JPS598150A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
- Publication number
- JPS598150A JPS598150A JP11590682A JP11590682A JPS598150A JP S598150 A JPS598150 A JP S598150A JP 11590682 A JP11590682 A JP 11590682A JP 11590682 A JP11590682 A JP 11590682A JP S598150 A JPS598150 A JP S598150A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- recording medium
- film
- refractive index
- transparent substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光により情報の記録、再生、消去をｔｊ
う磁気光学記憶素子に関する。
う磁気光学記憶素子に関する。
近年、高密度、大容量、高速アクセス等種々の要求を満
足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推進されてい
る。中でも半導体レーザて情報の記録、再生、消去が可
能な光磁気ディスクメモリは画像、文字等のファイルメ
モリやビデ副ディスクメモリの応用が考えられ注目され
ている。
足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推進されてい
る。中でも半導体レーザて情報の記録、再生、消去が可
能な光磁気ディスクメモリは画像、文字等のファイルメ
モリやビデ副ディスクメモリの応用が考えられ注目され
ている。
光磁気メモリ用磁性材料として１９６０年後半から１９
７０年前半にかけてＭｎＢ１等の結晶性薄膜が精力的に
研究された。特にＭｎＢ１は大きな磁気光学効果を示す
ため最有望視されたが、記録温度が３６０ ”Ｃと高い
事や記録時に結晶の相転移を伴うため長期安定性に問題
があること等により実用化には至っていない。１９８０
年代に入りＧｄＴｂＦｅや’ｒ ｌ） Ｉ） ｙ Ｆ
ｅの希−Ｉ−類と遷移金属の非晶質合金薄膜を用いた小
型光磁気ティスフ装置の試作機が発表され、これらは記
録閾値が低く半導体レーザを使用できることから実用化
が期待されている。しかし」−記希土類遷移金属の非晶
質合金薄膜は内生信号の品質に関係する磁気光学回転角
（特にカー回転角）が小さくその改善のために種々の方
法が提案されている。たとえばＴｂＦｅ膜にＳｉＯを積
層しカー回転角を増大する方法（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ
。
７０年前半にかけてＭｎＢ１等の結晶性薄膜が精力的に
研究された。特にＭｎＢ１は大きな磁気光学効果を示す
ため最有望視されたが、記録温度が３６０ ”Ｃと高い
事や記録時に結晶の相転移を伴うため長期安定性に問題
があること等により実用化には至っていない。１９８０
年代に入りＧｄＴｂＦｅや’ｒ ｌ） Ｉ） ｙ Ｆ
ｅの希−Ｉ−類と遷移金属の非晶質合金薄膜を用いた小
型光磁気ティスフ装置の試作機が発表され、これらは記
録閾値が低く半導体レーザを使用できることから実用化
が期待されている。しかし」−記希土類遷移金属の非晶
質合金薄膜は内生信号の品質に関係する磁気光学回転角
（特にカー回転角）が小さくその改善のために種々の方
法が提案されている。たとえばＴｂＦｅ膜にＳｉＯを積
層しカー回転角を増大する方法（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ
。
ＭＡＧ−１６，Ｖｏ５．Ｐ］１９４．（１９８０））や
ガーネット表面にＤｙＦｅ膜を作成し再生コントラスト
を」−げる方法（日本応用磁気学会誌Ｖｏ１６．Ｎｏ２
．Ｐ８７（＋９８２））が提案されている。
ガーネット表面にＤｙＦｅ膜を作成し再生コントラスト
を」−げる方法（日本応用磁気学会誌Ｖｏ１６．Ｎｏ２
．Ｐ８７（＋９８２））が提案されている。
本発明は膜面に垂直な磁化容易軸を有する希土類遷移金
属合金簿膜の裏面にＡｇ ＋ Ａｕ ｌ Ｃｕ ｌ Ａ
１＋Ｂｉ、Ｓｎ、ＳＵＳ （ステンレス鋼）等の反射膜
を形成しカー回転角を見かけ上増大させた磁気光学記憶
素子の特性を更に向」ニせんとするものである。
属合金簿膜の裏面にＡｇ ＋ Ａｕ ｌ Ｃｕ ｌ Ａ
１＋Ｂｉ、Ｓｎ、ＳＵＳ （ステンレス鋼）等の反射膜
を形成しカー回転角を見かけ上増大させた磁気光学記憶
素子の特性を更に向」ニせんとするものである。
以下本発明に係る実施例について説明全行なう。
金弟１図のような構造の磁気光学記憶素子を考える。同
図で１は透明誘電体、２は膜面に垂直な磁ｒヒ容易軸を
有する希」１類遷移金属合金薄膜、３は反射膜である。
図で１は透明誘電体、２は膜面に垂直な磁ｒヒ容易軸を
有する希」１類遷移金属合金薄膜、３は反射膜である。
ここで右まわりと左まわりの円偏光に対する−１−配合
金薄膜（以下磁性膜という）２の屈ＪＪｒ率をｎｉ’−
＋ Ｊ 、−Ｌ・記反射膜３の屈折率をｎｏ、上記透明
誘電体１の屈折率を０２とする。
金薄膜（以下磁性膜という）２の屈ＪＪｒ率をｎｉ’−
＋ Ｊ 、−Ｌ・記反射膜３の屈折率をｎｏ、上記透明
誘電体１の屈折率を０２とする。
又磁性膜２は透明誘電体１に接していて、光は４７１体
１側から入射するものとする。同図に示した界面Ａと界
面Ｂでの左右の直円偏光の反射率ｒ＋。
１側から入射するものとする。同図に示した界面Ａと界
面Ｂでの左右の直円偏光の反射率ｒ＋。
ｒＯ（界面Ｂ）及びｒ］＋、ｒｔ （界面Ａ）は次式で
与えられる。
与えられる。
磁性膜２内で干渉した結果界面Ａから出てくる右左の直
円偏光Ｒ＋、Ｒ−は」二記ｆ１＋ 、 （２＋式を用い
て次式で表わされる。
円偏光Ｒ＋、Ｒ−は」二記ｆ１＋ 、 （２＋式を用い
て次式で表わされる。
但しδ４−４πｎ １− ｄ ／ ’
δ−−４πＪ ｄ／λ
ｄ：磁性膜の膜厚 λ 光の波長
膜面に垂直に直線偏光が入射した場合光の進行方向をＺ
軸、振動面をｘ−Ｚ平面にとると界ｍｉＡからの反射光
のｘ、ｙ方向の成分Ｒｘ、Ｒｙは１−記（３）式を用い
て Ｒｘ−（Ｒ十Ｒ） Ｒｙ−土（Ｒ＋−Ｒ）１
＋ ２ と表わされる。Ｒｘ＝ｌＲｘｌｅ’φｘ＋Ｒｙ＝ ｌ
Ｒｙ ｌ ｅ’φｙ。
軸、振動面をｘ−Ｚ平面にとると界ｍｉＡからの反射光
のｘ、ｙ方向の成分Ｒｘ、Ｒｙは１−記（３）式を用い
て Ｒｘ−（Ｒ十Ｒ） Ｒｙ−土（Ｒ＋−Ｒ）１
＋ ２ と表わされる。Ｒｘ＝ｌＲｘｌｅ’φｘ＋Ｒｙ＝ ｌ
Ｒｙ ｌ ｅ’φｙ。
ｔａｎα−１Ｒｙｌ／１Ｒｘ１ とおくと、カー回転角
θ１＜は θＨ＝８ｊａｎ”（ｔａｎ２αｃｏｓ（φＸ−φｙ））
で求まる。カー回転角θ、を大きくするには少なくとも
ｊａｎ２αを大きく即ち１Ｒｙ１を大きくしてｌＲｘ１
を小さくしなければならない。磁性膜２が充分厚く且つ
界面Ｂからの反射が無視できる程度である場合、Ｒ＋、
Ｒ−はｒ１＋、（に等しいのてＲｘ、Ｒｙは上記（２
）式を用いて （ｎ、”−ｈｎ２）（ｎ、−十ｎ２） と表わされる。一般の垂直磁化膜においては、ｎ ］−
” ＋１１−であるため１Ｒｙｌは極めて小さく反射光
の大部分は１Ｒｘｌに依存する。従ってθ、を大きくす
るためには１Ｒｘｌを小さくすること即ちｎＩ＋とＩ］
″′はてきるだりＢ２に近づく・ことが望ましい。
θ１＜は θＨ＝８ｊａｎ”（ｔａｎ２αｃｏｓ（φＸ−φｙ））
で求まる。カー回転角θ、を大きくするには少なくとも
ｊａｎ２αを大きく即ち１Ｒｙ１を大きくしてｌＲｘ１
を小さくしなければならない。磁性膜２が充分厚く且つ
界面Ｂからの反射が無視できる程度である場合、Ｒ＋、
Ｒ−はｒ１＋、（に等しいのてＲｘ、Ｒｙは上記（２
）式を用いて （ｎ、”−ｈｎ２）（ｎ、−十ｎ２） と表わされる。一般の垂直磁化膜においては、ｎ ］−
” ＋１１−であるため１Ｒｙｌは極めて小さく反射光
の大部分は１Ｒｘｌに依存する。従ってθ、を大きくす
るためには１Ｒｘｌを小さくすること即ちｎＩ＋とＩ］
″′はてきるだりＢ２に近づく・ことが望ましい。
！
ｎＩ＋Ｉｎ＋ は磁性膜２に固有の値であるが反射膜構
造によりそれらを見かけ上変える口とができる。
造によりそれらを見かけ上変える口とができる。
第１図において界面Ａと界面Ｂによって結果的に生ずる
反射Ｒ” 、 Ｒ＝は」二記（３）式により表わされる
が、ここでこの反射を第２図の仮想界面Ａ′によって生
した反射と考え、反射膜を付加した時の反射の変化は磁
性膜の屈折率が変化（仮想磁性膜となった）したためで
あると考える。同図で２′は仮想磁性膜である。その仮
想屈Ｕ１率Ｎ”、Ｎ−はＲ＋、Ｒ−を用いて次式で表わ
される。
反射Ｒ” 、 Ｒ＝は」二記（３）式により表わされる
が、ここでこの反射を第２図の仮想界面Ａ′によって生
した反射と考え、反射膜を付加した時の反射の変化は磁
性膜の屈折率が変化（仮想磁性膜となった）したためで
あると考える。同図で２′は仮想磁性膜である。その仮
想屈Ｕ１率Ｎ”、Ｎ−はＲ＋、Ｒ−を用いて次式で表わ
される。
前述の議論よりＮ″とＮ−が０２に近づくことが望まし
いことになる。ここで０ｌ−（Ｊ’−＋Ｊ−）／２＋Ｎ
−（Ｎ’−十Ｎ ）／２で表わされる平均屈折率を導
入すると、ｎｌが０２に近づくこと即ちＮがＢ２に近づ
くことが望ましい。
いことになる。ここで０ｌ−（Ｊ’−＋Ｊ−）／２＋Ｎ
−（Ｎ’−十Ｎ ）／２で表わされる平均屈折率を導
入すると、ｎｌが０２に近づくこと即ちＮがＢ２に近づ
くことが望ましい。
具体的な例として磁性膜にＧｄＴｂＦｅ膜（屈折率ｎ、
＝２．３−３．０ｉ ）を選び、反射膜にＣｕ（屈折率
ｎｏ＝０．２５ ３．Ｉ＋）を選んだ場合、ＧｄＴｂＦ
ｅ膜の見かけ上の平均屈折率Ｎは磁性膜の膜厚を変化さ
せた時第３図のａのような動きをする。同図は横軸が屈
折率の実数部であり、縦軸が屈折率の１．１Ｐ数部であ
る。黒丸印はＧｄＴｂＦｅの膜厚が０がら出発い １０
０人毎に示される。透明誘電体２としてガラス板を考え
た場合ｎ ２−１．５であり、上記ＮがＢ２に一番近い
のはＧｄＴｂＦｅ膜が２００人程度の時であり、この膜
厚にすれば非常に大きなカー回転角が得られる。又、ｂ
はＧｄＴｂＦｅ膜とＣｕ膜（膜厚１３０’ｌＡ）の間に
５ｉ０２を１００人の厚さにして入れ１反射膜とした場
合てＧｄＴｂＦｅ膜の膜厚は薄い方が大きなカー回転角
を得る。又、Ｃは１）と同し構造において５ｉ０２を１
００Ｏ’Ａとした場合である。
＝２．３−３．０ｉ ）を選び、反射膜にＣｕ（屈折率
ｎｏ＝０．２５ ３．Ｉ＋）を選んだ場合、ＧｄＴｂＦ
ｅ膜の見かけ上の平均屈折率Ｎは磁性膜の膜厚を変化さ
せた時第３図のａのような動きをする。同図は横軸が屈
折率の実数部であり、縦軸が屈折率の１．１Ｐ数部であ
る。黒丸印はＧｄＴｂＦｅの膜厚が０がら出発い １０
０人毎に示される。透明誘電体２としてガラス板を考え
た場合ｎ ２−１．５であり、上記ＮがＢ２に一番近い
のはＧｄＴｂＦｅ膜が２００人程度の時であり、この膜
厚にすれば非常に大きなカー回転角が得られる。又、ｂ
はＧｄＴｂＦｅ膜とＣｕ膜（膜厚１３０’ｌＡ）の間に
５ｉ０２を１００人の厚さにして入れ１反射膜とした場
合てＧｄＴｂＦｅ膜の膜厚は薄い方が大きなカー回転角
を得る。又、Ｃは１）と同し構造において５ｉ０２を１
００Ｏ’Ａとした場合である。
Ｇ （ｌ Ｔ ｌ） Ｆ ｅ 膜が約５０λ程度のとこ
ろが最良である。史に（ｌは反射膜としてステンレスを
用い５ｉ０２を１００ＯＡにした場合でＧｄＴｂＦｅ膜
の膜厚は６０〜８０Ａが最良となる。
ろが最良である。史に（ｌは反射膜としてステンレスを
用い５ｉ０２を１００ＯＡにした場合でＧｄＴｂＦｅ膜
の膜厚は６０〜８０Ａが最良となる。
以トの本発明は磁性膜２がＧｄＣｏ、ＨｏＣｏ。
１Ｎ〕１．）ｙＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＦｅ、Ｄ
ｙＦｅ、ＭｎＢ１の膜を用い得る。又反射膜３がＡｕ、
Ａｇ、ＡＩ、Ｔｉ。
ｙＦｅ、ＭｎＢ１の膜を用い得る。又反射膜３がＡｕ、
Ａｇ、ＡＩ、Ｔｉ。
Ｎｉ 、Ｍｎ、Ｂｉ 、Ｓｎの少なくとも一種の金属も
しくはこれらの合金の膜を用い得る。又反射膜３にイク
１加する誘電体膜はＭｇＦ、ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ｔａ２
０５゜ＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４ もしくはこ
れらの組み合わせのものを用い得る。
しくはこれらの合金の膜を用い得る。又反射膜３にイク
１加する誘電体膜はＭｇＦ、ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ｔａ２
０５゜ＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４ もしくはこ
れらの組み合わせのものを用い得る。
以−ｈ ｉｒ細に説明した本発明によれば優れたカー回
転角を有する磁気光学記憶素子を得ることができるもの
である。
転角を有する磁気光学記憶素子を得ることができるもの
である。
第１図は磁気光学記憶素子の断面図、第２図は仮想磁性
膜を適用した磁気光学記憶素子の断面図、第３図は屈折
率の変化を示すグラフ図である。 図中、 １ 透明誘電体 ２：磁性膜 ３：反射膜 ２パ仮想磁性膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）孤３図 藁２図 手−続 補 正 書（方式） 昭和５７年ＩＩ月／／駿い 」１許庁長官殿 （！ｔｉ” Ｆｌ庁 殿）１、
事イ′１の裏手 特願昭 ５７−１１５９０６ ２ 発明の名Ｆ＋・ 磁気光学記憶素子 ３ 袖１１をする名 事イ′１どの関係 ！１．’ｊ３’ｌ出願人住 所
伊５１１５犬阪市阿イ１゛へ野区長池町２２番２２
−号名（！＋・ （５０・１）ソ・ヤーゾ株式会ネ１代
表名 佐 伯 旭 ４、代 理 人 イ１ 所 や５１１５大阪市阿（ｊ’；野区長池町２
２番２２号昭和５７年ｔｏ月７日
膜を適用した磁気光学記憶素子の断面図、第３図は屈折
率の変化を示すグラフ図である。 図中、 １ 透明誘電体 ２：磁性膜 ３：反射膜 ２パ仮想磁性膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）孤３図 藁２図 手−続 補 正 書（方式） 昭和５７年ＩＩ月／／駿い 」１許庁長官殿 （！ｔｉ” Ｆｌ庁 殿）１、
事イ′１の裏手 特願昭 ５７−１１５９０６ ２ 発明の名Ｆ＋・ 磁気光学記憶素子 ３ 袖１１をする名 事イ′１どの関係 ！１．’ｊ３’ｌ出願人住 所
伊５１１５犬阪市阿イ１゛へ野区長池町２２番２２
−号名（！＋・ （５０・１）ソ・ヤーゾ株式会ネ１代
表名 佐 伯 旭 ４、代 理 人 イ１ 所 や５１１５大阪市阿（ｊ’；野区長池町２
２番２２号昭和５７年ｔｏ月７日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板］二に膜面に垂直な磁化容易軸を有する光
磁気記録媒体を形成し、該光磁気記録媒体−１−に反射
膜を形成した磁気光学記憶素子において、目（１記透明
基板の屈折率をｎとし、前記透明基板と前記光磁気記録
媒体との界面及び前記光磁気記録媒体と前記反射膜との
界面で生ずる多重干渉による反射光を前記透明基板と前
記光磁気記録媒体との界面における仮想反射光と考えた
時のこの仮想反射光を引きおこす仮想屈折率をＮとした
時、ｌＮ−ｎｌの値を前記光磁気記録媒体の屈折率をＮ
Ｏとした時の１Ｎｏ−ｎｌ の値より小さくなるように
設定したことを特徴とする磁気光学記憶素子。 ２ 前記仮想屈折率が右まわり（左まわり）の円偏光に
対する場合にＮ”（Ｎ’−）であり、前記光磁気記録媒
体の屈折率か右まわり（左まわり）の円偏光に対する場
合にＮｏ（Ｎｏ） である時、１Ｎｅ−Ｎ＋ｌ＜ＩＮ”
−ｎｌ（ｌＮｏ Ｎ ｌ＜ＩＮ −ｎｌ）であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気光学記
憶素子。 ３ 前記透明基板の屈折率ｎか１４〜１６の範囲にあり
羽つ前記光磁気記録媒体がＧｄＴｂＦｅ膜である時、右
まわり円偏光に対する仮想屈折率Ｎ＋の値が、横軸をＮ
＋の実数部、縦軸をＮ＋の虚数部とした複素平面上にお
いて中心を（＋、５．０）とする半径３の円内部にある
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の磁気光学
記憶素子。 ４ 前記反射膜がＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ
。 Ｍｎ、Ｂｉ、Ｓｎ−の少なくとも一種の金属もしくはこ
れらの合金の膜であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項又は第２項又は第３項記載の磁気光学記憶素子。 ５ 前記反射膜がＭｇＦ、ＳｉＯ，５ｉ０２．ＴｉＯ２
゜Ｔａ２０５，５ｎ０２，１ｎ２０３．Ｓｉ３Ｎ４もし
くはこれらの組み合わせの誘電体膜と、Ａｕ 、Ａｇ
、ＡＩ。 Ｃｕ 、Ｔｉ 、Ｎｉ 、Ｍｎ 、Ｂｉ 、 Ｓｎの少
なくとも一種の金属もしくはこれらの合金の膜との積層
された複合膜であることを特徴とする特３１精求の範囲
第１項又は第２項又は第３項記載の磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11590682A JPS598150A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11590682A JPS598150A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598150A true JPS598150A (ja) | 1984-01-17 |
| JPH0430098B2 JPH0430098B2 (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=14674129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11590682A Granted JPS598150A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598150A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116990A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS60171653A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-05 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 光磁気デスク |
| JPS60209940A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-22 | Sony Corp | 光学式記録媒体 |
| JPS62137743A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-20 | Sony Corp | 情報記録媒体 |
| JPS62170050A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光磁気デイスク |
| JPS62232740A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-13 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS6466847A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Mitsubishi Chem Ind | Magneto-optical recording medium |
| JPH02192046A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-07-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH03156753A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-07-04 | Teijin Ltd | 光記録媒体 |
| US5093174A (en) * | 1989-07-04 | 1992-03-03 | Teijin Limited | Optical recording medium |
| EP0598377A3 (en) * | 1992-11-17 | 1996-08-21 | Mitsubishi Chem Ind | Magneto-optical recording medium and optical information recording and reading-out method. |
-
1982
- 1982-07-02 JP JP11590682A patent/JPS598150A/ja active Granted
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116990A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH0583971B2 (ja) * | 1982-12-24 | 1993-11-30 | Ricoh Kk | |
| JPS60171653A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-05 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 光磁気デスク |
| JPH0544739B2 (ja) * | 1984-03-31 | 1993-07-07 | Sony Corp | |
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| JPS62232740A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-13 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS6466847A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Mitsubishi Chem Ind | Magneto-optical recording medium |
| JPH02192046A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-07-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| US5093174A (en) * | 1989-07-04 | 1992-03-03 | Teijin Limited | Optical recording medium |
| JPH03156753A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-07-04 | Teijin Ltd | 光記録媒体 |
| EP0598377A3 (en) * | 1992-11-17 | 1996-08-21 | Mitsubishi Chem Ind | Magneto-optical recording medium and optical information recording and reading-out method. |
| US5853872A (en) * | 1992-11-17 | 1998-12-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Magneto-optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0430098B2 (ja) | 1992-05-20 |
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