JPS6320464A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
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- JPS6320464A JPS6320464A JP16367086A JP16367086A JPS6320464A JP S6320464 A JPS6320464 A JP S6320464A JP 16367086 A JP16367086 A JP 16367086A JP 16367086 A JP16367086 A JP 16367086A JP S6320464 A JPS6320464 A JP S6320464A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、銅帯等の帯板の表面に、金属皮膜を連続的
に真空蒸着するだめの装置に関するものである。
に真空蒸着するだめの装置に関するものである。
例えば、銅帯の表面に亜鉛やアルミニウムのような金属
皮膜を連続的に真空蒸着するための装置として、鋼帯が
連続的に通過する真空槽と、真空槽内に配置された蒸着
用金属を収容するためのるつぼと、るつぼ内の蒸着用金
属を加熱蒸発させるだめの加熱ヒータとからなる真空蒸
着装置が知られている。
皮膜を連続的に真空蒸着するための装置として、鋼帯が
連続的に通過する真空槽と、真空槽内に配置された蒸着
用金属を収容するためのるつぼと、るつぼ内の蒸着用金
属を加熱蒸発させるだめの加熱ヒータとからなる真空蒸
着装置が知られている。
るつぼ内の蒸着用金属は、加熱ヒータによって加熱され
て蒸発し、蒸着用金属から蒸発した金属分子が真空槽内
を連続的に通過する銅帯の表面に付着して、銅帯の表面
に蒸着用金属の薄い皮膜が形成される。
て蒸発し、蒸着用金属から蒸発した金属分子が真空槽内
を連続的に通過する銅帯の表面に付着して、銅帯の表面
に蒸着用金属の薄い皮膜が形成される。
しかしながら、蒸着用金属が例えばチタンやシリコンの
ような高融点の金属の場合には、上述した従来の装置で
は、るつぼ内の蒸着用金属を十分に加熱蒸発させること
ができず、且つ、蒸着用金属から蒸発した金属分子を鋼
帯の表面に強固に密着させることができない。
ような高融点の金属の場合には、上述した従来の装置で
は、るつぼ内の蒸着用金属を十分に加熱蒸発させること
ができず、且つ、蒸着用金属から蒸発した金属分子を鋼
帯の表面に強固に密着させることができない。
このようなことから、アルミニウムや亜鉛のような低融
点の金属は勿論、チタンやシリコンのような高融点の金
属をも、銅帯等の帯板の表面に連続的に且つ高い密着力
で真空蒸着することができ、しかも、蒸着処理後、直ち
に帯板を所定の温度に冷却することができる真空蒸着装
置の開発が強く望まれているが、かかる装置は、まだ提
案されていない。
点の金属は勿論、チタンやシリコンのような高融点の金
属をも、銅帯等の帯板の表面に連続的に且つ高い密着力
で真空蒸着することができ、しかも、蒸着処理後、直ち
に帯板を所定の温度に冷却することができる真空蒸着装
置の開発が強く望まれているが、かかる装置は、まだ提
案されていない。
従って、この発明の目的は、銅帯等の帯板の表面に、ア
ルミニウムや亜鉛のような低融点の金属は勿論、チタン
やシリコンのような高融点の金属をも、連続的に且つ高
い密着力で真空蒸着することができ、しかも、蒸着処理
後、直ちに帯板を所定の温度に冷却することができる真
空蒸着装置を提供することにある。
ルミニウムや亜鉛のような低融点の金属は勿論、チタン
やシリコンのような高融点の金属をも、連続的に且つ高
い密着力で真空蒸着することができ、しかも、蒸着処理
後、直ちに帯板を所定の温度に冷却することができる真
空蒸着装置を提供することにある。
この発明は、帯板が連続的に通過する真空槽と、前記真
空槽内を通過する前記帯板の下方に設けられた、蒸着用
金属を収容するためのるつぼと、前記真空槽に取り付け
られた、前記蒸着用金属に電子ビームを当てて前記蒸着
用金属を加熱蒸発させるための電子ビーム銃と、前記る
つぼと前記帯板との間に設けられた、前記蒸着用金属と
の間に発生させたアークによって前記蒸着用金属から蒸
発した金属分子を金属原子と電子とに電離させる半冨≠
坐→→４４４ための電極と、前記電極と前記蒸着用金属
との間に電圧を印加するための第１電源と、前記帯板に
負の極性を与えるための第２電源と、前記真空槽内に設
けられた、蒸着処理された前記帯板を所定の温度に冷却
し且つ前記帯板の移動方向を変更させるためのガイドロ
ーラとからなり、前記ガイドローラは、その内部に冷却
水が循環する冷却水用導管が設けられていることに特徴
を有するものである。
空槽内を通過する前記帯板の下方に設けられた、蒸着用
金属を収容するためのるつぼと、前記真空槽に取り付け
られた、前記蒸着用金属に電子ビームを当てて前記蒸着
用金属を加熱蒸発させるための電子ビーム銃と、前記る
つぼと前記帯板との間に設けられた、前記蒸着用金属と
の間に発生させたアークによって前記蒸着用金属から蒸
発した金属分子を金属原子と電子とに電離させる半冨≠
坐→→４４４ための電極と、前記電極と前記蒸着用金属
との間に電圧を印加するための第１電源と、前記帯板に
負の極性を与えるための第２電源と、前記真空槽内に設
けられた、蒸着処理された前記帯板を所定の温度に冷却
し且つ前記帯板の移動方向を変更させるためのガイドロ
ーラとからなり、前記ガイドローラは、その内部に冷却
水が循環する冷却水用導管が設けられていることに特徴
を有するものである。
次に、この発明の真空蒸着装置の一実施態様を図面を参
照しながら説明する。第１図は、この発明の真空蒸着装
置の一実施態様を示す断面図、第２図は、第１図のＡ−
Ａ線断面図である。
照しながら説明する。第１図は、この発明の真空蒸着装
置の一実施態様を示す断面図、第２図は、第１図のＡ−
Ａ線断面図である。
第１図および第２図に示すように、真空槽１は水平な短
円筒状に形成されており、その側部には帯板人口３が、
そして、その上部には帯板出口４が設けられている。帯
板人口３および帯板出口４の各々には、ゲート５が取り
付けられている。真空槽ｌ内は、真空ポンプ（図示せず
）によって、約１０−’ Ｔｏｒｒ の真空度に保
たれている。６は真空槽１の一方の側面に設けられた開
閉扉である。
円筒状に形成されており、その側部には帯板人口３が、
そして、その上部には帯板出口４が設けられている。帯
板人口３および帯板出口４の各々には、ゲート５が取り
付けられている。真空槽ｌ内は、真空ポンプ（図示せず
）によって、約１０−’ Ｔｏｒｒ の真空度に保
たれている。６は真空槽１の一方の側面に設けられた開
閉扉である。
真空槽１内の上部には、帯板人口３を通って真空槽１内
に水平に導かれた、蒸着処理後の帯板２を所定温度に冷
却すると共にその移動方向を、帯板出口４に向けて上方
に変更させるための中空ガイドローラ７が設けられてい
る。ガイドローラフは、第３図に示すように、駆動機（
図示せず）によって、帯板２の移動と同期して回転し、
その内面には、冷却水が循環する冷却水用導管８がスパ
イラル状に取シ付けられている。冷却水用導管８内には
、真空槽１の外部から冷却水が循環供給され、これによ
って、ガイドローラフは冷却される。
に水平に導かれた、蒸着処理後の帯板２を所定温度に冷
却すると共にその移動方向を、帯板出口４に向けて上方
に変更させるための中空ガイドローラ７が設けられてい
る。ガイドローラフは、第３図に示すように、駆動機（
図示せず）によって、帯板２の移動と同期して回転し、
その内面には、冷却水が循環する冷却水用導管８がスパ
イラル状に取シ付けられている。冷却水用導管８内には
、真空槽１の外部から冷却水が循環供給され、これによ
って、ガイドローラフは冷却される。
冷却水の供給量等を調整すれば、ガイドローラフに接触
して移動する蒸着処理後の帯板２を所定温度に冷却する
ことができる。
して移動する蒸着処理後の帯板２を所定温度に冷却する
ことができる。
真空槽ｌ内の下部には、蒸着用金属１０を収容するため
の水冷構造の銅製るつぼ９が、絶縁碍子１１を介して取
り付けられている。
の水冷構造の銅製るつぼ９が、絶縁碍子１１を介して取
り付けられている。
真空槽１の上部には、るつぼ９内の蒸着用金属１０に向
けて電子ビームを当てて蒸着用金属１゜を加熱蒸発させ
るための電子ビーム銃１２が取シ付けられている。電子
ビーム銃１２からの電子ビームが、るつぼ９内の蒸着用
金属ｌＯの表面を走査して、蒸着用金属１０を平均に加
熱するために、電子ビーム銃１ ’２の先端には、偏向
コイル（図示せず）が取シ付けられている。
けて電子ビームを当てて蒸着用金属１゜を加熱蒸発させ
るための電子ビーム銃１２が取シ付けられている。電子
ビーム銃１２からの電子ビームが、るつぼ９内の蒸着用
金属ｌＯの表面を走査して、蒸着用金属１０を平均に加
熱するために、電子ビーム銃１ ’２の先端には、偏向
コイル（図示せず）が取シ付けられている。
真空槽１内のるつぼ９の上方には、例えばモリブデン製
の電極１３が設けられている。電極１３とるつぼ９との
間には、第１電源１４が設けられている。蒸着用金属１
０から蒸発した金属分子は、電極１３と蒸着用金属１０
との間に発生したアークによって、金属原子と電子とに
電離する。
の電極１３が設けられている。電極１３とるつぼ９との
間には、第１電源１４が設けられている。蒸着用金属１
０から蒸発した金属分子は、電極１３と蒸着用金属１０
との間に発生したアークによって、金属原子と電子とに
電離する。
真空槽１内を通過する帯板２は、第２電源１５の負極側
に真空槽１を介して電気的に接続されているガイドロー
ラ７と電気的に接触している。従って、帯板２は、第２
電源１５の負極側に接続されることになる。これによっ
て、アーク放電によυ電離した正の電荷をもつ金属原子
は、帯板２の下面に電気的に吸引されて付着する。るつ
ぼ９の上方には、蒸発した金属分子が帯板２以外の部分
に付着することを防止するだめに、遮蔽板１６が設けら
れている。遮蔽板１６の上端には、帯板２の下面への金
属原子の付着量を調整するためのシャッター１７が設け
られている。
に真空槽１を介して電気的に接続されているガイドロー
ラ７と電気的に接触している。従って、帯板２は、第２
電源１５の負極側に接続されることになる。これによっ
て、アーク放電によυ電離した正の電荷をもつ金属原子
は、帯板２の下面に電気的に吸引されて付着する。るつ
ぼ９の上方には、蒸発した金属分子が帯板２以外の部分
に付着することを防止するだめに、遮蔽板１６が設けら
れている。遮蔽板１６の上端には、帯板２の下面への金
属原子の付着量を調整するためのシャッター１７が設け
られている。
１８は帯板２を巻き戻すためのアンコイラ−である。ア
ンコイラ−１８と真空槽ｌの帯板入口３とは、入側導管
１９によって気密に接続されている。入側導管１９内の
途中には、帯板２を予め加熱するための加熱用コイル２
０が設けられている。
ンコイラ−１８と真空槽ｌの帯板入口３とは、入側導管
１９によって気密に接続されている。入側導管１９内の
途中には、帯板２を予め加熱するための加熱用コイル２
０が設けられている。
２１は真空蒸着処理された帯板２を巻き取るためのコイ
ラーである。真空槽ｌの帯板出口４とコイラー２１との
間は、出側導管２２によって気密に接続されている。
ラーである。真空槽ｌの帯板出口４とコイラー２１との
間は、出側導管２２によって気密に接続されている。
予め酸洗等によって表面が清浄化された帯板２は、アン
コイラ−１８によって巻戻され、入側導管１９、真空槽
１および出側導管２２内をガイドローラ７を経て連続的
に移動し、コイラー２１によって巻き取られる。このよ
うに移動する帯板２は、入側導管１９内に設けられた加
熱用コイル２０によって、３００〜５００℃の温度に加
熱される。
コイラ−１８によって巻戻され、入側導管１９、真空槽
１および出側導管２２内をガイドローラ７を経て連続的
に移動し、コイラー２１によって巻き取られる。このよ
うに移動する帯板２は、入側導管１９内に設けられた加
熱用コイル２０によって、３００〜５００℃の温度に加
熱される。
一方、るつぼ９内の蒸着用金属１１は、電子ビーム銃１
２からの電子ビームによって加熱蒸発する。
２からの電子ビームによって加熱蒸発する。
これによって生じた蒸着用金属１ｏの金属分子は、電極
１３と蒸着用金属１０との間に発生したアークによって
金属原子と電子とに電離する。そして、前記金属原子は
、第２電源１５の負極側にガイドローラ フを介して電
気的に接続されている帯板１の下面に゛電気的に吸引さ
れて付着する。このようにして、帯板２の下面に、２〜
５ミクロンの厚さの蒸着用金属の皮膜が形成される。次
いで、直ちに帯板２はガイドローラ２によって所定温度
に冷却され、続いて出側導管２２を通り、コイラー２１
に巻き取られる。
１３と蒸着用金属１０との間に発生したアークによって
金属原子と電子とに電離する。そして、前記金属原子は
、第２電源１５の負極側にガイドローラ フを介して電
気的に接続されている帯板１の下面に゛電気的に吸引さ
れて付着する。このようにして、帯板２の下面に、２〜
５ミクロンの厚さの蒸着用金属の皮膜が形成される。次
いで、直ちに帯板２はガイドローラ２によって所定温度
に冷却され、続いて出側導管２２を通り、コイラー２１
に巻き取られる。
この発明の装置において、るつぼ９内の蒸着用金属１０
の加熱は、上述したように、電子ビーム銃１２からの高
いエネルギーを有する電子ビームによって行なわれるの
で、チタンやシリコンのような高融点の金属であっても
、容易に加熱蒸発させることができる。そして、蒸発し
た金属分子を、電極１３とるつぼ９内の蒸着用金属１０
との間に発生させたアークによって電離させ、その金属
原子を帯板２の下面に電気的に吸着させるので、帯板２
０表面に高い密着力で金属皮膜を形成させることができ
ると共に真空槽１の真空度をそれほど高めなくても済む
。さらに、蒸着処理後の帯板２をガイドローラフによっ
て直ちに冷却することができるので、蒸着により形成さ
れた金属皮膜の密着性、品質共に良好となる。
の加熱は、上述したように、電子ビーム銃１２からの高
いエネルギーを有する電子ビームによって行なわれるの
で、チタンやシリコンのような高融点の金属であっても
、容易に加熱蒸発させることができる。そして、蒸発し
た金属分子を、電極１３とるつぼ９内の蒸着用金属１０
との間に発生させたアークによって電離させ、その金属
原子を帯板２の下面に電気的に吸着させるので、帯板２
０表面に高い密着力で金属皮膜を形成させることができ
ると共に真空槽１の真空度をそれほど高めなくても済む
。さらに、蒸着処理後の帯板２をガイドローラフによっ
て直ちに冷却することができるので、蒸着により形成さ
れた金属皮膜の密着性、品質共に良好となる。
なお、遮蔽板１６の上端には、シャッター１７が設けら
れているので、その開度を調節することにより、帯板２
に蒸着される金属皮膜の膜厚を調整することができる。
れているので、その開度を調節することにより、帯板２
に蒸着される金属皮膜の膜厚を調整することができる。
以上述べたように、この発明の真空蒸着装置によれば、
銅帯等の帯板の下面に、アルミニウムや亜鉛のような低
融点の金属は勿論、チタンやシリコンのような高融点の
金属をも、連続的に且つ高い密着力で蒸着することがで
きる工業上優れた効果がもたらされる。
銅帯等の帯板の下面に、アルミニウムや亜鉛のような低
融点の金属は勿論、チタンやシリコンのような高融点の
金属をも、連続的に且つ高い密着力で蒸着することがで
きる工業上優れた効果がもたらされる。
第１図は、この発明の真空蒸着装置の一実施態様を示す
断面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は
、同実施態様におけるガイドローラの部分断面図である
。図面において、１・・・真空槽、 ２・・
・帯板、３・・・帯板入口、 ４・・・帯板出
口、５・・・ゲート、 ６・・・開閉扉、７・
・・ガイドローラ、 ８・・・冷却水用導管、９・
・・るつぼ、 １ｏ・・・蒸着用金属、１１・
・・絶縁碍子、 １２・・・電子ビーム銃、１３
・・・電極、 １４・・・第１電源、１５・
・・第２電源、 １６・・・遮蔽板、１７・・・
シャッター、 １８・・・アンコイラ−１１９・・
・入側導管、 ２０・・・加熱用コイル、２１・
・・コイラー、 ２２・・・出側導管。
断面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は
、同実施態様におけるガイドローラの部分断面図である
。図面において、１・・・真空槽、 ２・・
・帯板、３・・・帯板入口、 ４・・・帯板出
口、５・・・ゲート、 ６・・・開閉扉、７・
・・ガイドローラ、 ８・・・冷却水用導管、９・
・・るつぼ、 １ｏ・・・蒸着用金属、１１・
・・絶縁碍子、 １２・・・電子ビーム銃、１３
・・・電極、 １４・・・第１電源、１５・
・・第２電源、 １６・・・遮蔽板、１７・・・
シャッター、 １８・・・アンコイラ−１１９・・
・入側導管、 ２０・・・加熱用コイル、２１・
・・コイラー、 ２２・・・出側導管。
Claims (1)
- 帯板が連続的に通過する真空槽と、前記真空槽内を通過
する前記帯板の下方に設けられた、蒸着用金属を収容す
るためのるつぼと、前記真空槽に取り付けられた、前記
蒸着用金属に電子ビームを当てて前記蒸着用金属を加熱
蒸発させるための電子ビーム銃と、前記るつぼと前記帯
板との間に設けられた、前記蒸着用金属との間に発生さ
せたアークによつて前記蒸着用金属から蒸発した金属分
子を金属原子と電子とに電離させるための電極と、前記
電極と前記蒸着用金属との間に電圧を印加するための第
１電源と、前記帯板に負の極性を与えるための第２電源
と、前記真空槽内に設けられた、蒸着処理された前記帯
板を所定の温度に冷却し且つ前記帯板の移動方向を変更
させるためのガイドローラとからなり、前記ガイドロー
ラは、その内部に冷却水が循環する冷却水用導管が設け
られていることを特徴とする真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16367086A JPS6320464A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16367086A JPS6320464A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320464A true JPS6320464A (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=15778360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16367086A Pending JPS6320464A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6320464A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007009615A1 (de) | 2007-02-26 | 2008-08-28 | Leybold Optics Gmbh | Anlage und Verfahren zur Vakuumbehandlung von bandförmigen Substraten |
| US7543965B2 (en) | 2004-10-29 | 2009-06-09 | Samsung Electronic Co., Ltd | Side light-emitting device, backlight unit having the side light-emitting device, and liquid crystal display apparatus employing the backlight unit |
| US7950831B2 (en) | 2004-04-29 | 2011-05-31 | Lg Display Co., Ltd. | Recessed LED lamp unit |
| US9388493B2 (en) | 2013-01-08 | 2016-07-12 | Veeco Instruments Inc. | Self-cleaning shutter for CVD reactor |
| US9938621B2 (en) | 2010-12-30 | 2018-04-10 | Veeco Instruments Inc. | Methods of wafer processing with carrier extension |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP16367086A patent/JPS6320464A/ja active Pending
Cited By (7)
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