JPH0670849B2 - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH0670849B2 JPH0670849B2 JP60074079A JP7407985A JPH0670849B2 JP H0670849 B2 JPH0670849 B2 JP H0670849B2 JP 60074079 A JP60074079 A JP 60074079A JP 7407985 A JP7407985 A JP 7407985A JP H0670849 B2 JPH0670849 B2 JP H0670849B2
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- magnetic
- film
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録媒体、特に水平即ち面内記録に使用さ
れるリジッド磁気記録ディスクに関する。
れるリジッド磁気記録ディスクに関する。
リジッドディスクの磁気記録媒体としてはγ−ヘマタイ
ト（γ−Fe2O3）粉末,Co−Pt膜,Co−Ni−Pt膜あるいはC
o−Ni−Ｐ膜が使用されている。ヘマタイト塗布媒体は
アルミニウムあるいはアルミニウム合金基板上に樹脂と
ともに薄膜状に形成される。このヘマタイト塗布媒体は
長期にわたり広い用途に使われていた。しかし、最近に
なって高記録密度ディスクの高い需要が起って来たが、
ヘマタイト塗布媒体では高記録密度に対応出来ない。そ
こでヘマタイト塗布媒体に代って、薄膜媒体が高記録密
度の用途に提案されている。この薄膜媒体としてはメッ
キ及び蒸着媒体がある。
ト（γ−Fe2O3）粉末,Co−Pt膜,Co−Ni−Pt膜あるいはC
o−Ni−Ｐ膜が使用されている。ヘマタイト塗布媒体は
アルミニウムあるいはアルミニウム合金基板上に樹脂と
ともに薄膜状に形成される。このヘマタイト塗布媒体は
長期にわたり広い用途に使われていた。しかし、最近に
なって高記録密度ディスクの高い需要が起って来たが、
ヘマタイト塗布媒体では高記録密度に対応出来ない。そ
こでヘマタイト塗布媒体に代って、薄膜媒体が高記録密
度の用途に提案されている。この薄膜媒体としてはメッ
キ及び蒸着媒体がある。
Co−Ni−Ｐのようなメッキ媒体には残留した化学物質に
よる腐食が起るなどの欠点がある。また、この腐食のた
めにデータの書き込み、読み出しする際のエラーが起る
ので、極めて高い記録密度を達成することが出来ない。
メッキ薄膜媒体は本質的に高い欠陥密度を有し、耐食性
に劣るものである。
よる腐食が起るなどの欠点がある。また、この腐食のた
めにデータの書き込み、読み出しする際のエラーが起る
ので、極めて高い記録密度を達成することが出来ない。
メッキ薄膜媒体は本質的に高い欠陥密度を有し、耐食性
に劣るものである。
これに比して、スパッタリングや蒸着で作った薄膜媒体
は、電磁変換特性、浮上性、耐久性、損傷、摩耗、欠陥
密度、耐食性、再生特性のすべての面で優れていると考
えられて来た。蒸着薄膜媒体として、例えばCo−Ni−Pt
やCo−Niなどのコバルト基合金が高い水平記録密度の磁
気記録媒体に適しているとして提案されている。Co−Ni
−Ptスパッタ膜も水平記録に適したものであることが公
知である。
は、電磁変換特性、浮上性、耐久性、損傷、摩耗、欠陥
密度、耐食性、再生特性のすべての面で優れていると考
えられて来た。蒸着薄膜媒体として、例えばCo−Ni−Pt
やCo−Niなどのコバルト基合金が高い水平記録密度の磁
気記録媒体に適しているとして提案されている。Co−Ni
−Ptスパッタ膜も水平記録に適したものであることが公
知である。
他方、直接にスパッターしたCo−NiやCo−Cr膜はＣ軸が
スパッター膜面に垂直になる傾向があるので、水平記録
に適さない。
スパッター膜面に垂直になる傾向があるので、水平記録
に適さない。
水平記録媒体用としてスパッター薄膜磁気記録媒体が文
献で報告されている。前田のJ.Appl.Phys.53（５）May
1982 P.3735“High coercivity Co and Co−Ni alloy f
ilms"及びJ.Appl.Phys.53（10）Oct.1982 P.6941“Effe
ct of nitrogen on the high coercivity and microstr
uctures of Co−Ni alloy films"及び特許出願特開昭57
−72307号によれば、金属コバルトあるいはCo−Ni合金
を窒素を含む雰囲気中でスパッターを行い窒素を含む薄
膜を形成し、その上で真空あるいは不活性ガス中で熱処
理して、良好な磁気特性をもっタ薄膜磁気記録媒体を得
ている。これらの文献では、スパッタリングはスパッタ
ー膜中に十分に窒素を含ませるための液体窒素で冷した
基板に対して行う必要がある。
献で報告されている。前田のJ.Appl.Phys.53（５）May
1982 P.3735“High coercivity Co and Co−Ni alloy f
ilms"及びJ.Appl.Phys.53（10）Oct.1982 P.6941“Effe
ct of nitrogen on the high coercivity and microstr
uctures of Co−Ni alloy films"及び特許出願特開昭57
−72307号によれば、金属コバルトあるいはCo−Ni合金
を窒素を含む雰囲気中でスパッターを行い窒素を含む薄
膜を形成し、その上で真空あるいは不活性ガス中で熱処
理して、良好な磁気特性をもっタ薄膜磁気記録媒体を得
ている。これらの文献では、スパッタリングはスパッタ
ー膜中に十分に窒素を含ませるための液体窒素で冷した
基板に対して行う必要がある。
このような液体窒素で基板を冷却するので、液体窒素を
消費する上に複雑なスパッタリング装置となり、基板の
両面同時スパッターが出来ないなどのためにディスクの
製造原価が高くなる。
消費する上に複雑なスパッタリング装置となり、基板の
両面同時スパッターが出来ないなどのためにディスクの
製造原価が高くなる。
また、Co−Crは通常の場合垂直磁気記録用の媒体として
用いられるものであるがCo−Cr−基金属合金が面内磁化
用の媒体としても優れた特性を示すことを、本発明者ら
は認識して本発明にいたったものである。
用いられるものであるがCo−Cr−基金属合金が面内磁化
用の媒体としても優れた特性を示すことを、本発明者ら
は認識して本発明にいたったものである。
本発明は優れた磁気特性を有し、耐食性の良い水平記録
用の磁気記録媒体及びそれの製造方法を提案することを
目的とする。
用の磁気記録媒体及びそれの製造方法を提案することを
目的とする。
本発明の他の目的は、室温以上の温度の基板にスパッタ
ーして水平磁気記録媒体を作ることのできる製造方法を
提案することである。
ーして水平磁気記録媒体を作ることのできる製造方法を
提案することである。
本発明の磁気記録媒体は、ディスク形基体上に下地層及
び磁性層が形成されており、必要によって磁性層の表面
に保護膜（スパッターされたアモルファス状，グラファ
イト状あるいはダイヤモンド状のカーボン膜や液体潤滑
剤の塗布など）が形成されて、 磁性膜は、 （イ）Cr含有量が３〜20原子％（at％）、Pt,Rh,Ru,Re,
Pd,Irの内、１種又は２種以上の貴金属含有量が３〜15
原子％であるCo−Cr−貴金属合金であり、 （ロ）100〜500Åの粒径の結晶粒を主体とし、 （ハ）そのＣ軸が実質的に面内にあるh.c.p.結晶であ
る、 ことを特徴とするものである。
び磁性層が形成されており、必要によって磁性層の表面
に保護膜（スパッターされたアモルファス状，グラファ
イト状あるいはダイヤモンド状のカーボン膜や液体潤滑
剤の塗布など）が形成されて、 磁性膜は、 （イ）Cr含有量が３〜20原子％（at％）、Pt,Rh,Ru,Re,
Pd,Irの内、１種又は２種以上の貴金属含有量が３〜15
原子％であるCo−Cr−貴金属合金であり、 （ロ）100〜500Åの粒径の結晶粒を主体とし、 （ハ）そのＣ軸が実質的に面内にあるh.c.p.結晶であ
る、 ことを特徴とするものである。
この磁性膜は残留するCoNやCoOの双方がＸ線的に検出さ
れないことが望ましいが、化学分析によって窒素や酸素
が5at％以下検出されることもある。またCo含有量が75a
t％以上であればSi,Al,Mn,Cu,V,Ti,Mo,W等が単独または
複合で５％以下含まれてもよい。
れないことが望ましいが、化学分析によって窒素や酸素
が5at％以下検出されることもある。またCo含有量が75a
t％以上であればSi,Al,Mn,Cu,V,Ti,Mo,W等が単独または
複合で５％以下含まれてもよい。
なお、本明細書において「主体」とは、50％以上の数の
粒子がその粒径範囲に含まれることをいい、この粒径の
測定は電子顕微鏡によって観察することにより行われ
る。
粒子がその粒径範囲に含まれることをいい、この粒径の
測定は電子顕微鏡によって観察することにより行われ
る。
使用される基板としては、セラミックス（例えばAl2O3
系）やガラスも用いることが出来るが、アルミニウム基
体やアルミニウム合金基板（例えば3.9重量％のMgを含
み残部実質的にAlの合金）が望ましい。アルミニウム基
体やアルミニウム合金基板の場合、アルマイト処理膜、
Ni−Ｐメッキ膜、Crスパッター膜を下地として用いるこ
とが出来るが、６〜15μｍの厚さに付けたアルマイト処
理膜は適切なものである。磁気ディスクの外径が3.5″
φのように小さな場合は、3600r.p.mで回転しても周速
度が小さいので、１〜５μｍ程度の薄いアルマイト処理
膜でもよいことがある。磁気ヘッドと磁気ディスクとの
接触、衝突による衝撃に耐え、ディスク面の変形を防ぐ
ためにはこのアルマイト処理膜は十分な硬度、望ましく
はビッカーズ硬度Hvで300以上をもっていることが必要
である。Ni−Ｐの無電解メッキ膜は十分な硬度をもって
いるが、本発明のディスクのように後で熱処理を行うも
のである場合は、この熱処理時の加熱によってNi−Ｐ膜
が帯磁することもあるので、この帯磁の起らない温度で
熱処理を行わなければならない。Crのスパッターをした
膜も利用することが出来るが、耐CSS性を上げるには数1
000Åの厚さに付ける必要があり、スパッター時間が長
く掛る。
系）やガラスも用いることが出来るが、アルミニウム基
体やアルミニウム合金基板（例えば3.9重量％のMgを含
み残部実質的にAlの合金）が望ましい。アルミニウム基
体やアルミニウム合金基板の場合、アルマイト処理膜、
Ni−Ｐメッキ膜、Crスパッター膜を下地として用いるこ
とが出来るが、６〜15μｍの厚さに付けたアルマイト処
理膜は適切なものである。磁気ディスクの外径が3.5″
φのように小さな場合は、3600r.p.mで回転しても周速
度が小さいので、１〜５μｍ程度の薄いアルマイト処理
膜でもよいことがある。磁気ヘッドと磁気ディスクとの
接触、衝突による衝撃に耐え、ディスク面の変形を防ぐ
ためにはこのアルマイト処理膜は十分な硬度、望ましく
はビッカーズ硬度Hvで300以上をもっていることが必要
である。Ni−Ｐの無電解メッキ膜は十分な硬度をもって
いるが、本発明のディスクのように後で熱処理を行うも
のである場合は、この熱処理時の加熱によってNi−Ｐ膜
が帯磁することもあるので、この帯磁の起らない温度で
熱処理を行わなければならない。Crのスパッターをした
膜も利用することが出来るが、耐CSS性を上げるには数1
000Åの厚さに付ける必要があり、スパッター時間が長
く掛る。
スパッター媒体の厚さは400〜1000Åであることが望ま
しい。媒体の厚さが薄すぎる場合、十分な磁力が得られ
ないので、電磁変換特性が劣化する。媒体の厚さが厚く
なると保磁力が低下する傾向がある上に、スパッターリ
ング時間が長く掛って生産効率の点からよくない。
しい。媒体の厚さが薄すぎる場合、十分な磁力が得られ
ないので、電磁変換特性が劣化する。媒体の厚さが厚く
なると保磁力が低下する傾向がある上に、スパッターリ
ング時間が長く掛って生産効率の点からよくない。
他の本発明の製造方法は、下地層の形成されたディスク
形基板を室温から300℃の温度に保持し、最終製品の成
分とほぼ同じ成分の合金ターゲットを使用して、窒素を
含む薄膜を形成した後、この薄膜を加熱して薄膜に含有
されていた窒素を放出し、Crを３〜20at％、上記貴金属
を３〜15原子％含み、残部が実質的に75at％以上のCoか
らなる成分を持ち、100〜500Åの粒径の結晶粒を主体と
し、そのＣ軸が主として面内にある実質的に六方最密構
造結晶の磁性薄膜とすることを特徴とするものである。
形基板を室温から300℃の温度に保持し、最終製品の成
分とほぼ同じ成分の合金ターゲットを使用して、窒素を
含む薄膜を形成した後、この薄膜を加熱して薄膜に含有
されていた窒素を放出し、Crを３〜20at％、上記貴金属
を３〜15原子％含み、残部が実質的に75at％以上のCoか
らなる成分を持ち、100〜500Åの粒径の結晶粒を主体と
し、そのＣ軸が主として面内にある実質的に六方最密構
造結晶の磁性薄膜とすることを特徴とするものである。
スパッタリング時の基板温度は、室温から300℃の間で
あってもよいが、生産性や窒素の吸収の容易さの点から
100℃以下であることが望ましい。
あってもよいが、生産性や窒素の吸収の容易さの点から
100℃以下であることが望ましい。
また、スパッタリング後の熱処理は、スパッター膜に吸
着されている窒素を放出する温度で行う。低い温度で熱
処理を行った場合、十分に窒素を放出するためには長い
加熱時間が必要で、高い温度の場合は短時間でよい。望
ましい温度範囲は310〜500℃である。310℃未満で熱処
理を行うと数10時間の熱処理が必要で実際的でない。
着されている窒素を放出する温度で行う。低い温度で熱
処理を行った場合、十分に窒素を放出するためには長い
加熱時間が必要で、高い温度の場合は短時間でよい。望
ましい温度範囲は310〜500℃である。310℃未満で熱処
理を行うと数10時間の熱処理が必要で実際的でない。
500℃以上にすると脱ガスは急速に行うことができる
が、Co−Cr−貴金属結晶の粒成長によって、Ｓ／Ｎ比が
低下するおそれがある。
が、Co−Cr−貴金属結晶の粒成長によって、Ｓ／Ｎ比が
低下するおそれがある。
本発明の磁気記録媒体の磁性薄膜は成分から云えば、Cr
を３〜20at％、上記貴金属を３〜15at％含み、75at％以
上のCoからなるものである。Crを3at％未満にした場
合、磁気特性はCrを多く含むものよりも良いが、耐触性
に劣り、環境試験によって磁化４πMs及び角形比Ｓ
＊（保持力角形比で、減磁曲線のHc点での接線と、Br点
でＨ軸と平行に引いた直線の交点におけるＨの値とHcの
値との比をいう。）が劣化する。20at％よりも多くCrを
含む場合、４πMsが極めて低くなり、媒体として使用出
来ない。また、Coを75at％以上とする範囲は75at％未満
のCo量となると磁化４πMsが低くなる媒体としての有効
性を失うためである。貴金属Pt,Rh,Ru,Re,Pd,Irの内、
１種又は２種以上を３〜15原子％加える理由は、Cr添加
による磁化４πMsの減少効果をうすめると共に耐食性を
向上させるためである。貴金属原子が3at％未満では上
記効果が薄く、15at％を超えると耐食性に対する効果は
大きいが、やはり磁化４πMsあるいは保磁力角形比Ｓ＊
の値を減少させ、磁性膜が媒体として適さなくなる。
を３〜20at％、上記貴金属を３〜15at％含み、75at％以
上のCoからなるものである。Crを3at％未満にした場
合、磁気特性はCrを多く含むものよりも良いが、耐触性
に劣り、環境試験によって磁化４πMs及び角形比Ｓ
＊（保持力角形比で、減磁曲線のHc点での接線と、Br点
でＨ軸と平行に引いた直線の交点におけるＨの値とHcの
値との比をいう。）が劣化する。20at％よりも多くCrを
含む場合、４πMsが極めて低くなり、媒体として使用出
来ない。また、Coを75at％以上とする範囲は75at％未満
のCo量となると磁化４πMsが低くなる媒体としての有効
性を失うためである。貴金属Pt,Rh,Ru,Re,Pd,Irの内、
１種又は２種以上を３〜15原子％加える理由は、Cr添加
による磁化４πMsの減少効果をうすめると共に耐食性を
向上させるためである。貴金属原子が3at％未満では上
記効果が薄く、15at％を超えると耐食性に対する効果は
大きいが、やはり磁化４πMsあるいは保磁力角形比Ｓ＊
の値を減少させ、磁性膜が媒体として適さなくなる。
本発明においては、窒素を含む不活性雰囲気中でスパッ
タリングした窒素を含むCo−Cr−貴金属合金膜は水平方
向（面内）で極めて低い磁化（４πMs）しか示さず、ほ
とんど非磁性であるが、これを熱処理して脱窒素を行う
と100〜500Åの結晶粒に成長し、そのＣ軸が実質的に面
内にある六方最密構造結晶となって、面内で優れた磁気
特性を有する膜となるので磁気記録媒体として優れたも
のとなる。
タリングした窒素を含むCo−Cr−貴金属合金膜は水平方
向（面内）で極めて低い磁化（４πMs）しか示さず、ほ
とんど非磁性であるが、これを熱処理して脱窒素を行う
と100〜500Åの結晶粒に成長し、そのＣ軸が実質的に面
内にある六方最密構造結晶となって、面内で優れた磁気
特性を有する膜となるので磁気記録媒体として優れたも
のとなる。
窒素等を含もないArのみの雰囲気でスパッタリングした
Co−Cr膜は保磁力が400Oe前後と低い上に、垂直方向に
配向していて面内磁気記録に適していない点と、本発明
を比較するとその間の相違は明らかである。
Co−Cr膜は保磁力が400Oe前後と低い上に、垂直方向に
配向していて面内磁気記録に適していない点と、本発明
を比較するとその間の相違は明らかである。
以下、本発明を具体的実施例によって詳細に説明する。
なお以下に述べる実施例はマグネトロンr.f.スパッタ装
置によったが、イオン工学的に同様のことが言えるイオ
ンビームスパッタリング等によって本発明の効果を得る
ことが可能であることは勿論である。
なお以下に述べる実施例はマグネトロンr.f.スパッタ装
置によったが、イオン工学的に同様のことが言えるイオ
ンビームスパッタリング等によって本発明の効果を得る
ことが可能であることは勿論である。
マグネシウムを４％含むアルミニウム合金基板（大き
さ：外径130mm,内径40mm,厚さ1.9mm）をクロム酸を含む
酸浴中で電解処理し、その表面に12μｍのアルマイト層
の下地層を形成し、かつその表面を２μｍ研磨し平坦に
した。この下地層のビッカーズ硬度Hvは350であった。
さ：外径130mm,内径40mm,厚さ1.9mm）をクロム酸を含む
酸浴中で電解処理し、その表面に12μｍのアルマイト層
の下地層を形成し、かつその表面を２μｍ研磨し平坦に
した。この下地層のビッカーズ硬度Hvは350であった。
次に、平板マグネトロンr.f.スパッタリング装置を用
い、下記条件にて下地層上にＮを含むCo−Cr−貴金属合
金薄膜を形成した。
い、下記条件にて下地層上にＮを含むCo−Cr−貴金属合
金薄膜を形成した。
初期排気 １〜２×10-6Torr 全雰囲気（Ar＋N2） 10〜15mTorr 雰囲気中N2ガス濃度 （全圧に対するN2分圧の％） ０〜70％ 投入電力 1kW ターゲット組成 Co−Cr−貴金属 （目標とする薄膜の組成に一致させる。
例えば、Co／Cr／Pt＝80／10（at％）の薄膜を形成する
場合には、Co80％,Cr10at％、Pt10at％のターゲットを
用いる。） 極間隔 108mm 薄膜形成速度 100〜300Å／min. 膜 厚 700Å 基板温度 70℃ この膜形成処理後、真空中にて320〜350℃で１〜３時間
熱処理を行い、窒素を放出させた。この磁性膜からは、
CoN,CoOがＸ線的には検出されなかった。その後、カー
ボン保護膜を500Å厚さとなるようスパッタリングして
形成し、磁気記録媒体とした。
場合には、Co80％,Cr10at％、Pt10at％のターゲットを
用いる。） 極間隔 108mm 薄膜形成速度 100〜300Å／min. 膜 厚 700Å 基板温度 70℃ この膜形成処理後、真空中にて320〜350℃で１〜３時間
熱処理を行い、窒素を放出させた。この磁性膜からは、
CoN,CoOがＸ線的には検出されなかった。その後、カー
ボン保護膜を500Å厚さとなるようスパッタリングして
形成し、磁気記録媒体とした。
この磁気記録媒体の磁気特性を上記以外の条件と共に第
１表に示す。
１表に示す。
この磁気記録媒体を60℃の温度で80〜90％の相対湿度の
雰囲気中に２週間暴露した後の磁気特性も第１表に示
す。
雰囲気中に２週間暴露した後の磁気特性も第１表に示
す。
第１表でサンプルNo.1〜18は本発明の実施例で、サンプ
ルNo.19〜25は比較例である。No.1〜18はいずれも環境
試験の前後で磁気特性にほとんど差がなく、耐食性が向
上していることがわ かる。第１表に（002）面のＸ線回折強度と（100）面の
Ｘ線回折強度との比、即ちＩ（002）／Ｉ（100）で定義
されるＲ値も示してあるが、本発明のものはいずれも３
以下で、ほぼ面内にＣ軸が配向していることが明らか
で、比較例のNo.25,26は各々4.1,4.9とＲが大で、ほぼ
垂直に配向している。比較例のNo.19,21,22,24は上記の
環境試験で特性が劣化した。また、Coが75at％未満であ
るNo.20,23は４πMsあるいは保磁力角形比Ｓ＊が低い。
ルNo.19〜25は比較例である。No.1〜18はいずれも環境
試験の前後で磁気特性にほとんど差がなく、耐食性が向
上していることがわ かる。第１表に（002）面のＸ線回折強度と（100）面の
Ｘ線回折強度との比、即ちＩ（002）／Ｉ（100）で定義
されるＲ値も示してあるが、本発明のものはいずれも３
以下で、ほぼ面内にＣ軸が配向していることが明らか
で、比較例のNo.25,26は各々4.1,4.9とＲが大で、ほぼ
垂直に配向している。比較例のNo.19,21,22,24は上記の
環境試験で特性が劣化した。また、Coが75at％未満であ
るNo.20,23は４πMsあるいは保磁力角形比Ｓ＊が低い。
以上詳述の通り、本発明によれば優れた磁気特性および
耐食性をもつ面内記録に適した磁気記録媒体が得られ
る。
耐食性をもつ面内記録に適した磁気記録媒体が得られ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 重男 埼玉県熊谷市大字三ケ尻5200番 日立金属 株式会社磁性材料研究所内 (72)発明者 市川 耕司 埼玉県熊谷市大字三ケ尻5200番 日立金属 株式会社磁性材料研究所内 (72)発明者 遠藤 重郎 埼玉県熊谷市大字三ケ尻5200番 日立金属 株式会社磁性材料研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】ディスク形基板の板面上に、下地層及び磁
性膜層が形成された磁気記録媒体において、 磁性膜は、 （イ）Cr含有量が３〜20原子％、Pt,Rh,Ru,Re,Pd,Irの
内１種又は２種以上の貴金属含有量が３〜15原子％か
つ、Co含有量が75原子％以上であるCo−Cr−貴金属基合
金であり、 （ロ）100〜500Åの粒径の結晶粒を主体とし、 （ハ）そのＣ軸が実質的に面内にある六方最密構造結晶
である、 ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】磁性膜はCoNとCoOの双方がＸ線的に検出さ
れないことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
気記録媒体。 - 【請求項３】基板はアルミニウム基体又はアルミニウム
基合金基板であり、その上にアルマイト膜が形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】下地層の形成されたディスク形基板を室温
から300℃の温度に保持し、最終製品の成分とほぼ同じ
成分の合金ターゲットを使用して、窒素を含む不活性気
体雰囲気中で上記基板上にスパッタリングあるいは蒸着
をして窒素を含む薄膜を形成した後、この薄膜を加熱し
て薄膜に含有されていた窒素を放出し、Crを３〜20原子
％、貴金属原子Pt,Rh,Ru,Re,Pd,Irを単独又は複合で３
〜15原子％含み、Coを75原子％以上含有し、100〜500Å
の粒径の結晶粒を主体とし、そのＣ軸が主として面内に
ある実質的に六万最密構造結晶を有する磁性薄膜とする
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】上記薄膜がアルマイト処理したアルミニウ
ム基体又はアルミニウム基合金基板上に形成することを
特徴とする特許請求の範囲第４項記載の製造方法。 - 【請求項６】上記薄膜が400〜1000Åの厚さであること
を特徴とする特許請求の範囲第５項記載の製造方法。 - 【請求項７】上記基板をスパッタリングあるいは蒸着時
に室温から100℃の温度に保持することを特徴とする特
許請求の範囲第４項記載の製造方法。 - 【請求項８】上記加熱処理を真空雰囲気中で310〜500℃
の温度で行うことを特徴とする特許請求の範囲第４項乃
至第７項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60074079A JPH0670849B2 (ja) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60074079A JPH0670849B2 (ja) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253622A JPS61253622A (ja) | 1986-11-11 |
| JPH0670849B2 true JPH0670849B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=13536800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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-
1985
- 1985-04-08 JP JP60074079A patent/JPH0670849B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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