JP2006041477A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面レジスト層15は、前述のパターン露光領域外のみ通常のポジ型レジストとして現像される。そして、下層のレジスト層13はネガ型に反転した表面レジスト層15のパターン露光領域下部も現像されるため、下層のレジスト層13は表面レジスト層15に対し、アンダーカットされた断面形状となる。なお、表面レジスト層15は、下層のレジスト層13との相互拡散の影響により逆テーパ形状を有する。
【選択図】 図2
Description
以下に、本実施の形態におけるレジストパターンの製造方法を図2(a)から(e)を参照しながら説明する。
(1)図1に示したように、確実にレジスト側壁部で金属膜の段切れを生じさせることにより、リフトオフ処理時間は大幅に短縮され、かつ金属パターン20pの外周部にはバリは全く発生しない。
(2)金属パターンの寸法精度については半導体素子を製造する上で求められる精度に合せ、レジスト断面形状を制御することにより必要な寸法精度が得られる。
11 半導体ウエハ
13 下層のレジスト層
15 表面レジスト層
20 金属膜
20p 金属パターン
20o 金属膜
20s 側壁付着層
41 半導体ウエハ
43 レジスト層
45 金属膜
45a,45b,45c バリ
45s 側壁付着層
51 レジスト層
Claims (7)
- 基板上或いはその上に形成された被膜上に、ジアゾ・ノボラック型のフォトレジストにより形成された下層のレジスト層と、露光後熱処理のみによりネガ型に反転する表面レジスト層からなるポジ型のフォトレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、
前記ポジ型のフォトレジスト膜に対してマスク露光、熱処理を行って前記表面レジスト層をネガ型に反転させる反転工程と、
前記フォトレジスト膜に対して全面露光を行う露光工程と、
前記全面露光された前記フォトレジスト膜を現像することにより、前記表面レジスト層が逆テーパ形状であり、前記下層のレジスト層が前記表面レジスト層に対してアンダーカット形状であるレジストパターンに加工する加工工程と、
前記レジストパターン上に電極、配線材料となる金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記レジストパターンを溶剤で溶解させるとともに前記レジストパターン上の前記金属膜を除去することによりパターニングを行うパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上或いはその上に形成された被膜上に、ジアゾ・ノボラック型のフォトレジストにより形成された下層のレジスト層と、露光後熱処理のみによりネガ型に反転する表面レジスト層からなるポジ型のフォトレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、
前記ポジ型のフォトレジスト膜に対してマスク露光、熱処理を行って前記表面レジスト層をネガ型に反転させる反転工程と、
前記フォトレジスト膜に対して全面露光を行う露光工程と、
前記全面露光された前記フォトレジスト膜を現像することにより、逆テーパ形状であるレジストパターンに加工する加工工程と、
前記レジストパターン上に電極、配線材料となる金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記レジストパターンを溶剤で溶解させるとともに前記レジストパターン上の前記金属膜を除去することによりパターニングを行うパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記反転工程は、前記熱処理を100〜110℃で行う請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記露光工程は、全面露光量が90mj/cm2・secから300mj/cm2の範囲で行われる請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板上或いはその上に形成された被膜上に形成された、逆テーパ形状である表面レジスト層と、前記表面レジスト層に対してアンダーカット形状である下層のレジスト層からなることを特徴とするレジストパターン。
- 請求項5記載の前記レジストパターンを用いて作製されたことを特徴とするパターン。
- 請求項6記載の前記パターンを有することを特徴とする半導体装置。
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