DE3203898A1 - Verfahren zum herstellen von strukturen oder mustern - Google Patents

Verfahren zum herstellen von strukturen oder mustern

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Mustern oder Strukturen bei der Herstellung von Halbleitern oder ähnlichen Bauelementen.
Bisher wird die Ausbildung von Strukturen bei der Herstellung von Halbleitern oder integrierten Schaltkreisen hauptsächlich mit einer photolithographischen Technologie durchgeführt, bei der ein Photoresist aus einem photοempfindlichen, organischen, polymeren Resistmaterial verwendet wird. Aufgrund der bemerkenswerten Entwicklung bei neueren HaIb-.leiterbauelementen, insbesondere bei Größtintegrations-■ Schaltkreisen, werden die Bedingungen für die Strukturbildung außerordentlich streng, und zwar beispielsweise aufgrund der folgenden Auswirkungen: Abnahme der Größe der Einzelelemente.in einem Bauelement aufgrund der Zunahme der Packungsdichte der Einzelelemente, Zunahme der nichtplanaren Oberflächenmerkmale der Einzelelemente, unterschiedliche, zu ätzende Materialien, Zunehmen der Kompliziertheit bei Mehrschicht-Verbindungen sowie Zunahme der Ibnenstoppfähigkeit einer Maske für die Ionenimplantation durch die Zunahme der Ionenimplantationsenergie. Daher kann bei einem derartigen Photoätzverfahren, bei dem ein übliches, organisches, polymeres Resistmaterial verwendet wird, nicht mit den vorstehenden Bedingungen in Einklang gebracht werden.
Andererseits wurde kürzlich (US-PS 4-1274-14) ein anorganisches Resistmaterial aus einem Laminat entwickelt, das aus einem auf Selen basierenden Glasmaterial und aus einer Silberschicht oder aus einer eine Silberverbindung enthaltende
den Schicht oder aus einer Silberlegierungsschicht besteht; dieses anorganische Resistmaterial wurde zunächst als
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vorteilliaft angesehen wegen einer großen Anzahl ausgezeichneter Eigenschaften einschließlich einer hohen Auflösung, die denen eines üblichen organischen, polymeren Resistmaterials überlegen waren. Wenn jedoch bei Verwendung eines derartigen anorganischen Resistmaterial das übliche Photoätzen durchgeführt wird, ist es erforderlich, daß die anorganische Resistschicht außerordentlich dünn ausgebildet ist, um eine hohe Auflösung zu erhalten. Es ergeben.sich daher Probleme im Hinblick auf die Anwendung derartigen anorganischen Resistmaterial auf eine nichtplanare Substratfläche oder Metallschicht. Da ferner optimale Bedingungen, wie Belichten und Entwickeln, sich zwischen.relativ groben Strukturen und relativ feinen Strukturen unterscheiden, ergibt sich das Problem, daß die Strukturqualitat sich insgesamt verschlechtert, wenn ein Relief mit großen und kleinen (groben und feinen) Mustern gebildet werden soll. ,
Es ist ein Zweischicht-Resist bekannt, das durch. Laminieren des vorstehend erwähnten anorganischen Resists auf eine organische Polymerschicht als eine Art Mehrschicht-Resist gebildet wird; vgl. US-SN 35 8O3 (oder entsprechende JP-OS 149 941/80 oder EP-A 0 018 653) "Process für fabrication of an article" sowie die Aufsätze,"Bilevel high resolution photolithographic technique' for use with wafers with stepped and/or reflecting surfaces" (J.Vac.Sci.Technol., 16(6), November/Dezember 1979, S. 1977-1979) und "Submicron optical lithography using an inorganic resist/polymer bilevel scheme" (J.Vac.Sci.Technol., 17 (5), Sept./Oktob. 1980, S..1169-II76). Ein derartiges Zweischicht-Resist hat die folgenden Vorteile: .
Das Glätten einer nichtplanaren Substratoberfläche mit Hilfe der Schicht aus organischem, polymerem Resistmaterial sowie die Bildung einer feinen Struktur oder eines abge- .
35, stuften oder stark reflektierenden Substrats mit Hilfe des anorganischen Resistmaterials sind aufgrund der hohen
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optischen. Absorption einfach. Ferner ist die Bildung einer dicken Polymer-Resiststruktur mit rechteckigem /Querschnitt .ebenfalls einfach, und daher hat der vorstehend'erwähnte ". Zweischicht-Resist vorteilhafte Anwendungseigenschaften im S Hinblick auf eine Bearbeitung, bei der ein starker Wider-, stand für die Ätzmaske, erforderlich ist, beispielsweise beim reaktiven Ionenätzen oder; beim Ionenstrahiatzen. Das , • vorstehende Verfahren zum Bilden des Zweischicht-Resist
ist ebenfalls vorteilhaft bei der Herstellungvon: Maskento strukturen für die Ionenimpläntationv.. '
• Es verbleiben jedocE noch die folgenden ITachteile in} Hinblick auf; den anorganischen. Resist^ der Wbenfalls bei der
' . Strukturher st ellung unt er, Verwendung <ies Zwei'ichicht-
T5 Resist eingesetzt wird. Insbesondere sind, die"feidingungen beim;Belichten und Entwickeln f^dön anorganischen Resist unterschiediich-''für; -feine Strukturen im Vergleich zu relativ großen Strukturen. Wenn ,daher diese Bedingungen in geeigneter Weise; eingestellt" sind, wenn die feinen und grÖbe- ren" Strukturen getrennt gebildet werden, so ist es möglich", die Qualität dieser Strukture«. zii:vergleichmäßigen. Im allgemeinen, insbesondere bei IiSI-Schaltkr eis en \. sind jedoch sowohl die groben (großen) als auch die kleinen (feinen) Strukturen vorhanden. Bei der Ausbildung von Reliefs mit derartigen großen und kleinen Strukturen sind daher entweder die eine oder.die ändere Struktur oder sogar^die beiden Strukturen qualitativ unzureichend, wenn die Ausbildung der Strukturen des vorstehend erwähnten Zweischicht-Resist unter den gleichen Belichtungs- und Entwicklungs-Bedingüngen für den anorganischen Resist bei den beiden Strukturen erfolgt. Daher kann ein Relief mit großen und kleinen Strukturen nicht in zufriedenstellender Weise hergestellt werden, indem lediglich ein derartiges Zweischicht-Resist ver-V wendet wird.
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Ferner besteht die Schwierigkeit beim Ausrichten der Maske für ein derartiges Zweischicht-Resist. Bei der zunehmend populärer werdenden Projektionsbelichtung erfolgt die Ausrichtung der Maske automatisch durch Feststellen des reflektierten Lichts von einer Richtmarke auf dem Substrat. Die besonders vorteilhaften Merkmale des Zweischicht-Resist bestehen jedoch, wie vorstehend ausgeführt, in dem Glätten der Substratoberfläche und in der Beseitigung des reflektierten Lichts von dem Substrat. Daher erhält man von der mit dem Zweischicht-Resist bedeckten Richtmarke kein reflektiertes Licht, so daß die vorstehend erläuterte Ausrichtung der Maske unmöglich wird. Ferner werden bei einem derartigen Zweischicht-Resist sowohl die Polymerschicht als auch die anorganische Resistschicht immer gemeinsam behandelt, während keine dieser Sch'ich~t£n einzeln strukturiert ist. Dies bedeutet, daß die Anwendung des Zweischicht-Resist bei verschiedenen Strukturausbildungen nicht in Betracht gezogen wird.
Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, die vorstehenden Nachteile zu vermeiden und ein Verfahren zur Bildung von Strukturen anzugeben, das in großem Umfang eingesetzt werden kann und verschiedene Strukturbildungs--• maßnahmen umfaßt; ferner soll das Verfahren dieHerstellung eines Musters mit hoher Auflösung ermöglichen.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht eine Mehrschicht-Verb indungs struktur unter Verwendung der organischen,Resist-Resist^aS^efne*2"1 or9anischen Polymer in einem Zv/eischichtisolierende Zwischenschicht. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kann ferner eine dünne Schichtstruktur durch ein Abhebeverfahren in vorteilhafter Weise gebildet werden, indem ein Zweischicht-Resist eingesetzt wird.
Die Erfindung wird nachstehend mit Bezug auf die Zeichnung erläutert. Es zeigen:
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FIg. -1 bis 6 jeweils Querschnitte zur Erläuterung von verschiedenen Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens.' . ."'."'
Gemäß der in den Fig. 1a bis 1i dargestellten ersten Aus- ' führungsform wird ein Fenster auf einer Aussparung 1b ausgebildet, die auf der Hauptfläche la eines zu bearbeitenden Substrats 1 gebildet ist. Bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen oder dergleichen wird häufig bei derartigen nichtplanaren Oberflächen das Photoätzverfahren angewendet. Das Substrat 1 weist gemäß Fig. 1a eine derartige Struktur auf, die man durch Aufbringen einer ersten Schicht 1d aus einem SiIiciumoxid-Film erhält, um ein vorgegebenes Muster auf der Hauptfläche eines Halbiert erwafers 1c aus Silicium durch Photoätzen zu erhalten; ferner wird eine zweite Schicht 1e aus SiOg, Aluminium oder dergleichen auf der Haupt fläche des·. Halble it erwafers 1c aufgebracht, um dessen gesamte Oberfläche einschließlich der ersten Schicht 1d abzudecken.
.
Um ein Fenster auf der Aussparung 1b des Substrats 1 mit der vorstehend erläuterten Struktur auszubilden, wird zunächst eine Schicht 2 aus einem Resistmaterial aus einem organischenPolymer, im folgenden als "organisches (polymeres) Resistmaterial" bezeichnet, auf der Hauptfläche des
Substrats 1 gebildet, um dessen gesamte Oberfläche gemäß Fig. 1b abzudecken. Als derartiges organisches Resistmaterial kann
jeweils solches Material verwendet werden, das eine ausreichende Adhäsion gegenüber der zweiten Schicht 1e des Substrats 1 unabhängig von der negativen oder positiven Typzuordnung aufweist. So können beispielsweise alle Resistmaterialien etwa mit den Handelsnamen CBR, KPR, OSR, OMR, KMER, KTFR, Waycoat oder AZ vorzugsweise eingesetzt werden.
Unter anderem ist besonders ein Resistmaterial bevorzugt, das cydisierten Polybutadien-Kautschuk als Hauptbestandteil aiaifweist, z.B. das negative Photoresistmaterial CBR-M901 (der Firma Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), da ein
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derartiges Photoresistmaterial ausgezeichnete Eigenschaften hinsichtlich der Wärmebeständigkeit aufweist. Die.Filmdicke eines derartigen Resistmaterials kann in einem Bereich liegen, in dem das Resistmaterial keine feinen Löcher (Porösitat) bildet, sondern die nichtplanare Oberfläche des Substrats 1 vollständig bedeckt; es ist bevorzugt, daß die
Dicke des Resistmaterials im Bereich von etwa 1000 A bis zu mehreren ,um liegt.
Zunächst wird die so gebildete Schicht 2 aus organischem, polymerem Resistmaterial nach einem bekannten Verfahren durch Wärmeeinwirkung vorbehandelt; danach wird die Resistschieht 2 belichtet, um zumindest einen Teil, der. den nichtplanaren Abschnitt des Substrats 1 bedeckt, zu belassen, und schließlich wird die so belichtete Resistschicht 2 in .bekannter Weise-entwickelt, um ein erstes gewünschtes Muster mit der Resistschicht 2 auf der Hauptfläche 1a des ' Substrats 1 gemäß Fig. 1c zu bilden. Danach wird die mit dem gewünschten Muster versehene Resistschicht 2 zum Ausharten wärmebehandelt. Die hierbei erforderliche Temperatur ' wird bestimmt durch den Typ des verwendeten Resistmaterials. Bei Verwendung von CBR-M901 ist beispielsweise eine Temperatur von etwa 200 bis 25O0C bevorzugt. Bei. dieser Wärmebehandlung zeigt das Resistmaterial 2· ein Erweichen und Verfließen, das allgemein als sogenannter "Resistfluß" (engl. ".resist flow") bezeichnet wird. Dadurch wird eine nichtplanare Oberfläche der Hauptfläche des Substrats 1 merklich auf der Oberfläche der Resistschicht 2 ausgeglichen oder vergleichmäßigt,'so daß es für die nachfolgende
·
Bildung der anorganischen Resistschicht und beim Photoätzen besonders vorteilhaft ist.
Danach, werden gemäß Fig. 1d nacheinander eine Schicht 3a aus Glasmaterial auf der Basis von Selensowie eine Schicht 3b aus Silber oder enthaltend Silber auflaminiert, um die gesamte Häuptflache des Substrats 1 mit der Resistschicht 2 zu bedecken,
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mit dei· das erste gewünschte Muster gebildet, wird j danach ' wird das. Muster nach einem an sich "bekannten" Verfahren einer Hitzehärtung- unterzogen,-um eine Schicht 5 aus anorganischem Hesistmateriai zu bilden (vgl, US-PS 4 127 4-14)· Wenn die anorganische -Realstschicht mit einem zweiten gewünschten Muster rn^ Licht oder mittels eines, beschleunigten Teilchenstrahls 4, beispielsweise einem Elektronenstrahl, belichtet worden ist, wird dann derbelichtete Abschnitt der Se-Glasschicht 3a mit Silber dotiert, um einen mit Silber dotierten Bereich Je zu bilden. Ferner;wird gemäß Pig. 1f das Sübstrai; durch Ätzen entwiqkelt> vuff die Schicht 5b aus SiIb er oder enthalt end Silber j".- die auf den unbelichteten VAbschnittander anorganischen Resistschicht verblieb, sowie die -n|.chtdotierte Se-G3.iasschicht tja in t5 an. sich bekannter Weise! zu entfernen j dadurch kann das zweite gewünschte Mustek mit Hilf:-e del?"auorganischen Resistschicht 3 gebildet jrerden. Als Se^Grlasmaterial,/ das die anorganische Resistschicht"5 Mldet^ kann jegliches Material verwendet werden, das durch.-Bestrahlen mit Licht . oder^ einem l?eschleunigt#n Teilchenstrahl 4 din^ SiIr berdotierung zeigt; bevorzugt ist jedoch ein binäres Glas enthaltend Se und Ge, ihsbesondere ein Material mit einer Zusammensetzung von etwa 80 Atomprozent^ Se und etwa 20 Atomprozent Ge,im Hinblick aur die Auflösung und Empfindlichkeit der anorganischen Resistschicht 3. Ferner sollte die Schichtdicke dieser Se-Glasschicht 3a in einem Bereich liegen, in dem die Schicht ohne Ausbildung von feinen Löchern oder Poren gebildet werden kann; vorzugsweise liegt die Dicke im Bereich von etwa einigen hundert A bis zu 1 μΐη. " ■ ... '
Danach erfolgt gemäß. Fig. 1g das Ätzen unter Ausnutzung der anorganischen Resistschicht 3, auf der das zweite gewünschte Muster, d.h. der Ag-dötierte Bereich 3c als Maske aus-3^ gebildet worden ist; dadurch werden die Bereiche der organischen Resistschicht 2 entfernt, die nicht durch diese
Madceabgedeckt sind. Dieses Ätzen kann durch ein Naßverfahren erfolgen, bei dem ein geeignetes Lösungsmittel, das das erwähnte organische Resistmaterial auflösen kann, verwendet wird; bevorzugt ist jedoch ein Trockenätzverfahren mit Hilfe eines Sauerstoffgas-Plasmas, und insbesondere ein Ätzverfahren mit Richtungswirkung, wie ein reaktives ' Ionenätzverfahren, bei dem eine parallele, ebene, plattenförmige Plasmaätzvorrichtung verwendet wird. Im letzteren Fall schreitet das Ätzen lediglich in Dickenrichtung des Substrats fort, so daß keinerlei Untersehneidungen auftreten und die hohe Auflösung'(Genauigkeit) der anorganischen Resistschicht 3 nicht beeinträchtigt wird. Daneben hat das Se-Glasmaterial einen sehr starken Widerstand gegenüber einer derartigen Trockenätzbehandlung mit Hilfe des Sauerstoffgas-Plasmas, und daher ist die Se-Glasschicht für eine Ätzmaske sehr geeignet.
Gemäß Pig. 1h wird dann die zweite Schicht 1e im Substrat 1 unter Ausnutzung der anorganischen Resistschicht 3» die zur Erzeugung des zweiten gewünschten Musters ausgebildet worden ist, und .der organischen, polymeren Resistschicht 2 geätzt, auf die' das vorerwähnte Muster als Ätzmasken aufgetragen worden ist. Das Ätzen erfolgt beispielsweise mit Hilfe eines Naßätzverfahrens unter Verwendung eines bekannten Ätzmittels, das von dem Material der zweiten Schicht 1e abhängt; wenn beispielsweise die zweite Schicht 1e aus SiOp oder Al besteht, so wird als Ätzmittel-Puffer Flußsäure oder heiße konzentrierte Phosphorsäure verwendet. Alternativ kann ein Trockenätzverfahren angewendet werden, bei dem ein für das Material der zweiten Schicht 1e geeignetes Gas eingesetzt wird. Ferner kann die Ätzbehandlung der organischen, polymeren Resistschicht 2 gemäß Pig. 1g. auch durch ein Trockenätzverfahren erfolgen, bei dem Sauerstoffgas' verwendet wird, während ein anderes Ätzverfahren anschlie- · ßend für die zweite. Schicht 1e angewendet wird, inwdem lediglich das Sauerstoffgas durch ein anderes Ätzgas in der
gleichen Vorrichtung ersetzt wird.
Die Entwicklungsbehandlung für die anorganische Resistschicht 3 gemäß Fig. 1f kann durch ein Plasmaätzen erfolgen, bei dem verschiedene Freongase verwendet werden, so daß alle Behandlungen für die anorganische Resistschicht 3» die organische . ■ Resistschicht 2 und die zweite Schicht 1e gemäß den Fig. 1f, Ig bzw. 1h in der gleichen Ätzvorrichtung· erfolgen können, so daß.die Verfahrensschritte bemerkenswert vereinfacht werden können.
Wenn dann die anorganische Resistschicht 3 und die organische, polymere Resistschicht 2 gemäß Pig·. 1i entfernt sind, erhält man das Substratmaterial 1 in der mit einem Fenster 1f ausgebildeten Aussparung 1b. Bei dieser Materialr entfernung kann in beliebiger Weise vorgegangen werden, soweit nur die zweite Schicht 1e nicht beschädigt wird; so kann beispielsweise diese Behandlung unter Verwendung einer Mischlösung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid oder unter Verwendung von heißer, konzentrierter Schwefelsäure erfolgen; bei einem anderen Verfahren erfolgt zunächst das Entfernen der anorganischen Resistschicht 3 durch Eintauchen des Substrats in eine schwache alkalische Lösung während eines längeren Zeitraums, und danach wird die organische, polymere Resistschicht' 2 mit Hilfe beispielsweise eines Sauerstoff-Plasmas entfernt.
Obwohl bei der vorstehend erläuterten Ausführungsform lediglich der Fall erläutert worden ist, bei dem ein-Fenster
in der Aussparung auf der Oberfläche des Substrats ausgebildet ist, so bezieht sich dennoch diese Lehre allgemeiner auf ein Verfahren zum Ausbilden von Mustern, die erfindungsgemäß auf einer nichtplanaren Substratfläche ausgebildet werden. Daher ist die erfindungsgemäße Lehre bei der Ausbil-
dung von verschiedenen Mustern anwendbar, beispielsweise bei der Bildung eines Fensters bei konvexen Abschnitten
oder auf einem Substrat mit einer abgestuften Oberfläche, uin
die gleichen vorteilhaften Eigenschaften zu erzielen.
Bei der in den Fig. 2a bis 2c erläuterten zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens werden vor den Verfahrensschritten gemäß der Fig. 2a bis 2c zunächst ähnliche Verfahrensschritte entsprechend den Fig. 1a bis "Ig durchgeführt. Insbesondere wird zunächst das erste gewünschte Muster mit der organischen, polymeren Resistschicht 2 auf dem Substrat 1 gebildet, und danach wird darauf das zweite gewünschte Muster mit der anorganischen Resistschicht 3 gebildet, um das Muster auf die organische
Resistschicht 2 zu' übertragen. Danach wird die anorganische Resistschicht 3 gemäß Fig. 2a entfernt, und eine auf dem Substrat 1 zu bearbeitende Schicht, d.h. die zweite Schicht 1e aus beispielsweise Al, wird dann unter Ausnutzung der organischen, polymeren Resistschicht 2 als Maske gemäß Fig. 2b geätzt. Wenn schließlich die verbliebene organische, polymere Resistschicht 2 entfernt wird, erhält man ein gewünschtes Relief einschließlich großer und kleiner Muster gemäß Fig. 2c.
Gemäß vorstehender Beschreibung bezieht sich die vorliegende Ausführungsform auf ein Verfahren, bei dem die organi-
^5 sehe, polymere Resistschicht 2, die bei der ersten Ausführungsform gemäß-Fig. 1a bis.1i lediglich zum Abdecken und Glätten der nichtplanaren Substratoberfläche diente, in stärkerem Maße als effektive Maske zum Ausbilden eines relativ groben Musters auf dem Substrat 1 dient. Durch funktionelles Unterteilen des Verfahrens beim Ausbilden des Musters, d.h. wenn feine und gröbere Muster auf einem Substrat mit Hilfe eines anorganischen bzw. eines organischen, polymeren Resistmaterials gebildet werden, wird es vorteilhaft, ein Relief mit einem feinen Muster in einem Bereich von mehreren ium bis in den Submikron-Bereich sowie ein grÖ-
beres Muster auf der Substratoberfläche zu bilden, das nicht.
diese hohe Genauigkeit erfordert. Ein derartiges Beispiel findet man häufig bei der gleichzeitigen Ausbildung eines feinen Metallisierungsmusters mit Anschlußkissen-Müstern von integrierten Schaltkreisen, so daß die zweite erfindungsgemäße Ausführungsform besonders in diesen Fällen vorteilhaft ist. ■ -./ : V ;': ■'· , . V
Bei der zweiten .Ausführungsform wird das mit der. anorganischen Resistschicht·3 gebildete feine Muster auf die örganische, polymere Resistschicht 2 übertragen, und danach erfolgt das Ätzen der zu bearbeitenden.Schicht entsprechend dem gröberen Muster unter Ausnutzung der organischen, polymeren Resistschicht 2; dieses Verfahren kann Jedoch' etwas modifiziert werden;
So kann beispielsweise ein gröberes Muster mit der organi- ·-.-"■ sehen, polymeren Resistschicht 2 gemäß Pig; 1c, gebildet · " werden, und danach werden die zweiteSchicht 1e und die erste Schicht 1d, die zu bearbeiten sind, einer A'tzbehandlung unterzogen, um die Schichten le.und 1d, ,soweit sie . nicht mit der gemusterten, organischen, polymeren Resistschicht 2 bedeckt sind, zu entfernen (vgl. Fig. 5a).
Danach wird gemäß Fig. 3b die anorganische Resistschicht 3 bestehend aus der Se-Glasschicht. 3a und der Schicht 3b aus oder enthaltend Silber, auf der gesamten Hauptfläche der gemusterten, organischen, polymeren ,Resistschicht., die der Härtung unterworfen wird, sov/ie auf der Oberfläche des zu bearbeitenden Materials ausgebildet, die durch die Itzbehandlung freigelegt worden ist, d.h. die Hauptoberfläche des Substrats 1 (Halbleiter-wafer 1c in Fig. 3b), um die beiden Oberflächen zu bedecken. Wenn dann die Bestrahlung mit dem gewünschten feinen Muster mit Hilfe von Lieht oder einem beschleunigten Teilchenstrahl 4- erfolgt, beispielsweise einem Elektronenstrahl, so wird die Se-Glasschicht 3a in dem bestrahlten Bereich mit Silber dotiert, um gemäß
Pig. 3c den mit Silber dotierten Bereich. 3c zu "bilden. Die Entwicklung des.Substrats erfolgt durch Ätzen, um die Schicht 3b, die Silber enthält oder aus Silber besteht und die auf den unbelichteten Abschnitten der anorganischen Resistschicht 3 verblieb, sowie die Se-Glasschicht 3a, die nicht mit Silber dotiert ist, in an sich bekannter V/eise zu entfernen, so daß man gemäß Pig. 3d mit der anorganischen Resistschicht 3 ein feines Muster erhält.
Danach ätzt man unter Ausnutzung der feingemusterten, anorganischen Resistschicht 3i d.h. des silberdotierten Bereichs 3c, als Maske, um einen Teil der organischen, poly- , meren Resistschicht 2 zu entfernen, der nicht mit dieser Maske abgedeckt ist, so daß das· feine Muster gemäß Pig. 3e auf die organische, polymere Resistschicht 2 übertragen wird. Danach wird die zweite Schicht 1e aunf dem Substrat 1 unter Ausnutzung der feingemusterten, anorganischen Resistschicht 3 und der organischen, polymeren Resistschicht 2 . geätzt, auf die das feine Muster als Maske übertragen worden ist. (vgl. Pig. ^t). Schließlich werden die anorganische Resistschicht 3 und die organische, polymere Resistschicht entfernt, um das gemusterte Substrat 1 zu erhalten, wobei das Fenster 1f in der Aussparung 1b gebildet wird (vgl.
Pig.. 3g). ■
Bei den beiden vorstehenden Ausführungsformen werden die organische, polymere Resistschicht mit dem ersten gewünschten Muster sowie die anorganische Resistschicht mit dem zweiten gewünschten Muster lediglich als Ätzmaske für die Musterung des zu bearbeitenden Substrats verwendet, und schließlich werden die beiden Resistschichten entfernt. Es ist jedoch möglich, die organische, polymere Resistschicht auf dem Substrat ohne Vornahme der Entfernung zu belassen, und eine derartige Schicht wird funktionell als Strukturelement der Halbleiteranordnung verwendet.· Als typisches Beispiel hierfür kann die Bildung einer isolierenden Zwischenschicht für die
Γ " "-"i9- ■ Π
MehrSchichtenverbindung in integrierten Schaltkreisen angesehen werden.
. Die Fig. 4-a bis 4-j zeigen eine vierte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens. Gemäß Fig. 4-a ist bei dem Substrat 5 eine Isolierschicht 5b aus SiOp auf der Hauptfläche des Halbleiter-wafers aus Silicium ausgebildet, und auf dieser Isolierschicht' 5b befinden sich Leiterschichten 5c und 5d aus beispielsweise Al, polykristallinem Silicium oder Molybdän.
Beispielsweise ist die Hauptfläche eines-derartigen Substrats 5 mit einer derartig gemusterten Oberschicht versehen, die beispielsweise gegenüber der Leiterschicht 5c mit Hilfe einer isolierenden Zwischenschicht elektrisch isoliert ist, die Leiterschicht 5d kontaktiert und .sich von einer Stelle auf der isolierenden Zwischenschicht zur Isolierschicht 5b erstreckt. In diesem Fall wird zunächst eine organische, polymere Resistschicht 2 auf die gesamte Oberfläche des Substrats gemäß Fig. 4b' aufgebracht. Für die organische, polymere Resistschicht 2 kann irgendeines der entsprechenden Resistmaterialien der vorstehenden Ausführungsformen verwendet werden, wobei ein Resist, das cyclisierten Polybutadien-Kautschuk als Hauptbestandteil enthält, besonders bevorzugt .ist, da dessen elektrische Eigenschaften als isolierende Zwischenschicht, insbesondere der Isolationswiderstand sowie die Eigenschaften hinsichtlich der dielektrischen Verluste ausgezeichnet sind. Danach wird gemäß Fig. 4c die organische, polymere Resistschicht 2 in üblicher Weise mit einem Muster .versehen, um das Muster für die isolierende Zwischenschicht zu bilden. Danach folgt eine ähnliche Wärmebehandlung wie bei dem vorstehenden Ausführungsbeispiel, so daß das organische, polymere Resistmaterial der gemusterten Schicht 2 ausgehärtet wird. Danach wird gemäß Fig. 4-d die anorganische Resistschicht 3 auf der organischen, polymeren Resistschicht 2 und der Isolier-
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schicht 5b ausgebildet, um die gesamte Oberfläche der organischen, polymeren Resistschicht 2 und die freilegenden Abschnitte der Isolierschicht |?b auf der Hauptfläche des Substrats 5 zu bedecken; danach erfolgt gemäß Fig. 4e die Bestrahlung mit Hilfe von Licht oder einem beschleunigten !Teilchenstrahl 4, z.B. einem Elektronenstrahl, mit einem Muster, so daß man ein Fenster auf der Resistschicht über der Leiterschicht 5d erhält. Gemäß Fig. 4f wird die anorganische Resistschicht J entwickelt, und die organische, polymere Resistschicht 2 wird gemäß Fig. 4g geätzt, und schließlich wird die anorganische Resistschicht 3 gemäß Fig. 4h entfernt * Danach wird die obere Leiterschicht 6 auf der gemusterten, organischen, polymeren Resistschicht und der Isolierschicht 5b ausgebildet, um die gesamte Oberfläche der gemusterten Resistschicht 2 und der freiliegenden Abschnitte der Isolierschicht 5b auf der 'Hauptfläche des Substrats 5 gemäß Fig. 4e zu bedecken; schließlich . wird das so behandelte Substrat in an sich bekannter Weise weiterbehandelt, um das gewünschte Muster zu erhalten; gemäß Fig. 4j erhält man ein Muster mit zwei Leiterschichten, wobei die organische, polymere Resistschicht 2 als isolierende Zwischenschicht dient.
Obwohl die vorstehenden Ausführungsformen im Zusammenhang mit Zweischicht-^Mustern erläutert worden sind, können im Rahmen der Erfindung auch Mehrschicht-Muster mit drei oder mehr Schichten durch Wiederholen der vorstehend erläuterten Verfahrensschritte hergestellt werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist ferner besonders vorteilhaft bei der Bildung von Dünnschicht-Mustern mit dem sogenannten Abhebeverfahren. Wenn beispielsweise ein feines Dünnschicht-Muster auf einer Aussparung in der Häuptfläche eines nichtplanaren Substrats 7 gemäß den Fig. 5ä bis 5c ausgebildet wird, erfolgen diese Musterherstellung, bei der die Gesamtfläche der Aussparung mit der organischen, poly-
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meren Resistschicht 2 abgedeckt wird, sowie die Bildung des feinen Musters mit Hilfe der anorganischen Resistschicht 3 in ähnlicher Weise wie bei der vorstehenden Äusführurigsform, und danach wird die organische, polymere Resistschicht 2 einer Itzbehandlung unter Verwendung ^es mit Silber dotierten Bereichs 3c in der anorganischen Resistschicht 3 als Maske zur Bildung des feinen Musters gemäß Fig. 5a unterworfen. Danach wird eine gewünschte Dünnschicht 8 ausgebildet, um die anorganisehe Resistschicht und die gesamte Haupt fläche auf dem Substrat 7 gemäß ■; FIg. 5ί>; zu bedecken; wenn schließlich die^ organische, ;pοIymere Reslstschlcht 2 und; die anorganische Resisilschiciit
; entfernt werden, wird gleichzeitig die DÜnaschlcSt .& auf der anorganischen Resistschicht 3 entfernt:, so daß^man das gewünschte Dünnschicht -Muster gemäß FIg, 5ö erhält. ■
Selbst wenn, die Verfahrenssehritte der vorstehenden vierten Ausführungsform etwas modifiziert werden;, kann man einv ahn-
. liches dünnes Schichtmuster erhalten. ÄeispieiLsweiiäe wird gemäß Fig. 5a ein feines Muster nilt der anorganischen Resistschicht 3 auf die organische,, polymere Resistschicht übertragen; danach wird lediglich die.anorganische Resistschicht 3 gemäß Fig. 6a entfernt, eine: Dünnschicht 8 wird auf der organischen, polymeren Resistschicht 2 und der Hauptfläche des Substrats 7 gebildet, die. nicht mit der organischen, polymeren Resistschicht 2 bedepkt ist (vgl. Fig. 6b) und schließlich wird die organische, polymere Resistschicht 2 zusammen mit· der darauf befindlichen Dünnschicht 8 entfernt, so daß ein -gewünschtes-Dünnschicht-Muster gemäß Fig. 6c gebildet wird. Dieses Verfahren ist insbesondere zur Ausbildung eines Reliefs mit groben und feinen Mustern vorteilhaft. '
Das erfindungsgemäße Verfahren zum Ausbilden von Mustern weist, wie vorstehend ausgeführt, die folgenden Verfahrensschritte auf: Ausbilden eines ersten gewünschten
Musters mit einer organischen, polymeren Resistschicht, Wärmebehandeln dieser gemusterten organischen, polymeren Resistschicht, Ausbilden einer anorganischen Resistschicht auf der gemusterten, organischen, polymeren Resistschicht, um deren gesamte Oberfläche zu bedecken, Ausbilden eines zweiten gewünschten Musters mit der anorganischen Resistschicht und schließlich Übertragen des erhaltenen zweiten gewünschten Musters auf die organische, polymere Resistschicht. Das erfindungsgemäße Verfahren hat insbesondere
.10 die nachstehenden ausgezeichneten Eigenschaften:
Das mit der organischen, polymeren Resistschicht gebildete erste gewünschte Muster dient zum Abdecken und Glätten der gesamten, nichtplanaren zusammengesetzten Abschnitte eines Substrats oder der Bildung eines relativ großen (groben) Musters. Daher ist eine hohe Genauigkeit des Musters nicht erforderlich, so daß bei der Erfindung die organische, polymere Resistschicht im Vergleich zur Strukturausbildung mit einer üblichen organischen, polymeren Resistschicht stark verdickt werden kann. Aus diesem Grund nimmt der Ätzwiderstand zu, wenn diese organische, polymere Resistschicht als Maske zur Ätzbehandlung eines Substrats verwendet wird. Daher können in vorteilhafter Weise die Einsatzmöglichkeiten eines zu bearbeitenden Substrats vergrößert werden, unterschiedliche Ätzmittel und Ätzgas können eingesetzt werden, und feines und tiefes Ätzen wird möglich.
Neben der Zunahme der Schichtdicke.der organischen, polymeren Resistschicht ist die Wärmebehandlung nach der Must er ausbildung der organischen, polymeren Resistschicht .besonders vorteilhaft zum Glätten der nichtplanaren Abschnitte eines Substrats, und diese Tatsache ist eng verknüpft mit einer Verbesserung der Genauigkeit des gebildeten Musters im nachfolgenden Verfahrensschritt zum Ausbilden des Musters mit einer anorganischen Resistschicht.
Daher ist es sehr einfach, eine feine Musterbildung mit hoher Genauigkeit auf der Oberfläche eines Substrats mit
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deutlich nichtplanaren Abschnitten vorzunehmen, auf dem bisher präzise Muster kaum ausgebildet werden konnten, so daß man erfindungsgemäß die hochauflösenden Eigenschaften einer anorganischen Resistschicht optimal ausnützen
5· kann. Ferner ist die Zunahme der Schichtdicke piner Resistmaske einfach, und daher ist das erfindungsgemäße Verfahren besonders vorteilhaft zur Ausbildung einer Maske mit hoher Genauigkeit beispielsweise für die hochenergetische Ionenimplantation oder für die Ionenstrahlätzung eines stark ätzbeständigen Materials, wie'. LiNbO,·
Wenn ferner der erfindungsgemäße Verfahrensablauf funktionell derart unterteilt wird, daß ein relativ grobes Muster mit einer organischen, polymeren Resistschicht und ein feines Muster mit.einer anorganischen Resistschicht gebil-■det wird, können die Bestrahlungsquelle oder -die Art der Bestrahlung beim Bestrahlen jedes Musters geändert werden. Wenn daher die Art der Bestrahlung entsprechend der gewünschten Genauigkeit bei jeder Musteraiisbildung derart ausgewählt wird, daß beispielsweise Licht oder ein Elektronenstrahl für grobe bzw.. feine Muster verwendet wird, kann die gewünschte Genauigkeit aufrechterhalten werden, und gleichzeitig kann die Bestrahlungszeit im Vergleich zur Bestrahlung aller Muster mit beispielsweise dem Elektronenstrahl stark reduziert werden, so daß der. Produkt durch sat ζ erhöht werden kann. '
Wenn ferner erfindungsgemäß ein Muster auf einer organischen, polymeren Resistschicht' mit Hilfe einer Richtmarkierung zum Ausrichten einer Maske gebildet wird, so kann lediglich ein markierter Abschnitt bestrahlt werden. Daher tritt das nachteilige Problem nicht auf, daß das reflektierte Licht von einer Maske bei einer Musterbildung nicht gemessen werden kann, wenn ein Zweischicht-Resist verwendet wird; damit ist ein automatisches Ausrichten der Maske im Belichtungssystem möglich.
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Neben verschiedenen Kombinationen der erfindungsgemäßen Verfahrensstufen können beispielsweise Tief- und Flachätzverfahren bei dem zu bearbeitenden Substrat vorteilhaft angewendet werden, und dies ist besonders dann vorteilhaft, wenn die Dicke einer zu bearbeitenden Schicht in den verschiedenen Abschnitten auf der Oberfläche eines Wafers unterschiedlich ist und ein Muster auf einer derartigen zu bearbeitenden Schicht ausgebildet werden soll; dies führt zu einer Vereinfachung der Verfahrensschritte. 10
Da die organische, polymere Resistschicht auf dem Substrat während der Wärmebehandlung nach dem Ausbilden eines Musters' ausreichend ausgehärtet wird, werden die verschiedenen Eigenschaften, wie die Härte, die elektrischen Eigenschäften oder der Warmewiderstand, verbessert, so daß das erfindungsgemäße Verfahren besonders vorteilhaft zur Bildung einer isolierenden Zwischenschicht und bei Anwendung des Abhebeverfahrens wird. Hierauf wird nachstehend noch näher eingegangen.
.
Isolierende Zwischenschichten aus Polymerisaten, wie Kunstharze aus der Gruppe der Polyimide-als typisches Beispiel, sind bekannt; diese Schichten sind jedoch im allgemeinen nicht photoempfindlich, d.h. sie können nicht zur Bildung von Mustern herangezogen werden. Als poly.raere Resistmaterialien, die derartige Eigenschaften der isolierenden Zwi-1schenschichten erfüllen, sind die Resiste aus der Gruppe der cyclisierten Polybutadiene bekannt, und wenn derartige Resiste als organische, polymere Resistschichten erfindungsgemäß eingesetzt werden, so ergeben sich die nachstehenden Vorteile1: In vielen Fällen sind eine Feinheit und hohe Genauigkeit für eine Zwischenschicht erforderlich; da jedoch die Bearbeitung der organischen, polymeren Resistschicht als isolierender Zwischenschicht durch reaktives Ionenätzen unter Verwendung einer anorganischen Resistmaske bei der vorliegenden Erfindung-durchgeführt wird, kann die
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gewünschte Feinheit in ausreichendem Maße erfüllt werden. Wenn jedoch in diesem Fall ein Musterabschnitt der organischen,, polymeren Resistschicht rechteckig wird und dabei ein Leiter kaum in einen schmalen, rechteckigen Zwischenraum zwischen den Mustern beim Ausbilden der Leiterschicht eintritt, so führt dies zu einem Bruch der abgestuften Oberfläche des oberen Leiters. Da erfindungsgemäß ein Muster mit einer anorganischen, polymeren Eesistschicht gebildet wird, weist ein Abschnitt des Musters eine geneigte
1Q Oberfläche auf, wie dies beispielsweise die Schicht 2 in Fig. 1b zeigt. Ein feines Muster mit einem rechteckigen Querschnitt wird mit einem anorganischen Resistmaterial auf der so gemusterten,organischen, polymeren Resistschicht durch reaktives lonenätζen gebildet; danach wird eine obere Leiterschicht auf die gemusterte, organische, polymere Resistschicht mit dem feinen Muster aufgebracht, so daß Zweischichtleiter mit der organischen, polymeren Resistschicht als isolierender Zwischenschicht gebildet werden können. Daneben führen die ,erfindungsgemäßen Maßnahmen zu einem Glätten einer Schicht der Resistoberfläche bei der Zweischicht-Resisttechnik. Da ferner erfindungsgemäß ein Muster mit einer organischen, polymeren Rasistschicht gebildet wird, ergibt sich eine Erhöhung der Flexibilität der Konstruktion und der Ausführung; des Musters der Zwischenschicht.
Bei Anwendung der erfindungsgemäßen Maßnahmen bei der Hirsteilung einer lonenimplantationsmaskt kann fine Maske mit zwei Arten von Ionenstoppfähigkeiten hergestellt werden, ° so daß eine gleichzeitige Bildung von zwei Arten von Implantationsbereichen durch eine einzige Ionenimplantation erzielt werden kann.
Erfindungsgemäß erhält eine organische, polymere Eesistschicht die Funktion eines Musterbildners (Maske), so daß viele Vorteile erreicht werden können, die man mit einer
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einfachen Zweischicht-Resisttechnik nicht erzielen kann; ferner werden Probleme bei der Zweischicht-Resisttechnik gelöst. Wenn insbesondere das erfindungsgemäße "Verfahren zur unterschiedlichen Modifizierung der Musterherstellung herangezogen wird, so kann die Erfindung für verschiedene Muster, Schichtkonstruktionen und' Schichtmaterialien angewendet werden.

Claims (8)

  1. VOSSlUS ■· VOSSIUS .TAOCHWERy- H EUNEMANN · RAUH
    PATENTANWÄLTE
    SIEBERTSTRASSE 4 ■ 8OOO MÜNCHEN ΘΘ · PHON Ει (Ο89) 47 4O 75 CABUEt BENZOLPATENT MÖNCHEN · TELEX 0-28463VOPAT D
    u.Z.: R 650 (He/H) 5. Februar 1982
    Case: TA 82025
    NIPPON !TELEGRAPH AND TELEPHON PUBLIC CORPORATION Tokyo, Japan '
    ' - '
    "Verfahren zum Herstellen von Strukturen oder Mustern"
    Patentansprüche
    ,... . ' ' n)% Verfahren zum Herstellen von Strukturen oder Mustern, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte: .
    a) Ausbilden eines ersten gewünschten Musters aus einer Resistschicht (2) ,aus einem organischen Polymer auf der zu bearbeitenden Oberflache eines Substrats (1), b) Wärmebehandeln der gemusterten, organischen Resistschicht (2), c) Ausbilden einer anorganischen Sesistschicht (3) in Perm eines Laminats aus einer Schicht (3a) aus Glasma terial auf der Basis von Selen und aus einer Schichtfcb)) die aus Silber besteht oder Silber enthält, wobei die anorganische Resistschicht (3) auf der wärmebehandelten, organischen Resistschicht (2) ausgebildet wird, um deren gesamte Oberfläche zu bedecken,
    d) Ausbilden eines zweiten gewünschten Musters mit der anorganischen Resistschicht (3)»
    e) Ätzen zum Entfernen der organischen Resistschicht (2) in einem Bereich, der nicht mit der gemusterten, anorganischen Resistschicht bedeckt ist,
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    f) Ätzen der zu bearbeitenden Schicht in einem Bereich,
    der nicht mit der organischen Resistschicht
    bedeckt ist, und
    g) Entfernen der anorganischen und der organischen Resistschicht (3) bzw. (2).
  2. 2. Verfahren zum Herstellen von Strukturen oder Mustern, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte:
    a) Ausbilden eines ersten gewünschten Musters aus einer Resistschicht (2) aus einen organischen Polymer auf der zu bearbeitenden Oberfläche eines Substrats (1),
    b) Wärmebehandeln der gemusterten, organischen
    Resistschicht (2),
    c) Ausbilden einer anorganischen Resistschicht (3) in
    Form eines Laminats aus einer Schicht (3a) aus Glasmaterial auf der Basis von Selen und aus einer Schicht f3b)( die aus Silber besteht oder Silber enthält, wobei die anorganische Resistschicht (3) auf der wärmebehandelten, organischen Resistschicht (2) ausge-
    bildet wird, um deren gesamte Oberfläche zu bedecken,
    d) Ausbilden eines zweiten gewünschten Musters mit der anorganischen Resistschicht (3)»
    e) Ätzen zum Entfernen der organischen Resistschicht (2) in einem Bereich, der nicht mit der gemusterten, anorganischen Resistschicht bedeckt ist,
    f) Entfernen der anorganischen Resistschicht (3)»
    g) Ätzen der zu bearbeitenden Schicht in einem Bereich, der nicht mit der organischen Resistschicht bedeckt ist, und
    h) Entfernen der. organischen Resistschicht
  3. 3. Verfahren zum Herstellen von Strukturen oder Mustern, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte :
    a) Ausbilden eines ersten gewünschten Musters aus einer Resistschicht aus einem organischen Polymer auf der zu bearbeitenden Oberfläche eines Substrats,
    L J
    ■ .1 b) Wärmebehandeln der gemusterten, organischen
    Resistschicht,
    c) Ätzen zum Entfernen der zu bearbeitenden Schicht in einem Bereich, wo sie nicht mit der gemusterten, or-
    ganischen Resistschicht bedeckt ist,
    d) Ausbilden einer anorganischen Resistschicht in Form eines Laminats bestehend aus einer Schicht aus Glasmaterial auf der Basis von Selen und aus einer Schicht
    aus -
    Silber oder enthaltend Silber, wobei die anorganische Resistschicht auf der warmebehandelten organischen
    Resistschicht und der durch Ätzen bearbeiteten, bestrahlten Schicht ausgebildet wird, um die gesamte Oberfläche der organischen Resistschicht und die Oberfläche der zu bearbeitenden, bestrahlten Schicht zu bedecken,
    e) Ausbilden eines zweiten.gewünschten Musters mit der anorganischen Resistschicht,
    f) Ätzen zum Entfernen der organischen Resistschicht in einem Bereich, wo sie nicht mit der gemusterten, anorganischen Resistschicht bedeckt ist,
    g) Ätzen der zu bearbeitenden Schicht in einem Bereich, wo sie nicht mit der organischen Resistschicht bedeckt ist, und
    h) Entfernen der anorganischen und der. organischen . Resistschicht.
  4. 4. Verfahren zum Herstellen von Strukturen oder Mustern, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte :
    a) Ausbilden eines ersten gewünschten Musters aus einer ,n auff
    ou Resistschicht aus einem organischen Polymer fder zu bearbeitenden Oberfläche eines Substrats, wobei das Substrat mit einer gemusterten Leiterschicht versehen ist,
    b) Wärmebehandeln der gemusterten, organischen Resistschicht,
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    ":.:::- . · - 3203893 r "'-"-I*- ι
    c) Ausbilden einer anorganischen Resistschicht in Form eines Laminats aus einer Schicht aus Glasmaterial auf der Basis von Selen und aus einer Schicht die aus Silber "besteht oder Silber enthält, wobei die anorganische Resistschicht auf der wärmebehandelten, organischen·
    Resistschicht ausgebildet wird, um deren gesamte Oberfläche zu bedecken,
    d) Ausbilden eines zweiten gewünschten Musters mit der anorganischen Resistschicht,
    e) Ätzen zum Entfernen der organischen · Resistschicht in einem Bereich, der nicht mit der gemusterten, anorganischen Resistschicht bedeckt ist,
    f) Entfernen der anorganischen Resistschicht und
    g) Ausbilden eines dritten gewünschten Musters als Leiterschicht auf der organischen Resistschicht und der zu bearbeitenden Oberflächenschicht des Substrats in einem Bereich, wo es nicht durch die · organische Resistschicht abgedeckt ist.
  5. 5. Verfahren zum Herstellen von Strukturen oder Mustern, gekennzeichnet durch die.folgenden Verfahrensschritte : a) Ausbilden eines ersten gewünschten Musters aus einer Resistschicht aus einem organischen Polymer-auf der zu bearbeitenden Oberfläche eines Substrats, b) Wärmebehandeln der gemusterten, organischen Resistschicht,
    c) Ausbilden einer anorganischen Resistschicht in Form
    eines Laminats aus einer Schicht aus einem Glasmaterial
    aus/ auf der Basis von Selen und aus einer Schicht CUeFsTlber besteht oder Silber enthält, wobei die anorganische Resistschicht auf der"wärmebehandelten, organischen
    Resistschicht ausgebildet wird, um deren gesamte' Oberfläche zu bedecken,
    d) Ausbilden eines zweiten gewünschten Musters mit der anorganischen Resistschicht,
    e) Ätzen zum Entfernen der organischen , Resistschicht in einem Bereich, der nicht mit der gemusterten, anorganischen Resist schicht bedeckt ist:, .'·"...
    f) Ausbilden einer dünnen Schicht auf- der anorganischen Resistschicht und der zu bearbeitenden Oberflächenschicht des Substrats in einem Bereich, wo sie,nicht durch die organische Resistschicht abgedeckt sind, und ; · ν . ;, :
    g) Entfernen der anorganischen und der organischen
    · Resistschicht zusammen mitder auf. der:.-. anorganischen Resistschicht aufgebrachten dünnen Schicht. .
  6. 6. Verfahren zum Herstellen von Strukturen oder Mustern, gekennzeichnet durch die folgendenVerfahrensschritte; a) Ausbilden eines ersten, gewünschten Musters aus einer Ilesistschicht aus einem organischen Polymer auf der zu ' bearbeitenden Oberfläche eines Substrats, ' b) Wärmebehandeln der gemusterten, organischen ; Resistschicht, ; , ' : ;; .;; .' ."■■-, ' c) Ausbilden einer anorganischen^^Resistschicht in,Form eines Laminats aus einer Schicht aus Glasmaterial auf der Basis von Selen und aus einer Schicht die aus Silber besteht öder Silber enthält, wobei die anorganische Resistschicht auf der wärmebehandelten, organischen Resistschicht ausgebildet· wird, um deren gesamte Oberfläche zu bedecken, ; λ "-'
    d) Ausbilden eines zweiten gewünschten Musters mit der anorganischen Resistschicht i
    e) Ätzen zum Entfernen der organischen Resistschicht in einem Bereich, der nicht mit der gemusterten, anorganischen Resistschicht bedeckt ist ^
    f) Entfernen der anorganischen Resistschicht,
    g) Ausbilden einer dünnen Schicht auf der organischen
    Resistschicht und der zu bearbeitenden Oberflächenschicht des Substrats in einem Bereich, wo sie nicht durch die organische Resistschicht abgedeckt ist, und '.-■·.-"
    .25
    35
    r : ■·-·. 6ν:-
    h) Entfernen der organischen Resistschicht
    zusammen mit der darauf ausgebildeten dünnen Schicht.
  7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 "bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die organische Resistschicht aus einem Resistmaterial hergestellt ist, das als Hauptbes tandtei l.cyclisier ten Polybutadien-Kautschuk enthält.
  8. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Glasmaterial der anorganischen Schicht (3a) als Hauptbestandteile Selen und Germanium enthält.
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