JPS62232740A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
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- JPS62232740A JPS62232740A JP7634286A JP7634286A JPS62232740A JP S62232740 A JPS62232740 A JP S62232740A JP 7634286 A JP7634286 A JP 7634286A JP 7634286 A JP7634286 A JP 7634286A JP S62232740 A JPS62232740 A JP S62232740A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、レーザ等の光を照射することにより情報の記
録、再生、消去等を行う磁気光学記憶素子に関する。
録、再生、消去等を行う磁気光学記憶素子に関する。
(従来の技術)
近年、情報の記録、再生、消去が可能な光メモリ素子と
して磁気光学記憶素子の開発が活発に行なわれている。
して磁気光学記憶素子の開発が活発に行なわれている。
中でも、記憶媒体として希土類遷移金属合金薄膜を用い
たものは、記録ビットが粒界の影響を受けない点、およ
び記憶媒体の膜を大面積にわたって作成することが比較
的容易である点から特に注目を集めている。しかし、記
憶媒体として」二足のような希土類遷移金属合金薄膜を
用いて磁気光学記憶素子を構成したものでは、一般に光
磁気効果(カー効果、ファラデー効果)が充分に得られ
ず、そのため再生信号のS/N比が不充分なものであっ
た。このような問題点を改良するため、従来より例えば
特開昭57−12428号公報に示されるように9反射
膜構造と呼ばれろ素子構造が磁気光学記憶素子において
採用されている。
たものは、記録ビットが粒界の影響を受けない点、およ
び記憶媒体の膜を大面積にわたって作成することが比較
的容易である点から特に注目を集めている。しかし、記
憶媒体として」二足のような希土類遷移金属合金薄膜を
用いて磁気光学記憶素子を構成したものでは、一般に光
磁気効果(カー効果、ファラデー効果)が充分に得られ
ず、そのため再生信号のS/N比が不充分なものであっ
た。このような問題点を改良するため、従来より例えば
特開昭57−12428号公報に示されるように9反射
膜構造と呼ばれろ素子構造が磁気光学記憶素子において
採用されている。
第2図は従来の反射膜構造の磁気光学記憶素子の一部縦
断面図を示している。同図において、aはガラス、ポリ
カーボネート、エポキシ等の透明基板。
断面図を示している。同図において、aはガラス、ポリ
カーボネート、エポキシ等の透明基板。
bはこの透明基板aよりも屈折率の高い特性を有する透
明誘電体膜、Cは希土類遷移金属合金薄膜、dは透明誘
電体膜、eは金属反射膜である。この構造の磁気光学記
憶素子では、希土類遷移金属合金薄膜Cは充分に薄く、
従って、この希土類遷移金属合金薄膜Cに入射した光は
その一部か通り抜ける。そのため、再生光は希土類遷移
金属合金薄膜C表面での反射によるカー効果と、希土類
遷移金属合金薄膜Cを通り抜けて金属反射膜eで反射さ
れ、再び希土類遷移金属合金薄膜Cを通り抜けることで
生起されるファラデー効果とが合イフせられることによ
り。
明誘電体膜、Cは希土類遷移金属合金薄膜、dは透明誘
電体膜、eは金属反射膜である。この構造の磁気光学記
憶素子では、希土類遷移金属合金薄膜Cは充分に薄く、
従って、この希土類遷移金属合金薄膜Cに入射した光は
その一部か通り抜ける。そのため、再生光は希土類遷移
金属合金薄膜C表面での反射によるカー効果と、希土類
遷移金属合金薄膜Cを通り抜けて金属反射膜eで反射さ
れ、再び希土類遷移金属合金薄膜Cを通り抜けることで
生起されるファラデー効果とが合イフせられることによ
り。
単なるカー効果のみによる素子に比べて見かけ上数倍カ
ー回転角か増大するしのとなる。−例として、第2図に
おいて透明基板aをガラスとし、透明誘電体膜すをAI
Nとし、希土類遷移金属合金薄膜CをGdTbFeとし
、透明誘電体膜dをAINとし、金属反射膜eをAIと
した構成では、見かけ上のカー回転角が1.6度にまで
増大した。
ー回転角か増大するしのとなる。−例として、第2図に
おいて透明基板aをガラスとし、透明誘電体膜すをAI
Nとし、希土類遷移金属合金薄膜CをGdTbFeとし
、透明誘電体膜dをAINとし、金属反射膜eをAIと
した構成では、見かけ上のカー回転角が1.6度にまで
増大した。
(発明か解決しようとする問題点)
しかしながら1上記の如く、金属反射膜eとしてAIを
用いた場合には、AIの熱伝導率が高いため。
用いた場合には、AIの熱伝導率が高いため。
レーザ等による記録の際に反射膜部分での熱吸収が大き
く、記録に要するレーザパワーが高くなってしまう。言
い換えれば、記録感度の低い光磁気記憶素子しか得られ
ないという問題があった。
く、記録に要するレーザパワーが高くなってしまう。言
い換えれば、記録感度の低い光磁気記憶素子しか得られ
ないという問題があった。
(問題点を解決するための手段)
本発明は9反射膜を含む多層膜構造の記録層を有する磁
気光学記憶素子において、上記反射膜を熱伝導率の低い
金属、または半金属にて形成してなる乙ので、記録感度
を向上せしめ且つ長期信頼性を高めろろ、高品質な磁気
光学記憶素子を提供することを目的とする。
気光学記憶素子において、上記反射膜を熱伝導率の低い
金属、または半金属にて形成してなる乙ので、記録感度
を向上せしめ且つ長期信頼性を高めろろ、高品質な磁気
光学記憶素子を提供することを目的とする。
(作用)
反射膜を熱伝導率の低い金属、または半金属1例えばチ
タンにて形成すると、熱伝導率が低いため記録感度が向
上し、また高融点材料であるため熱的安定性が確保され
る。
タンにて形成すると、熱伝導率が低いため記録感度が向
上し、また高融点材料であるため熱的安定性が確保され
る。
(実施例)
以下1本発明の磁気光学記憶素子の一実施例を図面を参
照して説明する。
照して説明する。
第1図は、磁気光学記憶素子の構造の一例を示す一部縦
断面図である。
断面図である。
同図において、lはガラス、ポリカーボネート。
アクリル、エポキシ等の透明基板であり、この透明基板
l上に透明な窒化アルミニウム(AIN)からなる第1
の透明誘電体膜2が例えば90nmの膜厚に形成され、
この第1の透明誘電体膜2上にGdTbFc合金からな
る希土類遷移金属合金薄膜(記録媒体)3が例えば20
nmの膜厚に形成され、この希土類遷移金属合金薄膜3
上に透明な窒化アルミニウム(AIN)からなる第2の
透明誘電体膜4か例えば40nmの膜厚に形成され、さ
らにこの第2の透明誘電体膜4上にチタン(T i)か
らなる反射膜5が例えば50nm以上の膜厚に形成され
ている。
l上に透明な窒化アルミニウム(AIN)からなる第1
の透明誘電体膜2が例えば90nmの膜厚に形成され、
この第1の透明誘電体膜2上にGdTbFc合金からな
る希土類遷移金属合金薄膜(記録媒体)3が例えば20
nmの膜厚に形成され、この希土類遷移金属合金薄膜3
上に透明な窒化アルミニウム(AIN)からなる第2の
透明誘電体膜4か例えば40nmの膜厚に形成され、さ
らにこの第2の透明誘電体膜4上にチタン(T i)か
らなる反射膜5が例えば50nm以上の膜厚に形成され
ている。
このように1反射膜5をチタンで形成した場合には次の
ような利点がある。
ような利点がある。
■チタンはAI、Cu、Au、Ag等の金属に比べ熱伝
導率がかなり低い。このため、記録媒体にレーザを照射
してら記録を行う際に熱の逃げを少なくできるので、レ
ーザパワーを低減できろものである。本発明では、上記
した透明誘電体膜2.4の材質として窒化アルミニウム
を用いているが、窒化アルミニウムは比較的熱伝導率が
良く、熱が逃げ易いので、窒化アルミニウムを透明誘電
体膜2.4の材質として用いた場合はチタンによる反射
膜5が特に適している。この効果を調べるために行った
実験においては、第1図に示した構造の磁気光学記憶素
子において。
導率がかなり低い。このため、記録媒体にレーザを照射
してら記録を行う際に熱の逃げを少なくできるので、レ
ーザパワーを低減できろものである。本発明では、上記
した透明誘電体膜2.4の材質として窒化アルミニウム
を用いているが、窒化アルミニウムは比較的熱伝導率が
良く、熱が逃げ易いので、窒化アルミニウムを透明誘電
体膜2.4の材質として用いた場合はチタンによる反射
膜5が特に適している。この効果を調べるために行った
実験においては、第1図に示した構造の磁気光学記憶素
子において。
反射膜5をチタンとした素子とアルミニウムとした素子
とを比較した結果、同一レーザパワー下における記録ビ
ットの長さにおいて、チタンを反射膜5とした素子の方
がlO%以上記録感度が良好であることが確認された。
とを比較した結果、同一レーザパワー下における記録ビ
ットの長さにおいて、チタンを反射膜5とした素子の方
がlO%以上記録感度が良好であることが確認された。
■チタンは1周知の如く高融点な材料であり。
AI等に比べると熱的に安定である。従って、磁気光学
記憶素子の反射膜5としてチタンを用いることは長期信
頼性の点から6非常に有利である。
記憶素子の反射膜5としてチタンを用いることは長期信
頼性の点から6非常に有利である。
■チタンは、低熱伝導率を有する金属、半金属の中でも
反射率が高く、本実施例においてら再生系に対し充分な
反射光量を有するものが得られ、再生特性においてら良
好な結果が得られた。
反射率が高く、本実施例においてら再生系に対し充分な
反射光量を有するものが得られ、再生特性においてら良
好な結果が得られた。
なお、上記実施例においては2反射膜5としてチタンを
用いているが1本発明はこれに限定されるものではない
。本発明の主旨は1反射膜を含む多層膜構造の記録層を
存する磁気光学記憶素子の記録感度等の特性を向上せし
めるために。
用いているが1本発明はこれに限定されるものではない
。本発明の主旨は1反射膜を含む多層膜構造の記録層を
存する磁気光学記憶素子の記録感度等の特性を向上せし
めるために。
反射膜を熱伝導率の低い材料にて形成するところにあり
、上記チタン反射膜の代わりに例えばTa、Pb、Zr
、Bi、Te、Se等の金属、半金属、またはSUS、
AlNi等の合金を用いても良い。
、上記チタン反射膜の代わりに例えばTa、Pb、Zr
、Bi、Te、Se等の金属、半金属、またはSUS、
AlNi等の合金を用いても良い。
また、上記実施例においては、記録媒体としてGdTb
Fe合金薄膜を用いているが、他の希土類遷移金属合金
薄膜(例えばGdTbFeCo、TbFe。
Fe合金薄膜を用いているが、他の希土類遷移金属合金
薄膜(例えばGdTbFeCo、TbFe。
TbFeCo等)であっても良く、また、透明誘電体膜
2.4についても、窒化アルミニウムの他に例えばSi
N、ZnN、Sin、5ins等の透明誘電体膜であっ
ても良い。また1反射膜5を備えた多層膜構造の記録層
を有する磁気光学記憶素子であれば、上記実施例の構造
に限ることなく適用可能である。また、上記実施例で示
した膜厚はこれに限定されるものではない。
2.4についても、窒化アルミニウムの他に例えばSi
N、ZnN、Sin、5ins等の透明誘電体膜であっ
ても良い。また1反射膜5を備えた多層膜構造の記録層
を有する磁気光学記憶素子であれば、上記実施例の構造
に限ることなく適用可能である。また、上記実施例で示
した膜厚はこれに限定されるものではない。
(発明の効果)
以上説明したように1本発明によれば、情報の記録再生
特性および長期信頼性を向上した磁気光学記憶素子を実
現することかできる。
特性および長期信頼性を向上した磁気光学記憶素子を実
現することかできる。
第1図は本発明に係る磁気光学記憶素子の構造の一例を
示す一部縦断面図、第2図は従来の磁気光学記憶素子の
一例を示す一部縦断面図である。 1・・・透明基板 2・・・第1の透明誘電体
膜3・・希土類遷移金属合金薄膜
示す一部縦断面図、第2図は従来の磁気光学記憶素子の
一例を示す一部縦断面図である。 1・・・透明基板 2・・・第1の透明誘電体
膜3・・希土類遷移金属合金薄膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、反射膜を含む多層膜構造の記録層を有する磁気光学
記憶素子において、上記反射膜を低熱伝導率を有する金
属、半金属にて形成してなることを特徴とする磁気光学
記憶素子。 2、上記反射膜をチタンにて形成してなることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の磁気光学記憶素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7634286A JPS62232740A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 磁気光学記憶素子 |
US06/945,354 US4786559A (en) | 1985-12-25 | 1986-12-22 | Magnetooptical storage element |
EP86310145A EP0228909B1 (en) | 1985-12-25 | 1986-12-24 | A magnetooptical storage element |
DE8686310145T DE3684282D1 (de) | 1985-12-25 | 1986-12-24 | Magnetooptisches speicherelement. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7634286A JPS62232740A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62232740A true JPS62232740A (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=13602683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7634286A Pending JPS62232740A (ja) | 1985-12-25 | 1986-04-01 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62232740A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8411498B2 (en) | 2009-12-15 | 2013-04-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic tunnel junction devices, electronic devices including a magnetic tunneling junction device and methods of fabricating the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS598150A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-17 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1986
- 1986-04-01 JP JP7634286A patent/JPS62232740A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS598150A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-17 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8411498B2 (en) | 2009-12-15 | 2013-04-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic tunnel junction devices, electronic devices including a magnetic tunneling junction device and methods of fabricating the same |
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