WO2009157154A1 - 表示素子の製造方法及び製造装置 - Google Patents

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WO2009157154A1
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alignment system
display element
predetermined direction
alignment
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浜田智秀
奈良圭
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株式会社ニコン
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Definitions

  • the present invention relates to a method or an apparatus for manufacturing a display element such as an organic electroluminescence (EL) element, a liquid crystal display element, or a field emission display (FED).
  • a display element such as an organic electroluminescence (EL) element, a liquid crystal display element, or a field emission display (FED).
  • EL organic electroluminescence
  • FED field emission display
  • Display elements such as organic EL and liquid crystal display elements are characterized by their small size, thinness, low power consumption, and light weight, and are currently widely used in various electronic devices. These display elements are increasing in size.
  • deformation of the flexible sheet substrate greatly affects the yield of products. For this reason, accurate acquisition of the positional information (alignment information) of the flexible sheet substrate in the manufacturing process greatly affects the yield improvement of the liquid crystal display element product.
  • Patent Document 1 discloses a manufacturing apparatus that manufactures an organic EL display element in a roll form as a measure for reducing the organic EL display element and reducing the running cost.
  • an image recognition camera is used to align the flexible sheet substrate and the mask when the substrate and the mask are aligned. It is necessary to perform alignment.
  • the invention disclosed in Patent Document 1 has a first image recognition camera for confirming the position of the flexible sheet substrate and a second image recognition camera for confirming the position of the mask.
  • the flexible sheet substrate may shrink due to heat in each process.
  • positioning is very important.
  • slip occurs between the conveyance roller and the flexible sheet substrate, or because there is a difference between the rotation speed of the conveyance roller and the conveyance speed of the long flexible sheet substrate, It is necessary to appropriately grasp the conveyance speed of the flexible sheet substrate. Therefore, a display device manufacturing apparatus capable of detecting a position with high accuracy is provided in order to form a display device with high accuracy on a substrate.
  • the display element manufacturing method of the present invention includes a first and second alignment systems arranged in a predetermined direction to detect a reference mark on the substrate, and calculates an expansion and contraction in the predetermined direction of the substrate. And a processing step of processing a predetermined position of the substrate by the processing device based on expansion and contraction of the substrate in a predetermined direction.
  • the display element manufacturing apparatus of the present invention is arranged at a predetermined distance from the first alignment system, a transport unit that transports a substrate having a reference mark in a predetermined direction, a first alignment system that detects the reference mark, and the first alignment system.
  • a second alignment system that detects a reference mark; a calculation unit that detects the reference mark and calculates expansion / contraction of the substrate in a predetermined direction or a substrate transport speed; and at least one of expansion / contraction of the substrate in a predetermined direction or substrate transport speed;
  • a processing unit that processes the substrate at a predetermined position based on the mark.
  • the present invention can measure the expansion and contraction and movement speed of the substrate by detecting the reference mark with the first alignment system and the second alignment system with respect to the substrate that easily expands and contracts. For this reason, the precision of the display element manufacturing apparatus can be improved, and elements with few defects are mass-produced.
  • FIG. 3 is a perspective view of a first position detection device 60.
  • FIG. 7 is a perspective view of a second position detection device 69.
  • FIG. 6 is a diagram for calibrating the distance between the first alignment system 61 and the second alignment system 62 in the first position detection device 60.
  • A) is a perspective view of the laser interferometer of the first position detector 60R on the right side.
  • (B) is a perspective view of the laser interferometer of the second position detector 69R on the right side.
  • (A) is a top view of the first position detection device 60 and the first position detection device 60 and the gate droplet applying device 20G.
  • (B) is a diagram showing a positional relationship between the alignment mark AM and the gate bus line GBL and the source bus line SBL of the field effect transistor.
  • 4 is a schematic flowchart of a manufacturing process of the organic EL element 50.
  • FIG. 1A is an enlarged top view of the organic EL element 50
  • FIGS. 1B and 1C are a bb sectional view and a cc sectional view of FIG.
  • the organic EL element 50 is a bottom contact type.
  • a gate electrode G, a gate insulating layer I, a source electrode S, a drain electrode D, a pixel electrode P, and an organic semiconductor layer OS are formed on a flexible sheet substrate FB (hereinafter referred to as a sheet substrate FB). Is done.
  • the gate electrode G is formed on the sheet substrate FB.
  • An insulating layer I is formed on the gate electrode G.
  • a source electrode S of the source bus line SBL is formed on the insulating layer I, and a drain electrode D connected to the pixel electrode P is formed.
  • An organic semiconductor layer OS is formed between the source electrode S and the drain electrode D. This completes the field effect transistor.
  • a light emitting layer IR is formed on the pixel electrode P, and a transparent electrode ITO is formed on the light emitting layer IR.
  • the sheet substrate FB has a partition wall BA (bank layer).
  • source bus lines SBL are formed between the barrier ribs BA.
  • the partition BA allows the source bus line SBL to be formed with high accuracy, and the pixel electrode P and the light emitting layer IR to be accurately formed.
  • the gate bus line GBL is also formed between the partition walls BA in the same manner as the source bus line SBL.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a manufacturing apparatus 100 that manufactures the organic EL element 50 having the pixel electrode P and the light emitting layer IR shown in FIG. 1 on the sheet substrate FB.
  • a substrate on which a thin film transistor (TFT) and a pixel electrode are formed is formed.
  • TFT thin film transistor
  • partition walls BA are accurately formed in the boundary region of the pixel electrode. It is preferable.
  • the manufacturing apparatus 100 for an organic EL element includes a partition forming process, an electrode forming process, and a light emitting layer forming process.
  • a partition forming process In order to perform precise processing in the electrode forming step and the light emitting layer forming step, it is necessary to accurately acquire the position information of the sheet substrate. For this reason, before the electrode forming step and the light emitting layer forming step, the first position detecting device 60 for detecting the alignment mark AM is required.
  • the manufacturing apparatus 100 for an organic EL element includes a supply roll RL for sending out a sheet substrate FB wound in a roll shape. As the supply roll RL rotates at a predetermined speed, the sheet substrate FB is sent in the + X-axis direction, which is the transport direction.
  • the manufacturing apparatus 100 for organic EL elements includes transport rollers RR at a plurality of locations, and the sheet substrate FB is also sent in the X-axis direction by rotating the transport rollers RR.
  • the transport roller RR may be a rubber roller that sandwiches the sheet substrate FB from both sides. A part of the transport rollers RR can move in the Y-axis direction orthogonal to the transport direction.
  • the sheet substrate FB sent out from the supply roll RL first enters a partition formation process for forming the partition BA on the sheet substrate FB.
  • the imprint roller 10 presses the sheet substrate FB, and the sheet substrate FB is heated to the glass transition point or more by the thermal transfer roller 15 so that the pressed partition wall BA maintains its shape.
  • the roller surface of the imprint roller 10 is mirror-finished, and a fine imprint mold 11 made of a material such as SiC or Ta is attached to the roller surface.
  • the fine imprint mold 11 forms a thin film transistor wiring stamper and a color filter stamper.
  • the mold shape including the partition BA formed in the fine imprint mold 11 is transferred to the sheet substrate FB.
  • the fine imprint mold 11 has a stamper for the alignment marks AM. As the imprint roller 10 rotates, the alignment mark AM and the partition wall BA are formed.
  • the thin film transistor may be an inorganic semiconductor type or an organic semiconductor type. If a thin film transistor is formed using an organic semiconductor, the thin film transistor can be formed by utilizing a printing method or a droplet coating method.
  • the manufacturing apparatus 100 uses a droplet applying apparatus 20 that is one of the droplet applying methods in the electrode forming process.
  • the droplet applying device 20 can adopt an ink jet method or a dispenser method.
  • Examples of the inkjet method include a charge control method, a pressure vibration method, an electromechanical conversion method, an electrothermal conversion method, and an electrostatic suction method.
  • the use of the material is less wasteful, and a desired amount of the material can be accurately disposed at a desired position.
  • the amount of one drop of metal ink applied by the droplet application method is, for example, 1 to 300 nanograms.
  • Metal ink is a liquid in which a conductor having a particle diameter of about 5 nm is stably dispersed in a solvent at room temperature, and carbon, silver (Ag), gold (Au), or the like is used as the conductor.
  • the manufacturing apparatus 100 arranges the first position detection device 60 after the process of the thermal transfer roller 15.
  • the first position detecting device 60 measures the alignment mark AM, thereby instructing an accurate coating position to the gate droplet coating apparatus 20G in the next step.
  • the first position detection device 60 measures the deformation amount of the sheet substrate FB.
  • the gate droplet applying apparatus 20G applies metal ink into the partition wall BA of the gate bus line GBL.
  • the heat treatment apparatus BK dries or bakes (bakes) the metal ink with radiant heat such as hot air or far infrared rays. Through these processes, the gate electrode G (see FIG. 1B) is formed.
  • the first position detection device 60 detects the alignment mark AM in a state where the sheet substrate FB and the transport roller RR are in close contact so that the sheet substrate FB does not sag. Therefore, the first position detection device 60 is disposed on the conveyance roller RR, and the first position detection device 60 detects the alignment mark AM in a state where the sheet substrate FB is on the conveyance roller RR.
  • the first position detection device 60 disposed downstream of the drying or baking process measures the alignment mark AM and instructs the droplet application apparatus 20I for the insulating layer in the next process to have an accurate application position.
  • the insulating layer droplet applying apparatus 20I applies an electrically insulating ink of polyimide resin or urethane resin to the switching unit.
  • the heat treatment apparatus BK dries and cures the electrically insulating ink by radiant heat such as hot air or far infrared rays. With these processes, the gate insulating layer I is formed.
  • the first position detection device 60 disposed after the process of the gate insulating layer I measures the alignment mark AM, and is accurate to the droplet application apparatus 20SD for the source and drain and for the pixel electrode in the next process. Tell the application position.
  • the droplet applying device 20SD for the source, the drain, and the pixel electrode applies metal ink in the partition BA of the source bus line SBL (see FIG. 1A) and in the partition BA of the pixel electrode P.
  • the heat treatment apparatus BK dries or fires the metal ink. By these processes, an electrode in a state where the source electrode S, the drain electrode D, and the pixel electrode P (see FIG. 1A) are connected is formed.
  • the first position detection device 60 disposed after the process of the source electrode S and the drain electrode D measures the alignment mark AM, and sets an accurate application position on the cutting position of the cutting device 30 and the organic semiconductor droplet applying device 20OS. Tell.
  • the cutting device 30 cuts the source electrode S and the drain electrode D connected to each other.
  • the cutting device 30 is a femtosecond laser irradiation unit using, for example, a femtosecond laser.
  • the femtosecond laser irradiation unit irradiates laser light LL having a wavelength of 760 nm with a pulse of 10 KHz to 40 KHz.
  • the galvano mirror (not shown) disposed in the optical path of the laser beam LL rotates, the irradiation position of the laser beam LL changes.
  • the cutting device 30 uses, for example, a femtosecond laser irradiation unit, it can be processed on the order of submicrons.
  • the cutting device 30 accurately cuts the channel length (interval) between the source electrode S and the drain electrode D (see FIG. 1B) that determines the performance of the field effect transistor.
  • the source electrode S, the drain electrode D, and the channel length are about 20 ⁇ m to 30 ⁇ m. By this cutting process, an electrode in which the source electrode S and the drain electrode D are separated is formed.
  • the cutting device 30 can use a carbon dioxide laser or a green laser in addition to the femtosecond laser. In addition to the laser, the cutting device 30 may use a mechanical cutting device such as a dicing saw.
  • the organic semiconductor droplet applying apparatus 20OS applies the organic semiconductor ink to the switching portion between the source electrode S and the drain electrode D.
  • the heat treatment apparatus BK dries or bakes the organic semiconductor ink with radiant heat such as hot air or far infrared rays. Through these processes, the organic semiconductor layer OS (see FIG. 1B) is formed.
  • the compound forming the organic semiconductor ink may be a single crystal material or an amorphous material, and may be a low molecule or a polymer. Particularly preferred are single crystals or ⁇ -conjugated polymers of condensed ring aromatic hydrocarbon compounds represented by pentacene, triphenylene, anthracene and the like.
  • the manufacturing apparatus 100 forms a thin film transistor or the like by using a printing method or a droplet coating method.
  • the channel length of the source electrode S and the drain electrode D (see FIG. 1B) that determines the performance of the thin film transistor is determined by laser processing or mechanical processing by detecting an accurate position with the first position detection device 60. It is formed.
  • the sheet substrate FB on which the thin film transistor and the pixel electrode are formed is continuously subjected to the next light emitting layer forming step as shown in the lower part of FIG.
  • the manufacturing apparatus 100 for an organic EL element continues the process of forming the light emitting layer IR (see FIG. 1) of the organic EL element 50 on the pixel electrode P.
  • the manufacturing apparatus 100 uses the printing roller 40 in the light emitting layer forming process.
  • the printing roller 40 soaked with the phosphorescent compound rotates to form a layer of the phosphorescent compound EL on the pixel electrode PX.
  • the phosphorescent compound EL may be applied by a droplet coating method instead of the printing method.
  • the second position detection device 69 disposed after the cutting device 30 transmits the accurate application position to the printing roller 40 in the next step.
  • the red light emitting layer printing roller 40R is disposed on the lower side (Z direction) than the transport roller RR that changes the transport direction. Therefore, the transport direction of the sheet substrate FB is sent from the + X axis direction to the ⁇ Z axis direction, and the transport direction of the sheet substrate FB is sent from the ⁇ Z axis direction to the + X axis direction by the printing roller 40R for the red light emitting layer. Therefore, the contact area between the sheet substrate FB and the red light emitting layer printing roller 40R is increased.
  • the green light emitting layer printing roller 40G and the blue light emitting layer printing roller 40B include a small front roller SR1 and a rear roller SR2 for pressing the sheet substrate FB.
  • the front roller SR1 and the rear roller SR2 increase the area where the sheet substrate FB follows the outer peripheral surfaces of the printing roller 40G and the printing roller 40B, that is, the contact area.
  • the printing roller 40R for the red light emitting layer applies the R solution onto the pixel electrode P and forms a film so as to have a thickness of 100 nm after drying.
  • the R solution is a solution in which a red dopant material is dissolved in 1,2-dichloroethane in a host material polyvinylcarbazole (PVK).
  • PVK polyvinylcarbazole
  • the green light emitting layer printing roller 40G applies the G solution onto the pixel electrode P.
  • the G solution is a solution in which a green dopant material is dissolved in 1,2-dichloroethane in a host material PVK.
  • the blue light emitting layer printing roller 40B applies the B solution onto the pixel electrode P.
  • the solution B is a solution in which a blue dopant material is dissolved in 1,2-dichloroethane in a host material PVK. Thereafter, the heat treatment apparatus BK dries and cures the light emitting layer solution with radiant heat such as hot air or far infrared rays.
  • the first position detection device 60 arranged after the printing process of the light emitting layer measures the alignment mark AM and transmits the accurate coating position to the droplet coating apparatus 20I for the insulating layer in the next process.
  • the insulating layer droplet applying apparatus 20I applies an electrically insulating ink of polyimide resin or urethane resin to a part of the gate bus line GBL or the source bus line SBL so as not to be short-circuited with a transparent electrode ITO described later. To do.
  • the heat treatment apparatus BK dries and cures the electrically insulating ink by radiant heat such as hot air or far infrared rays.
  • the first position detection device 60 disposed after the insulating layer forming step measures the alignment mark AM and transmits the accurate application position to the ITO electrode droplet applying device 20IT in the next step.
  • the ITO electrode droplet applying apparatus 20IT applies ITO (Indium Tin Oxide indium tin oxide) ink on the red, green and blue light emitting layers.
  • the ITO ink preferably has a transmittance of 90% or more.
  • the heat treatment apparatus BK dries and cures the ITO ink by radiant heat such as hot air or far infrared rays.
  • the organic EL element 50 shown in FIG. 1 is completed.
  • the organic EL element 50 may provide a positive hole transport layer and an electron carrying layer, these layers should just utilize a printing method or a droplet coating method.
  • the manufacturing apparatus 100 has the speed alignment control unit 90 shown in FIG.
  • the speed alignment control unit 90 performs speed control of the supply roll RL and the transport roller RR. Some of the transport rollers RR are movable in the Y-axis direction, and the speed alignment control unit 90 performs movement control of the transport rollers RR in the Y-axis direction. Further, the speed alignment control unit 90 receives the detection result of the alignment mark AM from the plurality of alignment systems 60, and applies the ink application position by the droplet application device 20 or the application position and timing such as ink printing by the printing roller 40, and cutting. The cutting position and timing of the device 30 are controlled.
  • the sheet substrate FB used in the present embodiment is a heat-resistant resin film, specifically, polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, A polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, or vinyl acetate resin that has a light transmission function can be used.
  • the sheet substrate FB is subjected to heat transfer heat treatment in the partition formation process, and the sheet substrate FB is heated to around 200 ° C. in order to receive heat treatment by the heat treatment apparatus BK.
  • the sheet substrate FB may be reduced in thermal expansion coefficient by mixing an inorganic filler with a resin film so that the dimensions are not changed as much as possible even when receiving heat.
  • FIG. 3 is a perspective view of the first position detection device 60.
  • the sheet substrate FB shown in FIG. 3 moves in the transport direction (+ X axis direction).
  • the alignment marks AM are formed at equal intervals in the X-axis direction on the right and left sides of the sheet substrate FB.
  • the alignment mark AM under the first position detection device 60R on the right side is referred to as an alignment mark AMR1 and an alignment mark AMR2.
  • the alignment marks AM below the left first position detection device 60L are referred to as alignment marks AML1 and AML2. All of these are called alignment marks AM when they are not distinguished.
  • the first position detection device 60 (60R, 60L) includes a first alignment system 61 and a second alignment system 62, and is disposed so as to come above the alignment mark AM of the sheet substrate FB.
  • the first alignment system 61 and the second alignment system 62 are fixed by a holding part 63.
  • the holding part 63 is arranged at a predetermined distance, and the holding part 63 is made of an invar alloy made of Fe-36Ni having a low thermal expansion coefficient, a Kovar alloy made of Fe29Ni-17Co, ceramic, or the like. For this reason, the distance between the first alignment system 61 and the second alignment system 62 can be kept at a predetermined distance without being affected by heat. As shown in FIG.
  • the first position detection device 60 has a first position detection device 60R on the right side at the upper part on both sides of the sheet substrate FB, which is a position orthogonal to the conveyance direction (+ X axis direction) of the sheet substrate FB. And the left first position detection device 60L.
  • the first alignment system 61 of the first position detection device 60R on the right side detects the alignment mark AMR1, and then detects the alignment mark AMR2. At that time, the second alignment system 62 detects the alignment mark AMR1. At the same timing, the first alignment system 61 of the left first position detection device 60L also detects the alignment mark AML2, and the second alignment system 62 detects the alignment mark AML1.
  • the first position detection device 60R on the right side detects the alignment mark AMR1 with the first alignment system 61 and detects the moving alignment mark AMR1 with the second alignment system 62.
  • the detection signal is sent to the speed calculation unit 91 in the speed alignment control unit 90. Since the interval between the first alignment system 61 and the second alignment system 62 is accurate, it is possible to measure the right speed of the sheet substrate FB accurately.
  • the first position detection device 60L on the left also detects the alignment mark AML1 with the first alignment system 61, and detects the moving alignment mark AML1 with the second alignment system 62.
  • the detection signal is sent to the speed calculation unit 91 in the speed alignment control unit 90. Since the distance between the first alignment system 61 and the second alignment system 62 is accurate, it is possible to measure an accurate speed on the left side of the sheet substrate FB.
  • the first position detection device 60R on the right side and the first position detection device 60L on the left side simultaneously measure the alignment mark AMR1 and the alignment mark AML1 on both sides of the sheet substrate FB, so that the speed calculation unit 91 can detect the right and left of the sheet substrate FB. Can be measured.
  • the expansion / contraction calculation unit 93 in the velocity alignment control unit 90 compares the detected distance between the alignment mark AMR1 and the alignment mark AMR2 with the distance between the alignment mark AMR1 and the alignment mark AMR2 that are design values.
  • the expansion / contraction calculation unit 93 calculates the expansion / contraction state on the right side of the sheet substrate FB.
  • the distance between the alignment mark AMR1 and the alignment mark AMR2, which are design values, coincides between the pair of alignment marks AM formed on the fine imprint mold 11 (see FIG. 2).
  • the expansion / contraction calculation unit 93 performs the alignment mark AMR1, alignment mark AMR2, alignment mark AML1, and alignment mark AML2.
  • the expansion / contraction state of the enclosed area can be calculated.
  • FIG. 4 is a perspective view of the second position detecting device 69.
  • the second position detection device 69 has the same configuration as the first position detection device 60, and includes a first alignment system 65, a second alignment system 66, and a holding unit 67. However, the attachment angles of the first alignment system 65 and the second alignment system 66 are different. Each of the optical axes of the first alignment system 65 and the optical axis of the second alignment system 66 is set at 90 degrees.
  • the material of the holding portion 67 of the second position detection device 69 is formed of a material having a low thermal expansion coefficient, like the first position detection device 60.
  • the first alignment system 65 of the right-side second position detection device 69R on the right side detects the alignment mark AMR1 after the sheet substrate FB moves in the conveyance direction. Is detected.
  • the second alignment system 66 is detecting the alignment mark AMR1.
  • the left second position detector 69L also detects the alignment mark AML1 by the second alignment system 66 when the first alignment system 65 detects the alignment mark AML2.
  • the sheet substrate FB and the transport roller RR are on the optical axis of the first alignment system 65 of the second position detection device 69 (69R, 69L). Since the first alignment system 65 can detect the alignment mark AM in a state where the sheet substrate FB and the transport roller RR are in close contact with each other, the slack of the sheet substrate FB can be removed and measured. Similarly, the second alignment system 66 of the second position detection device 69 (69R, 69L) can detect the alignment mark AM in a state where the sheet substrate FB and the transport roller RR are in close contact with each other.
  • the speed calculation unit 91 is similar to the first position detection device 60.
  • the speed and left and right traveling deviation can also be calculated simultaneously.
  • the expansion / contraction calculation unit 93 can calculate the expansion / contraction state of the region surrounded by the four alignment marks AM (alignment mark AMR1, alignment mark AMR2, alignment mark AML1, and alignment mark AML2).
  • the first position detection device 60 or the second position detection device 69 of this embodiment may pick up an image with a CCD or CMOS under visible light illumination, and process the picked-up image to detect the position of the alignment mark AM.
  • the first position detection device 60 or the second position detection device 69 may be a method of detecting the position of the alignment mark AM by irradiating the alignment mark AM with a laser beam and receiving the scattered light.
  • FIG. 5 is a diagram showing calibration between the distances of the first alignment system 61 and the second alignment system 62 of the first position detection device 60.
  • the first alignment system 61 and the second alignment system 62 are fixed by a holding part 63 made of a material having a low thermal expansion coefficient, but the distance between the first alignment system 61 and the second alignment system 62 is a temperature. It fluctuates due to such influences. Therefore, the manufacturing apparatus 100 for the organic EL element passes the calibration substrate GR in which the calibration basic mark BM is accurately formed before processing the sheet substrate FB. Calibration between the distances between the first alignment system 61 and the second alignment system 62 is performed.
  • the calibration substrate GR is a glass or plastic substrate having a small thermal expansion, and the basic mark BMR1, the basic mark BMR2, the basic mark BML1, and the basic mark BML2 are formed on the substrate.
  • the positions of these basic marks BM are accurately measured in advance by a measuring instrument (not shown). That is, the distance between the basic mark BMR1 and the basic mark BMR2, the distance between the basic mark BML1 and the basic mark BML2, the distance between the basic mark BMR1 and the basic mark BML1, and the distance between the basic mark BMR2 and the basic mark BML2 are measured in advance. ing.
  • the manufacturing apparatus 100 transports the calibration substrate GR instead of the sheet substrate FB.
  • the calibration substrate GR stops near the first position detection device 60.
  • the first alignment system 61 and the second alignment system 62 of the first position detection device 60 detect the basic mark BM.
  • the calibration unit 95 in the velocity alignment control unit 90 calibrates the distance between the first alignment system 61 and the second alignment system 62.
  • the calibration unit 95 can also calibrate the distance between the first position detection device 60R on the right side and the first position detection device 60L on the left side.
  • the first position detection device 60 is arranged at a plurality of locations.
  • the distance between the first alignment system 61 and the second alignment system 62 is also calibrated for each first position detection device 60.
  • the distance between the first alignment system 65 and the second alignment system 66 of the second position detection device 69 is calibrated using a flexible calibration substrate with small thermal expansion.
  • the basic mark BM for calibration is also drawn on the lexical calibration substrate.
  • the calibration unit 95 can calibrate the distance between the optical axes of the first alignment system 65 and the second alignment system 66 of the second position detection device 69.
  • FIG. 6 is a perspective view showing the laser interferometer and the first position detection device 60.
  • 6A shows the laser interferometer 70 of the first position detection device 60R on the right side of the first position detection device 60
  • FIG. 6B shows the second position detection device 69R on the right side of the second position detection device 69.
  • the laser interferometer 70 is shown. Note that the laser interferometer 70 of the first position detection device 60L on the left side and the second position detection device 69L on the left side are not shown because they have the same configuration.
  • the laser interferometer 70 includes a laser interferometer body 71, a fixed mirror 72, and a moving mirror 73.
  • the distance between the first alignment system and the second alignment system is related to the stretched state of the holding portion 63. Therefore, the fixed mirror 72 is installed in the first alignment system 61 and the movable mirror 73 is installed in the second alignment system 62 so that the longitudinal direction of the holding unit 63 is parallel to the projection direction of the laser light 74 and the laser light 75. Installed.
  • the two laser beams 74 and 75 projected from the laser interferometer main body 71 are projected in parallel along the longitudinal direction of the holding unit 63, and the fixed mirror 72 and the second alignment system 62 installed in the first alignment system 61. Is projected toward the movable mirror 73 installed on the screen.
  • the laser interferometer body 71 synthesizes the laser beams reflected by the fixed mirror 72 and the movable mirror 73, and measures the relative position change between the first alignment system 61 and the second alignment system 62 based on the interference fringes. .
  • the laser interferometer 70 can measure a relative position change between the first alignment system 61 and the second alignment system 62 even while the organic EL element is being manufactured on the sheet substrate FB.
  • the laser light source (not shown) projected from the laser interferometer main body 71 is one place, and is divided into two laser beams 74 and a laser beam 75 by a spectroscope (not shown) such as a beam splitter.
  • the fixed mirror 72 is installed in the first alignment system 65 and the movable mirror 73 is installed in the second alignment system 66 for the second position detection device 69 as well. Then, the two laser beams 74 and 75 projected from the laser interferometer main body 71 are projected in parallel along the longitudinal direction of the holding portion 67, and the relative relationship between the first alignment system 65 and the second alignment system 66 is calculated. Measure position change.
  • the manufacturing apparatus 100 for an organic EL element always accurately measures the distance between the first alignment system 61 and the second alignment system 62 or the distance between the first alignment system 65 and the second alignment system 66 using the laser interferometer 70. To do. For this reason, the measured value of the 1st position detection apparatus 60 or the 2nd position detection apparatus 69 can be calibrated correctly. Therefore, the manufacturing apparatus 100 for organic EL elements can always obtain an accurate measurement result.
  • FIG. 7A shows a top view of the first position detection device 60, the first position detection device 60, and the gate droplet applying device 20G.
  • a gate droplet applying apparatus 20G will be described as a representative of the processing apparatus.
  • the description of the second position detection device 69 is omitted.
  • the speed calculation unit 91 and the expansion / contraction calculation unit 93 of the speed alignment control unit 90 detect the alignment marks AM (four positions in total) on both sides formed on the sheet substrate FB with the first position detection device 60, thereby Measure speed, left / right travel deviation and expansion / contraction state. Further, since the first position detection device 60 is provided above the transport roller RR, the error due to the bending of the sheet substrate FB is made as small as possible.
  • the speed alignment control unit 90 sends signals regarding the speed of the sheet substrate FB, the lateral shift, and the expansion / contraction state to the gate droplet applying apparatus 20G so that the gate droplet applying apparatus 20G can apply the droplets at an optimal position. Put out. Similarly, the speed alignment control unit 90 issues an instruction for the speed of the sheet substrate FB and the rotation speed of the printing roller 40 from the detection result of the first position detection device 60.
  • the gate droplet applying apparatus 20G is arranged in the Y-axis direction, a plurality of nozzles 22 are arranged in the Y-axis direction, and a plurality of rows of nozzles 22 are also arranged in the X-axis direction.
  • the positional relationship of the plurality of nozzles 22 in the XY axis direction is stored in advance.
  • the positional relationship between the alignment mark AM and the gate bus line GBL and the source bus line SBL of the field effect transistor is also defined in advance.
  • the alignment mark AM and the mold shape of the partition wall BA formed on the fine imprint mold 11 shown in FIG. 2 are transferred to the sheet substrate FB.
  • FIG. 7B shows the sheet substrate FB onto which the mold shape has been transferred.
  • a predetermined distance PY between the alignment mark AM and the gate bus line GBL is defined in the Y-axis direction
  • the alignment mark AM and the source bus line SBL are defined in the X-axis direction.
  • a predetermined distance PX is defined.
  • the gate droplet applying apparatus 20G applies the timing for applying the metal ink from the nozzles 22 in accordance with the signal relating to the speed of the sheet substrate FB sent from the speed alignment control unit 90, the left and right advancement deviation, and the expansion and contraction state.
  • the nozzle 22 for applying the metal ink is switched.
  • the droplet applying device 20G can apply the metal ink from the appropriate nozzle 22 at an appropriate timing based on the signal relating to the speed of the sheet substrate FB, the lateral shift and the expansion / contraction state.
  • the other liquid droplet application devices 20 can similarly receive the signal from the velocity alignment control unit 90 and adjust the position where the ink or the like is applied to the sheet substrate FB.
  • the cutting device 30 receives a signal from the speed alignment control unit 90 and adjusts the cutting position.
  • one alignment mark AM is provided for the partition wall BA of the field effect transistors in one row in the X-axis direction.
  • a plurality of alignment marks AM may be provided for the partition walls BA of one row of field effect transistors. If there is a space in the sheet substrate FB, the alignment mark AM may be provided not only on both sides of the sheet substrate FB but also in the central region.
  • the alignment mark AM has been shown as an example of a cross shape, but may have other mark shapes such as a circular mark or an oblique straight mark.
  • FIG. 8 is a schematic flowchart of the manufacturing process of the organic EL element 50.
  • Step P1 alignment marks AM and partition walls BA such as thin film transistors and light emitting layers are formed on the sheet substrate FB by the imprint roller 10 by thermal transfer. Note that the alignment mark AM and the partition wall BA are preferably formed at the same time because the mutual positional relationship is important.
  • Step P2 the first position detection device 60 images the alignment mark AM, so that the speed calculation unit 91 and the expansion / contraction calculation unit 93 of the speed alignment control unit 90 cause the speed of the heat-treated sheet substrate FB and the left and right traveling deviations. And the expansion / contraction state is calculated.
  • step P3 based on the signal regarding the speed of the sheet substrate FB, the lateral shift and expansion / contraction state from the speed alignment controller 90, the gate droplet applying apparatus 20G and the insulating layer droplet applying apparatus 20I.
  • the source and drain droplet applying devices 20SD sequentially apply metal ink for various electrodes.
  • Step P4 the first position detection device 60 images the alignment mark AM, and the speed calculation unit 91 and the expansion / contraction calculation unit 93 calculate the speed, the lateral shift, and the expansion / contraction state of the heat-treated sheet substrate FB.
  • step P5 based on the signal from the velocity alignment control unit 90, the laser beam LL of the cutting device 30 forms a channel that is a gap between the source electrode S and the drain electrode D.
  • Step P6 the organic semiconductor droplet coating apparatus 20OS forms the organic semiconductor in the gap between the source electrode S and the drain electrode D based on the signal from the speed alignment controller 90.
  • Step P7 the second position detection device 69 images the alignment mark AM, and the speed alignment control unit 90 calculates the speed, the lateral shift, and the expansion / contraction state of the heat-treated sheet substrate FB.
  • Step P8 based on the signal from the speed alignment controller 90, the printing roller 40 forms an RGB light emitting layer.
  • Step P9 the first position detection device 60 images the alignment mark AM, and the speed alignment control unit 90 calculates the speed, the left-right advancement deviation, and the expansion / contraction state of the heat-treated sheet substrate FB.
  • Step P ⁇ b> 10 the insulating layer droplet applying apparatus 20 ⁇ / b> I forms the insulating layer I based on the signal from the speed alignment control unit 90.
  • Step P11 the first position detection device 60 images the alignment mark AM, and the speed alignment control unit 90 calculates the speed, the left-right advancement deviation, and the expansion / contraction state of the heat-treated sheet substrate FB.
  • step P12 based on the signal corrected by the speed alignment controller 90, the ITO electrode droplet applying apparatus 20IT forms the ITO electrode.
  • the fine imprint mold 11 (FIG. 2) is premised on forming the alignment mark AM on the sheet substrate FB.
  • the sheet substrate FB on which the alignment marks AM are formed in advance may be purchased, and the fine imprint mold 11 may form only the partition walls BA on the sheet substrate FB.
  • the positional relationship in the XY direction between the alignment mark AM and the partition wall BA may be measured by a measurement device (not shown).
  • the manufacturing apparatus of the present invention can be applied to a liquid crystal display element, a field emission display, and the like.
  • the heat treatment apparatus BK is provided in the manufacturing apparatus of the embodiment, an ink or solution that does not require heat treatment has been proposed by improving the metal ink or the light emitting layer solution. For this reason, it is not always necessary to provide the heat treatment apparatus BK in this embodiment.
  • Holding unit 70 Laser interferometer (71 ... Laser interferometer body, 72 ... Fixed mirror, 73 ... Moving mirror) 74, 75 ... Laser light 90 ... Speed & alignment control unit 100 ... Manufacturing apparatus AM ... Alignment mark BA ... Partition wall BK ... Heat treatment apparatus D ... Drain electrode FB ... Sheet substrate G ... Gate electrode GBL Gate bus line GR ... Glass substrate I ... Gate insulating layer IR ... Light emitting layer ITO Transparent electrode LL ... Laser light OS ... Organic semiconductor layer P ... Pixel electrode PX ... Predetermined distance PY in the X-axis direction ... Predetermined distance RL in the Y-axis direction ... Supply roll RR ... Roller S ... Source electrode SBL ... Source bus line

Abstract

　高精度に位置検出できる表示素子の製造方法及び製造装置を提供することを課題とする。表示素子の製造装置は、基板（ＦＢ）を第１方向に搬送する搬送部（ＲＲ）と、基準マーク（ＡＭＲ２、ＡＭＬ２）を検出する第１アライメント系（６１）と、第１アライメント系から第１方向に所定距離離れて配置され基準マーク（ＡＭＲ１、ＡＭＬ１）を検出する第２アライメント系（６２）と、基準マークを検出し基板の第１方向の伸縮又は基板の搬送速度を算出する算出部（９１、９３）と、基板の第１方向の伸縮又は基板の搬送速度の少なくとも一方と基準マークとに基づいて、基板の所定の位置に処理する処理部と、を有する。

Description

表示素子の製造方法及び製造装置
　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、液晶表示素子又は電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：フィールドエミッション・ディスプレイ）などの表示素子の製造方法又は製造装置に関する。
　有機ＥＬ，液晶表示素子などの表示素子は、小型、薄型、低消費電力、及び軽量という特徴を有するため、現在、各種の電子機器に広く用いられている。これら表示素子は大型化が進んでいる。大型化したロール状に巻かれた可撓性シート基板に表示素子を形成するには、可撓性シート基板の変形が製品の歩留まりに大きく影響する。このため、製造工程における可撓性シート基板の位置情報（アライメント情報）の正確な取得が液晶表示素子の製品の歩留まり向上に大きく影響することになる。
　特許文献１は有機ＥＬの表示素子の低減、ランニング・コストの低減の対策として、ロール形式で有機ＥＬの表示素子を製造する製造装置を開示する。特許文献１に開示されるように、可撓性シート基板を用いて基板上に有機ＥＬ素子を形成する場合、基板とマスクとのアライメント時には画像認識カメラを用いて可撓性シート基板とマスクとをアライメントを行う必要がある。特許文献１の開示する発明は、可撓性シート基板の位置を確認する第１画像認識カメラとマスクの位置を確認する第２画像認識カメラとを有している。
特開２００３－１７３８７０号公報
　しかし、可撓性シート基板は、各工程における熱によって収縮する場合がある。長尺の表示素子を形成するには、可撓性シート基板の伸縮が無視できない問題となってきているため、位置決めが非常に重要となる。また搬送ローラと可撓性シート基板との間にはすべり発生するため、又は搬送ローラの回転速度と長尺の可撓性シート基板の搬送速度とには差異があるため、実際の長尺の可撓性シート基板の搬送速度を適切に把握する必要がある。
　そこで、基板に対しても高精度に表示素子を形成するため、高精度に位置検出できる表示素子用の製造装置を提供する。
　本発明の表示素子の製造方法は、所定方向に配列した第１アライメント系及び第２アライメント系で基板上の基準マークを検出し、基板の所定方向の伸縮を算出する伸縮算出工程と、基準マーク及び基板の所定方向の伸縮に基づいて、処理装置により基板の所定の位置に処理を施す処理工程と、を有する。
　この製造方法により、基板の所定方向の伸縮を把握することができ、その伸縮に応じて基板に処理を施すことができるため、熱などによって基板が伸縮した場合であっても正確に基板を処理することができる。
　本発明の表示素子の製造装置は、基準マークを有する基板を所定方向に搬送する搬送部と、基準マークを検出する第１アライメント系と、第１アライメント系から所定方向に所定距離離れて配置され基準マークを検出する第２アライメント系と、基準マークを検出し基板の所定方向の伸縮又は基板の搬送速度を算出する算出部と、基板の所定方向の伸縮又は基板の搬送速度の少なくとも一方と基準マークとに基づいて基板の所定の位置に処理する処理部と、を有する。
　この製造装置により、基板の所定方向の伸縮又は搬送速度を把握することができ、その伸縮又は搬送速度に応じて基板に処理を施すことができるため、正確に基板を処理することができる。
　本発明は、伸縮しやすい基板に対して、第１アライメント系と第２アライメント系とによって基準マークを検出することで基板の伸縮及び移動速度を計測することができる。このため、表示素子の製造装置の精度を高めることができ、不良の少ない素子が量産される。
（ａ）は、ボトムゲート型の有機ＥＬ素子５０の上面図である。　（ｂ）は、（ａ）のｂ－ｂ断面図である。　（ｃ）は、（ａ）のｃ－ｃ断面図である。 有機ＥＬ素子５０を製造する製造装置１００の構成を示した概略図である。 第１位置検出装置６０の斜視図である。 第２位置検出装置６９の斜視図である。 第１位置検出装置６０において第１アライメント系６１と第２アライメント系６２との距離を校正する図である。 （ａ）は、右側の第１位置検出装置６０Ｒのレーザー干渉計の斜視図である。　（ｂ）は、右側の第２位置検出装置６９Ｒのレーザー干渉計の斜視図である。 （ａ）は、第１位置検出装置６０及び第１位置検出装置６０とゲート用液滴塗布装置２０Ｇとの上面図である。　（ｂ）は、アライメントマークＡＭと電界効果型トランジスタのゲートバスラインＧＢＬ及びソースバスラインＳＢＬとの位置関係を示した図である。 有機ＥＬ素子５０の製造工程の概略フローチャートである。
＜電界効果型トランジスタの有機ＥＬ素子５０＞
　図１（ａ）は、有機ＥＬ素子５０の拡大上面図であり、図１（ｂ）及び（ｃ）は、（ａ）のｂ－ｂ断面図及びｃ－ｃ断面図である。有機ＥＬ素子５０はボトムコンタクト型である。有機ＥＬ素子５０は、可撓性のシート基板ＦＢ（以下はシート基板ＦＢとする）にゲート電極Ｇ、ゲート絶縁層Ｉ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、画素電極Ｐ及び有機半導体層ＯＳが形成される。
　図１（ｂ）に示されるようにシート基板ＦＢ上にゲート電極Ｇが形成されている。そのゲート電極Ｇの上に絶縁層Ｉが形成されている。絶縁層Ｉの上にソースバスラインＳＢＬのソース電極Ｓが形成されるとともに、画素電極Ｐと接続したドレイン電極Ｄが形成される。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間には有機半導体層ＯＳが形成される。これで電界効果型トランジスタが完成することになる。また、図１（ｂ）及び（ｃ）に示されるように、画素電極Ｐの上には発光層ＩＲが形成され、その発光層ＩＲには透明電極ＩＴＯが形成される。
　図１（ｂ）及び（ｃ）から理解されるように、シート基板ＦＢには隔壁ＢＡ（バンク層）が形状されている。そして図１（ｃ）に示されるようにソースバスラインＳＢＬが隔壁ＢＡ間に形成されている。このように、隔壁ＢＡが存在することによりソースバスラインＳＢＬが高精度に形成されるとともに、画素電極Ｐ及び発光層ＩＲも正確に形成されている。なお、図１（ｂ）及び（ｃ）では描かれていないがゲートバスラインＧＢＬもソースバスラインＳＢＬと同様に隔壁ＢＡ間に形成されている。このような有機ＥＬ素子５０を量産する製造装置１００を以下に説明する。
＜＜有機ＥＬ素子の製造装置＞＞
　図２は、シート基板ＦＢに、図１で示した画素電極Ｐ及び発光層ＩＲなど有する有機ＥＬ素子５０を製造する製造装置１００の構成を示した概略図である。
　有機ＥＬ素子５０の製造においては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び画素電極が形成された基板が形成される。その基板上の画素電極上に発光層を含む１以上の有機化合物層（発光素子層）を精度良く形成するために、画素電極の境界領域に隔壁ＢＡ（図１を参照）を精度良く形成することが好ましい。
　有機ＥＬ素子用の製造装置１００は隔壁形成工程、電極形成工程、及び発光層形成工程で構成される。電極形成工程及び発光層形成工程では精密に処理するために、正確にシート基板の位置情報を取得しておく必要がある。このため電極形成工程及び発光層形成工程などの前には、アライメントマークＡＭを検出する第１位置検出装置６０が必要となる。
　有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、ロール状に巻かれたシート基板ＦＢを送り出すための供給ロールＲＬを備えている。供給ロールＲＬが所定速度の回転を行うことで、シート基板ＦＢが搬送方向である＋Ｘ軸方向に送られる。また、有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、複数個所に搬送ローラＲＲを備えており、この搬送ローラＲＲが回転することによっても、シート基板ＦＢがＸ軸方向に送られる。搬送ローラＲＲはシート基板ＦＢを両面から挟み込むゴムローラであってもよい。また一部の搬送ローラＲＲは搬送方向と直交するＹ軸方向に移動可能である。
＜隔壁形成工程＞
　供給ロールＲＬから送り出されたシート基板ＦＢは、最初にシート基板ＦＢに隔壁ＢＡを形成する隔壁形成工程に入る。隔壁形成工程では、インプリントローラ１０がシート基板ＦＢを押圧するとともに、押圧された隔壁ＢＡが形状を保つように熱転写ローラ１５でシート基板ＦＢをガラス転移点以上に熱する。インプリントローラ１０のローラ表面は鏡面仕上げされており、そのローラ表面にＳｉＣ、Ｔａなどの材料で構成された微細インプリント用モールド１１が取り付けられている。
　微細インプリント用モールド１１は、薄膜トランジスタの配線用のスタンパー及びカラーフィルタ用のスタンパーを形成している。微細インプリント用モールド１１に形成された隔壁ＢＡを含む型形状がシート基板ＦＢに転写される。また、シート基板ＦＢの幅方向であるＹ軸方向の両側に基準マークであるアライメントマークＡＭを形成するため、微細インプリント用モールド１１は、アライメントマークＡＭ用のスタンパーを有している。インプリントローラ１０が回転することで、アライメントマークＡＭと隔壁ＢＡとが形成される。
＜電極形成工程＞
　薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としては、無機半導体系のものでも有機半導体を用いたものでも良い。有機半導体を用いて薄膜トランジスタを構成すれば、印刷法や液滴塗布法を活用して薄膜トランジスタを形成できる。
　製造装置１００は、電極形成工程で、液滴塗布法の一つである液滴塗布装置２０を使用する。液滴塗布装置２０は、インクジェット方式又はディスペンサー方式を採用することができる。インクジェット方式としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。液滴塗布法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できる。なお、液滴塗布法により塗布されるメタルインクの一滴の量は、例えば１～３００ナノグラムである。なおメタルインクは、粒子径が約５ｎｍほどの導電体が室温の溶媒中で安定して分散をする液体であり、導電体として、カーボン、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）などが使われる。
　製造装置１００は、熱転写ローラ１５の工程の後に第１位置検出装置６０を配置する。第１位置検出装置６０はアライメントマークＡＭを計測することで、次の工程のゲート用液滴塗布装置２０Ｇに正確な塗布位置を指示する。特に熱転写ローラ１５の処理後はシート基板ＦＢが収縮変形し易いため、第１位置検出装置６０はシート基板ＦＢの変形量を計測する。ゲート用液滴塗布装置２０Ｇは、ゲートバスラインＧＢＬの隔壁ＢＡ内にメタルインクを塗布する。そして、熱処理装置ＢＫは熱風又は遠赤外線などの放射熱によりメタルインクを乾燥又は焼成（ベーキング）する。これらの処理で、ゲート電極Ｇ（図１（ｂ）を参照）が形成される。
　第１位置検出装置６０は、シート基板ＦＢの弛みがないように、シート基板ＦＢと搬送ローラＲＲとが密着した状態でアライメントマークＡＭを検出することが好ましい。このため、第１位置検出装置６０は搬送ローラＲＲ上に配置され、第１位置検出装置６０は搬送ローラＲＲ上にシート基板ＦＢがある状態でアライメントマークＡＭを検出する。
　次に、乾燥又は焼成工程の下流に配置された第１位置検出装置６０は、アライメントマークＡＭを計測し、次の工程の絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉに正確な塗布位置を指示する。熱処理装置ＢＫの処理後には、シート基板ＦＢが収縮変形し易いためである。絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉは、ポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂の電気絶縁性インクをスイッチング部に塗布する。そして、熱処理装置ＢＫは熱風又は遠赤外線などの放射熱により電気絶縁性インクを乾燥し硬化する。これらの処理で、ゲート絶縁層Ｉが形成される。
　次に、ゲート絶縁層Ｉの工程後に配置された第１位置検出装置６０は、アライメントマークＡＭを計測し、次の工程のソース用及びドレイン用並びに画素電極用の液滴塗布装置２０ＳＤに正確な塗布位置を伝える。ソース用及びドレイン用並びに画素電極用の液滴塗布装置２０ＳＤは、メタルインクを、ソースバスラインＳＢＬ（図１（ａ）を参照）の隔壁ＢＡ内及び画素電極Ｐの隔壁ＢＡ内に塗布する。そして、熱処理装置ＢＫはメタルインクを乾燥又は焼成する。これらの処理で、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐ（図１（ａ）を参照）が接続された状態の電極が形成される。
　次に、ソース電極Ｓドレイン電極Ｄの工程後に配置された第１位置検出装置６０は、アライメントマークＡＭを計測し、切断装置３０の切断位置及び有機半導体液滴塗布装置２０ＯＳに正確な塗布位置を伝える。切断装置３０は互いにつながったソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとを切断する。切断装置３０は例えばフェムト秒レーザーを使ったフェムト秒レーザー照射部である。フェムト秒レーザー照射部は７６０ｎｍ波長のレーザー光ＬＬを１０ＫＨｚから４０ＫＨｚのパルスで照射する。レーザー光ＬＬの光路に配置されるガルバノミラー（不図示）が回転することにより、レーザー光ＬＬの照射位置が変化する。
　切断装置３０は、例えばフェムト秒レーザー照射部を使用するため、サブミクロンオーダの加工が可能である。切断装置３０は、電界効果型トランジスタの性能を決めるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ（図１（ｂ）を参照）とのチャネル長（間隔）を正確に切断する。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとチャネル長は、２０μｍから３０μｍ程度である。この切断処理により、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとが分離された電極が形成される。
　切断装置３０は、フェムト秒レーザー以外に、炭酸ガスレーザー又はグリーンレ－ザーなどを使用することも可能である。また、切断装置３０はレーザー以外にもダイシングソーなどで機械的な切断装置を使用してもよい。
　次に、有機半導体液滴塗布装置２０ＯＳは、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間のスイッチング部に有機半導体インクを塗布する。そして、熱処理装置ＢＫは熱風又は遠赤外線などの放射熱により有機半導体インクを乾燥又は焼成する。これらの処理で、有機半導体層ＯＳ（図１（ｂ）を参照）が形成される。
　なお、有機半導体インクを形成する化合物は、単結晶材科でもアモルファス材料でもよく、低分子でも高分子でもよい。特に好ましいものとしては、ペンタセンやトリフェニレン、アントラセン等に代表される縮環系芳香族炭化水素化合物の単結晶又はπ共役系高分子が挙げられる。
　以上のようにして、製造装置１００は、印刷法や液滴塗布法を活用して薄膜トランジスタ等を形成する。また薄膜トランジスタの性能を決めるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ（図１（ｂ）を参照）とのチャネル長は、第１位置検出装置６０で正確な位置を検出することで、レーザー加工又は機械加工により形成される。
　薄膜トランジスタ及び画素電極が形成されたシート基板ＦＢは、図２の下段に示されるように連続して次の発光層形成工程が行われる。
＜発光層形成工程＞
　有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、画素電極Ｐ上に有機ＥＬ素子５０の発光層ＩＲ（図１を参照）の形成工程を引き続き行う。製造装置１００は、発光層形成工程では、印刷ローラ４０を使用する。リン光性化合物を染み込ませた印刷ローラ４０が回転して、画素電極ＰＸにリン光性化合物ＥＬの層が形成される。印刷法ではなく液滴塗布法でリン光性化合物ＥＬが塗布されてもよい。
　切断装置３０の工程後に配置された第２位置検出装置６９は次の工程の印刷ローラ４０に正確な塗布位置を伝える。赤色発光層用の印刷ローラ４０Ｒは、搬送方向を変更する搬送ローラＲＲより下側（Ｚ方向）に配置されている。このためシート基板ＦＢは搬送方向が＋Ｘ軸方向から－Ｚ軸方向に送られ、赤色発光層用の印刷ローラ４０Ｒによって、シート基板ＦＢは搬送方向が－Ｚ軸方向から＋Ｘ軸方向に送られる。したがってシート基板ＦＢと赤色発光層用の印刷ローラ４０Ｒとの接触面積が増やされている。
　緑色発光層用の印刷ローラ４０Ｇ及び青色発光層用の印刷ローラ４０Ｂは、シート基板ＦＢを押さえるための小型の前部ローラＳＲ１と後部ローラＳＲ２とを備える。前部ローラＳＲ１及び後部ローラＳＲ２はシート基板ＦＢが印刷ローラ４０Ｇ及び印刷ローラ４０Ｂの外周面に倣う領域、すなわち接触面積を増やしている。
　赤色発光層用の印刷ローラ４０Ｒは、Ｒ溶液を画素電極Ｐ上に塗布し、乾燥後の厚み１００ｎｍになるように成膜を行う。Ｒ溶液は、ホスト材のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に赤ドーパント材を１、２－ジクロロエタン中に溶解した溶液とする。
　続いて、緑色発光層用の印刷ローラ４０Ｇは、Ｇ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。Ｇ溶液は、ホスト材ＰＶＫに緑ドーパント材を１、２－ジクロロエタン中に溶解した溶液とする。
　さらに、青色発光層用の印刷ローラ４０Ｂは、Ｂ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。Ｂ溶液は、ホスト材ＰＶＫに青ドーパント材を１、２－ジクロロエタン中に溶解した溶液とする。その後、熱処理装置ＢＫは熱風又は遠赤外線などの放射熱により発光層溶液を乾燥し硬化する。
　次に、発光層の印刷工程後に配置された第１位置検出装置６０は、アライメントマークＡＭを計測し、次の工程の絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉに正確な塗布位置を伝える。絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉは、ポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂の電気絶縁性インクを、後述する透明電極ＩＴＯとショートしないように、ゲートバスラインＧＢＬ又はソースバスラインＳＢＬの一部に塗布する。そして、熱処理装置ＢＫは熱風又は遠赤外線などの放射熱により電気絶縁性インクを乾燥し硬化する。
　その後、絶縁層の形成工程後に配置された第１位置検出装置６０は、アライメントマークＡＭを計測し、次の工程のＩＴＯ電極用の液滴塗布装置２０ＩＴに正確な塗布位置を伝える。ＩＴＯ電極用の液滴塗布装置２０ＩＴは、赤色、緑色及び青色発光層の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide インジウムスズ酸化物）インクを塗布する。ＩＴＯインクは、透過率が９０％以上であることが好ましい。そして、熱処理装置ＢＫは熱風又は遠赤外線などの放射熱によりＩＴＯインクを乾燥し硬化する。
　発光層及びＩＴＯ電極が形成されると、図１に示された有機ＥＬ素子５０が完成する。なお、有機ＥＬ素子５０は、正孔輸送層及び電子輸送層を設ける場合があるが、これらの層も印刷法や液滴塗布法を活用すればよい。
　製造装置１００は、図１に示された速度アライメント制御部９０を有している。速度アライメント制御部９０は、供給ロールＲＬ、及び搬送ローラＲＲの速度制御を行う。また一部の搬送ローラＲＲは、Ｙ軸方向に移動可能になっており、速度アライメント制御部９０は、搬送ローラＲＲのＹ軸方向の移動制御を行う。また、速度アライメント制御部９０は、複数のアライメント系６０からアライメントマークＡＭの検出結果を受け取り、液滴塗布装置２０によるインクの塗布位置又は印刷ローラ４０によるインクの印刷などの塗布位置とタイミング、切断装置３０の切断位置及びタイミングを制御する。
　本実施形態で用いるシート基板ＦＢは、耐熱性の樹脂フィルムであり、具体的には、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂で光透過機能があるものを使うことができる。
　シート基板ＦＢは、隔壁形成工程で熱転写の熱処理を受け、熱処理装置ＢＫによる熱処理を受けるために、シート基板ＦＢが２００度Ｃ前後に加熱される。シート基板ＦＢは、熱を受けてもできるだけ寸法が変わらないように無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくしてもよい。
＜アライメント＞
　図３は第１位置検出装置６０の斜視図である。図３で示されるシート基板ＦＢは搬送方向（＋Ｘ軸方向）に移動する。図３ではアライメントマークＡＭは、シート基板ＦＢの右側及び左側にＸ軸方向に均等の間隔で形成されている。以下、右側の第１位置検出装置６０Ｒの下にあるアライメントマークＡＭをアライメントマークＡＭＲ１及びアライメントマークＡＭＲ２と呼ぶ。左側の第１位置検出装置６０Ｌの下にあるアライメントマークＡＭをアライメントマークＡＭＬ１及びアライメントマークＡＭＬ２と呼ぶ。また特にそれらを区別しないときにはこれらすべてをアライメントマークＡＭと呼ぶ。
　第１位置検出装置６０（６０Ｒ，６０Ｌ）は、第1アライメント系６１と第２アライメント系６２とを備え、シート基板ＦＢのアライメントマークＡＭの上部に来るように配置される。第1アライメント系６１と第２アライメント系６２とは保持部６３により固定されている。保持部６３は所定距離で配置され、保持部６３の材質は低い熱膨張係数のＦｅ－３６Ｎｉからなるインバー合金や、Ｆｅ２９Ｎｉ－１７Ｃｏからなるコバール合金や、セラミックなどを用いる。このため、第1アライメント系６１と第２アライメント系６２との距離は熱に影響されずに所定距離を保つことができる。第１位置検出装置６０は、図３に示されるようにシート基板ＦＢの搬送方向（＋Ｘ軸方向）に対して直交する位置であるシート基板ＦＢの両側の上部に右側の第１位置検出装置６０Ｒと左側の第１位置検出装置６０Ｌとを設置している。
　右側の第１位置検出装置６０Ｒの第1アライメント系６１はアライメントマークＡＭＲ１を検出した後、アライメントマークＡＭＲ２を検出する。その際に第２アライメント系６２はアライメントマークＡＭＲ１を検出している。同様なタイミングで、左側の第１位置検出装置６０Ｌの第1アライメント系６１もアライメントマークＡＭＬ２を検出し、第２アライメント系６２がアライメントマークＡＭＬ１を検出する。
　右側の第１位置検出装置６０Ｒは、第1アライメント系６１でアライメントマークＡＭＲ１を検出し、移動するアライメントマークＡＭＲ１を第２アライメント系６２で検出する。検出信号は、速度アライメント制御部９０内の速度算出部９１に送られる。第1アライメント系６１と第２アライメント系６２との間隔は正確であるため、正確なシート基板ＦＢの右側の速度を計測することができる。同様に左側の第１位置検出装置６０Ｌも第1アライメント系６１でアライメントマークＡＭＬ１を検出し、移動するアライメントマークＡＭＬ１を第２アライメント系６２で検出する。その検出信号は、速度アライメント制御部９０内の速度算出部９１に送られる。第1アライメント系６１と第２アライメント系６２との間隔は正確であるため、正確なシート基板ＦＢの左側の速度を計測することができる。
　また、右側の第１位置検出装置６０Ｒ及び左側の第１位置検出装置６０Ｌがシート基板ＦＢの両側のアライメントマークＡＭＲ１及びアライメントマークＡＭＬ１を同時に計測することで、速度算出部９１はシート基板ＦＢの左右の進行ずれを計測することができる。
　さらに第１アライメント系６１と第２アライメント系６２とは、シート基板ＦＢのアライメントマークＡＭＲ１とアライメントマークＡＭＲ２とを同時に計測することができるので、アライメントマークＡＭＲ１とアライメントマークＡＭＲ２との距離を計測することができる。速度アライメント制御部９０内の伸縮算出部９３は、検出されたアライメントマークＡＭＲ１とアライメントマークＡＭＲ２との距離と、設計値であるアライメントマークＡＭＲ１とアライメントマークＡＭＲ２との距離とを比較する。そして伸縮算出部９３はシート基板ＦＢの右側の伸縮状態を算出する。設計値であるアライメントマークＡＭＲ１とアライメントマークＡＭＲ２との距離は、微細インプリント用モールド１１（図２を参照）に形成された一対のアライメントマークＡＭ間と一致する。
　また、同様に、シート基板ＦＢの左側のアライメントマークＡＭＬ１とアライメントマークＡＭＬ２とを同時に測定することで、伸縮算出部９３は、アライメントマークＡＭＲ１、アライメントマークＡＭＲ２、アライメントマークＡＭＬ１、及びアライメントマークＡＭＬ２とで囲まれた領域の伸縮状態を算出することができる。
　図４は第２位置検出装置６９の斜視図である。第２位置検出装置６９は、第１位置検出装置６０と同様な構成であり、第１アライメント系６５、第２アライメント系６６及び保持部６７で構成されている。ただし、第１アライメント系６５と第２アライメント系６６との取り付け角度が異なる。第１アライメント系６５の光軸と第２アライメント系６６の光軸との交点が９０度になるようそれぞれが設置されている。第２位置検出装置６９の保持部６７の材質は第１位置検出装置６０と同様に低熱膨張係数の材料で形成されている。
　図４に示されるシート基板の搬送方向に対して、右側の右側第２位置検出装置６９Ｒの第１アライメント系６５はシート基板ＦＢが搬送方向に移動し、アライメントマークＡＭＲ１を検出した後アライメントマークＡＭＲ２を検出する。その際に、第２アライメント系６６はアライメントマークＡＭＲ１を検出している状態である。同様なタイミングで左側第２位置検出装置６９Ｌも第１アライメント系６５がアライメントマークＡＭＬ２を検出した際に、第２アライメント系６６でアライメントマークＡＭＬ１を検出する。
　第２位置検出装置６９（６９Ｒ、６９Ｌ）の第１アライメント系６５の光軸上にはシート基板ＦＢと搬送ローラＲＲとがある。第１アライメント系６５はシート基板ＦＢと搬送ローラＲＲとが密着した状態でアライメントマークＡＭを検出することができるため、シート基板ＦＢの弛みを除去して計測することができる。第２位置検出装置６９（６９Ｒ、６９Ｌ）の第２アライメント系６６も同様にシート基板ＦＢと搬送ローラＲＲとが密着した状態でアライメントマークＡＭを検出することができる。つまり、第２位置検出装置６９の第１アライメント系６５の視野から第２アライメント系６６の視野は全て搬送ローラＲＲの表面に密着しているため、弛みを除去したシート基板ＦＢの４箇所のアライメントマークＡＭで囲まれた領域で正確に計測することができる。
　第２位置検出装置６９（６９Ｒ、６９Ｌ）によりアライメントマークＡＭＲ１、アライメントマークＡＭＲ２、アライメントマークＡＭＬ１、及びアライメントマークＡＭＬ２を同時に計測することで、速度算出部９１は、第１位置検出装置６０と同様に速度及び左右の進行ずれも同時に算出することができる。また、伸縮算出部９３は４箇所のアライメントマークＡＭ（アライメントマークＡＭＲ１、アライメントマークＡＭＲ２、アライメントマークＡＭＬ１、及びアライメントマークＡＭＬ２）で囲まれた領域の伸縮状態を算出することができる。
　本実施形態の第１位置検出装置６０又は第２位置検出装置６９は、可視光照明下でＣＣＤ又はＣＭＯＳで撮像し、その撮像画像を処理してアライメントマークＡＭの位置を検出してもよい。また、第１位置検出装置６０又は第２位置検出装置６９は、レーザー光をアライメントマークＡＭに照射して、その散乱光を受光することでアライメントマークＡＭの位置を検出する方法でもよい。
　＜第1アライメント系と第２アライメント系との距離間の校正＞
　図５は、第１位置検出装置６０の第1アライメント系６１と第２アライメント系６２との距離間の校正を示した図である。
　第1アライメント系６１と第２アライメント系６２とは低い熱膨張係数の材料で構成される保持部６３により固定されているが、第1アライメント系６１と第２アライメント系６２との距離間は温度などの影響で変動する。そこで、有機ＥＬ素子用の製造装置１００はシート基板ＦＢを処理する前に校正用の基礎マークＢＭを正確に形成した校正用基板ＧＲを通過させる。そして第1アライメント系６１と第２アライメント系６２との距離間の校正が行われる。
　校正用基板ＧＲは、熱膨張が小さいガラス又はプラスチックの基板であり、その基板上に基礎マークＢＭＲ１、基礎マークＢＭＲ２、基礎マークＢＭＬ１、及び基礎マークＢＭＬ２が形成されている。そしてこれらの基礎マークＢＭの位置は不図示の測定器によって予め正確に測定されている。つまり、基礎マークＢＭＲ１と基礎マークＢＭＲ２との距離、基礎マークＢＭＬ１と基礎マークＢＭＬ２との距離、基礎マークＢＭＲ１と基礎マークＢＭＬ１との距離、及び基礎マークＢＭＲ２と基礎マークＢＭＬ２との距離が予め測定されている。
　そして製造装置１００は、シート基板ＦＢに代えて校正用基板ＧＲを搬送する。校正用基板ＧＲは第１位置検出装置６０の付近で停止する。第１位置検出装置６０の第1アライメント系６１と第２アライメント系６２とが基礎マークＢＭを検出する。その検出結果に基づいて、速度アライメント制御部９０内の校正部９５は、第1アライメント系６１と第２アライメント系６２との距離を校正する。また校正部９５は、右側の第１位置検出装置６０Ｒと左側の第１位置検出装置６０Ｌとの距離も校正することができる。
　図２に示されるように、第１位置検出装置６０は複数の箇所に配置されている。それぞれの第１位置検出装置６０に対しても第1アライメント系６１と第２アライメント系６２との距離が校正される。
　なお、図示しないが、第２位置検出装置６９の第1アライメント系６５と第２アライメント系６６との距離は、熱膨張が小さいフレキシブルな校正用基板を使用して校正する。レキシブルな校正用基板にも校正用の基礎マークＢＭが描かれている。校正部９５は、第２位置検出装置６９の第1アライメント系６５と第２アライメント系６６との光軸間距離を校正することができる。
　＜第1アライメント系と第２アライメント系との距離間の常時計測＞
　図６はレーザー干渉計と第１位置検出装置６０とを示した斜視図である。図６（ａ）は第１位置検出装置６０の右側の第１位置検出装置６０Ｒのレーザー干渉計７０を示し、図６（ｂ）は第２位置検出装置６９の右側の第２位置検出装置６９Ｒのレーザー干渉計７０を示している。なお、左側の第１位置検出装置６０Ｌ及び左側の第２位置検出装置６９Ｌのレーザー干渉計７０も同様な構成であるため図示していない。
　図６（ａ）に示されるように、レーザー干渉計７０はレーザー干渉計本体７１と固定鏡７２と移動鏡７３とで構成されている。第1アライメント系と第２アライメント系との距離間は、保持部６３の伸縮状態に関連する。そのため、保持部６３の長手方向とレーザー光７４、レーザー光７５の投射方向とが平行になるように、第1アライメント系６１に固定鏡７２が設置され、第２アライメント系６２に移動鏡７３が設置される。レーザー干渉計本体７１から投射される２本のレーザー光７４、７５は保持部６３の長手方向に沿って平行に投射され、第1アライメント系６１に設置された固定鏡７２と第２アライメント系６２に設置された移動鏡７３とに向けて投射される。
　そしてレーザー干渉計本体７１は、固定鏡７２及び移動鏡７３で反射したレーザー光を合成しその干渉縞に基づいて第1アライメント系６１と第２アライメント系６２との相対的な位置変化を計測する。レーザー干渉計７０はシート基板ＦＢに有機ＥＬ素子を製造している最中でも、第1アライメント系６１と第２アライメント系６２との相対的な位置変化を計測することができる。なお、レーザー干渉計本体７１から投射するレーザー光源（不図示）は１箇所であり、ビームスプリッタ等の分光器（不図示）で２本のレーザー光７４、レーザー光７５に分けている。
　図６（ｂ）に示されるように、第２位置検出装置６９に対しても、第1アライメント系６５に固定鏡７２が設置され、第２アライメント系６６に移動鏡７３が設置される。そして、レーザー干渉計本体７１から投射される２本のレーザー光７４、７５は保持部６７の長手方向に沿って平行に投射され、第1アライメント系６５と第２アライメント系６６との相対的な位置変化を計測する。
　有機ＥＬ素子用の製造装置１００はレーザー干渉計７０により、正確に第1アライメント系６１と第２アライメント系６２との距離、又は第1アライメント系６５と第２アライメント系６６との距離を常時測定する。このため、第１位置検出装置６０又は第２位置検出装置６９の測定値を正確に校正することができる。したがって、有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、常に正確な計測結果を求めることができる。
　＜第１位置検出装置６０の検出結果に基づく処理＞
　図７（ａ）は、第１位置検出装置６０及び第１位置検出装置６０とゲート用液滴塗布装置２０Ｇとの上面図を示している。以下は、処理装置の代表としてゲート用の液滴塗布装置２０Ｇについて説明する。第２位置検出装置６９については説明を割愛する。
　速度アライメント制御部９０の速度算出部９１及び伸縮算出部９３は、シート基板ＦＢに形成した両側のアライメントマークＡＭ（合計４箇所）を第１位置検出装置６０で検出することで、シート基板ＦＢの速度、左右の進行ずれ及び伸縮状態を計測する。また、第１位置検出装置６０は、搬送ローラＲＲの上方に設けられているためシート基板ＦＢの撓みによる誤差をできるだけ小さくしている。
　速度アライメント制御部９０は、ゲート用液滴塗布装置２０Ｇが最適な位置に液滴を塗布できるように、シート基板ＦＢの速度、左右の進行ずれ及び伸縮状態に関する信号をゲート用液滴塗布装置２０Ｇに出す。また、速度アライメント制御部９０は、同様に、第１位置検出装置６０の検出結果からシート基板ＦＢの速度、印刷ローラ４０の回転速度の指示を出す。
　ゲート用液滴塗布装置２０Ｇは、Ｙ軸方向に配置されており、複数列のノズル２２をＹ軸方向に配置し、また、Ｘ軸方向も複数行のノズル２２が配置されている。複数のノズル２２のＸＹ軸方向の位置関係は予め記憶されている。
　一方、アライメントマークＡＭと電界効果型トランジスタのゲートバスラインＧＢＬ及びソースバスラインＳＢＬとの位置関係も予め規定されている。つまり、図２で示された微細インプリント用モールド１１に形成されたアライメントマークＡＭ及び隔壁ＢＡの型形状がシート基板ＦＢに転写されている。図７（ｂ）は型形状が転写されたシート基板ＦＢを示している。図７（ｂ）に示されるように、Ｙ軸方向には、アライメントマークＡＭとゲートバスラインＧＢＬとの所定距離ＰＹが規定されており、Ｘ軸方向には、アライメントマークＡＭとソースバスラインＳＢＬとの所定距離ＰＸが規定されている。
　すなわち、予め、複数のノズル２２の位置関係、アライメントマークＡＭとゲートバスラインＧＢＬとの位置関係が把握されている。そこで、ゲート用液滴塗布装置２０Ｇは、速度アライメント制御部９０から送られてくるシート基板ＦＢの速度、左右の進行ずれ及び伸縮状態に関する信号に応じて、ノズル２２からメタルインクを塗布するタイミング、メタルインクを塗布するノズル２２を切り換える。
　したがって、シート基板ＦＢの速度、左右の進行ずれ及び伸縮状態に関する信号に基づいて、液滴塗布装置２０Ｇは、適正なノズル２２から適切なタイミングでメタルインクを塗布することができる。
　図示しないが、他の液滴塗布装置２０も同様に、速度アライメント制御部９０からの信号を受け取ってインクなどをシート基板ＦＢに塗布する位置を調整することができる。また、切断装置３０も同様に、速度アライメント制御部９０からの信号を受け取って切断位置を調整する。
　図７（ｂ）では、アライメントマークＡＭが、Ｘ軸方向の１行の電界効果型トランジスタの隔壁ＢＡに対して１つ設けられている。しかし、１行の電界効果型トランジスタの隔壁ＢＡに対して、複数のアライメントマークＡＭが設けられても良い。また、シート基板ＦＢにスペースがあれば、シート基板ＦＢの両側だけでなく中央領域にアライメントマークＡＭが設けられても良い。なお、アライメントマークＡＭは十字形状の例が示されたが、円形マーク、斜めの直線マークなど他のマーク形状であってもよい。
＜有機ＥＬ素子の製造装置の動作＞　
　図８は、有機ＥＬ素子５０の製造工程の概略フローチャートである。
　ステップＰ１において、インプリントローラ１０によりシート基板ＦＢにアライメントマークＡＭと、薄膜トランジスタ及び発光層などの隔壁ＢＡとが熱転写で形成される。なお、アライメントマークＡＭと隔壁ＢＡとは相互の位置関係が重要であるため同時に形成されることが好ましい。
　ステップＰ２では、第１位置検出装置６０によりアライメントマークＡＭを撮像することで、速度アライメント制御部９０の速度算出部９１及び伸縮算出部９３が、熱処理されたシート基板ＦＢの速度、左右の進行ずれ及び伸縮状態を算出する。
　次に、ステップＰ３では、速度アライメント制御部９０からのシート基板ＦＢの速度、左右の進行ずれ及び伸縮状態に関する信号に基づいて、ゲート用液滴塗布装置２０Ｇ、絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉ、ソース用及びドレイン用の液滴塗布装置２０ＳＤが各種電極用のメタルインクなどを順次塗布する。
　ステップＰ４では、第１位置検出装置６０がアライメントマークＡＭを撮像し、速度算出部９１及び伸縮算出部９３が、熱処理されたシート基板ＦＢの速度、左右の進行ずれ及び伸縮状態を算出する。
　次に、ステップＰ５では、速度アライメント制御部９０からの信号に基づいて、切断装置３０のレーザー光ＬＬがソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙であるチャネルを形成する。
　またステップＰ６では、速度アライメント制御部９０から信号に基づいて、有機半導体液滴塗布装置２０ＯＳが有機半導体をソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙に形成する。
　ステップＰ７では、第２位置検出装置６９がアライメントマークＡＭを撮像し、速度アライメント制御部９０が、熱処理されたシート基板ＦＢの速度、左右の進行ずれ及び伸縮状態を算出する。
　次に、ステップＰ８では、速度アライメント制御部９０から信号に基づいて、印刷ローラ４０がＲＧＢの発光層を形成する。
　ステップＰ９では、第１位置検出装置６０がアライメントマークＡＭを撮像し、速度アライメント制御部９０が、熱処理されたシート基板ＦＢの速度、左右の進行ずれ及び伸縮状態を算出する。
　次に、ステップＰ１０では、速度アライメント制御部９０からの信号に基づいて、絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉが絶縁層Ｉを形成する。
　ステップＰ１１では、第１位置検出装置６０がアライメントマークＡＭを撮像し、速度アライメント制御部９０が、熱処理されたシート基板ＦＢの速度、左右の進行ずれ及び伸縮状態を算出する。
　次に、ステップＰ１２では、速度アライメント制御部９０が補正した信号に基づいて、ＩＴＯ電極用の液滴塗布装置２０ＩＴがＩＴＯ電極を形成する。
　以上の実施形態において、微細インプリント用モールド１１（図２）はアライメントマークＡＭをシート基板ＦＢに形成することを前提としていた。しかし、予めアライメントマークＡＭが形成されたシート基板ＦＢを購入し、そのシート基板ＦＢに微細インプリント用モールド１１が隔壁ＢＡのみを形成してもよい。この場合には、アライメントマークＡＭと隔壁ＢＡとのＸＹ方向の位置関係を不図示の計測装置で計測すればよい。
　有機ＥＬ素子の製造方法について説明してきたが、本発明の製造装置は、液晶表示素子及び電界放出ディスプレイなどにも適用できる。
　また、実施例の製造装置には熱処理装置ＢＫを設けたが、メタルインク又は発光層溶液などの改良によって熱処理が必要でないインク又は溶液が提案されている。このため、本実施例においても熱処理装置ＢＫを必ず設ける必要はない。
１０　…　インプリントローラ
１１　…　微細インプリント用モールド
１５　…　熱転写ローラ
２０　…　液滴塗布装置（２０Ｇ　…　ゲート用液滴塗布装置、２０Ｉ　…　絶縁層用の液滴塗布装置、２０ＩＴ　…　ＩＴＯ電極用の液滴塗布装置、２０ＯＳ　…　有機半導体液滴塗布装置、２０ＳＤ　…　ソース用及びドレイン用並びに画素電極用の液滴塗布装置）
２２　…　ノズル
３０　…　切断装置
４０　…　印刷ローラ（４０Ｂ　青色発光層用の印刷ローラ、４０Ｇ　緑色発光層用の印刷ローラ、４０Ｒ　赤色発光層用の印刷ローラ）
５０　…　有機ＥＬ素子
６０　…　位置検出装置（６１、６５　…　第1アライメント系、６２、６６　…　第２アライメント系）
６３、６７　…　保持部
７０　…　レーザー干渉計　（７１　…　レーザー干渉計本体、７２　…　固定鏡、７３　…　移動鏡）
７４、７５　…　レーザー光
９０　…　速度＆アライメント制御部
１００　…　製造装置
ＡＭ　…　アライメントマーク
ＢＡ　…　隔壁
ＢＫ　…　熱処理装置
Ｄ　…　ドレイン電極
ＦＢ　…　シート基板
Ｇ　…　ゲート電極
ＧＢＬ　　ゲートバスライン
ＧＲ　…　ガラス基板
Ｉ　…　ゲート絶縁層
ＩＲ　…　発光層
ＩＴＯ　　透明電極
ＬＬ　…　レーザー光
ＯＳ　…　有機半導体層
Ｐ　…　画素電極
ＰＸ　…　Ｘ軸方向の所定距離
ＰＹ　…　Ｙ軸方向の所定距離
ＲＬ　…　供給ロール
ＲＲ　…　ローラ
Ｓ　…　ソース電極
ＳＢＬ　…　ソースバスライン

Claims (14)

  1. 　所定方向に配列した第１アライメント系及び第２アライメント系で基板上の基準マークを検出し、前記基板の所定方向の伸縮を算出する伸縮算出工程と、
    　前記基準マーク及び前記基板の所定方向の伸縮に基づいて、処理装置により前記基板の所定の位置に処理を施す処理工程と、
    　を有することを特徴とする表示素子の製造方法。
  2. 　前記基準マークは、前記所定方向と交差する方向の前記基板の両端に形成される請求項１に記載の表示素子の製造方法。
  3. 　前記伸縮算出工程は、前記所定方向と交差する方向の前記基板の伸縮を算出する請求項２に記載の表示素子の製造方法。
  4. 　所定方向に配列した第１アライメント系及び第２アライメント系で基板上の基準マークを検出し、前記基板が所定方向に送り出される速度を算出する速度算出工程と、
    　前記基準マーク及び前記基板の所定方向の速度に基づいて、処理装置により前記基板の所定の位置に処理を施す処理工程と、
    　を有する表示素子の製造方法。
  5. 　前記基板が所定方向に送り出される際に前記基準マークを形成するマーク形成工程を有する請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の表示素子の製造方法。
  6. 　前記マーク形成工程において、前記導電部材が印刷又は塗布されるための隔壁を形成する請求項５に記載の表示素子の製造方法。
  7. 　前記処理装置は、前記基板に導電部材を塗布又は印刷する処理を行う請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の表示素子の製造方法。
  8. 　前記所定方向に予め距離が測定されている一対の基礎マークを、前記第１アライメント系及び前記第２アライメント系で同時に検出して、前記第１アライメント系と前記第２アライメント系との距離を校正する請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の表示素子の製造方法。
  9. 　基準マークを有する基板を所定方向に搬送する搬送部と、
    　前記基準マークを検出する第１アライメント系と、
    　前記第１アライメント系から前記所定方向に所定距離離れて配置され、前記基準マークを検出する第２アライメント系と、
    　前記基準マークを検出し、前記基板の所定方向の伸縮又は前記基板の搬送速度を算出する算出部と、
    　前記基板の所定方向の伸縮又は前記基板の搬送速度の少なくとも一方と前記基準マークとに基づいて、前記基板の所定の位置に処理する処理部と、
    　を有することを特徴とする表示素子の製造装置。
  10. 　前記搬送部は搬送ローラを含み、この搬送ローラの前記基板上で前記第１アライメント系及び第２アライメント系が前記基準マークを検出する請求項９に記載の表示素子の製造装置。
  11. 　前記第１アライメント系と第２アライメント系とが低膨張素材で結合している請求項９又は請求項１０に記載の表示素子の製造装置。
  12. 　前記第１アライメント系と第２アライメント系との互いの距離を測定する干渉計が設けられている請求項９から請求項１１のいずれか一項に記載の表示素子の製造装置。
  13. 　前記基準マークは前記所定方向と交差する前記基板の両端に形成され、
    　前記算出部は前記所定方向と交差する方向の前記基板の伸縮を算出する請求項９から請求項１２のいずれか一項に記載の表示素子の製造装置。
  14. 　前記基板に前記基準マークを形成するマーク形成部を備える請求項９から請求項１３のいずれか一項に記載の表示素子の製造装置。
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