JP4332460B2 - 照明光学系及び当該照明光学系を有する露光装置 - Google Patents
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Description
の係数が干渉縞となり、周期
のx方向のラインアンドスペースの強度分布となる。レンズ(投影光学系)のNAが大きくなり、微細なパターンの投影を行うと、回折光のなす角θが大きくなる。例えば、ArFエキシマレーザーの波長λ=193nmで、周期Lnmのラインアンドスペースの投影を行った場合のレジスト内(屈折率1.7)の回折光のなす角θを図8に示す。図8を参照するに、バイナリーマスクを用いると、ラインアンドスペースの周期が160nmを切るあたりで回折光のなす角θが45度となり、レベンソン位相シフトマスクを用いると、ラインアンドスペースの周期が80nmを切るあたりで回折光のなす角θが45度となる。
本発明の別の側面としての露光装置は、光源からの光を用いて被照射面に配置されたレチクルを照明する、上述の照明光学系を有し、当該レチクルを経た光を投影光学系を介して被処理体に照射して当該被処理体を露光することを特徴とする。
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とする。
100 照明装置
110 光源部
120 照明光学系
121 ランダム位相板
122 減光フィルター
123 マイクロレンズアレイ
124 内面反射部材
125a及び125b 光学素子
126 コンデンサーレンズ
127 変倍リレー光学系
128 偏光分離膜
129 ハエの目レンズ
130 コンデンサーレンズ
131 ハーフミラー
132 センサー
200 レチクル
300 投影光学系
400 被処理体
500 ウェハステージ
600 制御部
Claims (6)
- 光源からの光を用いて被照明面を照明する照明光学系であって、
集光光学系と、
前記集光光学系からの光を透過光と反射光とに分岐する光分岐部材と、
光量センサーとを有し、
前記光量センサーは、前記集光光学系及び前記光分岐部材を透過する光の集光位置と共役な位置に配置され、前記光分岐部材で反射して前記集光光学系に含まれる光学素子で反射した光の光量を検出することを特徴とする照明光学系。 - 前記光量センサーは、前記被照明面と実質的に共役な位置に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の照明光学系。
- 前記光源からの光の偏光状態を変更する偏光部材を用いて、前記照明光学系の瞳面における光の偏光状態を設定することを特徴とする請求項1に記載の照明光学系。
- 前記偏光部材は、偏光分離膜が成膜された平行平板を有することを特徴とする請求項3に記載の照明光学系。
- 光源からの光を用いて被照明面に配置されたレチクルを照明する、請求項1乃至4のうちいずれか一項に記載の照明光学系を有し、
当該レチクルを経た光を被処理体に照射して当該被処理体を露光することを特徴とする露光装置。 - 請求項5に記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光した前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004110338A JP4332460B2 (ja) | 2004-04-02 | 2004-04-02 | 照明光学系及び当該照明光学系を有する露光装置 |
US11/095,889 US7126673B2 (en) | 2004-04-02 | 2005-03-31 | Illumination optical system and exposure apparatus having the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004110338A JP4332460B2 (ja) | 2004-04-02 | 2004-04-02 | 照明光学系及び当該照明光学系を有する露光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005294706A JP2005294706A (ja) | 2005-10-20 |
JP2005294706A5 JP2005294706A5 (ja) | 2007-05-24 |
JP4332460B2 true JP4332460B2 (ja) | 2009-09-16 |
Family
ID=35053894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004110338A Expired - Fee Related JP4332460B2 (ja) | 2004-04-02 | 2004-04-02 | 照明光学系及び当該照明光学系を有する露光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7126673B2 (ja) |
JP (1) | JP4332460B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8270077B2 (en) * | 2004-01-16 | 2012-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
KR101233879B1 (ko) | 2004-01-16 | 2013-02-15 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
US20070019179A1 (en) | 2004-01-16 | 2007-01-25 | Damian Fiolka | Polarization-modulating optical element |
US7324280B2 (en) | 2004-05-25 | 2008-01-29 | Asml Holding N.V. | Apparatus for providing a pattern of polarization |
US7414409B1 (en) * | 2005-08-19 | 2008-08-19 | Vladimir Faifer | Non-contact method and apparatus for measurement of leakage current of p-n junctions in IC product wafers |
JP5032972B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-09-26 | キヤノン株式会社 | 計算機ホログラム、生成方法及び露光装置 |
US8531747B2 (en) * | 2009-06-24 | 2013-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Hologram, hologram data generation method, and exposure apparatus |
US9116303B2 (en) * | 2010-03-05 | 2015-08-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Hologram with cells to control phase in two polarization directions and exposure apparatus |
EP3011645B1 (en) | 2013-06-18 | 2019-03-13 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic method and system |
CN105745579B (zh) * | 2013-09-25 | 2019-02-22 | Asml荷兰有限公司 | 束传输设备和方法 |
JP6743372B2 (ja) * | 2015-11-19 | 2020-08-19 | 大日本印刷株式会社 | 光広角照射装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3451604B2 (ja) * | 1994-06-17 | 2003-09-29 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
JPH1070064A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-03-10 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP2000277413A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Canon Inc | 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP3710321B2 (ja) * | 1999-04-01 | 2005-10-26 | キヤノン株式会社 | 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
DE10010131A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-09-06 | Zeiss Carl | Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion |
-
2004
- 2004-04-02 JP JP2004110338A patent/JP4332460B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2005
- 2005-03-31 US US11/095,889 patent/US7126673B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050219498A1 (en) | 2005-10-06 |
JP2005294706A (ja) | 2005-10-20 |
US7126673B2 (en) | 2006-10-24 |
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