JPS59193454A - Ｘ線リソグラフイ−用マスクの製造法 - Google Patents
Ｘ線リソグラフイ−用マスクの製造法Info
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- JPS59193454A JPS59193454A JP58067030A JP6703083A JPS59193454A JP S59193454 A JPS59193454 A JP S59193454A JP 58067030 A JP58067030 A JP 58067030A JP 6703083 A JP6703083 A JP 6703083A JP S59193454 A JPS59193454 A JP S59193454A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明ｒｉ２μｍ以下の設計幅のＸ ｉ ＩＪソゲラ
フイー用マスクの製造法に関するものである。
フイー用マスクの製造法に関するものである。
Ｘ線リソグラフィー用のマスクは従来以下に記載する三
つの方法のいずれかまたはそれらの組合せによって作ら
れてきた。すなわち、第７の方法では厚さＯ，ｇ〜／、
０８ｍの例えば金のような高原子番号金属の膜が基板上
に真空蒸着され、その上に電子ビームレジスト膜がスピ
ンキャストされる。
つの方法のいずれかまたはそれらの組合せによって作ら
れてきた。すなわち、第７の方法では厚さＯ，ｇ〜／、
０８ｍの例えば金のような高原子番号金属の膜が基板上
に真空蒸着され、その上に電子ビームレジスト膜がスピ
ンキャストされる。
そしてこのレジスト膜の上に所定のパターンが電子ビー
ム描画装置によって描画され、照射されたレジスト膜は
溶媒を用いて現像され、こうして現像したリリーフパタ
ーンはイオンビームエツチングニよって金の膜に転写さ
れる。この方法ではイオンビームエツチングに必要なレ
ジスト膜の厚さは金膜の厚さよシも厚く、従ってレジス
ト／ξターンの必要なアスペクト比は極めて大きくなシ
、またイオンビームエツチングで金膜を加工するのに時
間がかかるという重大な欠点がある。これらの欠点を除
くため、Ｄ０Ｍａ７ｄ ’Ｉｆ ｎｒ Ｇ −Ａ −’
：ｊ Ｏｕｑｕ ｉ ｎ ＩＨ、Ｊ −Ｌｅｖｉｎｅｔ
ｅｉｎ、 Ａ、に、 Ｓｉｍｈａおよびり、Ｎ、に、Ｗ
ａｎｇによってＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ
５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈ−ｎ０１０ｇ７ Ｖ
ｏｌ、 ／Ａ ｐｐ、 ／ ９ Ｓデー／９６／ （／
９７？）に発表されているように電子ビームレジストと
金膜との間に中間金属レジスト膜が用いられて＠た。
ム描画装置によって描画され、照射されたレジスト膜は
溶媒を用いて現像され、こうして現像したリリーフパタ
ーンはイオンビームエツチングニよって金の膜に転写さ
れる。この方法ではイオンビームエツチングに必要なレ
ジスト膜の厚さは金膜の厚さよシも厚く、従ってレジス
ト／ξターンの必要なアスペクト比は極めて大きくなシ
、またイオンビームエツチングで金膜を加工するのに時
間がかかるという重大な欠点がある。これらの欠点を除
くため、Ｄ０Ｍａ７ｄ ’Ｉｆ ｎｒ Ｇ −Ａ −’
：ｊ Ｏｕｑｕ ｉ ｎ ＩＨ、Ｊ −Ｌｅｖｉｎｅｔ
ｅｉｎ、 Ａ、に、 Ｓｉｍｈａおよびり、Ｎ、に、Ｗ
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５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈ−ｎ０１０ｇ７ Ｖ
ｏｌ、 ／Ａ ｐｐ、 ／ ９ Ｓデー／９６／ （／
９７？）に発表されているように電子ビームレジストと
金膜との間に中間金属レジスト膜が用いられて＠た。
リフトオフ法と呼ばれる第２の方法においては、まず基
板上に電子ビルムレシスト膜をスピンキャストし、形成
されたレジスト膜の上に電子ビーム描画装置を用いて所
定のパターンを描画する。こうして照射されたレジスト
膜は溶媒によって現像し、レジスト膜上のエツチングさ
れた部分に金膜を真空蒸着し、そして残っているレジス
ト膜とその上に蒸着された不必要な金膜を除去する。こ
の方法では上部に狭い窓をもち下部が広くなったレジス
トリリーフパターンを用いることによって高いアスペク
ト比の金膜のパターンを容易に得ることができる。しか
しながら、除去すべき不必要な金膜の破片がしばしば基
板上に残って重大な障害となる。またり、Ｃ，Ｆｌａｎ
ｄｅｒθ、 Ａ、Ｍ、ＨａｗｒｙｌｕｋおよびＨ６■、
ＥｌｍｉｔｈによってＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕ
ｕｍ ５ｃｉｅ −ｎＣｅ ａ’ＱｄＴｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ Ｖｏｌ＋／ｂ ｌ：ｌ；Ｉｐ／ ９ 弘ワ−／９
Ｓ２（／９’７９）に発表されているように、このリフ
トオフ法は中間金属レジスト膜を加工する方法としてし
ばしば第１の方法と組合せて用いられる。
板上に電子ビルムレシスト膜をスピンキャストし、形成
されたレジスト膜の上に電子ビーム描画装置を用いて所
定のパターンを描画する。こうして照射されたレジスト
膜は溶媒によって現像し、レジスト膜上のエツチングさ
れた部分に金膜を真空蒸着し、そして残っているレジス
ト膜とその上に蒸着された不必要な金膜を除去する。こ
の方法では上部に狭い窓をもち下部が広くなったレジス
トリリーフパターンを用いることによって高いアスペク
ト比の金膜のパターンを容易に得ることができる。しか
しながら、除去すべき不必要な金膜の破片がしばしば基
板上に残って重大な障害となる。またり、Ｃ，Ｆｌａｎ
ｄｅｒθ、 Ａ、Ｍ、ＨａｗｒｙｌｕｋおよびＨ６■、
ＥｌｍｉｔｈによってＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕ
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ｇｙ Ｖｏｌ＋／ｂ ｌ：ｌ；Ｉｐ／ ９ 弘ワ−／９
Ｓ２（／９’７９）に発表されているように、このリフ
トオフ法は中間金属レジスト膜を加工する方法としてし
ばしば第１の方法と組合せて用いられる。
ｏｎｏおよびＡ、Ｏｚａｗ＆によってＪａｐａｎｅｓｅ
Ｊｏｕｒ−ｎａｌ ｏｆ Ａｑｑｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ、 Ｖｏｌ、 ／９ｓ ｐｐ、２３ ／ ／ −
２３／２（１９ｇ０） に発表された第３の方法におい
ては、まず第１に真空蒸着によって基板上に薄い金膜を
形成し、形成された薄い金膜の上１／ｉｒ？ｇ子ビーム
レジスト膜を形成し、そして電子ビーム描画装置を用い
て所定のパターンを描画し、照射されたレジスト膜を溶
媒で現像し、そして最初に沈着した薄い金膜を電極とし
て用いてレジスト膜のエツチングした部分に金膜を電着
する。この方法では電着で形成される金のパターンが現
像されたレジストリリーフパターンの溝を満すだけであ
るので、現像されたレジスト膜のアスペクト比は高くな
ければならない。そしてこの方法の重大な欠点は、電着
による金膜の生長速度が種々の因子によって敏感に左右
され、従ってマスク全面にわたって一様な膜厚を得るの
が困難であることにある。
Ｊｏｕｒ−ｎａｌ ｏｆ Ａｑｑｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ、 Ｖｏｌ、 ／９ｓ ｐｐ、２３ ／ ／ −
２３／２（１９ｇ０） に発表された第３の方法におい
ては、まず第１に真空蒸着によって基板上に薄い金膜を
形成し、形成された薄い金膜の上１／ｉｒ？ｇ子ビーム
レジスト膜を形成し、そして電子ビーム描画装置を用い
て所定のパターンを描画し、照射されたレジスト膜を溶
媒で現像し、そして最初に沈着した薄い金膜を電極とし
て用いてレジスト膜のエツチングした部分に金膜を電着
する。この方法では電着で形成される金のパターンが現
像されたレジストリリーフパターンの溝を満すだけであ
るので、現像されたレジスト膜のアスペクト比は高くな
ければならない。そしてこの方法の重大な欠点は、電着
による金膜の生長速度が種々の因子によって敏感に左右
され、従ってマスク全面にわたって一様な膜厚を得るの
が困難であることにある。
Ｘ線吸収材料としてメルクの金またはタングステンを用
いることは上述の三つの方法に共通である。このよりな
バルク材料を用いることは上述の欠点に加えてコスト面
でも相当な影響を及ばずことになる。
いることは上述の三つの方法に共通である。このよりな
バルク材料を用いることは上述の欠点に加えてコスト面
でも相当な影響を及ばずことになる。
そこで、この発明ではこのようなバルクの金の代わシに
バインダーとしての高分子材料中に金の微粒子を分散さ
せた複合材料が用いられる。一般に、を八〜／（７Ａの
波長範囲では、金が最良のＸ線吸収体であり、そしてそ
の次に良い吸収体であるタングステンに比べてコ倍以上
良い。従って金粒子をＳＯＳ以上含んだ複合材料は吸収
体としてメルクのタングステンと同程度に良好である。
バインダーとしての高分子材料中に金の微粒子を分散さ
せた複合材料が用いられる。一般に、を八〜／（７Ａの
波長範囲では、金が最良のＸ線吸収体であり、そしてそ
の次に良い吸収体であるタングステンに比べてコ倍以上
良い。従って金粒子をＳＯＳ以上含んだ複合材料は吸収
体としてメルクのタングステンと同程度に良好である。
このような複合材料は極めて容易に作ることができしか
もバルクのタングステンに比べて微細加工において極め
て容易に加工できることを見い出した。
もバルクのタングステンに比べて微細加工において極め
て容易に加工できることを見い出した。
このような複合材料はホトレジストと同様に容易にスピ
ンキャストすることができ、またホ）・レジスト膜と同
様に容易にプラズマエツチングすることもできる。
ンキャストすることができ、またホ）・レジスト膜と同
様に容易にプラズマエツチングすることもできる。
高分子金属粒子複合材料を作る一つの方法は、高分子材
料を良溶媒に溶解し、真空中で分散させた金の微粒子（
平均半径０゜θ二μｍ）をその溶液中に分散させること
から成る。この溶液はスビンコートシてプリベーキング
すると溶媒が膜外へ揮発して６０容積チ以上の高い金属
密度を与えることになる。この金属密度は理論的には一
様球の最密充填に相当する７弘％に近づき得る。この方
法は銀の粒子を高分子材料溶液に分散させた銀は−スト
に＠似している。
料を良溶媒に溶解し、真空中で分散させた金の微粒子（
平均半径０゜θ二μｍ）をその溶液中に分散させること
から成る。この溶液はスビンコートシてプリベーキング
すると溶媒が膜外へ揮発して６０容積チ以上の高い金属
密度を与えることになる。この金属密度は理論的には一
様球の最密充填に相当する７弘％に近づき得る。この方
法は銀の粒子を高分子材料溶液に分散させた銀は−スト
に＠似している。
高分子金属粒子複合材料を作る別の方法は、メタクリル
酸メチルのプラズマ重合の進行している基板に向って金
を真空蒸発させることから成る。
酸メチルのプラズマ重合の進行している基板に向って金
を真空蒸発させることから成る。
同様な方法は、Ｒ，Ｆ、ＷｉｅｌｏｎｓｋｉおよびＨ，
Ａ、ＢｅａｌｅによってＴｈ１ｎ ５ｏｌｉａ Ｆｉｌ
ｍ、 Ｖｏｌ、 ｇＬ ｐｐ、 １１２５−１１、．２
６（１９ｇ／）中に記載の論文１プラズマ重合による着
色画分子ｔａ″に発表されている。実験によｔしは最大
ヶ２％の金コロイド粒子をプラズマ重合メタクリル酸メ
チル中に分散させることができた。
Ａ、ＢｅａｌｅによってＴｈ１ｎ ５ｏｌｉａ Ｆｉｌ
ｍ、 Ｖｏｌ、 ｇＬ ｐｐ、 １１２５−１１、．２
６（１９ｇ／）中に記載の論文１プラズマ重合による着
色画分子ｔａ″に発表されている。実験によｔしは最大
ヶ２％の金コロイド粒子をプラズマ重合メタクリル酸メ
チル中に分散させることができた。
高分子金属粒子複合材料を作るさらに別の方法ハ無水ヒ
ロメリト酸とビス（ダアミノフェノール）エーテルから
作られたポリアミド酸のジメチルアセトン溶液中に真空
分散金微粒子を分散させ、得られた金属分散高分子プリ
カーサ−溶液を基板上にスピンコードし、そしてポリア
ミド酸プリカーサ−がポリイミドになるまでベーキング
することから成る。
ロメリト酸とビス（ダアミノフェノール）エーテルから
作られたポリアミド酸のジメチルアセトン溶液中に真空
分散金微粒子を分散させ、得られた金属分散高分子プリ
カーサ−溶液を基板上にスピンコードし、そしてポリア
ミド酸プリカーサ−がポリイミドになるまでベーキング
することから成る。
高分子金属粒子複合材料を用意する上述の方法とこの複
合材料上にノ々ターン全微細加工する電子ビームリソグ
ラフィーの方法との多様な組合せが考えられる。
合材料上にノ々ターン全微細加工する電子ビームリソグ
ラフィーの方法との多様な組合せが考えられる。
そこでこの発明の目的は、全資源のむだ使いを最少にす
る観点から、１ずＸ線透過基板の上にネガティブなレジ
ストリリーフパターンを形成し、続いてそのパターンの
エツチングｒＣよって削られた部分に高分子金粒子複合
材料を溶液をスピンキャストしてＸ線吸収性の複合材料
のポジティブなパターンを得るようにしたＸ線リソグラ
フィー用マスクの製造法を提供することにある。
る観点から、１ずＸ線透過基板の上にネガティブなレジ
ストリリーフパターンを形成し、続いてそのパターンの
エツチングｒＣよって削られた部分に高分子金粒子複合
材料を溶液をスピンキャストしてＸ線吸収性の複合材料
のポジティブなパターンを得るようにしたＸ線リソグラ
フィー用マスクの製造法を提供することにある。
以下この発明を添付図面を参照してさらに説明する。
図面には高分子金粒子複合材料をネガティブのレジスト
リリーフパターン上にキャストするこの発明の一実施例
を示す。
リリーフパターン上にキャストするこの発明の一実施例
を示す。
第１図に示す最初の工程において、厚さ７０μｍのボロ
ンナイトライド基板／上に、厚さ７．３μｍのＰＰＭＭ
Ａ （プラズマ重合メタクリル酸メチル）から成る第１
レジスト層ツおよび厚さ０．グμｍのＰＰ（ＭＭＡ＋Ｄ
ＰＳ＋ＴＭＴ）（ダメチル錫ドーププラズマ共重合メタ
クリル酸ジフェニルシラン）から成る第１レジスト層３
がプラズマキャストされる。
ンナイトライド基板／上に、厚さ７．３μｍのＰＰＭＭ
Ａ （プラズマ重合メタクリル酸メチル）から成る第１
レジスト層ツおよび厚さ０．グμｍのＰＰ（ＭＭＡ＋Ｄ
ＰＳ＋ＴＭＴ）（ダメチル錫ドーププラズマ共重合メタ
クリル酸ジフェニルシラン）から成る第１レジスト層３
がプラズマキャストされる。
そして、これらのレジスト層コ、３ｕパターン化された
電子ビームグで照射される。
電子ビームグで照射される。
次に第２図に示すように、照射された第１レジスト層３
はＨ２プラズマＳで現像される。
はＨ２プラズマＳで現像される。
第３Ｎに示す第３工程で１１、現像された詑ニレジスト
層３のリリーフパターンは第１レジスト層コに０２反応
性イオンエツチング６で転写される。
層３のリリーフパターンは第１レジスト層コに０２反応
性イオンエツチング６で転写される。
その後第ψ図に示すように、６％のＰ Ｍ Ｍ Ａを溶
解し、９チの＠径０．０２μｍの金粒子を分散させたベ
ンゼン溶液７がｌｉ／レジスト層コのネガティブリリー
フＡターン上にスピンコードされる。
解し、９チの＠径０．０２μｍの金粒子を分散させたベ
ンゼン溶液７がｌｉ／レジスト層コのネガティブリリー
フＡターン上にスピンコードされる。
次の工程では第Ｓ図に示すように、符号ｇで略示する１
３０℃で３０分間の熱乾燥プロセスによってＫｉレジス
ト層コのネガテｌイブリリーフパターンのエツチング除
去された部分内に６０％の金を含む高分子金粒子複合材
料７がキャストされる。この複合材料ヲの最終厚さＶｉ
／、 ２３ ｔｔｍであシ、入射Ｘ線（ｌｌ−、グＸ
）の単にｇ％を透過させるだけであシ、一方第１レジス
ト層コである厚さ／、３μｍＱＰＭＭＡ層は入射Ｘ線（
＋、を大）のｑｇチを透過させる。
３０℃で３０分間の熱乾燥プロセスによってＫｉレジス
ト層コのネガテｌイブリリーフパターンのエツチング除
去された部分内に６０％の金を含む高分子金粒子複合材
料７がキャストされる。この複合材料ヲの最終厚さＶｉ
／、 ２３ ｔｔｍであシ、入射Ｘ線（ｌｌ−、グＸ
）の単にｇ％を透過させるだけであシ、一方第１レジス
ト層コである厚さ／、３μｍＱＰＭＭＡ層は入射Ｘ線（
＋、を大）のｑｇチを透過させる。
以上説明してきたようにこの発明による方法によｎば、
バルク金層の代り・に高分子金粒子複合材料を用いるこ
とによって厚いＸ緘吸収性層を容易に微細加工すること
ができ、これにより厚い金属のドライエツチング、リフ
トオフ法または電着ケ避りることができる。
バルク金層の代り・に高分子金粒子複合材料を用いるこ
とによって厚いＸ緘吸収性層を容易に微細加工すること
ができ、これにより厚い金属のドライエツチング、リフ
トオフ法または電着ケ避りることができる。
また高分子金粒子複合材料の使用することによって、こ
の発明は高価な金を節約することかでき、マスクの製造
コストを下けることができる。
の発明は高価な金を節約することかでき、マスクの製造
コストを下けることができる。
第１−５図に高分子金粒子複合ね料をネガティブのレジ
ストリリーフパターン上にキャストするこの発明の方法
の一実施例の各工程を示す概略図である。 図中、／：基板、λ：第１レジスト層、３：第１レジス
ト層、７：金粒子を分散させたベンゼン溶液、ワ：高分
子金粒子複合材料。 手続補正書（方式） 昭和５８年５月２０日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第 ６７０３０ 号２、発明の
名称 ｘ′ｍリソグラフィー用マスクの製造法３ 補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住所 愛知県愛知郡長久手町大字長鍬字武蔵塚４２の
１４代理人 ５、補正の対象 タイプ印書したもの
ストリリーフパターン上にキャストするこの発明の方法
の一実施例の各工程を示す概略図である。 図中、／：基板、λ：第１レジスト層、３：第１レジス
ト層、７：金粒子を分散させたベンゼン溶液、ワ：高分
子金粒子複合材料。 手続補正書（方式） 昭和５８年５月２０日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第 ６７０３０ 号２、発明の
名称 ｘ′ｍリソグラフィー用マスクの製造法３ 補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住所 愛知県愛知郡長久手町大字長鍬字武蔵塚４２の
１４代理人 ５、補正の対象 タイプ印書したもの
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／ 高原子番号金属の微粒子を高分子バインダー材料中
に分散させたＸ線吸収性複合材料を作シ、電子ビームリ
ソグラフィ一手段を用いてＸ線透過性基板上に上記Ｘ線
吸収性複合拐料の微細加エバターンを形成することから
成ることを特徴とするＸ線リングラフイー用マスクの製
造法。 ユ Ｘ線吸収性複合材料の作る工程が、高分子バインダ
ー材料を溶媒に溶解し、予じめ用意した高原子番号金属
の微粒子を上記高分子メイングー材料の溶液中に分散さ
せ、上記高原子番号金属の微粒子を分散させた高分子バ
インダー材料の溶液を微細加工した基板上にコートし、
そして上記溶液でコートした基板を（−キング処理する
ことから成る特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３ 電子ビームリングラフイ一手段を用いてＸ線吸収性
複合材料の微細加エバターンを形成する工程が、電子ビ
ームリソグラフィ一手段によって所定のＸ線吸収性複合
材料パターンのネガティブパターンをもつ微細加工基板
を形成し、この微細加工基板に高原子番号金属微粒子を
分散させた高分子バインダー材料の溶液をコートし、セ
してベーキング処理して微細加工基板のエツチング除去
した部分内にＸ線吸収性複合判料をキャストすることか
ら成る特許請求の範囲第１項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58067030A JPS59193454A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | Ｘ線リソグラフイ−用マスクの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58067030A JPS59193454A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | Ｘ線リソグラフイ−用マスクの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193454A true JPS59193454A (ja) | 1984-11-02 |
| JPH0424854B2 JPH0424854B2 (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=13333069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58067030A Granted JPS59193454A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | Ｘ線リソグラフイ−用マスクの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193454A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100524811B1 (ko) * | 1996-06-27 | 2006-01-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의미세패턴형성방법 |
| CN100403167C (zh) * | 2002-04-24 | 2008-07-16 | 株式会社东芝 | 图案形成方法和半导体器件的制造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52173A (en) * | 1975-06-23 | 1977-01-05 | Toshiba Corp | X-ray etching mask |
| JPS5299778A (en) * | 1976-02-18 | 1977-08-22 | Nec Corp | Production of silicon mask for x-ray lithography |
| JPS52137666A (en) * | 1976-05-13 | 1977-11-17 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of producing thick film circuit substrate |
-
1983
- 1983-04-18 JP JP58067030A patent/JPS59193454A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52173A (en) * | 1975-06-23 | 1977-01-05 | Toshiba Corp | X-ray etching mask |
| JPS5299778A (en) * | 1976-02-18 | 1977-08-22 | Nec Corp | Production of silicon mask for x-ray lithography |
| JPS52137666A (en) * | 1976-05-13 | 1977-11-17 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of producing thick film circuit substrate |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100524811B1 (ko) * | 1996-06-27 | 2006-01-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의미세패턴형성방법 |
| CN100403167C (zh) * | 2002-04-24 | 2008-07-16 | 株式会社东芝 | 图案形成方法和半导体器件的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0424854B2 (ja) | 1992-04-28 |
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