JP2004303559A

JP2004303559A - アライメント装置及び方法、並びにこれを用いて製造される有機ｅｌ素子

Info

Publication number: JP2004303559A
Application number: JP2003094526A
Authority: JP
Inventors: Daisuke Yaguchi; 大輔矢口; Hiroshi Abiko; 浩志安彦; Hiroaki Sato; 浩昭佐藤
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp
Priority date: 2003-03-31
Filing date: 2003-03-31
Publication date: 2004-10-28

Abstract

【課題】成膜用マスクに張力が加えられて、アライメントマークの位置がずれても位置合わせを正確に行なえるアライメント装置、およびそれを用いて製造される有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】ガラス基板１の仮想対角線上の両端付近に、基板用マーク１ａを対向して形成し、基板用マーク１ａと結ぶ仮想線同士が平行となる位置に平行基準マーク１ｂを形成する基板マーク形成手段４と、マスク２の仮想対角線上の両端付近に、マスク用マーク２ａを対向して形成するマスクマーク形成手段５と、マークが対向して配置された位置において、測定用画像を取得する画像取得手段と、測定用画像から、マスク２の中心点座標値を算出する座標値算出手段２１と、マスク２の中心点座標値とガラス基板１の中心点座標値との座標差分値を算出する補正値算出手段２２と、座標差分値を補正値として用い、ガラス基板１または／およびマスク２の位置補正を行なう。
【選択図】図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明基板と成膜用マスクとの位置合わせを行なうアライメント装置及び方法、並びにこれを用いて製造される有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、有機ＥＬディスプレイの製造工程において、その発光素子となる有機ＥＬ層をガラス基板等に成膜する方法として、一般的に蒸着による成膜が行なわれている。この蒸着工程においては、成膜用マスクとしてパターンが形成された金属製のいわゆるメタルマスクが用いられる。そして、メタルマスク上に前記ガラス基板等が重ねられ、前記メタルマスクの下方から有機ＥＬ材料等を蒸発させることにより、メタルマスクを介して基板表面への成膜が行なわれている。
【０００３】
この有機ＥＬ素子の基板には、アノード、正孔輸送層、有機ＥＬ発光層、電子輸送層、カソードが順に積層されている。例えばこのうち、正孔輸送層、有機ＥＬ発光層、電子輸送層は蒸着により成膜される。夫々の層として形成されるパターンの上下位置関係は精密に形成されなければならず、蒸着工程においてメタルマスクと基板との位置合わせを正確に行なう必要がある。
【０００４】
このようにメタルマスクと基板との位置合わせを精密に行なう目的のアライメント装置については、例えば特許文献１（特開２００２−１４８５８０号）に示されている。
このアライメント装置においては、マスクプレート上への載置の際に位置ずれしたメタルマスクの位置補正を先に行ない、その後メタルマスク上にガラス基板を載置するというものである。具体的には、次のようにして位置合わせが行なわれる。
【０００５】
先ず、メタルマスクのエッジ部分の画像を複数のカメラで取得し、その画像を元にメタルマスクの基準辺角度と基準点位置が求められる。
このメタルマスクの基準辺角度および基準点位置と、搬送装置により把持されているガラス基板の基準辺角度および基準点位置との差分を求め、この差分をもとにメタルマスクの位置補正が行なわれる。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２―１４８５８０号公報（第４頁右欄第１８行乃至第６頁左欄２７行、第１図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機ＥＬ素子においては、例えば電極から有機ＥＬ層までが、非常に薄く形成されるため、メタルマスクの撓みを防ぐことが不可欠とされている。すなわち、前記撓みにより、メタルマスクと基板との間に隙間が形成され、所望のパターン幅を得ることができない弊害を防止するためである。
しかしながら、近年のパターン高精細化のために、メタルマスクは非常に薄く形成されているため、メタルマスクを単にマスクプレート上に載置しただけでも、緩やかな撓みが生じる。このため、特許文献１に示されるように、ガラス基板を単にメタルマスク上に載置するだけでは、メタルマスクの撓みによってガラス基板とメタルマスクとの間に隙間が形成される虞がある
【０００８】
このような課題に対して、例えば、メタルマスクに対し、水平方向に張力を加え、メタルマスクを引き伸ばした状態で、マスクフレームに固定する方法が取られている。
しかしながら、このような固定方法による場合、図１に示すように、メタルマスク５０に張力Ａが加えられ、メタルマスク５０が横方向または／および縦方向（図示しない）に引き伸ばされるため、矢印に示すように対角線上隅部に記されたアライメントマーク５０ａの位置がずれるという技術的課題があった。
すなわち、このようにメタルマスク上のアライメントマークの位置がずれると、メタルマスクおよび基板に夫々記された一対のアライメントマーク同士の位置が合わず、メタルマスクと基板との位置合わせが正確にできない等の不具合が生じていた。
【０００９】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、成膜用マスクに張力が加えられて、アライメントマークの位置がずれても、透明な基板との位置合わせを正確に行なうことのできるアライメント装置および方法を提供することを目的とする。また、それらを用いて製造される有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係るアライメント装置は、透明の基板と成膜用マスクとを重ねたときの位置合わせを行なうアライメント装置において、前記基板面に形成される一つの仮想対角線上の両端付近に、第１のマークを対向して形成し、該第１のマークと結ぶ仮想線同士が平行となる位置に第２のマークを形成する基板マーク形成手段と、前記成膜用マスク面に形成される一つの仮想対角線上の両端付近に、第３のマークを対向して形成するマスクマーク形成手段と、前記第１乃至第３のマークが対向して配置された夫々の位置において、前記第１のマークと前記第２のマークと前記第３のマークとを測定用画像として取得する画像取得手段と、前記測定用画像から前記第１のマークと前記第３のマークとの距離を算出し、前記基板面に形成される２次元座標において、前記成膜用マスクの中心点座標値を算出する座標値算出手段と、前記成膜用マスクの中心点座標値と前記基板の中心点座標値との座標差分値を算出する補正値算出手段と、前記座標差分値を補正値として用い、前記基板または／および前記成膜用マスクの位置補正を行なう位置補正手段とを少なくとも備えることに特徴を有する。
【００１１】
一方、本発明に係るアライメント方法においては、透明の基板と成膜用マスクとを重ねたときの位置合わせを行なうアライメント方法において、前記基板面に形成される一つの仮想対角線上の両端付近に、第１のマークを対向して形成し、該第１のマークと結ぶ仮想線同士が平行となる位置に第２のマークを形成する工程と、前記成膜用マスク面に形成される一つの仮想対角線上の両端付近に、第３のマークを対向して形成する工程と、前記第１乃至第３のマークが対向して配置された夫々の位置において、前記第１のマークと前記第２のマークと前記第３のマークとを測定用画像として取得する工程と、前記測定用画像から前記第１のマークと前記第３のマークとの距離を算出し、前記基板面に形成される２次元座標において、前記成膜用マスクの中心点座標値を算出する工程と、前記成膜用マスクの中心点座標値と前記基板の中心点座標値との座標差分値を算出する工程と、前記座標差分値を補正値として用い、前記基板または／および前記成膜用マスクの位置補正を行なう工程とを少なくとも含むことに特徴を有する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明に係るアライメント装置及び方法について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図２は本発明の実施の形態に係るアライメント装置の全体構成の概略を示すブロック図である。
【００１３】
図２中、ガラス基板１は透明な基板である。このガラス基板１には、図３の平面図に示すように、ガラス基板１の上面に破線で示す対角線上の両端付近に、第１のマークとして菱形状の一対のアライメントマーク（以下、基板用マークと呼ぶ）１ａが対向して記されている。
さらに夫々の基板用マーク１ａの近傍には、第２のマークとして円形状の平行基準マーク１ｂが夫々記されている。この平行基準マーク１ｂは、基板用マーク１ａと平行基準マーク１ｂとを夫々結ぶ仮想線Ｌ１とＬ２とが平行となる位置に記されている。
なお、これら基板用マーク１ａおよび平行基準マーク１ｂは、図２に示すアライメント装置１００が備える基板マーク形成手段４によって、位置合わせ作業前にガラス基板上にマーキングされる。さらに、このマーキング作業によって記された２つの基板用マーク１ａの２次元軸方向距離、および基板用マーク１ａと平行基準マーク１ｂの２次元軸方向距離は、後述の画像処理部２０の記憶部２３に記憶される。
【００１４】
また、図２において、例えば、ステンレス、チタン、ニッケル等の材料で形成された成膜用のメタルマスク（以下成膜用マスク２と呼ぶ）が、この成膜用マスク２と同様の材料で形成されたマスクフレーム３上に、水平方向に張力を加えられた状態で配置されている。この成膜用マスク２は、張力を加えられることにより、その表面は、撓みがない状態となっている。
【００１５】
このマスクフレーム３は、矩形の筒形構造に形成され、枠の部分で成膜用マスク２と接触し、図示しない固定手段により成膜用マスク２に張力を加え、その状態で成膜用マスク２を固定している。
そして、図４の成膜用マスクの平面図に示すように、成膜用マスク２の上面に破線で示す対角線上の両端付近には、第３のマークとして一対のアライメントマーク（以下、マスク用マークと呼ぶ）２ａが対向して記されている。また成膜用マスク２の上下面には、スリットによる複数のマスクパターン２ｂが形成されている。
なお、このマスク用マーク２ａもまた、図２のアライメント装置１００が備えるマスクマーク形成手段５によって、位置合わせ作業前に成膜用マスク２上に記される。
【００１６】
図２に示すように、成膜用マスク２上にガラス基板１が載置されるが、成膜用マスク２とガラス基板１との位置合わせが正確に行なわれた後、ガラス基板１への成膜作業が行なわれる。すなわち、マスクフレーム３の下方より、図示しない蒸発手段によって、有機ＥＬ材料等が上方に蒸発され、成膜用マスク２を介して、マスクパターン２ｂの部分がガラス基板１に蒸着されるよう構成されている。
【００１７】
一方、図２に示すアライメント装置１００は、前記した基板マーク形成手段４およびマスクマーク形成手段５の他に次のものを備えている。
先ず、ガラス基板１および成膜用マスク２に記されたアライメントマークの画像を採取する画像取得手段である２台のカメラ１０及びカメラインタフェイス１１と、ガラス基板１を把持して搬送し、位置補正手段となる把持部１３及び搬送駆動部１２を備える。ここで、カメラ１０は、ＣＣＤカメラ、ＣＭＯＳカメラ等を使用することができる。なお、ガラス基板１上に記された基板用マーク１ａと平行基準マーク１ｂとの２次元軸方向距離の信頼性が高いため、カメラ１０の位置合わせ作業等は必要とされない。
また、搬送駆動部１２は、把持部１３によって把持したガラス基板１（または成膜用マスク２を配置したマスクフレーム３）に対し、２次元のＸＹ軸方向への移動及び水平方向の回転動作を行なう機構を備えている。このとき、ガラス基板１と、成膜用マスク２を配置したマスクフレーム３に対し、同時に２次元のＸＹ軸方向への移動及び水平方向の回転動作を行なうように構成してもよい。
【００１８】
さらにアライメント装置１００は、前記画像取得手段が取得した画像を処理する画像処理部２０と、アライメント装置１００の動作制御を行なう制御部１４とを備えている。
そして、画像処理部２０は、カメラ１０が撮影した画像を一時保存する記憶部２３と、取得した画像から成膜用マスク２の中心点の座標値等を算出する座標値算出手段２１と、成膜用マスク２の前記中心点の座標値とガラス基板１の中心点座標値等とから位置補正すべき補正値を算出する補正値算出手段２２とを備えている。
【００１９】
このように構成されたアライメント装置１００の動作を図５の動作フローに基づき説明する。
先ず、基板マーク形成手段４およびマスクマーク形成手段５により、ガラス基板１および成膜用マスク２へのアライメントマークのマーキングが行なわれる（ステップＳ１）。この後、成膜用マスク２がマスクフレーム３に配置され、この成膜用マスク２の上に図示しない搬送手段によりガラス基板１が載置される。
【００２０】
次いで、２台のカメラ１０により夫々、基板用マーク１ａと平行基準マーク１ｂとマスク用マーク２ａとが一つの画像に撮影される。この画像は図６の平面図に示すように、第１、第２の測定用画像Ｃ１、Ｃ２として撮影され、取得される（ステップＳ２）。
カメラ１０によって撮影された画像Ｃ１、Ｃ２は、カメラインタフェイス１１によって画像処理部２０での処理が可能な形態に変換され、画像処理部２０に入力される。
【００２１】
画像処理部２０においては、先ず記憶部２３に画像Ｃ１、Ｃ２が一時保存され、この一時保存された画像に対して、画像処理部２０内部での処理が行なわれる。
記憶部２３に一時記憶された画像Ｃ１、Ｃ２に対して、座標値算出手段２１は、事前に記憶部２３に記憶していたガラス基板１上のアライメントマーク同士の２次元軸方向距離に基づき、成膜用マスク２の中心点の座標値等を算出する（ステップＳ３）。
次いで、補正値算出手段２２は、成膜用マスク２の中心点の座標値とガラス基板１の中心点の座標値等とから、位置補正すべき補正値を算出する（ステップＳ４）。
【００２２】
そして、補正値算出手段２２によって算出された補正値は、制御部１４によって搬送駆動部１２の動作制御のパラメータとして使用される。すなわち、搬送駆動部１２は、把持部１３を介し、前記補正値に対応した搬送動作をガラス基板１（及び成膜用マスク２を配置したマスクフレーム３、または、いずれか）に対して行なう。これにより、ガラス基板１（及び成膜用マスク２を配置したマスクフレーム３、または、いずれか）は、適正な位置へ補正移動され、成膜用マスク２とガラス基板１との位置合わせ作業が完了する（ステップＳ５）。
【００２３】
続いてさらに、画像処理部２０における処理、すなわち前記ステップＳ３乃至ステップＳ４の処理について詳細に説明する。
図７は、カメラ１０が撮影し、取得した測定用画像Ｃ１のイメージを示すものである。なお、同様に取得された測定用画像Ｃ２に対しても同様の処理が行なわれるため、画像Ｃ１に対する処理を例にとって説明する。
前記ステップＳ３の工程において、画像Ｃ１に対し、座標値算出手段２１は、先ず、事前に記憶部２３に記憶していたガラス基板１上のアライメントマーク同士の２次元軸方向距離に基づき、マスク用マーク２ａと基板用マーク１ａとの距離を２次元軸、すなわちＸＹ軸方向の値で取得する。このとき、Ｘ軸方向は、基板用マーク１ａと平行基準マーク１ｂとを通過するラインＬ１の方向とされ、Ｙ軸方向は、それに直交する方向とされる。
なおここで、画像Ｃ１で得られたマスク用マーク２ａと基板用マーク１ａとの距離はＸ１、Ｙ１となり、画像Ｃ２で得られた距離はＸ２、Ｙ２となる。
【００２４】
なお、図８に示すガラス基板１の平面図において、基板用マーク１ａと平行基準マーク１ｂとを通過するラインＬ２をＸ軸とし、それに直交して他方の基板用マーク１ａを通過するラインＬ３をＹ軸とすると、それらが交差する点１ｄの座標は（０，０）となる。
また、夫々の基板用マーク１ａ同士のＸＹ軸方向距離をＸ，Ｙとすると、夫々のマークの座標は（０，Ｙ）および（Ｘ，０）となる。
そして、このガラス基板１には撓み等変形が生じないため、その中間点であるガラス基板１の中心点１ｃの座標は正確に（Ｘ／２，Ｙ／２）で表すことができる。
【００２５】
以上求められたマスク用マーク２ａと基板用マーク１ａとの距離の値及びガラス基板１の中心点１ｃの座標値から、座標値算出手段２１は、成膜用マスク２の中心点２ｃを中心点として算出する。
すなわち、図９の平面図に示すように、前記画像Ｃ１におけるマスク用マーク２ａの座標値は（Ｘ１，Ｙ−Ｙ１）となり、前記画像Ｃ２におけるマスク用マーク２ａの座標値は（Ｘ−Ｘ２，Ｙ２）となる。
したがって座標値算出手段２１は、これらの座標値から成膜用マスク２の中心点２ｃの座標値を、（（Ｘ−Ｘ１−Ｘ２）／２，（Ｙ−Ｙ１−Ｙ２）／２）として算出する。
【００２６】
さらに、座標値算出手段２１は、それまでに算出したデータから、ガラス基板１における中心点１ｃと基板用マーク１ａとを結ぶ線のＸ軸に対する傾斜角θ１と、成膜用マスク２における中心点２ｃとマスク用マーク２ａとを結ぶ線のＸ軸に対する傾斜角θ２とを算出する。
なお、θ１は、演算式θ１＝ｔａｎ^−１（Ｙ／Ｘ）によって求められ、θ２は、演算式θ２＝ｔａｎ^−１（（Ｙ−Ｙ１−Ｙ２）／（Ｘ−Ｘ１−Ｘ２））によって求められる。
【００２７】
そして前記ステップＳ４の工程において、補正値算出手段２２は、ガラス基板１の中心点１ｃの座標値（Ｘ／２，Ｙ／２）と、成膜用マスク２の中心点２ｃの座標値（（Ｘ−Ｘ１−Ｘ２）／２，（Ｙ−Ｙ１−Ｙ２）／２）との距離差分をＸＹ軸方向の値Ｘ３、Ｙ３として算出する。すなわち、ガラス基板１（及び成膜用マスク２を配置したマスクフレーム３、または、いずれか）を位置補正する補正値のパラメータの一つとしてＸ３、Ｙ３の値を出力する。
さらに、前記傾斜角θ１とθ２との角度差を角度差分θ３として算出し、ガラス基板１（及び成膜用マスク２を配置したマスクフレーム３、または、いずれか）を位置補正する補正値のパラメータの一つとして出力する。
そして、位置補正手段である搬送駆動部１２は、前記Ｘ３、Ｙ３、θ３の値が夫々一定の誤差範囲内となるように把持部１３を用いて位置補正を行なう。前記誤差範囲は、マスクパターン２ｂのパターン幅等により設定される。なお、特に限定しないが、前記搬送駆動部１２は、好ましくは、前記Ｘ３，Ｙ３，θ３のいずれかの値が０となるように位置補正を行ない、さらに好ましくは前記Ｘ３，Ｙ３，θ３のすべての値が０となるように位置補正を行なう。
【００２８】
なお、前記したようにガラス基板１の中心点１ｃと成膜用マスク２の中心点２ｃの位置を一致させ、なおかつ前記傾斜角を一致させることによって、位置合わせが行なわれる。これは、成膜用マスク２をマスクフレーム３に張力を加えて配置したときに、この張力による位置ずれの影響は、成膜用マスク２の周縁部に現れ、成膜用マスク２の中心点２ｃ及びマスクパターン２ｂの部分には現れないことを利用したものである。
【００２９】
以上のように、本実施の形態によれば、例えば有機ＥＬ素子等を製造するときの蒸着工程前に、撓み等を除くために張力を加えられ、マスクフレーム３に配置された成膜用マスク２の中心点２ｃと、ガラス基板１の中心点１ｃとの位置を一致させ、さらに成膜用マスク２とガラス基板１との傾斜角を一致させることにより、正確に成膜用マスク２とガラス基板１との位置合わせ作業を行なうことができる。
すなわち、本実施の形態に示したようなアライメント装置及び方法を用いることにより、例えば有機ＥＬ素子の製造において歩留まりを向上することができる。
なお、前記本実施の形態に示した基板用マーク１ａ、平行基準マーク１ｂ、マスク用マーク２ａの夫々の形状は一例であって、これに限ったものではない。例えば、基板用マーク１ａを円形、平行基準マーク１ｂを菱形、マスク用マーク２ａを星型としてもよく、また、夫々の形状を角形、楕円形等の別の形状にしてもよい。
また、前記基板用マーク１ａは、ガラス基板１の対角線上に配置されるが、基板用マーク１ａと平行基準マーク１ｂとの前後左右の位置関係は、前記実施の形態に示したものに限定されない。すなわち、平行基準マーク１ｂは、基板用マーク１ａと結ぶ前記ラインＬ１とＬ２とが平行になる位置に配置すればよい。
【００３０】
また、前記本実施の形態にあっては、成膜用マスク２の上面にマスク用マーク２ａを設けたが、マスクマーク形成手段５によってマスクに孔を形成し、該孔をマスク用マーク２ａとしてもよい。この場合、マスク用マーク２ａの視認性を向上するために、前記孔直下のマスクフレーム３の部分に前記孔よりも大きな凹部を設け、この凹部底面を黒または灰色に着色することが好ましい。あるいは、前記凹部底面を粗面に形成し、光の反射を防止するようにしてもよい。
また、基板マーク形成手段４によってガラス基板１上に基板用マーク１ａおよび平行基準マーク１ｂを記したが、前記マスクマーク形成手段５と同様に孔を形成するようにしてもよい。
なお、前記本実施の形態において、基板をガラス基板としたが、本発明のアライメント装置および方法に用いる基板はこれに限らず、例えばプラスチック基板等を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、成膜用マスクに記されたアライメントマークの位置が、加えられた張力によってずれた状態を示す図である。
【図２】図２は、本発明にかかるアライメント装置の概略構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、ガラス基板に記されたアライメントマークを示す平面図である。
【図４】図４は、成膜用マスクに記されたアライメントマークを示す平面図である。
【図５】図５は、アライメント装置および方法の動作フローである。
【図６】図６は、画像取得手段によって取得される測定用画像を示す平面図である。
【図７】図７は、基板用マークとマスク用マークの２次元軸方向の距離を示す図である。
【図８】図８は、ガラス基板の中心点座標を示す図である。
【図９】図９は、ガラス基板が位置補正する補正値を示す図である。
【符号の説明】
１ガラス基板
１ａ基板用マーク
１ｂ平行基準マーク
１ｃガラス基板中心点
２成膜用マスク
２ａマスク用マーク
２ｂマスクパターン
２ｃ成膜マスク中心点
３マスクフレーム
１０カメラ
１１カメラインタフェイス
１２搬送駆動部
１３把持部
１４制御部
２０画像処理部
２１座標値算出手段
２２補正値算出手段

Claims

透明の基板と成膜用マスクとを重ねたときの位置合わせを行なうアライメント装置において、
前記基板面に形成される一つの仮想対角線上の両端付近に、第１のマークを対向して形成し、該第１のマークと結ぶ仮想線同士が平行となる位置に第２のマークを形成する基板マーク形成手段と、
前記成膜用マスク面に形成される一つの仮想対角線上の両端付近に、第３のマークを対向して形成するマスクマーク形成手段と、
前記第１乃至第３のマークが対向して配置された夫々の位置において、前記第１のマークと前記第２のマークと前記第３のマークとを測定用画像として取得する画像取得手段と、
前記測定用画像から前記第１のマークと前記第３のマークとの距離を算出し、前記基板面に形成される２次元座標において、前記成膜用マスクの中心点座標値を算出する座標値算出手段と、
前記成膜用マスクの中心点座標値と前記基板の中心点座標値との座標差分値を算出する補正値算出手段と、
前記座標差分値を補正値として用い、前記基板または／および前記成膜用マスクの位置補正を行なう位置補正手段と
を少なくとも備えることを特徴とするアライメント装置。
前記基板マーク形成手段は、前記基板面に前記第１および第２のマークを記す基板マーキング手段であることを特徴とする請求項１に記載されたアライメント装置。
前記マスクマーク形成手段は、前記成膜用マスク面に前記第３のマークを記すマスクマーキング手段であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載されたアライメント装置。
前記補正値算出手段はさらに、
前記基板上の第１のマークと第２のマークとを結ぶ仮想線に対する前記成膜用マスクの中心点と前記第３のマークとを結ぶ線の傾斜角度と、前記基板の中心点と前記第１のマークとを結ぶ線の傾斜角度との角度差分値を算出し、
前記位置補正手段は、前記角度差分値を補正値としてさらに用い、前記基板または／および前記成膜用マスクの位置補正を行なうことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載されたアライメント装置。
透明の基板と成膜用マスクとを重ねたときの位置合わせを行なうアライメント方法において、
前記基板面に形成される一つの仮想対角線上の両端付近に、第１のマークを対向して形成し、該第１のマークと結ぶ仮想線同士が平行となる位置に第２のマークを形成する工程と、
前記成膜用マスク面に形成される一つの仮想対角線上の両端付近に、第３のマークを対向して形成する工程と、
前記第１乃至第３のマークが対向して配置された夫々の位置において、前記第１のマークと前記第２のマークと前記第３のマークとを測定用画像として取得する工程と、
前記測定用画像から前記第１のマークと前記第３のマークとの距離を算出し、前記基板面に形成される２次元座標において、前記成膜用マスクの中心点座標値を算出する工程と、
前記成膜用マスクの中心点座標値と前記基板の中心点座標値との座標差分値を算出する工程と、
前記座標差分値を補正値として用い、前記基板または／および前記成膜用マスクの位置補正を行なう工程と
を少なくとも含むことを特徴とするアライメント方法。
前記成膜用マスクの中心点座標値を算出する工程の後、
前記基板上の第１のマークと第２のマークとを結ぶ仮想線に対する前記成膜用マスクの中心点と前記第３のマークとを結ぶ線の傾斜角度と、前記基板の中心点と前記第１のマークとを結ぶ線の傾斜角度との角度差分値を算出する工程をさらに含み、
前記基板または／および前記成膜用マスクの位置補正を行なう工程において、前記角度差分値を補正値としてさらに用いることを特徴とする請求項５に記載されたアライメント方法。
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載されたアライメント装置を用いて製造された有機ＥＬ素子。
請求項５または請求項６に記載されたアライメント方法を用いて製造された有機ＥＬ素子。