JPS62154249A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
- Publication number
- JPS62154249A JPS62154249A JP29607685A JP29607685A JPS62154249A JP S62154249 A JPS62154249 A JP S62154249A JP 29607685 A JP29607685 A JP 29607685A JP 29607685 A JP29607685 A JP 29607685A JP S62154249 A JPS62154249 A JP S62154249A
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- JP
- Japan
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- film
- transparent
- transparent dielectric
- rare earth
- transition metal
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、レーザ等の光を照射することにより情報の記
録、再生、消去等を行う（ｎ気光学記憶素子に関する。
録、再生、消去等を行う（ｎ気光学記憶素子に関する。
（従来の技術）
近年、情報の記録、再生、消去が可能な光メモリ素子と
して磁気光学記憶素子の開発が活発に行われている。中
でも、記憶媒体として希土類遷移金属合金薄膜を用いた
ものは、記録ビットが粒界の影舌を受けない点、および
記憶媒体の膜を大面積に亘って作成することが比較的容
易である点から特に注目を集めている。しかし、記憶媒
体として上記のような希土類遷移金属合金薄膜を用いて
磁気光学記憶素子を構成したものでは、一般に光磁気効
果（カー効果、ファラデー効果）が充分に得られず、そ
のため再生信号のＳ／Ｎ比が不充分なものであった。こ
のような問題点を改良するため、従来より例えば特開昭
５７−１２４２８号公報に示されるように、反射膜構造
と呼ばれる素子構造が磁気光学記憶素子において採用さ
れている。
して磁気光学記憶素子の開発が活発に行われている。中
でも、記憶媒体として希土類遷移金属合金薄膜を用いた
ものは、記録ビットが粒界の影舌を受けない点、および
記憶媒体の膜を大面積に亘って作成することが比較的容
易である点から特に注目を集めている。しかし、記憶媒
体として上記のような希土類遷移金属合金薄膜を用いて
磁気光学記憶素子を構成したものでは、一般に光磁気効
果（カー効果、ファラデー効果）が充分に得られず、そ
のため再生信号のＳ／Ｎ比が不充分なものであった。こ
のような問題点を改良するため、従来より例えば特開昭
５７−１２４２８号公報に示されるように、反射膜構造
と呼ばれる素子構造が磁気光学記憶素子において採用さ
れている。
第２図は従来の反射１１！２構造の磁気光学記憶素子の
一部縦断面図を示している。同図において、ａはガラス
、ポリカーボネート、エボギン等の透明基板、ｂはこの
透明基板ａよりも屈折率の品い特性を有する透明誘電体
膜、Ｃは希土類遷移金属合金薄膜、ｄは透明誘電体１１
１１．ｅは金属反射膜である。この構造の磁気光学記憶
素子では、希土類遷移金属合金薄ｎりＣは充分に薄く、
従って、この希土類遷移金属合金）Ｗ１１莫Ｃに入射し
た光はその一部が通り抜ける。そのため、再生光は希土
類遷移金属合金薄膜Ｃ表面での反射によるカー効果と、
希土類遷移金属合金薄膜Ｃを通り抜けて金属反射膜ｅで
反射され、再び希土類遷移金属合金薄膜Ｃを通り抜ける
ことで生起されるファラデー効果とが合わせられるごと
により、単なるカー効果のみによる素子に比べて見かけ
上数倍カー回転角が増大するものとなる。−例として、
第２図において透明基板ａをガラスとし、透明誘電体膜
すをＡｆｆＮとし、希土類遷移金属合金薄膜ＣをＧｄＴ
ｂＦｅとし、透明誘電体膜ｄをＡＩＮとし、金属反射膜
ｅをＡ１とした構成では、見かけ上のカー回転角が１．
６度にまで増大した。
一部縦断面図を示している。同図において、ａはガラス
、ポリカーボネート、エボギン等の透明基板、ｂはこの
透明基板ａよりも屈折率の品い特性を有する透明誘電体
膜、Ｃは希土類遷移金属合金薄膜、ｄは透明誘電体１１
１１．ｅは金属反射膜である。この構造の磁気光学記憶
素子では、希土類遷移金属合金薄ｎりＣは充分に薄く、
従って、この希土類遷移金属合金）Ｗ１１莫Ｃに入射し
た光はその一部が通り抜ける。そのため、再生光は希土
類遷移金属合金薄膜Ｃ表面での反射によるカー効果と、
希土類遷移金属合金薄膜Ｃを通り抜けて金属反射膜ｅで
反射され、再び希土類遷移金属合金薄膜Ｃを通り抜ける
ことで生起されるファラデー効果とが合わせられるごと
により、単なるカー効果のみによる素子に比べて見かけ
上数倍カー回転角が増大するものとなる。−例として、
第２図において透明基板ａをガラスとし、透明誘電体膜
すをＡｆｆＮとし、希土類遷移金属合金薄膜ＣをＧｄＴ
ｂＦｅとし、透明誘電体膜ｄをＡＩＮとし、金属反射膜
ｅをＡ１とした構成では、見かけ上のカー回転角が１．
６度にまで増大した。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記の如く、金属反射膜ｅとしてＡｌを
用いた場合には、Ａｌの熱伝導率が高いため、レーザ等
による記録の際に反射膜部分での熱吸収が大きく、記録
に要するレーザパワーが高くなってしまう。言い換えれ
ば、記録感度の低い光磁気記ｊＱ素子しか得られないと
いう問題があった。
用いた場合には、Ａｌの熱伝導率が高いため、レーザ等
による記録の際に反射膜部分での熱吸収が大きく、記録
に要するレーザパワーが高くなってしまう。言い換えれ
ば、記録感度の低い光磁気記ｊＱ素子しか得られないと
いう問題があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、反射膜を含む多層膜構造の記録層を有する磁
気光学記憶素子において、上記反射膜をクンタルにて形
成してなるもので、記ｔｊ感度を向上せしめ且つ長期信
頼性を高めうる何１気光学記憶素子を提供することを目
的とする。
気光学記憶素子において、上記反射膜をクンタルにて形
成してなるもので、記ｔｊ感度を向上せしめ且つ長期信
頼性を高めうる何１気光学記憶素子を提供することを目
的とする。
（作用）
反射膜をタンタルにて形成すると、熱伝導率が低いため
記録感度が向上し、また高融点材料であるため熱的安定
性が確保される。
記録感度が向上し、また高融点材料であるため熱的安定
性が確保される。
（実施例）
以下、本発明の磁気光学記４１７素子の一実施例を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
第１図は、磁気光学記憶素子の構造の一例を示す一部縦
断面図ある。
断面図ある。
同図において、ｌはガラス、ポリカーボネート、アクリ
ル、エキポジ等の透明基板であり、この透明基板１上に
透明な窒化アルミニウム（ＡＩＮ）からなる第１の透明
誘電体膜２が例えば８０Ｎｍの膜厚に形成され、この第
１の透明誘電体膜２上にＧｄＴｂＦｅ合金からなる希土
類遷移金属合金薄膜（記録媒体）３が例えば２０Ｎｍの
膜厚に形成され、この希土類遷移金属合金薄膜３上に透
明な窒化アルミニウム（Ａ Ｉ Ｎ）からなる第２の透
明誘電体膜４が例えば２５Ｎｍ＜７：膜厚に形成され、
さらにこの第２の透明誘電体膜４上にタンタル（Ｔａ）
からなる反射膜５が例えｃ、ｌ’５０ｎｍ以上の膜厚に
形成されている。
ル、エキポジ等の透明基板であり、この透明基板１上に
透明な窒化アルミニウム（ＡＩＮ）からなる第１の透明
誘電体膜２が例えば８０Ｎｍの膜厚に形成され、この第
１の透明誘電体膜２上にＧｄＴｂＦｅ合金からなる希土
類遷移金属合金薄膜（記録媒体）３が例えば２０Ｎｍの
膜厚に形成され、この希土類遷移金属合金薄膜３上に透
明な窒化アルミニウム（Ａ Ｉ Ｎ）からなる第２の透
明誘電体膜４が例えば２５Ｎｍ＜７：膜厚に形成され、
さらにこの第２の透明誘電体膜４上にタンタル（Ｔａ）
からなる反射膜５が例えｃ、ｌ’５０ｎｍ以上の膜厚に
形成されている。
このように、反射膜５をタンクルで形成した場合には次
のような利点がある。
のような利点がある。
■ タンタルはＡＮ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属５こ比
べ熱伝導率がかなり低い。このため、記録媒体にレーザ
を照射しても記！７１を行う際に熱の逃げを少なくでき
るので、レーザパワーを低減できるものである。本発明
では、上記した透明誘電体膜２，４の材質として羽化ア
ルミニウムを用いているが、窒化アルミニウムは比較的
熱伝導率が良く、熱が逃げ易いＣで、窒化アルミニウム
を透明誘電体１１Ａ２．４ｙ材質として用いた場合はタ
ンタルによる反射＋１ｇ ｓが特に適している。この効
果を調へろために行った実験においては、第１図に示し
た構造の磁気光学記憶素子において、反射膜５をタンク
ルとした素子とアルミニウムとした素子とを比較した結
果、同一記録レーザパワー下における記録ビットの長さ
において、タンタルを反射膜５とした素子の方が１０％
以上記録感度が良好であることが確認された。
べ熱伝導率がかなり低い。このため、記録媒体にレーザ
を照射しても記！７１を行う際に熱の逃げを少なくでき
るので、レーザパワーを低減できるものである。本発明
では、上記した透明誘電体膜２，４の材質として羽化ア
ルミニウムを用いているが、窒化アルミニウムは比較的
熱伝導率が良く、熱が逃げ易いＣで、窒化アルミニウム
を透明誘電体１１Ａ２．４ｙ材質として用いた場合はタ
ンタルによる反射＋１ｇ ｓが特に適している。この効
果を調へろために行った実験においては、第１図に示し
た構造の磁気光学記憶素子において、反射膜５をタンク
ルとした素子とアルミニウムとした素子とを比較した結
果、同一記録レーザパワー下における記録ビットの長さ
において、タンタルを反射膜５とした素子の方が１０％
以上記録感度が良好であることが確認された。
■ タンタルは、周知の如く非常に高融点な材料であり
、ＡＩ！等に比べると熱的に安定である。
、ＡＩ！等に比べると熱的に安定である。
従って、磁気光学記憶素子の反射膜５としてクンタルを
用いることは長期信頼性の点からも非常に有利である。
用いることは長期信頼性の点からも非常に有利である。
なお、上記実施例においては、記録媒体としてＧ ｄ
Ｔ ｂ Ｆ ｅ合金薄膜を用いているが、他の希土類遷
移金属合金薄膜（例えばＧｄＴｂＦｅＣｏ。
Ｔ ｂ Ｆ ｅ合金薄膜を用いているが、他の希土類遷
移金属合金薄膜（例えばＧｄＴｂＦｅＣｏ。
ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ等）であっても良く、マた、透
明誘電体膜２，４についても、窒化アルミニウムの他に
例えばＳ ｉＮ、ＺｎＮ、Ｓ ｉｏ、Ｓ ｉｏ２等の透
明誘電体膜であっても良い。また、反射膜５を０１Ｎえ
た多層１漠構造の記録層を有する（Ｈ気光学記憶素子で
あれば、上記実施例の構造に限ることなく適用可能であ
る。また、上記実施例で示した各層の膜厚はこれに限定
さ、へるものではない。
明誘電体膜２，４についても、窒化アルミニウムの他に
例えばＳ ｉＮ、ＺｎＮ、Ｓ ｉｏ、Ｓ ｉｏ２等の透
明誘電体膜であっても良い。また、反射膜５を０１Ｎえ
た多層１漠構造の記録層を有する（Ｈ気光学記憶素子で
あれば、上記実施例の構造に限ることなく適用可能であ
る。また、上記実施例で示した各層の膜厚はこれに限定
さ、へるものではない。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明−こよれば、情報の記録再
生特性および長期信頼性を向上した磁気光学記１ａ素子
を実現することができる。
生特性および長期信頼性を向上した磁気光学記１ａ素子
を実現することができる。
第１図は本発明に係る磁気光学記憶素子の構造の一例を
示す一部縦断面図、第２図は従来の磁気光学記憶素子の
一例を示す一部縦断面図である。 １・・・透明基板 ２・・・第１の透明誘電体膜 ３・・・希土類遷移金属合金薄ｎＳ！ ４・・・第２の透明誘電体膜 ５・・・反射膜＠
７ 図 第２図
示す一部縦断面図、第２図は従来の磁気光学記憶素子の
一例を示す一部縦断面図である。 １・・・透明基板 ２・・・第１の透明誘電体膜 ３・・・希土類遷移金属合金薄ｎＳ！ ４・・・第２の透明誘電体膜 ５・・・反射膜＠
７ 図 第２図
Claims (1)
- １）反射膜を含む多層膜構造の記録層を有する磁気光学
記憶素子において、上記反射膜をタンタルにて形成して
なることを特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29607685A JPS62154249A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 磁気光学記憶素子 |
| US06/945,354 US4786559A (en) | 1985-12-25 | 1986-12-22 | Magnetooptical storage element |
| DE8686310145T DE3684282D1 (de) | 1985-12-25 | 1986-12-24 | Magnetooptisches speicherelement. |
| EP86310145A EP0228909B1 (en) | 1985-12-25 | 1986-12-24 | A magnetooptical storage element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29607685A JPS62154249A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154249A true JPS62154249A (ja) | 1987-07-09 |
Family
ID=17828802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29607685A Pending JPS62154249A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154249A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60246041A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29607685A patent/JPS62154249A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60246041A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
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