JPS6318060A - 真空蒸着方法 - Google Patents
真空蒸着方法Info
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- JPS6318060A JPS6318060A JP16088286A JP16088286A JPS6318060A JP S6318060 A JPS6318060 A JP S6318060A JP 16088286 A JP16088286 A JP 16088286A JP 16088286 A JP16088286 A JP 16088286A JP S6318060 A JPS6318060 A JP S6318060A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、銅帯等の帯板の表面に、金属皮膜を連続的
に真空蒸着するための方法に関するものである。
に真空蒸着するための方法に関するものである。
例えば、鋼帯の表面に亜鉛やアルミニウムのような金属
皮膜を連続的に真空蒸着するための方法として、真空槽
内を銅帯を連続的に通過させ、真空槽内ＶＣ配置された
るつぼ内の蒸着用金属を、加熱ヒータによって加熱蒸発
させることからなる真空蒸着方法が知られている。
皮膜を連続的に真空蒸着するための方法として、真空槽
内を銅帯を連続的に通過させ、真空槽内ＶＣ配置された
るつぼ内の蒸着用金属を、加熱ヒータによって加熱蒸発
させることからなる真空蒸着方法が知られている。
るつは内の蒸着用金属は、加熱ヒータによって加熱され
て蒸発し、蒸着用金属から蒸発した金属分子が真空槽内
を連続的に通過する銅帯の表面に付着して、銅帯の表面
に蒸着用金属の薄い皮膜が形成される。
て蒸発し、蒸着用金属から蒸発した金属分子が真空槽内
を連続的に通過する銅帯の表面に付着して、銅帯の表面
に蒸着用金属の薄い皮膜が形成される。
しかしながら、蒸着用金属が例えばチタンやシリコンの
ような高融点の金属の場合には、上述した従来の装置で
は、るつＱ子内の蒸着用金属を十分に加熱蒸発させるこ
とができず、且つ、蒸着用金属から蒸発した金属分子を
銅帯の表面に強固に密着させることができない。
ような高融点の金属の場合には、上述した従来の装置で
は、るつＱ子内の蒸着用金属を十分に加熱蒸発させるこ
とができず、且つ、蒸着用金属から蒸発した金属分子を
銅帯の表面に強固に密着させることができない。
このようなことから、アルミニウムや亜鉛のような低融
点の金属は勿論、チタンやシリコンのような高融点の金
属をも、銅帯等の帯板の表面に連続的に且つ高い密着力
で真空蒸着することができ、且つ、蒸着される金属皮膜
の膜厚？自由に調整することができる真空蒸着方法の開
発が強く望まれているが、かかる方法は、まだ提案され
ていない。
点の金属は勿論、チタンやシリコンのような高融点の金
属をも、銅帯等の帯板の表面に連続的に且つ高い密着力
で真空蒸着することができ、且つ、蒸着される金属皮膜
の膜厚？自由に調整することができる真空蒸着方法の開
発が強く望まれているが、かかる方法は、まだ提案され
ていない。
従って、この発明の目的は、銅帯等の帯板の表面に、ア
ルミニウムや亜鉛のような低融点の金属は勿論、チタン
やシリコンのような高融点の金属をも、連続的に且つ高
い密着力で真空蒸着することができ、且つ、蒸着される
金属皮膜の膜厚を自由に調整することができる真空蒸着
方法を提供することにある。
ルミニウムや亜鉛のような低融点の金属は勿論、チタン
やシリコンのような高融点の金属をも、連続的に且つ高
い密着力で真空蒸着することができ、且つ、蒸着される
金属皮膜の膜厚を自由に調整することができる真空蒸着
方法を提供することにある。
この発明は、真空槽内を帯板を連続的に通過させ、前記
真空槽内を通過する前記帯板の下方に蒸着用金属を収容
するためのるつばを設け、前記真空槽に取や付けた電子
ビーム銃によって前記蒸着用金属に電子ビームを当てて
前記蒸着用金属を加熱蒸発させ、前記るつほと前記帯板
との間に設けた電極と、前記蒸着用金属との間にアーク
を発生させて前記蒸着用金属から蒸発した金属分子を金
属原子と電子とに電離させ、前記帯板に負の極性を与え
て前記帯板下面に前記金属原子を電気的に吸着させ、そ
して、前記電極と前記蒸着用金属との間の距離を調整し
て前記帯板の下面に蒸着される金属皮膜の膜厚を調整す
ることに特徴を有するものである。
真空槽内を通過する前記帯板の下方に蒸着用金属を収容
するためのるつばを設け、前記真空槽に取や付けた電子
ビーム銃によって前記蒸着用金属に電子ビームを当てて
前記蒸着用金属を加熱蒸発させ、前記るつほと前記帯板
との間に設けた電極と、前記蒸着用金属との間にアーク
を発生させて前記蒸着用金属から蒸発した金属分子を金
属原子と電子とに電離させ、前記帯板に負の極性を与え
て前記帯板下面に前記金属原子を電気的に吸着させ、そ
して、前記電極と前記蒸着用金属との間の距離を調整し
て前記帯板の下面に蒸着される金属皮膜の膜厚を調整す
ることに特徴を有するものである。
次に、この発明の真空蒸着方法の一実施態様を図面を参
照しながら説明する。第１図は、この発明の真空蒸着方
法の一実施態様會示す断面図、第２図は、第１図のＡ−
Ａ線断面図である。
照しながら説明する。第１図は、この発明の真空蒸着方
法の一実施態様會示す断面図、第２図は、第１図のＡ−
Ａ線断面図である。
第１図および第２図に示すように、真空槽ｌは水平な短
円筒状に形成されており、その側部には帯板入口３が、
そして、その上部には帯板出口４が設けられている。帯
板人口３および帯板出口４の各々には、ゲート５が取り
付けられている。真空槽ｌ内は、真空ポンプ（図示せず
）によって、約１０−’ Ｔｏｒｒの高真空に保たれて
いる。６は真空槽ｌの一方の側面に設けられた開閉扉で
ある。
円筒状に形成されており、その側部には帯板入口３が、
そして、その上部には帯板出口４が設けられている。帯
板人口３および帯板出口４の各々には、ゲート５が取り
付けられている。真空槽ｌ内は、真空ポンプ（図示せず
）によって、約１０−’ Ｔｏｒｒの高真空に保たれて
いる。６は真空槽ｌの一方の側面に設けられた開閉扉で
ある。
真空槽１内の上部には、帯板人口３を通って真空槽１内
に水平に導かれた例えば銅帯のような帯板２の移動方向
を、帯板出口４に向けて上方に変更させるためのガイド
ローラ７が設けられている。
に水平に導かれた例えば銅帯のような帯板２の移動方向
を、帯板出口４に向けて上方に変更させるためのガイド
ローラ７が設けられている。
ガイドローラ７は、その内部を循環する水によって常時
冷却される。
冷却される。
真空槽１内の下部には、蒸着用金属８を収容するための
水冷構造のるつぼ９が、絶縁碍子１０を介して取り付け
られている。
水冷構造のるつぼ９が、絶縁碍子１０を介して取り付け
られている。
真空槽１の上部には、るつは９内の蒸着用金属８に向け
て電子ビームを当てて蒸着用金属８を加熱蒸発させるだ
めの電子ビーム銃１１が取り付けられている。電子ビー
ム銃１１からの電子ビームが、るつぼ９内の蒸着用金属
８の表面を走査して、蒸着用金属８を平均に加熱するた
めに、電子ビーム銃１１の先端には、偏向コイル（図示
せず）が取り付けられている。
て電子ビームを当てて蒸着用金属８を加熱蒸発させるだ
めの電子ビーム銃１１が取り付けられている。電子ビー
ム銃１１からの電子ビームが、るつぼ９内の蒸着用金属
８の表面を走査して、蒸着用金属８を平均に加熱するた
めに、電子ビーム銃１１の先端には、偏向コイル（図示
せず）が取り付けられている。
真空槽１内のるつぼ９の上方には、例えばモリブデン製
の電極１２が、昇降器１３によって上下動自在に設けら
れている。電極１２とるつぼ９との間には、第１電源１
４が設けられている。蒸着用金属８から蒸発した金属分
子は、電極１２と蒸着用金属８との間に発生したアーク
によって、金属原子と電子とに電離する。
の電極１２が、昇降器１３によって上下動自在に設けら
れている。電極１２とるつぼ９との間には、第１電源１
４が設けられている。蒸着用金属８から蒸発した金属分
子は、電極１２と蒸着用金属８との間に発生したアーク
によって、金属原子と電子とに電離する。
真空槽１内を通過する帯板２は、第２電源１５の負極側
に真空槽１ｉ介して電気的に接続されているガイドロー
ラ７と電気的に接触している。従って、帯板２は、第２
電極１５の負極側に電気的に接続されることになる。こ
れによって、アーク放電により電離した正の電荷をもつ
金属原子は、帯板２の下面に電気的に吸着される。るつ
ぼ９の上方には、蒸発した金属分子が帯板２以外の部分
に付着することを防止するために、遮蔽板１６が設けら
れている。遮蔽板１６の上端には、帯板２の下面への金
属原子の付着量を調整するだめのシャッター１７が設け
られている。
に真空槽１ｉ介して電気的に接続されているガイドロー
ラ７と電気的に接触している。従って、帯板２は、第２
電極１５の負極側に電気的に接続されることになる。こ
れによって、アーク放電により電離した正の電荷をもつ
金属原子は、帯板２の下面に電気的に吸着される。るつ
ぼ９の上方には、蒸発した金属分子が帯板２以外の部分
に付着することを防止するために、遮蔽板１６が設けら
れている。遮蔽板１６の上端には、帯板２の下面への金
属原子の付着量を調整するだめのシャッター１７が設け
られている。
１８は帯板２を巻き戻すだめのアンコイラ−である。ア
ンコイラ−１８と真空槽１の帯板人口３とは、入側導管
１９によって気密に接続されている。入側導管１９内の
途中には、帯板２を予め加熱するだめの加熱用コイル２
０が設けられている。
ンコイラ−１８と真空槽１の帯板人口３とは、入側導管
１９によって気密に接続されている。入側導管１９内の
途中には、帯板２を予め加熱するだめの加熱用コイル２
０が設けられている。
２１は真空蒸着処理された帯板２を巻き取るためのコイ
ラーである。真空槽１の帯板出口４とコイラー２１との
間は、出側導管２２によって気密に接続されている。
ラーである。真空槽１の帯板出口４とコイラー２１との
間は、出側導管２２によって気密に接続されている。
予め酸洗等によって表面が清浄化された帯板２は、アン
コイラ−１８によって巻戻され、入側導管１９、真空槽
ｌおよび出側導管２２内をガイドローラ７を経て連続的
に移動し、コイラー２１によって巻き取られる。このよ
うに移動する帯板２は、入側導管１９内に設けられた加
熱用コイル２０によって、３００〜５００℃の温度に加
熱される。
コイラ−１８によって巻戻され、入側導管１９、真空槽
ｌおよび出側導管２２内をガイドローラ７を経て連続的
に移動し、コイラー２１によって巻き取られる。このよ
うに移動する帯板２は、入側導管１９内に設けられた加
熱用コイル２０によって、３００〜５００℃の温度に加
熱される。
一方、るつぼ９内の蒸着用金属８は、電子ビーム＠１１
からの電子ビームによって加熱蒸発する。
からの電子ビームによって加熱蒸発する。
これによって生じた蒸着用金属８の金属分子は、電極１
２と蒸着用金属８との間に発生したアークによって金属
原子と電子とに電離する。そして、前記金属原子は、第
２電源１５の負極側にガイドローラー７を介して電気的
に接続されている帯板ｌの下面に電気的に吸引されて付
着する。このようにして、帯板２の下面に、２〜５ミク
ロンの厚さの金属皮膜が蒸着される。この後、帯板２は
出側導管２２を通９、コイラー２１に巻き取られる。
２と蒸着用金属８との間に発生したアークによって金属
原子と電子とに電離する。そして、前記金属原子は、第
２電源１５の負極側にガイドローラー７を介して電気的
に接続されている帯板ｌの下面に電気的に吸引されて付
着する。このようにして、帯板２の下面に、２〜５ミク
ロンの厚さの金属皮膜が蒸着される。この後、帯板２は
出側導管２２を通９、コイラー２１に巻き取られる。
帯板２の下面に蒸着される金属皮膜の膜厚を調整するに
は、昇降器１３によって電極１２を上下動させて電極１
２と蒸着用金属８との間の距離を調整すれは良い。即ち
、金属皮膜の膜厚を厚くするには前記距離を短かくして
、即ち、アーク長を短かくして蒸発金属量を増加させ、
一方、金属皮膜の膜厚を薄くするには前記距離を短かく
して、即ち、アーク長を長くして蒸発金属量を減少させ
れば良い。金属皮膜の膜厚を測定し、この測定結果に￥
いて昇降器１３を自動制御することもできる。
は、昇降器１３によって電極１２を上下動させて電極１
２と蒸着用金属８との間の距離を調整すれは良い。即ち
、金属皮膜の膜厚を厚くするには前記距離を短かくして
、即ち、アーク長を短かくして蒸発金属量を増加させ、
一方、金属皮膜の膜厚を薄くするには前記距離を短かく
して、即ち、アーク長を長くして蒸発金属量を減少させ
れば良い。金属皮膜の膜厚を測定し、この測定結果に￥
いて昇降器１３を自動制御することもできる。
この発明の装置において、るつぼ９内の蒸着用金属８の
加熱は、上述したように、電子ビーム銃１１からの高い
エネルギーを有する電子ビームによって行なわれるので
、チタンやシリコンのような高融点の金属であっても、
容易に加熱蒸発させることができる。そして、蒸発した
金属分子を、電極１２とるつぼ９内の蒸着用金属８との
間に発生させたアークによって電離させ、その金属原子
を帯板２の下面に電気的に吸着させるので、帯板２０表
面に高い密着力で金属皮膜を蒸着させることができ、し
かも、真空槽１の真空度をそれほど高めなくても済む。
加熱は、上述したように、電子ビーム銃１１からの高い
エネルギーを有する電子ビームによって行なわれるので
、チタンやシリコンのような高融点の金属であっても、
容易に加熱蒸発させることができる。そして、蒸発した
金属分子を、電極１２とるつぼ９内の蒸着用金属８との
間に発生させたアークによって電離させ、その金属原子
を帯板２の下面に電気的に吸着させるので、帯板２０表
面に高い密着力で金属皮膜を蒸着させることができ、し
かも、真空槽１の真空度をそれほど高めなくても済む。
なお、遮蔽板１６の上端には、シャッター１７が設けら
れているので、その開度を調節することにより、帯板２
に蒸着される金属皮膜の膜厚を調整することができる。
れているので、その開度を調節することにより、帯板２
に蒸着される金属皮膜の膜厚を調整することができる。
以上述べたように、この発明の真空蒸着方法によれば、
銅帯等の帯板の下面に、アルミニウムや亜鉛のような低
融点の金属は勿論、チタンやシリコンのような高融点の
金属をも、連続的に且つ高い密着力で蒸着することがで
き、しかも、蒸着される金属皮膜の膜厚を自由に調整す
ることができるといった工業上優れた効果がもたらされ
る。
銅帯等の帯板の下面に、アルミニウムや亜鉛のような低
融点の金属は勿論、チタンやシリコンのような高融点の
金属をも、連続的に且つ高い密着力で蒸着することがで
き、しかも、蒸着される金属皮膜の膜厚を自由に調整す
ることができるといった工業上優れた効果がもたらされ
る。
第１図は、この発明の真空蒸着装置の一実施態様を示す
断面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図である。図
面において、 １・・・真空槽、 ２・・・帯板、３・・・
帯板入口、 ４・・・帯板出口、５・・・ゲー
ト、 ６・・・開閉扉、７・・・ガイドロー
ラ、 ８・・・蒸着用金属、９・・・るつは、
１０・・・絶縁碍子、１１・・・電子ビーム銃、
１２・・・電極、■３・・“昇降器、 １
４・・・第１電源、１５・・・第２電源、 １６
・・・遮蔽板、１７・・・シャッター、１Ｂ・・・アン
コイラ−１１９・・・入側導管、 ２０・・・加
熱用コイル、２１・・・コイラー、 ２２・・・
出側導管。
断面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図である。図
面において、 １・・・真空槽、 ２・・・帯板、３・・・
帯板入口、 ４・・・帯板出口、５・・・ゲー
ト、 ６・・・開閉扉、７・・・ガイドロー
ラ、 ８・・・蒸着用金属、９・・・るつは、
１０・・・絶縁碍子、１１・・・電子ビーム銃、
１２・・・電極、■３・・“昇降器、 １
４・・・第１電源、１５・・・第２電源、 １６
・・・遮蔽板、１７・・・シャッター、１Ｂ・・・アン
コイラ−１１９・・・入側導管、 ２０・・・加
熱用コイル、２１・・・コイラー、 ２２・・・
出側導管。
Claims (1)
- 真空槽内を帯板を連続的に通過させ、前記真空槽内を通
過する前記帯板の下方に蒸着用金属を収容するためのる
つぼを設け、前記真空槽に取り付けた電子ビーム銃によ
つて前記蒸着用金属に電子ビームを当てて前記蒸着用金
属を加熱蒸発させ、前記るつぼと前記帯板との間に設け
た電極と、前記蒸着用金属との間にアークを発生させて
前記蒸着用金属から蒸発した金属分子を金属原子と電子
とに電離させ、前記帯板に負の極性を与えて前記帯板下
面に前記金属原子を電気的に吸着させ、そして、前記電
極と前記蒸着用金属との間の距離を調整して前記帯板の
下面に蒸着される金属皮膜の膜厚を調整することを特徴
とする真空蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16088286A JPS6318060A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 真空蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16088286A JPS6318060A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 真空蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318060A true JPS6318060A (ja) | 1988-01-25 |
Family
ID=15724409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16088286A Pending JPS6318060A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 真空蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6318060A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656091A (en) * | 1995-11-02 | 1997-08-12 | Vacuum Plating Technology Corporation | Electric arc vapor deposition apparatus and method |
-
1986
- 1986-07-10 JP JP16088286A patent/JPS6318060A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656091A (en) * | 1995-11-02 | 1997-08-12 | Vacuum Plating Technology Corporation | Electric arc vapor deposition apparatus and method |
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