JPH06184748A - ロール状基体の真空処理装置 - Google Patents
ロール状基体の真空処理装置Info
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- JPH06184748A JPH06184748A JP34301992A JP34301992A JPH06184748A JP H06184748 A JPH06184748 A JP H06184748A JP 34301992 A JP34301992 A JP 34301992A JP 34301992 A JP34301992 A JP 34301992A JP H06184748 A JPH06184748 A JP H06184748A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 処理能力の大幅向上、コストの低減および設
備のコンパクト化を図ることである。 【構成】 ロ−ル状に保持された基体１４を連続して送
り出す送り出し用ボビン１２と、送り出し用ボビンから
送り出された基体に真空中で処理を施す真空処理装置１
５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃと、真空処理装置で処理された基
体をロ−ル状に巻き取る巻き取りボビン１３とを有し、
送り出しボビンと巻き取りボビンとは、共通の真空チャ
ンバ１１に収容されてなるロ−ル状基体の真空処理装
置。
備のコンパクト化を図ることである。 【構成】 ロ−ル状に保持された基体１４を連続して送
り出す送り出し用ボビン１２と、送り出し用ボビンから
送り出された基体に真空中で処理を施す真空処理装置１
５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃと、真空処理装置で処理された基
体をロ−ル状に巻き取る巻き取りボビン１３とを有し、
送り出しボビンと巻き取りボビンとは、共通の真空チャ
ンバ１１に収容されてなるロ−ル状基体の真空処理装
置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はロ−ル・ツ−・ロ−ル方
式の基体処理装置、例えば積層半導体薄膜素子の連続的
製造装置等の基体上に連続的な処理を行うロ−ル状基体
の真空処理装置に関する。
式の基体処理装置、例えば積層半導体薄膜素子の連続的
製造装置等の基体上に連続的な処理を行うロ−ル状基体
の真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層半導体薄膜素子等のロ−ル状
基体を連続的に処理する方法としては、ロ−ル状の基体
を保持した送り出し室から基体を連続的に送り出し、真
空処理室で連続的に処理してから巻き取り室内に巻き取
る方法が知られている。
基体を連続的に処理する方法としては、ロ−ル状の基体
を保持した送り出し室から基体を連続的に送り出し、真
空処理室で連続的に処理してから巻き取り室内に巻き取
る方法が知られている。
【０００３】図３は従来のロ−ル状基体の真空処理装置
を示すもので、真空に保持された送り出し室１内に送り
出し用ボビン２が収容される。この送り出し用ボビン２
には未処理の基体３がロ−ル状に保持されている。送り
出し室１から連続して送り出された基体３は複数の真空
処理室４Ａ、４Ｂ、４Ｃを通過して、巻き取り室５に収
納される。真空処理室４Ａ、４Ｂ、４Ｃでは基体３の表
面に積層膜を堆積する処理が行われる。巻き取り室５は
真空に保持され、内部に巻き取り用ボビン６が収容され
る。真空処理室４Ａ、４Ｂ、４Ｃで連続して真空処理さ
れた基体３は巻き取り用ボビン６に連続して巻き取られ
る。
を示すもので、真空に保持された送り出し室１内に送り
出し用ボビン２が収容される。この送り出し用ボビン２
には未処理の基体３がロ−ル状に保持されている。送り
出し室１から連続して送り出された基体３は複数の真空
処理室４Ａ、４Ｂ、４Ｃを通過して、巻き取り室５に収
納される。真空処理室４Ａ、４Ｂ、４Ｃでは基体３の表
面に積層膜を堆積する処理が行われる。巻き取り室５は
真空に保持され、内部に巻き取り用ボビン６が収容され
る。真空処理室４Ａ、４Ｂ、４Ｃで連続して真空処理さ
れた基体３は巻き取り用ボビン６に連続して巻き取られ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ロ−ル状基体の真空処理装置は送り出し用ボビン２と巻
き取り用ボビン６が別々のチャンバ１、５に収容されて
いる。そのため、ロ−ル状基体３の交換処理の際には、
送り出し室１および巻き取り室５のそれぞれについてリ
−ク、ボビンの交換、排気の操作が必要であった。した
がって、ロ−ル状基体３の交換作業に時間が係り、処理
能力が低かった。
ロ−ル状基体の真空処理装置は送り出し用ボビン２と巻
き取り用ボビン６が別々のチャンバ１、５に収容されて
いる。そのため、ロ−ル状基体３の交換処理の際には、
送り出し室１および巻き取り室５のそれぞれについてリ
−ク、ボビンの交換、排気の操作が必要であった。した
がって、ロ−ル状基体３の交換作業に時間が係り、処理
能力が低かった。
【０００５】また、送り出し室１および巻き取り室５の
それぞれにリ−ク用ガスが必要であるため、コストの増
大の原因となっていた。
それぞれにリ−ク用ガスが必要であるため、コストの増
大の原因となっていた。
【０００６】さらに、送り出し室１および巻き取り室５
の双方を設ける必要があるため、設備の大型化の原因と
なっていた。
の双方を設ける必要があるため、設備の大型化の原因と
なっていた。
【０００７】本発明は上記の事情を考慮して為されたも
ので、処理能力の向上、コストの低減および設備のコン
パクト化を図ることができるロ−ル状基体の真空処理装
置を提供することを目的とする。
ので、処理能力の向上、コストの低減および設備のコン
パクト化を図ることができるロ−ル状基体の真空処理装
置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本件第１番目の発明は、ロ−ル状に保持された基体
を連続して送り出す送り出し手段と、前記送り出し手段
から送り出された基体に真空中で処理を施す真空処理手
段と、前記真空処理手段で処理された基体をロ−ル状に
巻き取る巻き取り手段とを具備してなるロ−ル状基体の
真空処理装置において、前記送り出し手段と前記巻き取
り手段とが共通の真空チャンバに収容されてなることを
特徴とする。
め、本件第１番目の発明は、ロ−ル状に保持された基体
を連続して送り出す送り出し手段と、前記送り出し手段
から送り出された基体に真空中で処理を施す真空処理手
段と、前記真空処理手段で処理された基体をロ−ル状に
巻き取る巻き取り手段とを具備してなるロ−ル状基体の
真空処理装置において、前記送り出し手段と前記巻き取
り手段とが共通の真空チャンバに収容されてなることを
特徴とする。
【０００９】また、本件第２番目の発明は、ロ−ル状に
保持された基体を連続して送り出す複数の送り出し手段
と、前記送り出し手段から送り出された基体に真空中で
処理を施す真空処理手段と、前記真空処理手段で処理さ
れた基体をロ−ル状に巻き取る複数の巻き取り手段とを
具備してなるロ−ル状基体の真空処理装置において、前
記複数の送り出し手段は第１の真空チャンバに収容さ
れ、前記複数の巻き取り手段は第２の真空チャンバに収
容されてなることを特徴とする。
保持された基体を連続して送り出す複数の送り出し手段
と、前記送り出し手段から送り出された基体に真空中で
処理を施す真空処理手段と、前記真空処理手段で処理さ
れた基体をロ−ル状に巻き取る複数の巻き取り手段とを
具備してなるロ−ル状基体の真空処理装置において、前
記複数の送り出し手段は第１の真空チャンバに収容さ
れ、前記複数の巻き取り手段は第２の真空チャンバに収
容されてなることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本件第１番目の発明においては、送り出し手段
と巻き取り手段とが共通のチャンバに収容されてなり、
本件第２番目の発明においては、複数の送り出し手段が
第１の真空チャンバに収容され、複数の巻き取り手段が
第２の真空チャンバに収容されてなるから、ロ−ル状基
体の交換の際のチャンバの操作が容易であり、リ−ク用
ガス等が少なくて済むためにコストダウンを図ることが
でき、さらに設備のコンパクト化を図ることができる。
と巻き取り手段とが共通のチャンバに収容されてなり、
本件第２番目の発明においては、複数の送り出し手段が
第１の真空チャンバに収容され、複数の巻き取り手段が
第２の真空チャンバに収容されてなるから、ロ−ル状基
体の交換の際のチャンバの操作が容易であり、リ−ク用
ガス等が少なくて済むためにコストダウンを図ることが
でき、さらに設備のコンパクト化を図ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係るロ−ル状基体の真空処理
装置の一実施例について添付図面を参照して説明する。
装置の一実施例について添付図面を参照して説明する。
【００１２】ロ−ル状基体の真空処理装置は積層半導体
薄膜素子の連続的製造装置に好適に用いられ、図１に示
すように、真空チャンバ１１内に送り出し手段としての
送り出し用ボビン１２および巻き取り手段としての巻き
取り用ボビン１３が収容される。送り出し用ボビン１２
には未処理のロ−ル状の基体１４が保持されている。巻
き取り用ボビン１３には処理済みの基体１４が巻き取ら
れている。基体１４は送り出し用ボビン１２から真空処
理装置１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃを通って巻き取り用１３
へ連続して延びている。真空処理装置１５Ａ、１５Ｂ、
１５Ｃは基体１４の表面に積層膜を堆積する処理が連続
して行われるようになっている。
薄膜素子の連続的製造装置に好適に用いられ、図１に示
すように、真空チャンバ１１内に送り出し手段としての
送り出し用ボビン１２および巻き取り手段としての巻き
取り用ボビン１３が収容される。送り出し用ボビン１２
には未処理のロ−ル状の基体１４が保持されている。巻
き取り用ボビン１３には処理済みの基体１４が巻き取ら
れている。基体１４は送り出し用ボビン１２から真空処
理装置１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃを通って巻き取り用１３
へ連続して延びている。真空処理装置１５Ａ、１５Ｂ、
１５Ｃは基体１４の表面に積層膜を堆積する処理が連続
して行われるようになっている。
【００１３】上記のロ−ル状基体の真空処理装置を用い
て処理を行う際には、まず送り出し用ボビン１２から基
体１４を連続して送り出し、送り出された基体１４は真
空処理装置１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃを順次通過して、再
び真空チャンバ１１に戻ってくる。真空処理装置１５
Ａ、１５Ｂ、１５Ｃでは基体１４の表面に積層膜を堆積
する処理が連続して行われる。真空チャンバ１１に戻っ
た基体１４は、巻き取り用ボビン１２に連続して巻き取
られる。
て処理を行う際には、まず送り出し用ボビン１２から基
体１４を連続して送り出し、送り出された基体１４は真
空処理装置１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃを順次通過して、再
び真空チャンバ１１に戻ってくる。真空処理装置１５
Ａ、１５Ｂ、１５Ｃでは基体１４の表面に積層膜を堆積
する処理が連続して行われる。真空チャンバ１１に戻っ
た基体１４は、巻き取り用ボビン１２に連続して巻き取
られる。
【００１４】連続するロ−ル状基体１４の一巻きについ
て処理が終了すると、真空チャンバ１１のリ−クが行わ
れた後、送り出し用ボビン１２および巻き取り用ボビン
１３の交換が行われる。その後、真空チャンバ１１内の
ガスが排気され、再び基体１４の処理が行われる。
て処理が終了すると、真空チャンバ１１のリ−クが行わ
れた後、送り出し用ボビン１２および巻き取り用ボビン
１３の交換が行われる。その後、真空チャンバ１１内の
ガスが排気され、再び基体１４の処理が行われる。
【００１５】上記実施例の装置を用いて実験を行った結
果、ロ−ル状基体の表面に積層膜を堆積するのに掛かっ
た時間は２時間半であった。また、ロ−ル状基体の交換
には、リ−ク、排気およびボビンの交換を含めて約４０
分掛かった。
果、ロ−ル状基体の表面に積層膜を堆積するのに掛かっ
た時間は２時間半であった。また、ロ−ル状基体の交換
には、リ−ク、排気およびボビンの交換を含めて約４０
分掛かった。
【００１６】これに対して、従来の装置を用いて比較例
として実験を行った結果、ロ−ル状基体の表面に積層膜
を堆積するのに掛かった時間は３時間であった。また、
ロ−ル状基体の交換には、リ−ク、排気およびボビンの
交換を含めて２時間以上掛かった。
として実験を行った結果、ロ−ル状基体の表面に積層膜
を堆積するのに掛かった時間は３時間であった。また、
ロ−ル状基体の交換には、リ−ク、排気およびボビンの
交換を含めて２時間以上掛かった。
【００１７】以下に、上記実施例と比較例との稼動率を
比較した表を示す。
比較した表を示す。
【００１８】
【表１】 このように、上記実施例によれば、送り出し用ボビン１
２と巻き取り用ボビン１３とを同じ真空チャンバ１１に
収容したから、ボビン１２、１３の交換の際には、一つ
の真空チャンバ１１についてのみリ−クおよび排気を行
えば良い。したがって、ロ−ル状基体１４の交換作業に
要する時間が短くなる。また、送り出し用ボビン１２か
ら巻き取り用ボビン１３に至るまでの距離を従来よりも
短くすることができるため、ロ−ル状基体１４の処理に
要する時間を従来よりも短くすることができる。その結
果、従来よりも処理能力を大幅に向上させることができ
る。
２と巻き取り用ボビン１３とを同じ真空チャンバ１１に
収容したから、ボビン１２、１３の交換の際には、一つ
の真空チャンバ１１についてのみリ−クおよび排気を行
えば良い。したがって、ロ−ル状基体１４の交換作業に
要する時間が短くなる。また、送り出し用ボビン１２か
ら巻き取り用ボビン１３に至るまでの距離を従来よりも
短くすることができるため、ロ−ル状基体１４の処理に
要する時間を従来よりも短くすることができる。その結
果、従来よりも処理能力を大幅に向上させることができ
る。
【００１９】また、真空チャンバ１１は一つで良いた
め、リ−クに用いるガスも一つ分だけで良く、コストの
低減を図ることができる。
め、リ−クに用いるガスも一つ分だけで良く、コストの
低減を図ることができる。
【００２０】さらに、真空チャンバ１１を一つとしたた
め、装置全体をコンパクトに構成することが可能とな
る。
め、装置全体をコンパクトに構成することが可能とな
る。
【００２１】図２は本発明の他の実施例を示す構成図で
ある。
ある。
【００２２】一対の送り出し用ボビン１２Ａ、１２Ｂが
一つの第１真空チャンバ１６に収容され、一対の巻き取
り用ボビン１３Ａ、１３Ｂが一つの第２真空チャンバ１
７に収容されている。一方の送り出し用チャンバ１２Ａ
から送り出された基体１４は、真空処理装置１５Ａ、１
５Ｂ、１５Ｃを通って処理された後、巻き取り用ボビン
１３Ａに巻き取られる。他方の送り出し用チャンバ１２
Ｂから送り出された基体１４は、真空処理装置１５Ａ、
１５Ｂ、１５Ｃを通って処理された後、巻き取り用ボビ
ン１３Ｂに巻き取られる。
一つの第１真空チャンバ１６に収容され、一対の巻き取
り用ボビン１３Ａ、１３Ｂが一つの第２真空チャンバ１
７に収容されている。一方の送り出し用チャンバ１２Ａ
から送り出された基体１４は、真空処理装置１５Ａ、１
５Ｂ、１５Ｃを通って処理された後、巻き取り用ボビン
１３Ａに巻き取られる。他方の送り出し用チャンバ１２
Ｂから送り出された基体１４は、真空処理装置１５Ａ、
１５Ｂ、１５Ｃを通って処理された後、巻き取り用ボビ
ン１３Ｂに巻き取られる。
【００２３】この実施例の装置を用いて実験を行った結
果、２本のロ−ル状基体の表面に積層膜を堆積するのに
係る時間は３時間であった。また、ロ−ル状基体の交換
には、真空チャンバ１６、１７のサイズが前記実施例よ
りも大きいためにリ−クおよび排気に多少時間が掛かる
ようになったことと、ロ−ル状基体の本数が増えたため
に２０分程度余計に時間が掛かるようになったことから
３時間程度掛かったが、従来に比較して単位時間当たり
の処理量は約３０％程度向上した。
果、２本のロ−ル状基体の表面に積層膜を堆積するのに
係る時間は３時間であった。また、ロ−ル状基体の交換
には、真空チャンバ１６、１７のサイズが前記実施例よ
りも大きいためにリ−クおよび排気に多少時間が掛かる
ようになったことと、ロ−ル状基体の本数が増えたため
に２０分程度余計に時間が掛かるようになったことから
３時間程度掛かったが、従来に比較して単位時間当たり
の処理量は約３０％程度向上した。
【００２４】このように、本実施例においては一つの第
１真空チャンバ１６に複数の送り出し用ボビン１２Ａ、
１２Ｂが収容されるとともに、一つの第２真空チャンバ
１７に複数の巻き取り用ボビン１３Ａ、１３Ｂが収容さ
れるため、前記実施例と同様に処理能力を大幅に向上さ
せることができるとともに、コストの低減およびコンパ
クト化を図ることができる。
１真空チャンバ１６に複数の送り出し用ボビン１２Ａ、
１２Ｂが収容されるとともに、一つの第２真空チャンバ
１７に複数の巻き取り用ボビン１３Ａ、１３Ｂが収容さ
れるため、前記実施例と同様に処理能力を大幅に向上さ
せることができるとともに、コストの低減およびコンパ
クト化を図ることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、送り出
し手段と巻き取り手段とが共通の真空チャンバに収容さ
れてなるかまたは、複数の送り出し手段が第１の真空チ
ャンバに収容されるとともに複数の巻き取り手段が第２
の真空チャンバに収容されてなるから、処理能力の大幅
向上、コストの低減および設備のコンパクト化を図るこ
とができる。
し手段と巻き取り手段とが共通の真空チャンバに収容さ
れてなるかまたは、複数の送り出し手段が第１の真空チ
ャンバに収容されるとともに複数の巻き取り手段が第２
の真空チャンバに収容されてなるから、処理能力の大幅
向上、コストの低減および設備のコンパクト化を図るこ
とができる。
【図１】本発明に係るロ−ル状基体の真空処理装置の一
実施例を示す構成図である。
実施例を示す構成図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す構成図である。
【図３】従来のロ−ル状基体の真空処理装置を示す構成
図である。
図である。
１１ 真空チャンバ １２、１２Ａ、１２Ｂ 送り出し用ボビン １３、１３Ａ、１３Ｂ 巻き取り用ボビン １４ 基体 １５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ 真空処理装置 １６ 第１真空チャンバ １７ 第２真空チャンバ
Claims (2)
- 【請求項１】 ロ−ル状に保持された基体を連続して送
り出す送り出し手段と、前記送り出し手段から送り出さ
れた基体に真空中で処理を施す真空処理手段と、前記真
空処理手段で処理された基体をロ−ル状に巻き取る巻き
取り手段とを具備してなるロ−ル状基体の真空処理装置
において、前記送り出し手段と前記巻き取り手段とが共
通の真空チャンバに収容されてなることを特徴とするロ
−ル状基体の真空処理装置。 - 【請求項２】 ロ−ル状に保持された基体を連続して送
り出す複数の送り出し手段と、前記送り出し手段から送
り出された基体に真空中で処理を施す真空処理手段と、
前記真空処理手段で処理された基体をロ−ル状に巻き取
る複数の巻き取り手段とを具備してなるロ−ル状基体の
真空処理装置において、前記複数の送り出し手段は第１
の真空チャンバに収容され、前記複数の巻き取り手段は
第２の真空チャンバに収容されてなることを特徴とする
ロ−ル状基体の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34301992A JPH06184748A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | ロール状基体の真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34301992A JPH06184748A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | ロール状基体の真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06184748A true JPH06184748A (ja) | 1994-07-05 |
Family
ID=18358314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34301992A Pending JPH06184748A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | ロール状基体の真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06184748A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010519417A (ja) * | 2007-02-26 | 2010-06-03 | ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 帯材状の基板を真空処理するための処理装置 |
| DE102014113036A1 (de) * | 2014-09-10 | 2015-08-20 | Von Ardenne Gmbh | Anordnung und Verfahren zur Beschichtung eines bandförmigen Substrats |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP34301992A patent/JPH06184748A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010519417A (ja) * | 2007-02-26 | 2010-06-03 | ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 帯材状の基板を真空処理するための処理装置 |
| US20100215848A1 (en) * | 2007-02-26 | 2010-08-26 | Leybold Optics Gmbh | Vacuum treatment of strip-shaped substrates |
| US9297065B2 (en) | 2007-02-26 | 2016-03-29 | Leybold Optics Gmbh | Vacuum treatment of strip-shaped substrates |
| DE102014113036A1 (de) * | 2014-09-10 | 2015-08-20 | Von Ardenne Gmbh | Anordnung und Verfahren zur Beschichtung eines bandförmigen Substrats |
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