JPH05107769A - 多層レジストのパターニング方法 - Google Patents
多層レジストのパターニング方法Info
- Publication number
- JPH05107769A JPH05107769A JP26593591A JP26593591A JPH05107769A JP H05107769 A JPH05107769 A JP H05107769A JP 26593591 A JP26593591 A JP 26593591A JP 26593591 A JP26593591 A JP 26593591A JP H05107769 A JPH05107769 A JP H05107769A
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- resist
- layer
- acid
- patterning
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- Withdrawn
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、多層レジストのパターニング法に
関し、上層レジストパターン下部でのパターン細りを生
じ難くすることができ、所望のレジストパターンを得る
ことができ、中間層、下層レジスト及び被エッチング層
を安定したパターン線幅でパターン形成することができ
る多層レジストのパターニング法を提供することを目的
とする。 【構成】 シリコン含有樹脂を含有する層と、該シリコ
ン含有樹脂層上に形成される光酸発生剤を含有する上層
レジストとを少なくとも含む多層レジストのパターニン
グ方法において、予め該シリコン含有樹脂層に該シリコ
ン含有樹脂以外に光酸発生剤を含有させた状態で該上層
レジストを塗布し、次いで、露光・ベーク・現像により
パターニングするように構成する。
関し、上層レジストパターン下部でのパターン細りを生
じ難くすることができ、所望のレジストパターンを得る
ことができ、中間層、下層レジスト及び被エッチング層
を安定したパターン線幅でパターン形成することができ
る多層レジストのパターニング法を提供することを目的
とする。 【構成】 シリコン含有樹脂を含有する層と、該シリコ
ン含有樹脂層上に形成される光酸発生剤を含有する上層
レジストとを少なくとも含む多層レジストのパターニン
グ方法において、予め該シリコン含有樹脂層に該シリコ
ン含有樹脂以外に光酸発生剤を含有させた状態で該上層
レジストを塗布し、次いで、露光・ベーク・現像により
パターニングするように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層レジストのパター
ニング方法に係り、半導体集積回路の製造におけるフォ
トリソグラフィー技術に適用することができ、特に、上
層レジストパターン下部でのパターン細りを生じ難くす
ることができる多層レジストのパターニング方法に関す
る。
ニング方法に係り、半導体集積回路の製造におけるフォ
トリソグラフィー技術に適用することができ、特に、上
層レジストパターン下部でのパターン細りを生じ難くす
ることができる多層レジストのパターニング方法に関す
る。
【０００２】近年、ＬＳＩは高集積化が要求されてお
り、回路パターンを微細化しつつ、ＬＳＩチップを大型
化することが要求されている。このため、パターン露光
装置の高解像力化とともに、その露光波長が次第に短波
長へと進みつつある。更には、レジストの高解像力化も
要求されており、これに対して近時、光酸発生剤（ＰＡ
Ｇ、Photo-Acid Generator) を含む所謂化学増幅レジス
トなるものが脚光を浴びており、その開発が盛んに行わ
れている。
り、回路パターンを微細化しつつ、ＬＳＩチップを大型
化することが要求されている。このため、パターン露光
装置の高解像力化とともに、その露光波長が次第に短波
長へと進みつつある。更には、レジストの高解像力化も
要求されており、これに対して近時、光酸発生剤（ＰＡ
Ｇ、Photo-Acid Generator) を含む所謂化学増幅レジス
トなるものが脚光を浴びており、その開発が盛んに行わ
れている。
【０００３】
【従来の技術】図４は従来の多層レジストのパターニン
グ方法を説明する図である。図４において、31は被エッ
チング層であり、32、33、34はこの被エッチング層31上
に形成されるフェノール系樹脂等からなる下層レジス
ト、ＳＯＧ（Spin On Glass)等からなるシリコン含有樹
脂の中間層、化学増幅レジストからなる例えばネガ型の
上層レジストである。
グ方法を説明する図である。図４において、31は被エッ
チング層であり、32、33、34はこの被エッチング層31上
に形成されるフェノール系樹脂等からなる下層レジス
ト、ＳＯＧ（Spin On Glass)等からなるシリコン含有樹
脂の中間層、化学増幅レジストからなる例えばネガ型の
上層レジストである。
【０００４】この従来の化学増幅レジストを上層レジス
ト34に用いた３層レジストのパターニング方法において
は、被エッチング層31上にフェノール系樹脂を塗布・ベ
ークして下層レジスト32を形成し、この下層レジスト32
上にＳＯＧを塗布・ベークして中間層33を形成した後、
中間層33上に化学増幅レジストを塗布・ベークして上層
レジスト34を形成する（図４（ａ））。
ト34に用いた３層レジストのパターニング方法において
は、被エッチング層31上にフェノール系樹脂を塗布・ベ
ークして下層レジスト32を形成し、この下層レジスト32
上にＳＯＧを塗布・ベークして中間層33を形成した後、
中間層33上に化学増幅レジストを塗布・ベークして上層
レジスト34を形成する（図４（ａ））。
【０００５】そして、図４（ａ）に示す如く，上層レジ
スト34をパターン露光し、図４（ｂ）に示す如く、上層
レジスト34をＰＥＢ（Post Exposure Bake) した後、上
層レジスト34を現像することにより、図４（ｃ）に示す
ような上層レジスト34パターンを得ることができる。
スト34をパターン露光し、図４（ｂ）に示す如く、上層
レジスト34をＰＥＢ（Post Exposure Bake) した後、上
層レジスト34を現像することにより、図４（ｃ）に示す
ような上層レジスト34パターンを得ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の多層レジストのパターニング方法では、上層レ
ジスト34にネガ型レジストを用いている場合であるが、
現像後に上層レジスト34のパターン断面を観察すると、
図５に示すように、上層レジスト34パターン下部でパタ
ーンが細ってしまい、所望の形状の上層レジスト34パタ
ーンを得ることができなかった。
た従来の多層レジストのパターニング方法では、上層レ
ジスト34にネガ型レジストを用いている場合であるが、
現像後に上層レジスト34のパターン断面を観察すると、
図５に示すように、上層レジスト34パターン下部でパタ
ーンが細ってしまい、所望の形状の上層レジスト34パタ
ーンを得ることができなかった。
【０００７】このため、特に、元々上層レジスト34のパ
ターンが微細で細い場合等は、上層レジスト34パターン
が倒れてしまうといった問題が生じたり、たとえ倒れな
くとも、その後の中間層33、下層レジスト32・下地基板
の被エッチング層31のパターン形成時にパターン線幅が
安定しない等といった問題が生じたりする。そこで本発
明は、以上の点を鑑み、上層レジストパターン下部での
パターン細りを生じ難くすることができ、所望の形状の
レジストパターンを得ることができ、中間層、下層レジ
スト及び被エッチング層を安定したパターン線幅でパタ
ーン形成することができる多層レジストのパターニング
方法を提供することを目的としている。
ターンが微細で細い場合等は、上層レジスト34パターン
が倒れてしまうといった問題が生じたり、たとえ倒れな
くとも、その後の中間層33、下層レジスト32・下地基板
の被エッチング層31のパターン形成時にパターン線幅が
安定しない等といった問題が生じたりする。そこで本発
明は、以上の点を鑑み、上層レジストパターン下部での
パターン細りを生じ難くすることができ、所望の形状の
レジストパターンを得ることができ、中間層、下層レジ
スト及び被エッチング層を安定したパターン線幅でパタ
ーン形成することができる多層レジストのパターニング
方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による多層レジス
トのパターニング方法は上記目的達成のため、シリコン
含有樹脂を含有する層と、該シリコン含有樹脂層上に形
成される光酸発生剤を含有する上層レジストとを少なく
とも含む多層レジストのパターニング方法において、予
め該シリコン含有樹脂層に光酸発生剤を含有させた状態
で該上層レジストを塗布し、露光・ベーク・現像により
パターニングするものである。
トのパターニング方法は上記目的達成のため、シリコン
含有樹脂を含有する層と、該シリコン含有樹脂層上に形
成される光酸発生剤を含有する上層レジストとを少なく
とも含む多層レジストのパターニング方法において、予
め該シリコン含有樹脂層に光酸発生剤を含有させた状態
で該上層レジストを塗布し、露光・ベーク・現像により
パターニングするものである。
【０００９】
【作用】本発明では、上記問題を予めシリコン含有樹脂
からなる中間層材料の中に光酸発生剤を含有させたもの
を用いることによって解決することができる。以下、具
体的に例えば、上層レジストにネガ型化学増幅レジスト
を用いて行う場合について説明する。
からなる中間層材料の中に光酸発生剤を含有させたもの
を用いることによって解決することができる。以下、具
体的に例えば、上層レジストにネガ型化学増幅レジスト
を用いて行う場合について説明する。
【００１０】従来生じている上層レジストパターン下部
のパターン細りの原因は明らかではないが、図４（ａ）
に示す如く、上層レジスト34をパターン露光した際、上
層レジスト34中に発生した酸が図４（ｂ）に示す如く、
上層レジスト34をベークした際、中間層33内に拡散して
いくために生じているものと考えられている。このた
め、上層レジストをベークする際、上層レジスト34内の
酸が中間層33内に拡散していくのを抑えるため、本発明
では、酸の濃度勾配を小さくしてやろうという発想のも
とで、予め中間層33材料内にシリコン含有樹脂以外に光
酸発生剤を入れて実験したところ、明らかに上層レジス
トパターン細りの低減効果を確認することができた。
のパターン細りの原因は明らかではないが、図４（ａ）
に示す如く、上層レジスト34をパターン露光した際、上
層レジスト34中に発生した酸が図４（ｂ）に示す如く、
上層レジスト34をベークした際、中間層33内に拡散して
いくために生じているものと考えられている。このた
め、上層レジストをベークする際、上層レジスト34内の
酸が中間層33内に拡散していくのを抑えるため、本発明
では、酸の濃度勾配を小さくしてやろうという発想のも
とで、予め中間層33材料内にシリコン含有樹脂以外に光
酸発生剤を入れて実験したところ、明らかに上層レジス
トパターン細りの低減効果を確認することができた。
【００１１】このように、本発明では、予め光酸発生剤
が含有された中間層材料を用いて上層レジスト34をパタ
ーニングするようにしたため、上層レジストをベークす
る際、上層レジストから中間層への酸の拡散も生じる
が、中間層から上層レジストへの酸の拡散も生じさせる
ことがきる。このため、従来の予め光酸発生剤を含有し
ていない中間層を用いて上層レジストをパターニングす
る場合よりも上層レジスト下部での酸の減少を少なくす
ることができる。従って、上層レジストパターン下部の
細りを低減することができる。
が含有された中間層材料を用いて上層レジスト34をパタ
ーニングするようにしたため、上層レジストをベークす
る際、上層レジストから中間層への酸の拡散も生じる
が、中間層から上層レジストへの酸の拡散も生じさせる
ことがきる。このため、従来の予め光酸発生剤を含有し
ていない中間層を用いて上層レジストをパターニングす
る場合よりも上層レジスト下部での酸の減少を少なくす
ることができる。従って、上層レジストパターン下部の
細りを低減することができる。
【００１２】なお、上層レジストから中間層への酸の拡
散を抑えられたのは、上記理由の他に中間層のＳＯＧが
酸の存在によって架橋が良く進んで膜が密になり、この
ため、上層レジストから中間層への酸の拡散が抑えられ
たとも考えられる。
散を抑えられたのは、上記理由の他に中間層のＳＯＧが
酸の存在によって架橋が良く進んで膜が密になり、この
ため、上層レジストから中間層への酸の拡散が抑えられ
たとも考えられる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明の一実施例に則した多層レジストのパターニ
ング方法を説明する図である。図１においては、１は被
エッチング層であり、２、３、４はこの被エッチング層
１上に形成されるノボラック樹脂等からなる下層レジス
ト、ＳＯＧ等からなるシリコン含有樹脂の中間層、シリ
コン含有樹脂と光酸発生剤とを含有するネガ型の上層レ
ジストである。
１は本発明の一実施例に則した多層レジストのパターニ
ング方法を説明する図である。図１においては、１は被
エッチング層であり、２、３、４はこの被エッチング層
１上に形成されるノボラック樹脂等からなる下層レジス
ト、ＳＯＧ等からなるシリコン含有樹脂の中間層、シリ
コン含有樹脂と光酸発生剤とを含有するネガ型の上層レ
ジストである。
【００１４】次に、その多層レジストのパターニング方
法を説明する。まず、図１（ａ）に示すように、被エッ
チング層１上にノボラック樹脂を約１μｍ厚で塗布し、
約 150℃〜 300℃でベークして下層レジスト２を形成す
る。次いで、例えば市販のＳＯＧ（具体例として東京応
化工業社製の商品名：ＯＣＤ）中に例えば１，３，５−
トリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレート
からなる光酸発生剤をＳＯＧ樹脂に対して約４重量％混
入したものを塗布し、約 150℃でベークして中間層３を
形成する。次いで、中間層３上にネガ型化学増幅レジス
ト（例えばシプレー社製の商品名：ＸＰ８９１３１）を
塗布し、約 105℃でベークして上層レジスト４を形成し
た後、露光波長 248ｎｍで上層レジスト４をパターン露
光する。このパターン露光により上層レジスト４及び中
間層３の露光された領域で酸が発生する。
法を説明する。まず、図１（ａ）に示すように、被エッ
チング層１上にノボラック樹脂を約１μｍ厚で塗布し、
約 150℃〜 300℃でベークして下層レジスト２を形成す
る。次いで、例えば市販のＳＯＧ（具体例として東京応
化工業社製の商品名：ＯＣＤ）中に例えば１，３，５−
トリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレート
からなる光酸発生剤をＳＯＧ樹脂に対して約４重量％混
入したものを塗布し、約 150℃でベークして中間層３を
形成する。次いで、中間層３上にネガ型化学増幅レジス
ト（例えばシプレー社製の商品名：ＸＰ８９１３１）を
塗布し、約 105℃でベークして上層レジスト４を形成し
た後、露光波長 248ｎｍで上層レジスト４をパターン露
光する。このパターン露光により上層レジスト４及び中
間層３の露光された領域で酸が発生する。
【００１５】次に、図１（ｂ）に示すように、約 120℃
で上層レジスト４をベーク（ＰＥＢ:Post Exposure Bak
e)する。そして、アルカリ現像液で上層レジスト４を現
像してパターニングすることにより、図１（ｃ）に示す
ような上層レジスト４パターンを得ることができる。す
なわち、本実施例では、被エッチング層１上に塗布・ベ
ークにより形成された下層レジスト２上に、予めＳＯＧ
と光酸発生剤が含有された中間層３を塗布・ベークによ
り形成した後、中間層３上に光酸発生剤を含有する上層
レジスト４を塗布・ベークにより形成し、次いで、上層
レジスト４をパターン露光・ベーク・現像によりパター
ニングして上層レジスト４パターンを形成している。こ
のように、予め中間層３に光酸発生剤を含有させた状態
で上層レジスト４を塗布し、パターン露光・ベーク・現
像するようにしたため、予め中間層３内にも酸を発生さ
せた状態で上層レジスト４をベークすることができる。
このため、上層レジスト４をベークする際、従来生じて
いた上層レジスト４から中間層３への酸の拡散を抑える
ことができる。詳細については作用の通りである。この
ため、上層レジスト４パターン下部でのパターン細りを
生じ難くすることができ、所望の上層レジスト４パター
ン形状を得ることができる。従って、中間層３、下層レ
ジスト２及び被エッチング層１を安定したパターン線幅
でパターン形成することができる。
で上層レジスト４をベーク（ＰＥＢ:Post Exposure Bak
e)する。そして、アルカリ現像液で上層レジスト４を現
像してパターニングすることにより、図１（ｃ）に示す
ような上層レジスト４パターンを得ることができる。す
なわち、本実施例では、被エッチング層１上に塗布・ベ
ークにより形成された下層レジスト２上に、予めＳＯＧ
と光酸発生剤が含有された中間層３を塗布・ベークによ
り形成した後、中間層３上に光酸発生剤を含有する上層
レジスト４を塗布・ベークにより形成し、次いで、上層
レジスト４をパターン露光・ベーク・現像によりパター
ニングして上層レジスト４パターンを形成している。こ
のように、予め中間層３に光酸発生剤を含有させた状態
で上層レジスト４を塗布し、パターン露光・ベーク・現
像するようにしたため、予め中間層３内にも酸を発生さ
せた状態で上層レジスト４をベークすることができる。
このため、上層レジスト４をベークする際、従来生じて
いた上層レジスト４から中間層３への酸の拡散を抑える
ことができる。詳細については作用の通りである。この
ため、上層レジスト４パターン下部でのパターン細りを
生じ難くすることができ、所望の上層レジスト４パター
ン形状を得ることができる。従って、中間層３、下層レ
ジスト２及び被エッチング層１を安定したパターン線幅
でパターン形成することができる。
【００１６】次に、本発明においては、中間層に含まれ
る光酸発生剤は、上層レジスト中に含まれる光酸発生剤
が発生する酸と同一の酸を発生するものであってもよ
く、この場合、上層レジストから中間層への酸の拡散を
効率良く抑えることができ好ましい。本来、上層レジス
トに含有されているＰＡＧが発生する酸（例えばＨＣ
ｌ、ＨＢｒ）が既知であれば同じ酸を発生する。このた
め、これと同じ酸を発生させるＰＡＧをＳＯＧ中に含有
させた方が拡散の程度や熱安定性も同じなので、プロセ
ス条件を設定し易いし、本発明の効果も大きい。
る光酸発生剤は、上層レジスト中に含まれる光酸発生剤
が発生する酸と同一の酸を発生するものであってもよ
く、この場合、上層レジストから中間層への酸の拡散を
効率良く抑えることができ好ましい。本来、上層レジス
トに含有されているＰＡＧが発生する酸（例えばＨＣ
ｌ、ＨＢｒ）が既知であれば同じ酸を発生する。このた
め、これと同じ酸を発生させるＰＡＧをＳＯＧ中に含有
させた方が拡散の程度や熱安定性も同じなので、プロセ
ス条件を設定し易いし、本発明の効果も大きい。
【００１７】次に、本発明においては、中間層に含まれ
る光酸発生剤は、上層レジスト中に含まれる光酸発生剤
と同一の材料であってもよく、この場合、上層レジスト
から中間層へのＰＡＧの拡散を効率よく抑えることがで
き好ましい。主にＰＡＧから発生させた酸が拡散するの
であるが、ＰＡＧ自身の拡散もあるので、もし上層レジ
スト中に入っているＰＡＧが既知であれば、ＳＯＧ中に
も同じＰＡＧを入れた方がプロセス条件を設定し易い
し、本発明の効果も大きい。
る光酸発生剤は、上層レジスト中に含まれる光酸発生剤
と同一の材料であってもよく、この場合、上層レジスト
から中間層へのＰＡＧの拡散を効率よく抑えることがで
き好ましい。主にＰＡＧから発生させた酸が拡散するの
であるが、ＰＡＧ自身の拡散もあるので、もし上層レジ
スト中に入っているＰＡＧが既知であれば、ＳＯＧ中に
も同じＰＡＧを入れた方がプロセス条件を設定し易い
し、本発明の効果も大きい。
【００１８】次に、本発明においては、中間層に含まれ
る光酸発生剤の量は、上層レジスト内で酸が発生した
時、中間層への酸の拡散が一方的に生じないように酸の
濃度勾配が略無くなるように混入してあってもよく、こ
の場合、上層レジストから中間層への酸の拡散を効率良
く抑えることができ好ましい。ＳＯＧ中に入れるＰＡＧ
量であるが、これはレジストからＳＯＧへの酸の拡散
と、ＳＯＧ中からのレジストへの酸の拡散とが同程度に
なるようにＰＡＧ量を設定する。具体的には、３層塗布
後の状態で、中間層の単位体積当たりのＰＡＧ数と、上
層レジストの単位体積中のＰＡＧ数が同量になるように
設定するのが良い。実際にはＳＯＧ中のＰＡＧ量を振っ
てレジスト断面を観察し、レジスト下部の細りがないよ
うに設定するのが良い。
る光酸発生剤の量は、上層レジスト内で酸が発生した
時、中間層への酸の拡散が一方的に生じないように酸の
濃度勾配が略無くなるように混入してあってもよく、こ
の場合、上層レジストから中間層への酸の拡散を効率良
く抑えることができ好ましい。ＳＯＧ中に入れるＰＡＧ
量であるが、これはレジストからＳＯＧへの酸の拡散
と、ＳＯＧ中からのレジストへの酸の拡散とが同程度に
なるようにＰＡＧ量を設定する。具体的には、３層塗布
後の状態で、中間層の単位体積当たりのＰＡＧ数と、上
層レジストの単位体積中のＰＡＧ数が同量になるように
設定するのが良い。実際にはＳＯＧ中のＰＡＧ量を振っ
てレジスト断面を観察し、レジスト下部の細りがないよ
うに設定するのが良い。
【００１９】次に、本発明においては、中間層塗布後の
ベーク温度が混入してある光酸発生剤の耐熱温度以下で
あってもよく、この場合、ＰＡＧを破壊し難くすること
ができ好ましい。中間層のベーク温度は一般に高い（〜
300 ℃) が、あまり高温でＳＯＧ中のＰＡＧが壊れると
いけないので、中間層の塗布後のベーク温度は混入して
あるＰＡＧの耐熱温度以下で行うのが良い。
ベーク温度が混入してある光酸発生剤の耐熱温度以下で
あってもよく、この場合、ＰＡＧを破壊し難くすること
ができ好ましい。中間層のベーク温度は一般に高い（〜
300 ℃) が、あまり高温でＳＯＧ中のＰＡＧが壊れると
いけないので、中間層の塗布後のベーク温度は混入して
あるＰＡＧの耐熱温度以下で行うのが良い。
【００２０】次に、本発明においては、図２（ａ）、
（ｂ）に示すように、上層レジスト４のパターニング露
光時のみではＳＯＧ内の光酸発生剤の酸発生量が少ない
場合には、中間層３ベーク後に全面露光して全面に酸を
発生させた後、上層にレジストを塗布しておくと良い。
この場合、上層レジスト４のパターン露光時に中間層３
内に更に酸を多く発生させることができ、本発明の効果
はより大きくなる。
（ｂ）に示すように、上層レジスト４のパターニング露
光時のみではＳＯＧ内の光酸発生剤の酸発生量が少ない
場合には、中間層３ベーク後に全面露光して全面に酸を
発生させた後、上層にレジストを塗布しておくと良い。
この場合、上層レジスト４のパターン露光時に中間層３
内に更に酸を多く発生させることができ、本発明の効果
はより大きくなる。
【００２１】次に、本発明においては、図３（ａ）〜
（ｃ）に示すように、上層レジスト４の光酸発生剤とし
てナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステルを用
いてもよく、これは露光時にスルホン酸になることが知
られており、通常ｉ線用レジスト等に使われるが、この
ような上層レジストを本発明に適用することができる。
この場合、中間層３への酸の拡散を減らすことができる
ため、レジスト残渣を低減することができる。
（ｃ）に示すように、上層レジスト４の光酸発生剤とし
てナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステルを用
いてもよく、これは露光時にスルホン酸になることが知
られており、通常ｉ線用レジスト等に使われるが、この
ような上層レジストを本発明に適用することができる。
この場合、中間層３への酸の拡散を減らすことができる
ため、レジスト残渣を低減することができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、上層レジストパターン
下部でのパターン細りを生じ難くすることができ、所望
の形状の上層レジストパターンを得ることができ、中間
層、下層レジスト及び被エッチング層を安定したパター
ン線幅でパターン形成することができるという効果があ
る。
下部でのパターン細りを生じ難くすることができ、所望
の形状の上層レジストパターンを得ることができ、中間
層、下層レジスト及び被エッチング層を安定したパター
ン線幅でパターン形成することができるという効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例に則した多層レジストのパタ
ーニング方法を説明する図である。
ーニング方法を説明する図である。
【図２】本発明に適用できる多層レジストのパターニン
グ方法を説明する図である。
グ方法を説明する図である。
【図３】本発明に適用できる多層レジストのパターニン
グ方法を説明する図である。
グ方法を説明する図である。
【図４】従来例の多層レジストのパターニング方法を説
明する図である。
明する図である。
【図５】従来例の課題を説明する図である。
１ 被エッチング層 ２ 下層レジスト ３ 中間層 ４ 上層レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/075 ５２１ 7124−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 前田 公久 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴイエルエスアイ株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 シリコン含有樹脂を含有する層と、該シ
リコン含有樹脂層上に形成される光酸発生剤を含有する
上層レジストと、を少なくとも含む多層レジストのパタ
ーニング方法において、予め該シリコン含有樹脂層に光
酸発生剤を含有させた状態で該上層レジストを塗布し、
次いで、露光・ベーク・現像によりパターニングするこ
とを特徴とする多層レジストのパターニング方法。 - 【請求項２】 前記シリコン含有樹脂層に含まれる光酸
発生剤は、上層レジスト中に含まれる光酸発生剤が発生
する酸と同一の酸を発生するものであることを特徴とす
る請求項１記載の多層レジストのパターニング方法。 - 【請求項３】 前記シリコン含有樹脂層に含まれる光酸
発生剤は、上層レジスト中に含まれる光酸発生剤と同一
の材料であることを特徴とする請求項１記載の多層レジ
ストのパターニング方法。 - 【請求項４】 前記シリコン含有樹脂層に含まれる光酸
発生剤は、上層レジスト内で酸が発生した時、シリコン
含有樹脂層への酸の拡散が一方的に生じないように酸の
濃度勾配が略無くなるように混入してあることを特徴と
する請求項１記載の多層レジストのパターニング方法。 - 【請求項５】 前記シリコン含有樹脂層塗布後のベーク
温度は、混入してある光酸発生剤の耐熱温度以下である
ことを特徴とする請求項１記載の多層レジストのパター
ニング方法。 - 【請求項６】 前記シリコン含有樹脂層を塗布・ベーク
した後に光照射し、次いで、上層レジストを塗布するこ
とを特徴とする請求項１記載の多層レジストのパターニ
ング方法。 - 【請求項７】 前記上層レジスト内に含有される前記光
酸発生剤は、ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エ
ステルであることを特徴とする請求項１記載の多層レジ
ストのパターニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26593591A JPH05107769A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 多層レジストのパターニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26593591A JPH05107769A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 多層レジストのパターニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05107769A true JPH05107769A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17424127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26593591A Withdrawn JPH05107769A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 多層レジストのパターニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05107769A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08240913A (ja) * | 1994-10-12 | 1996-09-17 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 感光膜パターン形成方法 |
| WO2003088235A1 (fr) * | 2002-04-15 | 2003-10-23 | Nagase & Co., Ltd. | Matrice de pressage d'origine et procede de fabrication de cette matrice, matrice de pressage et procede de fabrication de cette matrice et disque optique |
| US7585613B2 (en) | 2006-01-25 | 2009-09-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Antireflection film composition, substrate, and patterning process |
-
1991
- 1991-10-15 JP JP26593591A patent/JPH05107769A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08240913A (ja) * | 1994-10-12 | 1996-09-17 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 感光膜パターン形成方法 |
| WO2003088235A1 (fr) * | 2002-04-15 | 2003-10-23 | Nagase & Co., Ltd. | Matrice de pressage d'origine et procede de fabrication de cette matrice, matrice de pressage et procede de fabrication de cette matrice et disque optique |
| US7585613B2 (en) | 2006-01-25 | 2009-09-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Antireflection film composition, substrate, and patterning process |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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