JPS6338421B2 - - Google Patents
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- JPS6338421B2 JPS6338421B2 JP20695383A JP20695383A JPS6338421B2 JP S6338421 B2 JPS6338421 B2 JP S6338421B2 JP 20695383 A JP20695383 A JP 20695383A JP 20695383 A JP20695383 A JP 20695383A JP S6338421 B2 JPS6338421 B2 JP S6338421B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C21/00—Accessories or implements for use in connection with applying liquids or other fluent materials to surfaces, not provided for in groups B05C1/00 - B05C19/00
- B05C21/005—Masking devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/143—Masks therefor
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、マスク蒸着による配線パターンの
形成方法に関し、詳しくは特定のメタルマスクを
用いて所要の基板上に、所望の薄膜パターンを形
成するようにしたマスク蒸着による配線パターン
の形成方法に関するものである。
形成方法に関し、詳しくは特定のメタルマスクを
用いて所要の基板上に、所望の薄膜パターンを形
成するようにしたマスク蒸着による配線パターン
の形成方法に関するものである。
従来、この種の薄膜パターンの形成方法として
は、所定の回路を有するパターンを得るために、
複数枚のマスクを重ねる必要があり、マスクの枚
数が多数必要であつたり、重ね合せ精度が悪く、
あまり精度の高いパターンを形成することができ
なかつた（特開昭58−67044号公報参照）。
は、所定の回路を有するパターンを得るために、
複数枚のマスクを重ねる必要があり、マスクの枚
数が多数必要であつたり、重ね合せ精度が悪く、
あまり精度の高いパターンを形成することができ
なかつた（特開昭58−67044号公報参照）。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を
除去するためになされたもので、基体部になるメ
ツシユ部にメツキ等の手段でパターンを形成した
箔層を一体構造で作つたメタルマスクにすること
により、比較的複雑な配線パターンを一枚のマス
クで蒸着し、配線パターンを形成することを目的
としている。
除去するためになされたもので、基体部になるメ
ツシユ部にメツキ等の手段でパターンを形成した
箔層を一体構造で作つたメタルマスクにすること
により、比較的複雑な配線パターンを一枚のマス
クで蒸着し、配線パターンを形成することを目的
としている。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図で、
１はメタルマスクを示し、メツシユ２と配線パタ
ーンが形成された箔層３からなつている。４は被
蒸着物で、メタルマスク１に設けられた配線パタ
ーンが正確にパターニングされるようにメタルマ
スク１に密着して載架されている。
１はメタルマスクを示し、メツシユ２と配線パタ
ーンが形成された箔層３からなつている。４は被
蒸着物で、メタルマスク１に設けられた配線パタ
ーンが正確にパターニングされるようにメタルマ
スク１に密着して載架されている。
ここで、メタルマスク１はステンレス製のメツ
シユや銅製のメツシユ上に電鋳等によりニツケル
箔を付与し、配線パターンを形成する。配線パタ
ーンは電鋳と同時に形成することもできるし、全
面電鋳箔を付与してから、写真製版等の手段でパ
ターニングすることも可能である。
シユや銅製のメツシユ上に電鋳等によりニツケル
箔を付与し、配線パターンを形成する。配線パタ
ーンは電鋳と同時に形成することもできるし、全
面電鋳箔を付与してから、写真製版等の手段でパ
ターニングすることも可能である。
前記メタルマスク１のメツシユ２、または配線
パターンが形成された箔層３の少なくともいずれ
か一方が磁性体であることがこの発明の一つの要
件で、後述するマグネツトによる吸引力による被
蒸着物４との密着を確保し蒸着物８が箔層３と被
蒸着物４の間に廻り込むのを防止するのに重要で
ある。
パターンが形成された箔層３の少なくともいずれ
か一方が磁性体であることがこの発明の一つの要
件で、後述するマグネツトによる吸引力による被
蒸着物４との密着を確保し蒸着物８が箔層３と被
蒸着物４の間に廻り込むのを防止するのに重要で
ある。
第２図は第１図の部分平面図を示し、３１は前
記箔層３に形成されたパターンの一部を示し、メ
ツシユ２を貫通して飛来した蒸着物８が被蒸着物
４に選択的に付着するために箔層３の所定部分の
箔が除去されているあき部分を示す。
記箔層３に形成されたパターンの一部を示し、メ
ツシユ２を貫通して飛来した蒸着物８が被蒸着物
４に選択的に付着するために箔層３の所定部分の
箔が除去されているあき部分を示す。
ここで、メツシユとパターンは望ましくは斜交
していることであり、出来る限り回路パターンを
設計する段階で配慮することで、正確かつ精密な
パターンを被蒸着物４に蒸着することができる。
もちろん、メツシユ２と平行したパターンがあつ
ても何ら支障はない。
していることであり、出来る限り回路パターンを
設計する段階で配慮することで、正確かつ精密な
パターンを被蒸着物４に蒸着することができる。
もちろん、メツシユ２と平行したパターンがあつ
ても何ら支障はない。
第３図は実際に蒸着にて、配線パターンを形成
しているところを模式的に示したもので、６は蒸
着チヤンバ、５はマグネツト、７はホルダ、８は
蒸着物を示す。
しているところを模式的に示したもので、６は蒸
着チヤンバ、５はマグネツト、７はホルダ、８は
蒸着物を示す。
ここでは、マグネツト５はメタルマスク１が均
等に被蒸着物４に密着できるように、複数個の小
片を所定位置に配しているが、シート状のマグネ
ツトやあるいは適当な電磁石にすることは可能で
ある。また、マグネツトの強さは被蒸着物４を貫
通して少なくともメタルマスク１を吸引し、被蒸
着物４に密着する程度でよい。７は前記被蒸着物
４等を保持し、通常は自公転が可能な構造を有す
るホルダで、複数個の被蒸着物４を保持できる。
８は電子ビーム等の加熱源（図示せず）により加
熱され、蒸発された微量子からなる蒸着物を示
し、適当な速度で飛びメタルマスク１のパターン
を貫通して被蒸着物４に蒸着され、所望の配線パ
ターンが形成される。
等に被蒸着物４に密着できるように、複数個の小
片を所定位置に配しているが、シート状のマグネ
ツトやあるいは適当な電磁石にすることは可能で
ある。また、マグネツトの強さは被蒸着物４を貫
通して少なくともメタルマスク１を吸引し、被蒸
着物４に密着する程度でよい。７は前記被蒸着物
４等を保持し、通常は自公転が可能な構造を有す
るホルダで、複数個の被蒸着物４を保持できる。
８は電子ビーム等の加熱源（図示せず）により加
熱され、蒸発された微量子からなる蒸着物を示
し、適当な速度で飛びメタルマスク１のパターン
を貫通して被蒸着物４に蒸着され、所望の配線パ
ターンが形成される。
なお、蒸着物８は被蒸着物４との密着度等を確
保するため、クロム、銅等多層金属が望ましい。
保するため、クロム、銅等多層金属が望ましい。
また、配線パターンが形成された箔層３はメツ
シユ２により影になる部分を防ぐために必要な間
隙を得るため少なくとも0.5μｍ以上の厚さが必要
である。なお、上限については特に制限を設ける
ものではないが、メタルマスク１の製造上等から
の制約がある。
シユ２により影になる部分を防ぐために必要な間
隙を得るため少なくとも0.5μｍ以上の厚さが必要
である。なお、上限については特に制限を設ける
ものではないが、メタルマスク１の製造上等から
の制約がある。
なお、上記実施例ではメタルマスク１に金属素
地のまま適用したが、洗浄効果を向上させるため
に金等のメツキをコートすることが有効である。
地のまま適用したが、洗浄効果を向上させるため
に金等のメツキをコートすることが有効である。
さらに、メタルマスク１表裏を逆にして蒸着し
ても支障のない場合は、その表裏の選択は自由に
できることは言うまでもない。
ても支障のない場合は、その表裏の選択は自由に
できることは言うまでもない。
以上のようにこの発明は、使用するメタルマス
クを、メツシユとパターンが形成された箔の二層
で構成したので、環状の回路部分のようなパター
ンであつても、また曲がりくねつた細いパターン
であつても何ら支障なく蒸着を行うことができ
る。基板に密着させることができ、そのためメタ
ルマスク１枚で正確、かつ、精密な配線パターン
をセラミツク等の絶縁基板上に形成することがで
きる。加えて安価で、かつ、迅速に回路基板を提
供することができる利点がある。
クを、メツシユとパターンが形成された箔の二層
で構成したので、環状の回路部分のようなパター
ンであつても、また曲がりくねつた細いパターン
であつても何ら支障なく蒸着を行うことができ
る。基板に密着させることができ、そのためメタ
ルマスク１枚で正確、かつ、精密な配線パターン
をセラミツク等の絶縁基板上に形成することがで
きる。加えて安価で、かつ、迅速に回路基板を提
供することができる利点がある。
第１図はメタルマスクの断面図、第２図はメタ
ルマスクの部分平面図、第３図は蒸着の状態を示
す概略図である。 図中、１はメタルマスク、２はメツシユ、３は
配線パターンが形成された箔層、４は被蒸着物、
５はマグネツト、６は蒸着チヤンバ、７はホル
ダ、８は蒸着物、３１は所望の配線パターンを形
成するための箔層の一部に設けたあき部分であ
る。なお、図中の同一符号は同一または相当部分
を示す。
ルマスクの部分平面図、第３図は蒸着の状態を示
す概略図である。 図中、１はメタルマスク、２はメツシユ、３は
配線パターンが形成された箔層、４は被蒸着物、
５はマグネツト、６は蒸着チヤンバ、７はホル
ダ、８は蒸着物、３１は所望の配線パターンを形
成するための箔層の一部に設けたあき部分であ
る。なお、図中の同一符号は同一または相当部分
を示す。
Claims (1)
- １ メタルマスクを使用して、蒸着法により基板
上に配線パターンを形成する方法において、前記
メタルマスクをメツシユとパターンが形成された
箔の二層で構成し、かつ、前記メツシユと箔のう
ち少なくとも一方を磁性体で構成し、このメタル
マスクをマグネツトによつて前記基板上に密着さ
せて蒸着することを特徴とするマスク蒸着による
配線パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20695383A JPS60100673A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | マスク蒸着による配線パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20695383A JPS60100673A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | マスク蒸着による配線パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100673A JPS60100673A (ja) | 1985-06-04 |
| JPS6338421B2 true JPS6338421B2 (ja) | 1988-07-29 |
Family
ID=16531750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20695383A Granted JPS60100673A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | マスク蒸着による配線パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100673A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0756072B2 (ja) * | 1987-02-20 | 1995-06-14 | 富士通株式会社 | 導体パタ−ンの製造方法 |
| US4988424A (en) * | 1989-06-07 | 1991-01-29 | Ppg Industries, Inc. | Mask and method for making gradient sputtered coatings |
| JPH0429771A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-01-31 | Nagoya Yuka Kk | マスキング材 |
| JPH1050478A (ja) * | 1996-04-19 | 1998-02-20 | Toray Ind Inc | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| JP2003060219A (ja) * | 2001-06-04 | 2003-02-28 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池とその製造方法 |
| JP2008047585A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Brother Ind Ltd | 配線基板の製造方法およびマスク |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP20695383A patent/JPS60100673A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60100673A (ja) | 1985-06-04 |
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