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Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden
eines feinen Musters mit dem ein Resistmuster für eine feine
Bearbeitung mit einer hohen Genauigkeit auf einem
Halbleitersubstrat gebildet wird mittels direkten Schreibens mit elektrisch
geladenen Strahlen, wie etwa einem Elektronenstrahl oder einem
fokussierten Ionenstrahl, unter Verwendung eines einen
einlagigen oder einen mehrlagigen Resist benutzenden Verfahrens und
insbesondere ein Verfahren zum Bilden eines feinen Musters,
das unter Verwendung einer hochmolekularen organischen
Schicht, in der ein organometallischer Komplex oder ein
metallisches Salz eingearbeitet ist, und die selbst als
Energiestrahl-Resist oder in Verbindung mit einem zusätzlichen
Energiestrahlresist eingesetzt werden kann, ausgeführt wird.
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Bislang wurde bei der Herstellung von ICs und LSIs
(hochintegrierte Schaltung: large scale integrated circuit)
die Bildung eines Musters mittels Ultraviolettstrahlen
verwendender Photolitographie ausgeführt. Mit kleiner werdenden
Elementen wurde versucht, die NA (numerische Appertur) einer
Stepper-Linse zu verbessern oder eine Lichtquelle mit einer
kurzen Wellenlänge zu verwenden, aber dabei gibt es das
Problem, daß die Fokustiefe geringer wird. Darüber hinaus wurde
zum Verfeinern der Mustergröße einer LSI-Vorrichtung und zum
Herstellen von ASICs (application specific integrated circuit:
anwendungsspezifische integrierte Schaltung)
Elektronenstrahllitographie verwendet. Zur Bildung eines feinen Musters mit
dieser Elektronenstrahllitorgraphie sind
Elektronenstrahl-Resists vom Positivtyp von besonderer Bedeutung. Unter diesen
war Polymethylmethakrylat (PMMA) als derjenige mit der
höchsten Auflösung bekannt, aber dieser weist den Nachteil
einer geringen Empfindlichkeit auf. Daher gab es in letzter Zeit
viele Berichte bezüglich der Verbesserung der Empfindlichkeit
von Elektronenstrahl-Resists vom Positivtyp und es wurden
Elektronenresists vom Positivtyp vorgeschlagen, wie etwa
beispielsweise Polybutylmethacrylat, ein Copolymer aus
Methylmethacrylat und Methacrylsäure, ein Copolymer aus Methacrylsäure
und Acrylonitril, ein Copolymer aus Methylmethacrylat und
Isobutylen, Polybuten-1-sulfon, Polyisopropenylketon und
Fluoropolymethacrylat. Bei diesen Resists kann das Spalten der
Grundkette mittels Elektronenstrahlen auf einfache Weise
ausgeführt werden durch Einarbeiten einer elektronenentziehenden
Gruppe in die Seitenkette oder durch Einarbeiten einer einfach
aufbrechbaren Bindung in die Grundkette und dadurch wird die
Erhöhung der Empfindlichkeit erreicht aber diese Resists sind
hinsichtlich der beiden Eigenschaften Auflösung und
Empfindlichkeit immer noch nicht vollständig zufriedenstellend.
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Darüber hinaus leidet die Elektronenstrahllithographie
unter Problemen, wie etwa einer geringen
Trockenätzbeständigkeit
der Elektronenstrahl-Resists, der Beeinflussung der
Mustergenauigkeit durch von einer Vorwärtsstreuung und
Rückstreuung der Elektronen verursachte Naheffekte und der
Beeinflussung des Musterschreibens durch das Laden einfallender
Elektronen. Zum Lösen dieser Probleme ist ein einen
mehrlagigen Resist verwendendes Verfahren gemäß welchem die
Wirkung des Resists unterteilt ist in eine musterbildende Lage
und eine ebnende Lage ein sehr wirksames Verfahren. Fig. 6 ist
ein Flußdiagramm anhand welchem ein einen dreilagigen Resist
verwendender Vorgang bei der Elektronenstrahllithographie
verwendet wird. Auf einem Halbleitersubstrat 1 ist eine
organische Schicht mit einer Dicke von 2 bis 3 um aufgeschichtet
als Grundlage 41 zum Verhindern von Naheffekten, dann ist eine
anorganische Schicht, wie etwa SIO&sub2; oder SOG (spin auf glass)
darauf aufgeschichtet als Zwischenlage 42, ein
Elektronenstrahlresist 43 ist als obere Lage aufgeschichtet und
darüber hinaus ist eine Aluminiumschicht 44 darauf aufgedampft
mit einer Dicke von etwa 100 Å zum Verhindern des Ladens [Fig.
6A]. Nach der "Belichtung" wird die Aluminiumlage 44 mit einer
wässrigen Alkalilösung entfernt, was von einer Entwicklung
gefolgt wird [Fig. 6B]. Dann wird unter Verwendung des
resultierenden Resistmusters als Maske das Trockenätzen der
Zwischenlage 42 durchgeführt [Fig. 6C]. Dann wird unter Verwendung der
Zwischenlage als Maske das Trockenätzen der Grundlage 41
durchgeführt [Fig. 6D]. Unter Verwendung des vorstehend
erläuterten, einen dreilagigen Resist benutzenden Vorgangs kann ein
feines Muster mit einem großen Seitenverhältnis gebildet
werden. Es ist möglich einen einfachen, einen doppellagigen
Resist verwendenden Vorgang auszuführen unter Verwendung eines
die Wirkungen der oberen Lage und der Zwischenlage des
vorstehend erwähnten dreilagigen Resists besitzenden Resists. Die
Fig. 7A bis 7D bilden ein den einen doppellagigen Resist
verwendenden Vorgang erläuterndes Flußdiagramm. Als
Grundschicht 51 ist eine organische Schicht gebildet und ein
Silizium enthaltender Resist 52 mit einer hohen
Trockenätzbeständigkeit
ist als obere Lage gebildet [Fig. 7A]. Nach
"Belichten" und Entwickeln [Fig. 7B] wird die Grundlage einem
Trockenätzvorgang unterzogen, wobei das Resistmuster der
oberen Lage als Maske verwendet wird [Fig. 7C]. Auf diese Weise
kann mit dem einen doppellagigen Resist verwendeten Vorgang
ein feines Muster mit einem verglichen mit dem einen
dreilagigen Resist verwendenden Vorgang hohen Durchsatz gebildet
werden.
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Der Silizium enthaltende Resist mit einer hohen
Trockenätzbeständigkeit, der im doppellagigen Resist verwendet
wird, ist jedoch hauptsächlich vom Negativtyp und besitzt auf
Grund einer beim Entwicklung hervorgerufenen Aufblähung eine
minderwärtige Auflösung und weist daneben eine geringe
Empfindlichkeit auf und kann daher praktisch nicht verwendet
werden. Insbesondere auf Grund des Ladungseffekts treten, wie
anhand der Oberflächen SEM-Photographie nach Fig. 7D
dargestellt, Fehler beim Aneinanderfügen von Feldern auf, wodurch
eine Musterunterbrechung hervorgerufen wird. Eine derartige
Musterunterbrechung tritt auch beim Dreilagigen Resist auf,
wenn keine Aluminiumdünnschicht vorliegt. Das bedeutet, mit
der Elektronenstrahlbelichtung wird das Gebiet A mit dem
Elektronenstrahl auf die mittels des Pfeils O dargestellte Weise
abgetastet und dann wird das Gebiet B auf die mittels des
Pfeils P dargestellte Weise abgetastet. In diesem Fall ist das
Resistmuster nach dem Entwickeln zwischen den Gebieten A und B
unterbrochen (Fehler beim Aneinanderfügen von Feldern), wenn
ein Laden auftritt. Die Resistmuster in den Gebieten A und B
müssen sich im wesentlichen in einem verbundenen Zustand
befinden. Darüber hinaus ist der einen dreilagigen Resist
benutzende Vorgang in seinen verschiedenen Schritten höchst
kompliziert und weist viele Probleme auf, wie etwa Fehler und
Schwierigkeiten bei der Steuerung der Mustergröße, und es ist
schwierig, ihn in die Praxis umzusetzen.
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Darüber hinaus wird bei der
Elektronenstrahllithorgraphie die Bildung eines Abbildungsumkehrmusters wichtig. Daher
wird zur Zeit die Abbildungsumkehrabbildung gebildet unter
Verwendung eines Elektronenstrahlresists vom Negativtyp oder
durch Brennen oder eine Behandlung mit Ammoniakdampf nach der
Belichtung.
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Der Resist vom Negativtyp besitzt jedoch eine geringe
Auflösung und es ist schwierig damit ein feines Resistmuster
zu bilden. Ferner ist die Bildung eines
Abbildungsumkehrmusters mittels einer Nachbehandlung nach der Belichtung von den
Bedingungen der Nachbehandlung leicht beeinflußbar und eine
Steuerung der Mustergröße ist schwierig.
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Wie vorstehend erläutert ist der einen doppellagigen
Resist verwendende Vorgang ein sehr wirksames Verfahren, weist
jedoch Probleme hinsichtlich des verwendbaren Resists auf. Das
heißt, die Materialien müssen eine hohe
Trockenätzbeständigkeit aufweisen und als Resist wirken. Zur Zeit als obere Lage
eines doppellagigen Resists benutzte Resists umfassen
Organopolysiloxan- oder organopolysilanartige, Silizium
enthaltende Resists. Diese Resists zeigen jedoch keine besonders
hohe Empfindlichkeit und Auflösung und besitzen daneben keine
hinreichend hohe Trockenätzbeständigkeit.
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Wenn mittels Elektronenstrahllithographie ein
Abbildungsumkehrmuster gebildet wird, ist ein Resist vom Negativtyp
hinsichtlich der Auflösung auf Grund des Aufblähens oder der
Bildung von Haarkristallen während der Entwicklungsbehandlung
minderwertig und die Empfindlichkeit ist auch nicht so groß.
Die Bildung eines Umkehrmusters mittels der Nachbehandlung
nach der Belichtung wird von den Bedingungen der
Nachbehandlung beeinflußt und die Steuerung der Mustergröße ist
schwierig und daneben kann dieses Umkehrmuster lediglich mit
speziellen Resists gebildet werden. Darüber hinaus ist die
Trockenätzbeständigkeit von Elektronenstrahlresists vom
Positivtyp äußerst gering und das Ätzen des Substrats kann mit
einem einlagigen Elektronenstrahlresist nicht ausgeführt
werden.
KURZBESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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Die Aufgabe dieser Erfindung besteht in der Schaffung
eines Verfahrens zum Bilden eines feinen Musters durch
direktes Schreiben mittels eines elektrisch geladenen Strahls, wie
etwa eines Elektronenstrahls, Ionenstrahls oder eines
fokussierten Strahls unter Verwendung eines einlagigen oder
mehrlagigen Resist benutztenden Verfahrens, bei dem das Laden durch
die Elektronen oder die elektrisch geladenen Teilchen
verhindert werden kann und ein genaues, feines Resistmuster gebildet
werden kann.
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Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Bilden eines
feinen Musters wird zum Lösen der vorstehend genannten Aufgabe
eine einen organometallischen Komplex oder ein metallisches
Salz enthaltende, hochmolekulare organische Schicht, die
selbst als Energiestrahlresist oder in Verbindung mit einem
zusätzlichen Energiestrahlresist verwendet werden kann, auf
einem Substrat gebildet und dann wird die organische Schicht
einer Oberflächenbehandlung mit einem reduzierenden Mittel
unterzogen zur Bildung einer metallischen Lage auf der
Oberfläche der hochmolekularen organischen Schicht, wodurch ein
gewünschtes, genaues, feines Resistmuster, frei von durch Laden
hervorgerufenen Musterstörungen erhalten werden kann.
KURZE ERLÄUTERUNG DER ZEICHNUNG
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Fig. 1A bis 1E bilden ein Flußdiagramm, in dem ein
erstes Beispiel dieser Erfindung
anhand von Schnittansichten dargestellt
wird.
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Fig. 2A bis 2B stellen Schnittansichten dar, anhand
welcher der Zustand, in dem eine
metallische Lage auf der Oberfläche der
organischen Schicht gebildet wird,
erläutert wird.
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Fig. 3A bis 3D bilden ein Flußdiagramm, welches ein
zweites Beispiel dieser Erfindung
anhand von Schnittansichten darstellt.
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Fig. 4A bis 4D bilden ein Flußdiagramm, das ein
drittes Beispiel dieser Erfindung anhand
von Schnittansichten darstellt.
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Fig. 5A bis 5D bilden ein Flußdiagramm, das ein
viertes Beispiel dieser Erfindung anhand
von Schnittansichten darstellt.
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Fig. 6A bis 6D bilden ein Flußdiagramm, das einen
herkömmlichen, einen dreilagigen
Resist verwendenden Vorgang anhand von
Schnittansichten darstellt.
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Fig. 7A bis 7D bilden ein Flußdiagramm, das einen
herkömmlichen, einen doppellagigen
Resist verwendenden Vorgang anhand von
Schnittansichten darstellt.
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1 ----- Halbleitersubstrat, 2 ----- hochmolekulare,
organische Schicht, 3 ----- reduzierendes Mittel, 4 -
--- metallische Lage, 5 ----- Elektronenstrahlresist
BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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Das erste Beispiel dieser Erfindung ist in den Fig.
1A bis 1E dargestellt. Eine durch Hinzufügen eines
organometallischen Komplexes oder eines metallischen Salzes, wie etwa
NiCl&sub2; (10 in den Fig. 2A bis 2B) zu einer
Polymethylmethacrylat(PMMA)-Lösung hergestellte Lösung wird auf ein
Halbleitersubstrat 1 aufgeschichtet und zur Bildung einer
hochmolekularen, organischen Schicht 2 30 Minuten bei 170ºC
gebrannt. Die Oberfläche dieser Schicht wird mit einem
reduzierenden Mittel behandelt [Fig. 1A]. Diese Behandlung hat die
Bildung einer metallischen Lage 4 auf der hochmolekularen,
organischen Schicht 2 zum Ergebnis. Als Elektronenresist 5 wird
Fluoropolymethacrylat auf die metallische Lage 4
aufgeschichtet und 30 Minuten bei 140ºC gebrannt und dann einer
Elektronenstrahlbelichtung bei einer Beschleunigungsspannung von 20
KV und einer Dosis von 5 uc/cm² aufgesetzt [Fig. 1B]. Weil
diese metallische Lage 4 das Laden mit Elektronen verhindern
kann, wird ein genaues, feines Resistmuster 7 vom Positivtyp
nach dem Entwickeln gebildet [Fig. 1C]. Die metallische Lage 4
wird unter Verwendung dieses Resistmusters als Maske geätzt.
Dann kann das Ätzen der hochmolekularen, organischen Schicht 2
unter Verwendung dieser metallischen Lage als Maske ausgeführt
werden. Wenn das Ätzen der hochmolekularen, organischen
Schicht ausgeführt wird mit 40 sccm (cm³ bei
Standardreferenzbedingungen) O&sub2;-Gas und bei einem Druck von 1 Pa und einer
Leistung von 200 W, kann eine Trennschärfe von 100 oder mehr
erhalten werden und daher kann ein genaues, feines, vertikales
Muster erhalten werden [Fig. 1D]. Fig 1E zeigt den mittels SEM
beobachteten Oberflächenzustand im Bereich aneinander gefügter
Felder des Musters. Es wird kein Fehler beim Aneinanderfügen
von Feldern beobachtet und es zeigt sich kein Ladungseffekt.
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Neben NiCl&sub2; können CuCl&sub2;, CoCl&sub2; und dgl. als
metallisches Salz verwendet werden. Neben PMMA kann die
hochmolekulare organische Schicht aus irgendeinem Polymerharz bestehen.
Ferner können auch fokussierte Ionenstrahlen anstelle des
Elektronenstrahls benutzt werden.
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Wenn die einen organometallischen Komplex oder ein
metallisches Salz enthaltende hochmolekulare, organische Schicht
aufgeschichtet wird und dann einer Oberflächenbehandlung mit
einem reduzierenden Mittel unterzogen wird, wird eine
metallische Lage auf der Oberfläche der hochmolekularen, organischen
Schicht gebildet. Die Fig. 2A und 2B zeigen den Zustand der
auf der hochmolekularen, einen organometallischen Komplex oder
ein metallisches Salz enthaltenden, organischen Schicht
gebildeten metallischen Lage. Gleichmäßig in der hochmolekularen,
organischen Schicht 8 verteilte metallische Ionen 10 [Fig. 2A]
wandern zur Oberfläche der Schicht, nämlich zu der Seite, an
der das reduzierende Mittel 9 angreift, zur Ausbildung einer
metallischen Lage mit einer hohen Festigkeit, die im
Oberflächenbereich konzentrierte metallische Ionen 10 aufweist. [Fig.
2B]. Daher kann eine Resist darauf aufgeschichtet werden,
gefolgt von einer Belichtung. Weil der Oberflächenwiderstand
dieser metallischen Lage sehr niedrig ist, nämlich 10 Ω oder
weniger, kann das üblicherweise ein Problem bei der
Elektronenstrahllithographie darstellende Laden verhindert werden.
Darüber hinaus besitzt die metallische Lage eine hinsichtlich
Sauerstoff genügend hohe Trockenätzbeständigkeit und wirkt
daher auf hinreichende Weise als Maske beim Ätzen der
hochmolekularen, organischen Schicht einer Bodenlage. Die
Resistschicht umfaßt lediglich zwei Lagen, zeigt jedoch die
gleiche Wirkung wie ein dreilagiger Resist und daneben wird
das Bedampfen mit einem Metall nicht benötigt und das Laden
kann verhindert werden. Mit diesem Verfahren kann auf einfache
Weise ein feines Resistmuster gebildet werden unter Verwendung
eines herkömmlichen Resists.
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Als nächstes wird anhand der Fig. 3A bis 3D das
zweite Beispiel dieser Erfindung dargestellt. Eine durch
Zugeben eines organometallischen Komplexes oder eines metallischen
Salzes, wie etwa CoCl&sub2; zu einer PMMA-Lösung hergestellte
Lösung wird auf ein Halbleitersubstrat aufgeschichtet und zur
Bildung eines Elektronenstrahlresists 11 30 Minuten bei 170ºC
gebrannt [Fig. 3A]. Dieser Resist wird mit einem
Elektronenstrahl bei einer Beschleunigungsspannung von 20 KV und einer
Dosis von 100 uc/cm² belichtet oder unter Verwendung von DUV
(Fernultraviolettlicht) belichtet und dann mit einer durch
Mischen von Methylisobutylketon (MIBK) und Isopropylalkohol
(IPA) erhaltenen Lösung entwickelt zum Erhalt eines
Resistmusters 12 [Fig. 3B]. Zum Ausführen einer Oberflächenbehandlung
wird ein reduzierendes Mittel 14 auf das Resistmuster 12
getropft [Fig. 3C] zur Bildung einer metallischen Lage auf der
Oberfläche des Resistmusters [Fig. 3D]. Diese metallische Lage
auf der Oberfläche verbessert die Trockenätzbeständigkeit des
Resistmusters und das Substrat kann unter Verwendung eines
einlagigen Resists geätzt werden. Daher kann ein Resistmuster
mit einer hohen Trockenätzbeständigkeit und einer hohen
Wärmebeständigkeit gebildet werden.
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Unter Verwendung eines einen organometallischen
Komplex oder ein metallisches Salz enthaltenen Resists kann die
Trockenätzbeständigkeit eines eine geringe
Trockenätzbeständigkeit aufweisenden Resists verbessert werden. Ein einen
organometallischen Komplex oder ein metallisches Salz
enthaltender Resist wird aufgeschichtet und einer Belichtung und
Entwicklung unterzogen und dann einer Oberflächenbehandlung mit
einem reduzierenden Mittel. Mittels dieser
Oberflächenbehandlung wird eine metallische Lage auf der Oberfläche des
Resistmusters
gebildet und daher kann ein Resistmuster mit einer
hohen Trockenätzbeständigkeit gebildet werden. Mit diesem
Vorgang kann ein Substrat genau geätzt werden, selbst mit einem
einlagigen Elektronenstrahlresist mit einer geringen
Trockenätzbeständigkeit. Der Widerstand dieser Resistschicht beträgt
10&sup6; Ω oder weniger und ein durch Laden beim Schreiben
hervorgerufenes Scheren des Musters kann verhindert werden und
ein genaues Resistmuster kann gebildet werden.
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Als nächstes wird das dritte Beispiel dieser Erfindung
anhand der Fig. 4A bis 4D dargestellt. Eine
Grundlagenschicht 21 wird auf ein Halbleitersubstrat 1 aufgeschichtet
und 30 Minuten bei 200ºC gebrannt. Darauf wird ein einen
organometallischen Komplex oder ein metallisches Salz, wie etwa
CuCl&sub2; enthaltender Fotoresist 22 aufgeschichtet und zur
Bildung einer Resistschicht mit einer Dicke von 0,5 um dreißig
Minuten bei 100ºC gebrannt [Fig. 4A]. Nach dem Belichten wird
zum Erhalt eines Resistmusters 24 eine Entwicklung mit einer
wässrigen Alkalilösung ausgeführt. Zur Ausführung einer
Oberflächenbehandlung wird ein reduzierendes Mittel 25 auf dieses
Resistmuster getropft [Fig. 4B] zur Bildung einer metallischen
Lage 26 auf der Oberfläche des Resistmusters [Fig. 4C]. Weil
diese metallische Lage praktisch keine Ätzung durch Sauerstoff
erfährt, kann das Trockenätzen der Grundlagenschicht 21 unter
Verwendung dieses Resistmusters als Maske ausgeführt werden.
Wenn das Ätzen der Grundlagenschicht mit 40 sccm O&sub2;-Gas und
bei einem Druck von 1 Pa und einer Leistung von 100 W
ausgeführt wird, kann eine Trennschärfe von 100 oder höher erhalten
werden und daher kann ein genaues, feines, vertikales Muster
gebildet werden [Fig. 4D].
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Als nächstes wird das vierte Beispiel dieser Erfindung
anhand der Fig. 5A bis 5D dargestellt. Eine einen
organometallischen Komplex oder ein metallisches Salz enthaltende PMMA-
Lösung wird auf ein Halbleitersubstrat 1 aufgeschichtet und 30
Minuten bei 170ºC gebrannt zur Bildung einer hochmolekularen,
organischen Schicht 31. Zur Bildung einer Resistlage wird ein
Fotoresist 32 mittels Drehbeschichten darauf aufgeschichtet
und 30 Minuten bei 100ºC gebrannt [Fig. 5A]. Mittels Belichten
und Entwickeln wird ein Resistmuster 34 gebildet. Auf dieses
Resistmuster wird ein reduzierendes Mittel 35 getropft zur
Ausführung einer Oberflächenbehandlung der aus einer
hochmolekularen organischen Schicht 31 bestehenden Grundlage [Fig.
5B]. Durch das reduzierende Mittel 35 wird eine metallische
Lage 36 auf der Oberfläche des Gebietes gebildet, in dem kein
Resistmuster 34 vorliegt [Fig. 5C]. Weil diese metallische
Lage 36 im wesentlichen keinem Ätzen mit Sauerstoff zugänglich
ist, kann das Trockenätzen der oberen Resistlage 34 und der
Grundlage aus einer hochmolekularen organischen Schicht 31
ausgeführt werden unter Verwendung dieser Metallage 36 als
Maske. Wenn das Ätzen der Grundlagenschicht mit 60 sccm O&sub2; und
bei einem Druck von 1 Pa und einer Leistung von 200 W bewirkt
wird kann eine Trennschärfe von 100 oder mehr erhalten werden
und daher kann ein genaues und feines
Abbildungsumkehrvertikalmuster gebildet werden [Fig 5D].
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Erfindungsgemäß kann auf einfache Weise ein feines
Resistmuster gebildet werden mittels eines Resistvorgangs, in
dem die vorstehend erwähnte, einen organometallischen Komplex
oder metallisches Salz enthaltende hochmolekulare, organische
Schicht verwendet wird. Insbesondere dient selbst ein einen
doppellagigen Resist verwendender Vorgang als Vorgang, bei dem
in situ ein dreilagiger Resist verwendet wird, der die gleiche
Wirkung besitzt wie ein einen dreilagigen Resist verwendender
Vorgang und daneben kann das Laden mit Elektronen verhindert
werden und ein genaues, feines Muster kann gebildet werden.
Darüber hinaus kann unter Verwendung des doppellagigen Resists
auf einfache Weise ein Abbildungsumkehrresistmuster gebildet
werden und weil das Muster mittels Trockenätzen gebildet wird
ist die Steuerbarkeit der Mustergröße überlegen. Ferner kann
die Trockenätzbeständigkeit von Elektronenstrahlresists mit
einer geringen Trockenätzbeständigkeit verbessert werden und
ein feines Muster kann mit einer überlegenen
Größensteuerbarkeit, Reproduzierbarkeit und einer hohen Auflösung gebildet
werden. Daher ist diese Erfindung wirksam zur Bildung eines
feinen Musters mit einer hohen Auflösung und einer hohen
Genauigkeit.
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Wie vorstehend erläutert kann erfindungsgemäß mittels
Oberflächenbehandlung einer einen organometallischen Komplex
oder ein metallisches Salz enthaltenden hochmolekularen,
organischen Schicht mit einem reduzierenden Mittel auf einfache
Weise eine metallische Lage auf der Oberfläche der
hochmolekularen, organischen Schicht gebildet werden und durch Anwenden
dieser Reaktion bei einem einlagigen oder doppellagigen Resist
kann ein feines Muster mit einer hohen Trockenätzbeständigkeit
gebildet werden. Durch Verwendung der hochmolekularen,
organischen Schicht als Grundlagenschicht bei einem einen
doppellagigen Resist verwendenden Vorgang kann auf einfache Weise eine
metallische Lage gebildet werden, so daß der doppellagige
Resist in situ als dreilagiger Resist wirkt und daneben kann das
Laden mit Elektronen verhindert werden. Darüber hinaus kann
auf einfache und genaue Weise ein Abbildungsumkehr-
Vertikalresistmuster gebildet werden durch die Behandlung mit
einem reduzierenden Mittel nach Resist-Musterbildung in der
oberen Lage. Zusätzlich kann ein Resistmuster mit einer hohen
Trockenätzbeständigkeit gebildet werden durch Verwendung der
organischen Schicht als einlagigen Resist oder als Resist
einer oberen Lage eines doppellagigen Resists. Durch Verwendung
dieser Verfahren wurde die Verwendung eines einen
doppellagigen Resist verwendenden Vorgangs oder eines einen einlagigen
Resist verwendenden Vorgangs anstelle eines einen dreilagigen
Resist verwendenden Vorgangs, der nur unter Schwierigkeiten in
die Praxis umgesetzt werden konnte, ermöglicht und ein genaues
und vertikal feines Muster mit einer hohen
Trockenätzbeständigkeit
kann erhalten werden. Daher bildet diese Erfindung
einen großen Beitrag zur Herstellung von integrierten
Schaltungen mit einer äußerst hohen Dichte.