JPS63276707A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPS63276707A JPS63276707A JP7096887A JP7096887A JPS63276707A JP S63276707 A JPS63276707 A JP S63276707A JP 7096887 A JP7096887 A JP 7096887A JP 7096887 A JP7096887 A JP 7096887A JP S63276707 A JPS63276707 A JP S63276707A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 63
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 57
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 6
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020674 Co—B Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001234 light alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク装置の如き磁気的記憶装置の記
憶媒体として用いられる磁気記録媒体に関し、詳細には
その耐久性の改善に関するものである。
憶媒体として用いられる磁気記録媒体に関し、詳細には
その耐久性の改善に関するものである。
本発明は、所謂ハードディスクの如き磁気記録媒体の磁
性層表面に、カーボン保護膜を形成するとともに、さら
にこのカーボン保護膜上にアミン系化合物を含有する潤
滑剤層を設け、 特に耐久性の大幅な向上を図ろうとするものである。
性層表面に、カーボン保護膜を形成するとともに、さら
にこのカーボン保護膜上にアミン系化合物を含有する潤
滑剤層を設け、 特に耐久性の大幅な向上を図ろうとするものである。
例えばコンピュータ等の記憶媒体としては、ランダムア
クセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く用いられて
おり、なかでも、応答性に優れること、記憶容量が大き
いこと、保存性が良好で信鯨性が高いこと等から、基板
にA1合金板やガラス板、プラスチック板等の硬質材料
を用いた磁気ディスク、いわゆるハードディスクが固定
ディスク、あるいは外部ディスクとして使用されるよう
になっている。
クセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く用いられて
おり、なかでも、応答性に優れること、記憶容量が大き
いこと、保存性が良好で信鯨性が高いこと等から、基板
にA1合金板やガラス板、プラスチック板等の硬質材料
を用いた磁気ディスク、いわゆるハードディスクが固定
ディスク、あるいは外部ディスクとして使用されるよう
になっている。
上記ハードディスクは、例えばA1合金基板上に記録再
生に関与する磁性層を形成したものであって、高速で回
転して同心円状の多数のトランクに情報の記録再生を行
うものである。
生に関与する磁性層を形成したものであって、高速で回
転して同心円状の多数のトランクに情報の記録再生を行
うものである。
ところで、上述のハードディスクに対して記録再生を行
う場合には、操作開始時に磁気ヘッドと磁性層面とを接
触状態で装着した後、上記ハードディスクに所定の回転
を与えることによりヘッドと磁性層面との間に微小な空
気層を形成し、この状態で記録再生を行うC8S方式(
コンタクト・スタート・ストップ方式)によるのが一般
的である。
う場合には、操作開始時に磁気ヘッドと磁性層面とを接
触状態で装着した後、上記ハードディスクに所定の回転
を与えることによりヘッドと磁性層面との間に微小な空
気層を形成し、この状態で記録再生を行うC8S方式(
コンタクト・スタート・ストップ方式)によるのが一般
的である。
このようなC3S方式では、磁気ヘッドは、操作開始時
や操作終了時には磁性層面と接触摩擦状態にあり、ヘッ
ドと磁気ディスクの間に生じる摩擦力は、これら磁気ヘ
ッドや磁気ディスクを摩耗させる原因となる。あるいは
、磁気ヘッドに塵埃や磁性層の剥離粉の付着があると、
ヘッドクラッシュ(磁気ヘッドの落下)が発生し易くな
り、またヘッドの跳躍等により記録再生中に突発的に磁
気ヘッドが磁気ディスクに接触する等、磁気ディスクに
大きな衝撃が加わることがあり、これら磁気ディスクや
磁気ヘッドを破損する原因ともなっている。
や操作終了時には磁性層面と接触摩擦状態にあり、ヘッ
ドと磁気ディスクの間に生じる摩擦力は、これら磁気ヘ
ッドや磁気ディスクを摩耗させる原因となる。あるいは
、磁気ヘッドに塵埃や磁性層の剥離粉の付着があると、
ヘッドクラッシュ(磁気ヘッドの落下)が発生し易くな
り、またヘッドの跳躍等により記録再生中に突発的に磁
気ヘッドが磁気ディスクに接触する等、磁気ディスクに
大きな衝撃が加わることがあり、これら磁気ディスクや
磁気ヘッドを破損する原因ともなっている。
特に、磁性層がCo−Ni等の合金を真空蒸着やスパッ
タリング等の真空薄膜形成技術により薄膜化する方法や
、Co−N1−P等の合金を無電解メッキ等の湿式法に
より薄膜化する方法等によって形成される連vt薄膜で
ある場合には、この傾向が顕著である。
タリング等の真空薄膜形成技術により薄膜化する方法や
、Co−N1−P等の合金を無電解メッキ等の湿式法に
より薄膜化する方法等によって形成される連vt薄膜で
ある場合には、この傾向が顕著である。
このような磁気ディスクと磁気ヘッドの接触摺動から発
生する耐久性の劣化はノイズの発生を招くので好ましい
ものではなく、また、磁気ディスクに対する衝撃は、磁
気ヘッドやディスク面の傷つき等をもたらし、良好な記
録再生の妨げとなる。
生する耐久性の劣化はノイズの発生を招くので好ましい
ものではなく、また、磁気ディスクに対する衝撃は、磁
気ヘッドやディスク面の傷つき等をもたらし、良好な記
録再生の妨げとなる。
そこで従来、上述の磁気ディスクの表面に例えばカーボ
ン保護膜を形成し、この磁気ディスクの耐久性を向上す
ることが検討されているが、耐久性、走行性、耐衝撃性
等の種々の要求を同時に満たすことは難しい。特に、磁
気ヘッドのスライダがフェライト材からチタン酸カリウ
ム、A/、○。
ン保護膜を形成し、この磁気ディスクの耐久性を向上す
ることが検討されているが、耐久性、走行性、耐衝撃性
等の種々の要求を同時に満たすことは難しい。特に、磁
気ヘッドのスライダがフェライト材からチタン酸カリウ
ム、A/、○。
−TiC(アルチック)等の硬質材へと移行しつつある
ことから、耐久性に対する要求も厳しいものがあり、カ
ーボン保護膜だけでは対処しきれなくなってきている。
ことから、耐久性に対する要求も厳しいものがあり、カ
ーボン保護膜だけでは対処しきれなくなってきている。
かかる状況から、本願出願人は、例えば特願昭60−4
9570号明細書において、このカーボン保護膜の表面
を液体潤滑剤で処理することを提案したが、液体潤滑剤
のカーボン保護膜に対する親和力が弱いことから、次第
に効果が薄れていくという問題を残していることが判明
した。
9570号明細書において、このカーボン保護膜の表面
を液体潤滑剤で処理することを提案したが、液体潤滑剤
のカーボン保護膜に対する親和力が弱いことから、次第
に効果が薄れていくという問題を残していることが判明
した。
そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、機械的強度に優れ長期に亘り良好な走行
性を付与し得る保護膜を提供し、静止摩擦係数が小さく
耐久性に優れた磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。なお、本明細書においては、磁気ヘッドをディスク
表面に接触させたまま回転をスタートさせたときの摩擦
力を静止摩擦係数とする。
ものであって、機械的強度に優れ長期に亘り良好な走行
性を付与し得る保護膜を提供し、静止摩擦係数が小さく
耐久性に優れた磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。なお、本明細書においては、磁気ヘッドをディスク
表面に接触させたまま回転をスタートさせたときの摩擦
力を静止摩擦係数とする。
C問題点を解決するための手段〕
本発明者等は、上述のような目的を達成せんものと鋭意
研究の結果、カーボン保護膜とアミン系化合物を含む潤
滑剤層を組み合わせることにより磁性層の耐久性を相乗
的に高めることができ、またこのアミン系化合物のカー
ボン保護膜に対する親和力が大きいことを見出し本発明
を完成するに至ったものであり、非磁性支持体上に強磁
性金属薄膜、カーボン保護膜及びアミン系化合物を含有
する潤滑剤層が順次形成されたことを特徴とするもので
ある。
研究の結果、カーボン保護膜とアミン系化合物を含む潤
滑剤層を組み合わせることにより磁性層の耐久性を相乗
的に高めることができ、またこのアミン系化合物のカー
ボン保護膜に対する親和力が大きいことを見出し本発明
を完成するに至ったものであり、非磁性支持体上に強磁
性金属薄膜、カーボン保護膜及びアミン系化合物を含有
する潤滑剤層が順次形成されたことを特徴とするもので
ある。
すなわち、本発明の磁気記録媒体においては、保護膜を
カーボン保護膜とアミン系化合物を含む潤滑剤層の2層
構造とし、これらの相乗効果により耐久性や耐衝撃性、
走行性、耐蝕性等を向上する。
カーボン保護膜とアミン系化合物を含む潤滑剤層の2層
構造とし、これらの相乗効果により耐久性や耐衝撃性、
走行性、耐蝕性等を向上する。
上記カーボン保護膜は、耐ヘッドクラツシユ性や耐蝕性
等に優れたものであり、通常、真空蒸着やスパッタリン
グ等の手法により形成される。例えば真空蒸着による場
合には、圧力5 X 10−’Torr以下の真空度、
基返温度50〜250tの条件であればよく、加熱方法
としては電子ビーム加熱法。
等に優れたものであり、通常、真空蒸着やスパッタリン
グ等の手法により形成される。例えば真空蒸着による場
合には、圧力5 X 10−’Torr以下の真空度、
基返温度50〜250tの条件であればよく、加熱方法
としては電子ビーム加熱法。
抵抗加熱法、誘導加熱法やアーク放電法等の手法が用い
られる。ここで、基板温度が高すぎると、例えば基板面
上に下地膜として形成されるNi −Pメッキ層が結晶
化する等の不具合が生ずる虞れがある。また、スパッタ
リングによる場合には、Δr等の不活性ガスを導入し、
圧力lXl0−”〜IX 10−3Torrの真空度、
基板温度50〜250℃の条件で、ターゲットとしてカ
ーボン仮(厚さ1〜4++n程度)を用い、I’?F電
力1〜10KwあるいはDCC電力50響 このカーボン保護膜の膜厚は、100〜800人の範囲
内であることが好ましい。
られる。ここで、基板温度が高すぎると、例えば基板面
上に下地膜として形成されるNi −Pメッキ層が結晶
化する等の不具合が生ずる虞れがある。また、スパッタ
リングによる場合には、Δr等の不活性ガスを導入し、
圧力lXl0−”〜IX 10−3Torrの真空度、
基板温度50〜250℃の条件で、ターゲットとしてカ
ーボン仮(厚さ1〜4++n程度)を用い、I’?F電
力1〜10KwあるいはDCC電力50響 このカーボン保護膜の膜厚は、100〜800人の範囲
内であることが好ましい。
なお、このカーボン保護膜の表面には、後述の如く潤滑
剤層が塗布形成されるが、この場合潤滑剤が均一に塗布
されることが好ましい0例えば、仮にそれ自体良好な特
性を示す潤滑剤を選んだとしても、不均一に塗布された
のでは親油基がバラバラに向いて接触角が低くなり、静
止摩擦係数がすぐに上昇し、傷付きや貼り付きを引き起
こす。
剤層が塗布形成されるが、この場合潤滑剤が均一に塗布
されることが好ましい0例えば、仮にそれ自体良好な特
性を示す潤滑剤を選んだとしても、不均一に塗布された
のでは親油基がバラバラに向いて接触角が低くなり、静
止摩擦係数がすぐに上昇し、傷付きや貼り付きを引き起
こす。
これに対して、潤滑剤が均一に塗布されると、親油基の
向きも揃い、接触角も大きなものとなる。
向きも揃い、接触角も大きなものとなる。
このような観点から、前記カーボン保護膜の表面を、予
め酸素ボンバード処理しておいても良い。
め酸素ボンバード処理しておいても良い。
この酸素ボンバード処理は、カーボン保護膜表面に対し
て物理化学的な表面処理を加えるものであって、これに
よりカーボン保護膜表面の表面エネルギーを下げ潤滑剤
を均一に塗布することが可能となり再現性の良い耐久性
が得られる.酸素ボンバード処理によってカーボン保護
膜の表面には酸化層が形成されるが、その厚みは5〜2
0人程度皮取るのが好ましい。酸素ボンバード処理は、
スパッタ装置やイオンミーリング装置,プラズマ反応装
置等を用いて行うことができる。
て物理化学的な表面処理を加えるものであって、これに
よりカーボン保護膜表面の表面エネルギーを下げ潤滑剤
を均一に塗布することが可能となり再現性の良い耐久性
が得られる.酸素ボンバード処理によってカーボン保護
膜の表面には酸化層が形成されるが、その厚みは5〜2
0人程度皮取るのが好ましい。酸素ボンバード処理は、
スパッタ装置やイオンミーリング装置,プラズマ反応装
置等を用いて行うことができる。
一方、このカーボン保護膜の上に形成されるアミン系化
合物を含む潤滑剤層は、良好な潤滑性を与えるものであ
って、適当な溶媒に溶かして塗布することにより形成さ
れる.潤滑剤層の主成分であるアミン系化合物は、一般
式R−NHz(但しRは直鎖状アルキル基を表し、その
炭素数は14〜18であることが好ましい.)で示され
るもので、良好な潤滑性を示すばかりでなく、カーボン
保護膜に対する親和性に優れたものである0本発明者等
の実験によれば、潤滑剤の極性基の親和力を比べると、
F< C0OH< Ofl< C0Ntlx
< NHzの順となり、−N)1.が存在するとカ
ーボン保護膜に強力に結合して長時間安定した潤滑性を
示すことが判明した。なお、前述の一NH2の他、−N
11や− NH3を有する化合物も同様の効果を有する
ので、これらアミン系化合物を使用してもよい.具体的
には、CHi(CHz) +JHz,CHi(CL)
+tNHz等が良好な効果を発揮する。また、アミン系
化合物を含む潤滑剤層を形成するに際し、従来公知の他
の潤滑剤や防錆剤.極圧剤等を併用してもよい。
合物を含む潤滑剤層は、良好な潤滑性を与えるものであ
って、適当な溶媒に溶かして塗布することにより形成さ
れる.潤滑剤層の主成分であるアミン系化合物は、一般
式R−NHz(但しRは直鎖状アルキル基を表し、その
炭素数は14〜18であることが好ましい.)で示され
るもので、良好な潤滑性を示すばかりでなく、カーボン
保護膜に対する親和性に優れたものである0本発明者等
の実験によれば、潤滑剤の極性基の親和力を比べると、
F< C0OH< Ofl< C0Ntlx
< NHzの順となり、−N)1.が存在するとカ
ーボン保護膜に強力に結合して長時間安定した潤滑性を
示すことが判明した。なお、前述の一NH2の他、−N
11や− NH3を有する化合物も同様の効果を有する
ので、これらアミン系化合物を使用してもよい.具体的
には、CHi(CHz) +JHz,CHi(CL)
+tNHz等が良好な効果を発揮する。また、アミン系
化合物を含む潤滑剤層を形成するに際し、従来公知の他
の潤滑剤や防錆剤.極圧剤等を併用してもよい。
上記アミン系化合物を含む潤滑剤層は、潤滑性の他、撥
水効果も強く、例えばカーボン保護膜上にこの潤滑剤層
を形成すると、純水に対する接触角も90°程度を示す
.この水に対する接触角が80〜120°以上になると
、その表面で完全に水分がはじかれ、錆が大幅に抑制さ
れる。
水効果も強く、例えばカーボン保護膜上にこの潤滑剤層
を形成すると、純水に対する接触角も90°程度を示す
.この水に対する接触角が80〜120°以上になると
、その表面で完全に水分がはじかれ、錆が大幅に抑制さ
れる。
上記潤滑剤層の厚みとしては、10〜100人の範囲と
することが好ましい。潤滑剤層の厚みが10人未満では
所定の効果が期待できず、逆に潤滑剤層の厚みが100
人を越えると貼り付き等が起こり好ましくない。
することが好ましい。潤滑剤層の厚みが10人未満では
所定の効果が期待できず、逆に潤滑剤層の厚みが100
人を越えると貼り付き等が起こり好ましくない。
なお、これらカーボン保護膜とアミン系化合物を含む潤
滑剤層の合計した膜厚は、500人程皮取下に設定する
ことが好ましい.これ以上の厚さになると、ヘッドクラ
ッシュが発生し易くなり、保護膜の剥離も生ずる虞れが
ある。
滑剤層の合計した膜厚は、500人程皮取下に設定する
ことが好ましい.これ以上の厚さになると、ヘッドクラ
ッシュが発生し易くなり、保護膜の剥離も生ずる虞れが
ある。
本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体(例
えばディスク基板)上に磁性層として強磁性金属の連続
膜を設けたものであるが、ここで非磁性支持体の素材と
しては、アルミニウム合金。
えばディスク基板)上に磁性層として強磁性金属の連続
膜を設けたものであるが、ここで非磁性支持体の素材と
しては、アルミニウム合金。
チタン合金等の軽合金、ポリスチレン、ポリエーテルス
ルホン、ポリイミド、ABS樹脂等のプラスチック、ア
ルミナガラス等のセラミックス、ガラス、単結晶シリコ
ン等が使用可能である。
ルホン、ポリイミド、ABS樹脂等のプラスチック、ア
ルミナガラス等のセラミックス、ガラス、単結晶シリコ
ン等が使用可能である。
この場合、上記ディスク基板として比較的軟らかい材質
のものを使用する場合には、表面を硬くする非磁性金属
下地層を形成しておくことが好ましい.非磁性金属下地
層の材質としては、Ni −P合金+ Cu,Cr,Z
n,ステンレス等が好ましい。これらをメッキ、スパッ
タリング、蒸着等の手法により基板表面に4〜20#m
程度の膜厚で被着する0例えば、A11−Mg合金基板
の表面にN1−Pメッキを施すと、その硬度は400程
度になり、この基板上に形成した磁性層の磁気特性が優
れたものとなる。あるいは、例えばAIl基板等の場合
には、アルマイト処理等、酸化被膜を形成することによ
り、その表面を硬くしてもよい。
のものを使用する場合には、表面を硬くする非磁性金属
下地層を形成しておくことが好ましい.非磁性金属下地
層の材質としては、Ni −P合金+ Cu,Cr,Z
n,ステンレス等が好ましい。これらをメッキ、スパッ
タリング、蒸着等の手法により基板表面に4〜20#m
程度の膜厚で被着する0例えば、A11−Mg合金基板
の表面にN1−Pメッキを施すと、その硬度は400程
度になり、この基板上に形成した磁性層の磁気特性が優
れたものとなる。あるいは、例えばAIl基板等の場合
には、アルマイト処理等、酸化被膜を形成することによ
り、その表面を硬くしてもよい。
また、上記磁性層は、メッキやスパッタリング。
真空蒸着等の手法により連続膜として形成される。
例えばCo−P、 Co−N1−P等をメッキするこ
とにより強磁性金属薄膜が磁性層として形成される。
とにより強磁性金属薄膜が磁性層として形成される。
あるいは、真空蒸着法やイオンブレーティング法、スパ
ッタリング法等の真空薄膜形成技術によってもよい。
ッタリング法等の真空薄膜形成技術によってもよい。
上記真空蒸着法は、10−1〜10−’ Torrの真
空下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビ
ーム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属
(強磁性金属材料)を沈着するというものであり、通常
は高い抗磁力を得るため非磁性支持体に対して上記強磁
性金属材料を斜めに蒸着する斜方蒸着が行われる。
空下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビ
ーム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属
(強磁性金属材料)を沈着するというものであり、通常
は高い抗磁力を得るため非磁性支持体に対して上記強磁
性金属材料を斜めに蒸着する斜方蒸着が行われる。
上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、104〜10−’ Torrの不活性ガス雰囲気中で
DCグロー放電、RFグロー放電を起こして、放電中デ
ィスク上記強磁性金属材料を蒸発させるというものであ
る。
、104〜10−’ Torrの不活性ガス雰囲気中で
DCグロー放電、RFグロー放電を起こして、放電中デ
ィスク上記強磁性金属材料を蒸発させるというものであ
る。
上記スパッタリング法は、101〜101τorrのア
ルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こ
し、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の原子
をたたき出すというものであり、グロー放電の方法によ
り直流2極、3極スパツタ法や、高周波スパッタ法、ま
たはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパンタ
法等がある。
ルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こ
し、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の原子
をたたき出すというものであり、グロー放電の方法によ
り直流2極、3極スパツタ法や、高周波スパッタ法、ま
たはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパンタ
法等がある。
このスパッタリング法による場合には、CrやW。
V等の下地膜を形成しておいてもよい。
なお、前記いずれの方法による場合にも、予め非磁性支
持体上にBi、Sb、Pb、Sn、Ga。
持体上にBi、Sb、Pb、Sn、Ga。
In、Ge、Si、Tj!等の非磁性金属の下地膜を形
成しておき、上記強磁性金属材料を垂直方向から蒸着あ
るいはスパッタし、強磁性金属薄膜中にこれら非磁性金
属を拡散せしめ、配向性を解消するとともに、抗磁力を
確保するようにしてもよい。
成しておき、上記強磁性金属材料を垂直方向から蒸着あ
るいはスパッタし、強磁性金属薄膜中にこれら非磁性金
属を拡散せしめ、配向性を解消するとともに、抗磁力を
確保するようにしてもよい。
真空薄膜形成技術により上記強磁性金属薄膜を形成する
際に使用される強磁性金属材料としては、例えばFe、
Co、Ni等の金属の他に、Co−Ni合金、Co−P
t合金、Go−Ni−Pt合金+ F e Co合
金、Fe−Ni合金、Fe−G。
際に使用される強磁性金属材料としては、例えばFe、
Co、Ni等の金属の他に、Co−Ni合金、Co−P
t合金、Go−Ni−Pt合金+ F e Co合
金、Fe−Ni合金、Fe−G。
−Ni合金、Fe−Co−B合金、Go−Ni−Fs−
B合金、’C0−Cr合金あるいはこれらにCr、AI
等の金属が含有されたもの等が挙げられる。特に、Co
−Cr合金を使用した場合には、垂直磁化膜が形成され
る。
B合金、’C0−Cr合金あるいはこれらにCr、AI
等の金属が含有されたもの等が挙げられる。特に、Co
−Cr合金を使用した場合には、垂直磁化膜が形成され
る。
このような手法により形成される磁性層の膜厚は、0.
04〜1μm程度である。
04〜1μm程度である。
このように、磁性層表面にカーボン保護膜とアミン系化
合物を含む潤滑剤層よりなる薄膜の2層構造からなる保
護膜を形成することにより、これら2層の保護膜が相乗
的に作用し、耐摩耗性、耐衝撃性、耐蝕性、走行性等に
優れた効果が発揮され、耐久性が大幅に向上する。
合物を含む潤滑剤層よりなる薄膜の2層構造からなる保
護膜を形成することにより、これら2層の保護膜が相乗
的に作用し、耐摩耗性、耐衝撃性、耐蝕性、走行性等に
優れた効果が発揮され、耐久性が大幅に向上する。
また、このアミン系化合物は、カーボン保護膜に対する
親和力が強(、カーボン保護膜に強力に結合して長時間
に亘り安定した潤滑性を示す。
親和力が強(、カーボン保護膜に強力に結合して長時間
に亘り安定した潤滑性を示す。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこの実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。
発明がこの実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。
実施■
非磁性支持体(1)として外径95N、内径25鳳■の
ドーナツ状のN1−Pメッキアルミ基板を用い、第1図
に示すように、この非磁性支持体(1)上にBiT地膜
及びCo−Ni膜を順次スパッタ法により被着して強磁
性金属材料(2)を形成した後、カーボン保護膜(3)
を同様にスパッタ法により形成した。なお、Bi下地膜
の膜厚は55人、Co−Ni膜の膜厚は350人、カー
ボン保護膜の膜厚は350人とし、Co−Ni膜の膜組
成はCo65原子%、 Ni35原子%とした。また、
Bi下地膜、Co−Ni膜、カーボン保護膜のスパッタ
条件としては、非磁性支持体加熱温度160℃。
ドーナツ状のN1−Pメッキアルミ基板を用い、第1図
に示すように、この非磁性支持体(1)上にBiT地膜
及びCo−Ni膜を順次スパッタ法により被着して強磁
性金属材料(2)を形成した後、カーボン保護膜(3)
を同様にスパッタ法により形成した。なお、Bi下地膜
の膜厚は55人、Co−Ni膜の膜厚は350人、カー
ボン保護膜の膜厚は350人とし、Co−Ni膜の膜組
成はCo65原子%、 Ni35原子%とした。また、
Bi下地膜、Co−Ni膜、カーボン保護膜のスパッタ
条件としては、非磁性支持体加熱温度160℃。
アルゴンガス圧4X10−’Paに設定した。
さらに、上記カーボン保護膜(3)上に、アミン系化合
物としてCth (C1lz) l ?N11□を含む
潤滑剤N(4)を塗布法により被着形成した。
物としてCth (C1lz) l ?N11□を含む
潤滑剤N(4)を塗布法により被着形成した。
このようにして得られた磁気ディスクについて、CSS
時の静止摩擦係数を測定し、その推移を観察した。結果
を第2図に示す。なお、測定は同様にして作製した磁気
ディスクについて3回行った。
時の静止摩擦係数を測定し、その推移を観察した。結果
を第2図に示す。なお、測定は同様にして作製した磁気
ディスクについて3回行った。
この第2図より、本実施例の磁気ディスクでは、コンタ
クト・スタート・ストップを2万回行っても静止摩擦係
数は0.5以下で、長期に亘って潤滑性が確保され、耐
久性が大幅に向上したことが確認された。
クト・スタート・ストップを2万回行っても静止摩擦係
数は0.5以下で、長期に亘って潤滑性が確保され、耐
久性が大幅に向上したことが確認された。
、L較11−
先の実施例と同様に非磁性支持体(1)に強磁性金属薄
膜(2)を被着形成し、さらにこの上にカーボン保護膜
(3)のみを形成した。
膜(2)を被着形成し、さらにこの上にカーボン保護膜
(3)のみを形成した。
このような磁気ディスクについても、実施例と同様にC
SS時の静止摩擦係数を測定した。結果を第3図に示す
。
SS時の静止摩擦係数を測定した。結果を第3図に示す
。
第3図より、カーボン保護膜のみでは、すぐに静止摩擦
係数が0.5を越え、潤滑性が不足することがわかった
。実際、この比較例の磁気ディスクでは、コンタクト・
スタート・ストップをある程度繰り返すと、傷が付いた
り貼り付きを起こしたりした。
係数が0.5を越え、潤滑性が不足することがわかった
。実際、この比較例の磁気ディスクでは、コンタクト・
スタート・ストップをある程度繰り返すと、傷が付いた
り貼り付きを起こしたりした。
ル較拠l
先の実施例と同様に非磁性支持体(1)に強磁性金属薄
膜゛(2)及びカーボン保護膜(3)を形成し、さらに
このカーボン保護膜(3)上に脂肪酸エステルを含む潤
滑剤層を形成した。
膜゛(2)及びカーボン保護膜(3)を形成し、さらに
このカーボン保護膜(3)上に脂肪酸エステルを含む潤
滑剤層を形成した。
得られた磁気ディスクについて、先の実施例や比較例1
と同様にCSS時の静止摩擦係数を測定した。結果を第
4図に示す。
と同様にCSS時の静止摩擦係数を測定した。結果を第
4図に示す。
その結果、脂肪酸エステルを含む潤滑剤層を被着した場
合には、初期の静止摩擦係数は小さいものの、実施例と
比べるとはやい時期に効果が失われることがわかった。
合には、初期の静止摩擦係数は小さいものの、実施例と
比べるとはやい時期に効果が失われることがわかった。
また、その潤滑特性は、サンプルによってバラツキの大
きいものであった。
きいものであった。
以上の説明からも明らかなように、本発明の磁気記録媒
体においては、強磁性金属薄膜表面にカーボン保護膜と
アミン系化合物を含む潤滑剤層の2層構造から成る保!
!膜を形成しているので、走行性、耐衝撃性、耐蝕性が
大幅に向上する。したがって、静止摩擦係数の長期安定
性に優れ耐久性が大幅に向上された磁気記録媒体を提供
することが可能である。
体においては、強磁性金属薄膜表面にカーボン保護膜と
アミン系化合物を含む潤滑剤層の2層構造から成る保!
!膜を形成しているので、走行性、耐衝撃性、耐蝕性が
大幅に向上する。したがって、静止摩擦係数の長期安定
性に優れ耐久性が大幅に向上された磁気記録媒体を提供
することが可能である。
第1図は本発明を適用した磁気ディスクの一例を示す要
部拡大断面図である。 第2図は本発明を適用した実施例における静止摩擦係数
の推移を示す特性図、第3図は比較例における静止摩擦
係数の推移を示す特性図、第4図は他の比較例における
静止摩擦係数の推移を示す特性図である。 l・・・非磁性支持体 2・・・強磁性金属薄膜 3・・・カーボン保gl膜 4・・・潤滑剤層
部拡大断面図である。 第2図は本発明を適用した実施例における静止摩擦係数
の推移を示す特性図、第3図は比較例における静止摩擦
係数の推移を示す特性図、第4図は他の比較例における
静止摩擦係数の推移を示す特性図である。 l・・・非磁性支持体 2・・・強磁性金属薄膜 3・・・カーボン保gl膜 4・・・潤滑剤層
Claims (1)
- 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜、カーボン保護膜及び
アミン系化合物を含有する潤滑剤層が順次形成されたこ
とを特徴とする磁気記録媒体
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7096887A JPS63276707A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7096887A JPS63276707A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63276707A true JPS63276707A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=13446831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7096887A Pending JPS63276707A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63276707A (ja) |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP7096887A patent/JPS63276707A/ja active Pending
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