JPS6250759A - 基板裏面の汚染防止方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 基板上に所定のパターンを形成する手段としてリソグラ
フィ技法が良く知られているが、これにはマスク製作の
ためのりソグラフイと、ウェハープロセスとしてのりソ
グラフィに分けられる０本発明では前者のＩＣ上のパタ
ーン形成の基本となるマスク製作に関係して、マスク基
板（通常クローム・マスクブランクと呼ばれている）の
裏面にレジストが付着して露光時に解像度を劣化させる
のを防止する方法について述べる。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、特に精度を必要とするマスクの製作工程で、
レジスト塗布時マスク基板の裏面にレジストがまわり込
んで、露光時のフォーカスの劣化を招くのを防止する方
法に関する。

低膨張ガラス板あるいは石英板等にクロームを被着した
マスク基板にＩＣのパターンを形成するプロセスは、こ
れを用いて製作される集積回路の基本となるので特に精
度を必要とする。

レジスト塗布時に裏面にまわり込んだレジスト　　　　
゛はマスク基板に固着し、露光ステージに搭載せる場合
、ステージとの密着性を悪くし、その結果フォーカスが
悪くなりマスクパターンの解像度の低下を起こすので改
善が要望されている。

〔従来の技術〕

従来の技術による原寸マスクの製作法を更に詳しく説明
する。

通常低膨張ガラス（あるいは石英）のマスク基板１を用
い、基板上にはクローム膜２が約１０００人蒸着されて
いる。これによりマスク基板３　（クローム・マスクブ
ランク）が出来上がる。

次いで、上記マスク基板を用い、レジストを塗布する工
程を第２図により説明する。基板上にはレジストが数１
０００人〜１μｍ程度塗布される。一般にレジストの塗
布にはスピンコード法が用いられる。

スピンコード法はマスク基板をスピナー上に設置し、レ
ジスト４゛を必要量基板の中央部に滴下する。しかる後
、スピナーに数１１００Ｏｒｐの回転を与えてレジスト
４゛を基板面に一様に分布させることにより行われる。

これによりレジスト膜４が積層される。

上記基板をブレベーク工程でレジスト膜４を乾燥させ、
その後露光工程に進む。

１：１の原寸マスクを製作する場合は、上記マスク基板
を露光ステージに設置し、１０倍のレチクルを用いてス
テップ・アンド・リピート法により縮小露光を繰り返す
。

次いで、現像、エツチング、レジスト除去の工程を経て
、クロームの原寸パターンが基板上に得られる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記に述べた、従来の技術による方法ではスピンコード
を行う時に、レジストが基板表面のみでなく、裏面側に
もまわり込むことである。

レジストは基板との密着性を良くし、基板全面に一様な
る膜厚で塗布されるのに適当なる粘性が与えられている
が、スピナーの回転時に不要分が周辺に弾き飛ばされる
と共に、一部は基板の周辺を伝わって裏面にもまわり込
む。

このためレジスト塗布の終わった基板では裏面にレジス
トが付着して、表面のレジスト膜を傷めずに除去するこ
とは困難である。

この状態でマスク基板を露光ステージに搭載すると、レ
チクル面との完全なる平行特性が失われ、マスク基板面
での良好なるフォーカスを全面にとることが出来ない。

従って、出来上がったマスク基板は解像度不良を起こし
易い。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、レジスト・コーティングを行う工程に先
立って、基板の裏面に水溶性有機溶剤を塗布し、レジス
ト・コーティング工程後に該水溶性有機溶剤を除去する
ことよりなる本発明の汚染防止方法によって解決される
。

また、これに用いる水溶性有機溶剤として、ポリビニー
ル・アルコールを用いることにより露光前に容易にポリ
ビニール・アルコールとその上に付着せるレジストを水
洗除去出来る。

〔作用〕

マスク基板に直接レジストが付着乾燥すると表面のレジ
スト膜を傷めずに除去することは極めて困難である。

上記に述べた本発明の方法は、レジスト膜が水洗に対し
ては安定で、反応しない特性を利用したもので、水溶性
の有機溶剤を基板裏面に前もって被覆しておいて、レジ
スト塗布後に水洗することにより前記有機溶剤と共に付
着したレジストを除去するものである。

〔実施例〕

本発明の一実施例を更に詳細説明する。従来の技術の項
で説明せる基板１にクローム膜２を蒸着する工程は変わ
らない。

上記マスク基板３の裏面に一様にポリビニール・アルコ
ール膜５を全面塗布する。ポリビニール・アルコール膜
５は露光前に除去されるので塗布の膜厚等の精度は特に
必要としない。

ポリビニール・アルコールは常温でも約１時間で乾燥す
る。

次いで、通常のレジスト・コーティング法で基板表面に
レジストを塗布する。基板をプレベークした後、水洗を
行うことにより容易にマスク基板の裏面のポリビニール
・アルコール膜５とまわり込んだレジスト４゛が同時に
除去される。以後の工程は従来の方法と変わりはない。

本実施例では水溶性有機溶剤としてポリビニール・アル
コールを使用した例について説明したが、本発明はその
他の水溶性を機溶剤にも適用可能であることは勿論であ
る。

〔発明の効果〕

以上に説明せるごとく、本発明の基板裏面の汚染防止方
法を適用することにより、マスク製作工程で発生するパ
ターン解像度の不良を著しく低減することが可能となっ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかわる汚染防止方法を説明する断面
図、 第２図はスピンコード法を説明する断面図、を示す。 図面において、 １は基板、 ２はクローム膜、 ３はマスク基板、 ４．４′はレジスト膜及びレジスト、 ５はポリビニール・アルコール、 をそれぞれ示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）レジスト・コーティングを行う工程に先立って、
   基板（１）の裏面に水溶性有機溶剤（５）を塗布し、前
   記レジスト・コーティング工程の終了後、該水溶性有機
   溶剤を除去する工程を含むことを特徴とする基板裏面の
   汚染防止方法。
2. （２）前記水溶性有機溶剤として、ポリビニールアルコ
   ール（５）を用いることを特徴とする特許請求範囲第（
   １）項記載の基板裏面の汚染防止方法。