JPH056584A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH056584A JPH056584A JP3158399A JP15839991A JPH056584A JP H056584 A JPH056584 A JP H056584A JP 3158399 A JP3158399 A JP 3158399A JP 15839991 A JP15839991 A JP 15839991A JP H056584 A JPH056584 A JP H056584A
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- Japan
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- dielectric layer
- film
- magneto
- layer
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 透明基板２１上に第１誘電体層２２／（Ｃｏ
／Ｐｔ）多層膜２３／第２誘電体層２４／反射膜２５が
この順に積層されている。上記の（Ｃｏ／Ｐｔ）多層膜
２３は、Ｃｏ層とＰｔ層とが交互に繰り返し積層されて
いる。この（Ｃｏ／Ｐｔ）多層膜２３を挟む第１誘電体
層２２および第２誘電体層２４のうち、少なくともＣｏ
／Ｐｔ多層膜２３が積層される方の誘電体層（すなわ
ち、上記の場合、第１誘電体層２２）が、窒化チタンま
たは窒化バナジウムから成っていることを特徴としてい
る。 【効果】 光磁気記録媒体の室温付近における保磁力が
著しく増大する結果、安定な記録ビットが形成され、光
磁気記録媒体の信頼性が向上する。
／Ｐｔ）多層膜２３／第２誘電体層２４／反射膜２５が
この順に積層されている。上記の（Ｃｏ／Ｐｔ）多層膜
２３は、Ｃｏ層とＰｔ層とが交互に繰り返し積層されて
いる。この（Ｃｏ／Ｐｔ）多層膜２３を挟む第１誘電体
層２２および第２誘電体層２４のうち、少なくともＣｏ
／Ｐｔ多層膜２３が積層される方の誘電体層（すなわ
ち、上記の場合、第１誘電体層２２）が、窒化チタンま
たは窒化バナジウムから成っていることを特徴としてい
る。 【効果】 光磁気記録媒体の室温付近における保磁力が
著しく増大する結果、安定な記録ビットが形成され、光
磁気記録媒体の信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光のような光ビ
ームと磁気ヘッド等が発生する磁界とを用いて情報が記
録され、偏光ビームを用いてその情報が読み出される光
磁気記録媒体に関するものである。
ームと磁気ヘッド等が発生する磁界とを用いて情報が記
録され、偏光ビームを用いてその情報が読み出される光
磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気記録媒体は、図１０に示す
ように、基板１上に誘電体膜２／記録膜３／誘電体膜４
／反射膜５がこの順に積層された４層構造を有してい
る。記録膜３には、例えばＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦ
ｅ、ＴｂＦｅＣｏのような希土類−遷移金属（ＲＥ−Ｔ
Ｍ）アモルファス合金が用いられている。ＲＥ−ＴＭア
モルファス合金は非常に酸化しやすいため、誘電体膜２
・４は、ＲＥ−ＴＭアモルファス合金を用いた記録膜３
を保護する役割も担っている。誘電体膜２・４には、例
えばＡｌＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、またはＳｉＯ2 等のアモ
ルファス薄膜が用いられている。
ように、基板１上に誘電体膜２／記録膜３／誘電体膜４
／反射膜５がこの順に積層された４層構造を有してい
る。記録膜３には、例えばＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦ
ｅ、ＴｂＦｅＣｏのような希土類−遷移金属（ＲＥ−Ｔ
Ｍ）アモルファス合金が用いられている。ＲＥ−ＴＭア
モルファス合金は非常に酸化しやすいため、誘電体膜２
・４は、ＲＥ−ＴＭアモルファス合金を用いた記録膜３
を保護する役割も担っている。誘電体膜２・４には、例
えばＡｌＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、またはＳｉＯ2 等のアモ
ルファス薄膜が用いられている。
【０００３】これに対し、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に繰
り返し積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜は、特開平２−２６３
３４４号公報に開示されているように、化学的に安定で
あって高耐酸化性を備え、さらに、短波長（４００ｎｍ
付近）の光に対して、ＲＥ−ＴＭアモルファス合金膜よ
りもカー回転角が大きいという特徴を有している。光磁
気記録において、使用されるレーザ光の波長を短くする
ことは、記録密度の向上に貢献する。レーザ光の短波長
化に対応するためには、短波長で大きなカー回転角を有
する記録膜が必要となる。それゆえ、上記の特徴を持つ
Ｃｏ／Ｐｔ多層膜は、高密度の光磁気記録を可能とする
記録膜として有望である。
り返し積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜は、特開平２−２６３
３４４号公報に開示されているように、化学的に安定で
あって高耐酸化性を備え、さらに、短波長（４００ｎｍ
付近）の光に対して、ＲＥ−ＴＭアモルファス合金膜よ
りもカー回転角が大きいという特徴を有している。光磁
気記録において、使用されるレーザ光の波長を短くする
ことは、記録密度の向上に貢献する。レーザ光の短波長
化に対応するためには、短波長で大きなカー回転角を有
する記録膜が必要となる。それゆえ、上記の特徴を持つ
Ｃｏ／Ｐｔ多層膜は、高密度の光磁気記録を可能とする
記録膜として有望である。
【０００４】ところで、ＲＥ−ＴＭアモルファス合金は
フェリ磁性体であるため、希土類金属の磁化と遷移金属
の磁化とが互いに等しくなるような組成、すなわち補償
組成になると、その保磁力（Ｈｃ）の値が１０ｋＯｅを
超える程に非常に大きくなる。したがって、室温付近で
補償組成となるＲＥ−ＴＭアモルファス合金を記録膜３
として用いれば、Ｈｃの値を充分に大きくでき、安定し
た記録ビットを形成することができる。
フェリ磁性体であるため、希土類金属の磁化と遷移金属
の磁化とが互いに等しくなるような組成、すなわち補償
組成になると、その保磁力（Ｈｃ）の値が１０ｋＯｅを
超える程に非常に大きくなる。したがって、室温付近で
補償組成となるＲＥ−ＴＭアモルファス合金を記録膜３
として用いれば、Ｈｃの値を充分に大きくでき、安定し
た記録ビットを形成することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、Ｃｏ／Ｐｔ
多層膜は強磁性体であるため、上記のような補償組成が
存在せず、室温におけるＨｃの値は高々数百Ｏｅ程度に
なっている。このため、安定な記録ビットを形成するに
は、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を記録膜として用いた光磁気記録
媒体の保磁力を向上させねばならないという問題点を有
している。
多層膜は強磁性体であるため、上記のような補償組成が
存在せず、室温におけるＨｃの値は高々数百Ｏｅ程度に
なっている。このため、安定な記録ビットを形成するに
は、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を記録膜として用いた光磁気記録
媒体の保磁力を向上させねばならないという問題点を有
している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る光
磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、Ｃｏ層
とＰｔ層とを交互に繰り返し積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜
を記録層として用い、上記記録層を第１誘電体層と第２
誘電体層とで挟んだ構造を有する光磁気記録媒体におい
て、上記第１誘電体層および第２誘電体層のうち、少な
くともＣｏ／Ｐｔ多層膜が積層される方の誘電体層が、
窒化チタンから成っていることを特徴としている。
磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、Ｃｏ層
とＰｔ層とを交互に繰り返し積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜
を記録層として用い、上記記録層を第１誘電体層と第２
誘電体層とで挟んだ構造を有する光磁気記録媒体におい
て、上記第１誘電体層および第２誘電体層のうち、少な
くともＣｏ／Ｐｔ多層膜が積層される方の誘電体層が、
窒化チタンから成っていることを特徴としている。
【０００７】請求項２の発明に係る光磁気記録媒体は、
上記の課題を解決するために、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互
に繰り返し積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜を記録層として用
い、上記記録層を第１誘電体層と第２誘電体層とで挟ん
だ構造を有する光磁気記録媒体において、上記第１誘電
体層および第２誘電体層のうち、少なくともＣｏ／Ｐｔ
多層膜が積層される方の誘電体層が、窒化バナジウムか
ら成っていることを特徴としている。
上記の課題を解決するために、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互
に繰り返し積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜を記録層として用
い、上記記録層を第１誘電体層と第２誘電体層とで挟ん
だ構造を有する光磁気記録媒体において、上記第１誘電
体層および第２誘電体層のうち、少なくともＣｏ／Ｐｔ
多層膜が積層される方の誘電体層が、窒化バナジウムか
ら成っていることを特徴としている。
【０００８】
【作用】請求項１の構成によれば、記録膜としてのＣｏ
／Ｐｔ多層膜を挟む第１誘電体層および第２誘電体層の
うち、少なくともＣｏ／Ｐｔ多層膜が積層される方の誘
電体層が、窒化チタンから成っている。すなわち、第１
誘電体層／（Ｃｏ／Ｐｔ）多層膜／第２誘電体層がこの
順に成膜されていくとすれば、第１誘電体層がＣｏ／Ｐ
ｔ多層膜が積層される方の誘電体層に相当する。したが
って、少なくとも第１誘電体層を窒化チタンによって成
膜することにより、光磁気記録媒体の室温付近における
保磁力が従来より著しく向上する。この結果、安定な記
録ビットが形成され、光磁気記録媒体の信頼性が向上す
る。なお、上記した保磁力の増大には、窒化チタンが多
結晶の誘電体膜として成膜され、その多結晶性がＣｏ／
Ｐｔ多層膜の成膜に反映されることが関与していると考
えられる。
／Ｐｔ多層膜を挟む第１誘電体層および第２誘電体層の
うち、少なくともＣｏ／Ｐｔ多層膜が積層される方の誘
電体層が、窒化チタンから成っている。すなわち、第１
誘電体層／（Ｃｏ／Ｐｔ）多層膜／第２誘電体層がこの
順に成膜されていくとすれば、第１誘電体層がＣｏ／Ｐ
ｔ多層膜が積層される方の誘電体層に相当する。したが
って、少なくとも第１誘電体層を窒化チタンによって成
膜することにより、光磁気記録媒体の室温付近における
保磁力が従来より著しく向上する。この結果、安定な記
録ビットが形成され、光磁気記録媒体の信頼性が向上す
る。なお、上記した保磁力の増大には、窒化チタンが多
結晶の誘電体膜として成膜され、その多結晶性がＣｏ／
Ｐｔ多層膜の成膜に反映されることが関与していると考
えられる。
【０００９】また、請求項２の構成によっても、請求項
１の構成による作用と同様の作用によって、光磁気記録
媒体の信頼性が向上する。
１の構成による作用と同様の作用によって、光磁気記録
媒体の信頼性が向上する。
【００１０】なお、Ｃｏ層とＰｔ層とは、窒化チタンま
たは窒化バナジウムから成る誘電体層上に、どちらから
先に積層されても同様の効果が得られる。
たは窒化バナジウムから成る誘電体層上に、どちらから
先に積層されても同様の効果が得られる。
【００１１】
【実施例】本発明に係る光磁気記録媒体は、図１に示す
ように、ガラスまたはポリカーボネート等の透光性樹脂
から成る基板２１上に、誘電体膜２２／記録膜２３／誘
電体膜２４／反射膜２５がこの順に成膜された４層構造
を有している。記録膜２３は、後述するように、Ｃｏ／
Ｐｔ多層膜から成っている。この場合、第１誘電体膜と
しての誘電体膜２２および第２誘電体膜としての誘電体
膜２４のうち、少なくともＣｏ／Ｐｔ多層膜が積層され
る誘電体膜２２が、窒化チタン、あるいは窒化バナジウ
ムから成っている。他方の誘電体膜２４は、少なくとも
透光性の金属窒化物から成膜される。また、誘電体膜２
４は記録膜２３の保護層としての機能も担っている。
ように、ガラスまたはポリカーボネート等の透光性樹脂
から成る基板２１上に、誘電体膜２２／記録膜２３／誘
電体膜２４／反射膜２５がこの順に成膜された４層構造
を有している。記録膜２３は、後述するように、Ｃｏ／
Ｐｔ多層膜から成っている。この場合、第１誘電体膜と
しての誘電体膜２２および第２誘電体膜としての誘電体
膜２４のうち、少なくともＣｏ／Ｐｔ多層膜が積層され
る誘電体膜２２が、窒化チタン、あるいは窒化バナジウ
ムから成っている。他方の誘電体膜２４は、少なくとも
透光性の金属窒化物から成膜される。また、誘電体膜２
４は記録膜２３の保護層としての機能も担っている。
【００１２】なお、上記のように反射膜２５が成膜され
た光磁気記録媒体の場合、記録／再生のための光は、基
板２１側から照射される。しかしながら、反射膜２５を
設けない光磁気記録媒体の場合には、記録／再生のため
の光は、誘電体膜２４側から照射されることになる。
た光磁気記録媒体の場合、記録／再生のための光は、基
板２１側から照射される。しかしながら、反射膜２５を
設けない光磁気記録媒体の場合には、記録／再生のため
の光は、誘電体膜２４側から照射されることになる。
【００１３】本発明に係る光磁気記録媒体におけるＣｏ
／Ｐｔ多層膜の保磁力が従来より向上していることを顕
著に示すために、２種類の比較実験を実施した。比較例
１には、ガラス基板上に直接Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を形成し
た場合が示されており、比較例２には、ガラス基板上に
ＡｌＮ膜を形成し、その上にＣｏ／Ｐｔ多層膜を形成し
た場合が示されている。
／Ｐｔ多層膜の保磁力が従来より向上していることを顕
著に示すために、２種類の比較実験を実施した。比較例
１には、ガラス基板上に直接Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を形成し
た場合が示されており、比較例２には、ガラス基板上に
ＡｌＮ膜を形成し、その上にＣｏ／Ｐｔ多層膜を形成し
た場合が示されている。
【００１４】〈比較例１〉図６に示すように、ガラス基
板６に対し、スパッタリング法を用いて、厚さが１５Å
のＰｔ層７ａと厚さが4.５ÅのＣｏ層７ｂとを５層ずつ
交互に積層し、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を作製した。このＣｏ
／Ｐｔ多層膜において、カーヒステリシスループをガラ
ス基板６と反対側から（図６中に矢印１１にて示す）測
定した結果を図７に示す。保磁力Ｈｃは、およそ２５０
Ｏｅであった。なお、測定に用いられたレーザ光の波長
は約４５０ｎｍであって、以下の全ての測定に対して共
通である。
板６に対し、スパッタリング法を用いて、厚さが１５Å
のＰｔ層７ａと厚さが4.５ÅのＣｏ層７ｂとを５層ずつ
交互に積層し、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を作製した。このＣｏ
／Ｐｔ多層膜において、カーヒステリシスループをガラ
ス基板６と反対側から（図６中に矢印１１にて示す）測
定した結果を図７に示す。保磁力Ｈｃは、およそ２５０
Ｏｅであった。なお、測定に用いられたレーザ光の波長
は約４５０ｎｍであって、以下の全ての測定に対して共
通である。
【００１５】〈比較例２〉図８に示すように、ガラス基
板６に対し、厚さが５００ÅのＡｌＮ膜８をスパッタリ
ング法にて形成し、その上に上記比較例１と同様の膜厚
および層数のＰｔ層７ａとＣｏ層７ｂとから成るＣｏ／
Ｐｔ多層膜を積層した。このＣｏ／Ｐｔ多層膜のカーヒ
ステリシスループをガラス基板６と反対側から（図８中
に矢印１２にて示す）測定した結果を図９に示す。この
場合、保磁力Ｈｃは、およそ４００Ｏｅであり、ガラス
基板６上に直接Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を形成した上記比較例
１に比べて大きくなっている。
板６に対し、厚さが５００ÅのＡｌＮ膜８をスパッタリ
ング法にて形成し、その上に上記比較例１と同様の膜厚
および層数のＰｔ層７ａとＣｏ層７ｂとから成るＣｏ／
Ｐｔ多層膜を積層した。このＣｏ／Ｐｔ多層膜のカーヒ
ステリシスループをガラス基板６と反対側から（図８中
に矢印１２にて示す）測定した結果を図９に示す。この
場合、保磁力Ｈｃは、およそ４００Ｏｅであり、ガラス
基板６上に直接Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を形成した上記比較例
１に比べて大きくなっている。
【００１６】カー回転角θk もまた比較例１より増大し
ているが、これは、ＡｌＮ膜８における光の多重干渉に
起因したエンハンス効果が生じているためである。
ているが、これは、ＡｌＮ膜８における光の多重干渉に
起因したエンハンス効果が生じているためである。
【００１７】〈実施例１〉図２に示すように、ガラス基
板６上に、厚さが５００ÅのＴｉＮ膜９をスパッタリン
グ法にて形成し、その上に上記比較例１と同様の膜厚お
よび層数のＰｔ層７ａとＣｏ層７ｂとから成るＣｏ／Ｐ
ｔ多層膜を積層した。
板６上に、厚さが５００ÅのＴｉＮ膜９をスパッタリン
グ法にて形成し、その上に上記比較例１と同様の膜厚お
よび層数のＰｔ層７ａとＣｏ層７ｂとから成るＣｏ／Ｐ
ｔ多層膜を積層した。
【００１８】本実施例のＣｏ／Ｐｔ多層膜のカーヒステ
リシスループをガラス基板６と反対側から（図２中に矢
印１３にて示す）測定した結果を図３に示す。保磁力Ｈ
ｃは、およそ１２００Ｏｅであり、上記比較例１および
比較例２における保磁力Ｈｃに比べて著しく増大してい
ることがわかる。
リシスループをガラス基板６と反対側から（図２中に矢
印１３にて示す）測定した結果を図３に示す。保磁力Ｈ
ｃは、およそ１２００Ｏｅであり、上記比較例１および
比較例２における保磁力Ｈｃに比べて著しく増大してい
ることがわかる。
【００１９】〈実施例２〉図４に示すように、ガラス基
板６上に、厚さが５００ÅのＶＮ膜１０をスパッタリン
グ法にて形成し、その上に上記比較例１と同様の膜厚お
よび層数のＰｔ層７ａとＣｏ層７ｂとから成るＣｏ／Ｐ
ｔ多層膜を積層した。
板６上に、厚さが５００ÅのＶＮ膜１０をスパッタリン
グ法にて形成し、その上に上記比較例１と同様の膜厚お
よび層数のＰｔ層７ａとＣｏ層７ｂとから成るＣｏ／Ｐ
ｔ多層膜を積層した。
【００２０】本実施例のＣｏ／Ｐｔ多層膜のカーヒステ
リシスループをガラス基板６と反対側から（図４中に矢
印１４にて示す）測定した結果を図５に示す。保磁力Ｈ
ｃは、およそ１３００Ｏｅであり、実施例１と同様に、
上記比較例１および比較例２における保磁力Ｈｃに比べ
て著しく増大していることがわかる。
リシスループをガラス基板６と反対側から（図４中に矢
印１４にて示す）測定した結果を図５に示す。保磁力Ｈ
ｃは、およそ１３００Ｏｅであり、実施例１と同様に、
上記比較例１および比較例２における保磁力Ｈｃに比べ
て著しく増大していることがわかる。
【００２１】実施例１および実施例２に示したように、
本発明に係る光磁気記録媒体の保磁力Ｈｃが著しく増大
したのは、比較例２におけるＡｌＮ膜８が非晶質膜であ
るのに対して、ＴｉＮ膜９およびＶＮ膜１０が多結晶膜
であることが関与していると考えられる。すなわち、Ｃ
ｏ／Ｐｔ多層膜の成膜に、ＴｉＮ膜９またはＶＮ膜１０
の結晶性が反映されるのである。
本発明に係る光磁気記録媒体の保磁力Ｈｃが著しく増大
したのは、比較例２におけるＡｌＮ膜８が非晶質膜であ
るのに対して、ＴｉＮ膜９およびＶＮ膜１０が多結晶膜
であることが関与していると考えられる。すなわち、Ｃ
ｏ／Ｐｔ多層膜の成膜に、ＴｉＮ膜９またはＶＮ膜１０
の結晶性が反映されるのである。
【００２２】なお、実施例では、ＴｉＮ膜９またはＶＮ
膜１０の上にＰｔ層７ａを形成し、以降、Ｃｏ層７ｂ／
Ｐｔ層７ａ…の順で交互に積層したが、これとは逆に、
ＴｉＮ膜９またはＶＮ膜１０の上にＣｏ層７ｂを形成
し、以降、Ｐｔ層７ａ／Ｃｏ層７ｂ…の順で交互に積層
してもよい。
膜１０の上にＰｔ層７ａを形成し、以降、Ｃｏ層７ｂ／
Ｐｔ層７ａ…の順で交互に積層したが、これとは逆に、
ＴｉＮ膜９またはＶＮ膜１０の上にＣｏ層７ｂを形成
し、以降、Ｐｔ層７ａ／Ｃｏ層７ｂ…の順で交互に積層
してもよい。
【００２３】
【発明の効果】請求項１の発明に係る光磁気記録媒体
は、以上のように、記録層としてのＣｏ／Ｐｔ多層膜を
挟む第１誘電体層および第２誘電体層のうち、少なくと
もＣｏ／Ｐｔ多層膜が積層される方の誘電体層が窒化チ
タンから成っている構成である。
は、以上のように、記録層としてのＣｏ／Ｐｔ多層膜を
挟む第１誘電体層および第２誘電体層のうち、少なくと
もＣｏ／Ｐｔ多層膜が積層される方の誘電体層が窒化チ
タンから成っている構成である。
【００２４】それゆえ、光磁気記録媒体の室温付近にお
ける保磁力が従来より著しく増大するため、安定な記録
ビットが形成され、光磁気記録媒体の信頼性が向上する
という効果を奏する。
ける保磁力が従来より著しく増大するため、安定な記録
ビットが形成され、光磁気記録媒体の信頼性が向上する
という効果を奏する。
【００２５】請求項２の発明に係る光磁気記録媒体は、
以上のように、記録層としてのＣｏ／Ｐｔ多層膜を挟む
第１誘電体層および第２誘電体層のうち、少なくともＣ
ｏ／Ｐｔ多層膜が積層される方の誘電体層が窒化バナジ
ウムから成っている構成である。
以上のように、記録層としてのＣｏ／Ｐｔ多層膜を挟む
第１誘電体層および第２誘電体層のうち、少なくともＣ
ｏ／Ｐｔ多層膜が積層される方の誘電体層が窒化バナジ
ウムから成っている構成である。
【００２６】それゆえ、請求項１の発明と同様に、光磁
気記録媒体の信頼性が向上するという効果を奏する。
気記録媒体の信頼性が向上するという効果を奏する。
【図１】本発明に係る光磁気記録媒体を示す縦断面図で
ある。
ある。
【図２】窒化チタンから成る第１誘電体層上にＣｏ／Ｐ
ｔ多層膜を積層した光磁気記録媒体を示す縦断面図であ
る。
ｔ多層膜を積層した光磁気記録媒体を示す縦断面図であ
る。
【図３】図２に図示した光磁気記録媒体のカーヒステリ
シス特性を示すグラフである。
シス特性を示すグラフである。
【図４】窒化バナジウムから成る第１誘電体層上にＣｏ
／Ｐｔ多層膜を積層した光磁気記録媒体を示す縦断面図
である。
／Ｐｔ多層膜を積層した光磁気記録媒体を示す縦断面図
である。
【図５】図４に図示した光磁気記録媒体のカーヒステリ
シス特性を示すグラフである。
シス特性を示すグラフである。
【図６】ガラス基板上に直接Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を積層し
た比較例としての光磁気記録媒体を示す縦断面図であ
る。
た比較例としての光磁気記録媒体を示す縦断面図であ
る。
【図７】図６に図示した光磁気記録媒体のカーヒステリ
シス特性を示すグラフである。
シス特性を示すグラフである。
【図８】窒化アルミニウムから成る第１誘電体層上にＣ
ｏ／Ｐｔ多層膜を積層した比較例としての光磁気記録媒
体を示す縦断面図である。
ｏ／Ｐｔ多層膜を積層した比較例としての光磁気記録媒
体を示す縦断面図である。
【図９】図８に図示した光磁気記録媒体のカーヒステリ
シス特性を示すグラフである。
シス特性を示すグラフである。
【図１０】従来の光磁気記録媒体を示す縦断面図であ
る。
る。
７ａ Ｐｔ層
７ｂ Ｃｏ層
９ ＴｉＮ層（第１誘電体層）
１０ ＶＮ層（第１誘電体層）
２２ 誘電体膜（第１誘電体層）
２３ 記録膜（記録層）
２４ 誘電体膜（第２誘電体層）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 太田 賢司
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ
ヤープ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に繰り返し積層し
たＣｏ／Ｐｔ多層膜を記録層として用い、上記記録層を
第１誘電体層と第２誘電体層とで挟んだ構造を有する光
磁気記録媒体において、上記第１誘電体層および第２誘
電体層のうち、少なくともＣｏ／Ｐｔ多層膜が積層され
る方の誘電体層が、窒化チタンから成っていることを特
徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に繰り返し積層し
たＣｏ／Ｐｔ多層膜を記録層として用い、上記記録層を
第１誘電体層と第２誘電体層とで挟んだ構造を有する光
磁気記録媒体において、上記第１誘電体層および第２誘
電体層のうち、少なくともＣｏ／Ｐｔ多層膜が積層され
る方の誘電体層が、窒化バナジウムから成っていること
を特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3158399A JPH056584A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3158399A JPH056584A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056584A true JPH056584A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15670897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3158399A Pending JPH056584A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH056584A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875169A (en) * | 1997-06-12 | 1999-02-23 | Eastman Kodak Company | Magneto-optic data storage device having multiple data storage levels |
| US6490231B1 (en) | 1997-12-25 | 2002-12-03 | Seiko Instruments Inc. | Intermittent feeding mechanism |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3158399A patent/JPH056584A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875169A (en) * | 1997-06-12 | 1999-02-23 | Eastman Kodak Company | Magneto-optic data storage device having multiple data storage levels |
| US6490231B1 (en) | 1997-12-25 | 2002-12-03 | Seiko Instruments Inc. | Intermittent feeding mechanism |
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