JP2000021749A - 露光方法および露光装置 - Google Patents
露光方法および露光装置Info
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数種類のパターンを被露光基板上の同一シ
ョットに重ね焼きして１種類のパターンを形成する多重
露光方式のスループットを向上させる。 【解決手段】 １枚の原版上に複数種類のパターンを領
域を分けて形成するとともに、領域の異なる各パターン
ごとに、露光配置、露光領域、ＮＡ、σ、露光量および
レチクル透過率などの露光条件、アライメント照明モー
ド、アライメント位置およびアライメントマークなどの
アライメント条件ならびにアライメント、フォーカスお
よびチルトなどのオフセットなどの露光情報を持たせ、
露光時にパターンまたは領域に応じた露光情報を設定す
る。
ョットに重ね焼きして１種類のパターンを形成する多重
露光方式のスループットを向上させる。 【解決手段】 １枚の原版上に複数種類のパターンを領
域を分けて形成するとともに、領域の異なる各パターン
ごとに、露光配置、露光領域、ＮＡ、σ、露光量および
レチクル透過率などの露光条件、アライメント照明モー
ド、アライメント位置およびアライメントマークなどの
アライメント条件ならびにアライメント、フォーカスお
よびチルトなどのオフセットなどの露光情報を持たせ、
露光時にパターンまたは領域に応じた露光情報を設定す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光方法および露
光装置に関し、特に微細な回路パターンを被露光基板上
に露光する露光方法および露光装置に関する。このよう
な露光方法および露光装置は、例えば、ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、液晶パネル等の表示素子、磁気ヘッド
等の検出素子、およびＣＣＤ等の撮像素子といった各種
デバイスの製造に用いられる。
光装置に関し、特に微細な回路パターンを被露光基板上
に露光する露光方法および露光装置に関する。このよう
な露光方法および露光装置は、例えば、ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、液晶パネル等の表示素子、磁気ヘッド
等の検出素子、およびＣＣＤ等の撮像素子といった各種
デバイスの製造に用いられる。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩおよび液晶パネル等のデバ
イスをフォトリソグラフィ技術を用いて製造する際用い
られる投影露光装置は、現在、エキシマレーザを光源と
するものが主流となっている。しかしながら、このエキ
シマレーザを光源とする投影露光装置では、線幅０．１
５μｍ以下の微細パターンを形成することは困難であ
る。
イスをフォトリソグラフィ技術を用いて製造する際用い
られる投影露光装置は、現在、エキシマレーザを光源と
するものが主流となっている。しかしながら、このエキ
シマレーザを光源とする投影露光装置では、線幅０．１
５μｍ以下の微細パターンを形成することは困難であ
る。
【０００３】解像度を上げるには、理論上では、投影光
学系のＮＡ（開口数）を大きくしたり、露光光の波長を
小さくすれば良いのであるが、現実には、ＮＡを大きく
したり、露光光の波長を小さくすることは容易ではな
い。すなわち、投影光学系の焦点深度はＮＡの自乗に反
比例し、波長λに比例するため、特に投影光学系のＮＡ
を大きくすると焦点深度が小さくなり、焦点合わせが困
難になって生産性が低下する。また、殆どの硝材の透過
率は、遠紫外領域では極端に低く、例えば、λ＝２４８
ｎｍ（ＫｒＦエキシマレーザ）で用いられる熔融石英で
さえ、λ＝１９３ｎｍ以下では殆ど０まで低下する。現
在、通常露光による線幅０．１５μｍ以下の微細パター
ンに対応する露光波長λ＝１５０ｎｍ以下の領域で実用
可能な硝材は実現していない。
学系のＮＡ（開口数）を大きくしたり、露光光の波長を
小さくすれば良いのであるが、現実には、ＮＡを大きく
したり、露光光の波長を小さくすることは容易ではな
い。すなわち、投影光学系の焦点深度はＮＡの自乗に反
比例し、波長λに比例するため、特に投影光学系のＮＡ
を大きくすると焦点深度が小さくなり、焦点合わせが困
難になって生産性が低下する。また、殆どの硝材の透過
率は、遠紫外領域では極端に低く、例えば、λ＝２４８
ｎｍ（ＫｒＦエキシマレーザ）で用いられる熔融石英で
さえ、λ＝１９３ｎｍ以下では殆ど０まで低下する。現
在、通常露光による線幅０．１５μｍ以下の微細パター
ンに対応する露光波長λ＝１５０ｎｍ以下の領域で実用
可能な硝材は実現していない。
【０００４】そこで、被露光基板に対して、２光束干渉
露光と通常の露光との二重露光を行ない、かつその時に
被露光基板に多値的な露光量分布を与えることによっ
て、より高解像度の露光を行なう方法が本出願人により
特願平９−３０４２３２号「露光方法及び露光装置」
（以下、先願という）として出願されている。この方法
によれば、露光波長λが２４８ｎｍ（ＫｒＦエキシマレ
ーザ）、投影光学系の像側ＮＡが０．６の投影露光装置
を用いて、最小線幅０．１０μｍのパターンを形成する
ことができる。
露光と通常の露光との二重露光を行ない、かつその時に
被露光基板に多値的な露光量分布を与えることによっ
て、より高解像度の露光を行なう方法が本出願人により
特願平９−３０４２３２号「露光方法及び露光装置」
（以下、先願という）として出願されている。この方法
によれば、露光波長λが２４８ｎｍ（ＫｒＦエキシマレ
ーザ）、投影光学系の像側ＮＡが０．６の投影露光装置
を用いて、最小線幅０．１０μｍのパターンを形成する
ことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、先願の実施
例では２光束干渉露光は線幅０．１μｍＬ＆Ｓ（ライン
アンドスペース）の位相シフトマスク（またはレチク
ル）を用いて所謂コヒーレント照明で露光し、その後、
最小線幅０．１μｍの実素子パターンを形成されたマス
ク（またはレチクル）を用いて通常の露光（例えば部分
コヒーレント照明による露光）を行なっている。このよ
うに二重露光方式では１つのパターンを形成するために
各ショットごとに露光情報の異なる２回の露光工程を必
要とする。このため、スループットが遅くなってしまう
という問題があった。
例では２光束干渉露光は線幅０．１μｍＬ＆Ｓ（ライン
アンドスペース）の位相シフトマスク（またはレチク
ル）を用いて所謂コヒーレント照明で露光し、その後、
最小線幅０．１μｍの実素子パターンを形成されたマス
ク（またはレチクル）を用いて通常の露光（例えば部分
コヒーレント照明による露光）を行なっている。このよ
うに二重露光方式では１つのパターンを形成するために
各ショットごとに露光情報の異なる２回の露光工程を必
要とする。このため、スループットが遅くなってしまう
という問題があった。
【０００６】本発明は、複数種類のパターンを被露光基
板上の同一ショットに重ね焼きして１種類のパターンを
形成する多重露光方式のスループットを向上させること
を目的とする。
板上の同一ショットに重ね焼きして１種類のパターンを
形成する多重露光方式のスループットを向上させること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、１枚の原版上に複数種類のパターンを
領域を分けて形成するとともに、領域の異なる各パター
ンごとに露光情報を持たせることを特徴とする。ここ
で、露光情報とは、例えば、露光条件（露光配置、露光
領域、ＮＡ、σ、露光量およびレチクル透過率など）、
アライメント条件（アライメント照明モード、アライメ
ント位置およびアライメントマークなど）およびオフセ
ット（アライメント、フォーカスおよびチルトなど）な
どである。これらのオフセットは少なくとも一部を露光
装置内で自動計測して露光に自動的に反映させることが
好ましい。
め、本発明では、１枚の原版上に複数種類のパターンを
領域を分けて形成するとともに、領域の異なる各パター
ンごとに露光情報を持たせることを特徴とする。ここ
で、露光情報とは、例えば、露光条件（露光配置、露光
領域、ＮＡ、σ、露光量およびレチクル透過率など）、
アライメント条件（アライメント照明モード、アライメ
ント位置およびアライメントマークなど）およびオフセ
ット（アライメント、フォーカスおよびチルトなど）な
どである。これらのオフセットは少なくとも一部を露光
装置内で自動計測して露光に自動的に反映させることが
好ましい。
【０００８】本発明の好ましい実施の形態においては、
前記パターンおよび露光情報を適宜切り換えながら１フ
ローで前記複数種類のパターンを露光する。また、前記
複数種類のパターンを被露光基板上の同一の露光領域に
重ねて露光する、多重露光を行なう。
前記パターンおよび露光情報を適宜切り換えながら１フ
ローで前記複数種類のパターンを露光する。また、前記
複数種類のパターンを被露光基板上の同一の露光領域に
重ねて露光する、多重露光を行なう。
【０００９】
【作用】従来の半導体製造における転写パターンの原版
であるマスク（またはレチクル）には、通常、図３に示
すように、全体で１つの領域２に１種類（１レイヤ分）
のパターンを有し、そのパターンを露光するために必要
な露光情報（露光条件および各種オフセットなど）はマ
スク（またはレチクル）ごとに有していた。
であるマスク（またはレチクル）には、通常、図３に示
すように、全体で１つの領域２に１種類（１レイヤ分）
のパターンを有し、そのパターンを露光するために必要
な露光情報（露光条件および各種オフセットなど）はマ
スク（またはレチクル）ごとに有していた。
【００１０】本発明者らは、複数種類のパターンを被露
光基板上の同一ショットに重ね焼きして１種類のパター
ンを形成する多重露光方式のスループットを向上させる
ために、これら複数種類のパターンを１枚のマスク（ま
たはレチクル）上に形成することにより、マスク（また
はレチクル）の交換時間の短縮を図ることを考慮してい
る。
光基板上の同一ショットに重ね焼きして１種類のパター
ンを形成する多重露光方式のスループットを向上させる
ために、これら複数種類のパターンを１枚のマスク（ま
たはレチクル）上に形成することにより、マスク（また
はレチクル）の交換時間の短縮を図ることを考慮してい
る。
【００１１】しかしながら、従来の露光装置では、図４
に示すように、１枚のマスク（またはレチクル）１が複
数の領域２１，２２にパターンを有した場合でも、１回
の処理で露光するためには、これら複数の領域パターン
を同一領域パターンとして扱い、同一の露光情報での処
理しかできず、精度劣化が発生していた。また、これを
回避するためには、露光情報を変更して領域パターンご
とに処理する必要があった。この場合、１ウエハに対し
複数回の処理が必要となることから各回の処理のアライ
メント誤差による精度劣化と、複数回の処理による極端
な処理能力低下を招いていた。
に示すように、１枚のマスク（またはレチクル）１が複
数の領域２１，２２にパターンを有した場合でも、１回
の処理で露光するためには、これら複数の領域パターン
を同一領域パターンとして扱い、同一の露光情報での処
理しかできず、精度劣化が発生していた。また、これを
回避するためには、露光情報を変更して領域パターンご
とに処理する必要があった。この場合、１ウエハに対し
複数回の処理が必要となることから各回の処理のアライ
メント誤差による精度劣化と、複数回の処理による極端
な処理能力低下を招いていた。
【００１２】本発明によれば、１枚のマスク（またはレ
チクル）に形成された複数種類のパターンごとに露光情
報を持たせたため、これら複数種類のパターンを１ウエ
ハに対しパターン種類ごとに回を分けて露光することな
く、パターン種類ごとに適切な露光情報に基づいて露光
することができる。したがって、回を分けて露光する場
合に比べ、精度およびスループットを向上させることが
できる。
チクル）に形成された複数種類のパターンごとに露光情
報を持たせたため、これら複数種類のパターンを１ウエ
ハに対しパターン種類ごとに回を分けて露光することな
く、パターン種類ごとに適切な露光情報に基づいて露光
することができる。したがって、回を分けて露光する場
合に比べ、精度およびスループットを向上させることが
できる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の一実施例に係るレチクルの構成を示
す。同図において、１はレチクル、２１は第１のパター
ン、２２は第２のパターン、３１は第１のパターン２１
のレチクルマーク、３２は第２のパターン２２のレチク
ルマークである。
る。図１は本発明の一実施例に係るレチクルの構成を示
す。同図において、１はレチクル、２１は第１のパター
ン、２２は第２のパターン、３１は第１のパターン２１
のレチクルマーク、３２は第２のパターン２２のレチク
ルマークである。
【００１４】図１のレチクル１を用いて露光する場合、
露光装置においては、予め露光配置、露光領域、ＮＡ、
σ、露光量およびレチクル透過率などの露光条件、なら
びにアライメント照明モード、アライメント位置および
アライメントマークなどのアライメント条件をハードデ
イスクなど不図示の記憶装置から読み出して、この露光
装置の動作を制御する制御装置の記憶手段（例えばＲＡ
Ｍ）に記憶させておく。また、露光原版であるレチクル
を不図示のレチクルステージにセットする際、レチクル
オフセット（シフト、ローテーション、倍率、形状）を
計測して、これらの計測値を制御装置の記憶手段に記憶
する。さらに、被露光基板であるウエハがロードされた
とき、第１のパターン２１のレチクルマーク３１とその
ウエハ上に形成された不図示のウエハマークとを用いて
自動でグローバルアライメント計測を行ない、第２のパ
ターン２２のレチクルマーク３２と上記ウエハマークと
を用いて同様に自動でグローバルアライメント計測を行
なうとともに、不図示のフォーカス計測手段を用いてフ
ォーカス計測を行なう。これらの計測結果より、フォー
カスオフセット、レベリングオフセット、アライメント
オフセット（ウエハシフト、ウエハローテーション、ウ
エハ倍率、チップシフト、チップローテーション、チッ
プ倍率）などのオフセットを算出し、これらのオフセッ
トも上記の制御装置の記憶手段に記憶させておく。
露光装置においては、予め露光配置、露光領域、ＮＡ、
σ、露光量およびレチクル透過率などの露光条件、なら
びにアライメント照明モード、アライメント位置および
アライメントマークなどのアライメント条件をハードデ
イスクなど不図示の記憶装置から読み出して、この露光
装置の動作を制御する制御装置の記憶手段（例えばＲＡ
Ｍ）に記憶させておく。また、露光原版であるレチクル
を不図示のレチクルステージにセットする際、レチクル
オフセット（シフト、ローテーション、倍率、形状）を
計測して、これらの計測値を制御装置の記憶手段に記憶
する。さらに、被露光基板であるウエハがロードされた
とき、第１のパターン２１のレチクルマーク３１とその
ウエハ上に形成された不図示のウエハマークとを用いて
自動でグローバルアライメント計測を行ない、第２のパ
ターン２２のレチクルマーク３２と上記ウエハマークと
を用いて同様に自動でグローバルアライメント計測を行
なうとともに、不図示のフォーカス計測手段を用いてフ
ォーカス計測を行なう。これらの計測結果より、フォー
カスオフセット、レベリングオフセット、アライメント
オフセット（ウエハシフト、ウエハローテーション、ウ
エハ倍率、チップシフト、チップローテーション、チッ
プ倍率）などのオフセットを算出し、これらのオフセッ
トも上記の制御装置の記憶手段に記憶させておく。
【００１５】そして、まずレチクル１上の第１のパター
ン２１に関する露光情報（露光条件、アライメント条
件、オフセット）を上記記憶手段より読み出して設定
し、ウエハ上の各露光位置に第１のパターン２１を露光
する。次に、レチクル１上の第２のパターン２２に関す
る露光情報（露光条件、アライメント条件、オフセッ
ト）を上記記憶手段より読み出して設定し、ウエハ上の
各露光位置に第２のパターン２２を露光する。これによ
り、レチクル１を交換することなく、かつウエハを載せ
替えることなく、２種類のパターンをそれぞれの露光情
報に基づいて露光することができる。
ン２１に関する露光情報（露光条件、アライメント条
件、オフセット）を上記記憶手段より読み出して設定
し、ウエハ上の各露光位置に第１のパターン２１を露光
する。次に、レチクル１上の第２のパターン２２に関す
る露光情報（露光条件、アライメント条件、オフセッ
ト）を上記記憶手段より読み出して設定し、ウエハ上の
各露光位置に第２のパターン２２を露光する。これによ
り、レチクル１を交換することなく、かつウエハを載せ
替えることなく、２種類のパターンをそれぞれの露光情
報に基づいて露光することができる。
【００１６】本実施例によれば、領域パターンごとに露
光情報を設定できるようになったため、領域パターン差
に最適な照明（露光）条件を使用でき、かつ領域ごとに
最適なオフセット設定することにより、精度の向上と製
造マージンが拡大した。また、従来の２回露光処理に比
べ処理能力を向上させることができた。さらにレチクル
オフセットの自動計測、自動反映機能によりさらなる精
度向上が図れる。
光情報を設定できるようになったため、領域パターン差
に最適な照明（露光）条件を使用でき、かつ領域ごとに
最適なオフセット設定することにより、精度の向上と製
造マージンが拡大した。また、従来の２回露光処理に比
べ処理能力を向上させることができた。さらにレチクル
オフセットの自動計測、自動反映機能によりさらなる精
度向上が図れる。
【００１７】露光情報のオフセットは、アライメント誤
差、レチクル誤差などの合成成分が発生している。従来
の１レチクルに１パターン配置の場合は従来法でも特に
大きな問題は発生しないが、本発明に係る１レチクル複
数パターン配置の場合は、１回のアライメントでレチク
ルの異なる部分を露光するとパターンごとの位置および
形状誤差がそのまま精度劣化につながる。さらに、この
オフセットを露光結果から設定するにはかなりの労力を
必要とする。これを自動計測および自動反映することで
レチクルに関するオフセット設定の労力の削減と精度確
保が可能となった。
差、レチクル誤差などの合成成分が発生している。従来
の１レチクルに１パターン配置の場合は従来法でも特に
大きな問題は発生しないが、本発明に係る１レチクル複
数パターン配置の場合は、１回のアライメントでレチク
ルの異なる部分を露光するとパターンごとの位置および
形状誤差がそのまま精度劣化につながる。さらに、この
オフセットを露光結果から設定するにはかなりの労力を
必要とする。これを自動計測および自動反映することで
レチクルに関するオフセット設定の労力の削減と精度確
保が可能となった。
【００１８】本実施例は、ステップアンドリピート方式
の露光装置（ステッパ）およびステップアンドスキャン
方式の露光装置（走査投影露光装置）のいずれにも適用
可能である。スキャン（走査露光）方式の露光装置に適
用する場合には、そのスキャン方向に複数の領域を配列
し、スキャン中に領域の境界で上記露光情報を瞬時に切
り換えるようにしてもよい。また、上述の多重露光を行
なう場合は、１枚のレチクル上に形成された各領域のパ
ターンをウエハ上の同一露光位置に重なるようにアライ
メントして露光すればよい。
の露光装置（ステッパ）およびステップアンドスキャン
方式の露光装置（走査投影露光装置）のいずれにも適用
可能である。スキャン（走査露光）方式の露光装置に適
用する場合には、そのスキャン方向に複数の領域を配列
し、スキャン中に領域の境界で上記露光情報を瞬時に切
り換えるようにしてもよい。また、上述の多重露光を行
なう場合は、１枚のレチクル上に形成された各領域のパ
ターンをウエハ上の同一露光位置に重なるようにアライ
メントして露光すればよい。
【００１９】図２は、本発明の他の実施例に係るレチク
ルの構成を示す。図１のレチクルにおいては、各領域２
個ずつのレチクルマークが形成されているが、図２のレ
チクル１は、各領域のレチクルマークを増やして５対に
している。これにより、特にスキャン露光方式における
スキャン中のヨウ補正が可能になり、より高精度の露光
が期待される。
ルの構成を示す。図１のレチクルにおいては、各領域２
個ずつのレチクルマークが形成されているが、図２のレ
チクル１は、各領域のレチクルマークを増やして５対に
している。これにより、特にスキャン露光方式における
スキャン中のヨウ補正が可能になり、より高精度の露光
が期待される。
【００２０】上述の１レチクル１回処理フローは精度上
および処理速度上最も有利な露光方式であり、本発明の
動機である２重露光での活用にとっては必要不可欠な技
術である。また、今後のレチクルの大型化およびウエハ
の大口径化などを考慮すると、この１レチクル複数パタ
ーン配置における１レチクル１回処理フローは主流にな
るものと考えられる。
および処理速度上最も有利な露光方式であり、本発明の
動機である２重露光での活用にとっては必要不可欠な技
術である。また、今後のレチクルの大型化およびウエハ
の大口径化などを考慮すると、この１レチクル複数パタ
ーン配置における１レチクル１回処理フローは主流にな
るものと考えられる。
【００２１】
【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した投影露
光装置または方法を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
光装置または方法を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００２２】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置または方法
によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像す
る。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置または方法
によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像す
る。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００２３】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、１枚の原
版に領域を分けて複数のパターンを配置し、各パターン
または領域ごとに露光情報を設定するようにしたため、
精度を向上させることができる。また、１枚の原版に関
する露光を１フローで行なうことができるため、スルー
プットを向上させることができる。
版に領域を分けて複数のパターンを配置し、各パターン
または領域ごとに露光情報を設定するようにしたため、
精度を向上させることができる。また、１枚の原版に関
する露光を１フローで行なうことができるため、スルー
プットを向上させることができる。
【図１】 本発明の一実施例に係るレチクルの構成図で
ある。
ある。
【図２】 本発明の他の実施例に係るレチクルの構成図
である。
である。
【図３】 従来の１レチクル１パターン配置のレチクル
を示す図である。
を示す図である。
【図４】 １レチクル２パターン配置のレチクルを従来
技術に基づいて作成した場合の図である。
技術に基づいて作成した場合の図である。
【図５】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図６】 図５におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
示す図である。
１：レチクル、２，２１，２２：パターン（またはパタ
ーン領域）、３，３１，３２：レチクルマーク。
ーン領域）、３，３１，３２：レチクルマーク。
Claims (12)
- 【請求項１】 １枚の原版上に複数種類のパターンを領
域を分けて形成するとともに、領域の異なる各パターン
ごとに露光情報を持たせることを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 前記露光情報が、露光条件、アライメン
ト条件およびオフセットの少なくとも１種であることを
特徴とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項３】 前記オフセットの少なくとも一部を露光
装置内で自動計測して露光に自動的に反映させることを
特徴とする請求項１または２記載の露光方法。 - 【請求項４】 前記パターンおよび露光情報を適宜切り
換えながら１フローで前記複数種類のパターンを露光す
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の露
光方法。 - 【請求項５】 前記複数種類のパターンを被露光基板上
の同一の露光領域に重ねて露光することを特徴とする請
求項１〜４のいずれかに記載の露光方法。 - 【請求項６】 複数種類のパターンを領域を分けて形成
された１枚の原版を用いて該複数種類のパターンを被露
光基板上に露光する際、領域の異なる各パターンごとに
そのパターンの露光情報を設定する手段を具備すること
を特徴とする露光装置。 - 【請求項７】 前記露光情報が、露光条件、アライメン
ト条件およびオフセットの少なくとも１種であることを
特徴とする請求項６記載の露光装置。 - 【請求項８】 前記オフセットの少なくとも一部を露光
装置内で自動計測する手段を備え、該計測結果を露光に
自動的に反映させることを特徴とする請求項６または７
記載の露光装置。 - 【請求項９】 前記パターンおよび露光情報を適宜切り
換えながら１フローで前記複数種類のパターンを露光す
ることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の露
光装置。 - 【請求項１０】 前記複数種類のパターンが被露光基板
上の同一の露光領域に重ねて露光するためのものである
ことを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載の露光
装置。 - 【請求項１１】 請求項１〜５のいずれかに記載の露光
方法または請求項６〜１０のいずれかに記載の露光装置
を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス
製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載のデバイス製造方法
により製造されたことを特徴とするデバイス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10199772A JP2000021749A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 露光方法および露光装置 |
| US09/336,779 US6399283B1 (en) | 1998-06-30 | 1999-06-21 | Exposure method and aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10199772A JP2000021749A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 露光方法および露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021749A true JP2000021749A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16413366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10199772A Pending JP2000021749A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 露光方法および露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6399283B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000021749A (ja) |
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| JP2002334826A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Canon Inc | 露光方法、面位置合わせ方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2003017386A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Canon Inc | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| GB2379284A (en) * | 2001-09-01 | 2003-03-05 | Zarlink Semiconductor Ltd | Multiple level photolithography |
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| US8153335B2 (en) | 2009-05-26 | 2012-04-10 | Infineon Technologies Ag | Lithography masks, systems, and manufacturing methods |
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| US5225771A (en) * | 1988-05-16 | 1993-07-06 | Dri Technology Corp. | Making and testing an integrated circuit using high density probe points |
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| US5780188A (en) * | 1997-08-22 | 1998-07-14 | Micron Technology, Inc. | Lithographic system and method for exposing a target utilizing unequal stepping distances |
| JP3101594B2 (ja) | 1997-11-06 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
-
1998
- 1998-06-30 JP JP10199772A patent/JP2000021749A/ja active Pending
-
1999
- 1999-06-21 US US09/336,779 patent/US6399283B1/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| US6399283B1 (en) | 2002-06-04 |
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