JPH04356721A

JPH04356721A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH04356721A
Application number: JP3236493A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Matsubaguchi; 敏松葉口; Akira Nahara; 明名原
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1991-03-28
Filing date: 1991-09-17
Publication date: 1992-12-10
Also published as: DE69200172D1; DE69200172T2; EP0505783B1; US5413868A; EP0505783A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属薄膜を磁性層とす
る磁気記録媒体に関し、特に磁性層の組成を改良するこ
とにより、磁気特性が向上せしめられた垂直磁気記録に
好適な磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の、高密度記録化の要求に応えるべ
く磁気記録媒体の改良が鋭意進められている。中でも記
録密度の向上が最も期待される媒体として、磁性層に金
属薄膜を使用したいわゆる金属薄膜型媒体がある。一方
、記録方式の面からは、磁気記録は磁性層の面内方向に
磁化容易軸を有する面内磁化型、および膜面に垂直な方
向に磁化容易軸を有する垂直磁化型に大別されるが、金
属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体においても各々の記
録方式に応じた各種の磁気材料組成、層の構成及び成膜
方法の改良が提案されている。例えば、面内磁化型の薄
膜磁気記録層としては、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ等が知
られている。これらの組成において、通常のマグネトロ
ンスパッタリング方式にて磁性層の薄膜を成膜する場合
、抗磁力を高くするためには、非磁性基板を１００〜３
５０℃程度に加熱しつつスパッタリング等で成膜するこ
とが必要であった。

【０００３】垂直磁化型の薄膜磁気記録層については、
ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，等が知られているが、通常の
マグネトロンスパッタリング方式にて成膜する場合、垂
直磁気異方性を得るためには少なくとも１００℃以上に
非磁性基板を加熱する必要があった。また、真空蒸着法
では、更に高温の加熱を必要とした。磁性金属薄膜を成
膜する際に、非磁性基板を加熱するためには、成膜装置
の構造が複雑となるとともに、使用可能な非磁性基板の
種類が限定され、例えば、ポリエチレンテレフタレエー
トフィルム等のプラスチック材料の使用が困難であった
。一方、低温度での成膜でも高抗磁力が得られる材料と
して、ＣｏＰｔ系の面内磁化膜、ＣｏＰｔＢＯ系垂直磁
化膜（特開平２ー７４０１２号公報など）が知られてい
るが、Ｐｔ材料は高価であるという実用上の問題があっ
た。Ｐｔより安価な材料で、且つ低温度の成膜でも高抗
磁力が得られる材料としてＣｏＰｄ系の金属薄膜が特開
平１ー１９１３１８号公報、特開平２ー３０１０４号公
報に開示されているが、Ｐｄ量が６０％以上必要であり
材料コスト的にもまだ高価であり、且つ飽和磁化Ｍｓが
約４００ｅｍｕ／ｃｃ程度であり磁気特性の面でも充分
なものではなかった。また、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
，５２（３）、２４５３（１９８１）には、垂直磁化型
の磁性膜としてＣｏ−Ｃｒ系の金属薄膜の磁気異方性に
関する記載があり、その中でＣｏ−Ｃｒ中にＰｄやＲｈ
を少量添加した合金薄膜の特性が開示されているが、大
きな改善がみられてない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術の問題点に鑑みなされたものであり、非磁性基板の温
度を高めることなく成膜が可能であり、且つ高抗磁力、
高飽和磁化である優れた磁気特性を有する金属薄膜型磁
気記録媒体を得ることを目的としている。また、本発明
の別の目的は、材料コストが比較的安価である垂直磁化
型の金属薄膜型磁気記録媒体を提供することである。さ
らに、本発明の別の他の目的は、垂直磁気記録用として
優れた特性を有する磁気記録媒体を提供することである
。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、非
磁性基板上に磁性層を有する磁気記録媒体において、該
磁性層は（Ｃｏ１００−ｘＰｄｘ）１００−ｙＣｒｙ　
（１０≦ｘ≦４０、５≦ｙ≦２５、ｘ及びｙは、ａｔ．
％である。）で表される組成を主成分とする金属薄膜で
あることを特徴とする磁気記録媒体により達成される。

【０００６】本発明の磁気記録媒体は、特定の組成範囲
にあるＣｏ−Ｐｄ系合金にＣｒを特定範囲の組成比加え
ることにより、得られる金属薄膜磁性層の磁気特性を改
良し特に垂直磁気異方性に優れた媒体の提供を可能にし
たものであり、また、Ｃｏ−Ｐｄ系合金を主体とした組
成であるために、成膜の際の非磁性基板の温度を高める
必要がないので、製造方法が簡易なものでよく、製造コ
ストも比較的安価であり、また非磁性基板に要求される
耐熱性も軽減されているのでその選択の幅を広くするこ
とができる。

【０００７】即ち、本発明では、磁性層の金属薄膜中の
ＣｏにＰｄを加えることにより発生する磁歪の逆効果が
磁気異方性を誘起するために、非磁性基板を高めなくと
も磁気異方性に優れた磁性膜を得ることができると考え
られる。更に、Ｃｒを添加するとその偏析効果により粒
界分離性が高まるので、磁気特性が改良でき、特に垂直
磁気異方性に優れた金属薄膜を得ることができると推定
される。本発明の磁気記録媒体における前記金属薄膜の
組成は（Ｃｏ１００−ｘＰｄｘ）１００−ｙＣｒｙと表
示されるものであり、（Ｃｏ−Ｐｄ）系合金に対するＣ
ｒの組成比ｙ（ａｔ．％）は５乃至２５ａｔ．％であり
、好ましくは１０乃至２０ａｔ．％である。　　Ｃｒの
添加量が多すぎると、Ｍｓが低下し、また少なすぎると
垂直異方性磁界（ＨＫｅｆｆ）が充分な大きさにならず
、垂直磁気異方性が優れたものとはならないので好まし
くない。

【０００８】本発明の前記磁性層の組成のうち（Ｃｏ−
Ｐｄ）系合金のＣｏに対するＰｄの組成比ｘ（ａｔ．％
）は、１０乃至４０ａｔ．％であり、好ましくは１０乃
至３０ａｔ．％である。Ｐｄの添加量が多すぎると、垂
直方向の抗磁力Ｈｃが低くなり、また少なすぎると前記
ＨＫｅｆｆが充分に大きくならず好ましくない。以上の
ように、本発明の磁気記録媒体における磁性層の金属薄
膜の組成をＣｏ−Ｐｄ−Ｃｒの３元系合金となし、且つ
その組成比を前記の範囲に特定することにより、製造上
利点の多い垂直磁気異方性に優れた磁気記録媒体を提供
することを可能にしたものである。

【０００９】本発明の磁性層の金属薄膜の膜厚は、通常
、２００乃至１０、０００Ａ（オングストローム）の範
囲である。なお、前記薄膜磁性層は、更に特性の向上を
図るため、前記合金組成に加えてＰｄ，Ｃｒ添加効果を
損なわない範囲で、１０ａｔ．％以下の酸素、窒素、炭
素、不活性ガス、金属、あるいは半金属等の添加元素を
加えても良い。中でも、酸素を前記組成の薄膜磁性層中
に０．５乃至１５ａｔ．％、望ましくは１乃至１０ａｔ
．％導入することにより、垂直磁気異方性をより一層高
いものとすることができる。

【００１０】すなわち、前記の（Ｃｏ１００−ｘＰｄｘ
）１００−ｙＣｒｙ　（１０≦ｘ≦４０、５≦ｙ≦２５
、ｘ及　びｙは、ａｔ．％（原子％）である。）なる組
成式で表される組成の金属薄膜中に酸素を導入すること
により、｛（Ｃｏ１００−ｘＰｄｘ）１００−ｙＣｒｙ
｝１００−ｚＯｚ　（１０≦ｘ≦４０、５≦ｙ≦２５、
０．５≦ｚ≦１５、ｘ、ｙ及びｚは、ａｔ．％（原子％
）である。）なる組成式で表される金属薄膜とすること
により、金属薄膜を構成する磁気粒子同士の粒界の分離
効果が増大するためか、磁気異方性が高まり、垂直抗磁
力が大きい垂直磁気録媒体として最適な金属薄膜を得る
ことができるのである。

【００１１】しかし、酸素の含有量が余り多くなると磁
気特性そのものが低下し、また酸素の含有量が０．５ａ
ｔ．％未満であると酸素の上記の効果は現れない。酸素
の含有量が多くなると特に飽和磁束密度が低下するので
好ましくない。なお、本発明の前記組成式中の金属元素
のａｔ．％の値、ｘ及びｙは、金属薄膜の組成をＩＣＰ
（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓ
ｍａ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）で較正したＸＲＦ（蛍光Ｘ線
分析）によ　って定量することによ規定される値である
。一方酸素のａｔ．％であるｚは、得られた金属薄膜を
オージェ電子分光法（ＡＥＳ）で得られる膜の深さ方向
のプロファイルから読み取った値である。

【００１２】また、本発明の磁気記録媒体においては、
前記組成の磁性層と非磁性基板との間に非磁性層を設け
ることにより、抗磁力が更に向上した磁性層を得ること
ができる。前記非磁性層の組成としては、例えば、Ｃｒ
，Ｍｏ、Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，など
の金属、酸化物、窒化物あるいは炭化物などの薄膜を用
いることができる。前記非磁性層用の組成としては、Ｃ
ｒ，Ｇｅ及びＴｉの金属単体、酸化物、窒化物あるいは
炭化物がその上に形成する金属薄膜の垂直磁気異方性を
一層優れたものとする。

【００１３】この非磁性基板上に設ける非磁性層の効果
は、エピタキシャルな効果、もしくは非磁性基板からの
不純物の磁性薄膜中への混入が防止されて、垂直磁化的
に優れた構造の磁性層の形成を容易にするためではない
かと考えられる。非磁性層の膜厚としては、２００〜１
０、０００Ａであればよい。非磁性層の成膜方法として
は、磁性層と同じくスパッタリング、真空蒸着等の真空
成膜法が非磁性層の効果を薄膜磁気記録層に反映させる
上で好ましい。

【００１４】本発明の磁気記録媒体の金属薄膜磁性層の
成膜は、スパッタリング、真空蒸着等の真空成膜法にて
形成することができる。所定の組成の合金薄膜を得るに
は、薄膜組成に近い組成の合金ターゲットにてスパッタ
リング成膜を行ってもよいし、また複数のターゲットを
同時にスパッタリング（多元同時スパッタ）することに
より、非磁性基板上に所定の組成の合金薄膜を形成して
もよい。特に、後者の多元同時スパッタは、粒界の分離
性を高めるので磁気異方性を誘起し易く、本発明の磁気
記録媒体を得るのに望ましい方法である。例えば、Ｃｏ
Ｐｄ合金ターゲットとＣｒターゲットを組み合わせた２
元同時スパッタリングすることによりＣｒの偏析効果を
更に高めて、磁気異方性の優れた金属薄膜を得ることが
できる。

【００１５】金属薄膜中への酸素の導入については、前
記のいずれかのターゲット組成、あるいは蒸着用出発材
料に予め加えておいても良いし、また成膜過程で真空ガ
ス雰囲気中に微量の酸素を含むガスとして混入させるこ
とにより、非磁性基板上に形成される金属薄膜中に取り
入れても良い。通常、酸素の導入は、Ａｒ等の不活性ガ
ス中に酸素を微量混在させたガスを真空槽内に導入する
ことにより行うことができる。

【００１６】また、前記多元同時スパッタ法は、粒界の
分離性を高めるので磁気異方性を誘起し易く、本発明の
磁気記録媒体を得るのに望ましい方法である。例えば、
ＣｏＰｄ合金ターゲットとＣｒターゲットを組み合わせ
微量酸素含有真空雰囲気中で２元同時スパッタリングす
ることによりＣｒ、及び酸素の偏析効果を更に高めて、
磁気異方性の優れた金属薄膜を得ることができる。また
、薄膜磁気記録層の特性をより向上させるため、例えば
スパッター成膜時の真空中の残留ガス雰囲気、基板温度
、基板表面の吸着物除去、基板からの脱ガスの低減、成
膜速度、などのついての最適化が望ましいのは勿論であ
る。

【００１７】本発明においては、薄膜磁気記録層の内部
応力に起因する磁歪の効果が効いていると考えられ、ス
パッタリング時の成膜室の真空槽内の不活性ガスの圧力
により、得られる磁気特性が変化するので製造の際には
ガス圧に留意することが望ましい。例えば、不活性ガス
にＡｒを使用する場合、Ａｒガス圧は、５×１０−３Ｔ
ｏｒｒ以上にすることが望ましい。不活性ガスにＡｒを
使用する場合、スパッタガス圧は、５×１０−３Ｔｏｒ
ｒ以上にすることが望ましく、更に酸素含有ガス分圧は
、２×１０−４Ｔｏｒｒ以下が望ましい。

【００１８】また、薄膜磁気記録層の特性をより向上さ
せるため、例えばスパッター成膜時の真空中の残留ガス
雰囲気、基板温度、基板表面の吸着物除去、基板からの
脱ガスの低減、成膜速度、などのついての最適化が望ま
しいのは勿論である。

【００１９】本発明の磁気記録媒体における非磁性基板
としては、Ａｌ，Ａｌ合金などの金属、ガラス、セラミ
ックス、合成樹脂などから形成される非磁性基板、ある
いは表面処理、下地層を有する非磁性基板が用いられる
。例えば，Ａｌ系合金，Ｎｉ−Ｐ下地付きＡｌ基板、各
種強化ガラス、各種セラミクス、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリイミド、ポリエーテルイミド、無機・有機
複合材料などが用いられる。

【００２０】特に、本発明においては、成膜時に非磁性
基板を高温度に加熱する必要がないから、プラスチック
等の耐熱性の低い材料への適用が可能である。非磁性基
板の形態としては、ディスク状形態のほかに、テープ状
形態にも勿論適用できる。

【００２１】また、上記の垂直磁気異方性を有する薄膜
磁気記録層の下に直接、あるいは中間層を介して、膜面
内に磁化容易軸を有する低抗磁力磁性層を設けたいわゆ
る二層構造型垂直磁化媒体として実施することも可能で
ある。低抗磁力磁性層としては、面内抗磁力が１００エ
ルステッド以下の面内磁化膜、特に望ましくは高透磁率
を有する軟磁性薄膜が望ましい。例えば、パーマロイ系
合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｎ
ｂ−Ｚｒ、等の薄膜が挙げられる。

【００２２】前記抵抗磁力磁性層の膜厚としては、２０
０乃至１０、０００Ａで選ばれる。成膜方法としては、
メッキ法等も可能ではあるが、スパッタリング、真空蒸
着等の真空成膜法がより好ましい。前記の中間層として
は、例えば前記非磁性層と類似の材料、膜構造を使用す
ることができる。

【００２３】また、本発明をより効果的に実施するため
、薄膜磁性層の上に、保護層および潤滑層を設けても良
い。　　例えば、保護層としては、カーボン薄膜、酸化
膜、窒化膜、炭化膜、金属薄膜、合金薄膜、などが用い
られる。潤滑層としては、金属薄膜型磁気記録媒体用の
潤滑剤として知られている各種の化合物を使用すること
ができる。中でもパーフロロカーボン系潤滑剤は、潤滑
効果の上で望ましい。

【００２４】

【実施例】

（　実施例　１）マグネトロン・スパッタ装置の真空槽
内に１２５ｍｍ径のＣｏ８０Ｐｄ２０ａｔ．％の組成を
有する合金ターゲットとＣｒターゲットを設置した。ス
パッタリング開始前の真空槽の到達真空度（バックグラ
ウンド）ＰＢＧ　は１×１０−６Ｔｏｒｒであった。次
いで前記真空槽内にアルゴンガスを導入し１０×１０−
３Ｔｏｒｒの雰囲気下で２元同時スパッタリングを行い
、ガラス基板上に２０００Ａ（オンク゛ストローム）の
膜厚のＣｏＰｄＣｒ合金薄膜を形成した。ここで　　Ｃ
ｏ８０Ｐｄ２０ターゲットには２．０ＫＷのＲＦ電力を
、Ｃｒターゲットには０〜３００ＷのＤＣ電力をそれぞ
れ投入することにより、得られる金属薄膜の組成を変化
させた。このようにして作成された、金属薄膜の組成を
ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　ＣｏｕｐｌｅｄＰｌ
ａｓｍａ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）で較正したＸＲＦ（蛍光
Ｘ線分析）によ　って定量した。その定量結果を下記の
表１に示す。

【００２５】

【表１】

【００２６】前記定量結果より、成膜されたＣｏＰｄＣ
ｒ系合金の薄膜には、ターゲット組成であるＣｏ：Ｐｄ
＝８０：２０の比率を保ちながら、Ｃｒの成膜パワーに
比例した組成のＣｒが金属薄膜中に取り込まれているこ
とが分かった。

【００２７】（実施例２〜６）実施例１に於いて、Ｃｏ
８０Ｐｄ２０　　のターゲットを　　Ｃｏ９０Ｐｄ１０
（実施例２），Ｃｏ７０Ｐｄ３０（実施例３），Ｃｏ７
５Ｐｄ２５（実施例４），Ｃｏ６５Ｐｄ３５（実施例５
），Ｃｏ６０Ｐｄ４０（実施例６）に替えた以外は、実
施例１と同一の条件でそれぞれの組成の磁性層を前記ガ
ラス基板の上に成膜して実施例２、実施例３、実施例４
、実施例５及び実施例６の磁気記録媒体の試料を得た。

【００２８】（比較例１）実施例１に於いて、Ｃｏ８０
Ｐｄ２０　　のターゲットをＣｏに変えた以外は、実施
例１と同一の条件で磁気記録媒体の試料を得た。以上の
ようにして得られた磁気記録媒体の試料の磁気特性を、
振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を使用して測定した結果が
以下の図１〜３である。垂直異方性は、面内の磁化曲線
から実効的な垂直異方性磁界Ｈｋｅｆｆを求めて評価し
た。前記垂直磁気異方性磁界ＨＫｅｆｆには、ＩＥＥＥ
　　Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．２３（５），２４４３（１
９８７）に記載されている方法を採用した。即ち、図４
に示す磁気記録媒体の金属薄膜磁性層の面内方向の磁化
曲線の原点Ｏから磁化曲線に引いた接線Ａと横軸のＨ（
抗磁力）軸に平行な直線Ｍ＝Ｍｓとの交点Ｐ座標の抗磁
力Ｈの値をＨＫｅｆｆとした。

【００２９】図１は、ＣｏＰｄＣｒ金属薄膜の三元系の
各組成と垂直異方性磁界Ｈｋｅｆｆとの関係図である。図１の中で、各組成の点の側の数値は、ＫＯｅの単位で
表した垂直異方性磁界の測定値である。また、各測定点
から読み取られるＨＫｅｆｆが２．０、３．０、４．０
及び５．０ＫＯｅである等磁界線も同図中に表示してあ
る。図１よりＣｒ量が　　５ａｔ．％以上の領域では、
ＣｏＰｄ組成比に関わらずＣｒ添加量の増加に伴い、垂
直異方性磁界Ｈｋｅｆｆが大きくなることが確認された
。また同一のＣｒ量で比較するとＰｄ量　　１０ａｔ．
％以上で垂直異方性磁界Ｈｋｅｆｆが大きくなる効果が
あることが分かった。

【００３０】図２は、ＣｏＰｄＣｒ金属薄膜の三元系の
各組成と飽和磁化Ｍｓとの関係図であり、縦軸は飽和磁
化Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｃ），横軸はＣｒ濃度（ａｔ．％）
であり、パラメータとしてはＣｏＰｄ組成比である。図
２からＰｄの添加によるＭｓの低下は、Ｃｒ添加のＭｓ
の低下に比べて、はるかにその影響が小さいことが分か
った。

【００３１】図３は、ＣｏＰｄＣｒ金属薄膜の三元系の
各組成と膜面に垂直方向の抗磁力Ｈｃとの関係図である
。図３の中で、各組成の点の側の数値は、Ｏｅの単位で
表した垂直方向の抗磁力である。また、各測定点から読
み取られる抗磁力が４００、５００、６００及び７００
Ｏｅの等抗磁力線も同図中に表示してある。Ｐｄ添加量
が多くなるとＨｃが低くなる傾向があることが分かった
。

【００３２】（実施例７）前記マグネトロン・スパッタ
装置の真空槽内に１２５ｍｍ径の　　Ｃｏ８０Ｐｄ２０
ａｔ．％の組成を有する合金ターゲットとＣｒターゲッ
トを設置した。次いで真空槽内にアルゴンガスを導入し
て、５×１０−３Ｔｏｒｒの雰囲気下で、５００ＷのＤ
Ｃ電力でＣｒターゲットのスパッタリングを行い、ガラ
ス基板上に１０００Ａの膜厚のＣｒの非磁性層を形成し
た。さらにその上にＣｏ８０Ｐｄ２０ターゲットには２
．０ＫＷのＲＦ電力を、Ｃｒターゲットには１５０Ｗの
ＤＣ電力をそれぞれ投入することにより、２０００Ａの
膜厚のＣｏＰｄＣｒ系合金薄膜を形成し、磁気記録媒体
の試料を得た。

【００３３】（実施例８）実施例７に於いて非磁性層の
形成を省略した以外は、実施例７と同一の条件で磁気記
録媒体の試料を作成した。以上のようにして得られた金
属薄膜の磁気特性を、振動試料型磁力計を使用して測定
した結果を表２に示す。

【００３４】

【表２】

【００３５】これらの結果から明らかなように薄膜磁気
記録層に非磁性層を設けることによって、垂直抗磁力が
向上した。

【００３６】（実施例９）前記マグネトロン・スパッタ
装置の真空槽内に１２５ｍｍ径の　　Ｃｏ８０Ｐｄ２０
ａｔ．％の組成を有する合金ターゲットとＣｒターゲッ
トを設置した。Ｃｏ８０Ｐｄ２０ターゲットには２．０
ＫＷのＲＦ電力を、Ｃｒターゲットには１５０ＷのＤＣ
電力をそれぞれ投入することにより、スパッタガス（Ａ
ｒ）圧５×１０−３Ｔｏｒｒの雰囲気下で２０００Ａの
膜厚のＣｏＰｄＣｒ系合金薄膜を形成し、磁気記録媒体
の試料を得た。但し、この場合、スパッタリング開始前
の真空槽内の排気によって得られる、到達真空度ＰＢＧ
を変えた。そして各到達真空度ＰＢＧでのそれぞれ得ら
れた磁性薄膜Ｃｏ６７Ｐｄ１８Ｃｒ１５中の酸素濃度を
測定した。

【００３７】膜中の酸素濃度は、オージェ電子分光法（
ＡＥＳ）で測定した。すなわち、得られた金属薄膜のＡ
ＥＳの膜の深さ方向のプロファイルから酸素濃度が一定
となった値を読み取って、ｚの値を求めた。その結果を
表３に示す。

【００３８】

【表３】

【００３９】この実施例においては、組成式｛（Ｃｏ１
００−ｘＰｄｘ）１００−ｙＣｒｙ｝１００−ｚＯｚに
おける酸素含有量のａｔ．％とＰＢＧとの関係をみたも
のであるが、他の組成のＣｏＰｄＣｒ系の磁性薄膜につ
いても、表２と殆ど同等の関係となった。

【００４０】（実施例１０）実施例９において、到達真
空度ＰＢＧ＝１×１０−７ＴｏｒｒとしてＣｏ６７Ｐｄ
１８Ｃｒ１５磁性薄膜を作成した。この場合スパッタガ
スとして、酸素を含有するＡｒを用いた。スパッタ中の
酸素分圧を変えて得た各試料について、その膜中の酸素
濃度と膜面に垂直方向の抗磁力Ｈｃとの関係を測定した
結果を図５に示す。同図において●印は、磁性薄膜層と
基板の間に１５００Ａの厚さのＴｉ層を設けた場合、○
印は何ら下地層を介在させなかった場合を示す。

【００４１】これらの結果から明らかなように、薄膜磁
気記録層中の酸素濃度を最適化することにより、高い抗
磁力を得ることが出来た。また、非磁性層を設けること
の効果も確認された。

【００４２】

【発明の効果】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｄ系合金の薄膜を磁性層
とする磁気記録媒体において、各元素の組成比を（Ｃｏ
１００−ｘＰｄｘ）１００−ｙＣｒｙ　（１０≦ｘ≦４
０、５≦ｙ≦２５、ｘ及びｙは、ａｔ．％である。）と
特定することによって、成膜時の非磁性基板の温度を高
めることなく高抗磁力の磁気記録媒体、特に垂直磁気特
性に優れた磁気記録媒体が得られる。そして、さらに前
記組成の金属薄膜に酸素元素を導入して｛（Ｃｏ１００
−ｘＰｄｘ）１００−ｙＣｒｙ｝１００−ｚＯｚ　（１
０≦ｘ≦４０、５≦ｙ≦２５、０．５≦ｚ≦１５、ｘ、
ｙ及びｚは、ａｔ．％（原子％）である。）なる組成式
で表される金属薄膜とすることにより、さらに垂直磁気
異方性を高めることができる。また、比較的安価なＰｄ
の使用により、上記の低温成膜と合わせて、経済性にも
優れた磁気記録媒体の提供を可能するもことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＣｏＰｄＣｒ金属薄膜の三元系の各組成と磁性
層の垂直異方性磁界Ｈｋｅｆｆとの関係図。

【図２】ＣｏＰｄＣｒ金属薄膜の三元系の各組成と飽和
磁化Ｍｓとの関係図。

【図３】ＣｏＰｄＣｒ金属薄膜の三元系の各組成と膜面
に垂直方向の抗磁力Ｈｃとの関係図。

【図４】垂直異方性磁界ＨＫｅｆｆの求め方の説明図。

【図５】ＣｏＰｄＣｒ金属薄膜の膜中酸素濃度と膜面に
垂直方向の抗磁力Ｈｃとの関係図。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　非磁性基板上に磁性層を有する磁気記
録媒体において、該磁性層は（Ｃｏ１００−ｘＰｄｘ）
１００−ｙＣｒｙ　（１０≦ｘ≦４０、５≦ｙ≦２５、
ｘ及びｙは、ａｔ．％（原子％）である。）で表される
組成を主成分とする金属薄膜であることを特徴とする磁
気記録媒体。
【請求項２】　　非磁性基板上に磁性層を有する磁気記
録媒体において、該磁性層は｛（Ｃｏ１００−ｘＰｄｘ
）１００−ｙＣｒｙ｝１００−ｚＯｚ　（１０≦ｘ≦４
０、５≦ｙ≦２５、０．５≦ｚ≦１５、ｘ、ｙ及びｚは
、ａｔ．％（原子％）である。）で表される組成を主成
分とする金属薄膜　であることを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項３】　　前記非磁性基板と前記磁性層との間に
非磁性層を有する請求項１もしくは請求項２の磁気記録
媒体。
【請求項４】　　前記強磁性金属薄膜が膜面にほぼ垂直
な方向に磁化容易軸を有する請求項１もしくは請求項２
の磁気記録媒体。