JP2018189978A - 照明光学装置、露光装置、および露光方法 - Google Patents
照明光学装置、露光装置、および露光方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】光量損失を抑えつつ、ほぼ単一方向に偏光方向を有する直線偏光状態の入射光を、ほぼ周方向に偏光方向を有する周方向偏光状態の光に変換するための構造を備えた照明光学装置を提供する。【解決手段】照明光学装置は、照明光を供給するための光源と、該光源と被照射面との間の光路中に配置された、照明光の偏光状態を所定の偏光状態に変換する偏光変換素子10を備える。偏光変換素子は、旋光性を有する光学材料により形成されて周方向に変化する厚さ分布を有する。【選択図】図5
Description
本発明は、偏光変換素子、照明光学装置、露光装置、および露光方法に関し、特に半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスをリソグラフィー工程で製造するための露光装置に関するものである。
この種の典型的な露光装置においては、光源から射出された光束が、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズを介して、多数の光源からなる実質的な面光源としての二次光源を形成する。二次光源(一般には、照明光学装置の照明瞳またはその近傍に形成される照明瞳分布)からの光束は、フライアイレンズの後側焦点面の近傍に配置された開口絞りを介して制限された後、コンデンサーレンズに入射する。
コンデンサーレンズにより集光された光束は、所定のパターンが形成されたマスクを重畳的に照明する。マスクのパターンを透過した光は、投影光学系を介してウェハ上に結像する。こうして、ウェハ上には、マスクパターンが投影露光(転写)される。なお、マスクに形成されたパターンは高集積化されており、この微細パターンをウェハ上に正確に転写するにはウェハ上において均一な照度分布を得ることが不可欠である。
たとえば本出願人の出願にかかる特許文献1には、任意方向の微細パターンを忠実に転写するのに適した照明条件を実現するために、フライアイレンズの後側焦点面に輪帯状の二次光源を形成し、この輪帯状の二次光源を通過する光束がその周方向を偏光方向とする直線偏光状態(以下、略して「周方向偏光状態」という)になるように設定する技術が開示されている。
鶴田匡夫、「応用光学II」、培風館(1990)
しかしながら、上述の公報に開示された従来技術では、フライアイレンズを介して形成された円形状の光束を輪帯状の開口部を有する開口絞りを介して制限することにより輪帯状の二次光源を形成している。その結果、従来技術では、開口絞りにおいて大きな光量損失が発生し、ひいては露光装置のスループットが低下するという不都合があった。
本発明は、光量損失を抑えつつ、ほぼ単一方向に偏光方向を有する直線偏光状態の入射光を、ほぼ周方向に偏光方向を有する周方向偏光状態の光に変換することを目的とする。
また、本発明は、ほぼ単一方向に偏光方向を有する直線偏光状態の入射光をほぼ周方向に偏光方向を有する周方向偏光状態の光に変換することのできる偏光変換素子を用いて、光量損失を良好に抑えつつ周方向偏光状態の輪帯状の照明瞳分布を形成することを目的とする。
また、本発明は、光量損失を良好に抑えつつ周方向偏光状態の輪帯状の照明瞳分布を形成することのできる照明光学装置を用いて、適切な照明条件のもとで微細パターンを忠実に且つ高スループットで転写することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明の第1形態では、本発明の第1形態では、入射光の偏光状態を所定の偏光状態に変換する偏光変換素子において、
旋光性を有する光学材料により形成されて周方向に変化する厚さ分布を有することを特徴とする偏光変換素子を提供する。
旋光性を有する光学材料により形成されて周方向に変化する厚さ分布を有することを特徴とする偏光変換素子を提供する。
本発明の第2形態では、照明光を供給するための光源と、該光源と被照射面との間の光路中に配置された第1形態の偏光変換素子とを備えていることを特徴とする照明光学装置を提供する。
本発明の第3形態では、光源から供給される照明光に基づいて被照射面を照明する照明光学装置において、
前記照明光学装置の照明瞳面または該照明瞳面と共役な面内に形成される光強度分布における所定の有効光源領域での第1方向偏光に関する平均特定偏光率をRSPh(Ave)とし、第2方向偏光に関する平均特定偏光率RSPv(Ave)とするとき、
RSPh(Ave)>70%, RSPv(Ave)>70%
を満足することを特徴とする照明光学装置を提供する。
ただし、
RSPh(Ave)=Ix(Ave)/(Ix+Iy)Ave
RSPv(Ave)=Iy(Ave)/(Ix+Iy)Ave
である。
ここで、Ix(Ave)は所定の有効光源領域を通過し像面上の一点に到達する光線束における第1方向偏光成分の強度の平均、Iy(Ave)は前記所定の有効光源領域を通過し像面上の一点に到達する光線束における第2方向偏光成分の強度の平均、(Ix+Iy)Aveは前記所定の有効光源領域を通過する全光束の強度の平均である。なお、前記照明光学装置の照明瞳面とは、前記被照射面に対して光学的にフーリエ変換の関係となる面と定義することや、前記照明光学装置が投影光学系と組み合わされる場合には、投影光学系の開口絞りと光学的に共役な照明光学装置内の面と定義することができる。また、前記照明光学装置の照明瞳面と共役な面とは、前記照明光学装置内にある面には限定されず、たとえば前記照明光学装置が投影光学系と組み合わされる場合には、投影光学系内の面であっても良く、また照明光学装置(あるいは投影露光装置)の偏光状態を検出するための偏光測定器内の面であっても良い。
前記照明光学装置の照明瞳面または該照明瞳面と共役な面内に形成される光強度分布における所定の有効光源領域での第1方向偏光に関する平均特定偏光率をRSPh(Ave)とし、第2方向偏光に関する平均特定偏光率RSPv(Ave)とするとき、
RSPh(Ave)>70%, RSPv(Ave)>70%
を満足することを特徴とする照明光学装置を提供する。
ただし、
RSPh(Ave)=Ix(Ave)/(Ix+Iy)Ave
RSPv(Ave)=Iy(Ave)/(Ix+Iy)Ave
である。
ここで、Ix(Ave)は所定の有効光源領域を通過し像面上の一点に到達する光線束における第1方向偏光成分の強度の平均、Iy(Ave)は前記所定の有効光源領域を通過し像面上の一点に到達する光線束における第2方向偏光成分の強度の平均、(Ix+Iy)Aveは前記所定の有効光源領域を通過する全光束の強度の平均である。なお、前記照明光学装置の照明瞳面とは、前記被照射面に対して光学的にフーリエ変換の関係となる面と定義することや、前記照明光学装置が投影光学系と組み合わされる場合には、投影光学系の開口絞りと光学的に共役な照明光学装置内の面と定義することができる。また、前記照明光学装置の照明瞳面と共役な面とは、前記照明光学装置内にある面には限定されず、たとえば前記照明光学装置が投影光学系と組み合わされる場合には、投影光学系内の面であっても良く、また照明光学装置(あるいは投影露光装置)の偏光状態を検出するための偏光測定器内の面であっても良い。
本発明の第4形態では、第2形態または第3形態の照明光学装置を備え、該照明光学装置を介してマスクのパターンを感光性基板上に露光することを特徴とする露光装置を提供する。
本発明の第5形態では、第2形態または第3形態の照明光学装置を用いて、マスクのパターンを感光性基板上に露光することを特徴とする露光方法を提供する。
本発明の第6形態では、入射光の偏光状態を所定の偏光状態に変換する偏光変換素子の製造方法において、
旋光性を有する光学材料を準備する工程と、
前記光学材料に周方向に変化する厚さ分布を与える工程とを有することを特徴とする偏光変換素子の製造方法を提供する。
旋光性を有する光学材料を準備する工程と、
前記光学材料に周方向に変化する厚さ分布を与える工程とを有することを特徴とする偏光変換素子の製造方法を提供する。
本発明の偏光変換素子は、たとえば水晶のような旋光性を有する光学材料により形成され、周方向に変化する厚さ分布を有する。ここで、厚さ分布は、例えば、ほぼ単一方向に偏光方向を有する直線偏光状態の光を、ほぼ周方向に偏光方向を有する周方向偏光状態の光に変換するように設定されている。その結果、本発明では、光量損失を抑えつつ、ほぼ単一方向に偏光方向を有する直線偏光状態の入射光を、ほぼ周方向に偏光方向を有する周方向偏光状態の光に変換することのできる偏光変換素子を実現することができる。特に、旋光性を有する光学材料により偏光変換素子を形成しているため、たとえば波長板と比較して製造が極めて容易であるという利点がある。
したがって、本発明の照明光学装置では、ほぼ単一方向に偏光方向を有する直線偏光状態の入射光をほぼ周方向に偏光方向を有する周方向偏光状態の光に変換することのできる偏光変換素子を用いているので、光量損失を良好に抑えつつ周方向偏光状態の輪帯状の照明瞳分布を形成することができる。また、本発明の露光装置および露光方法では、光量損失を良好に抑えつつ周方向偏光状態の輪帯状の照明瞳分布を形成することのできる照明光学装置を用いているので、適切な照明条件のもとで微細パターンを忠実に且つ高スループットで転写することができ、ひいては高いスループットで良好なデバイスを製造することができる。
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図1において、感光性基板であるウェハWの法線方向に沿ってZ軸を、ウェハWの面内において図1の紙面に平行な方向にY軸を、ウェハWの面内において図1の紙面に垂直な方向にX軸をそれぞれ設定している。図1を参照すると、本実施形態の露光装置は、露光光(照明光)を供給するための光源1を備えている。
光源1として、たとえば248nmの波長の光を供給するKrFエキシマレーザ光源や193nmの波長の光を供給するArFエキシマレーザ光源などを用いることができる。光源1からZ方向に沿って射出されたほぼ平行な光束は、X方向に沿って細長く延びた矩形状の断面を有し、一対のレンズ2aおよび2bからなるビームエキスパンダー2に入射する。各レンズ2aおよび2bは、図1の紙面内(YZ平面内)において負の屈折力および正の屈折力をそれぞれ有する。したがって、ビームエキスパンダー2に入射した光束は、図1の紙面内において拡大され、所定の矩形状の断面を有する光束に整形される。
整形光学系としてのビームエキスパンダー2を介したほぼ平行な光束は、折り曲げミラー3でY方向に偏向された後、1/4波長板4a、1/2波長板4b、デポラライザ(非偏光化素子)4c、および輪帯照明用の回折光学素子5を介して、アフォーカルレンズ6に入射する。ここで、1/4波長板4a、1/2波長板4b、およびデポラライザ4cは、後述するように、偏光状態切換部4を構成している。アフォーカルレンズ6は、その前側焦点位置と回折光学素子5の位置とがほぼ一致し且つその後側焦点位置と図中破線で示す所定面7の位置とがほぼ一致するように設定されたアフォーカル系(無焦点光学系)である。
一般に、回折光学素子は、基板に露光光(照明光)の波長程度のピッチを有する段差を形成することによって構成され、入射ビームを所望の角度に回折する作用を有する。具体的には、輪帯照明用の回折光学素子5は、矩形状の断面を有する平行光束が入射した場合に、そのファーフィールド(またはフラウンホーファー回折領域)に輪帯状の光強度分布を形成する機能を有する。
したがって、光束変換素子としての回折光学素子5に入射したほぼ平行光束は、アフォーカルレンズ6の瞳面に輪帯状の光強度分布を形成した後、ほぼ平行光束となってアフォーカルレンズ6から射出される。なお、アフォーカルレンズ6の前側レンズ群6aと後側レンズ群6bとの間の光路中においてその瞳面またはその近傍には、円錐アキシコン系8が配置されているが、その詳細な構成および作用については後述する。以下、説明を簡単にするために、円錐アキシコン系8の作用を無視して、基本的な構成および作用を説明する。
アフォーカルレンズ6を介した光束は、σ値可変用のズームレンズ9および偏光変換素子10を介して、オプティカルインテグレータとしてのマイクロフライアイレンズ(またはフライアイレンズ)11に入射する。偏光変換素子10の構成および作用については後述する。マイクロフライアイレンズ11は、縦横に且つ稠密に配列された多数の正屈折力を有する微小レンズからなる光学素子である。一般に、マイクロフライアイレンズは、たとえば平行平面板にエッチング処理を施して微小レンズ群を形成することによって構成される。
ここで、マイクロフライアイレンズを構成する各微小レンズは、フライアイレンズを構成する各レンズエレメントよりも微小である。また、マイクロフライアイレンズは、互いに隔絶されたレンズエレメントからなるフライアイレンズとは異なり、多数の微小レンズ(微小屈折面)が互いに隔絶されることなく一体的に形成されている。しかしながら、正屈折力を有するレンズ要素が縦横に配置されている点でマイクロフライアイレンズはフライアイレンズと同じ波面分割型のオプティカルインテグレータである。
所定面7の位置はズームレンズ9の前側焦点位置の近傍に配置され、マイクロフライアイレンズ11の入射面はズームレンズ9の後側焦点位置の近傍に配置されている。換言すると、ズームレンズ9は、所定面7とマイクロフライアイレンズ11の入射面とを実質的にフーリエ変換の関係に配置し、ひいてはアフォーカルレンズ6の瞳面とマイクロフライアイレンズ11の入射面とを光学的にほぼ共役に配置している。
したがって、マイクロフライアイレンズ11の入射面上には、アフォーカルレンズ6の瞳面と同様に、たとえば光軸AXを中心とした輪帯状の照野が形成される。この輪帯状の照野の全体形状は、ズームレンズ9の焦点距離に依存して相似的に変化する。マイクロフライアイレンズ11を構成する各微小レンズは、マスクM上において形成すべき照野の形状(ひいてはウェハW上において形成すべき露光領域の形状)と相似な矩形状の断面を有する。
マイクロフライアイレンズ11に入射した光束は多数の微小レンズにより二次元的に分割され、その後側焦点面またはその近傍(ひいては照明瞳)には、入射光束によって形成される照野とほぼ同じ光強度分布を有する二次光源、すなわち光軸AXを中心とした輪帯状の実質的な面光源からなる二次光源が形成される。マイクロフライアイレンズ11の後側焦点面またはその近傍に形成された二次光源からの光束は、ビームスプリッター12aおよびコンデンサー光学系13を介した後、マスクブラインド14を重畳的に照明する。
こうして、照明視野絞りとしてのマスクブラインド14には、マイクロフライアイレンズ11を構成する各微小レンズの形状と焦点距離とに応じた矩形状の照野が形成される。なお、ビームスプリッター12aを内蔵する偏光モニター12の内部構成および作用については後述する。マスクブラインド14の矩形状の開口部(光透過部)を介した光束は、結像光学系15の集光作用を受けた後、所定のパターンが形成されたマスクMを重畳的に照明する。
すなわち、結像光学系15は、マスクブラインド14の矩形状開口部の像をマスクM上に形成することになる。マスクMのパターンを透過した光束は、投影光学系PLを介して、感光性基板であるウェハW上にマスクパターンの像を形成する。こうして、投影光学系PLの光軸AXと直交する平面(XY平面)内においてウェハWを二次元的に駆動制御しながら一括露光またはスキャン露光を行うことにより、ウェハWの各露光領域にはマスクMのパターンが逐次露光される。
なお、偏光状態切換部4において、1/4波長板4aは、光軸AXを中心として結晶光学軸が回転自在に構成されて、入射する楕円偏光の光を直線偏光の光に変換する。また、1/2波長板4bは、光軸AXを中心として結晶光学軸が回転自在に構成されて、入射する直線偏光の偏光面を変化させる。また、デポラライザ4cは、相補的な形状を有する楔形状の水晶プリズムと楔形状の石英プリズムとにより構成されている。水晶プリズムと石英プリズムとは、一体的なプリズム組立体として、照明光路に対して挿脱自在に構成されている。
光源1としてKrFエキシマレーザ光源やArFエキシマレーザ光源を用いる場合、これらの光源から射出される光は典型的には95%以上の偏光度を有し、1/4波長板4aにはほぼ直線偏光の光が入射する。しかしながら、光源1と偏光状態切換部4との間の光路中に裏面反射鏡としての直角プリズムが介在する場合、入射する直線偏光の偏光面がP偏光面またはS偏光面に一致していないと、直角プリズムでの全反射により直線偏光が楕円偏光に変わる。
偏光状態切換部4では、たとえば直角プリズムでの全反射に起因して楕円偏光の光が入射しても、1/4波長板4aの作用により変換された直線偏光の光が1/2波長板4bに入射する。1/2波長板4bの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して0度または90度の角度をなすように設定された場合、1/2波長板4bに入射した直線偏光の光は偏光面が変化することなくそのまま通過する。
また、1/2波長板4bの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して45度の角度をなすように設定された場合、1/2波長板4bに入射した直線偏光の光は偏光面が90度だけ変化した直線偏光の光に変換される。さらに、デポラライザ4cの水晶プリズムの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して45度の角度をなすように設定された場合、水晶プリズムに入射した直線偏光の光は非偏光状態の光に変換(非偏光化)される。
偏光状態切換部4では、デポラライザ4cが照明光路中に位置決めされたときに水晶プリズムの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して45度の角度をなすように構成されている。ちなみに、水晶プリズムの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して0度または90度の角度をなすように設定された場合、水晶プリズムに入射した直線偏光の光は偏光面が変化することなくそのまま通過する。また、1/2波長板4bの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して22.5度の角度をなすように設定された場合、1/2波長板4bに入射した直線偏光の光は、偏光面が変化することなくそのまま通過する直線偏光成分と偏光面が90度だけ変化した直線偏光成分とを含む非偏光状態の光に変換される。
偏光状態切換部4では、上述したように、直線偏光の光が1/2波長板4bに入射するが、以下の説明を簡単にするために、図1においてZ方向に偏光方向(電場の方向)を有する直線偏光(以下、「Z方向偏光」と称する)の光が1/2波長板4bに入射するものとする。デポラライザ4cを照明光路中に位置決めした場合、1/2波長板4bの結晶光学軸を入射するZ方向偏光の偏光面(偏光方向)に対して0度または90度の角度をなすように設定すると、1/2波長板4bに入射したZ方向偏光の光は偏光面が変化することなくZ方向偏光のまま通過してデポラライザ4cの水晶プリズムに入射する。水晶プリズムの結晶光学軸は入射するZ方向偏光の偏光面に対して45度の角度をなすように設定されているので、水晶プリズムに入射したZ方向偏光の光は非偏光状態の光に変換される。
水晶プリズムを介して非偏光化された光は、光の進行方向を補償するためのコンペンセータとしての石英プリズムを介して、非偏光状態で回折光学素子5に入射する。一方、1/2波長板4bの結晶光学軸を入射するZ方向偏光の偏光面に対して45度の角度をなすように設定すると、1/2波長板4bに入射したZ方向偏光の光は偏光面が90度だけ変化し、図1においてX方向に偏光方向(電場の方向)を有する直線偏光(以下、「X方向偏光」と称する)の光になってデポラライザ4cの水晶プリズムに入射する。水晶プリズムの結晶光学軸は入射するX方向偏光の偏光面に対しても45度の角度をなすように設定されているので、水晶プリズムに入射したX方向偏光の光は非偏光状態の光に変換され、石英プリズムを介して、非偏光状態で回折光学素子5に入射する。
これに対し、デポラライザ4cを照明光路から退避させた場合、1/2波長板4bの結晶光学軸を入射するZ方向偏光の偏光面に対して0度または90度の角度をなすように設定すると、1/2波長板4bに入射したZ方向偏光の光は偏光面が変化することなくZ方向偏光のまま通過し、Z方向偏光状態で回折光学素子5に入射する。一方、1/2波長板4bの結晶光学軸を入射するZ方向偏光の偏光面に対して45度の角度をなすように設定すると、1/2波長板4bに入射したZ方向偏光の光は偏光面が90度だけ変化してX方向偏光の光になり、X方向偏光状態で回折光学素子5に入射する。
以上のように、偏光状態切換部4では、デポラライザ4cを照明光路中に挿入して位置決めすることにより、非偏光状態の光を回折光学素子5に入射させることができる。また、デポラライザ4cを照明光路から退避させ且つ1/2波長板4bの結晶光学軸を入射するZ方向偏光の偏光面に対して0度または90度の角度をなすように設定することにより、Z方向偏光状態の光を回折光学素子5に入射させることができる。さらに、デポラライザ4cを照明光路から退避させ且つ1/2波長板4bの結晶光学軸を入射するZ方向偏光の偏光面に対して45度をなすように設定することにより、X方向偏光状態の光を回折光学素子5に入射させることができる。
換言すれば、偏光状態切換部4では、1/4波長板4aと1/2波長板4bとデポラライザ4cとからなる偏光状態切換部の作用により、回折光学素子5への入射光の偏光状態(ひいてはマスクMおよびウェハWを照明する光の偏光状態)を直線偏光状態と非偏光状態との間で切り換えることができ、直線偏光状態の場合には互いに直交する偏光状態間(Z方向偏光とX方向偏光との間)で切り換えることができる。
さらに、偏光状態切換部4では、1/2波長板4bおよびデポラライザ4cをともに照明光路から退避させ、且つ1/4波長板4aの結晶光学軸を入射する楕円偏光に対して所定の角度をなすように設定することにより、円偏光状態の光を回折光学素子5に入射させることができる。また、一般的には、1/2波長板4bの作用により、回折光学素子5への入射光の偏光状態を、任意方向に偏光方向を有する直線偏光状態に設定することもできる。
次に、円錐アキシコン系8は、光源側から順に、光源側に平面を向け且つマスク側に凹円錐状の屈折面を向けた第1プリズム部材8aと、マスク側に平面を向け且つ光源側に凸円錐状の屈折面を向けた第2プリズム部材8bとから構成されている。そして、第1プリズム部材8aの凹円錐状の屈折面と第2プリズム部材8bの凸円錐状の屈折面とは、互いに当接可能なように相補的に形成されている。また、第1プリズム部材8aおよび第2プリズム部材8bのうち少なくとも一方の部材が光軸AXに沿って移動可能に構成され、第1プリズム部材8aの凹円錐状の屈折面と第2プリズム部材8bの凸円錐状の屈折面との間隔が可変に構成されている。
ここで、第1プリズム部材8aの凹円錐状屈折面と第2プリズム部材8bの凸円錐状屈折面とが互いに当接している状態では、円錐アキシコン系8は平行平面板として機能し、形成される輪帯状の二次光源に及ぼす影響はない。しかしながら、第1プリズム部材8aの凹円錐状屈折面と第2プリズム部材8bの凸円錐状屈折面とを離間させると、円錐アキシコン系8は、いわゆるビームエキスパンダーとして機能する。したがって、円錐アキシコン系8の間隔の変化に伴って、所定面7への入射光束の角度は変化する。
図2は、輪帯状の二次光源に対する円錐アキシコン系の作用を説明する図である。図2を参照すると、円錐アキシコン系8の間隔が零で且つズームレンズ9の焦点距離が最小値に設定された状態(以下、「標準状態」という)で形成された最も小さい輪帯状の二次光源30aが、円錐アキシコン系8の間隔を零から所定の値まで拡大させることにより、その幅(外径と内径との差の1/2:図中矢印で示す)が変化することなく、その外径および内径がともに拡大された輪帯状の二次光源30bに変化する。換言すると、円錐アキシコン系8の作用により、輪帯状の二次光源の幅が変化することなく、その輪帯比(内径/外径)および大きさ(外径)がともに変化する。
図3は、輪帯状の二次光源に対するズームレンズの作用を説明する図である。図3を参照すると、標準状態で形成された輪帯状の二次光源30aが、ズームレンズ9の焦点距離を最小値から所定の値へ拡大させることにより、その全体形状が相似的に拡大された輪帯状の二次光源30cに変化する。換言すると、ズームレンズ9の作用により、輪帯状の二次光源の輪帯比が変化することなく、その幅および大きさ(外径)がともに変化する。
図4は、図1の偏光モニターの内部構成を概略的に示す斜視図である。図4を参照すると、偏光モニター12は、マイクロフライアイレンズ11とコンデンサー光学系13との間の光路中に配置された第1ビームスプリッター12aを備えている。第1ビームスプリッター12aは、たとえば石英ガラスにより形成されたノンコートの平行平面板(すなわち素ガラス)の形態を有し、入射光の偏光状態とは異なる偏光状態の反射光を光路から取り出す機能を有する。
第1ビームスプリッター12aにより光路から取り出された光は、第2ビームスプリッター12bに入射する。第2ビームスプリッター12bは、第1ビームスプリッター12aと同様に、例えば石英ガラスにより形成されたノンコートの平行平面板の形態を有し、入射光の偏光状態とは異なる偏光状態の反射光を発生させる機能を有する。そして、第1ビームスプリッター12aに対するP偏光が第2ビームスプリッター12bに対するS偏光になり、且つ第1ビームスプリッター12aに対するS偏光が第2ビームスプリッター12bに対するP偏光になるように設定されている。
また、第2ビームスプリッター12bを透過した光は第1光強度検出器12cにより検出され、第2ビームスプリッター12bで反射された光は第2光強度検出器12dにより検出される。第1光強度検出器12cおよび第2光強度検出器12dの出力は、それぞれ制御部(不図示)に供給される。制御部は、偏光状態切換部4を構成する1/4波長板4a、1/2波長板4bおよびデポラライザ4cを必要に応じて駆動する。
上述のように、第1ビームスプリッター12aおよび第2ビームスプリッター12bにおいて、P偏光に対する反射率とS偏光に対する反射率とが実質的に異なっている。したがって、偏光モニター12では、第1ビームスプリッター12aからの反射光が、例えば第1ビームスプリッター12aへの入射光の10%程度のS偏光成分(第1ビームスプリッター12aに対するS偏光成分であって第2ビームスプリッター12bに対するP偏光成分)と、例えば第1ビームスプリッター12aへの入射光の1%程度のP偏光成分(第1ビームスプリッター12aに対するP偏光成分であって第2ビームスプリッター12bに対するS偏光成分)とを含むことになる。
また、第2ビームスプリッター12bからの反射光は、例えば第1ビームスプリッター12aへの入射光の10%×1%=0.1%程度のP偏光成分(第1ビームスプリッター12aに対するP偏光成分であって第2ビームスプリッター12bに対するS偏光成分)と、例えば第1ビームスプリッター12aへの入射光の1%×10%=0.1%程度のS偏光成分(第1ビームスプリッター12aに対するS偏光成分であって第2ビームスプリッター12bに対するP偏光成分)とを含むことになる。
こうして、偏光モニター12では、第1ビームスプリッター12aが、その反射特性に応じて、入射光の偏光状態とは異なる偏光状態の反射光を光路から取り出す機能を有する。その結果、第2ビームスプリッター12bの偏光特性による偏光変動の影響を僅かに受けるものの、第1光強度検出器12cの出力(第2ビームスプリッター12bの透過光の強度に関する情報、すなわち第1ビームスプリッター12aからの反射光とほぼ同じ偏光状態の光の強度に関する情報)に基づいて、第1ビームスプリッター12aへの入射光の偏光状態(偏光度)を、ひいてはマスクMへの照明光の偏光状態を検知することができる。
また、偏光モニター12では、第1ビームスプリッター12aに対するP偏光が第2ビームスプリッター12bに対するS偏光になり且つ第1ビームスプリッター12aに対するS偏光が第2ビームスプリッター12bに対するP偏光になるように設定されている。その結果、第2光強度検出器12dの出力(第1ビームスプリッター12aおよび第2ビームスプリッター12bで順次反射された光の強度に関する情報)に基づいて、第1ビームスプリッター12aへの入射光の偏光状態の変化の影響を実質的に受けることなく、第1ビームスプリッター12aへの入射光の光量(強度)を、ひいてはマスクMへの照明光の光量を検知することができる。
こうして、偏光モニター12を用いて、第1ビームスプリッター12aへの入射光の偏光状態を検知し、ひいてはマスクMへの照明光が所望の非偏光状態、直線偏光状態または円偏光状態になっているか否かを判定することができる。そして、制御部が偏光モニター12の検知結果に基づいてマスクM(ひいてはウェハW)への照明光が所望の非偏光状態、直線偏光状態または円偏光状態になっていないことを確認した場合、偏光状態切換部4を構成する1/4波長板4a、1/2波長板4bおよびデポラライザ4cを駆動調整し、マスクMへの照明光の状態を所望の非偏光状態、直線偏光状態または円偏光状態に調整することができる。
なお、輪帯照明用の回折光学素子5に代えて、4極照明用の回折光学素子(不図示)を照明光路中に設定することによって、4極照明を行うことができる。4極照明用の回折光学素子は、矩形状の断面を有する平行光束が入射した場合に、そのファーフィールドに4極状の光強度分布を形成する機能を有する。したがって、4極照明用の回折光学素子を介した光束は、マイクロフライアイレンズ11の入射面に、たとえば光軸AXを中心とした4つの円形状の照野からなる4極状の照野を形成する。その結果、マイクロフライアイレンズ11の後側焦点面またはその近傍にも、その入射面に形成された照野と同じ4極状の二次光源が形成される。
また、輪帯照明用の回折光学素子5に代えて、円形照明用の回折光学素子(不図示)を照明光路中に設定することによって、通常の円形照明を行うことができる。円形照明用の回折光学素子は、矩形状の断面を有する平行光束が入射した場合に、ファーフィールドに円形状の光強度分布を形成する機能を有する。したがって、円形照明用の回折光学素子を介した光束は、マイクロフライアイレンズ11の入射面に、たとえば光軸AXを中心とした円形状の照野からなる4極状の照野を形成する。その結果、マイクロフライアイレンズ11の後側焦点面またはその近傍にも、その入射面に形成された照野と同じ円形状の二次光源が形成される。
さらに、輪帯照明用の回折光学素子5に代えて、他の複数極照明用の回折光学素子(不図示)を照明光路中に設定することによって、様々な複数極照明(2極照明、8極照明など)を行うことができる。同様に、輪帯照明用の回折光学素子5に代えて、適当な特性を有する回折光学素子(不図示)を照明光路中に設定することによって、様々な形態の変形照明を行うことができる。
図5は、図1の偏光変換素子の構成を概略的に示す図である。また、図6は、水晶の旋光性について説明する図である。また、図7は、偏光変換素子の作用により周方向偏光状態に設定された輪帯状の二次光源を概略的に示す図である。本実施形態にかかる偏光変換素子10は、マイクロフライアイレンズ11の直前に、すなわち照明光学装置(1〜PL)の瞳またはその近傍に配置されている。したがって、輪帯照明の場合、偏光変換素子10には光軸AXを中心としたほぼ輪帯状の断面を有する光束が入射することになる。
図5を参照すると、偏光変換素子10は、全体として光軸AXを中心とした輪帯状の有効領域を有し、この輪帯状の有効領域は光軸AXを中心とした円周方向に等分割された8つの扇形形状の基本素子により構成されている。これらの8つの基本素子において、光軸AXを挟んで対向する一対の基本素子は互いに同じ特性を有する。すなわち、8つの基本素子は、光の透過方向(Y方向)に沿った厚さ(光軸方向の長さ)が互いに異なる4種類の基本素子10A〜10Dを2個づつ含んでいる。
具体的には、第1基本素子10Aの厚さが最も大きく、第4基本素子10Dの厚さが最も小さく、第2基本素子10Bの厚さは第3基本素子10Cの厚さよりも大きく設定されている。その結果、偏光変換素子10の一方の面(たとえば入射面)は平面状であるが、他方の面(たとえば射出面)は各基本素子10A〜10Dの厚さの違いにより凹凸状になっている。なお、偏光変換素子10の双方の面(入射面および射出面)をともに凹凸状に形成することもできる。
また、本実施形態では、各基本素子10A〜10Dが旋光性を有する光学材料である結晶材料としての水晶により構成され、各基本素子10A〜10Dの結晶光学軸が光軸AXとほぼ一致、すなわち入射光の進行方向とほぼ一致するように設定されている。以下、図6を参照して、水晶の旋光性について簡単に説明する。図6を参照すると、厚さdの水晶からなる平行平面板状の光学部材100が、その結晶光学軸と光軸AXとが一致するように配置されている。この場合、光学部材100の旋光性により、入射した直線偏光の偏光方向が光軸AX廻りにθだけ回転した状態で射出される。
このとき、光学部材100の旋光性による偏光方向の回転角(旋光角度)θは、光学部材100の厚さdと水晶の旋光能ρとにより、次の式(a)で表わされる。
θ=d・ρ (a)
θ=d・ρ (a)
一般に、水晶の旋光能ρは、波長依存性(使用光の波長に依存して旋光能の値が異なる性質:旋光分散)があり、具体的には使用光の波長が短くなると大きくなる傾向がある。非特許文献1の第167頁の記述によれば、250.3nmの波長を有する光に対する水晶の旋光能ρは、153.9度/mmである。
本実施形態において、第1基本素子10Aは、Z方向に偏光方向を有する直線偏光の光が入射した場合、Z方向をY軸廻りに+180度回転させた方向すなわちZ方向に偏光方向を有する直線偏光の光を射出するように厚さdAが設定されている。したがって、この場合、図7に示す輪帯状の二次光源31のうち、一対の第1基本素子10Aの旋光作用を受けた光束が形成する一対の円弧状領域31Aを通過する光束の偏光方向はZ方向になる。
第2基本素子10Bは、Z方向に偏光方向を有する直線偏光の光が入射した場合、Z方向をY軸廻りに+135度回転させた方向すなわちZ方向をY軸廻りに−45度回転させた方向に偏光方向を有する直線偏光の光を射出するように厚さdBが設定されている。したがって、この場合、図7に示す輪帯状の二次光源31のうち、一対の第2基本素子10Bの旋光作用を受けた光束が形成する一対の円弧状領域31Bを通過する光束の偏光方向はZ方向をY軸廻りに−45度回転させた方向になる。
第3基本素子10Cは、Z方向に偏光方向を有する直線偏光の光が入射した場合、Z方向をY軸廻りに+90度回転させた方向すなわちX方向に偏光方向を有する直線偏光の光を射出するように厚さdCが設定されている。したがって、この場合、図7に示す輪帯状の二次光源31のうち、一対の第3基本素子10Cの旋光作用を受けた光束が形成する一対の円弧状領域31Cを通過する光束の偏光方向はX方向になる。
第4基本素子10Dは、Z方向に偏光方向を有する直線偏光の光が入射した場合、Z方向をY軸廻りに+45度回転させた方向に偏光方向を有する直線偏光の光を射出するように厚さdDが設定されている。したがって、この場合、図7に示す輪帯状の二次光源31のうち、一対の第4基本素子10Dの旋光作用を受けた光束が形成する一対の円弧状領域31Dを通過する光束の偏光方向はZ方向をY軸廻りに+45度回転させた方向になる。
なお、別々に形成された8つの基本素子を組み合わせて偏光変換素子10を得ることもできるし、あるいは平行平面板状の水晶基板に所要の凹凸形状(段差)を形成することにより偏光変換素子10を得ることもできる。また、偏光変換素子10を光路から退避させることなく通常の円形照明を行うことができるように、偏光変換素子10の有効領域の径方向の大きさの3/10以上、好ましくは1/3以上の大きさを有し且つ旋光性を有しない円形状の中央領域10Eが設けられている。ここで、中央領域10Eは、たとえば石英のように旋光性を有しない光学材料により形成されていてもよいし、単純に円形状の開口であってもよい。ただし、中央領域10Eは偏光変換素子10に必須の要素ではない。なお、中央領域10Eの大きさは周方向偏光状態である領域とそうでない領域との境界を決定する。
本実施形態では、周方向偏光輪帯照明(輪帯状の二次光源を通過する光束が周方向偏光状態に設定された変形照明)に際して、Z方向に偏光方向を有する直線偏光の光を偏光変換素子10に入射させる。その結果、マイクロフライアイレンズ11の後側焦点面またはその近傍には、図7に示すように、輪帯状の二次光源(輪帯状の照明瞳分布)31が形成され、この輪帯状の二次光源31を通過する光束が周方向偏光状態に設定される。周方向偏光状態では、輪帯状の二次光源31を構成する円弧状領域31A〜31Dをそれぞれ通過する光束は、各円弧状領域31A〜31Dの円周方向に沿った中心位置における光軸AXを中心とする円の接線方向とほぼ一致する偏光方向を有する直線偏光状態になる。
こうして、本実施形態では、開口絞りにおいて大きな光量損失が発生する従来技術とは異なり、偏光変換素子10の旋光作用により、光量損失を実質的に発生させることなく、周方向偏光状態の輪帯状の二次光源31を形成することができる。換言すれば、本実施形態の照明光学装置では、光量損失を良好に抑えつつ、周方向偏光状態の輪帯状の照明瞳分布を形成することができる。さらに、本実施形態では、光学素子の偏光作用を用いているため、偏光変換素子自体の製造が極めて容易であり、典型的には各基本素子の厚み公差を極めて緩く設定することができるという優れた効果を奏する。
なお、周方向偏光状態の輪帯状の照明瞳分布に基づく周方向偏光輪帯照明では、最終的な被照射面としてのウェハWに照射される光がS偏光を主成分とする偏光状態になる。ここで、S偏光とは、入射面に対して垂直な方向に偏光方向を有する直線偏光(入射面に垂直な方向に電気ベクトルが振動している偏光)のことである。ただし、入射面とは、光が媒質の境界面(被照射面:ウェハWの表面)に達したときに、その点での境界面の法線と光の入射方向とを含む面として定義される。
その結果、周方向偏光輪帯照明では、投影光学系の光学性能(焦点深度など)の向上を図ることができ、ウェハ(感光性基板)上において高いコントラストのマスクパターン像を得ることができる。すなわち、本実施形態の露光装置では、光量損失を良好に抑えつつ周方向偏光状態の輪帯状の照明瞳分布を形成することのできる照明光学装置を用いているので、適切な照明条件のもとで微細パターンを忠実に且つ高スループットで転写することができる。
ところで、本実施形態では、X方向に偏光方向を有する直線偏光の光を偏光変換素子10に入射させることにより、図8に示すように輪帯状の二次光源32を通過する光束を径方向偏光状態に設定し、径方向偏光輪帯照明(輪帯状の二次光源を通過する光束が径方向偏光状態に設定された変形照明)を行うことができる。径方向偏光状態では、輪帯状の二次光源32を構成する円弧状領域32A〜32Dをそれぞれ通過する光束は、各円弧状領域32A〜32Dの円周方向に沿った中心位置における光軸AXを中心とする円の半径方法とほぼ一致する偏光方向を有する直線偏光状態になる。
径方向偏光状態の輪帯状の照明瞳分布に基づく径方向偏光輪帯照明では、最終的な被照射面としてのウェハWに照射される光がP偏光を主成分とする偏光状態になる。ここで、P偏光とは、上述のように定義される入射面に対して平行な方向に偏光方向を有する直線偏光(入射面に平行な方向に電気ベクトルが振動している偏光)のことである。その結果、径方向偏光輪帯照明では、ウェハWに塗布されたレジストにおける光の反射率を小さく抑えて、ウェハ(感光性基板)上において良好なマスクパターン像を得ることができる。
なお、上述の実施形態では、偏光変換素子10に入射する光束を、Z方向に偏光方向を有する直線偏光状態とX方向に偏光方向を有する直線偏光状態との間で切り換えることにより、周方向偏光輪帯照明と径方向偏光輪帯照明とを実現している。しかしながら、これに限定されることなく、たとえばZ方向またはX方向に偏光方向を有する直線偏光状態の入射光束に対して、偏光変換素子10を図5に示す第1状態と光軸AX廻りに90度だけ回転させた第2状態との間で切り換えることにより、周方向偏光輪帯照明と径方向偏光輪帯照明とを実現することもできる。
また、上述の実施形態では、マイクロフライアイレンズ11の直前に偏光変換素子10を配置している。しかしながら、これに限定されることなく、一般に照明光学装置(1〜PL)の瞳またはその近傍に、たとえば投影光学系PLの瞳またはその近傍や、結像光学系15の瞳またはその近傍や、円錐アキシコン系8の直前(アフォーカルレンズ6の瞳またはその近傍)などに偏光変換素子10を配置することもできる。
ただし、投影光学系PL中や結像光学系15中に偏光変換素子10を配置すると、偏光変換素子10の所要有効径が大きくなり易いため、高品質で大きい水晶基板を得ることが困難である現状を考えるとあまり好ましくない。また、円錐アキシコン系8の直前に偏光変換素子10を配置すると、偏光変換素子10の所要有効径を小さく抑えることができるが、最終的な被照射面であるウェハWまでの距離が長く、その間の光路中にレンズの反射防止コートやミラーの反射膜のように偏光状態を変化させる要素が介在し易いのであまり好ましくない。ちなみに、レンズの反射防止コートやミラーの反射膜では、偏光状態(P偏光とS偏光)や入射角度によって反射率に差が生じ易く、ひいては光の偏光状態が変化し易い。
また、上述の実施形態では、偏光変換素子10の少なくとも一方の面(たとえば射出面)が凹凸状に形成され、ひいては偏光変換素子10が周方向に離散的(不連続的)に変化する厚さ分布を有する。しかしながら、これに限定されることなく、偏光変換素子10が周方向にほぼ不連続的に変化する厚さ分布を有するように、偏光変換素子10の少なくとも一方の面(たとえば射出面)を曲面状に形成することもできる。
また、上述の実施形態では、輪帯状の有効領域の8分割に対応する8つの扇形形状の基本素子により偏光変換素子10を構成している。しかしながら、これに限定されることなく、たとえば円形状の有効領域の8分割に対応する8つの扇形形状の基本素子により、あるいは円形状または輪帯状の有効領域の4分割に対応する4つの扇形形状の基本素子により、あるいは円形状または輪帯状の有効領域の16分割に対応する16つの扇形形状の基本素子により偏光変換素子10を構成することもできる。すなわち、偏光変換素子10の有効領域の形状、有効領域の分割数(基本素子の数)などについて様々な変形例が可能である。
また、上述の実施形態では、水晶を用いて各基本素子10A〜10Dを(ひいては偏光変換素子10を)形成している。しかしながら、これに限定されることなく、旋光性を有する他の適当な光学材料を用いて各基本素子を形成することもできる。この場合、使用波長の光に対して100度/mm以上の旋光能を有する光学材料を用いることが好ましい。すなわち、旋光能の小さい光学材料を用いると、偏光方向の所要回転角を得るために必要な厚さが大きくなり過ぎて、光量損失の原因になるので好ましくない。
また、上述の実施形態において、偏光変換素子10を照明光路に対して固定的に設けたが、この偏光変換素子10を照明光路に対して挿脱可能に設けても良い。また、上述の実施形態では、ウェハWに対するS偏光と輪帯照明とを組み合わせた例を示したが、ウェハWに対するS偏光と2極や4極などの多極照明および円形照明と組み合わせても良い。なお、上述の実施形態において、マスクMへの照明条件やウェハWへの結像条件(開口数や収差等)は、例えばマスクMのパターンの種類等に従って自動的に設定することができる。
図9は、複数の偏光変換素子を交換可能に設けた変形例を示す。なお、図9の変形例は図1に示した実施形態と類似の構成を有するが、複数の偏光変換素子を交換可能にするターレット10Tを有する点で異なる。
図10は、図9における交換機構としてのターレット10Tに載置された複数種類の偏光変換素子10a〜10eを示す図である。図9および図10に示したように、この変形例では、光軸AXと平行な方向を軸として回転可能なターレット10T上に複数種類の偏光変換素子10a〜10eを設け、ターレット10Tの回転動作によりこれら複数種類の偏光変換素子10a〜10eを交換可能としている。なお、図9では複数種類の偏光変換素子10a〜10eのうち、偏光変換素子10a,10bのみを図示している。なお、偏光変換素子の交換機構としてはターレット10Tには限定されず、たとえばスライダでも良い。
図11は、複数種類の偏光変換素子10a〜10eのそれぞれの構成を示す図である。図11(a)において、第1の偏光変換素子10aは、図5に示した実施形態の偏光変換素子10と同じ構成を有する。図11(b)において、第2の偏光変換素子10bは、図11(a)に示した偏光変換素子10aと類似した構成を有するが、中央領域10Eに偏光解消部材104cが設けられている点で異なる。この偏光解消部材104cは、図1に示したデポラライザ4cと同様の構成を有し、入射する直線偏光の光を非偏光状態の光に変換する機能を有する。
図11(c)において、第3の偏光変換素子10cは、図11(a)に示した偏光変換素子10aと類似した構成を有するが、中央領域10Eの大きさが大きくなっている点(第1〜第4基本素子10A〜10Dの幅が狭くなっている点)で異なる。また、図11(d)において、第4の偏光変換素子10dは、図11(c)に示した偏光変換素子10cと類似した構成を有するが、中央領域10Eに偏光解消部材104cが設けられている点で異なる。
図11(e)において、第5の偏光変換素子10eは、8つの基本素子ではなく、6つの基本素子10C,10F,10Gを組み合わせて構成されている。第5の偏光変換素子10eは全体として光軸AXを中心とした輪帯状の有効領域を有し、この輪帯状の有効領域は光軸AXを中心とした円周方向に等分割された6つの扇形形状の基本素子10C,10F,10Gにより構成されている。これら6つの基本素子10C,10F,10Gにおいて、光軸AXを挟んで対向する一対の基本素子は互いに同じ特性を有する。すなわち、6つの基本素子10C,10F,10Gは、光の透過方向(Y方向)に沿った厚さ(光軸方向の長さ)が互いに異なる3種類の基本素子10C,10F,10Gを2個ずつ含んでいる。
ここで、基本素子10Cは、図7に示した第3基本素子10Cと同じ機能を有する部材であるため、その機能の説明を省略する。基本素子10Fは、Z方向に偏光方向を有する直線偏光が入射した場合、Z方向をY軸廻りに+150度回転させた方向すなわちZ方向をY軸廻りに−30度回転させた方向に偏光方向を有する直線偏光の光を射出するように厚さdFが設定されている。基本素子10Gは、Z方向に偏光方向を有する直線偏光が入射した場合、Z方向をY軸廻りに+30度回転させた方向に偏光方向を有する直線偏光の光を射出するように厚さdGが設定されている。なお、中央領域10Eに代えて、偏光解消部材104cを設けても良い。
また、図10に戻って、ターレット10Tには偏光変換素子が載置されない開口部40が設けられており、周方向偏光照明ではない偏光照明を行う場合や、大きなσ値(σ値=照明光学装置のマスク側開口数/投影光学系のマスク側開口数)のもとでの非偏光照明を行う場合には、この開口部40が照明光路中に位置する。
なお、上述では、ターレット10Tに載置される偏光変換素子10a〜10eの中央部に、円形状の開口または旋光性を有しない材料からなる中央領域10Eあるいは偏光解消部材104cを設けた例のみ示したが、中央領域10Eまたは偏光解消部材104cを設けない偏光変換素子(扇形状の基本素子からなる偏光変換素子)を載置しても良い。
図12は、偏光変換素子の作用により周方向偏光状態に設定された二次光源の一例を概略的に示す図である。なお、図12では、理解を容易にするために偏光変換素子も重ねて図示してある。
図12(a)は、回折光学素子5に代えて、ファーフィールド(またはフラウンホーファー回折領域)に8極状の光強度分布を形成する回折光学素子(光束変換素子)が照明光路に設置されるとともに、偏光変換素子10aまたは10bが照明光路に設置された場合における8極状の二次光源33を示している。ここで、8極状の二次光源33を通過する光束が周方向偏光状態に設定される。周方向偏光状態では、8極状の二次光源33を構成する8つの円形領域33A〜33Dをそれぞれ通る光束が、これら8つの円形領域33A〜33Dを結ぶ円の円周方向、すなわちこれら8つの円形領域33A〜33Dを結ぶ円の接線方向とほぼ一致する偏光方向を有する直線偏光状態になる。なお、図12(a)では、8極状の二次光源33を8つの円形領域33A〜33Dで構成した例を示したが、8つの領域の形状は円形には限定されない。
図12(b)は、回折光学素子5に代えて、ファーフィールド(またはフラウンホーファー回折領域)に4極状の光強度分布を形成する回折光学素子(光束変換素子)が照明光路に設置されるとともに、偏光変換素子10cまたは10dが照明光路に設置された場合における4極状の二次光源34を示している。ここで、4極状の二次光源34を通過する光束が周方向偏光状態に設定される。周方向偏光状態では、4極状の二次光源34を構成する4つの領域34A、34Cをそれぞれ通る光束が、これら4つの領域34A,34Cを結ぶ円の円周方向、すなわちこれら4つの領域34A,34Cを結ぶ円の接線方向とほぼ一致する偏光方向を有する直線偏光状態になる。なお、図12(b)では、4極状の二次光源34を4つのほぼ楕円形状の領域34A,34Cで構成した例を示したが、4つの領域の形状はほぼ楕円形状には限定されない。
図12(c)は、回折光学素子5に代えて、ファーフィールド(またはフラウンホーファー回折領域)に6極状の光強度分布を形成する回折光学素子(光束変換素子)が照明光路に設置されるとともに、偏光変換素子10eが照明光路に設置された場合における6極状の二次光源35を示している。ここで、6極状の二次光源35を通過する光束が周方向偏光状態に設定される。周方向偏光状態では、6極状の二次光源35を構成する6つの領域35C,35F,35Gをそれぞれ通る光束が、これら6つの領域35C,35F,35Gを結ぶ円の円周方向、すなわちこれら6つの領域35C,35F,35Gを結ぶ円の接線方向とほぼ一致する偏光方向を有する直線偏光状態になる。なお、図12(c)では、6極状の二次光源35を4つのほぼ台形形状の領域35C,35F,35Gで構成した例を示したが、6つの領域の形状はほぼ台形形状には限定されない。
また、上述の実施形態並びに変形例では、偏光変換素子が光軸廻りに固定されていたが、偏光変換素子を光軸廻りに回転させても良い。図13は、光軸AX廻りに回転可能に設けられた偏光変換素子10fの構成を概略的に示す図である。
図13において、偏光変換素子10fは、4つの基本素子10A,10Cを組み合わせて構成されている。偏光変換素子10fは全体として光軸AXを中心とした輪帯状の有効領域を有し、この輪帯状の有効領域は光軸AXを中心とした円周方向に等分割された4つの扇形形状の基本素子10A,10Cにより構成されている。これら4つの基本素子10A,10Cにおいて、光軸AXを挟んで対向する一対の基本素子は互いに同じ特性を有する。すなわち、4つの基本素子10A,10Cは、光の透過方向(Y方向)に沿った厚さ(光軸方向の長さ)が互いに異なる2種類の基本素子10A,10Cを2個ずつ含んでいる。
ここで、基本素子10Aは、図7に示した第1基本素子10Aと同じ機能を有する部材であり、基本素子10Cは、図7に示した第3基本素子10Cと同じ機能を有する部材であるため、その機能の説明を省略する。なお、中央領域10Eに代えて、偏光解消部材104cを設けても良い。
この偏光変換素子10fは光軸AXを中心として回転可能となるように設けられており、たとえば光軸AXを中心として+45度または−45度だけ回転可能となっている。図14は、偏光変換素子10fの作用により周方向偏光状態に設定された二次光源の一例を概略的に示す図である。なお、図14では、理解を容易にするために偏光変換素子10fも重ねて図示してある。
図14(a)は、回折光学素子5に代えて、ファーフィールド(またはフラウンホーファー回折領域)に2極状の光強度分布を形成する回折光学素子(光束変換素子)が照明光路に設置されるとともに、偏光変換素子10fが回転角0度の状態(基準状態)で照明光路に設置された場合における2極状の二次光源36(36A)を示している。ここでは、2極状の二次光源36(36A)を通過する光束が縦方向偏光状態に設定される。
図14(b)は、回折光学素子5に代えて、ファーフィールド(またはフラウンホーファー回折領域)に4極状の光強度分布を形成する回折光学素子(光束変換素子)が照明光路に設置されるとともに、偏光変換素子10fが回転角0度の状態(基準状態)で照明光路に設置された場合における4極状の二次光源37を示している。ここでは、4極状の二次光源37を通過する光束が周方向偏光状態に設定される。なお、図14(b)における4極状の光強度分布は紙面内上下方向(Z方向)及び左右方向(X方向)に局在している。
周方向偏光状態では、4極状の二次光源37を構成する4つの円形領域37A,37Cをそれぞれ通る光束が、これら4つの円形領域37A,37Cを結ぶ円の円周方向、すなわちこれら4つの円形領域37A,37Cを結ぶ円の接線方向とほぼ一致する偏光方向を有する直線偏光状態になる。なお、図14(b)では、4極状の二次光源37を4つの円形領域37A,37Cで構成した例を示したが、4つの領域の形状は円形には限定されない。
図14(c)は、図14(b)の回折光学素子に代えて、ファーフィールド(またはフラウンホーファー回折領域)に紙面内+45度(−135度)方向及び紙面内−45度(+135度)方向に局在する4極状の光強度分布を形成する回折光学素子(光束変換素子)が照明光路に設置され、且つ偏光変換素子10fを回転角+45度の状態(基準状態に対して時計回りに45度だけ回転した状態)に回転させて照明光路に設置した場合における4極状の二次光源38を示している。
図14(c)では、偏光状態切換部4中の1/2波長板4bを光軸廻りに回転させて、偏光変換素子10fに対して、+45度方向(−135度方向)に偏光方向を有する直線偏光を入射させる。ここで、基本素子10Aは入射した直線偏光の偏光方向を180度±n×180度(nは整数)だけ回転させる機能を有し、基本素子10Cは入射した直線偏光の偏光方向を90度±n×180度(nは整数)だけ回転させる機能を有するため、4極状の二次光源38を通過する光束が周方向偏光状態に設定される。
図14(c)に示した周方向偏光状態では、4極状の二次光源38を構成する4つの円形領域38B,38Dをそれぞれ通る光束が、これら4つの円形領域38B,38Dを結ぶ円の円周方向、すなわちこれら4つの円形領域38B,38Dを結ぶ円の接線方向とほぼ一致する偏光方向を有する直線偏光状態になる。なお、図14(c)では、4極状の二次光源38を4つの円形領域38B,38Dで構成した例を示したが、4つの領域の形状は円形には限定されない。
このように、偏光状態切換部4の偏光方向の変更動作と、偏光変換素子10fの回転動作とにより、+45度(−135度)方向及び−45度(+135度)方向に局在する4極状の二次光源であっても、0度(+180度)方向及び90度(270度)すなわち縦横方向に局在する4極状の二次光源であっても、0度(+180度)方向又は90度(270度)すなわち縦横方向に局在する2極状の二次光源であっても、周方向偏光状態を実現することができる。
また、光軸AXを中心とした円周方向に等分割された8つの扇型形状の基本素子から構成される偏光変換素子を、光軸AX廻りに回転可能としても良い。図15(a)に示すように、例えば上記8分割の基本素子からなる偏光変換素子(たとえば偏光変換素子10a)を+45度だけ光軸AX廻りに回転させると、8極状の二次光源39を構成する8つの円形領域39A〜39Dをそれぞれ通る光束が、これら8つの円形領域39A〜39Dを結ぶ円の円周方向(これら8つの円形領域39A〜39Dを結ぶ円の接線方向)に対して−45度だけ回転された偏光方向を有する直線偏光状態になる。
また、15(b)に示すように、8極状の二次光源を構成する8つの円形領域をそれぞれ通る光束が、これら8つの円形領域を結ぶ円の円周方向(これら8つの円形領域を結ぶ円の接線方向)に対して+45度だけ回転された方向に長軸を持つ楕円偏光である場合には、図15(a)に示したように偏光変換素子(たとえば偏光変換素子10a)を+45度だけ光軸AX廻りに回転させることによって、図15(c)に示すように、ほぼ周方向偏光状態を得ることができる。
図16は、偏光変換素子を照明光学装置の瞳近傍の位置のうち、円錐アキシコン系8の直前の位置(入射側近傍の位置)に配置した例を示す。この図16の例では、ズームレンズ系9の変倍作用によって、マイクロフライアイレンズ11の入射面に投影される中央領域10Eの像の大きさと、マイクロフライアイレンズ11の入射面に投影される各基本素子10A〜10Dの像の大きさとが変更され、円錐アキシコン系8の動作によって、マイクロフライアイレンズ11の入射面に投影される各基本素子10A〜10Dの像における光軸AXを中心とする半径方向の幅が変更される。
したがって、図16に示した変形例のように中央領域10E(または偏光解消部材104c)を有する偏光変換素子を、変倍作用を有する光学系(ズームレンズ9)よりも光源側に設ける場合には、中央領域10Eの占める領域がズームレンズ9の変倍によって変更されることを考慮して、中央領域10Eの大きさを定めれば良い。
また、図16に示した変形例のように、中央領域10E(または偏光解消部材104c)を有する偏光変換素子を、輪帯比を変更する作用を有する光学系(円錐アキシコン系8)よりも光源側に設ける場合には、図17に示すように、以下の条件式(1)および(2)の少なくとも一方の条件式を満足することが好ましい。
(1) (10in+ΔA)/10out <0.75
(2) 0.4<(10in+ΔA)/10out
ただし、
10in:偏光変換素子10の中央領域10Eの有効半径、
10out:偏光変換素子10の外側有効半径、
ΔA:輪帯比を変更する作用を有する光学系を通過した光束の内側半径の増加分、
である。
(1) (10in+ΔA)/10out <0.75
(2) 0.4<(10in+ΔA)/10out
ただし、
10in:偏光変換素子10の中央領域10Eの有効半径、
10out:偏光変換素子10の外側有効半径、
ΔA:輪帯比を変更する作用を有する光学系を通過した光束の内側半径の増加分、
である。
ここで、条件式(1)を満足しない場合には、偏光変換素子10によって周方向偏光状態に変換される輪帯状の領域の幅が狭くなり、小さい輪帯比のもとでの輪帯状または多極状二次光源による周方向偏光照明を達成することができなくなるため好ましくない。また、条件式(2)を満足しない場合には、偏光変換素子10の中央領域を通過できる光束の径が著しく小さくなり、たとえば当該偏光変換素子10を照明光路から外すことなく、偏光状態を変えずに小σ照明することができなくなるため好ましくない。
また、図18に示すように、偏光変換素子を照明光学装置の瞳近傍の位置のうち、マイクロフライアイレンズ11よりもマスク側の位置、具体的にはマスクブラインド14の像をマスク上に投影する結像光学系15の瞳位置の近傍に設けても良い。図16および図18に示した実施形態においても、図9乃至図11の実施形態と同様に複数の偏光変換素子を交換可能としても良い。
また、上述の実施形態において、偏光変換素子10よりもウェハW側の光学系(照明光学系や投影光学系)が偏光収差(リターデーション)を有している場合には、この偏光収差に起因して偏光方向が変化することがある。この場合には、これらの光学系の偏光収差の影響を考慮した上で、偏光変換素子10により旋回される偏光面の方向を設定すれば良い。また、偏光変換素子10よりもウェハW側の光路中に反射部材が配置されている場合、この反射部材にて反射された偏光方向毎に位相差が生じることがある。このとき、反射面の偏光特性に起因する光束の位相差を考慮した上で、偏光変換素子10により旋回される偏光面の方向を設定すれば良い。
次に、偏光状態の評価手法の実施形態について説明する。本実施形態では、感光性基板としてのウェハWを保持するウェハステージ(基板ステージ)の側方に取り付け可能なウェハ面偏光モニター90を用いて、感光性基板としてのウェハWに到達する光束の偏光状態を検出する。なお、ウェハ面偏光モニター90は、ウェハステージ内に設けられても良いし、当該ウェハステージとは別体の計測ステージに設けられても良い。
図19は、ウェハWを照明する光の偏光状態及び光強度を検出するためのウェハ面偏光モニター90の概略構成を示す図である。図19に示すように、ウェハ面偏光モニター90は、ウェハWの位置またはその近傍に位置決め可能なピンホール部材91を備えている。ピンホール部材91のピンホール91aを通過した光は、投影光学系PLの像面位置またはその近傍が前側焦点位置となるように配置されているコリメートレンズ92を介してほぼ平行な光束になり、反射鏡93で反射された後、リレーレンズ系94に入射する。リレーレンズ系94を介したほぼ平行な光束は、移相子としてのλ/4板95および偏光子としての偏光ビームスプリッター96を介した後、二次元CCD97の検出面97aに達する。ここで、二次元CCD97の検出面97aは、投影光学系PLの射出瞳と光学的にほぼ共役、ひいては照明光学装置の照明瞳面と光学的にほぼ共役となっている。
λ/4板95は、光軸を中心として回転可能に構成されており、このλ/4板95には、その光軸を中心とした回転角を設定するための設定部98が接続されている。こうして、ウェハWに対する照明光の偏光度が0でない場合には、設定部98を介してλ/4板95を光軸廻りに回転させることにより二次元CCD97の検出面97aにおける光強度分布が変化する。したがって、ウェハ面偏光モニター90では、設定部98を用いてλ/4板95を光軸廻りに回転させながら検出面97aにおける光強度分布の変化を検出し、この検出結果から回転移相子法により照明光の偏光状態を測定することができる。
なお、回転移相子法については、例えば鶴田著,「光の鉛筆−光技術者のための応用光学」,株式会社新技術コミュニケーションズなどに詳しく記載されている。実際には、ピンホール部材91(ひいてはピンホール90a)をウェハ面に沿って二次元的に移動させつつ、ウェハ面内の複数の位置における照明光の偏光状態を測定する。このとき、ウェハ面偏光モニター90では、二次元的な検出面97aにおける光強度分布の変化を検出するので、この検出分布情報に基づいて照明光の瞳内における偏光状態の分布を測定することができる。
なお、ウェハ面偏光モニター90では、移相子としてλ/4板95に代えてλ/2板を用いることも可能である。どのような移相子を用いたとしても、偏光状態、すなわち4つのストークスパラメーターを測定するためには、移相子と偏光子(偏光ビームスプリッター96)との光軸廻りの相対角度を変えたり、移相子または偏光子を光路から退避させたりして、少なくとも4つの異なる状態で検出面97aにおける光強度分布の変化を検出する必要がある。なお、本実施形態では移相子としてのλ/4板95を光軸廻りに回転させたが、偏光子としての偏光ビームスプリッター96を光軸廻りに回転させても良く、移相子および偏光子の双方を光軸廻りに回転させても良い。また、この動作に代えて、あるいはこの動作に加えて、移相子としてのλ/4板95および偏光子としての偏光ビームスプリッター96のうちの一方または双方を光路から挿脱させても良い。
また、ウェハ面偏光モニター90では、反射鏡93の偏光特性により光の偏光状態が変化してしまう場合がある。この場合、反射鏡93の偏光特性は予めわかっているので、所要の計算によって反射鏡93の偏光特性の偏光状態への影響に基づいてウェハ面偏光モニター90の測定結果を補正し、照明光の偏光状態を正確に測定することができる。また、反射鏡に限らず、レンズなどの他の光学部品に起因して偏光状態が変化してしまう場合でも同様に測定結果を補正し、照明光の偏光状態を正確に測定することができる。
以下、照明光の瞳内における偏光状態の分布の評価について具体的に説明する。まず瞳上の一点(または微小領域)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線の一本一本に対して特定偏光度DSPを算出する。なお、以下の説明においては、図1,図16,図18で用いたXYZ座標系を用いる。上述の瞳上の一点(微小領域)は二次元CCD97の一画素に対応し、像面上の一点(微小領域)はピンホール90aのXY座標に対応する。
この特定偏光度DSPは、瞳上の一点(または微小領域)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する特定光線におけるX方向偏光(瞳上においてX方向に振動方向を持つ偏光)成分の強度をIxとし、当該特定光線におけるY方向偏光(瞳上においてY方向に振動方向を持つ偏光)成分の強度をIyとするとき、
(3) DSP=(Ix−Iy)/(Ix+Iy)
で表される。なお、この特定偏光度DSPは、全強度S0に対する水平直線偏光強度マイナス垂直直線偏光強度S1(S1/S0)と同義である。
(3) DSP=(Ix−Iy)/(Ix+Iy)
で表される。なお、この特定偏光度DSPは、全強度S0に対する水平直線偏光強度マイナス垂直直線偏光強度S1(S1/S0)と同義である。
また、瞳上の一点(または微小領域)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する特定光線におけるX方向偏光(瞳上においてX方向に振動方向を持つ偏光)成分の強度Ix、および当該特定光線におけるY方向偏光(瞳上においてY方向に振動方向を持つ偏光)成分の強度Iyから、下式(4),(5)の通り、水平偏光(パターン面内で水平方向に延びたマスクパターンの回折光に対してS偏光となる偏光)についての適正偏光率RSPh、および垂直偏光(パターン面内で垂直方向に延びたマスクパターンの回折光に対してS偏光となる偏光)についての適正偏光率RSPvを定義することができる。
(4) RSPh =Ix/(Ix+Iy)
(5) RSPv =Iy/(Ix+Iy)
(4) RSPh =Ix/(Ix+Iy)
(5) RSPv =Iy/(Ix+Iy)
ここで、理想的な非偏光照明のときにはRSPh,RSPvはともに50%となり、理想的な水平偏光のときにはRSPhが100%となり、理想的な垂直偏光のときにはRSPvが100%となる。
また、瞳上の一点(または微小領域)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線の一本一本に対して、下式(6)〜(9)で偏光度Vを定義するとき、所定の有効光源領域を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線束に対して、下式(10)の通り平均偏光度V(Ave)を定義できる。
(6) V=(S1 2+S2 2+S3 2)1/2/S0
=(S1 '2+S2 '2+S3 '2)1/2
(7) S1 '=S1/S0
(8) S2 '=S2/S0
(9) S3 '=S3/S0
ただし、S0は全強度であり、S1は水平直線偏光強度マイナス垂直直線偏光強度であり、S2は45度直線偏光強度マイナス135度直線偏光強度であり、S3は右まわり円偏光強度マイナス左まわり円偏光強度である。
(10) V(Ave)=Σ[S0(xi,yi)・V(xi,yi)]/ΣS0(xi,yi)
(6) V=(S1 2+S2 2+S3 2)1/2/S0
=(S1 '2+S2 '2+S3 '2)1/2
(7) S1 '=S1/S0
(8) S2 '=S2/S0
(9) S3 '=S3/S0
ただし、S0は全強度であり、S1は水平直線偏光強度マイナス垂直直線偏光強度であり、S2は45度直線偏光強度マイナス135度直線偏光強度であり、S3は右まわり円偏光強度マイナス左まわり円偏光強度である。
(10) V(Ave)=Σ[S0(xi,yi)・V(xi,yi)]/ΣS0(xi,yi)
なお、(10)式において、S0(xi,yi)は所定の有効光源領域(xi,yi)上の一点(または微小領域)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線に対する全強度S0であり、V(xi,yi)は所定の有効光源領域(xi,yi)上の一点(または微小領域)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線の偏光度である。
また、所定の有効光源領域を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線束に対して、以下の(11)式で水平偏光に関する平均特定偏光率RSPh(Ave)を、(12)式でおよび垂直偏光に関する平均特定偏光率RSPv(Ave)を定義することができる。
(11) RSPh(Ave)=Ix(Ave)/(Ix+Iy)Ave
=Σ[S0(xi,yi)・RSPh(xi,yi)]/ΣS0(xi,yi)
(12) RSPv(Ave)=Iy(Ave)/(Ix+Iy)Ave
=Σ[S0(xi,yi)・RSPv(xi,yi)]/ΣS0(xi,yi)
(11) RSPh(Ave)=Ix(Ave)/(Ix+Iy)Ave
=Σ[S0(xi,yi)・RSPh(xi,yi)]/ΣS0(xi,yi)
(12) RSPv(Ave)=Iy(Ave)/(Ix+Iy)Ave
=Σ[S0(xi,yi)・RSPv(xi,yi)]/ΣS0(xi,yi)
ここで、Ix(Ave)は所定の有効光源領域(xi,yi)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線束におけるX方向偏光(瞳上においてX方向に振動方向を持つ偏光)成分の強度の平均、Iy(Ave)は所定の有効光源領域(xi,yi)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線束におけるY方向偏光(瞳上においてY方向に振動方向を持つ偏光)成分の強度の平均、RSPh(xi,yi)は所定の有効光源領域(xi,yi)上の一点(または微小領域)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線の水平偏光についての適正偏光率、RSPv(xi,yi)は所定の有効光源領域(xi,yi)上の一点(または微小領域)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線の垂直偏光についての適正偏光率である。また、(Ix+Iy)Aveは前記所定の有効光源領域を通過する全光束の強度の平均である。
ここで、理想的な非偏光照明のときにはRSPh(xi,yi),RSPv(xi,yi)はともに50%となり、理想的な水平偏光のときにはRSPh(xi,yi)が100%となり、理想的な垂直偏光のときにはRSPv(xi,yi)が100%となる。
そして、所定の有効光源領域(xi,yi)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線束に対して、下式(13)の通り平均特定偏光度DSP(Ave)を定義できる。
(13) DSP(Ave)=(Ix−Iy)Ave/(Ix+Iy)Ave
={Σ[Ix(xi,yi)−Iy(xi,yi)]/Σ[Ix(xi,yi)+Iy(xi,yi)]}
=S1 '(Ave)
={ΣS1/ΣS0}
(13) DSP(Ave)=(Ix−Iy)Ave/(Ix+Iy)Ave
={Σ[Ix(xi,yi)−Iy(xi,yi)]/Σ[Ix(xi,yi)+Iy(xi,yi)]}
=S1 '(Ave)
={ΣS1/ΣS0}
ここで、(Ix−Iy)Aveは、所定の有効光源領域(xi,yi)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線束におけるX方向偏光成分の強度と所定の有効光源領域(xi,yi)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線束におけるY方向偏光成分の強度との差の平均、Ix(xi,yi)は所定の有効光源領域(xi,yi)上の一点(または微小領域)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線におけるX方向偏光成分の強度、Iy(xi,yi)は所定の有効光源領域(xi,yi)上の一点(または微小領域)を通過し像面上の一点(微小領域)に到達する光線におけるY方向偏光成分の強度、S1 '(Ave)は所定の有効光源領域(xi,yi)におけるS1 '成分の平均である。
(13)式において、理想的な非偏光照明のときにはDSP(Ave)は0となり、理想的な水平偏光のときにはDSP(Ave)が1となり、理想的な垂直偏光のときにはDSP(Ave)が−1となる。
さて、本実施形態の照明光学装置、ひいては露光装置では、所定の有効光源領域における平均特定偏光率RSPh(Ave),RSPv(Ave)が、
RSPh(Ave)>70%, RSPv(Ave)>70%
を満足するとき、その所定の有効光源領域内が直線偏光であると見なすことができる。ここで、平均特定偏光率RSPh(Ave),RSPv(Ave)が上記条件を満足しない場合には、周方向偏光輪帯照明や、周方向偏光四極照明、周方向偏光二極照明などにおいて、所定方向に偏光面を有する所望の直線偏光状態が実現されないため、特定のピッチ方向を有する線幅の細いパターンに対する結像性能の向上を図ることができなくなってしまう。
RSPh(Ave)>70%, RSPv(Ave)>70%
を満足するとき、その所定の有効光源領域内が直線偏光であると見なすことができる。ここで、平均特定偏光率RSPh(Ave),RSPv(Ave)が上記条件を満足しない場合には、周方向偏光輪帯照明や、周方向偏光四極照明、周方向偏光二極照明などにおいて、所定方向に偏光面を有する所望の直線偏光状態が実現されないため、特定のピッチ方向を有する線幅の細いパターンに対する結像性能の向上を図ることができなくなってしまう。
なお、たとえば図13に示した4分割偏光変換素子10fを用いて4分割周方向偏光輪帯照明を行う場合には、図20に示すように、輪帯形状の二次光源31を4分割して、各々の分割領域31A1,31A2,31C1,31C2毎に平均特定偏光率RSPh(Ave),RSPv(Ave)を評価すれば良い。
上述の実施形態にかかる露光装置では、照明光学装置によってマスク(レチクル)を照明し(照明工程)、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、上述の実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図21のフローチャートを参照して説明する。
先ず、図21のステップ301において、1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ302において、その1ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ303において、上述の実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、その1ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップ304において、その1ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ305において、その1ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
また、上述の実施形態の露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図22のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図22において、パターン形成工程401では、上述の実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィー工程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成工程402へ移行する。
次に、カラーフィルター形成工程402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルターを形成する。そして、カラーフィルター形成工程402の後に、セル組み立て工程403が実行される。セル組み立て工程403では、パターン形成工程401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程402にて得られたカラーフィルター等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。
セル組み立て工程403では、例えば、パターン形成工程401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター形成工程402にて得られたカラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。その後、モジュール組み立て工程404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
なお、上述の実施形態では、露光光としてKrFエキシマレーザ光(波長:248nm)やArFエキシマレーザ光(波長:193nm)を用いているが、これに限定されることなく、他の適当なレーザ光源、たとえば波長157nmのレーザ光を供給するF2レーザ光源などに対して本発明を適用することもできる。さらに、上述の実施形態では、照明光学装置を備えた露光装置を例にとって本発明を説明したが、マスクやウェハ以外の被照射面を照明するための一般的な照明光学装置に本発明を適用することができることは明らかである。
また、上述の実施形態において、投影光学系と感光性基板との間の光路中を1.1よりも大きな屈折率を有する媒体(典型的には液体)で満たす手法、所謂液浸法を適用しても良い。この場合、投影光学系と感光性基板との間の光路中に液体を満たす手法としては、特許文献2に開示されているような局所的に液体を満たす手法や、特許文献3に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる手法や、特許文献4に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する手法などを採用することができる。
なお、液体としては、露光光に対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系や基板表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なものを用いることが好ましく、たとえばKrFエキシマレーザ光やArFエキシマレーザ光を露光光とする場合には、液体として純水、脱イオン水を用いることができる。また、露光光としてF2レーザ光を用いる場合は、液体としてはF2レーザ光を透過可能な例えばフッ素系オイルや過フッ化ポリエーテル(PFPE)等のフッ素系の液体を用いればよい。
1 光源
4 偏光状態切換部
4a 1/4波長板
4b 1/2波長板
4c デポラライザ
5 回折光学素子(光束変換素子)
6 アフォーカルレンズ
8 円錐アキシコン系
9 ズームレンズ
10 偏光変換素子
10A〜10D 各基本素子
11 マイクロフライアイレンズ
12 偏光モニター
12a ビームスプリッター
13 コンデンサー光学系
14 マスクブラインド
15 結像光学系
M マスク
PL 投影光学系
W ウェハ
4 偏光状態切換部
4a 1/4波長板
4b 1/2波長板
4c デポラライザ
5 回折光学素子(光束変換素子)
6 アフォーカルレンズ
8 円錐アキシコン系
9 ズームレンズ
10 偏光変換素子
10A〜10D 各基本素子
11 マイクロフライアイレンズ
12 偏光モニター
12a ビームスプリッター
13 コンデンサー光学系
14 マスクブラインド
15 結像光学系
M マスク
PL 投影光学系
W ウェハ
Claims (14)
- 照明光を供給するための光源と、
前記光源と被照射面との間の光路中に配置された、前記照明光の偏光状態を所定の偏光状態に変換する偏光変換素子であって、旋光性を有する光学材料により形成されて周方向に変化する厚さ分布を有する偏光変換素子と、
を備えた照明光学装置。 - 前記偏光変換素子は、前記照明光学装置の瞳またはその近傍に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の照明光学装置。
- 前記光源と前記偏光変換素子との間の光路中に配置されて、入射するほぼ直線偏光状態の光の偏光方向を必要に応じて変化させるための位相部材をさらに備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の照明光学装置。
- 前記位相部材は、前記照明光学装置の光軸を中心として結晶光学軸が回転自在に構成された1/2波長板を有することを特徴とする請求項3に記載の照明光学装置。
- 前記光源と前記位相部材との間の光路中に配置されて、入射する楕円偏光状態の光をほぼ直線偏光状態の光に変換するための第2位相部材をさらに備えていることを特徴とする請求項3または4に記載の照明光学装置。
- 前記第2位相部材は、前記照明光学装置の光軸を中心として結晶光学軸が回転自在に構成された1/4波長板を有することを特徴とする請求項5に記載の照明光学装置。
- 前記偏光変換素子の中央領域の径方向の大きさは、前記偏光変換素子の有効領域の径方向の大きさの3/10以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の照明光学装置。
- 前記中央領域の径方向の大きさは、前記偏光変換素子の有効領域の径方向の大きさの1/3以上であることを特徴とする請求項7に記載の照明光学装置。
- 前記照明光学装置の瞳に形成される二次光源の輪帯比を変更する輪帯比変更光学系をさらに備えていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の照明光学装置。
- 前記偏光変換素子は、前記光源と前記輪帯比変更光学系との間の光路中に配置され、
(10in+ΔA)/10out<0.75
0.4<(10in+ΔA)/10out
を満足することを特徴とする請求項9に記載の照明光学装置。
ただし、
10in:前記偏光変換素子の中央領域の有効半径、
10out:前記偏光変換素子の外側有効半径、
ΔA:前記輪帯比変更光学系を通過した光束の内側半径の増加分、
である。 - 前記光学材料は結晶光学軸が入射光の進行方向に設定された結晶材料から形成されていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の照明光学装置。
- 光源から供給される照明光に基づいて被照射面を照明する照明光学装置において、
前記照明光学装置の照明瞳面または該照明瞳面と共役な面内に形成される光強度分布における所定の有効光源領域での第1方向偏光に関する平均特定偏光率をRSPh(Ave)とし、第2方向偏光に関する平均特定偏光率RSPv(Ave)とするとき、
RSPh(Ave)>70%, RSPv(Ave)>70%
を満足することを特徴とする照明光学装置。
ただし、
RSPh(Ave)=Ix(Ave)/(Ix+Iy)Ave
RSPv(Ave)=Iy(Ave)/(Ix+Iy)Ave
である。
ここで、Ix(Ave)は所定の有効光源領域を通過し像面上の一点に到達する光線束における第1方向偏光成分の強度の平均、Iy(Ave)は前記所定の有効光源領域を通過し像面上の一点に到達する光線束における第2方向偏光成分の強度の平均、(Ix+Iy)Aveは前記所定の有効光源領域を通過する全光束の強度の平均である。 - 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の照明光学装置を備え、該照明光学装置を介してマスクのパターンを感光性基板上に露光することを特徴とする露光装置。
- 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の照明光学装置を用いて、マスクのパターンを感光性基板上に露光することを特徴とする露光方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004030555 | 2004-02-06 | ||
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JP2004358218 | 2004-12-10 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017063051A Division JP6399133B2 (ja) | 2004-02-06 | 2017-03-28 | 偏光変換素子、照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018189978A true JP2018189978A (ja) | 2018-11-29 |
Family
ID=34840152
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005517637A Expired - Fee Related JP4747844B2 (ja) | 2004-02-06 | 2005-01-14 | 偏光変換素子、照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
JP2010290979A Expired - Fee Related JP5696473B2 (ja) | 2004-02-06 | 2010-12-27 | 照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
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JP2016043787A Active JP6319346B2 (ja) | 2004-02-06 | 2016-03-07 | 偏光変換素子、照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
JP2017063051A Expired - Fee Related JP6399133B2 (ja) | 2004-02-06 | 2017-03-28 | 偏光変換素子、照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
JP2018132657A Pending JP2018189978A (ja) | 2004-02-06 | 2018-07-12 | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
Family Applications Before (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005517637A Expired - Fee Related JP4747844B2 (ja) | 2004-02-06 | 2005-01-14 | 偏光変換素子、照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
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Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (10) | US20060170901A1 (ja) |
EP (5) | EP2615480B1 (ja) |
JP (8) | JP4747844B2 (ja) |
KR (10) | KR101626226B1 (ja) |
HK (9) | HK1098198A1 (ja) |
TW (12) | TWI389174B (ja) |
WO (1) | WO2005076045A1 (ja) |
Families Citing this family (94)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101547077B1 (ko) | 2003-04-09 | 2015-08-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI573175B (zh) | 2003-10-28 | 2017-03-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造 方法 |
TW201809801A (zh) | 2003-11-20 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
US8270077B2 (en) * | 2004-01-16 | 2012-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
CN101726863B (zh) * | 2004-01-16 | 2012-08-29 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 偏振调制光学元件 |
US20070019179A1 (en) | 2004-01-16 | 2007-01-25 | Damian Fiolka | Polarization-modulating optical element |
TWI395068B (zh) | 2004-01-27 | 2013-05-01 | 尼康股份有限公司 | 光學系統、曝光裝置以及曝光方法 |
TWI389174B (zh) | 2004-02-06 | 2013-03-11 | 尼康股份有限公司 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
US7324280B2 (en) | 2004-05-25 | 2008-01-29 | Asml Holding N.V. | Apparatus for providing a pattern of polarization |
JPWO2006016469A1 (ja) * | 2004-08-10 | 2008-05-01 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
TWI453795B (zh) | 2005-01-21 | 2014-09-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
US7375799B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP4612849B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006269853A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sony Corp | 露光装置および露光方法 |
US20100118288A1 (en) * | 2005-06-13 | 2010-05-13 | Marcus Adrianus Van De Kerkhof | Lithographic projection system and projection lens polarization sensor |
JP4976670B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2012-07-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007103835A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP2007123333A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Canon Inc | 露光方法 |
KR20080066041A (ko) * | 2005-11-10 | 2008-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법 |
KR20080088579A (ko) * | 2005-12-28 | 2008-10-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
JP4798489B2 (ja) * | 2006-01-23 | 2011-10-19 | 株式会社ニコン | 光学特性計測方法及び装置、並びに露光装置 |
WO2007094407A1 (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
KR20080102192A (ko) | 2006-02-16 | 2008-11-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
EP1993120A1 (en) | 2006-03-03 | 2008-11-19 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US20070242254A1 (en) | 2006-03-17 | 2007-10-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7884921B2 (en) * | 2006-04-12 | 2011-02-08 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, projection exposure apparatus, projection optical system, and device manufacturing method |
JP4998803B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2012-08-15 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、および露光方法 |
WO2007119514A1 (ja) * | 2006-04-17 | 2007-10-25 | Nikon Corporation | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
EP1857879A1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-21 | Advanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG | An illumination system and a photolithography apparatus |
EP2031640A4 (en) | 2006-06-16 | 2009-06-10 | Nikon Corp | DEVICE WITH A VARIABLE SLOT, LIGHTING DEVICE, EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND METHOD FOR PRODUCING THE DEVICE |
JP5023589B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2012-09-12 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクおよび該フォトマスクの設計方法 |
DE102007027985A1 (de) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US7952685B2 (en) * | 2007-03-15 | 2011-05-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Illuminator for a lithographic apparatus and method |
JP5461387B2 (ja) * | 2007-04-03 | 2014-04-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明デバイス又は投影対物器械である光学システム |
US7872731B2 (en) * | 2007-04-20 | 2011-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080285000A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100916623B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2009-09-09 | 한국과학기술원 | 고개구수 렌즈의 입사광을 변조하기 위한 삼층 편광 변조장치 |
DE102007043958B4 (de) | 2007-09-14 | 2011-08-25 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP4971932B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置、デバイス製造方法および偏光制御ユニット |
US20090091730A1 (en) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Nikon Corporation | Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20090097006A1 (en) * | 2007-10-10 | 2009-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and Method for Obtaining Information Indicative of the Uniformity of a Projection System of a Lithographic Apparatus |
WO2009048051A1 (ja) | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Nikon Corporation | 照明光学装置、並びに露光方法及び装置 |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
CN101681125B (zh) * | 2007-10-16 | 2013-08-21 | 株式会社尼康 | 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法 |
CN101681123B (zh) | 2007-10-16 | 2013-06-12 | 株式会社尼康 | 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法 |
JP2010004008A (ja) * | 2007-10-31 | 2010-01-07 | Nikon Corp | 光学ユニット、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP5326259B2 (ja) | 2007-11-08 | 2013-10-30 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
DE102007055062A1 (de) * | 2007-11-16 | 2009-05-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System, sowie Verfahren zur Charakterisierung eines optischen Systems |
WO2009078223A1 (ja) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Nikon Corporation | 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
TW200929333A (en) * | 2007-12-17 | 2009-07-01 | Nikon Corp | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8908151B2 (en) * | 2008-02-14 | 2014-12-09 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, compensation filter, and exposure optical system |
TW200938957A (en) * | 2008-03-05 | 2009-09-16 | Nanya Technology Corp | Feedback system and feedback method for controlling power ratio of light source |
WO2009125511A1 (ja) | 2008-04-11 | 2009-10-15 | 株式会社ニコン | 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
US20090257043A1 (en) * | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, and exposure optical system |
US20090265148A1 (en) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Synopsys, Inc. | Modeling a sector-polarized-illumination source in an optical lithography system |
US9116302B2 (en) | 2008-06-19 | 2015-08-25 | Ravenbrick Llc | Optical metapolarizer device |
DE102008041179B4 (de) * | 2008-08-12 | 2010-11-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage |
CN102187262B (zh) | 2008-08-20 | 2013-06-19 | 雷文布里克有限责任公司 | 用于制作热致变色滤光器的方法 |
JPWO2010024106A1 (ja) * | 2008-08-28 | 2012-01-26 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP5051475B2 (ja) * | 2008-10-27 | 2012-10-17 | セイコーエプソン株式会社 | 1/4波長板、光ピックアップ装置及び反射型液晶表示装置 |
US20100123883A1 (en) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2010073795A1 (ja) | 2008-12-24 | 2010-07-01 | 株式会社 ニコン | 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP5365641B2 (ja) | 2008-12-24 | 2013-12-11 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR101262519B1 (ko) * | 2009-01-21 | 2013-05-08 | 라벤브릭 엘엘씨 | 광학 메타편광자 장치 |
JP2010197352A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
TW201102765A (en) | 2009-07-01 | 2011-01-16 | Nikon Corp | Grinding device, grinding method, exposure device and production method of a device |
JP2011014707A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US20110037962A1 (en) * | 2009-08-17 | 2011-02-17 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR20120116329A (ko) | 2010-02-20 | 2012-10-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 광원 최적화 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 프로그램, 노광 장치, 리소그래피 시스템, 광원 평가 방법 및 광원 변조 방법 |
US9389519B2 (en) | 2010-02-25 | 2016-07-12 | Nikon Corporation | Measuring method and measuring apparatus of pupil transmittance distribution, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20110205519A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2012004465A (ja) | 2010-06-19 | 2012-01-05 | Nikon Corp | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP5366019B2 (ja) | 2010-08-02 | 2013-12-11 | 株式会社ニコン | 伝送光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
US20120212722A1 (en) | 2011-02-21 | 2012-08-23 | Nikon Corporation | Fast Illumination Simulator Based on a Calibrated Flexible Point Spread Function |
JP5807761B2 (ja) | 2011-06-06 | 2015-11-10 | 株式会社ニコン | 照明方法、照明光学装置、及び露光装置 |
FR2978255B1 (fr) * | 2011-07-22 | 2014-02-21 | Horiba Jobin Yvon Sas | Dispositif optique d'eclairage conoscopique a cone creux pour microscope optique et procede de microscopie optique en conoscopie |
US9760012B2 (en) | 2011-08-04 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination device |
US9213227B2 (en) * | 2011-08-18 | 2015-12-15 | Nikon Corporation | Custom color or polarization sensitive CCD for separating multiple signals in autofocus projection system |
CN103033942B (zh) * | 2011-09-29 | 2015-07-15 | 通用电气公司 | 光学成像系统和方法以及孔径光阑组合和孔径元件 |
GB2508972B (en) * | 2011-09-29 | 2015-09-02 | Gen Electric | Aperture stop assembly and aperture element for an optical imaging system |
CN103874878B (zh) * | 2011-10-18 | 2017-03-29 | 皇家飞利浦有限公司 | 分裂波束照明器和照明系统 |
JP6120001B2 (ja) | 2011-10-24 | 2017-04-26 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP6001874B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2016-10-05 | 日東電工株式会社 | 光学積層体及び光学積層体の製造方法 |
DE102012206150B9 (de) * | 2012-04-16 | 2014-06-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US9581811B2 (en) | 2012-05-02 | 2017-02-28 | Nikon Corporation | Method for evaluating and improving pupil luminance distribution, illumination optical system and adjustment method thereof, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20140240705A1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-08-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device, reticle method for checking position misalignment and method for manufacturing position misalignment checking mark |
JP6234105B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2017-11-22 | オリンパス株式会社 | 超解像顕微鏡 |
JP5534276B2 (ja) * | 2013-08-23 | 2014-06-25 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
EP3076160A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-05 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Spatially resolved aerosol detection |
US9709897B2 (en) | 2015-10-28 | 2017-07-18 | Cymer, Llc | Polarization control of pulsed light beam |
DE102016214695B3 (de) * | 2016-08-08 | 2017-10-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System und Verfahren zur Korrektur von Maskenfehlern mit diesem System |
KR102676879B1 (ko) | 2017-02-08 | 2024-06-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US11537051B2 (en) | 2017-03-16 | 2022-12-27 | Nikon Corporation | Control apparatus and control method, exposure apparatus and exposure method, device manufacturing method, data generating method and program |
Family Cites Families (1016)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE206607C (ja) | ||||
JP3293882B2 (ja) | 1992-03-27 | 2002-06-17 | 株式会社東芝 | 投影露光装置 |
GB856621A (en) * | 1956-07-20 | 1960-12-21 | Nat Res Dev | Improvements in or relating to polarising microscopes |
US3146294A (en) * | 1959-02-13 | 1964-08-25 | American Optical Corp | Interference microscope optical systems |
US3180216A (en) | 1962-08-13 | 1965-04-27 | American Optical Corp | System and apparatus for variable phase microscopy |
JPS444993Y1 (ja) | 1964-05-28 | 1969-02-24 | ||
GB1192417A (en) * | 1967-04-10 | 1970-05-20 | Safege Transp | Improvements in or relating to Overhead Railways |
US3758201A (en) | 1971-07-15 | 1973-09-11 | American Optical Corp | Optical system for improved eye refraction |
US3892470A (en) * | 1974-02-01 | 1975-07-01 | Hughes Aircraft Co | Optical device for transforming monochromatic linearly polarized light to ring polarized light |
US3892469A (en) * | 1974-02-01 | 1975-07-01 | Hughes Aircraft Co | Electro-optical variable focal length lens using optical ring polarizer |
FR2385241A1 (fr) * | 1976-12-23 | 1978-10-20 | Marie G R P | Convertisseurs de mode de polarisation pour faisceaux laser et generateurs de plasma les utilisant |
US4103260A (en) | 1977-01-03 | 1978-07-25 | Hughes Aircraft Company | Spatial polarization coding electro-optical transmitter |
US4198123A (en) | 1977-03-23 | 1980-04-15 | Baxter Travenol Laboratories, Inc. | Optical scrambler for depolarizing light |
FR2413678A1 (fr) * | 1977-12-28 | 1979-07-27 | Marie G R P | Convertisseurs de mode d'une onde non confinante en une onde confinante dans l'infrarouge lointain |
US4286843A (en) * | 1979-05-14 | 1981-09-01 | Reytblatt Zinovy V | Polariscope and filter therefor |
JPS5857066B2 (ja) | 1979-06-29 | 1983-12-17 | 古河電気工業株式会社 | リニアモ−タ |
EP0023231B1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-11 | Tabarelli, Werner, Dr. | Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe |
FR2465241A1 (fr) * | 1979-09-10 | 1981-03-20 | Thomson Csf | Dispositif illuminateur destine a fournir un faisceau d'eclairement a distribution d'intensite ajustable et systeme de transfert de motifs comprenant un tel dispositif |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57152129A (en) | 1981-03-13 | 1982-09-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Developing method of resist |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS5849932A (ja) | 1981-09-21 | 1983-03-24 | Ushio Inc | 照度分布パタ−ンの調整器 |
JPS5845502U (ja) | 1981-09-21 | 1983-03-26 | 株式会社津山金属製作所 | 広角反射器 |
JPS58115945A (ja) | 1981-12-29 | 1983-07-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | ハンドル部への電力伝送と信号送受方法 |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS59226317A (ja) | 1983-06-06 | 1984-12-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 照明装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPS59155843A (ja) | 1984-01-27 | 1984-09-05 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPS6145923A (ja) | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Aronshiya:Kk | 反射式ロ−タリ−エンコ−ダ−用回転デイスクの製作方法 |
JPH0682598B2 (ja) | 1984-10-11 | 1994-10-19 | 日本電信電話株式会社 | 投影露光装置 |
JPS61217434A (ja) | 1985-03-20 | 1986-09-27 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 搬送用装置 |
JPS6194342U (ja) | 1984-11-27 | 1986-06-18 | ||
JPS61156736A (ja) | 1984-12-27 | 1986-07-16 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS61196532A (ja) | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS61251025A (ja) | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPS61270049A (ja) | 1985-05-24 | 1986-11-29 | Toshiba Corp | テ−ブル装置 |
JPS622540A (ja) | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Canon Inc | ライトインテグレ−タとそれを含むケ−ラ−照明系 |
JPS622539A (ja) | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Canon Inc | 照明光学系 |
DE3523641C1 (de) | 1985-07-02 | 1986-12-18 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen | Einrichtung zum Selektieren von rotationssymmetrischen Polarisationskomponenten einesLichtbuendels und Verwendung einer solchen Einrichtung |
US4683420A (en) | 1985-07-10 | 1987-07-28 | Westinghouse Electric Corp. | Acousto-optic system for testing high speed circuits |
JPS6217705A (ja) | 1985-07-16 | 1987-01-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | テレセントリツク光学系用照明装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62100161A (ja) | 1985-10-23 | 1987-05-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 平面モ−タ |
JPS62120026A (ja) | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Fujitsu Ltd | X線露光装置 |
JPH07105323B2 (ja) | 1985-11-22 | 1995-11-13 | 株式会社日立製作所 | 露光方法 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS62153710A (ja) | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Furukawa Alum Co Ltd | ロ−タリエンコ−ダ用反射基板の製造方法 |
US4744615A (en) | 1986-01-29 | 1988-05-17 | International Business Machines Corporation | Laser beam homogenizer |
JPH0782981B2 (ja) | 1986-02-07 | 1995-09-06 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
JPS62188316A (ja) | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPS62203526A (ja) | 1986-02-28 | 1987-09-08 | トヨタ自動車株式会社 | 無線電力伝送装置 |
JPH0666246B2 (ja) | 1986-05-14 | 1994-08-24 | キヤノン株式会社 | 照明光学系 |
JP2506616B2 (ja) | 1986-07-02 | 1996-06-12 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法 |
JPS6336526A (ja) | 1986-07-30 | 1988-02-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | ウエハ露光装置 |
JPH0695511B2 (ja) | 1986-09-17 | 1994-11-24 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 洗浄乾燥処理方法 |
JPS63128713A (ja) | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法 |
JPS63131008A (ja) | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Fujitsu Ltd | 光学的アライメント方法 |
JPS63141313A (ja) | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Hitachi Ltd | 薄板変形装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS63160192A (ja) | 1986-12-23 | 1988-07-02 | 株式会社明電舎 | 高周波加熱装置の接続導体 |
JPS63231217A (ja) | 1987-03-19 | 1988-09-27 | Omron Tateisi Electronics Co | 移動量測定装置 |
JPH0718699B2 (ja) | 1987-05-08 | 1995-03-06 | 株式会社ニコン | 表面変位検出装置 |
JPS6426704A (en) | 1987-05-11 | 1989-01-30 | Jiei Shirinian Jiyon | Pocket structure of garment |
JPS63292005A (ja) | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nikon Corp | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 |
JPH07117371B2 (ja) | 1987-07-14 | 1995-12-18 | 株式会社ニコン | 測定装置 |
JPS6468926A (en) | 1987-09-09 | 1989-03-15 | Nikon Corp | Measurement of image distortion in projection optical system |
US4981342A (en) * | 1987-09-24 | 1991-01-01 | Allergan Inc. | Multifocal birefringent lens system |
JPH0191419A (ja) | 1987-10-01 | 1989-04-11 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH01115033A (ja) | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Hitachi Ltd | ガス放電表示装置 |
JPH01147516A (ja) | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Canon Inc | ビーム位置制御装置 |
JP2728133B2 (ja) | 1987-12-09 | 1998-03-18 | 株式会社リコー | デジタル画像形成装置 |
JPH01202833A (ja) | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Toshiba Corp | 高精度xyステージ装置 |
JPH0831513B2 (ja) | 1988-02-22 | 1996-03-27 | 株式会社ニコン | 基板の吸着装置 |
JPH0545102Y2 (ja) | 1988-02-24 | 1993-11-17 | ||
JPH01255404A (ja) | 1988-04-05 | 1989-10-12 | Toshiba Corp | 浮上用電磁石装置 |
US4952815A (en) * | 1988-04-14 | 1990-08-28 | Nikon Corporation | Focusing device for projection exposure apparatus |
JPH01278240A (ja) | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置用無停電電源 |
JPH01276043A (ja) | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 導波路型液体検知器 |
JPH01286478A (ja) | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Hitachi Ltd | ビーム均一化光学系おゆび製造法 |
JPH01292343A (ja) | 1988-05-19 | 1989-11-24 | Fujitsu Ltd | ペリクル |
JPH01314247A (ja) | 1988-06-13 | 1989-12-19 | Fuji Plant Kogyo Kk | プリント基板の自動露光装置 |
JPH0831514B2 (ja) | 1988-06-21 | 1996-03-27 | 株式会社ニコン | 基板の吸着装置 |
JPH0242382A (ja) | 1988-08-02 | 1990-02-13 | Canon Inc | 移動ステージ構造 |
EP0394464A4 (en) | 1988-08-22 | 1991-04-03 | Idemitsu Kosan Company Limited | Oxirane derivatives and herbicides containing same as active ingredients |
JPH0265149A (ja) | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2729058B2 (ja) | 1988-08-31 | 1998-03-18 | 山形日本電気株式会社 | 半導体装置の露光装置 |
JPH0297239A (ja) | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Canon Inc | 露光装置用電源装置 |
JP2682067B2 (ja) | 1988-10-17 | 1997-11-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JP2697014B2 (ja) | 1988-10-26 | 1998-01-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JPH02139146A (ja) | 1988-11-15 | 1990-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 一段6自由度位置決めテーブル |
JP2940553B2 (ja) | 1988-12-21 | 1999-08-25 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
US5253110A (en) | 1988-12-22 | 1993-10-12 | Nikon Corporation | Illumination optical arrangement |
JPH07104442B2 (ja) | 1989-04-06 | 1995-11-13 | 旭硝子株式会社 | フッ化マグネシウム膜及び低反射膜の製造方法 |
DE3907136A1 (de) | 1989-03-06 | 1990-09-13 | Jagenberg Ag | Vorrichtung zum verbinden von materialbahnen |
JPH02261073A (ja) | 1989-03-29 | 1990-10-23 | Sony Corp | 超音波モータ |
JPH02287308A (ja) | 1989-04-03 | 1990-11-27 | Mikhailovich Khodosovich Vladimir | 光学ユニットのマウント内のレンズの中心合わせの方法 |
JPH02285320A (ja) | 1989-04-27 | 1990-11-22 | Olympus Optical Co Ltd | 内視鏡の絞装置 |
JP2527807B2 (ja) | 1989-05-09 | 1996-08-28 | 住友大阪セメント株式会社 | 光学的連想識別装置 |
JPH02298431A (ja) | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 放電加工装置 |
JPH02311237A (ja) | 1989-05-25 | 1990-12-26 | Fuji Electric Co Ltd | 搬送装置 |
JPH0335201A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-15 | Nitto Denko Corp | 位相差板及びその製造方法 |
JPH0341399A (ja) | 1989-07-10 | 1991-02-21 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡の製造方法 |
JPH0364811A (ja) | 1989-07-31 | 1991-03-20 | Okazaki Seisakusho:Kk | 中空心線miケーブルと中空心線miケーブルの製造方法 |
JPH0372298A (ja) | 1989-08-14 | 1991-03-27 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡の製造方法 |
JPH0394445A (ja) | 1989-09-06 | 1991-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ搬送システム |
JPH03132663A (ja) | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Fujitsu Ltd | ペリクル |
JPH03134341A (ja) | 1989-10-20 | 1991-06-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ダンパ機構、防振機構およびこのダンパ機構等を組み込む光ビーム走査装置 |
JP2784225B2 (ja) | 1989-11-28 | 1998-08-06 | 双葉電子工業株式会社 | 相対移動量測定装置 |
JP3067142B2 (ja) | 1989-11-28 | 2000-07-17 | 富士通株式会社 | ホトマスクの検査装置及びホトマスクの検査方法 |
JPH03211812A (ja) | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH03246615A (ja) | 1990-02-23 | 1991-11-05 | Nec Corp | マウス入力装置 |
JPH03263810A (ja) | 1990-03-14 | 1991-11-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 半導体露光装置の振動制御方法 |
JPH0710897B2 (ja) | 1990-04-27 | 1995-02-08 | 日本油脂株式会社 | プラスチックレンズ |
JPH0432154A (ja) | 1990-05-25 | 1992-02-04 | Iwasaki Electric Co Ltd | メタルハライドランプ装置 |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JP3077176B2 (ja) | 1990-08-13 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 露光方法、装置、及び素子製造方法 |
US7656504B1 (en) | 1990-08-21 | 2010-02-02 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus with luminous flux distribution |
JP2995820B2 (ja) | 1990-08-21 | 1999-12-27 | 株式会社ニコン | 露光方法及び方法,並びにデバイス製造方法 |
JP3049774B2 (ja) | 1990-12-27 | 2000-06-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法 |
JPH04130710A (ja) | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JP2548834B2 (ja) | 1990-09-25 | 1996-10-30 | 三菱電機株式会社 | 電子ビーム寸法測定装置 |
JPH04133414A (ja) | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nec Yamaguchi Ltd | 縮小投影露光装置 |
JPH04152512A (ja) | 1990-10-16 | 1992-05-26 | Fujitsu Ltd | ウエハチャック |
DE4033556A1 (de) | 1990-10-22 | 1992-04-23 | Suess Kg Karl | Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische |
US5072126A (en) | 1990-10-31 | 1991-12-10 | International Business Machines Corporation | Promixity alignment using polarized illumination and double conjugate projection lens |
JPH04179115A (ja) | 1990-11-08 | 1992-06-25 | Nec Kyushu Ltd | 縮小投影露光装置 |
US6710855B2 (en) * | 1990-11-15 | 2004-03-23 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US6252647B1 (en) | 1990-11-15 | 2001-06-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3094439B2 (ja) | 1990-11-21 | 2000-10-03 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JPH0480052U (ja) | 1990-11-27 | 1992-07-13 | ||
JPH04235558A (ja) | 1991-01-11 | 1992-08-24 | Toshiba Corp | 露光装置 |
JP3084760B2 (ja) | 1991-02-28 | 2000-09-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置 |
JP3084761B2 (ja) | 1991-02-28 | 2000-09-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及びマスク |
JP3255168B2 (ja) | 1991-02-28 | 2002-02-12 | 株式会社ニコン | 露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法、及び露光装置 |
JP3200894B2 (ja) | 1991-03-05 | 2001-08-20 | 株式会社日立製作所 | 露光方法及びその装置 |
JP2860174B2 (ja) | 1991-03-05 | 1999-02-24 | 三菱電機株式会社 | 化学気相成長装置 |
JPH04280619A (ja) | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Canon Inc | ウエハ保持方法およびその保持装置 |
JPH04282539A (ja) | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Hitachi Ltd | 反射・帯電防止膜の形成方法 |
JPH05259069A (ja) | 1991-03-13 | 1993-10-08 | Tokyo Electron Ltd | ウエハ周辺露光方法 |
JPH04211110A (ja) | 1991-03-20 | 1992-08-03 | Hitachi Ltd | 投影式露光方法 |
JPH04296092A (ja) | 1991-03-26 | 1992-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リフロー装置 |
JP2602345Y2 (ja) | 1991-03-29 | 2000-01-11 | 京セラ株式会社 | 静圧軸受装置 |
US5251222A (en) | 1991-04-01 | 1993-10-05 | Teledyne Industries, Inc. | Active multi-stage cavity sensor |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JP3200874B2 (ja) | 1991-07-10 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH04330961A (ja) | 1991-05-01 | 1992-11-18 | Matsushita Electron Corp | 現像処理装置 |
FR2676288B1 (fr) | 1991-05-07 | 1994-06-17 | Thomson Csf | Collecteur d'eclairage pour projecteur. |
JPH04343307A (ja) | 1991-05-20 | 1992-11-30 | Ricoh Co Ltd | レーザー調整装置 |
JP2884830B2 (ja) | 1991-05-28 | 1999-04-19 | キヤノン株式会社 | 自動焦点合せ装置 |
US5541026A (en) | 1991-06-13 | 1996-07-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and photo mask |
JPH0590128A (ja) | 1991-06-13 | 1993-04-09 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH0545886A (ja) | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Nikon Corp | 角形基板の露光装置 |
US5272501A (en) | 1991-08-28 | 1993-12-21 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
US5348837A (en) | 1991-09-24 | 1994-09-20 | Hitachi, Ltd. | Projection exposure apparatus and pattern forming method for use therewith |
JPH05109601A (ja) | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
KR950004968B1 (ko) | 1991-10-15 | 1995-05-16 | 가부시키가이샤 도시바 | 투영노광 장치 |
JPH05129184A (ja) | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPH05127086A (ja) | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光強度の均一化方法およびそれを用いた露光装置 |
JPH05134115A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-05-28 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 複屈折部材 |
JP3203719B2 (ja) | 1991-12-26 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
JPH05199680A (ja) | 1992-01-17 | 1993-08-06 | Honda Motor Co Ltd | 電源装置 |
JPH0794969B2 (ja) | 1992-01-29 | 1995-10-11 | 株式会社ソルテック | 位置合せ方法及びその装置 |
JP3194155B2 (ja) | 1992-01-31 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置 |
JPH05217837A (ja) | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Toshiba Corp | Xy移動テーブル |
JP2866243B2 (ja) * | 1992-02-10 | 1999-03-08 | 三菱電機株式会社 | 投影露光装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2796005B2 (ja) | 1992-02-10 | 1998-09-10 | 三菱電機株式会社 | 投影露光装置及び偏光子 |
JPH05241324A (ja) | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Nikon Corp | フォトマスク及び露光方法 |
JP3153372B2 (ja) | 1992-02-26 | 2001-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JPH05243364A (ja) | 1992-03-02 | 1993-09-21 | Hitachi Ltd | 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置 |
JP3278896B2 (ja) | 1992-03-31 | 2002-04-30 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
US5312513A (en) | 1992-04-03 | 1994-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Methods of forming multiple phase light modulators |
JPH05304072A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3242693B2 (ja) | 1992-05-15 | 2001-12-25 | 富士通株式会社 | ペリクル貼り付け装置 |
JP2673130B2 (ja) | 1992-05-20 | 1997-11-05 | 株式会社キトー | 走行用レールの吊下支持装置 |
JP2946950B2 (ja) | 1992-06-25 | 1999-09-13 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた露光装置 |
JPH0629204A (ja) | 1992-07-08 | 1994-02-04 | Fujitsu Ltd | レジスト現像方法及び装置 |
JPH0629102A (ja) | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Alps Electric Co Ltd | チップ抵抗器およびその製造方法 |
JPH0636054A (ja) | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | ワンチップマイクロコンピュータ |
JP3246615B2 (ja) * | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JPH07318847A (ja) | 1994-05-26 | 1995-12-08 | Nikon Corp | 照明光学装置 |
JPH06104167A (ja) | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | 露光装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2884947B2 (ja) | 1992-10-01 | 1999-04-19 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、露光方法および半導体集積回路の製造方法 |
US6404482B1 (en) | 1992-10-01 | 2002-06-11 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
JPH06118623A (ja) | 1992-10-07 | 1994-04-28 | Fujitsu Ltd | レチクル及びこれを用いた半導体露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2724787B2 (ja) | 1992-10-09 | 1998-03-09 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置 |
JPH06124872A (ja) | 1992-10-14 | 1994-05-06 | Canon Inc | 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法 |
US5459000A (en) | 1992-10-14 | 1995-10-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Image projection method and device manufacturing method using the image projection method |
JP3322274B2 (ja) | 1992-10-29 | 2002-09-09 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び投影露光装置 |
JPH06148399A (ja) | 1992-11-05 | 1994-05-27 | Nikon Corp | X線用多層膜ミラーおよびx線顕微鏡 |
JPH06163350A (ja) | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Matsushita Electron Corp | 投影露光方法および装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JPH06177007A (ja) | 1992-12-01 | 1994-06-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 投影露光装置 |
JP3180133B2 (ja) | 1992-12-01 | 2001-06-25 | 日本電信電話株式会社 | 投影露光装置 |
JP2866267B2 (ja) | 1992-12-11 | 1999-03-08 | 三菱電機株式会社 | 光描画装置およびウェハ基板の光描画方法 |
JP2698521B2 (ja) | 1992-12-14 | 1998-01-19 | キヤノン株式会社 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
JPH06181157A (ja) | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Nikon Corp | 低発塵性の装置 |
JPH06186025A (ja) | 1992-12-16 | 1994-07-08 | Yunisun:Kk | 三次元測定装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JP3201027B2 (ja) | 1992-12-22 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
JP2765422B2 (ja) | 1992-12-28 | 1998-06-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JPH06204121A (ja) | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Canon Inc | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JP2786070B2 (ja) | 1993-01-29 | 1998-08-13 | セントラル硝子株式会社 | 透明板状体の検査方法およびその装置 |
JPH07245258A (ja) | 1994-03-08 | 1995-09-19 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
US5739898A (en) | 1993-02-03 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
JPH06241720A (ja) | 1993-02-18 | 1994-09-02 | Sony Corp | 変位量の測定方法及び変位計 |
JPH06244082A (ja) | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JP3291818B2 (ja) | 1993-03-16 | 2002-06-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法 |
JP3537843B2 (ja) | 1993-03-19 | 2004-06-14 | 株式会社テクノ菱和 | クリーンルーム用イオナイザー |
JPH0777191B2 (ja) | 1993-04-06 | 1995-08-16 | 日本電気株式会社 | 露光光投射装置 |
JP3309871B2 (ja) | 1993-04-27 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
JPH06326174A (ja) | 1993-05-12 | 1994-11-25 | Hitachi Ltd | ウェハ真空吸着装置 |
JP3265503B2 (ja) | 1993-06-11 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
JPH07142338A (ja) * | 1993-06-14 | 1995-06-02 | Canon Inc | 像投影方法及びそれを用いた露光装置 |
JP3463335B2 (ja) | 1994-02-17 | 2003-11-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5677757A (en) | 1994-03-29 | 1997-10-14 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US6304317B1 (en) * | 1993-07-15 | 2001-10-16 | Nikon Corporation | Projection apparatus and method |
JP3291849B2 (ja) | 1993-07-15 | 2002-06-17 | 株式会社ニコン | 露光方法、デバイス形成方法、及び露光装置 |
JPH0757992A (ja) | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH0757993A (ja) | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3844787B2 (ja) | 1993-09-02 | 2006-11-15 | 日産化学工業株式会社 | フッ化マグネシウム水和物ゾルとその製造法 |
JP3359123B2 (ja) | 1993-09-20 | 2002-12-24 | キヤノン株式会社 | 収差補正光学系 |
JP3099933B2 (ja) | 1993-12-28 | 2000-10-16 | 株式会社東芝 | 露光方法及び露光装置 |
KR0153796B1 (ko) | 1993-09-24 | 1998-11-16 | 사토 후미오 | 노광장치 및 노광방법 |
JPH07122469A (ja) | 1993-10-20 | 1995-05-12 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3505810B2 (ja) | 1993-10-29 | 2004-03-15 | 株式会社日立製作所 | パターン露光方法及びその装置 |
KR0166612B1 (ko) | 1993-10-29 | 1999-02-01 | 가나이 쓰토무 | 패턴노광방법 및 그 장치와 그것에 이용되는 마스크와 그것을 이용하여 만들어진 반도체 집적회로 |
JP3376045B2 (ja) | 1993-11-09 | 2003-02-10 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JPH07134955A (ja) | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Hitachi Ltd | 表示装置およびその反射率調整方法 |
JP3339144B2 (ja) | 1993-11-11 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置及び露光方法 |
JP3278303B2 (ja) | 1993-11-12 | 2002-04-30 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JPH07147223A (ja) | 1993-11-26 | 1995-06-06 | Hitachi Ltd | パターン形成方法 |
DE69434108T2 (de) | 1993-12-01 | 2006-02-02 | Sharp K.K. | Display für dreidimensionale Bilder |
JPH07161622A (ja) | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH07167998A (ja) | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Nikon Corp | レーザープラズマx線源用標的 |
JP3487517B2 (ja) | 1993-12-16 | 2004-01-19 | 株式会社リコー | 往復移動装置 |
JP3508190B2 (ja) | 1993-12-21 | 2004-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 照明装置及び投写型表示装置 |
JPH07183201A (ja) | 1993-12-21 | 1995-07-21 | Nec Corp | 露光装置および露光方法 |
JPH07190741A (ja) | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JPH07220989A (ja) | 1994-01-27 | 1995-08-18 | Canon Inc | 露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JP2715895B2 (ja) | 1994-01-31 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 光強度分布シミュレーション方法 |
JP3372633B2 (ja) | 1994-02-04 | 2003-02-04 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法及びそれを用いた位置合わせ装置 |
JPH07234382A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超解像走査光学装置 |
JP2836483B2 (ja) | 1994-05-13 | 1998-12-14 | 日本電気株式会社 | 照明光学装置 |
US5559583A (en) | 1994-02-24 | 1996-09-24 | Nec Corporation | Exposure system and illuminating apparatus used therein and method for exposing a resist film on a wafer |
JPH07239212A (ja) | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Nikon Corp | 位置検出装置 |
JPH07243814A (ja) | 1994-03-03 | 1995-09-19 | Fujitsu Ltd | 線幅測定方法 |
JPH07263315A (ja) | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Toshiba Corp | 投影露光装置 |
US6333776B1 (en) | 1994-03-29 | 2001-12-25 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US20020080338A1 (en) | 1994-03-29 | 2002-06-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
JPH07283119A (ja) | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 露光装置および露光方法 |
FR2719124B1 (fr) | 1994-04-21 | 1996-06-07 | Merlin Gerin | Procédé et dispositif de correction d'un signal de courant. |
JPH088177A (ja) | 1994-04-22 | 1996-01-12 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP3193567B2 (ja) | 1994-04-27 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 基板収容容器 |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH07335748A (ja) | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
EP0687956B2 (de) | 1994-06-17 | 2005-11-23 | Carl Zeiss SMT AG | Beleuchtungseinrichtung |
US5473465A (en) | 1994-06-24 | 1995-12-05 | Ye; Chun | Optical rotator and rotation-angle-variable half-waveplate rotator |
JP3800616B2 (ja) | 1994-06-27 | 2006-07-26 | 株式会社ニコン | 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置 |
JP3205663B2 (ja) | 1994-06-29 | 2001-09-04 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビーム装置 |
JP3090577B2 (ja) | 1994-06-29 | 2000-09-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 導電体層除去方法およびシステム |
JPH0822948A (ja) | 1994-07-08 | 1996-01-23 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JP3205468B2 (ja) | 1994-07-25 | 2001-09-04 | 株式会社日立製作所 | ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置 |
JPH0846751A (ja) | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 照明光学系 |
JP3613288B2 (ja) | 1994-10-18 | 2005-01-26 | 株式会社ニコン | 露光装置用のクリーニング装置 |
CN1128381C (zh) | 1994-10-26 | 2003-11-19 | 精工爱普生株式会社 | 液晶装置和使用该液晶装置的电子设备 |
JPH08136475A (ja) | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Kawasaki Steel Corp | 板状材の表面観察装置 |
JPH08151220A (ja) | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nippon Sekiei Glass Kk | 石英ガラスの成形方法 |
JPH08162397A (ja) | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
JPH08171054A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH08195375A (ja) | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Sony Corp | 回転乾燥方法および回転乾燥装置 |
JPH08203803A (ja) | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP3521544B2 (ja) | 1995-05-24 | 2004-04-19 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JP3312164B2 (ja) | 1995-04-07 | 2002-08-05 | 日本電信電話株式会社 | 真空吸着装置 |
JPH08297699A (ja) | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Hitachi Ltd | 製造不良解析支援システム、製造システム、および製造不良解析支援方法 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5631721A (en) | 1995-05-24 | 1997-05-20 | Svg Lithography Systems, Inc. | Hybrid illumination system for use in photolithography |
US5663785A (en) | 1995-05-24 | 1997-09-02 | International Business Machines Corporation | Diffraction pupil filler modified illuminator for annular pupil fills |
US5680588A (en) | 1995-06-06 | 1997-10-21 | International Business Machines Corporation | Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system |
KR0155830B1 (ko) | 1995-06-19 | 1998-11-16 | 김광호 | 변형노광장치 및 노광방법 |
JP3531297B2 (ja) | 1995-06-19 | 2004-05-24 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
KR100474578B1 (ko) | 1995-06-23 | 2005-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치와그제조방법,조명광학장치와그제조방법,노광방법,조명광학계의제조방법및반도체소자의제조방법 |
JP3561556B2 (ja) | 1995-06-29 | 2004-09-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | マスクの製造方法 |
JP3637639B2 (ja) | 1995-07-10 | 2005-04-13 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH09108551A (ja) | 1995-08-11 | 1997-04-28 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 浄水器 |
JPH0961686A (ja) | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Nikon Corp | プラスチックレンズ |
JPH0982626A (ja) | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3487527B2 (ja) | 1995-09-14 | 2004-01-19 | 株式会社東芝 | 光屈折装置 |
US5815247A (en) | 1995-09-21 | 1998-09-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures |
JPH0992593A (ja) | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
DE19535392A1 (de) * | 1995-09-23 | 1997-03-27 | Zeiss Carl Fa | Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit |
JP3433403B2 (ja) | 1995-10-16 | 2003-08-04 | 三星電子株式会社 | ステッパのインタフェース装置 |
JPH09134870A (ja) | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Hitachi Ltd | パターン形成方法および形成装置 |
JPH09148406A (ja) | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板搬送装置 |
JPH09151658A (ja) | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Nichibei Co Ltd | 移動間仕切壁のランナ連結装置 |
JPH09160004A (ja) | 1995-12-01 | 1997-06-20 | Denso Corp | 液晶セル及びその空セル |
JP3406957B2 (ja) | 1995-12-06 | 2003-05-19 | キヤノン株式会社 | 光学素子及びそれを用いた露光装置 |
JPH09162106A (ja) | 1995-12-11 | 1997-06-20 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JPH09178415A (ja) | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Nikon Corp | 光波干渉測定装置 |
JPH09184787A (ja) | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Olympus Optical Co Ltd | 光学レンズ用解析評価装置 |
JP3232473B2 (ja) | 1996-01-10 | 2001-11-26 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP3189661B2 (ja) | 1996-02-05 | 2001-07-16 | ウシオ電機株式会社 | 光源装置 |
JP3576685B2 (ja) | 1996-02-07 | 2004-10-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JPH09227294A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-02 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 人工水晶の製造方法 |
JPH09232213A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2001500628A (ja) * | 1996-02-28 | 2001-01-16 | ケニス シー ジョンソン | マイクロリトグラフィ用マイクロレンズスキャナ及び広フィールド共焦顕微鏡 |
JPH09243892A (ja) | 1996-03-06 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子 |
JP3782151B2 (ja) | 1996-03-06 | 2006-06-07 | キヤノン株式会社 | エキシマレーザー発振装置のガス供給装置 |
JP3601174B2 (ja) | 1996-03-14 | 2004-12-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JPH09281077A (ja) | 1996-04-16 | 1997-10-31 | Hitachi Ltd | キャピラリ−電気泳動装置 |
RU2084941C1 (ru) | 1996-05-06 | 1997-07-20 | Йелстаун Корпорейшн Н.В. | Адаптивный оптический модуль |
JP2691341B2 (ja) | 1996-05-27 | 1997-12-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH09326338A (ja) | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Nikon Corp | 製造管理装置 |
JPH09325255A (ja) | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Olympus Optical Co Ltd | 電子カメラ |
JPH103039A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH102865A (ja) | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Nikon Corp | レチクルの検査装置およびその検査方法 |
JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH1032160A (ja) | 1996-07-17 | 1998-02-03 | Toshiba Corp | パターン露光方法及び露光装置 |
JP3646415B2 (ja) | 1996-07-18 | 2005-05-11 | ソニー株式会社 | マスク欠陥の検出方法 |
JPH1038517A (ja) | 1996-07-23 | 1998-02-13 | Canon Inc | 光学式変位測定装置 |
JPH1079337A (ja) | 1996-09-04 | 1998-03-24 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3646757B2 (ja) | 1996-08-22 | 2005-05-11 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
JPH1055713A (ja) | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Ushio Inc | 紫外線照射装置 |
JPH1062305A (ja) | 1996-08-19 | 1998-03-06 | Advantest Corp | Ccdカメラの感度補正方法およびccdカメラ感度補正機能付lcdパネル表示試験システム |
JPH1082611A (ja) | 1996-09-10 | 1998-03-31 | Nikon Corp | 面位置検出装置 |
JPH1092735A (ja) | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2914315B2 (ja) | 1996-09-20 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法 |
JPH10104427A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-24 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 波長板およびそれを備えた光ピックアップ装置 |
DE19781041B4 (de) | 1996-10-08 | 2010-02-18 | Citizen Holdings Co., Ltd., Nishitokyo | Optische Vorrichtung |
JPH10116760A (ja) | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Nikon Corp | 露光装置及び基板保持装置 |
JPH10116778A (ja) | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Canon Inc | スキャン露光装置 |
JPH10116779A (ja) | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Nikon Corp | ステージ装置 |
JP3955985B2 (ja) | 1996-10-16 | 2007-08-08 | 株式会社ニコン | マーク位置検出装置及び方法 |
KR100191329B1 (ko) | 1996-10-23 | 1999-06-15 | 윤종용 | 인터넷상에서의 원격교육방법 및 그 장치. |
JP3991166B2 (ja) | 1996-10-25 | 2007-10-17 | 株式会社ニコン | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JPH10135099A (ja) | 1996-10-25 | 1998-05-22 | Sony Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
IL130137A (en) | 1996-11-28 | 2003-07-06 | Nikon Corp | Exposure apparatus and an exposure method |
JP3624065B2 (ja) | 1996-11-29 | 2005-02-23 | キヤノン株式会社 | 基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置 |
JPH10169249A (ja) | 1996-12-12 | 1998-06-23 | Ohbayashi Corp | 免震構造 |
JPH10189700A (ja) | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Sony Corp | ウェーハ保持機構 |
DE69735016T2 (de) | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
US5841500A (en) * | 1997-01-09 | 1998-11-24 | Tellium, Inc. | Wedge-shaped liquid crystal cell |
JP2910716B2 (ja) | 1997-01-16 | 1999-06-23 | 日本電気株式会社 | 光強度計算のパラメトリック解析方法 |
JPH10206714A (ja) | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Canon Inc | レンズ移動装置 |
JP2926325B2 (ja) | 1997-01-23 | 1999-07-28 | 株式会社ニコン | 走査露光方法 |
JPH10209018A (ja) | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X線マスクフレームおよびx線マスクの保持方法 |
KR970016641U (ko) | 1997-02-06 | 1997-05-23 | 이석우 | 타이어의 스노우 체인 |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JPH10294268A (ja) | 1997-04-16 | 1998-11-04 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置合わせ方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JPH118194A (ja) | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Nikon Corp | 露光条件測定方法、投影光学系の評価方法及びリソグラフィシステム |
KR100261888B1 (ko) | 1997-04-30 | 2000-07-15 | 전주범 | 디지탈 비디오 디스크 레코더의 사용자 정보 처리방법 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH113856A (ja) | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Canon Inc | 投影露光方法及び投影露光装置 |
JP3233341B2 (ja) | 1997-06-12 | 2001-11-26 | 船井電機株式会社 | 製パン機およびこれに用いられる記録媒体 |
JPH113849A (ja) | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Sony Corp | 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置 |
JPH1114876A (ja) | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 光学構造体、その光学構造体を組み込んだ投影露光用光学系及び投影露光装置 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JPH1140657A (ja) | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Nikon Corp | 試料保持装置および走査型露光装置 |
US6829041B2 (en) | 1997-07-29 | 2004-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system and projection exposure apparatus having the same |
JP3264224B2 (ja) | 1997-08-04 | 2002-03-11 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JP3413074B2 (ja) | 1997-08-29 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JPH1187237A (ja) | 1997-09-10 | 1999-03-30 | Nikon Corp | アライメント装置 |
JP4164905B2 (ja) | 1997-09-25 | 2008-10-15 | 株式会社ニコン | 電磁力モータ、ステージ装置および露光装置 |
JP2000106340A (ja) | 1997-09-26 | 2000-04-11 | Nikon Corp | 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置 |
JPH11111819A (ja) | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd | ウェハーの固定方法及び露光装置 |
JPH11111818A (ja) | 1997-10-03 | 1999-04-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | ウェハ保持装置及びウェハ保持具 |
JPH11111601A (ja) | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JPH11195602A (ja) | 1997-10-07 | 1999-07-21 | Nikon Corp | 投影露光方法及び装置 |
JP3097620B2 (ja) | 1997-10-09 | 2000-10-10 | 日本電気株式会社 | 走査型縮小投影露光装置 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH11142556A (ja) | 1997-11-13 | 1999-05-28 | Nikon Corp | ステージ制御方法、ステージ装置、及び該装置を備えた露光装置 |
JPH11150062A (ja) | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Nikon Corp | 除振装置及び露光装置並びに除振台の除振方法 |
AU1175799A (en) | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Nikon Corporation | Projection aligner and projection exposure method |
JPH11162831A (ja) | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH11283903A (ja) | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Nikon Corp | 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置 |
JPH11163103A (ja) | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
JPH11159571A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Nikon Corp | 機械装置、露光装置及び露光装置の運転方法 |
JPH11166990A (ja) | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置 |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3673633B2 (ja) | 1997-12-16 | 2005-07-20 | キヤノン株式会社 | 投影光学系の組立調整方法 |
AU1504799A (en) | 1997-12-16 | 1999-07-05 | Nikon Corporation | Aligner, exposure method and method of manufacturing device |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
TW449672B (en) | 1997-12-25 | 2001-08-11 | Nippon Kogaku Kk | Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same |
AU1689899A (en) * | 1997-12-26 | 1999-07-19 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
JPH11204390A (ja) | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
JPH11219882A (ja) | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Nikon Corp | ステージ及び露光装置 |
JP3820728B2 (ja) | 1998-02-04 | 2006-09-13 | 東レ株式会社 | 基板の測定装置 |
JPH11288879A (ja) | 1998-02-04 | 1999-10-19 | Hitachi Ltd | 露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法 |
JPH11233434A (ja) | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
DE19807120A1 (de) * | 1998-02-20 | 1999-08-26 | Zeiss Carl Fa | Optisches System mit Polarisationskompensator |
JP4207240B2 (ja) | 1998-02-20 | 2009-01-14 | 株式会社ニコン | 露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
JPH11239758A (ja) | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
JPH11260791A (ja) | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置 |
JPH11260686A (ja) | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Toshiba Corp | 露光方法 |
JPH11264756A (ja) | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置 |
WO1999049366A1 (fr) | 1998-03-20 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Photomasque et systeme d'exposition par projection |
EP1069600A4 (en) | 1998-03-24 | 2002-11-20 | Nikon Corp | ILLUMINATOR, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE |
AU2958299A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Exposure method and system, photomask, method of manufacturing photomask, micro-device and method of manufacturing micro-device |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
DE69931690T2 (de) | 1998-04-08 | 2007-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat |
JPH11307610A (ja) | 1998-04-22 | 1999-11-05 | Nikon Corp | 基板搬送装置及び露光装置 |
US6238063B1 (en) * | 1998-04-27 | 2001-05-29 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
JPH11312631A (ja) | 1998-04-27 | 1999-11-09 | Nikon Corp | 照明光学装置および露光装置 |
JP4090115B2 (ja) | 1998-06-09 | 2008-05-28 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
JP3985346B2 (ja) | 1998-06-12 | 2007-10-03 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法 |
AU4167199A (en) | 1998-06-17 | 2000-01-05 | Nikon Corporation | Method for producing mask |
JP2000012453A (ja) | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Nikon Corp | 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法 |
JP2000021742A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
JP2000021748A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
DE19829612A1 (de) | 1998-07-02 | 2000-01-05 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator |
JP2000032403A (ja) | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Sony Corp | データ伝送方法、データ送信装置及び受信装置 |
JP2000029202A (ja) | 1998-07-15 | 2000-01-28 | Nikon Corp | マスクの製造方法 |
JP2000036449A (ja) | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
AU4930099A (en) | 1998-08-18 | 2000-03-14 | Nikon Corporation | Illuminator and projection exposure apparatus |
JP2000081320A (ja) | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Canon Inc | 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2000092815A (ja) | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Canon Inc | ステージ装置および該ステージ装置を用いた露光装置 |
US6498501B2 (en) * | 1998-09-15 | 2002-12-24 | Vibro-Meter, S.A. | Measuring circuit |
JP4132397B2 (ja) | 1998-09-16 | 2008-08-13 | 積水化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物、液晶注入口封止剤及び液晶表示セル |
JP2000097616A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 干渉計 |
US6031658A (en) | 1998-09-25 | 2000-02-29 | University Of Central Florida | Digital control polarization based optical scanner |
JP4065923B2 (ja) | 1998-09-29 | 2008-03-26 | 株式会社ニコン | 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法 |
JP2000121491A (ja) | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Nikon Corp | 光学系の評価方法 |
JP2001176766A (ja) | 1998-10-29 | 2001-06-29 | Nikon Corp | 照明装置及び投影露光装置 |
JP2000147346A (ja) | 1998-11-09 | 2000-05-26 | Toshiba Corp | モールドレンズの取付機構 |
JP2000180371A (ja) | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Sharp Corp | 異物検査装置および半導体工程装置 |
US6563567B1 (en) | 1998-12-17 | 2003-05-13 | Nikon Corporation | Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus |
KR20000048227A (ko) | 1998-12-17 | 2000-07-25 | 오노 시게오 | 이미지 투사 장치를 이용한 표면 조명 방법 및 조명 광학시스템 |
US6406148B1 (en) * | 1998-12-31 | 2002-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Electronic color switching in field sequential video displays |
KR20010088279A (ko) * | 1999-01-06 | 2001-09-26 | 시마무라 테루오 | 투영광학계, 그 제조방법, 및 이를 사용한 투영노광장치 |
JP4146952B2 (ja) | 1999-01-11 | 2008-09-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2000208407A (ja) | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2000243684A (ja) | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2000240717A (ja) | 1999-02-19 | 2000-09-05 | Canon Inc | 能動的除振装置 |
JP2000252201A (ja) | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Nikon Corp | 面位置検出方法および装置、これらを用いた投影露光方法および装置、半導体デバイス製造方法 |
JP2000283889A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Nikon Corp | 投影光学系の検査装置及び検査方法、露光装置、並びに、マイクロデバイスの製造方法 |
JP2000286176A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Hitachi Ltd | 半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置 |
JP2001174615A (ja) | 1999-04-15 | 2001-06-29 | Nikon Corp | 回折光学素子、該素子の製造方法、該素子を備える照明装置、投影露光装置、露光方法、及び光ホモジナイザー、該光ホモジナイザーの製造方法 |
AU4143000A (en) | 1999-04-28 | 2000-11-17 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
DE19921795A1 (de) | 1999-05-11 | 2000-11-23 | Zeiss Carl Fa | Projektions-Belichtungsanlage und Belichtungsverfahren der Mikrolithographie |
AU3193800A (en) | 1999-05-18 | 2000-12-05 | Nikon Corporation | Exposure method, illuminating device, and exposure system |
US6498869B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-12-24 | Xiaotian Steve Yao | Devices for depolarizing polarized light |
JP2000003874A (ja) | 1999-06-15 | 2000-01-07 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2001007015A (ja) | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Canon Inc | ステージ装置 |
WO2001003170A1 (fr) | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition |
AU5848100A (en) * | 1999-07-05 | 2001-01-22 | Nikon Corporation | Method for producing quartz glass member and quartz glass member produced thereby |
JP2001020951A (ja) | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Toto Ltd | 静圧気体軸受 |
JP2001023996A (ja) | 1999-07-08 | 2001-01-26 | Sony Corp | 半導体製造方法 |
DE10029938A1 (de) | 1999-07-09 | 2001-07-05 | Zeiss Carl | Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett |
JP2001037201A (ja) | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Nikon Corp | モータ装置、ステージ装置及び露光装置 |
JP2001100311A (ja) | 1999-07-23 | 2001-04-13 | Seiko Epson Corp | プロジェクタ |
JP2001044097A (ja) | 1999-07-26 | 2001-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
US6280034B1 (en) | 1999-07-30 | 2001-08-28 | Philips Electronics North America Corporation | Efficient two-panel projection system employing complementary illumination |
JP3110023B1 (ja) | 1999-09-02 | 2000-11-20 | 岩堀 雅行 | 燃料放出装置 |
AU6865300A (en) | 1999-09-10 | 2001-04-17 | Nikon Corporation | Light source and wavelength stabilization control method, exposure apparatus andexposure method, method for producing exposure apparatus, and device manufactur ing method and device |
JP2001083472A (ja) | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Nikon Corp | 光変調装置、光源装置、及び露光装置 |
JP4362857B2 (ja) | 1999-09-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 光源装置及び露光装置 |
WO2001022480A1 (fr) | 1999-09-20 | 2001-03-29 | Nikon Corporation | Mecanisme a attelages paralleles, systeme d'exposition et procede de fabrication, et procede de fabrication de dispositifs |
EP1139138A4 (en) * | 1999-09-29 | 2006-03-08 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESS, DEVICE AND OPTICAL PROJECTION SYSTEM |
WO2001023933A1 (fr) | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Nikon Corporation | Systeme optique de projection |
JP2001097734A (ja) | 1999-09-30 | 2001-04-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラス製容器およびその製造方法 |
WO2001027978A1 (fr) | 1999-10-07 | 2001-04-19 | Nikon Corporation | Substrat, dispositif a etage, procede d'attaque d'etage, systeme d'exposition et procede d'exposition |
JP2001110707A (ja) | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Orc Mfg Co Ltd | 周辺露光装置の光学系 |
JP2001118773A (ja) | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2001135560A (ja) | 1999-11-04 | 2001-05-18 | Nikon Corp | 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法 |
WO2001035451A1 (fr) | 1999-11-09 | 2001-05-17 | Nikon Corporation | Illuminateur, aligneur, et procede de fabrication d'un tel dispositif |
JP2001144004A (ja) | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Nikon Corp | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6361909B1 (en) | 1999-12-06 | 2002-03-26 | Industrial Technology Research Institute | Illumination aperture filter design using superposition |
JP2001167996A (ja) | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
TW546550B (en) | 1999-12-13 | 2003-08-11 | Asml Netherlands Bv | An illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus |
EP1109067B1 (en) | 1999-12-13 | 2006-05-24 | ASML Netherlands B.V. | Illuminator |
JP2002118058A (ja) | 2000-01-13 | 2002-04-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び方法 |
JP2001203140A (ja) | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3413485B2 (ja) | 2000-01-31 | 2003-06-03 | 住友重機械工業株式会社 | リニアモータにおける推力リップル測定方法 |
JP2005233979A (ja) | 2000-02-09 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP4018309B2 (ja) | 2000-02-14 | 2007-12-05 | 松下電器産業株式会社 | 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置 |
JP2001228404A (ja) | 2000-02-14 | 2001-08-24 | Nikon Engineering Co Ltd | 落射型顕微鏡、プローブカードの検査装置、および、プローブカードの製造方法 |
JP3302965B2 (ja) | 2000-02-15 | 2002-07-15 | 株式会社東芝 | 露光装置の検査方法 |
JP2001228401A (ja) | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
SG124257A1 (en) | 2000-02-25 | 2006-08-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2002100561A (ja) | 2000-07-19 | 2002-04-05 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2001242269A (ja) | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Nikon Corp | ステージ装置及びステージ駆動方法並びに露光装置及び露光方法 |
DE10010131A1 (de) | 2000-03-03 | 2001-09-06 | Zeiss Carl | Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion |
US7301605B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-11-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices |
DE10012017A1 (de) * | 2000-03-11 | 2001-09-13 | Basysprint Gmbh Sys Druckind | Belichtungsvorrichtung und Verfahren zur Kompensation von optischen Fehlern |
JP2001264696A (ja) | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Canon Inc | 照明光学系及びそれを備えた露光装置 |
JP2001265581A (ja) | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Canon Inc | ソフトウエアの不正使用防止システムおよび不正使用防止方法 |
JP2001267227A (ja) | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Canon Inc | 除振システム、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2001338868A (ja) | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Nikon Corp | 照度計測装置及び露光装置 |
JP2001272764A (ja) | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Canon Inc | 投影露光用フォトマスク、およびそれを用いた投影露光方法 |
JP4689064B2 (ja) | 2000-03-30 | 2011-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2001282526A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | ソフトウェア管理装置、方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP3927753B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2007-06-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2001296105A (ja) | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Nikon Corp | 面位置検出装置、並びに該検出装置を用いた露光装置および露光方法 |
JP2001297976A (ja) | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
JP3514439B2 (ja) | 2000-04-20 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法 |
JP2001307983A (ja) | 2000-04-20 | 2001-11-02 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2001304332A (ja) | 2000-04-24 | 2001-10-31 | Canon Inc | 能動制振装置 |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
EP1277088A1 (en) * | 2000-04-25 | 2003-01-22 | Silicon Valley Group, Inc. | Optical reduction system with elimination of reticle diffraction induced bias |
DE60124524T2 (de) | 2000-04-25 | 2007-03-08 | Asml Holding, N.V. | Optisches reduktionssystem mit kontrolle der belichtungspolarisation |
JP2002057097A (ja) | 2000-05-31 | 2002-02-22 | Nikon Corp | 露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法 |
JP2002016124A (ja) | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Sony Corp | ウェーハ搬送アーム機構 |
JP2002015978A (ja) | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2002043213A (ja) | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Nikon Corp | ステージ装置および露光装置 |
JP2002035980A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法、並びにレーザ発振器 |
KR100775796B1 (ko) | 2000-08-18 | 2007-11-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학소자 유지장치 |
JP3645801B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2005-05-11 | ペンタックス株式会社 | ビーム列検出方法および検出用位相フィルター |
JP2002071513A (ja) | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Nikon Corp | 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法 |
JP4504537B2 (ja) | 2000-08-29 | 2010-07-14 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スピン処理装置 |
JP2002075835A (ja) | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
US6373614B1 (en) * | 2000-08-31 | 2002-04-16 | Cambridge Research Instrumentation Inc. | High performance polarization controller and polarization sensor |
JP2002093690A (ja) | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002093686A (ja) | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2002091922A (ja) | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Fujitsu General Ltd | アプリケーションソフトとコンテンツの配信管理方法と配信管理システム |
KR100877022B1 (ko) | 2000-10-10 | 2009-01-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상성능의 평가방법 |
JP4245286B2 (ja) | 2000-10-23 | 2009-03-25 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
JP2002141270A (ja) | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Nikon Corp | 露光装置 |
US20020075467A1 (en) | 2000-12-20 | 2002-06-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
JP2002158157A (ja) | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Nikon Corp | 照明光学装置および露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 |
JP2002162655A (ja) | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Sony Corp | 光学装置 |
JP2002170495A (ja) | 2000-11-28 | 2002-06-14 | Akira Sekino | 隔壁一体型合成樹脂背面基板 |
JP2002231619A (ja) | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP2002190438A (ja) | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2002198284A (ja) | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Nikon Corp | ステージ装置および露光装置 |
JP2002203763A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Nikon Corp | 光学特性計測方法及び装置、信号感度設定方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002195912A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Nikon Corp | 光学特性計測方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002202221A (ja) | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Nikon Corp | 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP3495992B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2004-02-09 | キヤノン株式会社 | 補正装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス |
US6563566B2 (en) | 2001-01-29 | 2003-05-13 | International Business Machines Corporation | System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle |
JP2002229215A (ja) | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2002227924A (ja) | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Canon Inc | 制震ダンパ及び制震ダンパを備えた露光装置 |
SE0100336L (sv) | 2001-02-05 | 2002-08-06 | Micronic Laser Systems Ab | Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område |
JP4345098B2 (ja) | 2001-02-06 | 2009-10-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
DE10113612A1 (de) | 2001-02-23 | 2002-09-05 | Zeiss Carl | Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem |
TWI285295B (en) | 2001-02-23 | 2007-08-11 | Asml Netherlands Bv | Illumination optimization in lithography |
US6611316B2 (en) | 2001-02-27 | 2003-08-26 | Asml Holding N.V. | Method and system for dual reticle image exposure |
JP2002258487A (ja) | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP4501292B2 (ja) | 2001-03-05 | 2010-07-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 被塗布基材及び塗布材の塗布方法並びに素子の製造方法 |
JP2002289505A (ja) | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Nikon Corp | 露光装置,露光装置の調整方法,マイクロデバイスの製造方法 |
JPWO2002080185A1 (ja) | 2001-03-28 | 2004-07-22 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002365783A (ja) | 2001-04-05 | 2002-12-18 | Sony Corp | マスクパターンの作成装置、高解像度マスクの作製装置及び作製方法、並びにレジストパターン形成方法 |
JP2002305140A (ja) | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
WO2002084850A1 (fr) | 2001-04-09 | 2002-10-24 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege |
US7217503B2 (en) | 2001-04-24 | 2007-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
JP2002324743A (ja) | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP3937903B2 (ja) | 2001-04-24 | 2007-06-27 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び装置 |
JP2002329651A (ja) | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Nikon Corp | 露光装置、露光装置の製造方法、及びマイクロデバイスの製造方法 |
DE10124566A1 (de) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür |
DE10123725A1 (de) | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren |
EP1390783A2 (de) | 2001-05-15 | 2004-02-25 | Carl Zeiss | Objektiv mit fluorid-kristall-linsen |
DE10124474A1 (de) | 2001-05-19 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Mikrolithographisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsobjektiv zur Durchführung des Verfahrens |
DE10124803A1 (de) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Zeiss Carl | Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator |
US7053988B2 (en) * | 2001-05-22 | 2006-05-30 | Carl Zeiss Smt Ag. | Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine |
JP2002353105A (ja) | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Nikon Corp | 照明光学装置,該照明光学装置を備えた露光装置,およびマイクロデバイスの製造方法 |
JP2002359176A (ja) | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Canon Inc | 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス |
JP2002359174A (ja) | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 露光工程管理システム、露光工程管理方法、および露光工程を管理するためのプログラム |
JP4622160B2 (ja) | 2001-05-31 | 2011-02-02 | 旭硝子株式会社 | 回折格子一体型旋光子および光ヘッド装置 |
JP4401060B2 (ja) | 2001-06-01 | 2010-01-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リトグラフ装置、およびデバイス製造方法 |
JP4689081B2 (ja) | 2001-06-06 | 2011-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、調整方法、およびデバイス製造方法 |
JP3734432B2 (ja) | 2001-06-07 | 2006-01-11 | 三星電子株式会社 | マスク搬送装置、マスク搬送システム及びマスク搬送方法 |
WO2002101804A1 (fr) | 2001-06-11 | 2002-12-19 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition, procede de fabrication et element de passage de flux de stabilisation de temperature |
JP2002367523A (ja) | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
JPWO2002103766A1 (ja) * | 2001-06-13 | 2004-10-07 | 株式会社ニコン | 走査露光方法及び走査型露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002373849A (ja) | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
US6788385B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method |
US6831731B2 (en) | 2001-06-28 | 2004-12-14 | Nikon Corporation | Projection optical system and an exposure apparatus with the projection optical system |
JPWO2003003429A1 (ja) | 2001-06-28 | 2004-10-21 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置および方法 |
JP2003015314A (ja) | 2001-07-02 | 2003-01-17 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP2003017003A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Canon Inc | ランプおよび光源装置 |
JP2003015040A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
US6727992B2 (en) * | 2001-07-06 | 2004-04-27 | Zygo Corporation | Method and apparatus to reduce effects of sheared wavefronts on interferometric phase measurements |
JP3507459B2 (ja) | 2001-07-09 | 2004-03-15 | キヤノン株式会社 | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
US6788389B2 (en) | 2001-07-10 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Production method of projection optical system |
JP2003028673A (ja) | 2001-07-10 | 2003-01-29 | Canon Inc | 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法 |
EP1280007B1 (en) | 2001-07-24 | 2008-06-18 | ASML Netherlands B.V. | Imaging apparatus |
JP2003045712A (ja) | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 防水コイル及びその製造方法 |
JP4522024B2 (ja) | 2001-07-27 | 2010-08-11 | キヤノン株式会社 | 水銀ランプ、照明装置及び露光装置 |
JP2003043223A (ja) | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Nikon Corp | 結晶材料で形成されたビームスプリッターおよび波長板、並びにこれらの結晶光学部品を備えた光学装置、露光装置並びに検査装置 |
JP2003059799A (ja) | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Nikon Corp | 照明光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2003059803A (ja) | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2003068600A (ja) | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Canon Inc | 露光装置、および基板チャックの冷却方法 |
TW554411B (en) | 2001-08-23 | 2003-09-21 | Nikon Corp | Exposure apparatus |
JP2003068604A (ja) | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP2003068607A (ja) | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法 |
WO2003021352A1 (fr) * | 2001-08-31 | 2003-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticule et procede de mesure de caracteristiques optiques |
KR100452928B1 (ko) | 2001-08-31 | 2004-10-14 | 안희석 | 감자라면 및 그 제조방법 |
JP4183166B2 (ja) | 2001-08-31 | 2008-11-19 | 京セラ株式会社 | 位置決め装置用部材 |
JP2003075703A (ja) | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Konica Corp | 光学ユニット及び光学装置 |
JP2003081654A (ja) | 2001-09-06 | 2003-03-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 合成石英ガラスおよびその製造方法 |
JPWO2003023832A1 (ja) | 2001-09-07 | 2004-12-24 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2003084445A (ja) | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Canon Inc | 走査型露光装置および露光方法 |
JP2003090978A (ja) | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Canon Inc | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4160286B2 (ja) | 2001-09-21 | 2008-10-01 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | Lsiパターンの寸法測定箇所選定方法 |
JP3910032B2 (ja) | 2001-09-25 | 2007-04-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板現像装置 |
JP2003114387A (ja) | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置 |
JP4412450B2 (ja) | 2001-10-05 | 2010-02-10 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止フィルター |
JP2003124095A (ja) | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Nikon Corp | 投影露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2003130132A (ja) | 2001-10-22 | 2003-05-08 | Nec Ameniplantex Ltd | 除振機構 |
US6970232B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-11-29 | Asml Netherlands B.V. | Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems |
JP2003202523A (ja) | 2001-11-02 | 2003-07-18 | Nec Viewtechnology Ltd | 偏光ユニット、該偏光ユニットを用いた偏光照明装置及び該偏光照明装置を用いた投写型表示装置 |
US6577379B1 (en) | 2001-11-05 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate |
JP4362999B2 (ja) | 2001-11-12 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US6900915B2 (en) | 2001-11-14 | 2005-05-31 | Ricoh Company, Ltd. | Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror |
JP4307813B2 (ja) | 2001-11-14 | 2009-08-05 | 株式会社リコー | 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置 |
JP2003166856A (ja) | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Fuji Electric Co Ltd | 光学式エンコーダ |
JP2003161882A (ja) | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
JP3809095B2 (ja) | 2001-11-29 | 2006-08-16 | ペンタックス株式会社 | 露光装置用光源システムおよび露光装置 |
JP3945569B2 (ja) | 2001-12-06 | 2007-07-18 | 東京応化工業株式会社 | 現像装置 |
JP2003188087A (ja) | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Sony Corp | 露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法 |
JP2003249443A (ja) | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
TW200301848A (en) | 2002-01-09 | 2003-07-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method |
TW200302507A (en) | 2002-01-21 | 2003-08-01 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
JP3809381B2 (ja) | 2002-01-28 | 2006-08-16 | キヤノン株式会社 | リニアモータ、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003229347A (ja) | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
JP2003233001A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050134825A1 (en) | 2002-02-08 | 2005-06-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Polarization-optimized illumination system |
DE10206061A1 (de) | 2002-02-08 | 2003-09-04 | Carl Zeiss Semiconductor Mfg S | Polarisationsoptimiertes Beleuchtungssystem |
JP2003240906A (ja) | 2002-02-20 | 2003-08-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止体およびその製造方法 |
JP2003257812A (ja) | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Nikon Corp | 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法 |
JP2003258071A (ja) | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
WO2003075328A1 (fr) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Nikon Corporation | Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif |
JP3984841B2 (ja) | 2002-03-07 | 2007-10-03 | キヤノン株式会社 | 歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2003263119A (ja) | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Fuji Xerox Co Ltd | リブ付き電極およびその製造方法 |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
JP3975787B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-09-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
JP4100011B2 (ja) | 2002-03-13 | 2008-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理装置、有機el装置の製造装置及び製造方法 |
US7085052B2 (en) | 2002-03-14 | 2006-08-01 | Optellios, Inc. | Over-parameterized polarization controller |
US20050094268A1 (en) | 2002-03-14 | 2005-05-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical system with birefringent optical elements |
JP4335495B2 (ja) | 2002-03-27 | 2009-09-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 定圧チャンバ、それを用いた照射装置及び回路パターンの検査装置 |
JP2003297727A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
WO2003085708A1 (fr) | 2002-04-09 | 2003-10-16 | Nikon Corporation | Procede d'exposition, dispositif d'exposition et procede de fabrication dudit dispositif |
IL164483A0 (en) | 2002-04-10 | 2005-12-18 | Fujinon Corp | Exposure head, exposure apparatus, and applicationthereof |
DE10310690A1 (de) | 2002-04-12 | 2003-10-30 | Heidelberger Druckmasch Ag | Bogenführungseinrichtung in einer bogenverarbeitenden Maschine |
JP3950732B2 (ja) | 2002-04-23 | 2007-08-01 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、照明方法及び露光装置 |
JP4333078B2 (ja) | 2002-04-26 | 2009-09-16 | 株式会社ニコン | 投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置および該投影光学系を用いた露光方法並びにデバイス製造方法 |
EP1499560B1 (en) | 2002-04-29 | 2005-12-14 | Micronic Laser Systems Ab | Device for protecting a chip and method for operating a chip |
US20050095749A1 (en) | 2002-04-29 | 2005-05-05 | Mathias Krellmann | Device for protecting a chip and method for operating a chip |
US6707534B2 (en) * | 2002-05-10 | 2004-03-16 | Anvik Corporation | Maskless conformable lithography |
JP4324957B2 (ja) | 2002-05-27 | 2009-09-02 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
SG108320A1 (en) * | 2002-05-31 | 2005-01-28 | Asml Netherlands Bv | Kit of parts for assembling an optical element, method of assembling an optical element, optical element, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
JP2004015187A (ja) | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮影補助システム、デジタルカメラ、及びサーバ |
JP4037179B2 (ja) | 2002-06-04 | 2008-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄方法、洗浄装置 |
JP2004014876A (ja) | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Nikon Corp | 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置 |
JP3448812B2 (ja) | 2002-06-14 | 2003-09-22 | 株式会社ニコン | マーク検知装置、及びそれを有する露光装置、及びその露光装置を用いた半導体素子又は液晶表示素子の製造方法 |
JP2004022708A (ja) | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2004179172A (ja) | 2002-06-26 | 2004-06-24 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
JP4012771B2 (ja) | 2002-06-28 | 2007-11-21 | 富士通エフ・アイ・ピー株式会社 | ライセンス管理方法、ライセンス管理システム、ライセンス管理プログラム |
JP2004039952A (ja) | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置の監視方法およびプラズマ処理装置 |
JP2004040039A (ja) | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Sony Corp | 露光方法の選択方法 |
JP2004045063A (ja) | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Topcon Corp | 光学式ロータリーエンコーダ板の製造方法および光学式ロータリーエンコーダ板 |
JP2004051717A (ja) | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | バイオマスのガス化装置 |
WO2004012013A2 (en) | 2002-07-26 | 2004-02-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical imaging using a pupil filter and coordinated illumination polarisation |
JP2004063847A (ja) | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、及びステージ装置 |
JP2004063988A (ja) | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Canon Inc | 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004071851A (ja) | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Canon Inc | 半導体露光方法及び露光装置 |
JP2004085612A (ja) | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ハーフトーン位相シフトマスク、その製造方法およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP4095376B2 (ja) | 2002-08-28 | 2008-06-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
JP2004095653A (ja) | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2004145269A (ja) | 2002-08-30 | 2004-05-20 | Nikon Corp | 投影光学系、反射屈折型投影光学系、走査型露光装置及び露光方法 |
US7293847B2 (en) | 2002-08-31 | 2007-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cabinet for recessed refrigerators |
JP2004103674A (ja) | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2004101362A (ja) | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Canon Inc | ステージ位置計測および位置決め装置 |
JP2004098012A (ja) | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器 |
JP2004104654A (ja) | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Ricoh Co Ltd | 画像読取装置 |
JP2004111579A (ja) | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP4269610B2 (ja) | 2002-09-17 | 2009-05-27 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光装置の製造方法 |
JP3958163B2 (ja) * | 2002-09-19 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
KR100480620B1 (ko) | 2002-09-19 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법 |
JP2004119497A (ja) | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Huabang Electronic Co Ltd | 半導体製造設備と方法 |
JP4333866B2 (ja) | 2002-09-26 | 2009-09-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2004128307A (ja) | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Nikon Corp | 露光装置及びその調整方法 |
JP2004134682A (ja) | 2002-10-15 | 2004-04-30 | Nikon Corp | 気体シリンダ、ステージ装置及び露光装置 |
US6665119B1 (en) | 2002-10-15 | 2003-12-16 | Eastman Kodak Company | Wire grid polarizer |
JP2004140145A (ja) | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2004146702A (ja) | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Nikon Corp | 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2004153064A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2004153096A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2004152705A (ja) | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2004165249A (ja) | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Sony Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP2004163555A (ja) | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Olympus Corp | 落射顕微鏡及び落射顕微鏡用対物レンズ |
CN100568101C (zh) * | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
JP2004165416A (ja) | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Nikon Corp | 露光装置及び建屋 |
JP2004172471A (ja) | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP4378938B2 (ja) | 2002-11-25 | 2009-12-09 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6844927B2 (en) * | 2002-11-27 | 2005-01-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection |
US6958806B2 (en) | 2002-12-02 | 2005-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW200412617A (en) | 2002-12-03 | 2004-07-16 | Nikon Corp | Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method |
JP4314555B2 (ja) | 2002-12-03 | 2009-08-19 | 株式会社ニコン | リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置 |
KR101037057B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
AU2003289239A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure system and device producing method |
US6992750B2 (en) * | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004301825A (ja) | 2002-12-10 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
KR20050085236A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4595320B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
US20040108973A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-10 | Kiser David K. | Apparatus for generating a number of color light components |
AU2003302831A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device |
SG165169A1 (en) | 2002-12-10 | 2010-10-28 | Nikon Corp | Liquid immersion exposure apparatus |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
WO2004053959A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
CN1723541B (zh) | 2002-12-10 | 2010-06-02 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
EP1571698A4 (en) | 2002-12-10 | 2006-06-21 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP2004193425A (ja) | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Nikon Corp | 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2004198748A (ja) | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Nikon Corp | オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2004205698A (ja) | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
US6891655B2 (en) | 2003-01-02 | 2005-05-10 | Micronic Laser Systems Ab | High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices |
JP2004221253A (ja) | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Nikon Corp | 露光装置 |
EP1583946B1 (en) | 2003-01-15 | 2006-11-08 | Micronic Laser Systems Ab | A method to detect a defective pixel |
JP2004224421A (ja) | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Tokyo Autom Mach Works Ltd | 製品供給装置 |
JP2004228497A (ja) | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Nikon Corp | 露光装置及び電子デバイスの製造方法 |
JP2004241666A (ja) | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Nikon Corp | 計測方法及び露光方法 |
JP2004007417A (ja) | 2003-02-10 | 2004-01-08 | Fujitsu Ltd | 情報提供システム |
JP4366948B2 (ja) | 2003-02-14 | 2009-11-18 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
WO2004086468A1 (ja) | 2003-02-26 | 2004-10-07 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2004259828A (ja) | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 半導体露光装置 |
JP2004259985A (ja) | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Sony Corp | レジストパターン形成装置およびその形成方法、および、当該方法を用いた半導体装置の製造方法 |
JP4604452B2 (ja) | 2003-02-26 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2004260115A (ja) | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
JP4305003B2 (ja) | 2003-02-27 | 2009-07-29 | 株式会社ニコン | Euv光学系及びeuv露光装置 |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
JP2004260081A (ja) | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 紫外域用反射ミラー装置及びそれを用いた投影露光装置 |
WO2004086470A1 (ja) | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004294202A (ja) | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 画面の欠陥検出方法及び装置 |
JP4265257B2 (ja) | 2003-03-28 | 2009-05-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、フィルム構造体 |
JP4496711B2 (ja) | 2003-03-31 | 2010-07-07 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JP2004304135A (ja) | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP4341277B2 (ja) | 2003-04-07 | 2009-10-07 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形方法 |
JP4374964B2 (ja) | 2003-09-26 | 2009-12-02 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形方法及び成形装置 |
JP4465974B2 (ja) | 2003-04-07 | 2010-05-26 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形装置 |
WO2004091079A1 (ja) | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ |
JP4281397B2 (ja) | 2003-04-07 | 2009-06-17 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形装置 |
DE602004020200D1 (de) | 2003-04-07 | 2009-05-07 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsgerät und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
JP4288413B2 (ja) | 2003-04-07 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形方法及び成形装置 |
KR101547077B1 (ko) | 2003-04-09 | 2015-08-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP4428115B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-03-10 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィシステム |
US6842223B2 (en) | 2003-04-11 | 2005-01-11 | Nikon Precision Inc. | Enhanced illuminator for use in photolithographic systems |
JP2004319724A (ja) | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Ses Co Ltd | 半導体洗浄装置に於ける洗浄槽の構造 |
WO2004094940A1 (ja) | 2003-04-23 | 2004-11-04 | Nikon Corporation | 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ |
JP2004327660A (ja) | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US7095546B2 (en) | 2003-04-24 | 2006-08-22 | Metconnex Canada Inc. | Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays |
JP2006524349A (ja) | 2003-04-24 | 2006-10-26 | メトコネックス カナダ インコーポレイティッド | 高フィルファクターアレイのための、連接式サスペンション構造を有する微小電子機械システム2次元ミラー |
JP2004335808A (ja) | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Sony Corp | パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム |
JP2004335864A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP4487168B2 (ja) | 2003-05-09 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | ステージ装置及びその駆動方法、並びに露光装置 |
US7511886B2 (en) * | 2003-05-13 | 2009-03-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system |
JP2004342987A (ja) | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Canon Inc | ステージ装置 |
TW200507055A (en) | 2003-05-21 | 2005-02-16 | Nikon Corp | Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method |
JP2005012190A (ja) | 2003-05-23 | 2005-01-13 | Nikon Corp | 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法 |
TWI463533B (zh) | 2003-05-23 | 2014-12-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
TWI616932B (zh) | 2003-05-23 | 2018-03-01 | Nikon Corp | Exposure device and component manufacturing method |
JP2004349645A (ja) | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sony Corp | 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法 |
KR101915914B1 (ko) | 2003-05-28 | 2018-11-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
JP2004356410A (ja) | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
DE10324477A1 (de) | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
KR101087516B1 (ko) | 2003-06-04 | 2011-11-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 고정 방법, 노광 장치, 노광 방법, 및디바이스의 제조 방법 |
JP2005005295A (ja) | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2005005395A (ja) | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Nikon Corp | ガス給排気方法及び装置、鏡筒、露光装置及び方法 |
JP2005005521A (ja) | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、および偏光状態測定装置 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP2005011990A (ja) | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置、走査型投影露光装置の照度キャリブレーション方法及び露光方法 |
KR101289979B1 (ko) | 2003-06-19 | 2013-07-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
JP2005019628A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Nikon Corp | 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE10328938A1 (de) | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Korrektureinrichtung zur Kompensation von Störungen der Polarisationsverteilung sowie Projektionsobjektiv für die Mikrolithografie |
JP2005024890A (ja) | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Renesas Technology Corp | 偏光子、投影レンズ系、露光装置及び露光方法 |
JP2005026634A (ja) | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Sony Corp | 露光装置および半導体装置の製造方法 |
KR101296501B1 (ko) | 2003-07-09 | 2013-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4515385B2 (ja) | 2003-07-09 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
WO2005008754A1 (ja) | 2003-07-18 | 2005-01-27 | Nikon Corporation | フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク |
WO2005010963A1 (ja) | 2003-07-24 | 2005-02-03 | Nikon Corporation | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP4492600B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005051147A (ja) | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2005055811A (ja) | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Olympus Corp | 光学部材、この光学部材を組み込む光学機器、及びその光学機器の組み立て方法 |
JP2005064210A (ja) | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Nikon Corp | 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置 |
JP4262031B2 (ja) | 2003-08-19 | 2009-05-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101345020B1 (ko) | 2003-08-29 | 2013-12-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
JP4305095B2 (ja) | 2003-08-29 | 2009-07-29 | 株式会社ニコン | 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法 |
JP4218475B2 (ja) | 2003-09-11 | 2009-02-04 | 株式会社ニコン | 極端紫外線光学系及び露光装置 |
JP2005091023A (ja) | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Minolta Co Ltd | 光学式エンコーダおよびそれを備えた撮像装置 |
JP4323903B2 (ja) | 2003-09-12 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及びそれを用いた露光装置 |
EP1668421A2 (en) | 2003-09-12 | 2006-06-14 | Carl Zeiss SMT AG | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
DE10343333A1 (de) | 2003-09-12 | 2005-04-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
JP4444920B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005093324A (ja) | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Toshiba Corp | 画像表示装置に用いるガラス基板、ガラス基板の製造方法、およびガラス基板の製造装置 |
JP2005093948A (ja) | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Nikon Corp | 露光装置及びその調整方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005123586A (ja) | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 投影装置および投影方法 |
US7408616B2 (en) | 2003-09-26 | 2008-08-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method |
KR101119723B1 (ko) | 2003-09-26 | 2012-03-23 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로 리소그래피 투영 노광 |
JP4385702B2 (ja) | 2003-09-29 | 2009-12-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JP2005108925A (ja) | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP4470433B2 (ja) | 2003-10-02 | 2010-06-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP4513299B2 (ja) | 2003-10-02 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2005114882A (ja) | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | 処理ステージの基板載置方法、基板露光ステージおよび基板露光装置 |
KR20060126949A (ko) | 2003-10-08 | 2006-12-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법 |
JP2005136364A (ja) | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Zao Nikon Co Ltd | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2005116831A (ja) | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Nikon Corp | 投影露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JPWO2005036619A1 (ja) | 2003-10-09 | 2007-11-22 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
WO2005036620A1 (ja) | 2003-10-10 | 2005-04-21 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
EP1524558A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005127460A (ja) | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 免震除振床システム |
EP1679738A4 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-06 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
TWI573175B (zh) | 2003-10-28 | 2017-03-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造 方法 |
JP2005140999A (ja) | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Nikon Corp | 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法 |
WO2005048326A1 (ja) | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
WO2005048325A1 (ja) | 2003-11-17 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置 |
JP4976094B2 (ja) | 2003-11-20 | 2012-07-18 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、露光方法、およびマイクロデバイスの製造方法 |
TW201809801A (zh) | 2003-11-20 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
JP4470095B2 (ja) | 2003-11-20 | 2010-06-02 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP4552428B2 (ja) | 2003-12-02 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US6970233B2 (en) | 2003-12-03 | 2005-11-29 | Texas Instruments Incorporated | System and method for custom-polarized photolithography illumination |
JP2005175176A (ja) | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2005175177A (ja) | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 光学装置及び露光装置 |
KR101119813B1 (ko) | 2003-12-15 | 2012-03-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
JP3102327U (ja) | 2003-12-17 | 2004-07-02 | 国統国際股▲ふん▼有限公司 | 可撓管の漏れ止め機構 |
JP4954444B2 (ja) | 2003-12-26 | 2012-06-13 | 株式会社ニコン | 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法 |
EP3376523A1 (en) | 2004-01-05 | 2018-09-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
JP4586367B2 (ja) | 2004-01-14 | 2010-11-24 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
CN101726863B (zh) * | 2004-01-16 | 2012-08-29 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 偏振调制光学元件 |
US8270077B2 (en) * | 2004-01-16 | 2012-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
EP1709636A2 (en) | 2004-01-16 | 2006-10-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical system |
US20070019179A1 (en) | 2004-01-16 | 2007-01-25 | Damian Fiolka | Polarization-modulating optical element |
JP4474927B2 (ja) | 2004-01-20 | 2010-06-09 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005209705A (ja) | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4319189B2 (ja) | 2004-01-26 | 2009-08-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI395068B (zh) | 2004-01-27 | 2013-05-01 | 尼康股份有限公司 | 光學系統、曝光裝置以及曝光方法 |
US7580559B2 (en) * | 2004-01-29 | 2009-08-25 | Asml Holding N.V. | System and method for calibrating a spatial light modulator |
KR101276392B1 (ko) | 2004-02-03 | 2013-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
TWI389174B (zh) | 2004-02-06 | 2013-03-11 | 尼康股份有限公司 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
EP1724815B1 (en) | 2004-02-10 | 2012-06-13 | Nikon Corporation | Aligner, device manufacturing method, maintenance method and aligning method |
JP4370992B2 (ja) | 2004-02-18 | 2009-11-25 | 株式会社ニコン | 光学素子及び露光装置 |
US20080151200A1 (en) | 2004-02-19 | 2008-06-26 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method |
JP4693088B2 (ja) | 2004-02-20 | 2011-06-01 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
WO2005081292A1 (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置、供給方法及び回収方法、露光方法、ならびにデバイス製造方法 |
JP2005234359A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Ricoh Co Ltd | 走査光学系光学特性測定装置、走査光学系光学特性測定装置校正方法、走査光学系及び画像形成装置 |
JP4333404B2 (ja) | 2004-02-25 | 2009-09-16 | 株式会社ニコン | 搬送装置、搬送方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2005243904A (ja) | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及び露光方法 |
DE102004010569A1 (de) | 2004-02-26 | 2005-09-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
US6977718B1 (en) | 2004-03-02 | 2005-12-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lithography method and system with adjustable reflector |
JP2005251549A (ja) | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | マイクロスイッチ及びマイクロスイッチの駆動方法 |
JP2005257740A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2005259789A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法 |
JP4778685B2 (ja) | 2004-03-10 | 2011-09-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置 |
JP4497968B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005268700A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2005276932A (ja) | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005302826A (ja) | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及び露光方法 |
JP4474979B2 (ja) | 2004-04-15 | 2010-06-09 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
EP2490248A3 (en) | 2004-04-19 | 2018-01-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2005311020A (ja) | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
JP4776891B2 (ja) | 2004-04-23 | 2011-09-21 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4569157B2 (ja) | 2004-04-27 | 2010-10-27 | 株式会社ニコン | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 |
US7324280B2 (en) | 2004-05-25 | 2008-01-29 | Asml Holding N.V. | Apparatus for providing a pattern of polarization |
JP2005340605A (ja) | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Nikon Corp | 露光装置およびその調整方法 |
JP5159027B2 (ja) | 2004-06-04 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及び露光装置 |
JP2006005197A (ja) | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Canon Inc | 露光装置 |
JP4419701B2 (ja) | 2004-06-21 | 2010-02-24 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形装置 |
JP2006017895A (ja) | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Integrated Solutions:Kk | 露光装置 |
JP4444743B2 (ja) | 2004-07-07 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7283209B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-10-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
JP2006024819A (ja) | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp | 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法 |
EP1788694A4 (en) | 2004-07-15 | 2014-07-02 | Nikon Corp | EQUIPMENT FOR PLANAR MOTOR, STAGE EQUIPMENT, EXPOSURE EQUIPMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE |
JP2006032750A (ja) | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Canon Inc | 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4411158B2 (ja) | 2004-07-29 | 2010-02-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
EP1621930A3 (en) * | 2004-07-29 | 2011-07-06 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2006049758A (ja) | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Nikon Corp | 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置 |
JP2006054364A (ja) | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Nikon Corp | 基板吸着装置、露光装置 |
JP4599936B2 (ja) | 2004-08-17 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
KR20070048164A (ko) | 2004-08-18 | 2007-05-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2006073584A (ja) | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Nikon Corp | 露光装置及び方法並びにデバイス製造方法 |
JP4779973B2 (ja) | 2004-09-01 | 2011-09-28 | 株式会社ニコン | 基板ホルダ及びステージ装置並びに露光装置 |
US7433046B2 (en) | 2004-09-03 | 2008-10-07 | Carl Ziess Meditec, Inc. | Patterned spinning disk based optical phase shifter for spectral domain optical coherence tomography |
JP4772306B2 (ja) | 2004-09-06 | 2011-09-14 | 株式会社東芝 | 液浸光学装置及び洗浄方法 |
JP2006080281A (ja) | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Nikon Corp | ステージ装置、ガスベアリング装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2006028188A1 (ja) | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Nikon Corporation | ステージ装置及び露光装置 |
US8130362B2 (en) | 2004-09-14 | 2012-03-06 | Nikon Corporation | Correction method and exposure apparatus |
JP2006086141A (ja) | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
EP1804279A4 (en) | 2004-09-17 | 2008-04-09 | Nikon Corp | SUBSTRATE FOR EXPOSURE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
JP2006086442A (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP4804358B2 (ja) | 2004-09-27 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 空間光変調装置、光学処理装置、及びカップリングプリズムの使用方法 |
JP2006100363A (ja) | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Canon Inc | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法。 |
JP4747545B2 (ja) | 2004-09-30 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
US7245353B2 (en) | 2004-10-12 | 2007-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method |
JP4335114B2 (ja) | 2004-10-18 | 2009-09-30 | 日本碍子株式会社 | マイクロミラーデバイス |
GB2419208A (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-19 | Qinetiq Ltd | Optical correlation employing an optical bit delay |
JP2006120985A (ja) | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
JP2006128192A (ja) | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
EP2472332B1 (en) | 2004-11-01 | 2014-03-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US7271874B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-09-18 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system |
JP4517354B2 (ja) | 2004-11-08 | 2010-08-04 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1816671A4 (en) | 2004-11-11 | 2010-01-13 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SUBSTRATE |
JP2006140366A (ja) | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Nikon Corp | 投影光学系及び露光装置 |
WO2006064851A1 (ja) | 2004-12-15 | 2006-06-22 | Nikon Corporation | 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2005150759A (ja) | 2004-12-15 | 2005-06-09 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JP2006170811A (ja) | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、euv露光装置、及び軟x線光学機器 |
JP2006170899A (ja) | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Sendai Nikon:Kk | 光電式エンコーダ |
JP2006179516A (ja) | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Toshiba Corp | 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
EP1830456A1 (en) | 2004-12-24 | 2007-09-05 | Nikon Corporation | Magnetic guiding apparatus, stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2006177865A (ja) | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Ntn Corp | 磁気エンコーダおよびそれを備えた車輪用軸受装置 |
JP4402582B2 (ja) | 2004-12-27 | 2010-01-20 | 大日本印刷株式会社 | 大型フォトマスク用ケース及びケース交換装置 |
US20060138349A1 (en) | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7312852B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7345740B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-03-18 | Asml Netherlands B.V. | Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4632793B2 (ja) | 2005-01-12 | 2011-02-16 | 京セラ株式会社 | ナビゲーション機能付き携帯型端末機 |
TWI453795B (zh) | 2005-01-21 | 2014-09-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
WO2006077958A1 (ja) | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Nikon Corporation | リニアモータ、ステージ装置、及び露光装置 |
US20060164711A1 (en) | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Asml Holding N.V. | System and method utilizing an electrooptic modulator |
KR101240130B1 (ko) | 2005-01-25 | 2013-03-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 및 마이크로 디바이스 제조 방법 |
WO2006085524A1 (ja) | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Nikon Corporation | 露光装置 |
JP4650619B2 (ja) | 2005-03-09 | 2011-03-16 | 株式会社ニコン | 駆動ユニット、光学ユニット、光学装置、並びに露光装置 |
JP2006253572A (ja) | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2006100889A1 (ja) | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機el層の形成方法 |
JP4858744B2 (ja) | 2005-03-24 | 2012-01-18 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JP4561425B2 (ja) | 2005-03-24 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法 |
JP2006278820A (ja) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JP4546315B2 (ja) | 2005-04-07 | 2010-09-15 | 株式会社神戸製鋼所 | 微細加工用型の製造方法 |
CN102520592A (zh) | 2005-04-27 | 2012-06-27 | 株式会社尼康 | 曝光方法、曝光装置、组件制造方法、以及膜的评估方法 |
JP4676815B2 (ja) | 2005-05-26 | 2011-04-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 露光装置および露光方法 |
US7405653B2 (en) * | 2005-06-13 | 2008-07-29 | Honeywell International Inc. | System for monitoring activities and location |
JP2006351586A (ja) | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Nikon Corp | 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP4710427B2 (ja) | 2005-06-15 | 2011-06-29 | 株式会社ニコン | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
DE102005030839A1 (de) | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven |
US7317512B2 (en) | 2005-07-11 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Different polarization in cross-section of a radiation beam in a lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5309565B2 (ja) | 2005-08-05 | 2013-10-09 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2007048819A (ja) | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Nikon Corp | 面位置検出装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2007043980A (ja) | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Sanei Gen Ffi Inc | 焼成和洋菓子用品質改良剤 |
US20070058151A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Asml Netherlands B.V. | Optical element for use in lithography apparatus and method of conditioning radiation beam |
JP2007087306A (ja) | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Yokohama National Univ | 目標画像指定作成方式 |
JP2007093546A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nikon Corp | エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置 |
JP4640090B2 (ja) | 2005-10-04 | 2011-03-02 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプ用ホルダー、および放電ランプ保持機構 |
JP2007113939A (ja) | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Nikon Corp | 計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法 |
JP2007120333A (ja) | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ロケット用燃焼器の噴射管およびロケット用燃焼器 |
JP2007120334A (ja) | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Denso Corp | 車両駆動システムの異常診断装置 |
JP4809037B2 (ja) | 2005-10-27 | 2011-11-02 | 日本カニゼン株式会社 | 黒色めっき膜およびその形成方法、めっき膜を有する物品 |
WO2007055237A1 (ja) | 2005-11-09 | 2007-05-18 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
KR20080066041A (ko) | 2005-11-10 | 2008-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법 |
JPWO2007055373A1 (ja) | 2005-11-14 | 2009-04-30 | 株式会社ニコン | 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2007142313A (ja) | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Nikon Corp | 計測工具及び調整方法 |
JP2007144864A (ja) | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層構造体およびそれを用いた冷凍装置 |
EP1965414A4 (en) | 2005-12-06 | 2010-08-25 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS |
JP4968076B2 (ja) | 2005-12-08 | 2012-07-04 | 株式会社ニコン | 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP4800901B2 (ja) | 2005-12-12 | 2011-10-26 | 矢崎総業株式会社 | 電圧検出装置及び絶縁インタフェース |
US20070166134A1 (en) | 2005-12-20 | 2007-07-19 | Motoko Suzuki | Substrate transfer method, substrate transfer apparatus and exposure apparatus |
JP2007170938A (ja) | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Sendai Nikon:Kk | エンコーダ |
JP2007207821A (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Nikon Corp | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
JP2007220767A (ja) | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007227637A (ja) | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Canon Inc | 液浸露光装置 |
US20090002830A1 (en) | 2006-02-27 | 2009-01-01 | Nikon Corporation | Dichroic Filter |
JP2007234110A (ja) | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Toshiba Corp | 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法 |
JP4929762B2 (ja) | 2006-03-03 | 2012-05-09 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
DE102006015213A1 (de) | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung |
JP2007280623A (ja) | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Seiko Epson Corp | 熱処理装置、薄膜形成装置及び熱処理方法 |
JP2007295702A (ja) | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Toshiba Mach Co Ltd | リニアモータ、および、ステージ駆動装置 |
WO2007132862A1 (ja) | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Nikon Corporation | 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4893112B2 (ja) | 2006-06-03 | 2012-03-07 | 株式会社ニコン | 高周波回路コンポーネント |
JP4873138B2 (ja) | 2006-06-21 | 2012-02-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 情報処理装置及びプログラム |
JP2008041710A (ja) | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Fujitsu Ltd | 照明光学装置、露光方法及び設計方法 |
DE102006037776B3 (de) * | 2006-08-11 | 2008-02-21 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Kalibrieren einer Magnetresonanzanlage mit PET-Funktion |
JP2008058580A (ja) | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Canon Inc | 画像形成装置、監視装置、制御方法、及びプログラム |
JP2008064924A (ja) | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Seiko Epson Corp | 定着装置及び画像形成装置 |
WO2008041575A1 (fr) | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Nikon Corporation | Dispositif formant platine et dispositif d'exposition |
JP2007051300A (ja) | 2006-10-10 | 2007-03-01 | Teijin Chem Ltd | 難燃性樹脂組成物 |
JP4924879B2 (ja) | 2006-11-14 | 2012-04-25 | 株式会社ニコン | エンコーダ |
WO2008061681A2 (de) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik |
WO2008065977A1 (fr) | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Nikon Corporation | Procédé d'exposition, procédé de formation de motif, dispositif d'exposition, et procédé de fabrication du dispositif |
JP2007274881A (ja) | 2006-12-01 | 2007-10-18 | Nikon Corp | 移動体装置、微動体及び露光装置 |
JP4910679B2 (ja) | 2006-12-21 | 2012-04-04 | 株式会社ニコン | 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路 |
DE102007027985A1 (de) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
WO2008078668A1 (ja) | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Miura Co., Ltd. | ボイラ給水用補給水の供給方法 |
JP5146323B2 (ja) | 2006-12-27 | 2013-02-20 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
CA2673917C (en) | 2006-12-27 | 2015-01-27 | Sanofi-Aventis | Cycloalkylamine substituted isoquinolone derivatives |
WO2008090975A1 (ja) | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Nikon Corporation | 支持構造体及び露光装置 |
CN101681092B (zh) | 2007-05-09 | 2012-07-25 | 株式会社尼康 | 光罩用基板、光罩用基板的成形构件、光罩用基板的制造方法、光罩、及使用光罩的曝光方法 |
EP2154481B1 (en) | 2007-05-31 | 2024-07-03 | Panasonic Intellectual Property Corporation of America | Image capturing device, additional information providing server, and additional information filtering system |
JP5194650B2 (ja) | 2007-08-31 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | 電子カメラ |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
US20090091730A1 (en) | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Nikon Corporation | Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
CN101681123B (zh) | 2007-10-16 | 2013-06-12 | 株式会社尼康 | 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法 |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP4499774B2 (ja) | 2007-10-24 | 2010-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
JP2010004008A (ja) | 2007-10-31 | 2010-01-07 | Nikon Corp | 光学ユニット、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2009153925A1 (ja) | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 株式会社ニコン | ナノインプリント方法及び装置 |
WO2009157154A1 (ja) | 2008-06-26 | 2009-12-30 | 株式会社ニコン | 表示素子の製造方法及び製造装置 |
KR20110028473A (ko) | 2008-06-30 | 2011-03-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 표시 소자의 제조 방법 및 제조 장치, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 제조 장치, 및 회로 형성 장치 |
US20110037962A1 (en) | 2009-08-17 | 2011-02-17 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20110205519A1 (en) | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
2005
- 2005-01-12 TW TW094100817A patent/TWI389174B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW097117899A patent/TWI366219B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW097117893A patent/TWI437618B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW101102214A patent/TWI494972B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW102139993A patent/TWI505329B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW102139992A patent/TWI511182B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW097117888A patent/TWI360837B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW106113666A patent/TWI609410B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW104133152A patent/TWI614795B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW097117881A patent/TWI379344B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW106144296A patent/TW201809727A/zh unknown
- 2005-01-12 TW TW097117896A patent/TWI412067B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-14 EP EP13156325.6A patent/EP2615480B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-14 EP EP16184687.8A patent/EP3173866A1/en not_active Withdrawn
- 2005-01-14 KR KR1020147009172A patent/KR101626226B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 JP JP2005517637A patent/JP4747844B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-14 EP EP13156322.3A patent/EP2615479B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-14 KR KR1020107000893A patent/KR101244282B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 KR KR1020137027411A patent/KR101429868B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 KR KR1020147009165A patent/KR101578312B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 EP EP05703646.9A patent/EP1720047B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-14 WO PCT/JP2005/000407 patent/WO2005076045A1/ja active Application Filing
- 2005-01-14 KR KR1020067018069A patent/KR101293399B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 KR KR1020127003793A patent/KR101323492B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 KR KR1020137002721A patent/KR101429864B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 KR KR1020187016763A patent/KR20180069120A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-01-14 EP EP13156324.9A patent/EP2618188B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-14 KR KR1020167013759A patent/KR20160063423A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-01-14 KR KR1020107000897A patent/KR101195687B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-02-06 US US11/347,421 patent/US20060170901A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-02-23 HK HK07102084.6A patent/HK1098198A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-03-28 HK HK07103303.9A patent/HK1097603A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-02-27 HK HK08102152.2A patent/HK1111470A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2008-02-27 HK HK08102156.8A patent/HK1111479A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2008-02-27 HK HK08102154.0A patent/HK1111472A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2008-02-27 HK HK08102153.1A patent/HK1111471A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2008-02-27 HK HK08102155.9A patent/HK1111473A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2008-10-29 US US12/289,515 patent/US10007194B2/en active Active
- 2008-10-29 US US12/289,518 patent/US9429848B2/en active Active
-
2009
- 2009-08-25 US US12/461,801 patent/US20090316132A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-12-27 JP JP2010290979A patent/JP5696473B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-07-11 US US13/067,958 patent/US9140990B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012080678A patent/JP5594311B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-05-08 US US13/889,860 patent/US10241417B2/en active Active
- 2013-06-07 US US13/912,832 patent/US10234770B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-10-08 US US14/048,563 patent/US9423694B2/en active Active
- 2013-12-03 HK HK13113430.6A patent/HK1186250A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2013-12-04 HK HK13113468.1A patent/HK1186251A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2013-12-27 JP JP2013272068A patent/JP5821942B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-02-02 JP JP2015018675A patent/JP6020617B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-03-07 JP JP2016043787A patent/JP6319346B2/ja active Active
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- 2017-03-28 JP JP2017063051A patent/JP6399133B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-04-26 US US15/497,883 patent/US20170227854A1/en not_active Abandoned
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2018
- 2018-07-12 JP JP2018132657A patent/JP2018189978A/ja active Pending
- 2018-08-06 US US16/055,452 patent/US20180341185A1/en not_active Abandoned
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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