JPH0661360A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0661360A JPH0661360A JP4208287A JP20828792A JPH0661360A JP H0661360 A JPH0661360 A JP H0661360A JP 4208287 A JP4208287 A JP 4208287A JP 20828792 A JP20828792 A JP 20828792A JP H0661360 A JPH0661360 A JP H0661360A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はコンタクトホールの開口形状をテー
パ化してコンタクトホール上に形成される配線層のステ
ップカバレッジ（被覆特性）を向上させることを目的と
する。 【構成】 本発明は上記目的を達成するため、レジスト
２の開口パターンの内側下部に遠紫外光４を照射して硬
化部２ａを形成する。そして、幅の広い開口マスク５を
用いてレジストを露光した後現像する。このようにして
形成されたテーパ形状のレジストを用いてテーパ形状の
コンタクトホール（図示せず）を形成する。
パ化してコンタクトホール上に形成される配線層のステ
ップカバレッジ（被覆特性）を向上させることを目的と
する。 【構成】 本発明は上記目的を達成するため、レジスト
２の開口パターンの内側下部に遠紫外光４を照射して硬
化部２ａを形成する。そして、幅の広い開口マスク５を
用いてレジストを露光した後現像する。このようにして
形成されたテーパ形状のレジストを用いてテーパ形状の
コンタクトホール（図示せず）を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法に関し、特に、コンタクトホールを有する半導体装置
の製造方法に関する。
法に関し、特に、コンタクトホールを有する半導体装置
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の集積化に伴って多層
配線構造を有する半導体装置の開発が進められている。
そのような多層配線構造を有する半導体装置では、配線
層間の接続のための接続孔（コンタクトホール）が必要
となる。図１２〜図１４は、従来のコンタクトホールの
形成方法を説明するための断面図である。図１２〜図１
４を参照して、従来のコンタクトホールの形成方法につ
いて説明する。
配線構造を有する半導体装置の開発が進められている。
そのような多層配線構造を有する半導体装置では、配線
層間の接続のための接続孔（コンタクトホール）が必要
となる。図１２〜図１４は、従来のコンタクトホールの
形成方法を説明するための断面図である。図１２〜図１
４を参照して、従来のコンタクトホールの形成方法につ
いて説明する。
【０００３】まず、図１２に示すように、ＳｉＯ2 基板
４１上に設計寸法通りに作成された開口マスク（図示せ
ず）を用いてレジスト層４２に紫外光を照射することに
よってレジストを感光させる。そして、その感光部を現
像液で溶解させることによって開口パターン４２ａを形
成する。この開口パターン４２ａを有するレジスト４２
をマスクとしてＳｉＯ2 基板４１をドライエッチングす
る。これにより、図１３に示すように、コンタクトホー
ル４１ａが形成される。この後、レジスト４２を除去す
る。
４１上に設計寸法通りに作成された開口マスク（図示せ
ず）を用いてレジスト層４２に紫外光を照射することに
よってレジストを感光させる。そして、その感光部を現
像液で溶解させることによって開口パターン４２ａを形
成する。この開口パターン４２ａを有するレジスト４２
をマスクとしてＳｉＯ2 基板４１をドライエッチングす
る。これにより、図１３に示すように、コンタクトホー
ル４１ａが形成される。この後、レジスト４２を除去す
る。
【０００４】次に、図１４に示すように、コンタクトホ
ール４１ａ内にスパッタリング法などを用いてアルミ膜
４３を埋込むように形成する。
ール４１ａ内にスパッタリング法などを用いてアルミ膜
４３を埋込むように形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような方法で形
成したコンタクトホール４１ａは、アスペクト比が大き
いため、半導体装置が微細化されてくると、スパッタリ
ングなどによるアルミ膜が十分にコンタクトホール４１
ａ内に入り込むことが困難であるという問題点があっ
た。この結果、アルミ膜４３のコンタクトホール４１ａ
に対するステップカバレッジ（凹凸のある下地を滑らか
に覆う特性）が悪化するという問題点があった。
成したコンタクトホール４１ａは、アスペクト比が大き
いため、半導体装置が微細化されてくると、スパッタリ
ングなどによるアルミ膜が十分にコンタクトホール４１
ａ内に入り込むことが困難であるという問題点があっ
た。この結果、アルミ膜４３のコンタクトホール４１ａ
に対するステップカバレッジ（凹凸のある下地を滑らか
に覆う特性）が悪化するという問題点があった。
【０００６】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、上層配線層のコンタクトホール
に対するステップカバレッジを改善することを目的とす
る。
ためになされたもので、上層配線層のコンタクトホール
に対するステップカバレッジを改善することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１における半導体
装置の製造方法は、コンタクトホールを有する半導体装
置の製造方法であって、基板表面上にレジストを形成す
る工程と、レジストの所定部分を第１のマスクを用いて
露光して現像することによって開口パターンを形成する
工程と、レジストの開口パターンの内側下部に遠紫外光
を照射することにより開口パターンの内側下部を現像液
に不溶化させる工程と、第１のマスクよりも幅の広い第
２のマスクを用いてレジストを露光した後現像する工程
とを備えている。
装置の製造方法は、コンタクトホールを有する半導体装
置の製造方法であって、基板表面上にレジストを形成す
る工程と、レジストの所定部分を第１のマスクを用いて
露光して現像することによって開口パターンを形成する
工程と、レジストの開口パターンの内側下部に遠紫外光
を照射することにより開口パターンの内側下部を現像液
に不溶化させる工程と、第１のマスクよりも幅の広い第
２のマスクを用いてレジストを露光した後現像する工程
とを備えている。
【０００８】請求項２における半導体装置の製造方法
は、コンタクトホールを有する半導体装置の製造方法で
あって、基板表面上にレジストを形成する工程と、レジ
ストを最適焦点位置の状態で露光する工程と、レジスト
を最適焦点位置から所定量焦点位置をずらせた状態で露
光する工程と、レジストを現像する工程とを備えてい
る。
は、コンタクトホールを有する半導体装置の製造方法で
あって、基板表面上にレジストを形成する工程と、レジ
ストを最適焦点位置の状態で露光する工程と、レジスト
を最適焦点位置から所定量焦点位置をずらせた状態で露
光する工程と、レジストを現像する工程とを備えてい
る。
【０００９】請求項３における半導体装置の製造方法
は、コンタクトホールを有する半導体装置の製造方法で
あって、基板表面上にレジストを形成する工程と、レジ
ストを設計開口寸法よりも大きい第１のマスクを用いて
所定の深さまで露光する工程と、レジストを設計開口寸
法を有する第２のマスクを用いて露光する工程と、レジ
ストを現像する工程とを備えている。
は、コンタクトホールを有する半導体装置の製造方法で
あって、基板表面上にレジストを形成する工程と、レジ
ストを設計開口寸法よりも大きい第１のマスクを用いて
所定の深さまで露光する工程と、レジストを設計開口寸
法を有する第２のマスクを用いて露光する工程と、レジ
ストを現像する工程とを備えている。
【００１０】請求項４における半導体装置の製造方法
は、コンタクトホールを有する半導体装置の製造方法で
あって、基板上に第１の溶解度を有する第１のレジスト
を形成する工程と、第１のレジスト上に第１のレジスト
よりも高い第２の溶解度を有する第２のレジストを形成
する工程と、第２のレジストと第１のレジストとを露光
して現像する工程とを備えている。
は、コンタクトホールを有する半導体装置の製造方法で
あって、基板上に第１の溶解度を有する第１のレジスト
を形成する工程と、第１のレジスト上に第１のレジスト
よりも高い第２の溶解度を有する第２のレジストを形成
する工程と、第２のレジストと第１のレジストとを露光
して現像する工程とを備えている。
【００１１】
【作用】請求項１に係る半導体装置の製造方法では、開
口パターンの内側下部に遠紫外光を照射することによっ
て開口パターンの内側下部が現像液に不溶化され、第１
のマスクよりも幅の広い第２のマスクを用いてレジスト
が露光された後現像されるので、テーパ形状の開口パタ
ーンを有するレジストが容易に形成される。これによ
り、このようなレジストを用いて下地基板をエッチング
するとエッチング過程でレジストも徐々に膜減りして開
口底部の開口径の大きさが徐々に大きくなるので形成さ
れるコンタクトホールもテーパ形状になる。
口パターンの内側下部に遠紫外光を照射することによっ
て開口パターンの内側下部が現像液に不溶化され、第１
のマスクよりも幅の広い第２のマスクを用いてレジスト
が露光された後現像されるので、テーパ形状の開口パタ
ーンを有するレジストが容易に形成される。これによ
り、このようなレジストを用いて下地基板をエッチング
するとエッチング過程でレジストも徐々に膜減りして開
口底部の開口径の大きさが徐々に大きくなるので形成さ
れるコンタクトホールもテーパ形状になる。
【００１２】請求項２に係る半導体装置の製造方法で
は、レジストをまず最適焦点位置の状態で露光した後、
最適焦点位置から所定量焦点位置をずらせた状態で露光
した後現像されるので、テーパ形状の開口パターンを有
するレジストが容易に形成される。そしてこのレジスト
を用いて下地基板のエッチングを行なうとエッチング途
中でレジストは徐々に膜減りしてレジストの開口径が徐
々に大きくなるので、下地基板に形成されるコンタクト
ホールはテーパ形状になる。
は、レジストをまず最適焦点位置の状態で露光した後、
最適焦点位置から所定量焦点位置をずらせた状態で露光
した後現像されるので、テーパ形状の開口パターンを有
するレジストが容易に形成される。そしてこのレジスト
を用いて下地基板のエッチングを行なうとエッチング途
中でレジストは徐々に膜減りしてレジストの開口径が徐
々に大きくなるので、下地基板に形成されるコンタクト
ホールはテーパ形状になる。
【００１３】請求項３に係る半導体装置の製造方法で
は、レジストをまず設計開口寸法よりも大きい第１のマ
スクを用いて所定の深さまで露光した後、設計開口寸法
の第２のマスクを用いて再び露光されるので、テーパ形
状の開口パターンを有するレジストが容易に形成され
る。そして、このようなレジストを用いて下地基板のエ
ッチングを行なうとエッチング過程でレジストが膜減り
してレジストの開口径が徐々に大きくなるので形成され
るコンタクトホールもテーパ形状になる。
は、レジストをまず設計開口寸法よりも大きい第１のマ
スクを用いて所定の深さまで露光した後、設計開口寸法
の第２のマスクを用いて再び露光されるので、テーパ形
状の開口パターンを有するレジストが容易に形成され
る。そして、このようなレジストを用いて下地基板のエ
ッチングを行なうとエッチング過程でレジストが膜減り
してレジストの開口径が徐々に大きくなるので形成され
るコンタクトホールもテーパ形状になる。
【００１４】請求項４に係る半導体装置の製造方法で
は、基板上に第１の溶解度を有する第１のレジストが形
成された後、その第１のレジスト上に第１のレジストよ
りも高い第２の溶解度を有する第２のレジストが形成さ
れて露光および現像され、溶解度の高い第２のレジスト
は第１のレジストよりも多く溶けるので、テーパ形状を
持った開口パターンを有するレジストが容易に形成され
る。このようなレジタルを用いて下地基板のエッチング
を行なうとレジストのテーパ形状に沿った形状のコンタ
クトホールが容易に形成される。
は、基板上に第１の溶解度を有する第１のレジストが形
成された後、その第１のレジスト上に第１のレジストよ
りも高い第２の溶解度を有する第２のレジストが形成さ
れて露光および現像され、溶解度の高い第２のレジスト
は第１のレジストよりも多く溶けるので、テーパ形状を
持った開口パターンを有するレジストが容易に形成され
る。このようなレジタルを用いて下地基板のエッチング
を行なうとレジストのテーパ形状に沿った形状のコンタ
クトホールが容易に形成される。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１６】図１〜３は本発明の第１実施例による半導
体装置の製造方法を説明するための断面図である。図１
〜３を参照して、この第１実施例の製造方法について説
明する。
体装置の製造方法を説明するための断面図である。図１
〜３を参照して、この第１実施例の製造方法について説
明する。
【００１７】まず、図１に示すように、ＳｉＯ2 基板１
上に所定の開口パターンを有するレジスト２を形成す
る。そして、そのレジスト２の開口パターンの内側底部
に開口マスク３を用いて遠紫外光（Ｄｅｅｐ ＵＶ
光）４を照射する。これにより、その遠紫外光４が照射
された部分は硬化部２ａとなり現像液に溶けなくなる。
上に所定の開口パターンを有するレジスト２を形成す
る。そして、そのレジスト２の開口パターンの内側底部
に開口マスク３を用いて遠紫外光（Ｄｅｅｐ ＵＶ
光）４を照射する。これにより、その遠紫外光４が照射
された部分は硬化部２ａとなり現像液に溶けなくなる。
【００１８】次に、図２に示すように、幅の広い開口マ
スク５を用いてレジスト２の開口部上部に紫外光６を照
射することによってレジスト２を感光させる。そして現
像を行なうとレジスト２の上部は溶解するが、レジスト
２の下部の硬化部２ａは溶解されずにそのまま残存す
る。この結果、図３に示したようなテーパ形状７を有す
るレジスト２が得られる。このレジスト２をマスクとし
てＳｉＯ2 基板１をエッチングすると、エッチング過程
においてレジスト２も徐々に膜減りする。そして、レジ
スト２の開口部のＳｉＯ2 基板１表面での開口径も開口
部２ｂのテーパ形状に沿って徐々に大きくなる。したが
って、このようなエッチングによって形成されるコンタ
クトホール（図示せず）もテーパ形状となる。これによ
り、そのようなテーパ形状を有するコンタクトホール上
にたとえばアルミ配線層を形成した場合に、アルミ配線
層がコンタクトホール内に入り込みやすくなりアルミ配
線層のステップカバレッジが改善される。
スク５を用いてレジスト２の開口部上部に紫外光６を照
射することによってレジスト２を感光させる。そして現
像を行なうとレジスト２の上部は溶解するが、レジスト
２の下部の硬化部２ａは溶解されずにそのまま残存す
る。この結果、図３に示したようなテーパ形状７を有す
るレジスト２が得られる。このレジスト２をマスクとし
てＳｉＯ2 基板１をエッチングすると、エッチング過程
においてレジスト２も徐々に膜減りする。そして、レジ
スト２の開口部のＳｉＯ2 基板１表面での開口径も開口
部２ｂのテーパ形状に沿って徐々に大きくなる。したが
って、このようなエッチングによって形成されるコンタ
クトホール（図示せず）もテーパ形状となる。これによ
り、そのようなテーパ形状を有するコンタクトホール上
にたとえばアルミ配線層を形成した場合に、アルミ配線
層がコンタクトホール内に入り込みやすくなりアルミ配
線層のステップカバレッジが改善される。
【００１９】図４〜図６は本発明の半導体装置の製造方
法の第２実施例を説明するための断面図である。図４〜
図６を参照して、次に第２実施例の製造方法について説
明する。
法の第２実施例を説明するための断面図である。図４〜
図６を参照して、次に第２実施例の製造方法について説
明する。
【００２０】まず、図４に示すように、ＳｉＯ2 基板１
１上にレジスト１２を塗布する。開口マスク１３を用い
てレジスト１２の所定領域にベストフォーカス（最適焦
点位置の状態）で紫外光１４を照射する。これにより、
感光部１５が形成される。
１上にレジスト１２を塗布する。開口マスク１３を用い
てレジスト１２の所定領域にベストフォーカス（最適焦
点位置の状態）で紫外光１４を照射する。これにより、
感光部１５が形成される。
【００２１】次に、図５に示すように、デフォーカス状
態（最適焦点位置から焦点位置を所定量ずらした状態）
にして再度紫外光１６を照射する。ここで、デフォーカ
ス時の感光領域１７はベストフォーカス時の感光領域１
５よりも広がるため、その後の現像した開口パターンは
図６に示すようにテーパ形状（１２ａ、１２ｂ）にな
る。このようなテーパ形状を有するレジスト１２を用い
て下地ＳｉＯ2 基板１１のエッチングを行なうとレジス
ト１２のテーパ形状と同様の形状を有するコンタクトホ
ール（図示せず）が得られる。すなわち、レジスト１２
をマスクとしてＳｉＯ2 基板１１のエッチングを行なう
とエッチング過程においてレジスト１２も徐々に削られ
る。これにより、レジスト１２の開口部底面の開口径が
開口形状１２ａおよび１２ｂに沿って徐々に大きくな
る。この結果、エッチングされるＳｉＯ2 基板１１の被
エッチング部分も徐々に大きくなり、形成されるコンタ
クトホールはレジスト１２の開口形状と同様な形状にな
る。この結果、そのようなコンタクトホール上にたとえ
ばアルミ配線層を形成するとコンタクトホール内にアル
ミ配線層が入り込みやすくなり、その結果ステップカバ
レッジが改善される。
態（最適焦点位置から焦点位置を所定量ずらした状態）
にして再度紫外光１６を照射する。ここで、デフォーカ
ス時の感光領域１７はベストフォーカス時の感光領域１
５よりも広がるため、その後の現像した開口パターンは
図６に示すようにテーパ形状（１２ａ、１２ｂ）にな
る。このようなテーパ形状を有するレジスト１２を用い
て下地ＳｉＯ2 基板１１のエッチングを行なうとレジス
ト１２のテーパ形状と同様の形状を有するコンタクトホ
ール（図示せず）が得られる。すなわち、レジスト１２
をマスクとしてＳｉＯ2 基板１１のエッチングを行なう
とエッチング過程においてレジスト１２も徐々に削られ
る。これにより、レジスト１２の開口部底面の開口径が
開口形状１２ａおよび１２ｂに沿って徐々に大きくな
る。この結果、エッチングされるＳｉＯ2 基板１１の被
エッチング部分も徐々に大きくなり、形成されるコンタ
クトホールはレジスト１２の開口形状と同様な形状にな
る。この結果、そのようなコンタクトホール上にたとえ
ばアルミ配線層を形成するとコンタクトホール内にアル
ミ配線層が入り込みやすくなり、その結果ステップカバ
レッジが改善される。
【００２２】図７〜図９は本発明の半導体装置の製造方
法の第３実施例を説明するための断面図である。図７〜
図９を参照して次に第３実施例の製造方法ついて説明す
る。
法の第３実施例を説明するための断面図である。図７〜
図９を参照して次に第３実施例の製造方法ついて説明す
る。
【００２３】まず、図７に示すように、ＳｉＯ2 基板２
１上にレジスト２２を形成する。設計開口寸法よりも大
きい開口マスク２３を用いてレジスト２２に紫外光２４
を通常の半分の露光時間だけ照射する。これにより、露
光領域２５はレジスト２２の上部領域に位置するように
形成される。
１上にレジスト２２を形成する。設計開口寸法よりも大
きい開口マスク２３を用いてレジスト２２に紫外光２４
を通常の半分の露光時間だけ照射する。これにより、露
光領域２５はレジスト２２の上部領域に位置するように
形成される。
【００２４】次に、図８に示すように、設計開口寸法通
りの開口マスク２６を用いてレジスト２２を通常の露光
時間だけ露光する。この露光による露光領域２７は設計
開口寸法通りの露光領域になる。この後現像を行なうと
図９に示すように上部が幅の広い開口２２ｂ、下部が通
常の開口２２ａからなる開口形状を有するレジスト２２
が形成される。このような開口形状を有するレジスト２
２を用いて下地のＳｉＯ2 基板２１をエッチングする
と、第１実施例および第２実施例と同様にレジスト２２
の開口形状と同様な形状を有するコンタクトホール（図
示せず）が得られる。そして、そのコンタクトホール上
にたとえばアルミ配線層を形成すると従来に比べてアル
ミ配線層がコンタクトホール内に入り込みやすくなり、
ステップカバレッジが改善される。
りの開口マスク２６を用いてレジスト２２を通常の露光
時間だけ露光する。この露光による露光領域２７は設計
開口寸法通りの露光領域になる。この後現像を行なうと
図９に示すように上部が幅の広い開口２２ｂ、下部が通
常の開口２２ａからなる開口形状を有するレジスト２２
が形成される。このような開口形状を有するレジスト２
２を用いて下地のＳｉＯ2 基板２１をエッチングする
と、第１実施例および第２実施例と同様にレジスト２２
の開口形状と同様な形状を有するコンタクトホール（図
示せず）が得られる。そして、そのコンタクトホール上
にたとえばアルミ配線層を形成すると従来に比べてアル
ミ配線層がコンタクトホール内に入り込みやすくなり、
ステップカバレッジが改善される。
【００２５】図１０および図１１は本発明の半導体装置
の製造方法の第４実施例を説明するための断面図であ
る。図１０および図１１を参照して次に第４実施例の製
造方法について説明する。
の製造方法の第４実施例を説明するための断面図であ
る。図１０および図１１を参照して次に第４実施例の製
造方法について説明する。
【００２６】まず、図１０に示すように、ＳｉＯ2 基板
３１上に溶解度の高い第１レジスト層３２を形成する。
その第１レジスト層３２上に第１レジスト層３２よりも
溶解度の低い第２レジスト層３３を形成する。その後、
開口マスク３４を用いて第２レジスト層３３および第１
レジスト層３２に紫外光３５を照射する。そして、現像
を行なうと第２レジスト層３３は第１レジスト層３２よ
りも溶解度が高いため図１１に示すように、第１レジス
ト層３２の開口３２ａよりも開口径の大きい開口３３ａ
が得られる。このようにして、この第４実施例において
もテーパ形状の開口形状を有するレジスト３２および３
３を容易に形成することができる。そして、このような
第１レジスト層３２および第２レジスト層３３を用いて
下地のＳｉＯ2 基板３１をエッチングすると、エッチン
グ過程において第１レジスト層３２および第２レジスト
層３３も徐々に削られてＳｉＯ2 基板３１上の開口径も
徐々に開口部３２ａおよび３３ａに沿って大きくなる。
この結果、ＳｉＯ2 基板３１に形成されるコンタクトホ
ール（図示せず）も開口部３２ａおよび３３ａと同様な
形状に形成される。したがって、このようなテーパ形状
を有するコンタクトホール上にたとえばアルミ配線層を
形成するとアルミ配線層がコンタクトホール内に入り込
みやすくなり、従来に比べてアルミ配線のステップカバ
レッジを改善することができる。
３１上に溶解度の高い第１レジスト層３２を形成する。
その第１レジスト層３２上に第１レジスト層３２よりも
溶解度の低い第２レジスト層３３を形成する。その後、
開口マスク３４を用いて第２レジスト層３３および第１
レジスト層３２に紫外光３５を照射する。そして、現像
を行なうと第２レジスト層３３は第１レジスト層３２よ
りも溶解度が高いため図１１に示すように、第１レジス
ト層３２の開口３２ａよりも開口径の大きい開口３３ａ
が得られる。このようにして、この第４実施例において
もテーパ形状の開口形状を有するレジスト３２および３
３を容易に形成することができる。そして、このような
第１レジスト層３２および第２レジスト層３３を用いて
下地のＳｉＯ2 基板３１をエッチングすると、エッチン
グ過程において第１レジスト層３２および第２レジスト
層３３も徐々に削られてＳｉＯ2 基板３１上の開口径も
徐々に開口部３２ａおよび３３ａに沿って大きくなる。
この結果、ＳｉＯ2 基板３１に形成されるコンタクトホ
ール（図示せず）も開口部３２ａおよび３３ａと同様な
形状に形成される。したがって、このようなテーパ形状
を有するコンタクトホール上にたとえばアルミ配線層を
形成するとアルミ配線層がコンタクトホール内に入り込
みやすくなり、従来に比べてアルミ配線のステップカバ
レッジを改善することができる。
【００２７】
【発明の効果】請求項１に係る半導体装置の製造方法に
よれば、レジストの開口パターンの内側下部に遠紫外光
を照射することにより開口パターンの内側下部を現像液
に不溶化させ、その後幅の広い第２のマスクを用いてレ
ジストを露光して現像することによってレジスト下部は
現像液に溶けずにそのまま残り、レジスト上部は幅の広
い第２のマスク分だけ溶解されて大きな開口部が得られ
る。これにより、テーパ形状を有するレジストを容易に
得ることができこのようなレジストを用いて下地基板の
エッチングを行なうと、エッチング過程においてレジス
トも徐々に削られてレジスト底部の開口径が徐々にレジ
スト開口部のテーパ形状に沿って大きくなりその結果下
地の基板に形成されるコンタクトホールの形状もテーパ
形状になる。したがって、このようなテーパ形状のコン
タクトホール上に配線層を形成すると、その配線層はコ
ンタクトホール内に入り込みやすくなり、ステップカバ
レッジを従来に比べて改善することができる。これによ
り、素子の信頼性を向上させることができる。
よれば、レジストの開口パターンの内側下部に遠紫外光
を照射することにより開口パターンの内側下部を現像液
に不溶化させ、その後幅の広い第２のマスクを用いてレ
ジストを露光して現像することによってレジスト下部は
現像液に溶けずにそのまま残り、レジスト上部は幅の広
い第２のマスク分だけ溶解されて大きな開口部が得られ
る。これにより、テーパ形状を有するレジストを容易に
得ることができこのようなレジストを用いて下地基板の
エッチングを行なうと、エッチング過程においてレジス
トも徐々に削られてレジスト底部の開口径が徐々にレジ
スト開口部のテーパ形状に沿って大きくなりその結果下
地の基板に形成されるコンタクトホールの形状もテーパ
形状になる。したがって、このようなテーパ形状のコン
タクトホール上に配線層を形成すると、その配線層はコ
ンタクトホール内に入り込みやすくなり、ステップカバ
レッジを従来に比べて改善することができる。これによ
り、素子の信頼性を向上させることができる。
【００２８】請求項２に係る半導体装置の製造方法によ
れば、基板表面上に形成したレジストをまず最適焦点位
置の状態で露光した後、次に最適焦点位置から所定量焦
点位置をずらせた状態で露光することにより、その焦点
位置をずらせた状態での露光領域は最適焦点位置の露光
領域よりも広がるので容易にテーパ形状を有するレジス
トを形成することができる。この結果、そのようなレジ
ストを用いて下地基板のエッチングを行なうと、エッチ
ング過程においてレジストの開口部も徐々に削られて開
口部底部の開口径は開口部のテーパ形状に沿って徐々に
大きくなり、下地基板に形成されるコンタクトホールも
テーパ形状になる。この結果、そのようなテーパ形状の
コンタクトホール上に配線層を形成すると配線層がコン
タクトホールに入り込みやすくなり、ステップカバレッ
ジが改善されるので信頼性の高い素子を提供することが
できる。
れば、基板表面上に形成したレジストをまず最適焦点位
置の状態で露光した後、次に最適焦点位置から所定量焦
点位置をずらせた状態で露光することにより、その焦点
位置をずらせた状態での露光領域は最適焦点位置の露光
領域よりも広がるので容易にテーパ形状を有するレジス
トを形成することができる。この結果、そのようなレジ
ストを用いて下地基板のエッチングを行なうと、エッチ
ング過程においてレジストの開口部も徐々に削られて開
口部底部の開口径は開口部のテーパ形状に沿って徐々に
大きくなり、下地基板に形成されるコンタクトホールも
テーパ形状になる。この結果、そのようなテーパ形状の
コンタクトホール上に配線層を形成すると配線層がコン
タクトホールに入り込みやすくなり、ステップカバレッ
ジが改善されるので信頼性の高い素子を提供することが
できる。
【００２９】請求項３に係る半導体装置の製造方法によ
れば、基板表面上に形成されたレジストをまず設計開口
寸法よりも大きい第１のマスクを用いて所定の深さまで
露光し、次に設計開口寸法の第２のマスクを用いて露光
した後現像することによってレジストの上部領域で大き
な開口径を有するテーパ形状の開口パターンを容易に形
成することができる。そしてこのようなテーパ形状の開
口パターンを有するレジストを用いて下地の基板をエッ
チングすると下地基板に形成されるコンタクトホールも
レジストと同様のテーパ形状を持った形状になる。この
結果、そのようなテーパ形状を有するコンタクトホール
上に配線層を形成した場合に配線層がコンタクトホール
内に入り込みやすくなり、配線層のステップカバレッジ
を従来に比べて向上させることができる。
れば、基板表面上に形成されたレジストをまず設計開口
寸法よりも大きい第１のマスクを用いて所定の深さまで
露光し、次に設計開口寸法の第２のマスクを用いて露光
した後現像することによってレジストの上部領域で大き
な開口径を有するテーパ形状の開口パターンを容易に形
成することができる。そしてこのようなテーパ形状の開
口パターンを有するレジストを用いて下地の基板をエッ
チングすると下地基板に形成されるコンタクトホールも
レジストと同様のテーパ形状を持った形状になる。この
結果、そのようなテーパ形状を有するコンタクトホール
上に配線層を形成した場合に配線層がコンタクトホール
内に入り込みやすくなり、配線層のステップカバレッジ
を従来に比べて向上させることができる。
【００３０】請求項４に係る半導体装置の製造方法によ
れば、基板上にまず第１の溶解度を有する第１のレジス
トを形成し、その第１のレジスト上に第１のレジストよ
りも高い第２の溶解度を有する第２のレジストを形成し
た後露光して現像することによって、現像の際に第２の
レジストは第１のレジストよりも溶解しやすいので上方
に向かって開口径が大きくなる開口パターンを有するレ
ジストを容易に形成することができる。そして、このよ
うなレジストを用いて下地基板のエッチングを行なうと
エッチング過程においてレジストも徐々に削られてレジ
ストの開口部底面の開口径がレジストのテーパ形状に沿
って徐々に大きくなるので、下地基板に形成されるコン
タクトホールもテーパ形状を有するように形成される。
この結果、そのようなコンタクトホール上に配線層を形
成した場合に、配線層がそのコンタクトホール内に入り
やすくなりステップカバレッジが従来に比べて改善され
る。
れば、基板上にまず第１の溶解度を有する第１のレジス
トを形成し、その第１のレジスト上に第１のレジストよ
りも高い第２の溶解度を有する第２のレジストを形成し
た後露光して現像することによって、現像の際に第２の
レジストは第１のレジストよりも溶解しやすいので上方
に向かって開口径が大きくなる開口パターンを有するレ
ジストを容易に形成することができる。そして、このよ
うなレジストを用いて下地基板のエッチングを行なうと
エッチング過程においてレジストも徐々に削られてレジ
ストの開口部底面の開口径がレジストのテーパ形状に沿
って徐々に大きくなるので、下地基板に形成されるコン
タクトホールもテーパ形状を有するように形成される。
この結果、そのようなコンタクトホール上に配線層を形
成した場合に、配線層がそのコンタクトホール内に入り
やすくなりステップカバレッジが従来に比べて改善され
る。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の第１実施例の
第１工程を説明するための断面図である。
第１工程を説明するための断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の第１実施例の
第２工程を説明するための断面図である。
第２工程を説明するための断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の第１実施例の
第３工程を説明するための断面図である。
第３工程を説明するための断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の第２実施例の
第１工程を説明するための断面図である。
第１工程を説明するための断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の第２実施例の
第２工程を説明するための断面図である。
第２工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法の第２実施例の
第３工程を説明するための断面図である。
第３工程を説明するための断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法の第３実施例の
第１工程を説明するための断面図である。
第１工程を説明するための断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法の第３実施例の
第２工程を説明するための断面図である。
第２工程を説明するための断面図である。
【図９】本発明の半導体装置の製造方法の第３実施例の
第３工程を説明するための断面図である。
第３工程を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の半導体装置の製造方法の第４実施例
の第１工程を説明するための断面図である。
の第１工程を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の半導体装置の製造方法の第４実施例
の第２工程を説明するための断面図である。
の第２工程を説明するための断面図である。
【図１２】従来の半導体装置（コンタクトホール）の製
造方法の第１工程を説明するための断面図である。
造方法の第１工程を説明するための断面図である。
【図１３】従来の半導体装置（コンタクトホール）の製
造方法の第２工程を説明するための断面図である。
造方法の第２工程を説明するための断面図である。
【図１４】従来の半導体装置（コンタクトホール）の製
造方法の第３工程を説明するための断面図である。
造方法の第３工程を説明するための断面図である。
１：ＳｉＯ2 基板 ２：レジスト ２ａ：硬化部 ３：開口マスク ４：遠紫外光 ５：開口マスク ６：紫外光 １５，１７：露光領域 ３２：第１レジスト層 ３３：第２レジスト層 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】 コンタクトホールを有する半導体装置の
製造方法であって、 基板表面上にレジストを形成する工程と、 前記レジストの所定部分を第１のマスクを用いて露光し
て現像することによって開口パターンを形成する工程
と、 前記レジストの開口パターンの内側下部に遠紫外光を照
射することにより前記開口パターンの内側下部を現像液
に不溶化させる工程と、 前記第１のマスクよりも幅の広い第２のマスクを用いて
前記レジストを露光した後現像する工程とを備えた、半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 コンタクトホールを有する半導体装置の
製造方法であって、 基板表面上にレジストを形成する工程と、 前記レジストを最適焦点位置の状態で露光する工程と、 前記レジストを前記最適焦点位置から所定量焦点位置を
ずらせた状態で露光する工程と、 前記レジストを現像する工程とを備えた、半導体装置の
製造方法。 - 【請求項３】 コンタクトホールを有する半導体装置の
製造方法であって、 基板表面上にレジストを形成する工程と、 前記レジストを設計開口寸法よりも大きい第１のマスク
を用いて所定の深さまで露光する工程と、 前記レジストを設計開口寸法を有する第２のマスクを用
いて露光する工程と、 前記レジストを現像する工程とを備えた、半導体装置の
製造方法。 - 【請求項４】 コンタクトホールを有する半導体装置の
製造方法であって、 基板上に第１の溶解度を有する第１のレジストを形成す
る工程と、 前記第１のレジスト上に前記第１のレジストよりも高い
第２の溶解度を有する第２のレジストを形成する工程
と、 前記第２のレジストと前記第１のレジストとを露光して
現像する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4208287A JPH0661360A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4208287A JPH0661360A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661360A true JPH0661360A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16553755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4208287A Withdrawn JPH0661360A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661360A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005257712A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
| WO2007135896A1 (ja) | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | 細胞選別装置 |
-
1992
- 1992-08-05 JP JP4208287A patent/JPH0661360A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005257712A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
| JP4521694B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2010-08-11 | Ｈｏｙａ株式会社 | グレートーンマスク及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| WO2007135896A1 (ja) | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | 細胞選別装置 |
| US8241238B2 (en) | 2006-05-22 | 2012-08-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Cell selection apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |