JPS62232740A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、レーザ等の光を照射することにより情報の記
録、再生、消去等を行う磁気光学記憶素子に関する。

（従来の技術） 近年、情報の記録、再生、消去が可能な光メモリ素子と
して磁気光学記憶素子の開発が活発に行なわれている。

中でも、記憶媒体として希土類遷移金属合金薄膜を用い
たものは、記録ビットが粒界の影響を受けない点、およ
び記憶媒体の膜を大面積にわたって作成することが比較
的容易である点から特に注目を集めている。しかし、記
憶媒体として」二足のような希土類遷移金属合金薄膜を
用いて磁気光学記憶素子を構成したものでは、一般に光
磁気効果（カー効果、ファラデー効果）が充分に得られ
ず、そのため再生信号のＳ／Ｎ比が不充分なものであっ
た。このような問題点を改良するため、従来より例えば
特開昭５７−１２４２８号公報に示されるように９反射
膜構造と呼ばれろ素子構造が磁気光学記憶素子において
採用されている。

第２図は従来の反射膜構造の磁気光学記憶素子の一部縦
断面図を示している。同図において、ａはガラス、ポリ
カーボネート、エポキシ等の透明基板。

ｂはこの透明基板ａよりも屈折率の高い特性を有する透
明誘電体膜、Ｃは希土類遷移金属合金薄膜、ｄは透明誘
電体膜、ｅは金属反射膜である。この構造の磁気光学記
憶素子では、希土類遷移金属合金薄膜Ｃは充分に薄く、
従って、この希土類遷移金属合金薄膜Ｃに入射した光は
その一部か通り抜ける。そのため、再生光は希土類遷移
金属合金薄膜Ｃ表面での反射によるカー効果と、希土類
遷移金属合金薄膜Ｃを通り抜けて金属反射膜ｅで反射さ
れ、再び希土類遷移金属合金薄膜Ｃを通り抜けることで
生起されるファラデー効果とが合イフせられることによ
り。

単なるカー効果のみによる素子に比べて見かけ上数倍カ
ー回転角か増大するしのとなる。−例として、第２図に
おいて透明基板ａをガラスとし、透明誘電体膜すをＡＩ
Ｎとし、希土類遷移金属合金薄膜ＣをＧｄＴｂＦｅとし
、透明誘電体膜ｄをＡＩＮとし、金属反射膜ｅをＡＩと
した構成では、見かけ上のカー回転角が１．６度にまで
増大した。

（発明か解決しようとする問題点） しかしながら１上記の如く、金属反射膜ｅとしてＡＩを
用いた場合には、ＡＩの熱伝導率が高いため。

レーザ等による記録の際に反射膜部分での熱吸収が大き
く、記録に要するレーザパワーが高くなってしまう。言
い換えれば、記録感度の低い光磁気記憶素子しか得られ
ないという問題があった。

（問題点を解決するための手段） 本発明は９反射膜を含む多層膜構造の記録層を有する磁
気光学記憶素子において、上記反射膜を熱伝導率の低い
金属、または半金属にて形成してなる乙ので、記録感度
を向上せしめ且つ長期信頼性を高めろろ、高品質な磁気
光学記憶素子を提供することを目的とする。

（作用） 反射膜を熱伝導率の低い金属、または半金属１例えばチ
タンにて形成すると、熱伝導率が低いため記録感度が向
上し、また高融点材料であるため熱的安定性が確保され
る。

（実施例） 以下１本発明の磁気光学記憶素子の一実施例を図面を参
照して説明する。

第１図は、磁気光学記憶素子の構造の一例を示す一部縦
断面図である。

同図において、ｌはガラス、ポリカーボネート。

アクリル、エポキシ等の透明基板であり、この透明基板
ｌ上に透明な窒化アルミニウム（ＡＩＮ）からなる第１
の透明誘電体膜２が例えば９０ｎｍの膜厚に形成され、
この第１の透明誘電体膜２上にＧｄＴｂＦｃ合金からな
る希土類遷移金属合金薄膜（記録媒体）３が例えば２０
ｎｍの膜厚に形成され、この希土類遷移金属合金薄膜３
上に透明な窒化アルミニウム（ＡＩＮ）からなる第２の
透明誘電体膜４か例えば４０ｎｍの膜厚に形成され、さ
らにこの第２の透明誘電体膜４上にチタン（Ｔ　ｉ）か
らなる反射膜５が例えば５０ｎｍ以上の膜厚に形成され
ている。

このように１反射膜５をチタンで形成した場合には次の
ような利点がある。

■チタンはＡＩ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属に比べ熱伝
導率がかなり低い。このため、記録媒体にレーザを照射
してら記録を行う際に熱の逃げを少なくできるので、レ
ーザパワーを低減できろものである。本発明では、上記
した透明誘電体膜２．４の材質として窒化アルミニウム
を用いているが、窒化アルミニウムは比較的熱伝導率が
良く、熱が逃げ易いので、窒化アルミニウムを透明誘電
体膜２．４の材質として用いた場合はチタンによる反射
膜５が特に適している。この効果を調べるために行った
実験においては、第１図に示した構造の磁気光学記憶素
子において。

反射膜５をチタンとした素子とアルミニウムとした素子
とを比較した結果、同一レーザパワー下における記録ビ
ットの長さにおいて、チタンを反射膜５とした素子の方
がｌＯ％以上記録感度が良好であることが確認された。

■チタンは１周知の如く高融点な材料であり。

ＡＩ等に比べると熱的に安定である。従って、磁気光学
記憶素子の反射膜５としてチタンを用いることは長期信
頼性の点から６非常に有利である。

■チタンは、低熱伝導率を有する金属、半金属の中でも
反射率が高く、本実施例においてら再生系に対し充分な
反射光量を有するものが得られ、再生特性においてら良
好な結果が得られた。

なお、上記実施例においては２反射膜５としてチタンを
用いているが１本発明はこれに限定されるものではない
。本発明の主旨は１反射膜を含む多層膜構造の記録層を
存する磁気光学記憶素子の記録感度等の特性を向上せし
めるために。

反射膜を熱伝導率の低い材料にて形成するところにあり
、上記チタン反射膜の代わりに例えばＴａ、Ｐｂ、Ｚｒ
、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｓｅ等の金属、半金属、またはＳＵＳ、
ＡｌＮｉ等の合金を用いても良い。

また、上記実施例においては、記録媒体としてＧｄＴｂ
Ｆｅ合金薄膜を用いているが、他の希土類遷移金属合金
薄膜（例えばＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ。

ＴｂＦｅＣｏ等）であっても良く、また、透明誘電体膜
２．４についても、窒化アルミニウムの他に例えばＳｉ
Ｎ、ＺｎＮ、Ｓｉｎ、５ｉｎｓ等の透明誘電体膜であっ
ても良い。また１反射膜５を備えた多層膜構造の記録層
を有する磁気光学記憶素子であれば、上記実施例の構造
に限ることなく適用可能である。また、上記実施例で示
した膜厚はこれに限定されるものではない。

（発明の効果） 以上説明したように１本発明によれば、情報の記録再生
特性および長期信頼性を向上した磁気光学記憶素子を実
現することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る磁気光学記憶素子の構造の一例を
示す一部縦断面図、第２図は従来の磁気光学記憶素子の
一例を示す一部縦断面図である。 １・・・透明基板　　　　　２・・・第１の透明誘電体
膜３・・希土類遷移金属合金薄膜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、反射膜を含む多層膜構造の記録層を有する磁気光学
   記憶素子において、上記反射膜を低熱伝導率を有する金
   属、半金属にて形成してなることを特徴とする磁気光学
   記憶素子。 ２、上記反射膜をチタンにて形成してなることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の磁気光学記憶素子。