JP2003195522A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2003195522A JP2003195522A JP2001395051A JP2001395051A JP2003195522A JP 2003195522 A JP2003195522 A JP 2003195522A JP 2001395051 A JP2001395051 A JP 2001395051A JP 2001395051 A JP2001395051 A JP 2001395051A JP 2003195522 A JP2003195522 A JP 2003195522A
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- resist
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- arf
- manufacturing
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ArFリソグラフィにより形成された微細レジ
ストパターンのドライエッチング耐性を向上させる。レ
ジストパターントップ部の形状を改善し、被加工膜を寸
法および形状制御性良く加工する。 【解決手段】 基板１上に被加工膜２を形成し、被加工
膜２上にArFレジスト４を形成する。ArFレーザ光をフォ
トマスクを介してArFレジスト４に露光した後、ベンゼ
ン環構造を有するベース樹脂５をArFレジスト４上に形
成する。ベークにより、ArFレジスト４中の酸をベース
樹脂５に熱拡散させる。ArFレジスト４とベース樹脂５
を現像する。現像によりパターニングされたArFレジス
トパターン４３およびベース樹脂パターン５３をマスク
として、被加工膜２をドライエッチングにより加工す
る。
ストパターンのドライエッチング耐性を向上させる。レ
ジストパターントップ部の形状を改善し、被加工膜を寸
法および形状制御性良く加工する。 【解決手段】 基板１上に被加工膜２を形成し、被加工
膜２上にArFレジスト４を形成する。ArFレーザ光をフォ
トマスクを介してArFレジスト４に露光した後、ベンゼ
ン環構造を有するベース樹脂５をArFレジスト４上に形
成する。ベークにより、ArFレジスト４中の酸をベース
樹脂５に熱拡散させる。ArFレジスト４とベース樹脂５
を現像する。現像によりパターニングされたArFレジス
トパターン４３およびベース樹脂パターン５３をマスク
として、被加工膜２をドライエッチングにより加工す
る。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係り、特にArFリソグラフィ技術に関する。
方法に係り、特にArFリソグラフィ技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程において、縮
小投影露光装置による写真製版プロセスを用いて微細回
路パターンが形成されている。近年のデバイスの高集積
化・微細化に対応するため、露光波長の短波長化よる高
解像度化が行われており、現在ではArFエキシマレーザ
光（λ=193nm）を光源とした露光装置が実用化されよう
としている。さらに、F2レーザ光（λ=157nm）を光源と
するリソグラフィの検討も盛んに行われている。
小投影露光装置による写真製版プロセスを用いて微細回
路パターンが形成されている。近年のデバイスの高集積
化・微細化に対応するため、露光波長の短波長化よる高
解像度化が行われており、現在ではArFエキシマレーザ
光（λ=193nm）を光源とした露光装置が実用化されよう
としている。さらに、F2レーザ光（λ=157nm）を光源と
するリソグラフィの検討も盛んに行われている。
【０００３】ところで、KrFリソグラフィ（λ=248nm）
用のレジストに用いられているベース樹脂（図４参照）
は、ベンゼン環構造を有しており、短波長の露光光（例
えば、ArFレーザ光）の吸収が大きい。このため、例え
ばArFレーザ光のような短波長の露光光源に対しては使
用することができない。そこで、ArFリソグラフィ用の
レジスト（以下、「ArFレジスト」という。）では、ArF
レーザ光の吸収が少ない脂肪族系ベース樹脂（図６参
照）が主に用いられている。すなわち、ArFリソグラフ
ィでは、酸触媒反応により脱離しアルカリ現像液に対す
る溶解性を変化させる基を側鎖に有する脂肪族系ベース
樹脂と、活性光線の照射により酸を発生する光酸発生剤
とを含む化学増幅型レジストが用いられている。
用のレジストに用いられているベース樹脂（図４参照）
は、ベンゼン環構造を有しており、短波長の露光光（例
えば、ArFレーザ光）の吸収が大きい。このため、例え
ばArFレーザ光のような短波長の露光光源に対しては使
用することができない。そこで、ArFリソグラフィ用の
レジスト（以下、「ArFレジスト」という。）では、ArF
レーザ光の吸収が少ない脂肪族系ベース樹脂（図６参
照）が主に用いられている。すなわち、ArFリソグラフ
ィでは、酸触媒反応により脱離しアルカリ現像液に対す
る溶解性を変化させる基を側鎖に有する脂肪族系ベース
樹脂と、活性光線の照射により酸を発生する光酸発生剤
とを含む化学増幅型レジストが用いられている。
【０００４】以下、従来の半導体装置の製造方法、詳細
には、ArFリソグラフィを用いた、従来の微細パターン
形成方法について説明する。図７及び図８は、従来の半
導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
には、ArFリソグラフィを用いた、従来の微細パターン
形成方法について説明する。図７及び図８は、従来の半
導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【０００５】先ず、図７（ａ）に示すように、基板１上
に被加工膜２を形成する。次に、図７（ｂ）に示すよう
に、レジスト塗布装置でスピン塗布法を用いて、被加工
膜２上に40nm〜110nm程度の厚さで反射防止膜３を形成
し、さらに反射防止膜３上に200nm〜600nm程度の厚さで
ArFレジスト４を形成する。そして、図７（ｃ）に示す
ように、縮小投影露光装置で、ArFレーザ光７をフォト
マスク６を介してArFレジスト４に選択的に照射（露
光）する。この時、ArFレジスト４のうちArFレーザ光７
が露光された部分（以下、「露光部」という。）４１で
は、レジスト４に含まれる光酸発生剤から酸が発生す
る。
に被加工膜２を形成する。次に、図７（ｂ）に示すよう
に、レジスト塗布装置でスピン塗布法を用いて、被加工
膜２上に40nm〜110nm程度の厚さで反射防止膜３を形成
し、さらに反射防止膜３上に200nm〜600nm程度の厚さで
ArFレジスト４を形成する。そして、図７（ｃ）に示す
ように、縮小投影露光装置で、ArFレーザ光７をフォト
マスク６を介してArFレジスト４に選択的に照射（露
光）する。この時、ArFレジスト４のうちArFレーザ光７
が露光された部分（以下、「露光部」という。）４１で
は、レジスト４に含まれる光酸発生剤から酸が発生す
る。
【０００６】次に、図８（ｄ）に示すように、温度100
℃〜150℃で60sec〜90secの時間だけベーク（露光後ベ
ーク）を行う。この時、露光部４１では、アルカリ現像
液に対する溶解性を阻害する側鎖部の基が、酸触媒反応
により脂肪族系ベース樹脂から脱離する。これにより、
アルカリ現像液に対する溶解性が高い露光部４２とな
る。そして、図８（ｅ）に示すように、アルカリ現像液
による現像処理を行う。これにより、ドライエッチング
加工時のマスク材料となるArFレジストパターン４３が
得られる。
℃〜150℃で60sec〜90secの時間だけベーク（露光後ベ
ーク）を行う。この時、露光部４１では、アルカリ現像
液に対する溶解性を阻害する側鎖部の基が、酸触媒反応
により脂肪族系ベース樹脂から脱離する。これにより、
アルカリ現像液に対する溶解性が高い露光部４２とな
る。そして、図８（ｅ）に示すように、アルカリ現像液
による現像処理を行う。これにより、ドライエッチング
加工時のマスク材料となるArFレジストパターン４３が
得られる。
【０００７】次に、図８（ｆ）に示すように、ArFレジ
ストパターン４３をマスクとして、プラズマ８を用いた
ドライエッチング処理を行う。これにより、反射防止膜
３および被加工膜２がパターニングされ、反射防止膜パ
ターン３２および被加工膜パターン２２となる。最後
に、図８（ｇ）に示すように、ArFレジストパターン４
３および反射防止膜パターン３２をプラズマアッシング
処理やウェット処理により除去する。これにより、被加
工膜パターン２２が形成される。
ストパターン４３をマスクとして、プラズマ８を用いた
ドライエッチング処理を行う。これにより、反射防止膜
３および被加工膜２がパターニングされ、反射防止膜パ
ターン３２および被加工膜パターン２２となる。最後
に、図８（ｇ）に示すように、ArFレジストパターン４
３および反射防止膜パターン３２をプラズマアッシング
処理やウェット処理により除去する。これにより、被加
工膜パターン２２が形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ar
Fレジスト４を用いた従来の半導体装置の製造方法に
は、以下のような問題があった。先ず、第１の問題につ
いて説明する。ArFレジスト４のベース樹脂はベンゼン
環構造を有していないため、プラズマを用いたドライエ
ッチング処理時の耐性（以下、「ドライエッチング耐
性」という。）が、従来のKrFレジストやｉ線レジスト
等に比べ劣ってしまうという問題があった。このため、
所望の寸法でArFレジストパターン４３を形成できたと
しても、被加工膜２を所望の寸法および形状に仕上げる
ことができないという問題があった。以下、この問題に
ついて、詳細に説明する。
Fレジスト４を用いた従来の半導体装置の製造方法に
は、以下のような問題があった。先ず、第１の問題につ
いて説明する。ArFレジスト４のベース樹脂はベンゼン
環構造を有していないため、プラズマを用いたドライエ
ッチング処理時の耐性（以下、「ドライエッチング耐
性」という。）が、従来のKrFレジストやｉ線レジスト
等に比べ劣ってしまうという問題があった。このため、
所望の寸法でArFレジストパターン４３を形成できたと
しても、被加工膜２を所望の寸法および形状に仕上げる
ことができないという問題があった。以下、この問題に
ついて、詳細に説明する。
【０００９】図９は、ArFレジストとKrFレジストのドラ
イエッチング耐性を比較するための断面図である。図９
（ａ），（ａ’）に示すように、被加工膜２上に形成さ
れた反射防止膜３上に、ArFレジストパターン４３およ
びKrFレジストパターン１４３が所望の寸法でそれぞれ
形成されている。
イエッチング耐性を比較するための断面図である。図９
（ａ），（ａ’）に示すように、被加工膜２上に形成さ
れた反射防止膜３上に、ArFレジストパターン４３およ
びKrFレジストパターン１４３が所望の寸法でそれぞれ
形成されている。
【００１０】図９（ｂ），（ｂ’）は、プラズマ８を用
いたドライエッチング処理が行われた後の、各レジスト
パターン４３，１４３を示している。図９（ｂ’）に示
すように、KrFレジストパターン１４３は、レジスト表
面が荒れることなく、且つ異方的に膜厚ｂだけ膜減りし
ている。従って、KrFレジストパターン１４３が、高い
ドライエッチング耐性を有することが分かる。一方、図
９（ｂ）に示すように、ArFレジストパターン４３は、K
rFレジストマスク１４３（図９（ｂ’）参照）と比較し
て、レジストの膜減り量が多く、且つレジスト表面が荒
れている。さらに、ArFレジストパターン４３の上面か
ら被加工膜２の内部に達するスパイク状のエッチング
（以下、「スパイク」という。）２００が発生してい
る。このため、反射防止膜パターン３２や被加工膜パタ
ーン２２の寸法や形状が、規定された通りには仕上がら
なくなる。
いたドライエッチング処理が行われた後の、各レジスト
パターン４３，１４３を示している。図９（ｂ’）に示
すように、KrFレジストパターン１４３は、レジスト表
面が荒れることなく、且つ異方的に膜厚ｂだけ膜減りし
ている。従って、KrFレジストパターン１４３が、高い
ドライエッチング耐性を有することが分かる。一方、図
９（ｂ）に示すように、ArFレジストパターン４３は、K
rFレジストマスク１４３（図９（ｂ’）参照）と比較し
て、レジストの膜減り量が多く、且つレジスト表面が荒
れている。さらに、ArFレジストパターン４３の上面か
ら被加工膜２の内部に達するスパイク状のエッチング
（以下、「スパイク」という。）２００が発生してい
る。このため、反射防止膜パターン３２や被加工膜パタ
ーン２２の寸法や形状が、規定された通りには仕上がら
なくなる。
【００１１】ドライエッチング後、各レジストパターン
４３，１４３および反射防止膜パターン３１，３２を、
プラズマアッシング処理やウェット処理により除去す
る。ここで、図９（ｃ’）に示すように、KrFレジスト
パターン１４３を用いた場合には、所望の寸法および形
状の被加工膜パターン２３に仕上げることができる。す
なわち、KrFレジストパターン１４３の寸法通りに、被
加工膜２を仕上げることができる。一方、図９（ｃ）に
示すように、ArFレジストパターン４３を用いた場合に
は、上述したレジストパターン４３の表面荒れやスパイ
ク２００により、被加工膜２を所望の寸法および形状に
加工することができないという問題があった。また、Ar
Fレジストパターン４３と被加工膜２２との間に寸法差
が生じてしまうという問題があった。
４３，１４３および反射防止膜パターン３１，３２を、
プラズマアッシング処理やウェット処理により除去す
る。ここで、図９（ｃ’）に示すように、KrFレジスト
パターン１４３を用いた場合には、所望の寸法および形
状の被加工膜パターン２３に仕上げることができる。す
なわち、KrFレジストパターン１４３の寸法通りに、被
加工膜２を仕上げることができる。一方、図９（ｃ）に
示すように、ArFレジストパターン４３を用いた場合に
は、上述したレジストパターン４３の表面荒れやスパイ
ク２００により、被加工膜２を所望の寸法および形状に
加工することができないという問題があった。また、Ar
Fレジストパターン４３と被加工膜２２との間に寸法差
が生じてしまうという問題があった。
【００１２】次に、第２の問題について説明する。図１
０は、従来のレジストプロセスにおいて、酸の熱拡散を
説明するための断面図である。図１０（ａ）に示すよう
に、ArFレーザ光７をフォトマスク６を用いてArFレジス
トに照射する際に、空間像９が形成される。そして、上
記空間像９がArFレジスト４に照射されると、図１０
（ｂ）に示すように、ArFレジスト４中に潜像（Latent
image）１００が形成される。この潜像１００は、ArFレ
ジスト４で発生する酸の分布と等価である。ここで、
ArFレジスト４とその周りの空間との屈折率と、ArFレジ
スト４とその下地（例えば反射防止膜や被加工膜）との
屈折率と、が異なること、下地からの反射光との干渉
が生じること、によって、ArFレジスト４（露光部４
１）の表面近傍での酸（酸触媒反応部）の分布は、レジ
スト内部の酸の分布よりも高くなっている。
０は、従来のレジストプロセスにおいて、酸の熱拡散を
説明するための断面図である。図１０（ａ）に示すよう
に、ArFレーザ光７をフォトマスク６を用いてArFレジス
トに照射する際に、空間像９が形成される。そして、上
記空間像９がArFレジスト４に照射されると、図１０
（ｂ）に示すように、ArFレジスト４中に潜像（Latent
image）１００が形成される。この潜像１００は、ArFレ
ジスト４で発生する酸の分布と等価である。ここで、
ArFレジスト４とその周りの空間との屈折率と、ArFレジ
スト４とその下地（例えば反射防止膜や被加工膜）との
屈折率と、が異なること、下地からの反射光との干渉
が生じること、によって、ArFレジスト４（露光部４
１）の表面近傍での酸（酸触媒反応部）の分布は、レジ
スト内部の酸の分布よりも高くなっている。
【００１３】次に、図１０（ｃ）に示すように、露光後
に行われるベークによって、露光部４１の表面近傍に多
く存在する酸が熱拡散し、酸触媒反応部が再分布する
（参照符号１０１）。しかし、ベークによって酸が熱拡
散しても、ArFレジスト４における酸の分布は均一にな
らず、レジスト４表面における酸の分布が、レジスト内
部の酸の分布よりも高いという問題は依然として解決さ
れない。このため、ArFレジストパターン４３のトップ
部が膜減りしてしまい、被加工膜パターン２２の形状が
劣化してしまう問題があった。
に行われるベークによって、露光部４１の表面近傍に多
く存在する酸が熱拡散し、酸触媒反応部が再分布する
（参照符号１０１）。しかし、ベークによって酸が熱拡
散しても、ArFレジスト４における酸の分布は均一にな
らず、レジスト４表面における酸の分布が、レジスト内
部の酸の分布よりも高いという問題は依然として解決さ
れない。このため、ArFレジストパターン４３のトップ
部が膜減りしてしまい、被加工膜パターン２２の形状が
劣化してしまう問題があった。
【００１４】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたもので、ArFリソグラフィにより形成された
微細レジストパターンのドライエッチング耐性を向上さ
せることを目的とする。また、本発明は、レジストパタ
ーントップ部の形状を改善することにより、被加工膜を
寸法および形状制御性良く加工することを目的とする。
になされたもので、ArFリソグラフィにより形成された
微細レジストパターンのドライエッチング耐性を向上さ
せることを目的とする。また、本発明は、レジストパタ
ーントップ部の形状を改善することにより、被加工膜を
寸法および形状制御性良く加工することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決する為の手段】請求項１の発明に係る半導
体装置の製造方法は、基板上に被加工膜を形成する工程
と、前記被加工膜上にレジストを形成する工程と、所定
の波長以下の光を、フォトマスクを介して前記レジスト
に露光する工程と、前記レジスト上に、酸触媒反応によ
り現像液への溶解性が変化する層を形成する工程と、前
記層を形成した後、ベークを行う工程と、前記レジスト
および前記層を現像して、前記レジストおよび前記層を
パターニングする工程と、パターニングされた前記レジ
ストおよび前記層をマスクとして、前記被加工膜をドラ
イエッチングする工程と、を含むことを特徴とするもの
である。
体装置の製造方法は、基板上に被加工膜を形成する工程
と、前記被加工膜上にレジストを形成する工程と、所定
の波長以下の光を、フォトマスクを介して前記レジスト
に露光する工程と、前記レジスト上に、酸触媒反応によ
り現像液への溶解性が変化する層を形成する工程と、前
記層を形成した後、ベークを行う工程と、前記レジスト
および前記層を現像して、前記レジストおよび前記層を
パターニングする工程と、パターニングされた前記レジ
ストおよび前記層をマスクとして、前記被加工膜をドラ
イエッチングする工程と、を含むことを特徴とするもの
である。
【００１６】請求項２の発明に係る半導体装置の製造方
法は、請求項１に記載の製造方法において、前記層がベ
ース樹脂であることを特徴とするものである。
法は、請求項１に記載の製造方法において、前記層がベ
ース樹脂であることを特徴とするものである。
【００１７】請求項３の発明に係る半導体装置の製造方
法は、請求項２に記載の製造方法において、前記ベース
樹脂が、ベンゼン環構造を有するベース樹脂であること
を特徴とするものである。
法は、請求項２に記載の製造方法において、前記ベース
樹脂が、ベンゼン環構造を有するベース樹脂であること
を特徴とするものである。
【００１８】請求項４の発明に係る半導体装置の製造方
法は、請求項３に記載の製造方法において、前記ベンゼ
ン環構造を有するベース樹脂が、ポリ（４−ヒドロキシ
スチレン）のtert−ブトキシカルボネート、ポリ（４−
ヒドロキシスチレン）のtert−ブチルエステル、ポリ
（４−ヒドロキシスチレン）のエトキシエチルエーテ
ル、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のテトラヒドロピ
ラニルエーテル、４−ヒドロキシスチレン−tert−ブチ
ルアクリレート共重合体、ポリ（３−ヒドロキシスチレ
ン）のtert−ブトキシカーボネート、又はそれらの誘導
体であることを特徴とするものである。
法は、請求項３に記載の製造方法において、前記ベンゼ
ン環構造を有するベース樹脂が、ポリ（４−ヒドロキシ
スチレン）のtert−ブトキシカルボネート、ポリ（４−
ヒドロキシスチレン）のtert−ブチルエステル、ポリ
（４−ヒドロキシスチレン）のエトキシエチルエーテ
ル、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のテトラヒドロピ
ラニルエーテル、４−ヒドロキシスチレン−tert−ブチ
ルアクリレート共重合体、ポリ（３−ヒドロキシスチレ
ン）のtert−ブトキシカーボネート、又はそれらの誘導
体であることを特徴とするものである。
【００１９】請求項５の発明に係る半導体装置の製造方
法は、請求項２に記載の製造方法において、前記ベース
樹脂が、共重合系ベース樹脂、アクリル系ベース樹脂の
少なくとも１つを含むことを特徴とするものである。
法は、請求項２に記載の製造方法において、前記ベース
樹脂が、共重合系ベース樹脂、アクリル系ベース樹脂の
少なくとも１つを含むことを特徴とするものである。
【００２０】請求項６の発明に係る半導体装置の製造方
法は、請求項５に記載の製造方法において、前記共重合
系ベース樹脂が、ノルボルネンと無水マレイン酸との共
重合体、又はその誘導体であることを特徴とするもので
ある。
法は、請求項５に記載の製造方法において、前記共重合
系ベース樹脂が、ノルボルネンと無水マレイン酸との共
重合体、又はその誘導体であることを特徴とするもので
ある。
【００２１】請求項７の発明に係る半導体装置の製造方
法は、請求項５又は６に記載の製造方法において、前記
アクリル系ベース樹脂が、アクリル系樹脂、又はその誘
導体であることを特徴とするものである。
法は、請求項５又は６に記載の製造方法において、前記
アクリル系ベース樹脂が、アクリル系樹脂、又はその誘
導体であることを特徴とするものである。
【００２２】請求項８の発明に係る半導体装置の製造方
法は、請求項１から７の何れかに記載の製造方法におい
て、前記層を５０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さで形成するこ
とを特徴とするものである。
法は、請求項１から７の何れかに記載の製造方法におい
て、前記層を５０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さで形成するこ
とを特徴とするものである。
【００２３】請求項９の発明に係る半導体装置の製造方
法は、請求項１から８の何れかに記載の製造方法におい
て、前記所定の波長が１９３ｎｍであることを特徴とす
るものである。
法は、請求項１から８の何れかに記載の製造方法におい
て、前記所定の波長が１９３ｎｍであることを特徴とす
るものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図中、同一または相当する
部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省
略することがある。
施の形態について説明する。図中、同一または相当する
部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省
略することがある。
【００２５】実施の形態１．図１及び図２は、本発明の
実施の形態１による半導体装置の製造方法を説明するた
めの断面図である。具体的には、図１及び図２は、ArF
リソグラフィを用いた、本実施の形態１による微細パタ
ーン形成方法を工程順に示した断面図である。
実施の形態１による半導体装置の製造方法を説明するた
めの断面図である。具体的には、図１及び図２は、ArF
リソグラフィを用いた、本実施の形態１による微細パタ
ーン形成方法を工程順に示した断面図である。
【００２６】先ず、図１（ａ）に示すように、基板１上
に被加工膜２を形成する。ここで、基板１は、シリコン
基板のような半導体基板に限らず、石英基板のような絶
縁基板や、セラミック基板であってよい。また、被加工
膜２としては、絶縁膜や導電膜が挙げられる。次に、図
１（ｂ）に示すように、レジスト塗布装置でスピン塗布
法を用いて、被加工膜２上に40nm〜110nm程度の厚さで
反射防止膜３を形成し、さらに反射防止膜３上に200nm
〜600nm程度の厚さでArFレジスト４を形成する。ここ
で、ArFレジスト４は、酸触媒反応により脱離しアルカ
リ現像液に対する溶解性を変化させる基を側鎖に有する
脂肪族系ベース樹脂と、活性光線の照射により酸を発生
する光酸発生剤とを含む化学増幅型レジストである。な
お、反射防止膜３をＣＶＤ法により形成してもよい。
に被加工膜２を形成する。ここで、基板１は、シリコン
基板のような半導体基板に限らず、石英基板のような絶
縁基板や、セラミック基板であってよい。また、被加工
膜２としては、絶縁膜や導電膜が挙げられる。次に、図
１（ｂ）に示すように、レジスト塗布装置でスピン塗布
法を用いて、被加工膜２上に40nm〜110nm程度の厚さで
反射防止膜３を形成し、さらに反射防止膜３上に200nm
〜600nm程度の厚さでArFレジスト４を形成する。ここ
で、ArFレジスト４は、酸触媒反応により脱離しアルカ
リ現像液に対する溶解性を変化させる基を側鎖に有する
脂肪族系ベース樹脂と、活性光線の照射により酸を発生
する光酸発生剤とを含む化学増幅型レジストである。な
お、反射防止膜３をＣＶＤ法により形成してもよい。
【００２７】そして、図１（ｃ）に示すように、縮小投
影露光装置で、ArFレーザ光７をフォトマスク６を介し
てArFレジスト４に選択的に照射（露光）する。この
時、ArFレジスト４のうちArFレーザ光７が露光された部
分（以下、「露光部」という。）４１では、当該ArFレ
ジスト４に含まれる光酸発生剤から酸が発生する。
影露光装置で、ArFレーザ光７をフォトマスク６を介し
てArFレジスト４に選択的に照射（露光）する。この
時、ArFレジスト４のうちArFレーザ光７が露光された部
分（以下、「露光部」という。）４１では、当該ArFレ
ジスト４に含まれる光酸発生剤から酸が発生する。
【００２８】次に、図１（ｄ）に示すように、ArFレジ
スト４上に、酸触媒反応により現像液への溶解性が変化
する層、詳細には酸触媒反応により脱離しアルカリ現像
液に対する溶解性を変化させる基を側鎖による物質の層
を形成する。本実施の形態１では、上記層としてベンゼ
ン環構造を有するKrFレジスト用のベース樹脂を50nm〜2
00nm程度の厚さで形成する。ここで、ベンゼン環を有す
るKrFレジスト用のベース樹脂の一例を図４に示す。具
体的には、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のtert−ブ
トキシカルボネート、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）
のtert−ブチルエステル、ポリ（４−ヒドロキシスチレ
ン）のエトキシエチルエーテル、ポリ（４−ヒドロキシ
スチレン）のテトラヒドロピラニルエーテル、４−ヒド
ロキシスチレン−tert−ブチルアクリレート共重合体、
ポリ（３−ヒドロキシスチレン）のtert−ブトキシカー
ボネート、及び、それらの誘導体等である。かかるKrF
レジスト用のベース樹脂は、ArFレジスト４に含まれる
ベース樹脂と同一の反応機構で極性が変化する。すなわ
ち、露光後ベーク（後述）で起こる酸触媒反応により、
アルカリ現像液に対する溶解を阻害する側鎖部の基がベ
ース樹脂から脱離する。また、KrFレジスト用のベース
樹脂は、ベンゼン環構造を有するため、高いドライエッ
チング耐性を有する（後述）。
スト４上に、酸触媒反応により現像液への溶解性が変化
する層、詳細には酸触媒反応により脱離しアルカリ現像
液に対する溶解性を変化させる基を側鎖による物質の層
を形成する。本実施の形態１では、上記層としてベンゼ
ン環構造を有するKrFレジスト用のベース樹脂を50nm〜2
00nm程度の厚さで形成する。ここで、ベンゼン環を有す
るKrFレジスト用のベース樹脂の一例を図４に示す。具
体的には、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のtert−ブ
トキシカルボネート、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）
のtert−ブチルエステル、ポリ（４−ヒドロキシスチレ
ン）のエトキシエチルエーテル、ポリ（４−ヒドロキシ
スチレン）のテトラヒドロピラニルエーテル、４−ヒド
ロキシスチレン−tert−ブチルアクリレート共重合体、
ポリ（３−ヒドロキシスチレン）のtert−ブトキシカー
ボネート、及び、それらの誘導体等である。かかるKrF
レジスト用のベース樹脂は、ArFレジスト４に含まれる
ベース樹脂と同一の反応機構で極性が変化する。すなわ
ち、露光後ベーク（後述）で起こる酸触媒反応により、
アルカリ現像液に対する溶解を阻害する側鎖部の基がベ
ース樹脂から脱離する。また、KrFレジスト用のベース
樹脂は、ベンゼン環構造を有するため、高いドライエッ
チング耐性を有する（後述）。
【００２９】次に、図２（ｅ）に示すように、温度100
℃〜150℃で60sec〜90secの時間だけベーク（「露光後
ベーク」ともいう。）を行う。この時、詳細は後述する
が、露光部４１の表面近傍に多く存在する酸がベース樹
脂５に熱拡散することにより、露光部４１およびその直
上のベース樹脂５では、アルカリ現像液に対する溶解性
を阻害する側鎖部の基が酸触媒反応により脱離する。こ
のため、脱離反応が起こった露光部４２およびベース樹
脂５２は、アルカリ現像液に対する溶解性が高くなる。
℃〜150℃で60sec〜90secの時間だけベーク（「露光後
ベーク」ともいう。）を行う。この時、詳細は後述する
が、露光部４１の表面近傍に多く存在する酸がベース樹
脂５に熱拡散することにより、露光部４１およびその直
上のベース樹脂５では、アルカリ現像液に対する溶解性
を阻害する側鎖部の基が酸触媒反応により脱離する。こ
のため、脱離反応が起こった露光部４２およびベース樹
脂５２は、アルカリ現像液に対する溶解性が高くなる。
【００３０】次に、図２（ｆ）に示すように、アルカリ
現像液による現像処理を行う。これにより、ArFレジス
ト４１およびベース樹脂５がパターニングされる。すな
わち、ドライエッチング加工時のマスク材料となるArF
レジストパターン４３およびベース樹脂パターン５３が
形成される。ここで、上述したように、ベース樹脂５
は、ArFレジスト４に含まれるベース樹脂と同一の反応
機構で極性が変化するため、現像によりArFレジスト４
とベース樹脂５とを同時にパターニングすることができ
る。
現像液による現像処理を行う。これにより、ArFレジス
ト４１およびベース樹脂５がパターニングされる。すな
わち、ドライエッチング加工時のマスク材料となるArF
レジストパターン４３およびベース樹脂パターン５３が
形成される。ここで、上述したように、ベース樹脂５
は、ArFレジスト４に含まれるベース樹脂と同一の反応
機構で極性が変化するため、現像によりArFレジスト４
とベース樹脂５とを同時にパターニングすることができ
る。
【００３１】次に、図２（ｇ）に示すように、ArFレジ
ストパターン４３およびベース樹脂パターン５３をマス
クとして、プラズマ８を用いたドライエッチング処理を
行う。これにより、反射防止膜３および被加工膜２が微
細加工され、反射防止膜パターン３１および被加工膜パ
ターン２１となる。そして、図２（ｈ）に示すように、
レジストパターン４３および反射防止膜パターン３１を
プラズマアッシング処理やウェット処理により除去す
る。これにより、所望の寸法および形状の被加工膜パタ
ーン２１が得られる。
ストパターン４３およびベース樹脂パターン５３をマス
クとして、プラズマ８を用いたドライエッチング処理を
行う。これにより、反射防止膜３および被加工膜２が微
細加工され、反射防止膜パターン３１および被加工膜パ
ターン２１となる。そして、図２（ｈ）に示すように、
レジストパターン４３および反射防止膜パターン３１を
プラズマアッシング処理やウェット処理により除去す
る。これにより、所望の寸法および形状の被加工膜パタ
ーン２１が得られる。
【００３２】次に、図３を参照して、本実施の形態１に
おけるドライエッチング耐性向上の原理を説明する。図
３は、本実施の形態１において、ドライエッチング耐性
向上の原理を説明するための断面図である。図３（ａ）
は、ドライエッチング加工時のマスク材料となるArFレ
ジストパターン４３およびベース樹脂パターン５３を示
したものである。図３（ｂ）は、プラズマ８の照射によ
るArFレジストパターン４３およびベース樹脂パターン
５３へのダメージを示したものである。図３（ｂ）に示
すように、ベース樹脂パターン５３のみがプラズマ８の
照射により所定の膜厚ａだけ膜減りしている。従って、
ベース樹脂パターン５３がArFレジストパターン４３の
マスクとなるため、ArFレジストパターン４３はプラズ
マ８によるダメージを受けにくくなる。このため、ｉ線
やKrFレジストマスクと同等のドライエッチング耐性が
得られる。よって、被加工膜２を、ArFレジストパター
ン４３により規定された寸法通りに仕上げることができ
る。そして、図３（ｃ）に示すように、ArFレジストパ
ターン４３および反射防止膜パターン３１をプラズマア
ッシング処理やウェット処理により除去する。ArFレジ
ストパターン４３は表面荒れやスパイク等が形成されな
いため、所望の寸法および形状の被加工膜パターン２１
を形成することができる。
おけるドライエッチング耐性向上の原理を説明する。図
３は、本実施の形態１において、ドライエッチング耐性
向上の原理を説明するための断面図である。図３（ａ）
は、ドライエッチング加工時のマスク材料となるArFレ
ジストパターン４３およびベース樹脂パターン５３を示
したものである。図３（ｂ）は、プラズマ８の照射によ
るArFレジストパターン４３およびベース樹脂パターン
５３へのダメージを示したものである。図３（ｂ）に示
すように、ベース樹脂パターン５３のみがプラズマ８の
照射により所定の膜厚ａだけ膜減りしている。従って、
ベース樹脂パターン５３がArFレジストパターン４３の
マスクとなるため、ArFレジストパターン４３はプラズ
マ８によるダメージを受けにくくなる。このため、ｉ線
やKrFレジストマスクと同等のドライエッチング耐性が
得られる。よって、被加工膜２を、ArFレジストパター
ン４３により規定された寸法通りに仕上げることができ
る。そして、図３（ｃ）に示すように、ArFレジストパ
ターン４３および反射防止膜パターン３１をプラズマア
ッシング処理やウェット処理により除去する。ArFレジ
ストパターン４３は表面荒れやスパイク等が形成されな
いため、所望の寸法および形状の被加工膜パターン２１
を形成することができる。
【００３３】次に、図５を参照して、本実施の形態１の
レジストプロセスにおける酸の熱拡散について説明す
る。図５は、本発明の実施の形態１によるレジストプロ
セスにおいて、酸の熱拡散を説明するための断面図であ
る。図５（ａ）は、ArFレーザ光７をフォトマスク６を
用いてArFレジスト４に照射する際に形成される空間像
９を示している。この空間像９がArFレジスト４に照射
されると、図５（ｂ）に示すように、ArFレジスト４中
に潜像（Latent image）１００が形成される。この潜像
１００は、ArFレジスト４で発生する酸の分布と等価で
ある。この時、ArFレジスト４とその周りの空間との
屈折率と、ArFレジスト４とその下地（例えば反射防止
膜や被加工膜）との屈折率とが異なること、下地から
の反射光との干渉が生じること、によって、ArFレジス
ト４の表面近傍での酸の分布は、レジスト内部の酸の分
布より高くなる。次に、図５（ｃ）に示すように、露光
後ベークを行う前に、KrFレジストのベース樹脂（図４
参照）をArFレジスト４上に形成する。そして、露光後
ベークを行う。この露光後ベークによって、露光部４１
の表面近傍に多く存在する酸が熱拡散して、図５（ｃ）
の参照符号１１０に示すように酸が再分布し、酸触媒反
応部１１１（図５（ｄ）参照）の分布が改善される。こ
こで、従来の酸の再分布（図１０（ｃ）参照）に比べ
て、レジスト表面部での酸の量を大幅に減少させること
ができる。従って、レジストパターントップ部の膜減り
を抑制することができる。これにより、所望の寸法およ
び形状の被加工膜パターンを得ることができる。
レジストプロセスにおける酸の熱拡散について説明す
る。図５は、本発明の実施の形態１によるレジストプロ
セスにおいて、酸の熱拡散を説明するための断面図であ
る。図５（ａ）は、ArFレーザ光７をフォトマスク６を
用いてArFレジスト４に照射する際に形成される空間像
９を示している。この空間像９がArFレジスト４に照射
されると、図５（ｂ）に示すように、ArFレジスト４中
に潜像（Latent image）１００が形成される。この潜像
１００は、ArFレジスト４で発生する酸の分布と等価で
ある。この時、ArFレジスト４とその周りの空間との
屈折率と、ArFレジスト４とその下地（例えば反射防止
膜や被加工膜）との屈折率とが異なること、下地から
の反射光との干渉が生じること、によって、ArFレジス
ト４の表面近傍での酸の分布は、レジスト内部の酸の分
布より高くなる。次に、図５（ｃ）に示すように、露光
後ベークを行う前に、KrFレジストのベース樹脂（図４
参照）をArFレジスト４上に形成する。そして、露光後
ベークを行う。この露光後ベークによって、露光部４１
の表面近傍に多く存在する酸が熱拡散して、図５（ｃ）
の参照符号１１０に示すように酸が再分布し、酸触媒反
応部１１１（図５（ｄ）参照）の分布が改善される。こ
こで、従来の酸の再分布（図１０（ｃ）参照）に比べ
て、レジスト表面部での酸の量を大幅に減少させること
ができる。従って、レジストパターントップ部の膜減り
を抑制することができる。これにより、所望の寸法およ
び形状の被加工膜パターンを得ることができる。
【００３４】以上説明したように、本実施の形態１によ
る半導体装置の製造方法では、ArFレーザ光７を露光し
た後、露光後ベークに先立って、ベンゼン環構造を有す
るベース樹脂５をArFレジスト４上に形成した。そし
て、露光後ベークを行うことにより、ArFレジスト４の
露光部４１表面からベース樹脂５に酸を熱拡散させ、現
像によりArFレジスト４とベース樹脂５とをパターニン
グした。そして、ArFレジストパターン４３とベース樹
脂パターン５３とをマスクとして用いて、被加工膜２を
ドライエッチング処理した。
る半導体装置の製造方法では、ArFレーザ光７を露光し
た後、露光後ベークに先立って、ベンゼン環構造を有す
るベース樹脂５をArFレジスト４上に形成した。そし
て、露光後ベークを行うことにより、ArFレジスト４の
露光部４１表面からベース樹脂５に酸を熱拡散させ、現
像によりArFレジスト４とベース樹脂５とをパターニン
グした。そして、ArFレジストパターン４３とベース樹
脂パターン５３とをマスクとして用いて、被加工膜２を
ドライエッチング処理した。
【００３５】本実施の形態１によれば、ベース樹脂５は
高いドライエッチング耐性を有するため、従来のように
ArFレジストパターンの表面荒れやスパイクの発生を防
止することができる。従って、ArFリソグラフィにより
形成された微細レジストパターン４３のドライエッチン
グ耐性を向上させることができる。これにより、被加工
膜２を所望の寸法および形状で微細加工することができ
る。また、ArFレジストパターン４３と被加工膜パター
ン２１の寸法差や形状劣化を抑えることができる。
高いドライエッチング耐性を有するため、従来のように
ArFレジストパターンの表面荒れやスパイクの発生を防
止することができる。従って、ArFリソグラフィにより
形成された微細レジストパターン４３のドライエッチン
グ耐性を向上させることができる。これにより、被加工
膜２を所望の寸法および形状で微細加工することができ
る。また、ArFレジストパターン４３と被加工膜パター
ン２１の寸法差や形状劣化を抑えることができる。
【００３６】また、露光後ベーク時に、ArFレジスト４
の表面近傍の酸がベース樹脂５に熱拡散するため、従来
よりもArFレジスト４の表面部での酸の量を大幅に減少
させることができる。これにより、レジストパターント
ップ部の膜減りを大幅に抑制することができる。従っ
て、所望の寸法および形状の被加工膜パターン２１が得
られる。
の表面近傍の酸がベース樹脂５に熱拡散するため、従来
よりもArFレジスト４の表面部での酸の量を大幅に減少
させることができる。これにより、レジストパターント
ップ部の膜減りを大幅に抑制することができる。従っ
て、所望の寸法および形状の被加工膜パターン２１が得
られる。
【００３７】実施の形態２．前述した実施の形態１で
は、ArFレジスト４を形成した後、露光後ベークに先立
って、ArFレジスト４上にKrFレジスト用のベンゼン環構
造を有するベース樹脂５を形成した。本発明の実施の形
態２では、上記KrFレジスト用のベース樹脂５の代わり
に、ArFレジスト用の共重合系ベース樹脂、ArFレジスト
用のアクリル系ベース樹脂の少なくとも何れか１つを、
ArFレジスト４上に形成した。ここで、上記共重合系ベ
ース樹脂の一例を図６（ｂ）に示す。具体的には、ノル
ボルネンと無水マレイン酸との共重合体、及びその誘導
体等である。また、上記アクリル系ベース樹脂の一例を
図６（ａ）に示す。具体的には、アクリル系樹脂、及び
その誘導体等である。なお、この共重合系ベース樹脂お
よびアクリル系ベース樹脂は、実施の形態１と同様に、
50nm〜200nm程度の厚さで形成した。その他の製造方法
についても実施の形態１と同様であるため、本実施の形
態２ではその説明を省略する。
は、ArFレジスト４を形成した後、露光後ベークに先立
って、ArFレジスト４上にKrFレジスト用のベンゼン環構
造を有するベース樹脂５を形成した。本発明の実施の形
態２では、上記KrFレジスト用のベース樹脂５の代わり
に、ArFレジスト用の共重合系ベース樹脂、ArFレジスト
用のアクリル系ベース樹脂の少なくとも何れか１つを、
ArFレジスト４上に形成した。ここで、上記共重合系ベ
ース樹脂の一例を図６（ｂ）に示す。具体的には、ノル
ボルネンと無水マレイン酸との共重合体、及びその誘導
体等である。また、上記アクリル系ベース樹脂の一例を
図６（ａ）に示す。具体的には、アクリル系樹脂、及び
その誘導体等である。なお、この共重合系ベース樹脂お
よびアクリル系ベース樹脂は、実施の形態１と同様に、
50nm〜200nm程度の厚さで形成した。その他の製造方法
についても実施の形態１と同様であるため、本実施の形
態２ではその説明を省略する。
【００３８】本実施の形態２では、実施の形態１のベン
ゼン環構造を有するベース樹脂の代わりにアクリル系ベ
ース樹脂又は共重合系ベース樹脂を用いた。すなわち、
ArFレーザ光７をArFレジスト４に露光した後、露光後ベ
ークに先立って、アクリル系ベース樹脂又は共重合系ベ
ース樹脂をArFレジスト４上に形成した。その後、露光
後ベークによりArFレジスト４の露光部４１からベース
樹脂に酸を熱拡散させ、現像によりArFレジスト４とベ
ース樹脂とをパターニングした。そして、ArFレジスト
パターンとベース樹脂パターンをマスクとして用いて、
被加工膜２をドライエッチング処理した。この場合も、
実施の形態１と同様に、露光後ベーク時に、ArFレジス
ト４の表面近傍の酸がベース樹脂５に熱拡散するため、
ArFレジスト４の表面部での酸の量を減少させることが
できる。これにより、従来と比べて、レジストパターン
トップ部の膜減りを大幅に抑制することができる。従っ
て、所望の寸法および形状で被加工膜２を微細加工する
ことができる。また、ベース樹脂の膜厚の分だけ、ドラ
イエッチングに用いるマスクの膜厚が増加するため、高
いドライエッチング耐性を有するエッチングマスクが得
られる。
ゼン環構造を有するベース樹脂の代わりにアクリル系ベ
ース樹脂又は共重合系ベース樹脂を用いた。すなわち、
ArFレーザ光７をArFレジスト４に露光した後、露光後ベ
ークに先立って、アクリル系ベース樹脂又は共重合系ベ
ース樹脂をArFレジスト４上に形成した。その後、露光
後ベークによりArFレジスト４の露光部４１からベース
樹脂に酸を熱拡散させ、現像によりArFレジスト４とベ
ース樹脂とをパターニングした。そして、ArFレジスト
パターンとベース樹脂パターンをマスクとして用いて、
被加工膜２をドライエッチング処理した。この場合も、
実施の形態１と同様に、露光後ベーク時に、ArFレジス
ト４の表面近傍の酸がベース樹脂５に熱拡散するため、
ArFレジスト４の表面部での酸の量を減少させることが
できる。これにより、従来と比べて、レジストパターン
トップ部の膜減りを大幅に抑制することができる。従っ
て、所望の寸法および形状で被加工膜２を微細加工する
ことができる。また、ベース樹脂の膜厚の分だけ、ドラ
イエッチングに用いるマスクの膜厚が増加するため、高
いドライエッチング耐性を有するエッチングマスクが得
られる。
【００３９】なお、本実施の形態２において、アクリル
系ベース樹脂、共重合系ベース樹脂の少なくとも１つを
ベース樹脂としたが、実施の形態１によるベンゼン環構
造を有するベース樹脂との積層構造を有するものであっ
てもよい。
系ベース樹脂、共重合系ベース樹脂の少なくとも１つを
ベース樹脂としたが、実施の形態１によるベンゼン環構
造を有するベース樹脂との積層構造を有するものであっ
てもよい。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、ArFリソグラフィによ
り形成された微細レジストパターンのドライエッチング
耐性を向上させることができる。また、レジストパター
ントップ部の形状を改善することができ、被加工膜を寸
法および形状制御性良く加工することが可能となる。
り形成された微細レジストパターンのドライエッチング
耐性を向上させることができる。また、レジストパター
ントップ部の形状を改善することができ、被加工膜を寸
法および形状制御性良く加工することが可能となる。
【図１】 本発明の実施の形態１による半導体装置の製
造方法を説明するための断面図である（その１）。
造方法を説明するための断面図である（その１）。
【図２】 本発明の実施の形態１による半導体装置の製
造方法を説明するための断面図である（その２）。
造方法を説明するための断面図である（その２）。
【図３】 本発明の実施の形態１において、ドライエッ
チング耐性向上の原理を説明するための断面図である。
チング耐性向上の原理を説明するための断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態１において、ベンゼン環
構造を有するベース樹脂の一例を示す図である。
構造を有するベース樹脂の一例を示す図である。
【図５】 本発明の実施の形態１によるレジストプロセ
スにおいて、酸の熱拡散を説明するための断面図であ
る。
スにおいて、酸の熱拡散を説明するための断面図であ
る。
【図６】 本発明の実施の形態２において、アクリル系
ベース樹脂および共重合系ベース樹脂の一例を示す図で
ある。
ベース樹脂および共重合系ベース樹脂の一例を示す図で
ある。
【図７】 従来の半導体装置の製造方法を説明するため
の断面図である（その１）。
の断面図である（その１）。
【図８】 従来の半導体装置の製造方法を説明するため
の断面図である（その２）。
の断面図である（その２）。
【図９】 ArFレジストマスクとKrFレジストマスクのド
ライエッチング耐性を比較するための断面図である。
ライエッチング耐性を比較するための断面図である。
【図１０】 従来のレジストプロセスにおいて、酸の熱
拡散を説明するための断面図である。
拡散を説明するための断面図である。
１ 基板
２ 被加工膜
３ 反射防止膜
４ ArFレジスト
５ ベース樹脂
６ フォトマスク
７ ArFレーザ光
８ プラズマ
９ 空間像
２１ 被加工膜パターン
３１ 反射防止膜パターン
４１，４２ 露光部
４３ ArFレジストパターン
５２ ベース樹脂
５３ ベース樹脂パターン
１００ 潜像
１１１ 分布
ａ 膜厚
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７５
21/302 Ｈ
Ｆターム(参考） 2H025 AA03 AA09 AB16 AC04 AC08
AD03 BE00 BE10 BG00 CB14
CB17 CB41 DA02 DA03 DA29
DA40 FA17 FA41
2H096 AA25 BA11 EA03 EA04 FA01
FA10 GA08 HA23 JA03 KA03
KA06 KA25
5F004 AA04 EA02 EA22
5F046 CA03 LA18 NA01 NA08
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に被加工膜を形成する工程と、 前記被加工膜上にレジストを形成する工程と、 所定の波長以下の光を、フォトマスクを介して前記レジ
ストに露光する工程と、 前記レジスト上に、酸触媒反応により現像液への溶解性
が変化する層を形成する工程と、 前記層を形成した後、ベークを行う工程と、 前記レジストおよび前記層を現像して、前記レジストお
よび前記層をパターニングする工程と、 パターニングされた前記レジストおよび前記層をマスク
として、前記被加工膜をドライエッチングする工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の製造方法において、 前記層がベース樹脂であることを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の製造方法において、 前記ベース樹脂が、ベンゼン環構造を有するベース樹脂
であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の製造方法において、 前記ベンゼン環構造を有するベース樹脂が、ポリ（４−
ヒドロキシスチレン）のtert−ブトキシカルボネート、
ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のtert−ブチルエステ
ル、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のエトキシエチル
エーテル、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のテトラヒ
ドロピラニルエーテル、４−ヒドロキシスチレン−tert
−ブチルアクリレート共重合体、ポリ（３−ヒドロキシ
スチレン）のtert−ブトキシカーボネート、又はそれら
の誘導体であることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項５】 請求項２に記載の製造方法において、 前記ベース樹脂が、共重合系ベース樹脂、アクリル系ベ
ース樹脂の少なくとも１つを含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の製造方法において、 前記共重合系ベース樹脂が、ノルボルネンと無水マレイ
ン酸との共重合体、又はその誘導体であることを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項５又は６に記載の製造方法におい
て、 前記アクリル系ベース樹脂が、アクリル系樹脂、又はそ
の誘導体であることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項８】 請求項１から７の何れかに記載の製造方
法において、 前記層を５０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さで形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項１から８の何れかに記載の製造方
法において、 前記所定の波長が１９３ｎｍであることを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001395051A JP3638266B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2001395051A JP3638266B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007511096A (ja) * | 2003-11-12 | 2007-04-26 | ラム リサーチ コーポレーション | トレンチエッチングのためのラインエッジ粗さ低減 |
| KR100721959B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 포토레지스트의 패턴형성방법 |
| JP2007519979A (ja) * | 2004-01-30 | 2007-07-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 取外し可能ハードマスクを用いたレチクル製造 |
| JP2010060944A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Jsr Corp | 酸転写樹脂膜形成用組成物、酸転写樹脂膜及びパターン形成方法 |
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2001
- 2001-12-26 JP JP2001395051A patent/JP3638266B2/ja not_active Expired - Fee Related
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