08-05 日本電信電話株式会社 真空吸着装置
JPH08297699A (ja) 1995-04-26 1996-11-12 Hitachi Ltd 製造不良解析支援システム、製造システム、および製造不良解析支援方法
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5663785A (en) 1995-05-24 1997-09-02 International Business Machines Corporation Diffraction pupil filler modified illuminator for annular pupil fills
US5631721A (en) * 1995-05-24 1997-05-20 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
US5680588A (en) 1995-06-06 1997-10-21 International Business Machines Corporation Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system
KR0155830B1 (ko) 1995-06-19 1998-11-16 김광호 변형노광장치 및 노광방법
JP3531297B2 (ja) 1995-06-19 2004-05-24 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
KR100474578B1 (ko) 1995-06-23 2005-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광장치와그제조방법,조명광학장치와그제조방법,노광방법,조명광학계의제조방법및반도체소자의제조방법
JP3561556B2 (ja) 1995-06-29 2004-09-02 株式会社ルネサステクノロジ マスクの製造方法
JP3637639B2 (ja) 1995-07-10 2005-04-13 株式会社ニコン 露光装置
JPH09108551A (ja) 1995-08-11 1997-04-28 Mitsubishi Rayon Co Ltd 浄水器
JPH0961686A (ja) 1995-08-23 1997-03-07 Nikon Corp プラスチックレンズ
JPH0982626A (ja) 1995-09-12 1997-03-28 Nikon Corp 投影露光装置
JP3487527B2 (ja) 1995-09-14 2004-01-19 株式会社東芝 光屈折装置
US5815247A (en) 1995-09-21 1998-09-29 Siemens Aktiengesellschaft Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures
JPH0992593A (ja) 1995-09-21 1997-04-04 Nikon Corp 投影露光装置
DE19535392A1 (de) * 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
JP3433403B2 (ja) 1995-10-16 2003-08-04 三星電子株式会社 ステッパのインタフェース装置
JPH09134870A (ja) 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Ltd パターン形成方法および形成装置
JPH09148406A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JPH09151658A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Nichibei Co Ltd 移動間仕切壁のランナ連結装置
JPH09160004A (ja) 1995-12-01 1997-06-20 Denso Corp 液晶セル及びその空セル
JP3406957B2 (ja) 1995-12-06 2003-05-19 キヤノン株式会社 光学素子及びそれを用いた露光装置
JPH09162106A (ja) 1995-12-11 1997-06-20 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH09178415A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Nikon Corp 光波干渉測定装置
JPH09184787A (ja) 1995-12-28 1997-07-15 Olympus Optical Co Ltd 光学レンズ用解析評価装置
JP3232473B2 (ja) 1996-01-10 2001-11-26 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3189661B2 (ja) 1996-02-05 2001-07-16 ウシオ電機株式会社 光源装置
JP3576685B2 (ja) 1996-02-07 2004-10-13 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH09232213A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
JPH09227294A (ja) 1996-02-26 1997-09-02 Toyo Commun Equip Co Ltd 人工水晶の製造方法
US6133986A (en) * 1996-02-28 2000-10-17 Johnson; Kenneth C. Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
JP3782151B2 (ja) 1996-03-06 2006-06-07 キヤノン株式会社 エキシマレーザー発振装置のガス供給装置
JPH09243892A (ja) 1996-03-06 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学素子
JP3601174B2 (ja) 1996-03-14 2004-12-15 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH09281077A (ja) 1996-04-16 1997-10-31 Hitachi Ltd キャピラリ−電気泳動装置
RU2084941C1 (ru) 1996-05-06 1997-07-20 Йелстаун Корпорейшн Н.В. Адаптивный оптический модуль
JP2691341B2 (ja) 1996-05-27 1997-12-17 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH09326338A (ja) 1996-06-04 1997-12-16 Nikon Corp 製造管理装置
JPH09325255A (ja) 1996-06-06 1997-12-16 Olympus Optical Co Ltd 電子カメラ
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH102865A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Nikon Corp レチクルの検査装置およびその検査方法
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1032160A (ja) 1996-07-17 1998-02-03 Toshiba Corp パターン露光方法及び露光装置
JP3646415B2 (ja) 1996-07-18 2005-05-11 ソニー株式会社 マスク欠陥の検出方法
JPH1038517A (ja) 1996-07-23 1998-02-13 Canon Inc 光学式変位測定装置
JPH1079337A (ja) 1996-09-04 1998-03-24 Nikon Corp 投影露光装置
JP3646757B2 (ja) 1996-08-22 2005-05-11 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPH1055713A (ja) 1996-08-08 1998-02-24 Ushio Inc 紫外線照射装置
JPH1062305A (ja) 1996-08-19 1998-03-06 Advantest Corp Ｃｃｄカメラの感度補正方法およびｃｃｄカメラ感度補正機能付ｌｃｄパネル表示試験システム
JPH1082611A (ja) 1996-09-10 1998-03-31 Nikon Corp 面位置検出装置
JPH1092735A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Nikon Corp 露光装置
JP2914315B2 (ja) 1996-09-20 1999-06-28 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法
JPH10104427A (ja) * 1996-10-03 1998-04-24 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 波長板およびそれを備えた光ピックアップ装置
JPH10116760A (ja) 1996-10-08 1998-05-06 Nikon Corp 露光装置及び基板保持装置
DE19781041B4 (de) 1996-10-08 2010-02-18 Citizen Holdings Co., Ltd., Nishitokyo Optische Vorrichtung
JPH10116778A (ja) 1996-10-09 1998-05-06 Canon Inc スキャン露光装置
JPH10116779A (ja) 1996-10-11 1998-05-06 Nikon Corp ステージ装置
JP3955985B2 (ja) 1996-10-16 2007-08-08 株式会社ニコン マーク位置検出装置及び方法
KR100191329B1 (ko) 1996-10-23 1999-06-15 윤종용 인터넷상에서의 원격교육방법 및 그 장치.
JP3991166B2 (ja) 1996-10-25 2007-10-17 株式会社ニコン 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JPH10135099A (ja) 1996-10-25 1998-05-22 Sony Corp 露光装置及び露光方法
SG88824A1 (en) 1996-11-28 2002-05-21 Nikon Corp Projection exposure method
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP3624065B2 (ja) 1996-11-29 2005-02-23 キヤノン株式会社 基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置
JPH10169249A (ja) 1996-12-12 1998-06-23 Ohbayashi Corp 免震構造
JPH10189700A (ja) 1996-12-20 1998-07-21 Sony Corp ウェーハ保持機構
DE69717975T2 (de) 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands Bv In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
US5841500A (en) * 1997-01-09 1998-11-24 Tellium, Inc. Wedge-shaped liquid crystal cell
JP2910716B2 (ja) 1997-01-16 1999-06-23 日本電気株式会社 光強度計算のパラメトリック解析方法
JPH10206714A (ja) 1997-01-20 1998-08-07 Canon Inc レンズ移動装置
JP2926325B2 (ja) 1997-01-23 1999-07-28 株式会社ニコン 走査露光方法
JPH10209018A (ja) 1997-01-24 1998-08-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｘ線マスクフレームおよびｘ線マスクの保持方法
KR970016641U (ko) 1997-02-06 1997-05-23 이석우 타이어의 스노우 체인
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10294268A (ja) 1997-04-16 1998-11-04 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JPH118194A (ja) 1997-04-25 1999-01-12 Nikon Corp 露光条件測定方法、投影光学系の評価方法及びリソグラフィシステム
KR100261888B1 (ko) 1997-04-30 2000-07-15 전주범 디지탈 비디오 디스크 레코더의 사용자 정보 처리방법
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH113856A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Canon Inc 投影露光方法及び投影露光装置
JP3233341B2 (ja) 1997-06-12 2001-11-26 船井電機株式会社 製パン機およびこれに用いられる記録媒体
JPH113849A (ja) 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
JPH1114876A (ja) 1997-06-19 1999-01-22 Nikon Corp 光学構造体、その光学構造体を組み込んだ投影露光用光学系及び投影露光装置
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JPH1140657A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Nikon Corp 試料保持装置および走査型露光装置
US6829041B2 (en) * 1997-07-29 2004-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and projection exposure apparatus having the same
JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 2002-03-11 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3413074B2 (ja) 1997-08-29 2003-06-03 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JPH1187237A (ja) 1997-09-10 1999-03-30 Nikon Corp アライメント装置
JP4164905B2 (ja) 1997-09-25 2008-10-15 株式会社ニコン 電磁力モータ、ステージ装置および露光装置
JP2000106340A (ja) 1997-09-26 2000-04-11 Nikon Corp 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置
JPH11111819A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd ウェハーの固定方法及び露光装置
JPH11111818A (ja) 1997-10-03 1999-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd ウェハ保持装置及びウェハ保持具
JPH11111601A (ja) 1997-10-06 1999-04-23 Nikon Corp 露光方法及び装置
JPH11195602A (ja) 1997-10-07 1999-07-21 Nikon Corp 投影露光方法及び装置
JP3097620B2 (ja) 1997-10-09 2000-10-10 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11142556A (ja) 1997-11-13 1999-05-28 Nikon Corp ステージ制御方法、ステージ装置、及び該装置を備えた露光装置
JPH11150062A (ja) 1997-11-14 1999-06-02 Nikon Corp 除振装置及び露光装置並びに除振台の除振方法
JPH11283903A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
JPH11162831A (ja) 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
JPH11163103A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JPH11159571A (ja) 1997-11-28 1999-06-15 Nikon Corp 機械装置、露光装置及び露光装置の運転方法
JPH11166990A (ja) 1997-12-04 1999-06-22 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP3673633B2 (ja) 1997-12-16 2005-07-20 キヤノン株式会社 投影光学系の組立調整方法
WO1999031716A1 (fr) 1997-12-16 1999-06-24 Nikon Corporation Aligneur, methode d'exposition et procede de fabrication de ce dispositif
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
TW449672B (en) 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
WO1999034417A1 (fr) * 1997-12-26 1999-07-08 Nikon Corporation Procede d'exposition et appareil d'exposition
JPH11204390A (ja) 1998-01-14 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造装置およびデバイス製造方法
JPH11219882A (ja) 1998-02-02 1999-08-10 Nikon Corp ステージ及び露光装置
JP3820728B2 (ja) 1998-02-04 2006-09-13 東レ株式会社 基板の測定装置
JPH11288879A (ja) 1998-02-04 1999-10-19 Hitachi Ltd 露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法
JPH11233434A (ja) 1998-02-17 1999-08-27 Nikon Corp 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP4207240B2 (ja) 1998-02-20 2009-01-14 株式会社ニコン 露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法
DE19807120A1 (de) * 1998-02-20 1999-08-26 Zeiss Carl Fa Optisches System mit Polarisationskompensator
JPH11239758A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
JPH11260791A (ja) 1998-03-10 1999-09-24 Toshiba Mach Co Ltd 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置
JPH11260686A (ja) 1998-03-11 1999-09-24 Toshiba Corp 露光方法
JPH11264756A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Tokyo Electron Ltd 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置
WO1999049366A1 (fr) 1998-03-20 1999-09-30 Nikon Corporation Photomasque et systeme d'exposition par projection
JP4329266B2 (ja) 1998-03-24 2009-09-09 株式会社ニコン 照明装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
AU2958299A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Exposure method and system, photomask, method of manufacturing photomask, micro-device and method of manufacturing micro-device
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
DE69931690T2 (de) * 1998-04-08 2007-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
JPH11307610A (ja) 1998-04-22 1999-11-05 Nikon Corp 基板搬送装置及び露光装置
JPH11312631A (ja) 1998-04-27 1999-11-09 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置
US6238063B1 (en) * 1998-04-27 2001-05-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US6597430B1 (en) 1998-05-18 2003-07-22 Nikon Corporation Exposure method, illuminating device, and exposure system
JP4090115B2 (ja) 1998-06-09 2008-05-28 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
JP3985346B2 (ja) 1998-06-12 2007-10-03 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法
AU4167199A (en) 1998-06-17 2000-01-05 Nikon Corporation Method for producing mask
JP2000012453A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Nikon Corp 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2000021748A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
JP2000021742A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
DE19829612A1 (de) 1998-07-02 2000-01-05 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator
JP2000032403A (ja) 1998-07-14 2000-01-28 Sony Corp データ伝送方法、データ送信装置及び受信装置
JP2000029202A (ja) 1998-07-15 2000-01-28 Nikon Corp マスクの製造方法
JP2000036449A (ja) 1998-07-17 2000-02-02 Nikon Corp 露光装置
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
AU4930099A (en) 1998-08-18 2000-03-14 Nikon Corporation Illuminator and projection exposure apparatus
JP2000081320A (ja) 1998-09-03 2000-03-21 Canon Inc 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2000092815A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Canon Inc ステージ装置および該ステージ装置を用いた露光装置
US6498501B2 (en) * 1998-09-15 2002-12-24 Vibro-Meter, S.A. Measuring circuit
JP4132397B2 (ja) 1998-09-16 2008-08-13 積水化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物、液晶注入口封止剤及び液晶表示セル
JP2000097616A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 干渉計
US6031658A (en) * 1998-09-25 2000-02-29 University Of Central Florida Digital control polarization based optical scanner
JP4065923B2 (ja) 1998-09-29 2008-03-26 株式会社ニコン 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法
JP2000121491A (ja) 1998-10-20 2000-04-28 Nikon Corp 光学系の評価方法
JP2001176766A (ja) 1998-10-29 2001-06-29 Nikon Corp 照明装置及び投影露光装置
JP2000147346A (ja) 1998-11-09 2000-05-26 Toshiba Corp モールドレンズの取付機構
JP2000180371A (ja) 1998-12-11 2000-06-30 Sharp Corp 異物検査装置および半導体工程装置
EP1014196A3 (en) 1998-12-17 2002-05-29 Nikon Corporation Method and system of illumination for a projection optical apparatus
US6563567B1 (en) 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
US6406148B1 (en) * 1998-12-31 2002-06-18 Texas Instruments Incorporated Electronic color switching in field sequential video displays
EP1063684B1 (en) * 1999-01-06 2009-05-13 Nikon Corporation Method for producing a projection optical system
JP4146952B2 (ja) 1999-01-11 2008-09-10 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000208407A (ja) 1999-01-19 2000-07-28 Nikon Corp 露光装置
JP2000243684A (ja) 1999-02-18 2000-09-08 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000240717A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Canon Inc 能動的除振装置
JP2000252201A (ja) 1999-03-02 2000-09-14 Nikon Corp 面位置検出方法および装置、これらを用いた投影露光方法および装置、半導体デバイス製造方法
JP2000286176A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Hitachi Ltd 半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置
JP2000283889A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 投影光学系の検査装置及び検査方法、露光装置、並びに、マイクロデバイスの製造方法
JP2001174615A (ja) 1999-04-15 2001-06-29 Nikon Corp 回折光学素子、該素子の製造方法、該素子を備える照明装置、投影露光装置、露光方法、及び光ホモジナイザー、該光ホモジナイザーの製造方法
AU4143000A (en) 1999-04-28 2000-11-17 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
DE19921795A1 (de) 1999-05-11 2000-11-23 Zeiss Carl Fa Projektions-Belichtungsanlage und Belichtungsverfahren der Mikrolithographie
US6498869B1 (en) 1999-06-14 2002-12-24 Xiaotian Steve Yao Devices for depolarizing polarized light
JP2000003874A (ja) 1999-06-15 2000-01-07 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2001007015A (ja) 1999-06-25 2001-01-12 Canon Inc ステージ装置
WO2001003170A1 (fr) 1999-06-30 2001-01-11 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition
KR100662319B1 (ko) * 1999-07-05 2006-12-28 가부시키가이샤 니콘 석영글래스 부재의 제조방법 및 그 방법에 의해 얻어지는석영글래스 부재
JP2001020951A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Toto Ltd 静圧気体軸受
JP2001023996A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Sony Corp 半導体製造方法
DE10029938A1 (de) 1999-07-09 2001-07-05 Zeiss Carl Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett
JP2001037201A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp モータ装置、ステージ装置及び露光装置
JP2001100311A (ja) 1999-07-23 2001-04-13 Seiko Epson Corp プロジェクタ
JP2001044097A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
US6280034B1 (en) 1999-07-30 2001-08-28 Philips Electronics North America Corporation Efficient two-panel projection system employing complementary illumination
JP3110023B1 (ja) 1999-09-02 2000-11-20 岩堀 雅行 燃料放出装置
JP2001083472A (ja) 1999-09-10 2001-03-30 Nikon Corp 光変調装置、光源装置、及び露光装置
JP4362857B2 (ja) 1999-09-10 2009-11-11 株式会社ニコン 光源装置及び露光装置
AU6865300A (en) 1999-09-10 2001-04-17 Nikon Corporation Light source and wavelength stabilization control method, exposure apparatus andexposure method, method for producing exposure apparatus, and device manufactur ing method and device
WO2001022480A1 (fr) 1999-09-20 2001-03-29 Nikon Corporation Mecanisme a attelages paralleles, systeme d'exposition et procede de fabrication, et procede de fabrication de dispositifs
EP1139138A4 (en) 1999-09-29 2006-03-08 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESS, DEVICE AND OPTICAL PROJECTION SYSTEM
WO2001023933A1 (fr) * 1999-09-29 2001-04-05 Nikon Corporation Systeme optique de projection
JP2001097734A (ja) 1999-09-30 2001-04-10 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラス製容器およびその製造方法
CN1260772C (zh) 1999-10-07 2006-06-21 株式会社尼康 载物台装置、载物台驱动方法和曝光装置及曝光方法
JP2001110707A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Orc Mfg Co Ltd 周辺露光装置の光学系
JP2001118773A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2001135560A (ja) 1999-11-04 2001-05-18 Nikon Corp 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法
WO2001035451A1 (fr) 1999-11-09 2001-05-17 Nikon Corporation Illuminateur, aligneur, et procede de fabrication d'un tel dispositif
JP2001144004A (ja) 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US6361909B1 (en) * 1999-12-06 2002-03-26 Industrial Technology Research Institute Illumination aperture filter design using superposition
JP2001167996A (ja) 1999-12-10 2001-06-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
TW546550B (en) 1999-12-13 2003-08-11 Asml Netherlands Bv An illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
EP1109067B1 (en) 1999-12-13 2006-05-24 ASML Netherlands B.V. Illuminator
JP2002118058A (ja) 2000-01-13 2002-04-19 Nikon Corp 投影露光装置及び方法
JP2001203140A (ja) 2000-01-20 2001-07-27 Nikon Corp ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP3413485B2 (ja) 2000-01-31 2003-06-03 住友重機械工業株式会社 リニアモータにおける推力リップル測定方法
JP2005233979A (ja) 2000-02-09 2005-09-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP4018309B2 (ja) 2000-02-14 2007-12-05 松下電器産業株式会社 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置
JP2001228404A (ja) 2000-02-14 2001-08-24 Nikon Engineering Co Ltd 落射型顕微鏡、プローブカードの検査装置、および、プローブカードの製造方法
JP3302965B2 (ja) 2000-02-15 2002-07-15 株式会社東芝 露光装置の検査方法
JP2001228401A (ja) 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
JP2002100561A (ja) 2000-07-19 2002-04-05 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
SG124257A1 (en) * 2000-02-25 2006-08-30 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
JP2001313250A (ja) 2000-02-25 2001-11-09 Nikon Corp 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法
JP2001242269A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Nikon Corp ステージ装置及びステージ駆動方法並びに露光装置及び露光方法
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
DE10010131A1 (de) 2000-03-03 2001-09-06 Zeiss Carl Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion
DE10012017A1 (de) * 2000-03-11 2001-09-13 Basysprint Gmbh Sys Druckind Belichtungsvorrichtung und Verfahren zur Kompensation von optischen Fehlern
JP2001264696A (ja) * 2000-03-16 2001-09-26 Canon Inc 照明光学系及びそれを備えた露光装置
JP2001265581A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc ソフトウエアの不正使用防止システムおよび不正使用防止方法
JP2001267227A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc 除振システム、露光装置およびデバイス製造方法
JP2001272764A (ja) 2000-03-24 2001-10-05 Canon Inc 投影露光用フォトマスク、およびそれを用いた投影露光方法
JP2001338868A (ja) 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 照度計測装置及び露光装置
JP4689064B2 (ja) 2000-03-30 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP3927753B2 (ja) * 2000-03-31 2007-06-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2001282526A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc ソフトウェア管理装置、方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2001296105A (ja) 2000-04-12 2001-10-26 Nikon Corp 面位置検出装置、並びに該検出装置を用いた露光装置および露光方法
JP2001297976A (ja) 2000-04-17 2001-10-26 Canon Inc 露光方法及び露光装置
JP3514439B2 (ja) 2000-04-20 2004-03-31 キヤノン株式会社 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法
JP2001307983A (ja) 2000-04-20 2001-11-02 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2001304332A (ja) 2000-04-24 2001-10-31 Canon Inc 能動制振装置
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
US6680798B2 (en) 2000-04-25 2004-01-20 Asml Holding N.V. Optical reduction system with control of illumination polarization
KR100783669B1 (ko) 2000-04-25 2007-12-07 에이에스엠엘 유에스, 인크. 바이어스에 의해 유도된 레티클 회절을 제거한 광학 축소시스템
JP2002057097A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Nikon Corp 露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法
JP2002016124A (ja) 2000-06-28 2002-01-18 Sony Corp ウェーハ搬送アーム機構
JP2002015978A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Canon Inc 露光装置
JP2002043213A (ja) 2000-07-25 2002-02-08 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
JP2002035980A (ja) * 2000-07-26 2002-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ加工装置及びレーザ加工方法、並びにレーザ発振器
US7154684B2 (en) 2000-08-18 2006-12-26 Nikon Corporation Optical element holding apparatus
JP2002071513A (ja) 2000-08-28 2002-03-08 Nikon Corp 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法
JP4504537B2 (ja) 2000-08-29 2010-07-14 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP2002075835A (ja) 2000-08-30 2002-03-15 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
US6373614B1 (en) * 2000-08-31 2002-04-16 Cambridge Research Instrumentation Inc. High performance polarization controller and polarization sensor
JP2002093690A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002093686A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2002091922A (ja) 2000-09-20 2002-03-29 Fujitsu General Ltd アプリケーションソフトとコンテンツの配信管理方法と配信管理システム
WO2002031570A1 (fr) 2000-10-10 2002-04-18 Nikon Corporation Procede d'evaluation de la qualite d'images
JP4245286B2 (ja) 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2002141270A (ja) 2000-11-01 2002-05-17 Nikon Corp 露光装置
US20020075467A1 (en) 2000-12-20 2002-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
JP2002158157A (ja) 2000-11-17 2002-05-31 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2002162655A (ja) 2000-11-27 2002-06-07 Sony Corp 光学装置
JP2002170495A (ja) 2000-11-28 2002-06-14 Akira Sekino 隔壁一体型合成樹脂背面基板
JP2002231619A (ja) 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2002190438A (ja) 2000-12-21 2002-07-05 Nikon Corp 露光装置
JP2002198284A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
JP2002203763A (ja) 2000-12-27 2002-07-19 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、信号感度設定方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002195912A (ja) 2000-12-27 2002-07-10 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002202221A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Nikon Corp 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP3495992B2 (ja) * 2001-01-26 2004-02-09 キヤノン株式会社 補正装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
US6563566B2 (en) 2001-01-29 2003-05-13 International Business Machines Corporation System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle
JP2002229215A (ja) 2001-01-30 2002-08-14 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2002227924A (ja) 2001-01-31 2002-08-14 Canon Inc 制震ダンパ及び制震ダンパを備えた露光装置
SE0100336L (sv) 2001-02-05 2002-08-06 Micronic Laser Systems Ab Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område
WO2002063664A1 (fr) 2001-02-06 2002-08-15 Nikon Corporation Systeme et procede d'exposition et procede de production de dispositif
TWI285295B (en) 2001-02-23 2007-08-11 Asml Netherlands Bv Illumination optimization in lithography
DE10113612A1 (de) 2001-02-23 2002-09-05 Zeiss Carl Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem
KR100815222B1 (ko) 2001-02-27 2008-03-19 에이에스엠엘 유에스, 인크. 리소그래피 장치 및 적어도 하나의 레티클 상에 형성된 적어도 두 개의 패턴으로부터의 이미지로 기판 스테이지 상의 필드를 노출시키는 방법
JP2002258487A (ja) 2001-02-28 2002-09-11 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4501292B2 (ja) 2001-03-05 2010-07-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 被塗布基材及び塗布材の塗布方法並びに素子の製造方法
JP2002289505A (ja) 2001-03-28 2002-10-04 Nikon Corp 露光装置，露光装置の調整方法，マイクロデバイスの製造方法
JPWO2002080185A1 (ja) 2001-03-28 2004-07-22 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002365783A (ja) 2001-04-05 2002-12-18 Sony Corp マスクパターンの作成装置、高解像度マスクの作製装置及び作製方法、並びにレジストパターン形成方法
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002084850A1 (fr) 2001-04-09 2002-10-24 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege
JP3937903B2 (ja) 2001-04-24 2007-06-27 キヤノン株式会社 露光方法及び装置
WO2002088843A2 (en) * 2001-04-24 2002-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
JP2002324743A (ja) 2001-04-24 2002-11-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2002329651A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法、及びマイクロデバイスの製造方法
DE10124566A1 (de) * 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür
DE10123725A1 (de) 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren
WO2002093209A2 (de) 2001-05-15 2002-11-21 Carl Zeiss Objektiv mit fluorid-kristall-linsen
DE10124474A1 (de) 2001-05-19 2002-11-21 Zeiss Carl Mikrolithographisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsobjektiv zur Durchführung des Verfahrens
US7053988B2 (en) * 2001-05-22 2006-05-30 Carl Zeiss Smt Ag. Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine
DE10124803A1 (de) * 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
JP2002353105A (ja) 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp 照明光学装置，該照明光学装置を備えた露光装置，およびマイクロデバイスの製造方法
JP2002359176A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Canon Inc 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
JP2002359174A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Mitsubishi Electric Corp 露光工程管理システム、露光工程管理方法、および露光工程を管理するためのプログラム
JP4622160B2 (ja) 2001-05-31 2011-02-02 旭硝子株式会社 回折格子一体型旋光子および光ヘッド装置
EP1262836B1 (en) * 2001-06-01 2018-09-12 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4689081B2 (ja) 2001-06-06 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置、調整方法、およびデバイス製造方法
JP3734432B2 (ja) 2001-06-07 2006-01-11 三星電子株式会社 マスク搬送装置、マスク搬送システム及びマスク搬送方法
JPWO2002101804A1 (ja) 2001-06-11 2004-09-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに温度安定化流路装置
JP2002367523A (ja) 2001-06-12 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルの製造方法
WO2002103766A1 (fr) * 2001-06-13 2002-12-27 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition au balayage, et procede de production d'un dispositif associe
JP2002373849A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
WO2003003429A1 (fr) 2001-06-28 2003-01-09 Nikon Corporation Systeme de projection optique, systeme d'exposition et procede
US6831731B2 (en) 2001-06-28 2004-12-14 Nikon Corporation Projection optical system and an exposure apparatus with the projection optical system
JP2003015314A (ja) 2001-07-02 2003-01-17 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003015040A (ja) 2001-07-04 2003-01-15 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2003017003A (ja) 2001-07-04 2003-01-17 Canon Inc ランプおよび光源装置
US6727992B2 (en) * 2001-07-06 2004-04-27 Zygo Corporation Method and apparatus to reduce effects of sheared wavefronts on interferometric phase measurements
JP3507459B2 (ja) 2001-07-09 2004-03-15 キヤノン株式会社 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
US6788389B2 (en) * 2001-07-10 2004-09-07 Nikon Corporation Production method of projection optical system
JP2003028673A (ja) 2001-07-10 2003-01-29 Canon Inc 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法
EP1280007B1 (en) 2001-07-24 2008-06-18 ASML Netherlands B.V. Imaging apparatus
JP2003045712A (ja) 2001-07-26 2003-02-14 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 防水コイル及びその製造方法
JP4522024B2 (ja) 2001-07-27 2010-08-11 キヤノン株式会社 水銀ランプ、照明装置及び露光装置
JP2003043223A (ja) 2001-07-30 2003-02-13 Nikon Corp 結晶材料で形成されたビームスプリッターおよび波長板、並びにこれらの結晶光学部品を備えた光学装置、露光装置並びに検査装置
JP2003059799A (ja) 2001-08-10 2003-02-28 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2003059803A (ja) 2001-08-14 2003-02-28 Canon Inc 露光装置
JP2003068600A (ja) 2001-08-22 2003-03-07 Canon Inc 露光装置、および基板チャックの冷却方法
TW554411B (en) 2001-08-23 2003-09-21 Nikon Corp Exposure apparatus
JP2003068604A (ja) 2001-08-23 2003-03-07 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003068607A (ja) 2001-08-23 2003-03-07 Nikon Corp 露光装置および露光方法
JP4183166B2 (ja) 2001-08-31 2008-11-19 京セラ株式会社 位置決め装置用部材
WO2003021352A1 (fr) * 2001-08-31 2003-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Reticule et procede de mesure de caracteristiques optiques
JP2003075703A (ja) 2001-08-31 2003-03-12 Konica Corp 光学ユニット及び光学装置
KR100452928B1 (ko) 2001-08-31 2004-10-14 안희석 감자라면 및 그 제조방법
JP2003081654A (ja) 2001-09-06 2003-03-19 Toshiba Ceramics Co Ltd 合成石英ガラスおよびその製造方法
JPWO2003023832A1 (ja) 2001-09-07 2004-12-24 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2003084445A (ja) 2001-09-13 2003-03-19 Canon Inc 走査型露光装置および露光方法
JP2003090978A (ja) 2001-09-17 2003-03-28 Canon Inc 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP4160286B2 (ja) 2001-09-21 2008-10-01 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 Ｌｓｉパターンの寸法測定箇所選定方法
JP3910032B2 (ja) 2001-09-25 2007-04-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板現像装置
JP2003114387A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置
JP4412450B2 (ja) 2001-10-05 2010-02-10 信越化学工業株式会社 反射防止フィルター
JP2003124095A (ja) 2001-10-11 2003-04-25 Nikon Corp 投影露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2003130132A (ja) 2001-10-22 2003-05-08 Nec Ameniplantex Ltd 除振機構
US6970232B2 (en) * 2001-10-30 2005-11-29 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems
JP2003202523A (ja) 2001-11-02 2003-07-18 Nec Viewtechnology Ltd 偏光ユニット、該偏光ユニットを用いた偏光照明装置及び該偏光照明装置を用いた投写型表示装置
US6577379B1 (en) * 2001-11-05 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate
JP4362999B2 (ja) 2001-11-12 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US6900915B2 (en) 2001-11-14 2005-05-31 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
JP4307813B2 (ja) 2001-11-14 2009-08-05 株式会社リコー 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置
JP3809095B2 (ja) 2001-11-29 2006-08-16 ペンタックス株式会社 露光装置用光源システムおよび露光装置
JP2003161882A (ja) 2001-11-29 2003-06-06 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
JP2003166856A (ja) 2001-11-29 2003-06-13 Fuji Electric Co Ltd 光学式エンコーダ
JP3945569B2 (ja) 2001-12-06 2007-07-18 東京応化工業株式会社 現像装置
JP2003188087A (ja) 2001-12-21 2003-07-04 Sony Corp 露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法
JP2003249443A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Nikon Corp ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TW200301848A (en) 2002-01-09 2003-07-16 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method
TW200302507A (en) 2002-01-21 2003-08-01 Nikon Corp Stage device and exposure device
JP3809381B2 (ja) 2002-01-28 2006-08-16 キヤノン株式会社 リニアモータ、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003229347A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Canon Inc 半導体製造装置
JP2003233001A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US20050134825A1 (en) 2002-02-08 2005-06-23 Carl Zeiss Smt Ag Polarization-optimized illumination system
DE10206061A1 (de) 2002-02-08 2003-09-04 Carl Zeiss Semiconductor Mfg S Polarisationsoptimiertes Beleuchtungssystem
JP2003240906A (ja) 2002-02-20 2003-08-27 Dainippon Printing Co Ltd 反射防止体およびその製造方法
JP2003257812A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Nikon Corp 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法
JP2003258071A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
AU2003211559A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-16 Nikon Corporation Projection optical system adjustment method, prediction method, evaluation method, adjustment method, exposure method, exposure device, program, and device manufacturing method
JP3984841B2 (ja) 2002-03-07 2007-10-03 キヤノン株式会社 歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2003263119A (ja) 2002-03-07 2003-09-19 Fuji Xerox Co Ltd リブ付き電極およびその製造方法
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP3975787B2 (ja) 2002-03-12 2007-09-12 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP4100011B2 (ja) 2002-03-13 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置、有機ｅｌ装置の製造装置及び製造方法
US20050094268A1 (en) 2002-03-14 2005-05-05 Carl Zeiss Smt Ag Optical system with birefringent optical elements
US7085052B2 (en) 2002-03-14 2006-08-01 Optellios, Inc. Over-parameterized polarization controller
JP4335495B2 (ja) 2002-03-27 2009-09-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 定圧チャンバ、それを用いた照射装置及び回路パターンの検査装置
JP2003297727A (ja) * 2002-04-03 2003-10-17 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
KR101013347B1 (ko) 2002-04-09 2011-02-10 가부시키가이샤 니콘 노광방법, 노광장치, 및 디바이스 제조방법
US6894712B2 (en) 2002-04-10 2005-05-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure head, exposure apparatus, and application thereof
DE10310690A1 (de) 2002-04-12 2003-10-30 Heidelberger Druckmasch Ag Bogenführungseinrichtung in einer bogenverarbeitenden Maschine
JP3950732B2 (ja) 2002-04-23 2007-08-01 キヤノン株式会社 照明光学系、照明方法及び露光装置
JP4333078B2 (ja) 2002-04-26 2009-09-16 株式会社ニコン 投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置および該投影光学系を用いた露光方法並びにデバイス製造方法
DE60208083T2 (de) 2002-04-29 2006-08-31 Micronic Laser Systems Ab Vorrichtung zum schutz eines chips und verfahren zu dessen anwendung
US20050095749A1 (en) 2002-04-29 2005-05-05 Mathias Krellmann Device for protecting a chip and method for operating a chip
US6707534B2 (en) * 2002-05-10 2004-03-16 Anvik Corporation Maskless conformable lithography
JP4324957B2 (ja) 2002-05-27 2009-09-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
US7038763B2 (en) * 2002-05-31 2006-05-02 Asml Netherlands B.V. Kit of parts for assembling an optical element, method of assembling an optical element, optical element, lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP4037179B2 (ja) 2002-06-04 2008-01-23 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法、洗浄装置
JP2004015187A (ja) 2002-06-04 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 撮影補助システム、デジタルカメラ、及びサーバ
JP2004014876A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Nikon Corp 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置
JP3448812B2 (ja) 2002-06-14 2003-09-22 株式会社ニコン マーク検知装置、及びそれを有する露光装置、及びその露光装置を用いた半導体素子又は液晶表示素子の製造方法
JP2004022708A (ja) 2002-06-14 2004-01-22 Nikon Corp 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法
JP2004179172A (ja) 2002-06-26 2004-06-24 Nikon Corp 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法
JP4012771B2 (ja) 2002-06-28 2007-11-21 富士通エフ・アイ・ピー株式会社 ライセンス管理方法、ライセンス管理システム、ライセンス管理プログラム
JP2004039952A (ja) 2002-07-05 2004-02-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置の監視方法およびプラズマ処理装置
JP2004040039A (ja) 2002-07-08 2004-02-05 Sony Corp 露光方法の選択方法
JP2004045063A (ja) 2002-07-09 2004-02-12 Topcon Corp 光学式ロータリーエンコーダ板の製造方法および光学式ロータリーエンコーダ板
JP2004051717A (ja) 2002-07-17 2004-02-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd バイオマスのガス化装置
AU2003252135A1 (en) 2002-07-26 2004-02-16 Massachusetts Institute Of Technology Optical imaging using a pupil filter and coordinated illumination polarisation
JP2004063847A (ja) 2002-07-30 2004-02-26 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びステージ装置
JP2004063988A (ja) 2002-07-31 2004-02-26 Canon Inc 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法
JP2004071851A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Canon Inc 半導体露光方法及び露光装置
JP2004085612A (ja) 2002-08-22 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスク、その製造方法およびそれを用いたパターン形成方法
JP4095376B2 (ja) 2002-08-28 2008-06-04 キヤノン株式会社 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP2004095653A (ja) 2002-08-29 2004-03-25 Nikon Corp 露光装置
JP2004145269A (ja) 2002-08-30 2004-05-20 Nikon Corp 投影光学系、反射屈折型投影光学系、走査型露光装置及び露光方法
EP1394488B1 (en) 2002-08-31 2008-09-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Cabinet for recessed refrigerators and method for its assembly
JP2004103674A (ja) 2002-09-06 2004-04-02 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2004101362A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Canon Inc ステージ位置計測および位置決め装置
JP2004098012A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Seiko Epson Corp 薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器
JP2004104654A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Ricoh Co Ltd 画像読取装置
JP2004111579A (ja) * 2002-09-17 2004-04-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4269610B2 (ja) 2002-09-17 2009-05-27 株式会社ニコン 露光装置及び露光装置の製造方法
KR100480620B1 (ko) * 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
JP3958163B2 (ja) * 2002-09-19 2007-08-15 キヤノン株式会社 露光方法
JP2004119497A (ja) 2002-09-24 2004-04-15 Huabang Electronic Co Ltd 半導体製造設備と方法
JP4333866B2 (ja) 2002-09-26 2009-09-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2004128307A (ja) 2002-10-04 2004-04-22 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法
US6665119B1 (en) 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
JP2004134682A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Nikon Corp 気体シリンダ、ステージ装置及び露光装置
JP2004140145A (ja) 2002-10-17 2004-05-13 Nikon Corp 露光装置
JP2004146702A (ja) 2002-10-25 2004-05-20 Nikon Corp 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2004153064A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004153096A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004152705A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2004165249A (ja) 2002-11-11 2004-06-10 Sony Corp 露光装置及び露光方法
JP2004163555A (ja) 2002-11-12 2004-06-10 Olympus Corp 落射顕微鏡及び落射顕微鏡用対物レンズ
JP3953460B2 (ja) * 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置
JP2004165416A (ja) 2002-11-13 2004-06-10 Nikon Corp 露光装置及び建屋
JP2004172471A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4378938B2 (ja) 2002-11-25 2009-12-09 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
US6844927B2 (en) * 2002-11-27 2005-01-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection
US6958806B2 (en) 2002-12-02 2005-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4314555B2 (ja) 2002-12-03 2009-08-19 株式会社ニコン リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置
TW200412617A (en) 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
WO2004053956A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
EP1571700A4 (en) 2002-12-10 2007-09-12 Nikon Corp OPTICAL DEVICE AND PROJECTION EXPOSURE DEVICE USING THE OPTICAL DEVICE
JP2004301825A (ja) 2002-12-10 2004-10-28 Nikon Corp 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1429190B1 (en) * 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4595320B2 (ja) 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
SG152063A1 (en) 2002-12-10 2009-05-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
SG165169A1 (en) 2002-12-10 2010-10-28 Nikon Corp Liquid immersion exposure apparatus
CN101872135B (zh) 2002-12-10 2013-07-31 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
KR101085372B1 (ko) 2002-12-10 2011-11-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
US20040108973A1 (en) 2002-12-10 2004-06-10 Kiser David K. Apparatus for generating a number of color light components
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
JP2004193425A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Nikon Corp 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2004198748A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Nikon Corp オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004205698A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
US6891655B2 (en) 2003-01-02 2005-05-10 Micronic Laser Systems Ab High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices
JP2004221253A (ja) 2003-01-14 2004-08-05 Nikon Corp 露光装置
CN1723384A (zh) 2003-01-15 2006-01-18 麦克罗尼克激光系统公司 检测缺陷像素的方法
JP2004228497A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Nikon Corp 露光装置及び電子デバイスの製造方法
JP2004224421A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Tokyo Autom Mach Works Ltd 製品供給装置
JP2004241666A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Nikon Corp 計測方法及び露光方法
JP2004007417A (ja) 2003-02-10 2004-01-08 Fujitsu Ltd 情報提供システム
JP4366948B2 (ja) 2003-02-14 2009-11-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004259828A (ja) 2003-02-25 2004-09-16 Nikon Corp 半導体露光装置
EP2945016B1 (en) 2003-02-26 2017-09-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4604452B2 (ja) 2003-02-26 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2004259985A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Sony Corp レジストパターン形成装置およびその形成方法、および、当該方法を用いた半導体装置の製造方法
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
JP4305003B2 (ja) 2003-02-27 2009-07-29 株式会社ニコン Ｅｕｖ光学系及びｅｕｖ露光装置
JP2004260115A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2004260081A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp 紫外域用反射ミラー装置及びそれを用いた投影露光装置
WO2004086470A1 (ja) 2003-03-25 2004-10-07 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2004294202A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Seiko Epson Corp 画面の欠陥検出方法及び装置
JP4265257B2 (ja) 2003-03-28 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、フィルム構造体
JP4496711B2 (ja) 2003-03-31 2010-07-07 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2004304135A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP4281397B2 (ja) 2003-04-07 2009-06-17 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP4288413B2 (ja) 2003-04-07 2009-07-01 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
JP4465974B2 (ja) 2003-04-07 2010-05-26 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
ATE426914T1 (de) 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
WO2004091079A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ
JP4341277B2 (ja) 2003-04-07 2009-10-07 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法
JP4374964B2 (ja) 2003-09-26 2009-12-02 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
EP1857880B1 (en) 2003-04-09 2015-09-16 Nikon Corporation Exposure method and apparatus and device manufacturing method
US6842223B2 (en) 2003-04-11 2005-01-11 Nikon Precision Inc. Enhanced illuminator for use in photolithographic systems
JP4428115B2 (ja) 2003-04-11 2010-03-10 株式会社ニコン 液浸リソグラフィシステム
JP2004319724A (ja) 2003-04-16 2004-11-11 Ses Co Ltd 半導体洗浄装置に於ける洗浄槽の構造
JPWO2004094940A1 (ja) 2003-04-23 2006-07-13 株式会社ニコン 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ
EP1620350A1 (en) 2003-04-24 2006-02-01 Metconnex Canada Inc. A micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
JP2004327660A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7095546B2 (en) 2003-04-24 2006-08-22 Metconnex Canada Inc. Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
JP2004335808A (ja) 2003-05-08 2004-11-25 Sony Corp パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム
JP4487168B2 (ja) 2003-05-09 2010-06-23 株式会社ニコン ステージ装置及びその駆動方法、並びに露光装置
JP2004335864A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
US7511886B2 (en) * 2003-05-13 2009-03-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
JP2004342987A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Canon Inc ステージ装置
TW200507055A (en) 2003-05-21 2005-02-16 Nikon Corp Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method
TW201806001A (zh) 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
JP2005012190A (ja) 2003-05-23 2005-01-13 Nikon Corp 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法
TWI421906B (zh) 2003-05-23 2014-01-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
JP2004349645A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
KR20060009956A (ko) 2003-05-28 2006-02-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP2004356410A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
WO2004109780A1 (ja) 2003-06-04 2004-12-16 Nikon Corporation ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
JP2005005295A (ja) 2003-06-09 2005-01-06 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005005395A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Nikon Corp ガス給排気方法及び装置、鏡筒、露光装置及び方法
JP2005005521A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Nikon Corp 露光装置、露光方法、および偏光状態測定装置
KR101419663B1 (ko) 2003-06-19 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP2005011990A (ja) 2003-06-19 2005-01-13 Nikon Corp 走査型投影露光装置、走査型投影露光装置の照度キャリブレーション方法及び露光方法
JP2005019628A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Nikon Corp 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
DE10328938A1 (de) 2003-06-27 2005-01-20 Carl Zeiss Smt Ag Korrektureinrichtung zur Kompensation von Störungen der Polarisationsverteilung sowie Projektionsobjektiv für die Mikrolithografie
JP2005024890A (ja) 2003-07-02 2005-01-27 Renesas Technology Corp 偏光子、投影レンズ系、露光装置及び露光方法
JP2005026634A (ja) 2003-07-04 2005-01-27 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
WO2005006415A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JPWO2005008754A1 (ja) 2003-07-18 2007-09-20 株式会社ニコン フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク
KR20060039925A (ko) 2003-07-24 2006-05-09 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP4492600B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005051147A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2005055811A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Olympus Corp 光学部材、この光学部材を組み込む光学機器、及びその光学機器の組み立て方法
JP2005064210A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Nikon Corp 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置
JP4262031B2 (ja) 2003-08-19 2009-05-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20180077311A (ko) 2003-08-29 2018-07-06 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
JP4218475B2 (ja) 2003-09-11 2009-02-04 株式会社ニコン 極端紫外線光学系及び露光装置
JP4323903B2 (ja) 2003-09-12 2009-09-02 キヤノン株式会社 照明光学系及びそれを用いた露光装置
EP1668421A2 (en) 2003-09-12 2006-06-14 Carl Zeiss SMT AG Illumination system for a microlithography projection exposure installation
JP2005091023A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Minolta Co Ltd 光学式エンコーダおよびそれを備えた撮像装置
DE10343333A1 (de) 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
JP2005093324A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Toshiba Corp 画像表示装置に用いるガラス基板、ガラス基板の製造方法、およびガラス基板の製造装置
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005093948A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005123586A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 投影装置および投影方法
US7408616B2 (en) * 2003-09-26 2008-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method
ATE396428T1 (de) 2003-09-26 2008-06-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsverfahren sowie projektions- belichtungssystem zur ausführung des verfahrens
JP2005108925A (ja) 2003-09-29 2005-04-21 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4385702B2 (ja) 2003-09-29 2009-12-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP4470433B2 (ja) 2003-10-02 2010-06-02 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4513299B2 (ja) 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005114882A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 処理ステージの基板載置方法、基板露光ステージおよび基板露光装置
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JP2005116831A (ja) 2003-10-08 2005-04-28 Nikon Corp 投影露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005136364A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2005036619A1 (ja) 2003-10-09 2005-04-21 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置および露光方法
JPWO2005036620A1 (ja) 2003-10-10 2006-12-28 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005127460A (ja) 2003-10-27 2005-05-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 免震除振床システム
TW201834020A (zh) 2003-10-28 2018-09-16 日商尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP4605014B2 (ja) 2003-10-28 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
JP2005140999A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Nikon Corp 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法
TWI387855B (zh) 2003-11-13 2013-03-01 尼康股份有限公司 A variable slit device, a lighting device, an exposure device, an exposure method, and an element manufacturing method
EP1688988A1 (en) 2003-11-17 2006-08-09 Nikon Corporation Stage drive method, stage apparatus, and exposure apparatus
TWI519819B (zh) 2003-11-20 2016-02-01 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
JP4976094B2 (ja) 2003-11-20 2012-07-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、露光方法、およびマイクロデバイスの製造方法
JP4470095B2 (ja) 2003-11-20 2010-06-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4552428B2 (ja) 2003-12-02 2010-09-29 株式会社ニコン 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US6970233B2 (en) 2003-12-03 2005-11-29 Texas Instruments Incorporated System and method for custom-polarized photolithography illumination
JP2005175176A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP2005175177A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 光学装置及び露光装置
KR101547037B1 (ko) 2003-12-15 2015-08-24 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
JP3102327U (ja) 2003-12-17 2004-07-02 国統国際股▲ふん▼有限公司 可撓管の漏れ止め機構
JP4954444B2 (ja) 2003-12-26 2012-06-13 株式会社ニコン 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法
EP3376523A1 (en) 2004-01-05 2018-09-19 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
JP4586367B2 (ja) 2004-01-14 2010-11-24 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
US8270077B2 (en) * 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
ATE539383T1 (de) * 2004-01-16 2012-01-15 Zeiss Carl Smt Gmbh Projektionssystem mit einem polarisationsmodulierenden optischen element mit variabler dicke
JP2007518211A (ja) 2004-01-16 2007-07-05 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光学系
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
JP2005209705A (ja) 2004-01-20 2005-08-04 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP4474927B2 (ja) 2004-01-20 2010-06-09 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
US7697110B2 (en) 2004-01-26 2010-04-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
US7580559B2 (en) * 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
WO2005076321A1 (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
TWI511182B (zh) * 2004-02-06 2015-12-01 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
KR101166007B1 (ko) 2004-02-10 2012-07-17 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 메인터넌스 방법 및노광 방법
JP4370992B2 (ja) 2004-02-18 2009-11-25 株式会社ニコン 光学素子及び露光装置
JP4572896B2 (ja) 2004-02-19 2010-11-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイスの製造方法
WO2005081292A1 (ja) 2004-02-20 2005-09-01 Nikon Corporation 露光装置、供給方法及び回収方法、露光方法、ならびにデバイス製造方法
JP4693088B2 (ja) 2004-02-20 2011-06-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2005234359A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Ricoh Co Ltd 走査光学系光学特性測定装置、走査光学系光学特性測定装置校正方法、走査光学系及び画像形成装置
JP4333404B2 (ja) 2004-02-25 2009-09-16 株式会社ニコン 搬送装置、搬送方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
DE102004010569A1 (de) 2004-02-26 2005-09-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
JP2005243904A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及び露光方法
US6977718B1 (en) 2004-03-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography method and system with adjustable reflector
JP2005251549A (ja) 2004-03-04 2005-09-15 Nikon Corp マイクロスイッチ及びマイクロスイッチの駆動方法
JP2005257740A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
JP4778685B2 (ja) 2004-03-10 2011-09-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置
JP4497968B2 (ja) * 2004-03-18 2010-07-07 キヤノン株式会社 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005276932A (ja) 2004-03-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005302826A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及び露光方法
JP4474979B2 (ja) 2004-04-15 2010-06-09 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
US8488099B2 (en) 2004-04-19 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2005311020A (ja) 2004-04-21 2005-11-04 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP4776891B2 (ja) 2004-04-23 2011-09-21 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4569157B2 (ja) 2004-04-27 2010-10-27 株式会社ニコン 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置
US7324280B2 (en) 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
JP2005340605A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Nikon Corp 露光装置およびその調整方法
JP5159027B2 (ja) 2004-06-04 2013-03-06 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
JP2006005197A (ja) 2004-06-18 2006-01-05 Canon Inc 露光装置
JP4419701B2 (ja) 2004-06-21 2010-02-24 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP2006017895A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Integrated Solutions:Kk 露光装置
JP4444743B2 (ja) 2004-07-07 2010-03-31 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006024819A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Renesas Technology Corp 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法
US7283209B2 (en) * 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
JPWO2006006730A1 (ja) 2004-07-15 2008-05-01 株式会社ニコン 平面モータ装置、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2006032750A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Canon Inc 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法
EP1621930A3 (en) * 2004-07-29 2011-07-06 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
JP4411158B2 (ja) 2004-07-29 2010-02-10 キヤノン株式会社 露光装置
JP2006049758A (ja) 2004-08-09 2006-02-16 Nikon Corp 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置
JP2006054364A (ja) 2004-08-13 2006-02-23 Nikon Corp 基板吸着装置、露光装置
JP4599936B2 (ja) 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
JP4983257B2 (ja) 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
JP2006073584A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Nikon Corp 露光装置及び方法並びにデバイス製造方法
WO2006025341A1 (ja) 2004-09-01 2006-03-09 Nikon Corporation 基板ホルダ及びステージ装置並びに露光装置
US7433046B2 (en) 2004-09-03 2008-10-07 Carl Ziess Meditec, Inc. Patterned spinning disk based optical phase shifter for spectral domain optical coherence tomography
JP4772306B2 (ja) 2004-09-06 2011-09-14 株式会社東芝 液浸光学装置及び洗浄方法
JP2006080281A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Nikon Corp ステージ装置、ガスベアリング装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2006028188A1 (ja) 2004-09-10 2006-03-16 Nikon Corporation ステージ装置及び露光装置
EP1804278A4 (en) 2004-09-14 2011-03-02 Nikon Corp CORRECTION METHOD AND EXPOSURE DEVICE
JP2006086141A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
TW200615706A (en) 2004-09-17 2006-05-16 Nikon Corp Substrate for exposure, exposure method and method for manufacturing a device
JP2006086442A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
WO2006035775A1 (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Hamamatsu Photonics K.K. 空間光変調装置、光学処理装置、カップリングプリズム、及び、カップリングプリズムの使用方法
JP2006100363A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Canon Inc 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法。
JP4747545B2 (ja) 2004-09-30 2011-08-17 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法
US7245353B2 (en) 2004-10-12 2007-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method
JP4335114B2 (ja) 2004-10-18 2009-09-30 日本碍子株式会社 マイクロミラーデバイス
GB2419208A (en) * 2004-10-18 2006-04-19 Qinetiq Ltd Optical correlation employing an optical bit delay
JP2006120985A (ja) 2004-10-25 2006-05-11 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006128192A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI416265B (zh) 2004-11-01 2013-11-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US7271874B2 (en) * 2004-11-02 2007-09-18 Asml Holding N.V. Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system
JP4517354B2 (ja) 2004-11-08 2010-08-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
WO2006051909A1 (ja) 2004-11-11 2006-05-18 Nikon Corporation 露光方法、デバイス製造方法、及び基板
JP2006140366A (ja) 2004-11-15 2006-06-01 Nikon Corp 投影光学系及び露光装置
JP2005150759A (ja) 2004-12-15 2005-06-09 Nikon Corp 走査型露光装置
EP3285282A1 (en) 2004-12-15 2018-02-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
JP2006170811A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Nikon Corp 多層膜反射鏡、ｅｕｖ露光装置、及び軟ｘ線光学機器
JP2006170899A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Sendai Nikon:Kk 光電式エンコーダ
JP2006179516A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Toshiba Corp 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法
EP1830456A1 (en) 2004-12-24 2007-09-05 Nikon Corporation Magnetic guiding apparatus, stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006177865A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Ntn Corp 磁気エンコーダおよびそれを備えた車輪用軸受装置
JP4402582B2 (ja) 2004-12-27 2010-01-20 大日本印刷株式会社 大型フォトマスク用ケース及びケース交換装置
US20060138349A1 (en) 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7312852B2 (en) * 2004-12-28 2007-12-25 Asml Netherlands B.V. Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method
US7345740B2 (en) * 2004-12-28 2008-03-18 Asml Netherlands B.V. Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4632793B2 (ja) 2005-01-12 2011-02-16 京セラ株式会社 ナビゲーション機能付き携帯型端末機
WO2006077958A1 (ja) 2005-01-21 2006-07-27 Nikon Corporation リニアモータ、ステージ装置、及び露光装置
TW200923418A (en) 2005-01-21 2009-06-01 Nikon Corp Exposure device, exposure method, fabricating method of device, exposure system, information collecting device, and measuring device
US20060164711A1 (en) 2005-01-24 2006-07-27 Asml Holding N.V. System and method utilizing an electrooptic modulator
US7864293B2 (en) 2005-01-25 2011-01-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and producing method of microdevice
WO2006085524A1 (ja) 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光装置
JP4650619B2 (ja) 2005-03-09 2011-03-16 株式会社ニコン 駆動ユニット、光学ユニット、光学装置、並びに露光装置
JP2006253572A (ja) 2005-03-14 2006-09-21 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP5125503B2 (ja) 2005-03-23 2013-01-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP4858744B2 (ja) 2005-03-24 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置
JP4561425B2 (ja) 2005-03-24 2010-10-13 ソニー株式会社 ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法
JP2006278820A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corp 露光方法及び装置
JP4546315B2 (ja) 2005-04-07 2010-09-15 株式会社神戸製鋼所 微細加工用型の製造方法
CN101156226B (zh) 2005-04-27 2012-03-14 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置、组件制造方法、以及膜的评估方法
JP4676815B2 (ja) 2005-05-26 2011-04-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 露光装置および露光方法
JP2006351586A (ja) 2005-06-13 2006-12-28 Nikon Corp 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
US7405653B2 (en) * 2005-06-13 2008-07-29 Honeywell International Inc. System for monitoring activities and location
JP4710427B2 (ja) 2005-06-15 2011-06-29 株式会社ニコン 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法
DE102005030839A1 (de) 2005-07-01 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven
US7317512B2 (en) 2005-07-11 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Different polarization in cross-section of a radiation beam in a lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101138070B (zh) 2005-08-05 2011-03-23 株式会社尼康 载台装置及曝光装置
JP2007048819A (ja) 2005-08-08 2007-02-22 Nikon Corp 面位置検出装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007043980A (ja) 2005-08-11 2007-02-22 Sanei Gen Ffi Inc 焼成和洋菓子用品質改良剤
US20070058151A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Asml Netherlands B.V. Optical element for use in lithography apparatus and method of conditioning radiation beam
JP2007087306A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Yokohama National Univ 目標画像指定作成方式
JP2007093546A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Nikon Corp エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置
JP4640090B2 (ja) 2005-10-04 2011-03-02 ウシオ電機株式会社 放電ランプ用ホルダー、および放電ランプ保持機構
JP2007113939A (ja) 2005-10-18 2007-05-10 Nikon Corp 計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法
JP2007120334A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Denso Corp 車両駆動システムの異常診断装置
JP2007120333A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ロケット用燃焼器の噴射管およびロケット用燃焼器
JP4809037B2 (ja) 2005-10-27 2011-11-02 日本カニゼン株式会社 黒色めっき膜およびその形成方法、めっき膜を有する物品
TW200719095A (en) 2005-11-09 2007-05-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US20090115989A1 (en) 2005-11-10 2009-05-07 Hirohisa Tanaka Lighting optical system, exposure system, and exposure method
WO2007055373A1 (ja) 2005-11-14 2007-05-18 Nikon Corporation 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2007142313A (ja) 2005-11-22 2007-06-07 Nikon Corp 計測工具及び調整方法
JP2007144864A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 積層構造体およびそれを用いた冷凍装置
WO2007066692A1 (ja) 2005-12-06 2007-06-14 Nikon Corporation 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
EP3327759A1 (en) 2005-12-08 2018-05-30 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JP4800901B2 (ja) 2005-12-12 2011-10-26 矢崎総業株式会社 電圧検出装置及び絶縁インタフェース
US20070166134A1 (en) 2005-12-20 2007-07-19 Motoko Suzuki Substrate transfer method, substrate transfer apparatus and exposure apparatus
JP2007170938A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Sendai Nikon:Kk エンコーダ
JP2007207821A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Nikon Corp 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2007220767A (ja) 2006-02-15 2007-08-30 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007227637A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Canon Inc 液浸露光装置
WO2007097198A1 (ja) 2006-02-27 2007-08-30 Nikon Corporation ダイクロイックフィルタ
JP2007234110A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Toshiba Corp 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法
JP4929762B2 (ja) 2006-03-03 2012-05-09 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
DE102006015213A1 (de) 2006-03-30 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung
JP2007280623A (ja) 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp 熱処理装置、薄膜形成装置及び熱処理方法
JP2007295702A (ja) 2006-04-24 2007-11-08 Toshiba Mach Co Ltd リニアモータ、および、ステージ駆動装置
WO2007132862A1 (ja) 2006-05-16 2007-11-22 Nikon Corporation 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4893112B2 (ja) 2006-06-03 2012-03-07 株式会社ニコン 高周波回路コンポーネント
JP4873138B2 (ja) 2006-06-21 2012-02-08 富士ゼロックス株式会社 情報処理装置及びプログラム
JP2008041710A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Fujitsu Ltd 照明光学装置、露光方法及び設計方法
DE102006037776B3 (de) * 2006-08-11 2008-02-21 Siemens Ag Vorrichtung zum Kalibrieren einer Magnetresonanzanlage mit PET-Funktion
JP2008058580A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Canon Inc 画像形成装置、監視装置、制御方法、及びプログラム
JP2008064924A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Seiko Epson Corp 定着装置及び画像形成装置
JP5141979B2 (ja) 2006-09-29 2013-02-13 株式会社ニコン ステージ装置および露光装置
JP2007051300A (ja) 2006-10-10 2007-03-01 Teijin Chem Ltd 難燃性樹脂組成物
JP4924879B2 (ja) 2006-11-14 2012-04-25 株式会社ニコン エンコーダ
WO2008061681A2 (de) 2006-11-21 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik
TWI452437B (zh) 2006-11-27 2014-09-11 尼康股份有限公司 An exposure method, a pattern forming method, and an exposure apparatus, and an element manufacturing method
JP2007274881A (ja) 2006-12-01 2007-10-18 Nikon Corp 移動体装置、微動体及び露光装置
JP4910679B2 (ja) 2006-12-21 2012-04-04 株式会社ニコン 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路
DE102007027985A1 (de) 2006-12-21 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
WO2008078668A1 (ja) 2006-12-26 2008-07-03 Miura Co., Ltd. ボイラ給水用補給水の供給方法
WO2008078688A1 (ja) 2006-12-27 2008-07-03 Nikon Corporation ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
EP2125745B1 (en) 2006-12-27 2017-02-22 Sanofi Cycloalkylamine substituted isoquinolone derivatives
TW200846838A (en) 2007-01-26 2008-12-01 Nikon Corp Support structure and exposure apparatus
JP5304644B2 (ja) 2007-05-09 2013-10-02 株式会社ニコン フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法
JP5184217B2 (ja) 2007-05-31 2013-04-17 パナソニック株式会社 画像撮影装置、付加情報提供サーバ及び付加情報フィルタリングシステム
JP5194650B2 (ja) 2007-08-31 2013-05-08 株式会社ニコン 電子カメラ
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US20090091730A1 (en) 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN101681123B (zh) 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4499774B2 (ja) 2007-10-24 2010-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
JP2010004008A (ja) 2007-10-31 2010-01-07 Nikon Corp 光学ユニット、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JPWO2009153925A1 (ja) 2008-06-17 2011-11-24 株式会社ニコン ナノインプリント方法及び装置
WO2009157154A1 (ja) 2008-06-26 2009-12-30 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置
JPWO2010001537A1 (ja) 2008-06-30 2011-12-15 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置、薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置、及び回路形成装置
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110205519A1 (en) 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075816A (ja) 2000-08-24 2002-03-15 Asahi Optical Co Ltd ビーム列検出方法および検出用位相フィルター

Also Published As

Publication number Publication date
TW200845134A (en) 2008-11-16
KR20120031240A (ko) 2012-03-30
JP2014098917A (ja) 2014-05-29
KR101626226B1 (ko) 2016-05-31
KR20160063423A (ko) 2016-06-03
US10007194B2 (en) 2018-06-26
TWI379344B (en) 2012-12-11
KR20140056388A (ko) 2014-05-09
KR101429868B1 (ko) 2014-08-12
EP2618188B1 (en) 2015-10-07
US20060170901A1 (en) 2006-08-03
KR20130028974A (ko) 2013-03-20
TWI494972B (zh) 2015-08-01
US20130242527A1 (en) 2013-09-19
TW200841384A (en) 2008-10-16
TW200845131A (en) 2008-11-16
EP2618188A1 (en) 2013-07-24
TW201230146A (en) 2012-07-16
EP2615480A1 (en) 2013-07-17
KR20140056387A (ko) 2014-05-09
KR20130133055A (ko) 2013-12-05
US9140990B2 (en) 2015-09-22
HK1098198A1 (zh) 2007-07-13
TWI609410B (zh) 2017-12-21
JP2011100150A (ja) 2011-05-19
TWI360837B (en) 2012-03-21
JP4747844B2 (ja) 2011-08-17
JP5696473B2 (ja) 2015-04-08
KR20100024490A (ko) 2010-03-05
KR101293399B1 (ko) 2013-08-05
KR101323492B1 (ko) 2013-10-31
TW200845132A (en) 2008-11-16
US20090316132A1 (en) 2009-12-24
JP2018189978A (ja) 2018-11-29
US9423694B2 (en) 2016-08-23
HK1111472A1 (en) 2008-08-08
HK1111473A1 (en) 2008-08-08
TWI366219B (en) 2012-06-11
US10241417B2 (en) 2019-03-26
WO2005076045A1 (ja) 2005-08-18
US20140028990A1 (en) 2014-01-30
HK1111470A1 (en) 2008-08-08
TW201407664A (zh) 2014-02-16
KR20180069120A (ko) 2018-06-22
JP2012168546A (ja) 2012-09-06
KR101578312B1 (ko) 2015-12-16
JP5821942B2 (ja) 2015-11-24
KR20100024489A (ko) 2010-03-05
JP6319346B2 (ja) 2018-05-09
TW201407663A (zh) 2014-02-16
TW201604936A (zh) 2016-02-01
TWI437618B (zh) 2014-05-11
JP2016136274A (ja) 2016-07-28
JP2015121803A (ja) 2015-07-02
TWI505329B (zh) 2015-10-21
TWI614795B (zh) 2018-02-11
EP1720047A1 (en) 2006-11-08
JP5594311B2 (ja) 2014-09-24
US9429848B2 (en) 2016-08-30
HK1111471A1 (en) 2008-08-08
KR101429864B1 (ko) 2014-08-12
TW200527504A (en) 2005-08-16
TWI389174B (zh) 2013-03-11
EP2615479A1 (en) 2013-07-17
EP2615479B1 (en) 2015-09-02
KR101244282B1 (ko) 2013-03-18
TW201729252A (zh) 2017-08-16
JPWO2005076045A1 (ja) 2008-04-24
JP6020617B2 (ja) 2016-11-02
US20170227854A1 (en) 2017-08-10
JP2017142517A (ja) 2017-08-17
US20180341185A1 (en) 2018-11-29
US20130271945A1 (en) 2013-10-17
TW200845133A (en) 2008-11-16
JP6399133B2 (ja) 2018-10-03
KR20070029668A (ko) 2007-03-14
HK1097603A1 (en) 2007-06-29
HK1186251A1 (en) 2014-03-07
HK1111479A1 (en) 2008-08-08
EP2615480B1 (en) 2017-05-03
US10234770B2 (en) 2019-03-19
US20090073414A1 (en) 2009-03-19
TW201809727A (zh) 2018-03-16
EP3173866A1 (en) 2017-05-31
TWI412067B (zh) 2013-10-11
EP1720047B1 (en) 2016-09-07
US20110273697A1 (en) 2011-11-10
US20090073441A1 (en) 2009-03-19
EP1720047A4 (en) 2010-11-03
TWI511182B (zh) 2015-12-01
HK1186250A1 (en) 2014-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101195687B1 (ko) 조명 광학 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR101220667B1 (ko) 조명 광학 장치, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
JP4748015B2 (ja) 照明光学装置、露光装置、露光方法、およびマイクロデバイスの製造方法
JP4752702B2 (ja) 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150917

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160921

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170920

Year of fee payment: 6