JPH04349247A - 光磁気記憶素子 - Google Patents
光磁気記憶素子Info
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- JPH04349247A JPH04349247A JP3187382A JP18738291A JPH04349247A JP H04349247 A JPH04349247 A JP H04349247A JP 3187382 A JP3187382 A JP 3187382A JP 18738291 A JP18738291 A JP 18738291A JP H04349247 A JPH04349247 A JP H04349247A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は熱エネルギーで情報を記
録あるいは消去し、光と磁気の相互作用を利用して情報
を再生する光磁気記憶素子に関する。
録あるいは消去し、光と磁気の相互作用を利用して情報
を再生する光磁気記憶素子に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、高密度、大容量、高速アクセスが
可能な光メモリ装置の研究開発が各方面で精力的に行わ
れている。中でも情報の記録、再生、消去が可能な光磁
気メモリ装置は文字、画像等のファイルメモリやビデオ
ディスク等の用途が考えられるためとりわけ有望視され
ているものである。
可能な光メモリ装置の研究開発が各方面で精力的に行わ
れている。中でも情報の記録、再生、消去が可能な光磁
気メモリ装置は文字、画像等のファイルメモリやビデオ
ディスク等の用途が考えられるためとりわけ有望視され
ているものである。
【0003】この光磁気メモリ装置の記憶材料としては
GdCo、TbFe、GdTbFe、TbDyFe等の
希土類と遷移金属の非晶質合金薄膜が適している。これ
は希土類と遷移金属の非晶質合金薄膜が膜面に垂直な方
向に磁化容易軸を有し、非晶質であるため粒界ノイズが
なく、記録に必要とされるレーザパワーを少なくできる
という優れた性質を有するためである。
GdCo、TbFe、GdTbFe、TbDyFe等の
希土類と遷移金属の非晶質合金薄膜が適している。これ
は希土類と遷移金属の非晶質合金薄膜が膜面に垂直な方
向に磁化容易軸を有し、非晶質であるため粒界ノイズが
なく、記録に必要とされるレーザパワーを少なくできる
という優れた性質を有するためである。
【0004】しかし、上記希土類と遷移金属の非晶質合
金薄膜を記憶材料として用いた場合は磁気光学効果であ
るカー回転角が0.2〜0.3度と小さく再生信号の品
質が良くないという欠点がある。この再生信号の品質を
向上させるために従来より反射膜構造と呼ばれる素子構
造が記憶素子において採用されている(例えば特願昭5
5−85695号参照)。
金薄膜を記憶材料として用いた場合は磁気光学効果であ
るカー回転角が0.2〜0.3度と小さく再生信号の品
質が良くないという欠点がある。この再生信号の品質を
向上させるために従来より反射膜構造と呼ばれる素子構
造が記憶素子において採用されている(例えば特願昭5
5−85695号参照)。
【0005】図2は従来の反射膜構造の光磁気記憶素子
の一部側面断面図である。同図で1は透明基板、2は透
明基板1よりも屈折率の高い透明誘電体膜、3は希土類
−遷移金属の非晶質合金薄膜、4は透明誘電体膜、5は
金属反射膜である。この構造の光磁気記憶素子では非晶
質合金薄膜3は十分に薄く、したがってこの非晶質合金
薄膜3に入射した光は一部が通り抜ける。
の一部側面断面図である。同図で1は透明基板、2は透
明基板1よりも屈折率の高い透明誘電体膜、3は希土類
−遷移金属の非晶質合金薄膜、4は透明誘電体膜、5は
金属反射膜である。この構造の光磁気記憶素子では非晶
質合金薄膜3は十分に薄く、したがってこの非晶質合金
薄膜3に入射した光は一部が通り抜ける。
【0006】そのため再生光は非晶質合金薄膜3表面で
の反射によるカー効果と、非晶質合金薄膜3を通り抜け
金属反射膜5で反射され再び非晶質合金薄膜3を通り抜
けることで起こるファラディ効果とが合わせられること
によって、単なるカー効果のみの場合に比べて数倍カー
回転角が増大するものである。なお、非晶質合金薄膜3
上の透明誘電体膜2もカー回転角を増大する働きを有す
る(IEEE Trans.on Mag.Vol
−16 No5 1980 P1194にて報告
されている)。
の反射によるカー効果と、非晶質合金薄膜3を通り抜け
金属反射膜5で反射され再び非晶質合金薄膜3を通り抜
けることで起こるファラディ効果とが合わせられること
によって、単なるカー効果のみの場合に比べて数倍カー
回転角が増大するものである。なお、非晶質合金薄膜3
上の透明誘電体膜2もカー回転角を増大する働きを有す
る(IEEE Trans.on Mag.Vol
−16 No5 1980 P1194にて報告
されている)。
【0007】一例として透明基板1をガラス板とし、透
明誘電体膜2を100nmのSiOとし、非晶質合金薄
膜3を12.5nmのGdTbDyFeとし、透明誘電
体膜4を30nmのSiO2とし、金属反射膜5を40
nmのCuとした構成ではカー回転角が1.75度まで
増大した。
明誘電体膜2を100nmのSiOとし、非晶質合金薄
膜3を12.5nmのGdTbDyFeとし、透明誘電
体膜4を30nmのSiO2とし、金属反射膜5を40
nmのCuとした構成ではカー回転角が1.75度まで
増大した。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述の図2の構造では
カー回転角が1.75度まで増大する一方で、反射光が
5%程度に減少してしまう。ところが、ガラスによって
形成した透明基板1の表面での光の反射は4%程度ある
ため、非晶質合金薄膜3にて反射され情報を含む反射光
と、透明基板1の表面にて反射され情報を含まない反射
光とが同程度の光量となり、情報再生に困難をきたすよ
うになった。すなわち、上述の反射膜構造の光磁気記憶
素子はカー回転角の増大を得るという利点を有する一方
で反射光量が十分に得られないという問題点を有してい
た。
カー回転角が1.75度まで増大する一方で、反射光が
5%程度に減少してしまう。ところが、ガラスによって
形成した透明基板1の表面での光の反射は4%程度ある
ため、非晶質合金薄膜3にて反射され情報を含む反射光
と、透明基板1の表面にて反射され情報を含まない反射
光とが同程度の光量となり、情報再生に困難をきたすよ
うになった。すなわち、上述の反射膜構造の光磁気記憶
素子はカー回転角の増大を得るという利点を有する一方
で反射光量が十分に得られないという問題点を有してい
た。
【0009】本発明はカー回転角を増大せしめると共に
基板表面での反射光を十分に減少せしめることによって
高い情報品質を得ることができる新規有用な素子構造を
提供することを目的とする。
基板表面での反射光を十分に減少せしめることによって
高い情報品質を得ることができる新規有用な素子構造を
提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明は基板の裏面側に透明誘電体膜と希土類・遷
移金属非晶質合金薄膜を積層して記録材料として用い反
射光量を減少させることによってカー回転角を増大せし
める構成を備えた光磁気記憶素子において、前記基板の
表面側に透明誘電体膜を形成したことを特徴とする光磁
気記憶素子である。
め、本発明は基板の裏面側に透明誘電体膜と希土類・遷
移金属非晶質合金薄膜を積層して記録材料として用い反
射光量を減少させることによってカー回転角を増大せし
める構成を備えた光磁気記憶素子において、前記基板の
表面側に透明誘電体膜を形成したことを特徴とする光磁
気記憶素子である。
【0011】
【作用】基板の裏面側に透明誘電体膜と希土類・遷移金
属非晶質合金薄膜を積層して記録材料とする。この構成
によって反射光量を減少させてカー回転角を増大せしめ
る一方、基板の表面側に透明誘電体膜を形成することに
よって情報の採取に寄与しない入射光の基板表面からの
反射光量を減少せしめる。
属非晶質合金薄膜を積層して記録材料とする。この構成
によって反射光量を減少させてカー回転角を増大せしめ
る一方、基板の表面側に透明誘電体膜を形成することに
よって情報の採取に寄与しない入射光の基板表面からの
反射光量を減少せしめる。
【0012】
【実施例】以下、本発明に係る光磁気記憶素子の一実施
例について詳細に説明する。
例について詳細に説明する。
【0013】図1は本発明に係る光磁気記憶素子の一実
施例の一部側面断面図を示す。同図において図2の構成
と同一構成の部分は同一符号をもって示している。なお
、図1の光磁気記憶素子は透明基板1に凹凸のガイドト
ラックを設けている。また、透明基板1はガラス板、透
明誘電体膜2はSiO、非晶質合金薄膜3はGdTbD
yFe、透明誘電体膜4はSiO2、金属反射膜5はC
uとする。同図で6は透明誘電体膜2と同一材料である
SiOを100〜110nmの膜厚にて被覆形成した第
1の被覆膜であり、7は透明誘電体膜4と同一材料であ
るSiO2を130〜140nmの膜厚にて被覆形成し
た第2の被覆膜である。
施例の一部側面断面図を示す。同図において図2の構成
と同一構成の部分は同一符号をもって示している。なお
、図1の光磁気記憶素子は透明基板1に凹凸のガイドト
ラックを設けている。また、透明基板1はガラス板、透
明誘電体膜2はSiO、非晶質合金薄膜3はGdTbD
yFe、透明誘電体膜4はSiO2、金属反射膜5はC
uとする。同図で6は透明誘電体膜2と同一材料である
SiOを100〜110nmの膜厚にて被覆形成した第
1の被覆膜であり、7は透明誘電体膜4と同一材料であ
るSiO2を130〜140nmの膜厚にて被覆形成し
た第2の被覆膜である。
【0014】この構造の光磁気記憶素子は上記第1の被
覆膜6及び第2の被覆膜7が反射防止膜として作用する
ため透明基板1表面で反射し情報の採取に寄与しない反
射光を十分に減少させることができるものである。上記
第1の被覆膜6及び第2の被覆膜7は各々の膜厚が使用
レーザ波長をλ、屈折率をnとした時、d=λ/4nに
なるように形成されている。また、上記第1の被覆膜6
及び第2の被覆膜7はいずれか一方のみが存在しても反
射防止の機能を果たすことができる。
覆膜6及び第2の被覆膜7が反射防止膜として作用する
ため透明基板1表面で反射し情報の採取に寄与しない反
射光を十分に減少させることができるものである。上記
第1の被覆膜6及び第2の被覆膜7は各々の膜厚が使用
レーザ波長をλ、屈折率をnとした時、d=λ/4nに
なるように形成されている。また、上記第1の被覆膜6
及び第2の被覆膜7はいずれか一方のみが存在しても反
射防止の機能を果たすことができる。
【0015】ここで上記第1の被覆膜6及び第2の被覆
膜7の材質は透明誘電体膜2および4の材質に応じて種
々変更することができる。例えばTiO2、Si3N4
、からなる2層膜あるいはMgFe、3NaF;AlF
3(氷晶)等の単層膜であっても構わない。また他の構
造、例えば3層膜あるいはそれ以上の多層膜であっても
構わない。
膜7の材質は透明誘電体膜2および4の材質に応じて種
々変更することができる。例えばTiO2、Si3N4
、からなる2層膜あるいはMgFe、3NaF;AlF
3(氷晶)等の単層膜であっても構わない。また他の構
造、例えば3層膜あるいはそれ以上の多層膜であっても
構わない。
【0016】また、以上の説明では透明基板1をガラス
板で構成したものについて説明したが、透明基板1がP
MMA樹脂あるいはポリカーボネート樹脂等からなる樹
脂基板であってもよい。ここで透明基板1をPMMA樹
脂にて構成した場合はPMMA樹脂の吸湿性が高いため
に図2の構造の素子では真空中で各被覆膜2〜5を形成
し次に大気中に取り出すと、基板1が水分を吸収して各
被覆膜2〜5を内側にして凸状に反ってしまう。
板で構成したものについて説明したが、透明基板1がP
MMA樹脂あるいはポリカーボネート樹脂等からなる樹
脂基板であってもよい。ここで透明基板1をPMMA樹
脂にて構成した場合はPMMA樹脂の吸湿性が高いため
に図2の構造の素子では真空中で各被覆膜2〜5を形成
し次に大気中に取り出すと、基板1が水分を吸収して各
被覆膜2〜5を内側にして凸状に反ってしまう。
【0017】しかるに図1の構造のごとく第1の被覆膜
6及び第2の被覆膜7を真空中にて形成しておけば上述
の反りを未然に防止することができるものである。すな
わち、この場合第1の被覆膜6及び第2の被覆膜7は透
明基板1の表面での反射防止と透明基板1の反り防止の
両方の機能を果たすものである。
6及び第2の被覆膜7を真空中にて形成しておけば上述
の反りを未然に防止することができるものである。すな
わち、この場合第1の被覆膜6及び第2の被覆膜7は透
明基板1の表面での反射防止と透明基板1の反り防止の
両方の機能を果たすものである。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば基板の裏面側に透明誘電
体膜と希土類・遷移金属非晶質薄膜を積層して記録材料
とし、反射光量を減少させてカー回転角を増大せしめる
一方、基板の表面側に透明誘電体膜を形成することによ
って情報の採取に寄与しない入射光の基板表面からの反
射光量を減少せしめることができるので、情報品質の高
い光磁気記憶素子を得ることができる。
体膜と希土類・遷移金属非晶質薄膜を積層して記録材料
とし、反射光量を減少させてカー回転角を増大せしめる
一方、基板の表面側に透明誘電体膜を形成することによ
って情報の採取に寄与しない入射光の基板表面からの反
射光量を減少せしめることができるので、情報品質の高
い光磁気記憶素子を得ることができる。
【図1】本発明に係る光磁気記憶素子の一実施例の一部
側面断面図である。
側面断面図である。
【図2】従来の光磁気記憶素子の一部側面断面図である
。
。
1 透明基板
2 透明誘電体膜
3 非晶質合金薄膜
4 透明誘電体膜
5 金属反射膜
6 第1の被覆膜
7 第2の被覆膜
Claims (1)
- 【請求項1】基板の裏面側に透明誘電体膜と希土類・遷
移金属非晶質合金薄膜を積層して記録材料として用い反
射光量を減少させることによってカー回転角を増大せし
める構成を備えた光磁気記憶素子において、前記基板の
表面側に透明誘電体膜を形成したことを特徴とする光磁
気記憶素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3187382A JP2662474B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光磁気記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3187382A JP2662474B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光磁気記憶素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57190336A Division JPS5979445A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 光磁気記憶素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04349247A true JPH04349247A (ja) | 1992-12-03 |
JP2662474B2 JP2662474B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=16205036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3187382A Expired - Lifetime JP2662474B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光磁気記憶素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2662474B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6128274A (en) * | 1997-11-19 | 2000-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording disk capable of suppressing bimetallic effects caused by thermal expansion |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57120253A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-27 | Sharp Corp | Magnetooptical storage elemen |
JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
JPS5852651U (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-09 | キヤノン株式会社 | 光熱磁気記録媒体 |
JPS5979445A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-08 | Sharp Corp | 光磁気記憶素子 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3187382A patent/JP2662474B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57120253A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-27 | Sharp Corp | Magnetooptical storage elemen |
JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
JPS5852651U (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-09 | キヤノン株式会社 | 光熱磁気記録媒体 |
JPS5979445A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-08 | Sharp Corp | 光磁気記憶素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6128274A (en) * | 1997-11-19 | 2000-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording disk capable of suppressing bimetallic effects caused by thermal expansion |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2662474B2 (ja) | 1997-10-15 |
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