JPS61245533A - 薄膜のパタ−ニング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、す７トオ７法を用いた薄膜のパターニング方
法に関する。

〔発明の概要〕

適状のリフトオフ法で、かつ、スパッタなどで薄膜のパ
ターニングをすると、第２図の様に成膜時、あらゆる方
向から被着するが、その内、横方向からの被着のため、
す７トオフ用パターンの側面に沿ってヒレ状のものが・
完成した薄膜パターンのエツジ部に形成される。

本発明は・リフトオフ法を用いた薄膜のパターニング方
法に於て、リフトオフ用薄膜パターンマスクが少なくと
も２層により構成され、かつ、上層の厚さは下層の厚さ
より厚く、かつ、上層のマスクパターンが下層のマスク
パターンよりマスク材を除去する部分を広くしたもので
ある。

さらに、この構成で、スパッタなどで成膜すると、横方
向から９被着が少なくなり、基板に対し垂直方向からの
被着だけとなることにより、所望する薄膜パターンのエ
ツジ部に前記ヒレρ；発生しなくなるようにしたもので
ある。

〔従来の技術〕

レジストなどで所望反転パターンを形成し、全面に所望
する薄膜を成膜後、レジストをその上の薄膜と共に除去
して薄膜のパターニングをするり７トオフ法において重
要な点は、リフトオフ用パターン上に所望する薄膜を成
膜した際、す７トオ７用レジストパターンの有無により
成膜した薄膜が、完全に分離することである。そのため
、す７トオフ用パタ一ンエツジ部を、オーバーバンク形
状にするか、成膜時、す７トオ７用パタ一ンエツジ部の
側面に所望する薄膜が被着しないようにすることである
。

そ゛こで、従来のりフトオフ法の１つとして、露光時間
を長くして充分感光させ、さらに充分現像することによ
り、す７トオ７用パタ一ンエツジ部が、できるだけオー
バーハング形状又は、基板に対し垂直になるようにする
方法があった。

さらに他の方法に、基板に対し垂直方向からの被着を多
くするためスパッタより、蒸着が使われていた。

（併、・ サラに又、厚いレジス、トでり７トオ７用パターンを形
成しても、横方向からの被着が防げるのでヒレのないリ
フトオフ方法として使われていた。

〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、従
来の技術での、露光時間を長くする方法においては、寸
法精度がばらつき再現性がなく、第２図の様に、所望薄
膜パターンエツジ部にヒレ６が発生するなどの問題点を
有する。

そして、蒸着による方法は、合金の成膜が離しいなどの
問題点を有する。

又、厚いレジストでのり７トオ７用パターンでは、寸法
精度がばらつき再現性がないなどの問題点を有する〇 そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、す７トオ７用パターンの精度
が良く、簡単に、再現性よく、さらに段差のある所にも
同じ様に形成でき、かつ、ヒ１／（７）ない、高品質の
薄膜のパターニング方法を提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

基板上に、所望する形状の反転形状を持つ薄膜パターン
マスクを形成し、更に、該基板上、該薄膜パターンマス
ク上に薄膜を形成し、しかる後、該薄膜パターンマスク
をその上の該薄膜と共に除去する事により、所望する薄
膜パターンマスクが少なくとも二層により構成され、か
つ、上層の厚さは下層の厚さより厚く、かつ、上層のマ
スクパターンが下層のマスクパターンよりマスク材を除
去する部分が広い事を特徴とする。

〔作　用〕

本発明の上記の構成によれば、下層のマスクパターンの
厚さが薄いので寸法精度良く形成できる。

さらに、上層のマスクパターンは下Ｊｉのマスクパター
ンにかからないため、下層のマスクパターンの寸法精度
は確保でき、さらに、充分厚さが厚いので、スパッタな
どの横からの被着を防ぐことができる。これによって、
二層の薄膜パターンマスクを形成するだけで、必ず、ヒ
レの発生しない寸法精度の良いリフトオフ用パターン形
成が可能となる。

（砂、・ 〔実施例〕 本発明の実施例は・第１図に示す工程によって・基板上
に膜厚２μｍのスーパーマロイ膜をパターニングするも
のである□ 以下第１図によって詳しく説明する〇 （１）第１図（α）の様に、基板１にネガタイプのレジ
　□ストを厚さ３μｍ塗布し、露光し、現像して下層の
レジストパターン２を形成する。

（２）第１図（ｂ）の様に、その上にポジタイプのレジ
ストを厚さ６μ渭塗布し、露光し、現像して上層のレジ
ストパターン３を形成する。これで、薄膜パターンマス
クを２層形成したことになる。

（ｓ）第１ｆｌ（ｃ）の様に、スパッタでスーパーマロ
イ４を２μ青の厚さで成膜する。

（４）第１図（ｄ）の様に、下層レジストパターン２と
、上層レジストパターン３をその上のスーパーＶＯイと
共に除去して、所望する薄膜パターンを形成する。

以上のプロセスにより、スーパーマロイ膜による所望す
る薄膜パターニングを完了する。

尚、本発明の実施例では、す７トオ７用薄膜パターンマ
スクは、感光性有機樹脂薄膜であるしシストを使ってい
るが、感光性のない有機樹脂薄膜のポリ−ミドなどや、
無機物のものでも、リフトオフ用薄膜パターンマスクが
形成できれば、同じように所望する薄膜のパターニング
が可能である〇又、上記プロセスと全く同様の方法によ
り、コバルトとジルコニウム等の合金などの軟磁性薄膜
や、さらには、アルミニウム、金、ニッケル、チタンな
ど、スパツタリングで形成できる薄膜は、所望する薄膜
のパターニングが可能である。

そして、上記スパッタの代わりに蒸着を使っても、所望
する薄膜のパターニングが可能である。

さらに、本発明の実施例のスーパーマロイの厚さは２μ
ｍであるが、１０μｍ以下であれば、そして、レジスト
の厚さは下層と上層を合せて９μ宿であるが、３０μ惰
以下であれば、同じ様に所望する薄膜のパターニングが
可能である。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、２層のレジストパタ
ーンを形成するだけで、簡単に、再現性良く、所望パタ
ーンエツジ部にヒレがなく、さらには、１層目のレジス
ト厚みが薄いため寸法精度がきわめて良い所望薄膜のパ
ターニングの製造が可能であるなどの効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図（、）〜（ｄ）は、本発明の実施例１における、
す７トオフ法による薄膜のパターニングの工程断面図で
ある。 第２図は、リフトオフ用レジストパターン上にスーパー
マロイを成膜した状態の、従来の製造方法の断面図であ
る。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・下の層のレジストパターン３・・・・・
・上の層のレジストパターン４・・・・・・スーパーマ
ロイ ５・・・・・スパッタされる方向 ６・・・・・・ヒレ ７・・・・−・従来の製造方法のり７トオフ用レジスト
（−゛

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板上に、所望する形状の反転形状を持つ薄膜パター
   ンマスクを形成し、更に、該基板上、該薄膜パターンマ
   スク上に薄膜を形成し、しかる後、該薄膜パターンマス
   クをその上の該薄膜と共に除去する事により、所望する
   薄膜パターンマスクを得る薄膜のパターニング方法に於
   て、該薄膜パターンマスクが少なくとも二層により構成
   され、かつ、上層の厚さは下層の厚さより厚く、かつ、
   上層のマスクパターンが下層のマスクパターンよりマス
   ク材を除去する部分が広い事を特徴とする薄膜のパター
   ニング方法。