JPH0754572B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0754572B2 JPH0754572B2 JP60035316A JP3531685A JPH0754572B2 JP H0754572 B2 JPH0754572 B2 JP H0754572B2 JP 60035316 A JP60035316 A JP 60035316A JP 3531685 A JP3531685 A JP 3531685A JP H0754572 B2 JPH0754572 B2 JP H0754572B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録媒体、特に垂直磁化膜を用いた磁気記
録媒体に関するものである。
録媒体に関するものである。
〔従来の技術〕 垂直磁気記録方式は現行の面内磁気記録方式に比べ、記
録密度を飛躍的に向上させることが可能であり、その実
用化は磁気記録の発展にとって極めて重要である。垂直
磁気記録用の記録媒体としては、CoおよびCo-Cr合金を
代表とするCo合金、あるいはBa−フェライトが開発され
ている。Ba−フェライト媒体はバインダーにBa−フェラ
イト微粒子を分散させ、基体上に塗布するものであり、
従来の記録媒体の製造方法を使用できる利点があるが飽
和磁束密度Bsが小さいという欠点がある。
録密度を飛躍的に向上させることが可能であり、その実
用化は磁気記録の発展にとって極めて重要である。垂直
磁気記録用の記録媒体としては、CoおよびCo-Cr合金を
代表とするCo合金、あるいはBa−フェライトが開発され
ている。Ba−フェライト媒体はバインダーにBa−フェラ
イト微粒子を分散させ、基体上に塗布するものであり、
従来の記録媒体の製造方法を使用できる利点があるが飽
和磁束密度Bsが小さいという欠点がある。
一方、真空蒸着法、スパッタリング法、メッキ法等薄膜
堆積法で形成するCoあるいはCo合金からなる垂直磁化膜
はBsがBa−フェライトに比べて大きく、その分さらに高
密度記録が可能である。しかしながらCoあるいはCo合金
膜は磁気特性は優れているものの、摩擦、摩耗の劣る点
が従来より実用化の障害となっている。その改善方法と
して金属石けん、脂肪酸エステルパークロロポリエーテ
ル等の有機化合物を磁性層に被着させる方法が考えられ
ているが、十分な耐久性を有する保護潤滑剤が見つかっ
ていない。また、フロッピーディスク、磁気テープの様
に基体に高分子フィルムを用いた磁気記録媒体において
は、媒体のそりすなわちカールがヘッドタッチの悪化、
走行性不良をひき起こす。CoあるいはCo合金の垂直磁化
膜は、蒸着法スパッタリング法等で形成されるため膜に
かなり大きな応力が残りこれが媒体をカールさせてい
る。
堆積法で形成するCoあるいはCo合金からなる垂直磁化膜
はBsがBa−フェライトに比べて大きく、その分さらに高
密度記録が可能である。しかしながらCoあるいはCo合金
膜は磁気特性は優れているものの、摩擦、摩耗の劣る点
が従来より実用化の障害となっている。その改善方法と
して金属石けん、脂肪酸エステルパークロロポリエーテ
ル等の有機化合物を磁性層に被着させる方法が考えられ
ているが、十分な耐久性を有する保護潤滑剤が見つかっ
ていない。また、フロッピーディスク、磁気テープの様
に基体に高分子フィルムを用いた磁気記録媒体において
は、媒体のそりすなわちカールがヘッドタッチの悪化、
走行性不良をひき起こす。CoあるいはCo合金の垂直磁化
膜は、蒸着法スパッタリング法等で形成されるため膜に
かなり大きな応力が残りこれが媒体をカールさせてい
る。
本発明は上述したCoあるいはCo合金垂直磁化膜を用いた
磁気記録媒体における潤滑性、耐摩耗性がないという欠
点と、基体が高分子フィルムを用いた時にカールしやす
いという欠点を除去し、高密度記録用として耐久性に優
れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
磁気記録媒体における潤滑性、耐摩耗性がないという欠
点と、基体が高分子フィルムを用いた時にカールしやす
いという欠点を除去し、高密度記録用として耐久性に優
れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
本発明の磁気記録媒体は、基体上に、前記基体側から順
にCo-Cr垂直磁化膜と、Co酸化膜とを有し、かつ前記基
体の表面粗さが十点平均粗さRzで0.005μｍ以上で、前
記基体の表面凹凸の山谷の最大値Rmaxが0.05μｍ以下で
あることを特徴とする。
にCo-Cr垂直磁化膜と、Co酸化膜とを有し、かつ前記基
体の表面粗さが十点平均粗さRzで0.005μｍ以上で、前
記基体の表面凹凸の山谷の最大値Rmaxが0.05μｍ以下で
あることを特徴とする。
以下、本発明を図面を参照し詳細に説明する。第１図は
本発明の磁気記録媒体の一実施例の断面の微細構造を示
す模式図である。第１図に示す磁気記録媒体は基体１上
に垂直磁化膜の磁気記録層２を設け、さらに磁気記録層
２の上にCo酸化膜３を設けた構成になっている。
本発明の磁気記録媒体の一実施例の断面の微細構造を示
す模式図である。第１図に示す磁気記録媒体は基体１上
に垂直磁化膜の磁気記録層２を設け、さらに磁気記録層
２の上にCo酸化膜３を設けた構成になっている。
基体１はガラス、アルミニウム、表面酸化処理したアル
ミニウム、あるいはポリエステル、ポリイミド、ポリア
ミド、ポリアセテート、ポリスルホン等の高分子化合物
等からなる。磁気記録層２はCoあるいはCo合金からなる
垂直磁化膜により構成される。磁気記録層２は真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ある
いはメッキ法で基体１に形成される。磁化容易方向が膜
面にほぼ垂直となる金属強磁性薄膜、すなわち垂直磁化
膜となる。金属強磁性薄膜としては、Co,Co-Cr,Co-V,Co
-Mo,Co-W,およびCo-Cr-Pd,Co-Cr-Mo,Co-Cr-Rh等がある
が、中でもCo-Crは垂直磁気異方性が大きく比較的容易
に垂直磁化膜が得られる。このため、磁気記録層２とし
ては、Co-Crが好ましい。磁気記録層２は、基体１上に
直接形成される他、Ti,Bi,Ge等の金属膜あるいは非晶質
膜の中間層を介在させて形成してもかまわない。また、
基体１と磁気記録層２の間あるいは基体１と前記中間層
の間に記録効率の向上、再生出力の増大を目的として高
透率磁性層を設けることもある。
ミニウム、あるいはポリエステル、ポリイミド、ポリア
ミド、ポリアセテート、ポリスルホン等の高分子化合物
等からなる。磁気記録層２はCoあるいはCo合金からなる
垂直磁化膜により構成される。磁気記録層２は真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ある
いはメッキ法で基体１に形成される。磁化容易方向が膜
面にほぼ垂直となる金属強磁性薄膜、すなわち垂直磁化
膜となる。金属強磁性薄膜としては、Co,Co-Cr,Co-V,Co
-Mo,Co-W,およびCo-Cr-Pd,Co-Cr-Mo,Co-Cr-Rh等がある
が、中でもCo-Crは垂直磁気異方性が大きく比較的容易
に垂直磁化膜が得られる。このため、磁気記録層２とし
ては、Co-Crが好ましい。磁気記録層２は、基体１上に
直接形成される他、Ti,Bi,Ge等の金属膜あるいは非晶質
膜の中間層を介在させて形成してもかまわない。また、
基体１と磁気記録層２の間あるいは基体１と前記中間層
の間に記録効率の向上、再生出力の増大を目的として高
透率磁性層を設けることもある。
Co酸化膜３は垂直磁化膜２上に例えば所定圧の酸素を含
む不活性ガス中でCoをターゲットとしてスパッタリング
を行なうことにより、または希薄酸素下でCoを蒸着源と
して真空蒸着もしくはイオンプレーティングすることに
より形成される。Co酸化膜３は極めて潤滑性、耐摩性が
優れるため、磁気記録媒体のヘッドタッチ及び走行性を
格段に向上させる。さらに第１図に示すように、磁気記
録層２は膜厚方向に成長した柱状の微細構造を有してお
り、その上に形成したCo酸化膜３も同一の柱状構造とな
る。従ってCo酸化膜３は下層の磁気記録層２と構造的に
強固に結合し、極めて耐久性に優れた磁気記録媒体とな
る。また、本発明の磁気記録媒体は磁気記録層２とCo酸
化膜３が同一方法で連続的に作製できるため作業性にも
優れている。
む不活性ガス中でCoをターゲットとしてスパッタリング
を行なうことにより、または希薄酸素下でCoを蒸着源と
して真空蒸着もしくはイオンプレーティングすることに
より形成される。Co酸化膜３は極めて潤滑性、耐摩性が
優れるため、磁気記録媒体のヘッドタッチ及び走行性を
格段に向上させる。さらに第１図に示すように、磁気記
録層２は膜厚方向に成長した柱状の微細構造を有してお
り、その上に形成したCo酸化膜３も同一の柱状構造とな
る。従ってCo酸化膜３は下層の磁気記録層２と構造的に
強固に結合し、極めて耐久性に優れた磁気記録媒体とな
る。また、本発明の磁気記録媒体は磁気記録層２とCo酸
化膜３が同一方法で連続的に作製できるため作業性にも
優れている。
Co酸化膜３はその酸素含有量により強磁性から非磁性に
飽和磁束密度Bsが連続的に変化するとともに保磁力Hcも
変化し、下部の磁気記録層２に影響を及ぼす。従って、
Co酸化膜３の酸素含有率に応じて該膜３が磁気記録層２
の記録再生特性を妨げない様に該膜３の膜厚を決定しな
ければならない。すなわち、酸素含有量の少ない面内磁
化のCo酸化膜３は飽和磁束密度Bsが大きく、Hcが小さい
ため下部の磁気記録層２に対し磁気シールド層として働
く。従ってHcが3000e程度以下でBsの大きいCo酸化膜３
を磁気記録層２の上部に設ける場合には、膜厚を小さく
する必要がある。
飽和磁束密度Bsが連続的に変化するとともに保磁力Hcも
変化し、下部の磁気記録層２に影響を及ぼす。従って、
Co酸化膜３の酸素含有率に応じて該膜３が磁気記録層２
の記録再生特性を妨げない様に該膜３の膜厚を決定しな
ければならない。すなわち、酸素含有量の少ない面内磁
化のCo酸化膜３は飽和磁束密度Bsが大きく、Hcが小さい
ため下部の磁気記録層２に対し磁気シールド層として働
く。従ってHcが3000e程度以下でBsの大きいCo酸化膜３
を磁気記録層２の上部に設ける場合には、膜厚を小さく
する必要がある。
また、余り酸素含有量が少ないと潤滑性、耐摩耗性の効
果が少ないためCo酸化膜３はBsが10000ガウス以下のも
のが好ましい。
果が少ないためCo酸化膜３はBsが10000ガウス以下のも
のが好ましい。
下部の磁気記録層２の飽和磁束密度をBs1，保磁力をH
c1，膜厚をδ１,Co酸化膜の飽和磁束密度をBs2，保磁力
をHc2，膜厚をδ２としたとき、 δ１Bs1/Hc1＞δ２・Bs2/10/Hc2 を満たす様にδ２を選ぶことが望ましい。
c1，膜厚をδ１,Co酸化膜の飽和磁束密度をBs2，保磁力
をHc2，膜厚をδ２としたとき、 δ１Bs1/Hc1＞δ２・Bs2/10/Hc2 を満たす様にδ２を選ぶことが望ましい。
酸素含有量が多くCo酸化膜３が非磁性、あるいはBsがき
わめて小さい場合においては、該膜３は下部の磁気記録
層２とヘッドとのスペーシングとなり記録効率、再生出
力が低下する。殊に、本発明の磁気記録媒体の様に高密
度記録を目的とする媒体においてはその影響が大であ
る。従ってCo酸化膜３の厚みは記録信号の最短波長の1/
10以下が好ましく、さらに好ましくは1/30以下である。
しかしながら、極端に薄くすると潤滑、耐摩耗の効果、
耐久性が乏しくなるため、少なくともCo酸化膜３の厚み
は50Å以上とするのが好ましい。
わめて小さい場合においては、該膜３は下部の磁気記録
層２とヘッドとのスペーシングとなり記録効率、再生出
力が低下する。殊に、本発明の磁気記録媒体の様に高密
度記録を目的とする媒体においてはその影響が大であ
る。従ってCo酸化膜３の厚みは記録信号の最短波長の1/
10以下が好ましく、さらに好ましくは1/30以下である。
しかしながら、極端に薄くすると潤滑、耐摩耗の効果、
耐久性が乏しくなるため、少なくともCo酸化膜３の厚み
は50Å以上とするのが好ましい。
Co酸化膜３が垂直磁化膜となる場合は、Co酸化膜３が磁
気記録層２と同様に磁気記録層として働くためCo酸化膜
の膜厚は前記の範囲の制限されることなく、厚くてもか
まわない。垂直磁化のCo酸化膜３は、一定範囲の酸素雰
囲気あるいは不活性ガスに対して一定比率範囲の酸素中
で、蒸着粒子の初期入射角を基体１に対しほぼ垂直にな
る様にCoを蒸着あるいはスパッタリングして得ることが
できる。垂直磁化膜のCo酸化膜３が得られる酸素分圧は
製造装置に依存するが、蒸着法では10-3トール台の酸素
中で、またスパッタリング法では不活性ガスの10〜20％
酸素を含む範囲で垂直磁化膜となり易い。垂直磁化膜と
なるCo酸化膜３のBsは概ね1000〜6000ガウスであり、Hc
は概ね150〜12000eの値を持つ。Co酸化膜３の磁気特性
は下部の磁気記録層２を余り大きく異ならないことが好
ましく、Bs,Hcともに磁気記録層２と同程度であること
が記録再生特性の点で好ましい。
気記録層２と同様に磁気記録層として働くためCo酸化膜
の膜厚は前記の範囲の制限されることなく、厚くてもか
まわない。垂直磁化のCo酸化膜３は、一定範囲の酸素雰
囲気あるいは不活性ガスに対して一定比率範囲の酸素中
で、蒸着粒子の初期入射角を基体１に対しほぼ垂直にな
る様にCoを蒸着あるいはスパッタリングして得ることが
できる。垂直磁化膜のCo酸化膜３が得られる酸素分圧は
製造装置に依存するが、蒸着法では10-3トール台の酸素
中で、またスパッタリング法では不活性ガスの10〜20％
酸素を含む範囲で垂直磁化膜となり易い。垂直磁化膜と
なるCo酸化膜３のBsは概ね1000〜6000ガウスであり、Hc
は概ね150〜12000eの値を持つ。Co酸化膜３の磁気特性
は下部の磁気記録層２を余り大きく異ならないことが好
ましく、Bs,Hcともに磁気記録層２と同程度であること
が記録再生特性の点で好ましい。
Co酸化膜３の潤滑性の効果はCo酸化膜３の表面凹凸に依
存する。該膜３の表面凹凸が十点平均粗さRzで（JIS-B0
601）0.005μｍ以上の場合、動摩擦係数が0.3以下とな
る。ただし、凹凸の山谷の最大値Rmaxが概ね0.05μｍ超
えるとその部分が信号の欠落となる。このようにCo酸化
膜３の表面粗さは基体１の表面粗さに依存するため、本
発明の磁気記録媒体用の基体の表面粗さはRzが0.005μ
ｍ以上でかつRmaxが0.05μｍ以下である。
存する。該膜３の表面凹凸が十点平均粗さRzで（JIS-B0
601）0.005μｍ以上の場合、動摩擦係数が0.3以下とな
る。ただし、凹凸の山谷の最大値Rmaxが概ね0.05μｍ超
えるとその部分が信号の欠落となる。このようにCo酸化
膜３の表面粗さは基体１の表面粗さに依存するため、本
発明の磁気記録媒体用の基体の表面粗さはRzが0.005μ
ｍ以上でかつRmaxが0.05μｍ以下である。
また、基体１として高分子フィルムを用いる場合に磁気
記録層２をCo酸化膜３を積層することにより極めてカー
ルの小さい磁気記録媒体の得られることが見い出され
た。これは、Co膜あるいはCo合金膜をポリエステル、ポ
リイミド、ポリアミド等の高分子フィルム上に形成する
と、概ね金属膜を内側にカールするのに対し、Co酸化膜
を高分子フィルム上に形成するとCo酸化膜を外側にカー
ルすることに起因する。
記録層２をCo酸化膜３を積層することにより極めてカー
ルの小さい磁気記録媒体の得られることが見い出され
た。これは、Co膜あるいはCo合金膜をポリエステル、ポ
リイミド、ポリアミド等の高分子フィルム上に形成する
と、概ね金属膜を内側にカールするのに対し、Co酸化膜
を高分子フィルム上に形成するとCo酸化膜を外側にカー
ルすることに起因する。
以下実施例により本発明をさらに詳しく説明する。
実施例１ 基体に40μｍ厚ポリイミドフィルムを用い、その上にス
パッタリング法により80wt％Ni-20wt％Fe膜を0.5μｍ、
80wt％Co-20wt％Cr垂直磁化膜を0.3μｍ形成した。さら
にその上に酸素を18％含むArガス中でCoをスパッタリン
グし、前記Co-Cr膜上にCo酸化膜を形成した。このCo酸
化膜は同一条件にてポリイミドフィルム上に直接形成し
た試料を振動試料型磁力計で測定した結果、自発磁化が
なく非磁性であった。Co酸化膜の厚みが0.005,0.01,0.0
3,0.1μｍの前記構成を有するフロッピーディスクにつ
いて、片側アクセス型垂直ヘッドを用い記録再生特性お
よび耐久性を測定した第１表は短波長記録特性の目安と
してそれぞれのフロッピーディスクのD50と耐久性の結
果である。耐久性は100万パス後においても3dB以上の出
力低下およびキズの発生がみられなかったフロッピーデ
ィスクを○印とした。Co酸化膜を被着していないディス
クNo.1はヘッド接触後すぐに磁性層の摩耗を生じほぼ１
万パス後に使用不能となったのに対し、Co酸化膜を被着
した本発明のディスクNo.4およびディスクNo.5は100万
パス後も出力変動がみられず非常に耐久性に優れてい
る。Co酸化膜の厚みが0.005μｍおよび0.01μｍのディ
スクNo.2とNo.3はディスクNo.4およびNo.5に比べ耐久性
に劣り、それぞれ12万パス、75万パス後に出力、変動が
発生した。しかし、ともにディスクNo.1にみられた磁性
層が削り取られる様なダメージはみられなかった。本実
施例の様にCo酸化膜の厚みを増す程耐久性は向上する一
方、D50の示す短波長記録能力が低下するのでCo酸化膜
の厚みは記録波長と耐久性を考慮し選ばれるべきであ
る。
パッタリング法により80wt％Ni-20wt％Fe膜を0.5μｍ、
80wt％Co-20wt％Cr垂直磁化膜を0.3μｍ形成した。さら
にその上に酸素を18％含むArガス中でCoをスパッタリン
グし、前記Co-Cr膜上にCo酸化膜を形成した。このCo酸
化膜は同一条件にてポリイミドフィルム上に直接形成し
た試料を振動試料型磁力計で測定した結果、自発磁化が
なく非磁性であった。Co酸化膜の厚みが0.005,0.01,0.0
3,0.1μｍの前記構成を有するフロッピーディスクにつ
いて、片側アクセス型垂直ヘッドを用い記録再生特性お
よび耐久性を測定した第１表は短波長記録特性の目安と
してそれぞれのフロッピーディスクのD50と耐久性の結
果である。耐久性は100万パス後においても3dB以上の出
力低下およびキズの発生がみられなかったフロッピーデ
ィスクを○印とした。Co酸化膜を被着していないディス
クNo.1はヘッド接触後すぐに磁性層の摩耗を生じほぼ１
万パス後に使用不能となったのに対し、Co酸化膜を被着
した本発明のディスクNo.4およびディスクNo.5は100万
パス後も出力変動がみられず非常に耐久性に優れてい
る。Co酸化膜の厚みが0.005μｍおよび0.01μｍのディ
スクNo.2とNo.3はディスクNo.4およびNo.5に比べ耐久性
に劣り、それぞれ12万パス、75万パス後に出力、変動が
発生した。しかし、ともにディスクNo.1にみられた磁性
層が削り取られる様なダメージはみられなかった。本実
施例の様にCo酸化膜の厚みを増す程耐久性は向上する一
方、D50の示す短波長記録能力が低下するのでCo酸化膜
の厚みは記録波長と耐久性を考慮し選ばれるべきであ
る。
50μｍ厚ポリエチレンテレフタレート（PET）フィルム
上にスパッタリング法で80wt％Co-20wt％Cr膜を形成し
たものと該フィルム上にスパッタリング法でCo酸化膜を
形成したときのフィルムのそり（カール）をそれぞれフ
ィルム上に形成した膜の厚みに対して第２図に示す。カ
ールは曲率半径ｒの逆数で示してあり、正符合は膜面を
内側に、負符号は膜面を外側にカールしているものを示
す。
上にスパッタリング法で80wt％Co-20wt％Cr膜を形成し
たものと該フィルム上にスパッタリング法でCo酸化膜を
形成したときのフィルムのそり（カール）をそれぞれフ
ィルム上に形成した膜の厚みに対して第２図に示す。カ
ールは曲率半径ｒの逆数で示してあり、正符合は膜面を
内側に、負符号は膜面を外側にカールしているものを示
す。
実施例２ 50μｍ厚PETフィルム上にスパッタリングで80wt％Co-20
wt％Crの垂直磁化膜を0.5μｍ形成し、さらにその上部
に酸素を16％含むArガス中でCoをスパッタリングするこ
とにより、0.01,0.03,0.05,0.07,0.1μｍのCo酸化膜を
それぞれ形成し、５種類のフロッピーディスクを作製し
た。これらのフロッピーディスクのカールの曲率を第３
図に示す。Co-Crの膜厚が0.5μｍの場合においてはCo酸
化膜を0.05μｍ形成した時最もカールが減少し、実用上
十分平坦なフロッピーディスクが得られた。
wt％Crの垂直磁化膜を0.5μｍ形成し、さらにその上部
に酸素を16％含むArガス中でCoをスパッタリングするこ
とにより、0.01,0.03,0.05,0.07,0.1μｍのCo酸化膜を
それぞれ形成し、５種類のフロッピーディスクを作製し
た。これらのフロッピーディスクのカールの曲率を第３
図に示す。Co-Crの膜厚が0.5μｍの場合においてはCo酸
化膜を0.05μｍ形成した時最もカールが減少し、実用上
十分平坦なフロッピーディスクが得られた。
Co酸化膜のないフロッピーディスクNo.6と0.05μmCo酸
化膜を形成した本実施例フロッピーディスクNo.7につい
てリング型ヘッドで記録再生実験を行なった。その結
果、本発明フロッピーディスクNo.7は100万パス以上の
耐久性を有するとともにヘッドが均一に接触するため１
トラック内での出力変動の少ない再生出力が得られた。
一方、Co酸化膜のないディスクNo.6はカールの影響によ
りヘッドとの接触圧が大きい部分のCo-Cr膜がヘッド接
触後短時間のうちに削り取られてしまった。
化膜を形成した本実施例フロッピーディスクNo.7につい
てリング型ヘッドで記録再生実験を行なった。その結
果、本発明フロッピーディスクNo.7は100万パス以上の
耐久性を有するとともにヘッドが均一に接触するため１
トラック内での出力変動の少ない再生出力が得られた。
一方、Co酸化膜のないディスクNo.6はカールの影響によ
りヘッドとの接触圧が大きい部分のCo-Cr膜がヘッド接
触後短時間のうちに削り取られてしまった。
実施例３ 前記実施例２において最もカールの小さい構成のフロッ
ピーディスクをCo酸化膜形成時の酸素分圧を変え作製し
た。すなわち、50μmPET上にCo-Cr垂直磁化膜0.5μm,Co
酸化膜を0.05μｍをスパッタリング法で形成した。Co-C
r膜のBsは5200Gauss,Hcは5800eであり、酸素を18％,16
％,14％,12％含むArガス中でスパッタリングしたCo酸化
膜のBsはそれぞれ0,1100,4600,7200Gaussであった。同
一条件で作製したCo酸化膜のみの磁気特性の測定結果か
ら酸素が14％の場合は垂直磁化膜であるが、他は非磁性
あるいは面内磁化膜であった。これらのフロッピーディ
スクにリング型ヘッドを用いて記録再生実験を用いた結
果を第２表に示す。長波長での再生出力はいずれのディ
スクについても差が見られなかったが、50KBPIの出力で
はディスクNo.9が最も高い出力を示し、かつ、さらに短
波長まで最も大きな再生出力が得られた。耐久性はいず
れのディスクについても100万パス後も出力変動、キズ
の発生が見られなかった。この様にCo酸化膜が垂直磁化
膜の場合、Co酸化膜も磁気記録層として有効に働くた
め、垂直記録の優れた短波長記録特性が損なわれない。
ピーディスクをCo酸化膜形成時の酸素分圧を変え作製し
た。すなわち、50μmPET上にCo-Cr垂直磁化膜0.5μm,Co
酸化膜を0.05μｍをスパッタリング法で形成した。Co-C
r膜のBsは5200Gauss,Hcは5800eであり、酸素を18％,16
％,14％,12％含むArガス中でスパッタリングしたCo酸化
膜のBsはそれぞれ0,1100,4600,7200Gaussであった。同
一条件で作製したCo酸化膜のみの磁気特性の測定結果か
ら酸素が14％の場合は垂直磁化膜であるが、他は非磁性
あるいは面内磁化膜であった。これらのフロッピーディ
スクにリング型ヘッドを用いて記録再生実験を用いた結
果を第２表に示す。長波長での再生出力はいずれのディ
スクについても差が見られなかったが、50KBPIの出力で
はディスクNo.9が最も高い出力を示し、かつ、さらに短
波長まで最も大きな再生出力が得られた。耐久性はいず
れのディスクについても100万パス後も出力変動、キズ
の発生が見られなかった。この様にCo酸化膜が垂直磁化
膜の場合、Co酸化膜も磁気記録層として有効に働くた
め、垂直記録の優れた短波長記録特性が損なわれない。
実施例４ 基体１に表面粗さの異なる12μｍ厚のポリイミドフィル
ムを使用し、電子ビーム加熱連続真空蒸着法によりCo79
wt％‐Cr21wt％の垂直磁化膜0.42μｍを形成した。さら
にその上部に６ミリトールの酸素中でCoを電子ビーム加
熱により0.01μｍ形成し、磁気テープを作製した。膜形
成時の基体温度はともに200℃であり、Co-Cr膜のBsは44
00Gauss,Hcは9500e,同一条件で作成したCo酸化膜は非磁
性であった。テーラーホブソン製タリステップで測定し
たポリイミドフィルムの表面粗さはフィルムNo.1は十点
平均粗さRzが測定精度以下、最大粗さRmaxが0.02μm,フ
ィルムNo.2はRzが測定精度以下、Rmaxが0.18μm,フィル
ムNo.3はRzが0.015μm,Rmaxが0.039μm,フィルムNo.4は
Rzが0.04μm,Rmaxが0.096μm,フィルムNo.5はRzが0.12
μm,Rmaxが0.19μｍである。
ムを使用し、電子ビーム加熱連続真空蒸着法によりCo79
wt％‐Cr21wt％の垂直磁化膜0.42μｍを形成した。さら
にその上部に６ミリトールの酸素中でCoを電子ビーム加
熱により0.01μｍ形成し、磁気テープを作製した。膜形
成時の基体温度はともに200℃であり、Co-Cr膜のBsは44
00Gauss,Hcは9500e,同一条件で作成したCo酸化膜は非磁
性であった。テーラーホブソン製タリステップで測定し
たポリイミドフィルムの表面粗さはフィルムNo.1は十点
平均粗さRzが測定精度以下、最大粗さRmaxが0.02μm,フ
ィルムNo.2はRzが測定精度以下、Rmaxが0.18μm,フィル
ムNo.3はRzが0.015μm,Rmaxが0.039μm,フィルムNo.4は
Rzが0.04μm,Rmaxが0.096μm,フィルムNo.5はRzが0.12
μm,Rmaxが0.19μｍである。
第３表にこれらポリイミドフィルム上にCo-Cr膜とCo酸
化膜を形成して得た磁気テープの動摩擦係数値とVHSデ
ッキで記録再生した時の走行性とドロップアウトの発生
回路を示す。ドロップアウト○は１分間に100ヶ以下、
△は101〜1000ヶ、×は1001ヶ以上である。第３表に示
した様にRzが極めて小さく非常に平坦なフィルム上に形
成したテープは動摩擦係数が大きくテープ走行が非常に
悪く、RzあるいはRmaxが大きい場合にはドロップアウト
が多数発生する。本発明の磁気テープはいずれもスチル
再生30分においても画質の劣化がなく、耐久性は良好で
あったが、比較のため作製したCo酸化膜のない磁気テー
プはCo-Cr膜がヘッドで削り取られ、再生不能であっ
た。また、Co酸化膜のない場合においては磁気テープが
Co-Cr膜を内側にして強いカールを示したが、Co酸化物
を上部に形成した本発明テープは実用上十分平担であっ
た。
化膜を形成して得た磁気テープの動摩擦係数値とVHSデ
ッキで記録再生した時の走行性とドロップアウトの発生
回路を示す。ドロップアウト○は１分間に100ヶ以下、
△は101〜1000ヶ、×は1001ヶ以上である。第３表に示
した様にRzが極めて小さく非常に平坦なフィルム上に形
成したテープは動摩擦係数が大きくテープ走行が非常に
悪く、RzあるいはRmaxが大きい場合にはドロップアウト
が多数発生する。本発明の磁気テープはいずれもスチル
再生30分においても画質の劣化がなく、耐久性は良好で
あったが、比較のため作製したCo酸化膜のない磁気テー
プはCo-Cr膜がヘッドで削り取られ、再生不能であっ
た。また、Co酸化膜のない場合においては磁気テープが
Co-Cr膜を内側にして強いカールを示したが、Co酸化物
を上部に形成した本発明テープは実用上十分平担であっ
た。
〔発明の効果〕 以上の実施例から明らかな様に、CoもしくはCo合金から
なる垂直磁化膜を磁気記録層とする磁気記録媒体表面に
Co酸化膜を形成することにより磁気記録媒体の耐摩耗性
が格段に向上した。また基体が高分子フィルムの場合問
題であったカールをCo酸化膜の厚みを調整することによ
り除去できた。またCo酸化膜自身も垂直磁化膜であると
短波長での記録再生能力を損うことなく、耐摩耗性の向
上、カール防止が可能である。
なる垂直磁化膜を磁気記録層とする磁気記録媒体表面に
Co酸化膜を形成することにより磁気記録媒体の耐摩耗性
が格段に向上した。また基体が高分子フィルムの場合問
題であったカールをCo酸化膜の厚みを調整することによ
り除去できた。またCo酸化膜自身も垂直磁化膜であると
短波長での記録再生能力を損うことなく、耐摩耗性の向
上、カール防止が可能である。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の磁気記録媒体の断面模式図であり、第
２図は参考例として示したCo-Cr膜およびCo酸化膜をPET
上に形成した時のカールを示す図であり、第３図は本発
明の実施例２の磁気記録媒体のカールの値を示す図であ
る。 １……基体、２……垂直磁化膜 ３……Co酸化膜 ４……Co-Cr膜を形成した時のカール ５……Co酸化膜を形成した時のカール
２図は参考例として示したCo-Cr膜およびCo酸化膜をPET
上に形成した時のカールを示す図であり、第３図は本発
明の実施例２の磁気記録媒体のカールの値を示す図であ
る。 １……基体、２……垂直磁化膜 ３……Co酸化膜 ４……Co-Cr膜を形成した時のカール ５……Co酸化膜を形成した時のカール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−41439（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−96571（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−230075（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】基体上に、前記基体側から順にCo-Cr垂直
磁化膜と、Co酸化膜とを有し、かつ前記基体の表面粗さ
が十点平均粗さRzで0.005μｍ以上で、前記基体の表面
凹凸の山谷の最大値Rmaxが0.05μｍ以下であることを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記Co酸化膜が垂直磁化膜である特許請求
の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】前記基体が高分子フィルムである特許請求
の範囲第１項あるいは第２項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035316A JPH0754572B2 (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 磁気記録媒体 |
| CA000502616A CA1283813C (en) | 1985-02-26 | 1986-02-25 | Magnetic recording medium |
| US06/832,723 US4816351A (en) | 1985-02-26 | 1986-02-25 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035316A JPH0754572B2 (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196424A JPS61196424A (ja) | 1986-08-30 |
| JPH0754572B2 true JPH0754572B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=12438399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60035316A Expired - Fee Related JPH0754572B2 (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754572B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5841439A (ja) * | 1981-09-01 | 1983-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPS61110302A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-28 | Teijin Ltd | 磁気記録方式 |
| JPS60242513A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-12-02 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-02-26 JP JP60035316A patent/JPH0754572B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61196424A (ja) | 1986-08-30 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |