JP2001254169A - 蒸着用金属マスクおよび蒸着用金属マスク製造方法 - Google Patents
蒸着用金属マスクおよび蒸着用金属マスク製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細な蒸着領域や非蒸着領域が内部にある蒸
着領域を形成できる蒸着用金属マスクを提供する。 【解決手段】 スリット状蒸着領域22を形成する第1
マスクパターン12と、四角枠状蒸着領域23を形成す
る第2マスクパターン14を蒸着マスクフレーム11に
開設し、第1マスクパターン12の微細な幅を跨ぐよう
に微細リブ15を架設すると共に、第2マスクパターン
の内部に位置する副フレーム13と蒸着マスクフレーム
11とを微細リブ15で位置固定して、蒸着用金属マス
ク10を形成する。
着領域を形成できる蒸着用金属マスクを提供する。 【解決手段】 スリット状蒸着領域22を形成する第1
マスクパターン12と、四角枠状蒸着領域23を形成す
る第2マスクパターン14を蒸着マスクフレーム11に
開設し、第1マスクパターン12の微細な幅を跨ぐよう
に微細リブ15を架設すると共に、第2マスクパターン
の内部に位置する副フレーム13と蒸着マスクフレーム
11とを微細リブ15で位置固定して、蒸着用金属マス
ク10を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被蒸着物の蒸着面
に密着させて被蒸着箇所をマスキングする蒸着用金属マ
スクとその製造方法に関し、特に、微細な蒸着領域を適
正な形状で正確な位置に定める必要のある真空蒸着への
利用に適するものである。
に密着させて被蒸着箇所をマスキングする蒸着用金属マ
スクとその製造方法に関し、特に、微細な蒸着領域を適
正な形状で正確な位置に定める必要のある真空蒸着への
利用に適するものである。
【0002】
【従来の技術】金属もしくは非金属の薄膜を物の表面に
接着する方法として、真空蒸着法が知られている。真空
蒸着に際しては、薄膜を形成する蒸着領域を除く領域
(非蒸着領域)を蒸着用金属マスクでマスキングする。
そして、蒸着用金属マスクに対するマスクパターンの形
成は、エッチング等により蒸着マスクフレームに蒸着領
域と同形状の孔を開けるものであった。
接着する方法として、真空蒸着法が知られている。真空
蒸着に際しては、薄膜を形成する蒸着領域を除く領域
(非蒸着領域)を蒸着用金属マスクでマスキングする。
そして、蒸着用金属マスクに対するマスクパターンの形
成は、エッチング等により蒸着マスクフレームに蒸着領
域と同形状の孔を開けるものであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
蒸着用金属マスクとしては、長い微細パターン(幅10
μm以下や線幅0.5mm以下で線幅:線長=1:10
以上)や不連続の非蒸着領域を有した製品を作成できる
ものがなかった。すなわち、エッチングにより蒸着用金
属マスクのマスクパターンを形成する場合、蒸着マスク
フレームの厚みが厚いと微細な間隙を作ることが困難
で、蒸着マスクフレームの厚みを薄くすると微細な間隙
を作ることも不可能ではないが、蒸着用金属マスクとし
ての強度が著しく低下してしまう上に、帯状の微細パタ
ーン部が蛇行したりして微細な間隙を一定寸法に保持す
ることが困難である。また、蒸着領域内に非蒸着領域を
形成する島状のマスクパターンを有する蒸着用金属マス
クもなかった。
蒸着用金属マスクとしては、長い微細パターン(幅10
μm以下や線幅0.5mm以下で線幅:線長=1:10
以上)や不連続の非蒸着領域を有した製品を作成できる
ものがなかった。すなわち、エッチングにより蒸着用金
属マスクのマスクパターンを形成する場合、蒸着マスク
フレームの厚みが厚いと微細な間隙を作ることが困難
で、蒸着マスクフレームの厚みを薄くすると微細な間隙
を作ることも不可能ではないが、蒸着用金属マスクとし
ての強度が著しく低下してしまう上に、帯状の微細パタ
ーン部が蛇行したりして微細な間隙を一定寸法に保持す
ることが困難である。また、蒸着領域内に非蒸着領域を
形成する島状のマスクパターンを有する蒸着用金属マス
クもなかった。
【0004】そこで、本発明は、ディスプレイの発光体
として有機EL等をガラス板上の目的とする箇所に正確
に塗布するような真空蒸着に使用できる蒸着用金属マス
クとその製造方法の提供を目的とする。
として有機EL等をガラス板上の目的とする箇所に正確
に塗布するような真空蒸着に使用できる蒸着用金属マス
クとその製造方法の提供を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1に係る発明は、被蒸着物(ガラス20)の
蒸着面に密着させて被蒸着箇所をマスキングする蒸着用
金属マスク(10)であって、蒸着領域(22)に対応
するマスクパターン(第1マスクパターン12)が開設
された蒸着マスクフレーム(11)は、フレーム厚さに
比して所定寸法を保持し難い微細な間隙を微細パターン
部として含むマスクパターンを備え、上記マスクパター
ンの微細パターン部の反密着面側を跨ぐように微細リブ
(15)を架設し、微細パターン部の間隙を所定寸法に
保持するようにしたことを特徴とする。
に、請求項1に係る発明は、被蒸着物(ガラス20)の
蒸着面に密着させて被蒸着箇所をマスキングする蒸着用
金属マスク(10)であって、蒸着領域(22)に対応
するマスクパターン(第1マスクパターン12)が開設
された蒸着マスクフレーム(11)は、フレーム厚さに
比して所定寸法を保持し難い微細な間隙を微細パターン
部として含むマスクパターンを備え、上記マスクパター
ンの微細パターン部の反密着面側を跨ぐように微細リブ
(15)を架設し、微細パターン部の間隙を所定寸法に
保持するようにしたことを特徴とする。
【0006】したがって、請求項1に係る蒸着用金属マ
スクにおいては、フレーム厚さに比して所定寸法を保持
し難い微細な間隙である微細パターン部に対して、微細
リブで所定寸法の間隙を保持できるようにしたので、帯
状の微細パターン部が蛇行して蒸着領域の形状が変わっ
てしまうようなことがない。
スクにおいては、フレーム厚さに比して所定寸法を保持
し難い微細な間隙である微細パターン部に対して、微細
リブで所定寸法の間隙を保持できるようにしたので、帯
状の微細パターン部が蛇行して蒸着領域の形状が変わっ
てしまうようなことがない。
【0007】また、請求項2に係る発明は、被蒸着物
(ガラス20)の蒸着面に密着させて被蒸着箇所をマス
キングする蒸着用金属マスク(10)であって、蒸着領
域(22)に対応するマスクパターン(第2マスクパタ
ーン14)が開設された蒸着マスクフレーム(11)
は、主フレームの空隙内に副フレームを位置させること
で蒸着領域内に非蒸着領域を形成する島状のマスクパタ
ーンを備え、上記主フレームと副フレームの反密着面に
微細リブ(15)を架設し、主フレームと副フレームと
の間に所定の蒸着領域が形成されるようにしたことを特
徴とする。
(ガラス20)の蒸着面に密着させて被蒸着箇所をマス
キングする蒸着用金属マスク(10)であって、蒸着領
域(22)に対応するマスクパターン(第2マスクパタ
ーン14)が開設された蒸着マスクフレーム(11)
は、主フレームの空隙内に副フレームを位置させること
で蒸着領域内に非蒸着領域を形成する島状のマスクパタ
ーンを備え、上記主フレームと副フレームの反密着面に
微細リブ(15)を架設し、主フレームと副フレームと
の間に所定の蒸着領域が形成されるようにしたことを特
徴とする。
【0008】したがって、請求項2に係る蒸着用金属マ
スクにおいては、主フレームと副フレームの反密着面を
微細リブで所定間隙を保持するように接続するので、蒸
着領域内に被蒸着領域を形成する島状のマスクパターン
を実現できる。
スクにおいては、主フレームと副フレームの反密着面を
微細リブで所定間隙を保持するように接続するので、蒸
着領域内に被蒸着領域を形成する島状のマスクパターン
を実現できる。
【0009】また、請求項3に係る発明は、表面を離型
処理した基材の表面に感光性レジストを均一に塗布し、
乾燥させた後に、蒸着マスクパターンを露光・現像して
電鋳用の電着マスクを形成し、電鋳により金属を析出さ
せて蒸着マスクフレームを形成し、感光性レジストより
なる電着マスクと金属よりなる蒸着マスクフレームとが
共存したまま表面を研削し、研削した全表面に導体薄膜
を形成し、該導体薄膜上に微細リブ形成用の感光性レジ
スト均一に塗布し、乾燥させた後、微細リブ形成用のマ
スクを用いて露光・現像し、電鋳液槽にて導体薄膜上に
電鋳により微細リブを形成し、該微細リブの下方にある
導体薄膜のみが残るように感光性レジストと導体薄膜を
剥離させ、基材から剥離させた微細リブ付きの蒸着マス
クフレームを加熱処理することで、微細リブ下方の導電
性薄膜の金属を微細リブと蒸着マスクフレームの金属中
へ拡散させ、微細リブを蒸着マスクフレームへ強固に接
着させるようにしたことを特徴とする。
処理した基材の表面に感光性レジストを均一に塗布し、
乾燥させた後に、蒸着マスクパターンを露光・現像して
電鋳用の電着マスクを形成し、電鋳により金属を析出さ
せて蒸着マスクフレームを形成し、感光性レジストより
なる電着マスクと金属よりなる蒸着マスクフレームとが
共存したまま表面を研削し、研削した全表面に導体薄膜
を形成し、該導体薄膜上に微細リブ形成用の感光性レジ
スト均一に塗布し、乾燥させた後、微細リブ形成用のマ
スクを用いて露光・現像し、電鋳液槽にて導体薄膜上に
電鋳により微細リブを形成し、該微細リブの下方にある
導体薄膜のみが残るように感光性レジストと導体薄膜を
剥離させ、基材から剥離させた微細リブ付きの蒸着マス
クフレームを加熱処理することで、微細リブ下方の導電
性薄膜の金属を微細リブと蒸着マスクフレームの金属中
へ拡散させ、微細リブを蒸着マスクフレームへ強固に接
着させるようにしたことを特徴とする。
【0010】したがって、請求項3に係る蒸着用金属マ
スク製造方法においては、電鋳技術を用いて蒸着マスク
フレームと微細リブを形成するので、蒸着マスクフレー
ムの厚さを厚くして強度を高めてもマスクパターンの開
口壁のエッジを良好に立たせることができると共に、微
細リブの厚さも横幅に比して十分厚くできる。
スク製造方法においては、電鋳技術を用いて蒸着マスク
フレームと微細リブを形成するので、蒸着マスクフレー
ムの厚さを厚くして強度を高めてもマスクパターンの開
口壁のエッジを良好に立たせることができると共に、微
細リブの厚さも横幅に比して十分厚くできる。
【0011】
【発明の実施の形態】次に、添付図面に基づいて、本発
明に係る蒸着用金属マスクの実施形態を説明する。
明に係る蒸着用金属マスクの実施形態を説明する。
【0012】図1(a)は、蒸着用金属マスク10の外
観斜視図であり、図1(b)は、蒸着用金属マスク10
によりマスキングして蒸着した被蒸着物であるガラス2
0の外観斜視図である。
観斜視図であり、図1(b)は、蒸着用金属マスク10
によりマスキングして蒸着した被蒸着物であるガラス2
0の外観斜視図である。
【0013】蒸着用金属マスク10を構成する金属(例
えばニッケル)製の蒸着マスクフレーム11には、適宜
なマスクパターンを開設しており、例えば、微細なスリ
ット状の第1マスクパターン12,12…、主フレーム
である蒸着マスクフレーム11に開設した四角形状の空
隙内に副フレーム13を位置させることで形成した四角
枠状の第2マスクパターン14…などを備える。
えばニッケル)製の蒸着マスクフレーム11には、適宜
なマスクパターンを開設しており、例えば、微細なスリ
ット状の第1マスクパターン12,12…、主フレーム
である蒸着マスクフレーム11に開設した四角形状の空
隙内に副フレーム13を位置させることで形成した四角
枠状の第2マスクパターン14…などを備える。
【0014】上記蒸着マスクフレーム11の第1マスク
パターン12は、フレーム厚さに比して所定寸法を保持
し難い微細な間隙を微細パターン部として含むものであ
り、第1マスクパターン12は長さ方向に亘って微細パ
ターン部が連続している物と看做し得る。従って、これ
ら微細パターン部の相対である第1マスクパターン12
に対して、その長手方向適所に微細リブ15…を適宜架
設することで、微細パターン部の間隙を所定寸法に保持
できるようにしてある。これら微細リブ15…により、
第1マスクパターン12の幅を正確に保持する事が可能
で、蒸着領域の幅がばらついたり、蛇行したり、偏った
りすることを防止できる。
パターン12は、フレーム厚さに比して所定寸法を保持
し難い微細な間隙を微細パターン部として含むものであ
り、第1マスクパターン12は長さ方向に亘って微細パ
ターン部が連続している物と看做し得る。従って、これ
ら微細パターン部の相対である第1マスクパターン12
に対して、その長手方向適所に微細リブ15…を適宜架
設することで、微細パターン部の間隙を所定寸法に保持
できるようにしてある。これら微細リブ15…により、
第1マスクパターン12の幅を正確に保持する事が可能
で、蒸着領域の幅がばらついたり、蛇行したり、偏った
りすることを防止できる。
【0015】上記微細リブ15…は、蒸着マスクフレー
ム11の反密着面(ガラス20の蒸着面に密着する密着
面と対向する面)側へ第1マスクパターン12を跨ぐよ
うに設けることで、第1マスクパターン12の幅が変化
してしまうことを防ぐ機能を有する。なお、微細リブ1
5の太さは、蒸着加工時の障害とならないようなサイズ
を適宜に選定すれば良いが、これは概ね蒸着マスクフレ
ーム11のフレーム厚に依存して変化する。
ム11の反密着面(ガラス20の蒸着面に密着する密着
面と対向する面)側へ第1マスクパターン12を跨ぐよ
うに設けることで、第1マスクパターン12の幅が変化
してしまうことを防ぐ機能を有する。なお、微細リブ1
5の太さは、蒸着加工時の障害とならないようなサイズ
を適宜に選定すれば良いが、これは概ね蒸着マスクフレ
ーム11のフレーム厚に依存して変化する。
【0016】一方、蒸着マスクフレーム11の第2マス
クパターン14は、副フレーム13を蒸着マスクフレー
ム11の反密着面に微細リブ15…を架設することで、
蒸着マスクフレーム11の空隙内における所定位置に副
フレーム13を固定することで、第2マスクパターン1
4の形成を保持できるようにしてある。また、図面には
示していないが、副フレーム13内に空隙を設けて、そ
の空隙内に更に小さな副フレームを位置させる(すなわ
ち、副フレーム13を主フレームと見立てて、更に小な
る副フレームを副フレーム13内の空隙に位置させる)
ようにして、マスクパターンをより複雑にすることもで
きる。
クパターン14は、副フレーム13を蒸着マスクフレー
ム11の反密着面に微細リブ15…を架設することで、
蒸着マスクフレーム11の空隙内における所定位置に副
フレーム13を固定することで、第2マスクパターン1
4の形成を保持できるようにしてある。また、図面には
示していないが、副フレーム13内に空隙を設けて、そ
の空隙内に更に小さな副フレームを位置させる(すなわ
ち、副フレーム13を主フレームと見立てて、更に小な
る副フレームを副フレーム13内の空隙に位置させる)
ようにして、マスクパターンをより複雑にすることもで
きる。
【0017】なお、本実施形態においては、第2マスク
パターン14形成用の微細リブ15…として、第1マス
クパターン12の間隙保持用の微細リブ15…を共用さ
せるものとしたが、各々個別に微細リブを設けるように
しても良い。
パターン14形成用の微細リブ15…として、第1マス
クパターン12の間隙保持用の微細リブ15…を共用さ
せるものとしたが、各々個別に微細リブを設けるように
しても良い。
【0018】上記のような蒸着マスクフレーム11と微
細リブ15…とからなる蒸着用金属マスク10を用いて
マスキングして、被蒸着物たるガラス20の蒸着面に蒸
着加工を行うと、図1(b)に示す如く、蒸着マスクフ
レーム11によってマスキングされた部位が被蒸着領域
21…となり、第1マスクパターン12…に対応する部
位はスリット状蒸着領域22…となり、第2マスクパタ
ーン14…に対応する部位は四角枠状蒸着領域23…と
なる。
細リブ15…とからなる蒸着用金属マスク10を用いて
マスキングして、被蒸着物たるガラス20の蒸着面に蒸
着加工を行うと、図1(b)に示す如く、蒸着マスクフ
レーム11によってマスキングされた部位が被蒸着領域
21…となり、第1マスクパターン12…に対応する部
位はスリット状蒸着領域22…となり、第2マスクパタ
ーン14…に対応する部位は四角枠状蒸着領域23…と
なる。
【0019】図2は、図1(a),(b)におけるII
−II線の概略縦断面図で、上述した蒸着マスクフレー
ム11の各マスクパターンと、ガラス20の蒸着面にお
ける蒸着領域・被蒸着領域との対応を示す。この時、被
蒸着物を載置する蒸着用テーブル30を着磁された強磁
性体で形成し、且つ、蒸着用金属マスク10も磁性体で
形成するものとしておけば、蒸着用金属マスク10と蒸
着用テーブル30との吸着力により、被蒸着物であるガ
ラス20と蒸着用金属マスク10との密着度を効果的に
向上させることができ、蒸着物質の滲みや回り込みが防
止できる。
−II線の概略縦断面図で、上述した蒸着マスクフレー
ム11の各マスクパターンと、ガラス20の蒸着面にお
ける蒸着領域・被蒸着領域との対応を示す。この時、被
蒸着物を載置する蒸着用テーブル30を着磁された強磁
性体で形成し、且つ、蒸着用金属マスク10も磁性体で
形成するものとしておけば、蒸着用金属マスク10と蒸
着用テーブル30との吸着力により、被蒸着物であるガ
ラス20と蒸着用金属マスク10との密着度を効果的に
向上させることができ、蒸着物質の滲みや回り込みが防
止できる。
【0020】次に、上述した蒸着用金属マスク10の製
造方法を、図3の工程図に基づいて詳細に説明する。
造方法を、図3の工程図に基づいて詳細に説明する。
【0021】先ず、蒸着用金属マスクを形成するための
基材41として、例えば、ステンレス板を用いる(図3
(a)参照)。
基材41として、例えば、ステンレス板を用いる(図3
(a)参照)。
【0022】この基材41の表面を離型処理した後、そ
の表面全面に亘って、蒸着マスクフレーム11の厚さと
同等(例えば、20〜100μm)若しくはそれより若
干厚く感光性レジスト42を塗布し、乾燥させた後、蒸
着マスクとなる形状(マスクパターン)を露光・現像
し、電鋳用の電着マスクを感光性レジスト42で形成す
る(図3(b)参照)。
の表面全面に亘って、蒸着マスクフレーム11の厚さと
同等(例えば、20〜100μm)若しくはそれより若
干厚く感光性レジスト42を塗布し、乾燥させた後、蒸
着マスクとなる形状(マスクパターン)を露光・現像
し、電鋳用の電着マスクを感光性レジスト42で形成す
る(図3(b)参照)。
【0023】上記のようにして、電鋳用の電着マスクを
感光性レジスト42で形成した後、電鋳にて、金属(例
えばニッケル)を20〜100μm析出させ、蒸着マス
クフレーム11を形成する(図3(c)参照)。なお、
電着マスクとなった感光レジスト42と電鋳により析出
したニッケル(蒸着マスクフレーム11)とが共存した
まま表面を研削しておく。
感光性レジスト42で形成した後、電鋳にて、金属(例
えばニッケル)を20〜100μm析出させ、蒸着マス
クフレーム11を形成する(図3(c)参照)。なお、
電着マスクとなった感光レジスト42と電鋳により析出
したニッケル(蒸着マスクフレーム11)とが共存した
まま表面を研削しておく。
【0024】続いて、蒸着マスクフレーム11と電着マ
スクの研削された表面の全面に気相(ドライプロセス)
若しくは液相(ウェットプロセス)にて、0.2〜1.
0μm前後の導体薄膜43を形成する(図3(d)参
照)。これは、微細リブを析出させる前処理として、導
電性薄膜を形成する為に行うものである。
スクの研削された表面の全面に気相(ドライプロセス)
若しくは液相(ウェットプロセス)にて、0.2〜1.
0μm前後の導体薄膜43を形成する(図3(d)参
照)。これは、微細リブを析出させる前処理として、導
電性薄膜を形成する為に行うものである。
【0025】上記のようにして形成した導体薄膜43上
に、微細リブ形成の為の感光性レジスト44を5〜20
μmの厚さに塗布、乾燥させ、リブ幅に相当する3〜1
0μmのパターン幅をもった微細リブ形成用のマスクを
用いて露光、現像を行い、その後、蒸着マスクと同一金
属の電鋳液槽にて導電性薄膜上に電鋳により微細リブ1
5′を形成する(図3(e)参照)。
に、微細リブ形成の為の感光性レジスト44を5〜20
μmの厚さに塗布、乾燥させ、リブ幅に相当する3〜1
0μmのパターン幅をもった微細リブ形成用のマスクを
用いて露光、現像を行い、その後、蒸着マスクと同一金
属の電鋳液槽にて導電性薄膜上に電鋳により微細リブ1
5′を形成する(図3(e)参照)。
【0026】このとき、蒸着マスクフレーム11の厚さ
に応じて、微細リブ15′の線幅は3μm〜10μmの
適切な太さを選択するものとし、リブ強度の適正値から
リブ厚さを決定する。通常であれば、微細リブ15のア
スペクト比は蒸着時の影響およびリブ強度の実効性か
ら、リブ幅:リブ厚さ(高さ)=1:1以上を選定する
ことが望ましい。また、本製造方法によれば、アスペク
ト比1:3以上の微細リブも十分に製造可能である。な
お、微細リブ15′は蒸着マスクと同一金属で形成する
必要はなく、種々の物質で構成して構わない。例えば、
銅や金などの非磁性体を用いれば、上述した如く、蒸着
用テーブル30を着磁された強磁性体で形成すると共に
蒸着フレーム11を磁性体で形成し、蒸着マスクフレー
ム11と蒸着テーブル30との吸引力により被蒸着物を
高い密着性を以て狭持する構成を採用した場合でも、微
細リブ15が蒸着用テーブル30に吸引されて撓みや歪
みが生じることを防止でき、パターン形状を高精度に保
持できる。
に応じて、微細リブ15′の線幅は3μm〜10μmの
適切な太さを選択するものとし、リブ強度の適正値から
リブ厚さを決定する。通常であれば、微細リブ15のア
スペクト比は蒸着時の影響およびリブ強度の実効性か
ら、リブ幅:リブ厚さ(高さ)=1:1以上を選定する
ことが望ましい。また、本製造方法によれば、アスペク
ト比1:3以上の微細リブも十分に製造可能である。な
お、微細リブ15′は蒸着マスクと同一金属で形成する
必要はなく、種々の物質で構成して構わない。例えば、
銅や金などの非磁性体を用いれば、上述した如く、蒸着
用テーブル30を着磁された強磁性体で形成すると共に
蒸着フレーム11を磁性体で形成し、蒸着マスクフレー
ム11と蒸着テーブル30との吸引力により被蒸着物を
高い密着性を以て狭持する構成を採用した場合でも、微
細リブ15が蒸着用テーブル30に吸引されて撓みや歪
みが生じることを防止でき、パターン形状を高精度に保
持できる。
【0027】続いて、感光性レジスト42,44と導体
薄膜43を気相あるいは液相にてリフトオフ(剥離)す
る。なお、導体薄膜43は0.2〜1.0μmの厚さの
為、電着マスクの感光性レジスト42の剥離に支障を来
たすことはない。そして、基材41から蒸着マスクフレ
ーム11を剥離すると、蒸着マスクフレーム11上に導
体薄膜43を介して微細リブ15′が付いた状態とな
る。そこで、加熱処理を行うことにより、導電性薄膜4
3の金属が蒸着マスクフレーム11と微細リブ15′の
金属中へ拡散し、蒸着マスクフレーム11と微細リブ1
5′の強い接着性が得られ、蒸着マスクフレーム11に
微細リブ15が固着された蒸着用金属マスク10として
完成する(図3(f)参照)。
薄膜43を気相あるいは液相にてリフトオフ(剥離)す
る。なお、導体薄膜43は0.2〜1.0μmの厚さの
為、電着マスクの感光性レジスト42の剥離に支障を来
たすことはない。そして、基材41から蒸着マスクフレ
ーム11を剥離すると、蒸着マスクフレーム11上に導
体薄膜43を介して微細リブ15′が付いた状態とな
る。そこで、加熱処理を行うことにより、導電性薄膜4
3の金属が蒸着マスクフレーム11と微細リブ15′の
金属中へ拡散し、蒸着マスクフレーム11と微細リブ1
5′の強い接着性が得られ、蒸着マスクフレーム11に
微細リブ15が固着された蒸着用金属マスク10として
完成する(図3(f)参照)。
【0028】上述したように、微細リブ15をフォトリ
ソグラフ+電鋳により作成することで、従来のエッチン
グ法では非常に困難であったリブ幅:リブ高さ=1:1
以上の微細リブ15を製造することが可能であり、蒸着
物質の被蒸着物への析出を阻害することなく、尚且つ十
分な強度を確保できる構造を持微細リブ15に与えるこ
とができる。しかも、微細リブ15は蒸着マスクフレー
ム11が形成された後に形成するため、蒸着工程での障
害を無くする最適の箇所へリブ15を配置するように製
造することが可能である。
ソグラフ+電鋳により作成することで、従来のエッチン
グ法では非常に困難であったリブ幅:リブ高さ=1:1
以上の微細リブ15を製造することが可能であり、蒸着
物質の被蒸着物への析出を阻害することなく、尚且つ十
分な強度を確保できる構造を持微細リブ15に与えるこ
とができる。しかも、微細リブ15は蒸着マスクフレー
ム11が形成された後に形成するため、蒸着工程での障
害を無くする最適の箇所へリブ15を配置するように製
造することが可能である。
【0029】また、蒸着マスクフレーム11は、フォト
リソグラフ+電鋳により作成することから、エッチング
により作成する従来の蒸着用金属マスクとは異なり、被
蒸着物への接面形状がR形状を有しない直角若しくは鋭
角(エッジが立った状態)で形成されており、蒸着物質
の蒸着領域と非蒸着領域の境界において滲みやマスク裏
面への回り込みが生ずることを防止できる。しかも、フ
ォトリソグラフ+電鋳により作成するマスクパターンで
は、微細な蒸着領域でもアスペクト比が1(マスクの厚
さ(高さ):空隙幅=1:1)以上となるように形成す
る事が可能であり、微細パターン部を含むようなマスク
パターンであっても蒸着マスク自体で十分な強度を確保
できる厚さに出来る。
リソグラフ+電鋳により作成することから、エッチング
により作成する従来の蒸着用金属マスクとは異なり、被
蒸着物への接面形状がR形状を有しない直角若しくは鋭
角(エッジが立った状態)で形成されており、蒸着物質
の蒸着領域と非蒸着領域の境界において滲みやマスク裏
面への回り込みが生ずることを防止できる。しかも、フ
ォトリソグラフ+電鋳により作成するマスクパターンで
は、微細な蒸着領域でもアスペクト比が1(マスクの厚
さ(高さ):空隙幅=1:1)以上となるように形成す
る事が可能であり、微細パターン部を含むようなマスク
パターンであっても蒸着マスク自体で十分な強度を確保
できる厚さに出来る。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係る蒸
着用金属マスクによれば、フレーム厚さに比して所定寸
法を保持し難い微細な間隙である微細パターン部に対し
て、微細リブで所定寸法の間隙を保持できるようにした
ので、帯状の微細パターン部が蛇行して蒸着領域の形状
が変わってしまうようなことがない。これにより、細長
い定幅スリット状の蒸着領域が一定間隔で連続するよう
なマスクパターンを持った蒸着用金属マスクを提供でき
る。
着用金属マスクによれば、フレーム厚さに比して所定寸
法を保持し難い微細な間隙である微細パターン部に対し
て、微細リブで所定寸法の間隙を保持できるようにした
ので、帯状の微細パターン部が蛇行して蒸着領域の形状
が変わってしまうようなことがない。これにより、細長
い定幅スリット状の蒸着領域が一定間隔で連続するよう
なマスクパターンを持った蒸着用金属マスクを提供でき
る。
【0031】また、請求項2に係る蒸着用金属マスクに
よれば、主フレームと副フレームの反密着面を微細リブ
で所定間隙を保持するように接続するので、蒸着領域内
に被蒸着領域を形成する島状のマスクパターンを実現で
きる。これにより、一定幅の線が閉じた形状のマスクパ
ターンを持った蒸着用金属マスクを提供できる。
よれば、主フレームと副フレームの反密着面を微細リブ
で所定間隙を保持するように接続するので、蒸着領域内
に被蒸着領域を形成する島状のマスクパターンを実現で
きる。これにより、一定幅の線が閉じた形状のマスクパ
ターンを持った蒸着用金属マスクを提供できる。
【0032】また、請求項3に係る蒸着用金属マスク製
造方法によれば、電鋳技術を用いて蒸着マスクフレーム
と微細リブを形成するので、蒸着マスクフレームの厚さ
を厚くして強度を高めてもマスクパターンの開口壁のエ
ッジを良好に立たせることができると共に、微細リブの
厚さも横幅に比して十分厚くできる。これにより、蒸着
マスクフレームを被蒸着物の蒸着面に密着させた時、蒸
着領域と非蒸着領域との境界に滲みが生じたりマスク裏
面へ蒸着物質が回り込みんだりすることを効果的に防止
できる。また、微細リブのリブ幅を、蒸着加工時に蒸着
領域への蒸着物質の析出・形成を阻害することのない幅
にしても、適度な強度を備える厚さに形成することがで
きるので、微細リブによる良好な間隙保持機能を期せ
る。
造方法によれば、電鋳技術を用いて蒸着マスクフレーム
と微細リブを形成するので、蒸着マスクフレームの厚さ
を厚くして強度を高めてもマスクパターンの開口壁のエ
ッジを良好に立たせることができると共に、微細リブの
厚さも横幅に比して十分厚くできる。これにより、蒸着
マスクフレームを被蒸着物の蒸着面に密着させた時、蒸
着領域と非蒸着領域との境界に滲みが生じたりマスク裏
面へ蒸着物質が回り込みんだりすることを効果的に防止
できる。また、微細リブのリブ幅を、蒸着加工時に蒸着
領域への蒸着物質の析出・形成を阻害することのない幅
にしても、適度な強度を備える厚さに形成することがで
きるので、微細リブによる良好な間隙保持機能を期せ
る。
【図1】(a)本発明に係る蒸着用金属マスクの外観斜
視図である。 (b)本発明に係る蒸着用金属マスクによりマスキング
して蒸着した被蒸着物の外観斜視図である。
視図である。 (b)本発明に係る蒸着用金属マスクによりマスキング
して蒸着した被蒸着物の外観斜視図である。
【図2】蒸着用金属マスクと蒸着された被蒸着物の概略
縦断面図である。
縦断面図である。
【図3】(a)〜(f)は蒸着用金属マスクフを形成す
る工程を順に示す工程説明図である。
る工程を順に示す工程説明図である。
10 蒸着用金属マスク 11 蒸着用マスクフレーム 12 第1マスクパターン 14 第2マスクパターン 20 ガラス 22 蒸着領域
Claims (3)
- 【請求項1】 被蒸着物の蒸着面に密着させて被蒸着箇
所をマスキングする蒸着用金属マスクであって、 蒸着領域に対応するマスクパターンが開設された蒸着マ
スクフレームは、フレーム厚さに比して所定寸法を保持
し難い微細な間隙を微細パターン部として含むマスクパ
ターンを備え、 上記マスクパターンの微細パターン部の反密着面側を跨
ぐように微細リブを架設し、微細パターン部の間隙を所
定寸法に保持するようにしたことを特徴とする蒸着用金
属マスク。 - 【請求項2】 被蒸着物の蒸着面に密着させて被蒸着箇
所をマスキングする蒸着用金属マスクであって、 蒸着領域に対応するマスクパターンが開設された蒸着マ
スクフレームは、主フレームの空隙内に副フレームを位
置させることで蒸着領域内に非蒸着領域を形成する島状
のマスクパターンを備え、 上記主フレームと副フレームの反密着面に微細リブを架
設し、主フレームと副フレームとの間に所定の蒸着領域
が形成されるようにしたことを特徴とする蒸着用金属マ
スク。 - 【請求項3】 表面を離型処理した基材の表面に感光性
レジストを均一に塗布し、乾燥させた後に、蒸着マスク
パターンを露光・現像して電鋳用の電着マスクを形成
し、電鋳により金属を析出させて蒸着マスクフレームを
形成し、感光性レジストよりなる電着マスクと金属より
なる蒸着マスクフレームとが共存したまま表面を研削
し、研削した全表面に導体薄膜を形成し、該導体薄膜上
に微細リブ形成用の感光性レジスト均一に塗布し、乾燥
させた後、微細リブ形成用のマスクを用いて露光・現像
し、電鋳液槽にて導体薄膜上に電鋳により微細リブを形
成し、該微細リブの下方にある導体薄膜のみが残るよう
に感光性レジストと導体薄膜を剥離させ、基材から剥離
させた微細リブ付きの蒸着マスクフレームを加熱処理す
ることで、微細リブ下方の導電性薄膜の金属を微細リブ
と蒸着マスクフレームの金属中へ拡散させ、微細リブを
蒸着マスクフレームへ強固に接着させるようにしたこと
を特徴とする蒸着用金属マスク製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000068125A JP2001254169A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 蒸着用金属マスクおよび蒸着用金属マスク製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000068125A JP2001254169A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 蒸着用金属マスクおよび蒸着用金属マスク製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001254169A true JP2001254169A (ja) | 2001-09-18 |
Family
ID=18587224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000068125A Pending JP2001254169A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 蒸着用金属マスクおよび蒸着用金属マスク製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001254169A (ja) |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004039319A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Hitachi Metals Ltd | メタルマスク |
JP2004232025A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着用マスクおよびその製造方法 |
US6781162B2 (en) | 2002-01-24 | 2004-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2005116526A (ja) * | 2003-10-04 | 2005-04-28 | Samsung Oled Co Ltd | 有機電子発光素子の薄膜蒸着用マスクフレーム組立て体、及び、それを利用した薄膜蒸着方法 |
KR100490534B1 (ko) * | 2001-12-05 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 |
EP1626103A2 (en) | 2004-07-15 | 2006-02-15 | Samsung SDI Co., Ltd. | Mask frame assembly for depositing thin layer and organic light emitting display device manufactured using the mask frame assembly |
US7094684B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US7102231B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7116044B2 (en) | 2000-05-08 | 2006-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent apparatus and method of manufacturing the same |
JP2006285033A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Canon Electronics Inc | Ndフィルタの製造方法及び装置、ndフィルタ、光量絞り装置、該光量絞り装置を有するカメラ |
JP2006285039A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Canon Electronics Inc | Ndフィルタの製造方法及び装置、ndフィルタ、光量絞り装置、該光量絞り装置を有するカメラ |
KR100700660B1 (ko) | 2005-04-06 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 마스크 및 그의 제조 방법 |
US7291970B2 (en) | 2002-09-11 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus with improved bank structure |
JP2008208460A (ja) * | 2008-03-14 | 2008-09-11 | Seiko Epson Corp | 成膜用精密マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法、電子機器 |
US7537798B2 (en) | 2002-11-22 | 2009-05-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Deposition mask frame assembly, method of fabricating the same, and method of fabricating organic electroluminescent device using the deposition mask frame assembly |
KR100982021B1 (ko) * | 2008-07-22 | 2010-09-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 분할 마스크 조립체 |
JP2010216012A (ja) * | 2010-02-24 | 2010-09-30 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着用マスク |
US7837528B2 (en) | 2002-11-29 | 2010-11-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Evaporation mask, method of fabricating organic electroluminescent device using the same, and organic electroluminescent device |
US8088435B2 (en) | 2005-03-30 | 2012-01-03 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Mask, method for producing mask, and method for producing wired board |
WO2016009857A1 (ja) * | 2014-07-14 | 2016-01-21 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜方法及び成膜装置 |
CN108998773A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制作方法、封装设备 |
CN111406127A (zh) * | 2017-09-18 | 2020-07-10 | 悟勞茂材料公司 | 框架一体型掩模的制造方法 |
CN112725728A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-30 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种掩膜版 |
US11621310B2 (en) | 2019-11-26 | 2023-04-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition mask, method of manufacturing display device using the deposition mask, and display device |
-
2000
- 2000-03-13 JP JP2000068125A patent/JP2001254169A/ja active Pending
Cited By (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7667393B2 (en) | 2000-05-08 | 2010-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent apparatus and method of manufacturing the same |
US7116044B2 (en) | 2000-05-08 | 2006-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent apparatus and method of manufacturing the same |
KR100490534B1 (ko) * | 2001-12-05 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 |
US7265391B2 (en) | 2002-01-24 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9627459B2 (en) | 2002-01-24 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having sealing material |
US8089066B2 (en) | 2002-01-24 | 2012-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US6781162B2 (en) | 2002-01-24 | 2004-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7692186B2 (en) | 2002-01-24 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9312323B2 (en) | 2002-01-24 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having insulator between pixel electrodes and auxiliary wiring in contact with the insulator |
US8779467B2 (en) | 2002-01-24 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having a terminal portion |
JP2004039319A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Hitachi Metals Ltd | メタルマスク |
US7291970B2 (en) | 2002-09-11 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus with improved bank structure |
US9622345B2 (en) | 2002-09-20 | 2017-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7897973B2 (en) | 2002-09-20 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7417256B2 (en) | 2002-09-20 | 2008-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US9082768B2 (en) | 2002-09-20 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7585761B2 (en) | 2002-09-20 | 2009-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US10090373B2 (en) | 2002-09-20 | 2018-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US9847386B2 (en) | 2002-09-20 | 2017-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7781772B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US8749061B2 (en) | 2002-09-20 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US8450851B2 (en) | 2002-09-20 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7102231B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7094684B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US7537798B2 (en) | 2002-11-22 | 2009-05-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Deposition mask frame assembly, method of fabricating the same, and method of fabricating organic electroluminescent device using the deposition mask frame assembly |
US7837528B2 (en) | 2002-11-29 | 2010-11-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Evaporation mask, method of fabricating organic electroluminescent device using the same, and organic electroluminescent device |
US8334649B2 (en) | 2002-11-29 | 2012-12-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Evaporation mask, method of fabricating organic electroluminescent device using the same, and organic electroluminescent device |
JP2004232025A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着用マスクおよびその製造方法 |
JP4547130B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2010-09-22 | 株式会社アルバック | 蒸着マスクの製造方法 |
JP2005116526A (ja) * | 2003-10-04 | 2005-04-28 | Samsung Oled Co Ltd | 有機電子発光素子の薄膜蒸着用マスクフレーム組立て体、及び、それを利用した薄膜蒸着方法 |
JP4620420B2 (ja) * | 2003-10-04 | 2011-01-26 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電子発光素子の薄膜蒸着用マスクフレーム組立て体、及び、それを利用した薄膜蒸着方法 |
EP1626103A2 (en) | 2004-07-15 | 2006-02-15 | Samsung SDI Co., Ltd. | Mask frame assembly for depositing thin layer and organic light emitting display device manufactured using the mask frame assembly |
US8088435B2 (en) | 2005-03-30 | 2012-01-03 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Mask, method for producing mask, and method for producing wired board |
JP4623725B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2011-02-02 | キヤノン電子株式会社 | Ndフィルタの製造方法、ndフィルタ、光量絞り装置、該光量絞り装置を有するカメラ |
JP4623724B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2011-02-02 | キヤノン電子株式会社 | Ndフィルタの製造方法、ndフィルタ、光量絞り装置、該光量絞り装置を有するカメラ |
JP2006285039A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Canon Electronics Inc | Ndフィルタの製造方法及び装置、ndフィルタ、光量絞り装置、該光量絞り装置を有するカメラ |
JP2006285033A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Canon Electronics Inc | Ndフィルタの製造方法及び装置、ndフィルタ、光量絞り装置、該光量絞り装置を有するカメラ |
KR100700660B1 (ko) | 2005-04-06 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 마스크 및 그의 제조 방법 |
JP2008208460A (ja) * | 2008-03-14 | 2008-09-11 | Seiko Epson Corp | 成膜用精密マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法、電子機器 |
KR100982021B1 (ko) * | 2008-07-22 | 2010-09-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 분할 마스크 조립체 |
JP2010216012A (ja) * | 2010-02-24 | 2010-09-30 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着用マスク |
JP2016019937A (ja) * | 2014-07-14 | 2016-02-04 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜方法及び成膜装置 |
WO2016009857A1 (ja) * | 2014-07-14 | 2016-01-21 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜方法及び成膜装置 |
CN111406127A (zh) * | 2017-09-18 | 2020-07-10 | 悟勞茂材料公司 | 框架一体型掩模的制造方法 |
CN108998773A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制作方法、封装设备 |
CN108998773B (zh) * | 2018-07-27 | 2023-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制作方法、封装设备 |
US11621310B2 (en) | 2019-11-26 | 2023-04-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition mask, method of manufacturing display device using the deposition mask, and display device |
CN112725728A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-30 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种掩膜版 |
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