JP3095827B2 - 光磁気メモリ素子 - Google Patents
光磁気メモリ素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光等の光を利用
して情報の記録、消去、および再生が行われる光磁気メ
モリ素子に関するものである。
して情報の記録、消去、および再生が行われる光磁気メ
モリ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスク等の光磁気メモリ素子
は、通常、基板上に第１の誘電体層、記録層、第２の誘
電体層、反射層、およびオーバコート層が順次積層され
た構造を有している。すなわち、記録層を第１の誘電体
層と第２の誘電体層とで挟むことにより、記録層の酸化
防止と、多重反射によるカー回転角（θK ）の増大とを
図っている。
は、通常、基板上に第１の誘電体層、記録層、第２の誘
電体層、反射層、およびオーバコート層が順次積層され
た構造を有している。すなわち、記録層を第１の誘電体
層と第２の誘電体層とで挟むことにより、記録層の酸化
防止と、多重反射によるカー回転角（θK ）の増大とを
図っている。
【０００３】従来の記録層には、例えばＤｙＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏのような希土類−遷移金属
アモルファス合金が用いられているが、近年、短波長領
域でθK が大きく、しかも耐酸化性に優れていることか
ら、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に積層したＣｏ／Ｐｔ多層
膜が記録層として注目されている。
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏのような希土類−遷移金属
アモルファス合金が用いられているが、近年、短波長領
域でθK が大きく、しかも耐酸化性に優れていることか
ら、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に積層したＣｏ／Ｐｔ多層
膜が記録層として注目されている。
【０００４】ところで、希土類−遷移金属アモルファス
合金はフェリ磁性なので、希土類金属の磁化と遷移金属
の磁化とが互いに等しくなるような組成、すなわち補償
組成になると、その保磁力（Ｈｃ）の値が１０ｋＯｅを
超える程に非常に大きくなる。したがって、室温付近で
補償組成となる希土類−遷移金属アモルファス合金を記
録層として用いれば、Ｈｃの値を充分に大きくでき、安
定した記録ビットを形成することができる。
合金はフェリ磁性なので、希土類金属の磁化と遷移金属
の磁化とが互いに等しくなるような組成、すなわち補償
組成になると、その保磁力（Ｈｃ）の値が１０ｋＯｅを
超える程に非常に大きくなる。したがって、室温付近で
補償組成となる希土類−遷移金属アモルファス合金を記
録層として用いれば、Ｈｃの値を充分に大きくでき、安
定した記録ビットを形成することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、Ｃｏ／Ｐｔ
多層膜は強磁性体であるため、上記のような補償組成が
存在せず、室温におけるＨｃの値は高々数百Ｏｅ程度で
あり、１ｋＯｅにも達していない。このため、Ｃｏ／Ｐ
ｔ多層膜を記録層として用いた光磁気記録媒体に安定な
記録ビットを形成するには、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜の保磁力
を向上させねばならないという問題点を有している。
多層膜は強磁性体であるため、上記のような補償組成が
存在せず、室温におけるＨｃの値は高々数百Ｏｅ程度で
あり、１ｋＯｅにも達していない。このため、Ｃｏ／Ｐ
ｔ多層膜を記録層として用いた光磁気記録媒体に安定な
記録ビットを形成するには、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜の保磁力
を向上させねばならないという問題点を有している。
【０００６】この問題点に対して、第１３回日本応用磁
気学会（１９８９）２２ＰＦ−１２において、記録層の
下地層としてＣｏＯ膜を使用することによる保磁力の増
大が報告されている。しかしながら、ＣｏＯ膜は完全な
透明体ではないため、多重反射によるカー効果の増大を
図っても、透明膜に比べて反射率が低下する。その結
果、信号強度が低下するという問題点を有している。
気学会（１９８９）２２ＰＦ−１２において、記録層の
下地層としてＣｏＯ膜を使用することによる保磁力の増
大が報告されている。しかしながら、ＣｏＯ膜は完全な
透明体ではないため、多重反射によるカー効果の増大を
図っても、透明膜に比べて反射率が低下する。その結
果、信号強度が低下するという問題点を有している。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る光
磁気メモリ素子は、上記の課題を解決するために、基板
上に、第１の誘電体膜、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に繰り
返し積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜、第２の誘電体膜、およ
び反射膜を順次形成した光磁気メモリ素子において、上
記第１の誘電体膜が多結晶のＭｇＯから成ることを特徴
としている。
磁気メモリ素子は、上記の課題を解決するために、基板
上に、第１の誘電体膜、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に繰り
返し積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜、第２の誘電体膜、およ
び反射膜を順次形成した光磁気メモリ素子において、上
記第１の誘電体膜が多結晶のＭｇＯから成ることを特徴
としている。
【０００８】請求項２の発明に係る光磁気メモリ素子
は、上記の課題を解決するために、基板上に、反射膜、
第１の誘電体膜、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に繰り返し積
層したＣｏ／Ｐｔ多層膜、第２の誘電体膜を順次形成し
た光磁気メモリ素子において、上記第１の誘電体膜が多
結晶のＭｇＯから成ることを特徴としている。
は、上記の課題を解決するために、基板上に、反射膜、
第１の誘電体膜、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に繰り返し積
層したＣｏ／Ｐｔ多層膜、第２の誘電体膜を順次形成し
た光磁気メモリ素子において、上記第１の誘電体膜が多
結晶のＭｇＯから成ることを特徴としている。
【０００９】請求項３の発明に係る光磁気メモリ素子
は、上記の課題を解決するために、基板上に、反射膜、
第１の誘電体膜、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に繰り返し積
層したＣｏ／Ｐｔ多層膜、第２の誘電体膜を順次形成し
た光磁気メモリ素子において、上記反射膜がＰｔ、Ａ
ｌ、Ａｇ、Ｐｄのうち少なくとも１種の元素を含む多結
晶の合金膜から成り、かつ、上記第１の誘電体膜が多結
晶のＭｇＯから成ることを特徴としている。
は、上記の課題を解決するために、基板上に、反射膜、
第１の誘電体膜、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に繰り返し積
層したＣｏ／Ｐｔ多層膜、第２の誘電体膜を順次形成し
た光磁気メモリ素子において、上記反射膜がＰｔ、Ａ
ｌ、Ａｇ、Ｐｄのうち少なくとも１種の元素を含む多結
晶の合金膜から成り、かつ、上記第１の誘電体膜が多結
晶のＭｇＯから成ることを特徴としている。
【００１０】
【作用】請求項１の構成によれば、記録膜としてのＣｏ
／Ｐｔ多層膜を積層する前に成膜された第１の誘電体膜
が、透光性に優れた多結晶のＭｇＯから成っている。す
なわち、基板上に、第１の誘電体膜／（Ｃｏ／Ｐｔ）多
層膜／第２の誘電体膜がこの順に成膜されていくとすれ
ば、第１の誘電体膜は、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を積層させる
下地層となる。光磁気メモリ素子をこのような構成とす
ることにより、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜の室温付近における保
磁力が著しく向上する。この結果、安定な記録ビットが
形成され、光磁気メモリ素子の信頼性が向上する。ま
た、ＭｇＯ膜は透明体なので、信号強度を低下させるこ
ともない。
／Ｐｔ多層膜を積層する前に成膜された第１の誘電体膜
が、透光性に優れた多結晶のＭｇＯから成っている。す
なわち、基板上に、第１の誘電体膜／（Ｃｏ／Ｐｔ）多
層膜／第２の誘電体膜がこの順に成膜されていくとすれ
ば、第１の誘電体膜は、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を積層させる
下地層となる。光磁気メモリ素子をこのような構成とす
ることにより、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜の室温付近における保
磁力が著しく向上する。この結果、安定な記録ビットが
形成され、光磁気メモリ素子の信頼性が向上する。ま
た、ＭｇＯ膜は透明体なので、信号強度を低下させるこ
ともない。
【００１１】なお、ＭｇＯ膜が多結晶の誘電体膜として
成膜され、その多結晶性がＣｏ／Ｐｔ多層膜の成膜に反
映されることが、上記した保磁力の増大に関与している
と考えられる。
成膜され、その多結晶性がＣｏ／Ｐｔ多層膜の成膜に反
映されることが、上記した保磁力の増大に関与している
と考えられる。
【００１２】また、請求項２の構成によっても、請求項
１の構成による作用と同様の作用によって、Ｃｏ／Ｐｔ
多層膜の保磁力が増大する。また、ＭｇＯ膜は透明体な
ので、反射膜における光の多重反射に起因したエンハン
ス効果を損なうこともない。
１の構成による作用と同様の作用によって、Ｃｏ／Ｐｔ
多層膜の保磁力が増大する。また、ＭｇＯ膜は透明体な
ので、反射膜における光の多重反射に起因したエンハン
ス効果を損なうこともない。
【００１３】したがって、請求項２の構成による光磁気
メモリ素子は、信頼性をさらに向上させることができ
る。
メモリ素子は、信頼性をさらに向上させることができ
る。
【００１４】さらに、請求項３の構成によれば、上記反
射膜をＰｔ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｄのうち少なくとも１種の
元素を含む多結晶の合金膜とすることで、請求項１およ
び２の構成による光磁気メモリ素子以上に、Ｃｏ／Ｐｔ
多層膜の室温付近における保磁力を増大させることがで
きる。したがって、請求項３の構成による光磁気メモリ
素子は、信頼性をより一層向上させることができる。
射膜をＰｔ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｄのうち少なくとも１種の
元素を含む多結晶の合金膜とすることで、請求項１およ
び２の構成による光磁気メモリ素子以上に、Ｃｏ／Ｐｔ
多層膜の室温付近における保磁力を増大させることがで
きる。したがって、請求項３の構成による光磁気メモリ
素子は、信頼性をより一層向上させることができる。
【００１５】なお、上記反射膜に使用する合金膜の多結
晶性およびＭｇＯ膜の多結晶性の双方が、Ｃｏ／Ｐｔ多
層膜の成膜に反映されることが、上記した保磁力の一層
の増大に関与していると考えられる。
晶性およびＭｇＯ膜の多結晶性の双方が、Ｃｏ／Ｐｔ多
層膜の成膜に反映されることが、上記した保磁力の一層
の増大に関与していると考えられる。
【００１６】また、Ｃｏ層とＰｔ層とは、ＭｇＯから成
る誘電体層上に、どちらから先に積層されても同様の効
果が得られる。
る誘電体層上に、どちらから先に積層されても同様の効
果が得られる。
【００１７】
【実施例】本発明に係る光磁気メモリ素子は、図５
（ａ）に示すように、ガラスまたはポリカーボネート等
の透光性樹脂から成る基板１上に、誘電体膜２／記録膜
３／誘電体膜４／反射膜５がこの順に成膜された４層構
造を有している。あるいは、図５（ｂ）に示すように、
ガラスまたはポリカーボネート等の透光性樹脂から成る
基板６上に、反射膜７／誘電体膜８／記録膜９／誘電体
膜１０がこの順に成膜された４層構造であってもよい。
（ａ）に示すように、ガラスまたはポリカーボネート等
の透光性樹脂から成る基板１上に、誘電体膜２／記録膜
３／誘電体膜４／反射膜５がこの順に成膜された４層構
造を有している。あるいは、図５（ｂ）に示すように、
ガラスまたはポリカーボネート等の透光性樹脂から成る
基板６上に、反射膜７／誘電体膜８／記録膜９／誘電体
膜１０がこの順に成膜された４層構造であってもよい。
【００１８】上記記録膜３および９は、Ｃｏ層とＰｔ層
とを交互に繰り返し積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜から成っ
ている。また、第１の誘電体膜としての誘電体膜２およ
び８は、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を形成するための下地層にな
っており、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成ってい
る。さらに、誘電体膜８の下地層となる反射膜７は、Ｐ
ｔ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｄのうち少なくとも１種の元素を含
む合金膜から成っている。第２の誘電体膜としての誘電
体膜４および１０は、透光性の誘電体であればよい。
とを交互に繰り返し積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜から成っ
ている。また、第１の誘電体膜としての誘電体膜２およ
び８は、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を形成するための下地層にな
っており、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成ってい
る。さらに、誘電体膜８の下地層となる反射膜７は、Ｐ
ｔ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｄのうち少なくとも１種の元素を含
む合金膜から成っている。第２の誘電体膜としての誘電
体膜４および１０は、透光性の誘電体であればよい。
【００１９】なお、図５（ａ）の構成を有する光磁気メ
モリ素子の場合、記録／再生のための光は、基板１側か
ら照射される。一方、図５（ｂ）の構成を有する光磁気
メモリ素子の場合には、記録／再生のための光は、誘電
体膜１０側から照射される。
モリ素子の場合、記録／再生のための光は、基板１側か
ら照射される。一方、図５（ｂ）の構成を有する光磁気
メモリ素子の場合には、記録／再生のための光は、誘電
体膜１０側から照射される。
【００２０】本発明に係る光磁気メモリ素子におけるＣ
ｏ／Ｐｔ多層膜の保磁力が従来より向上していることを
顕著に示すために、３種類の比較実験を実施した。比較
例１には、ガラス基板上に直接Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を形成
した場合が示されており、比較例２には、ガラス基板上
にＡｌＮ膜を形成し、その上にＣｏ／Ｐｔ多層膜を形成
した場合が示されている。また、比較例３には、ガラス
基板上にＳｉＮ膜を形成し、その上にＣｏ／Ｐｔ多層膜
を形成した場合が示されている。
ｏ／Ｐｔ多層膜の保磁力が従来より向上していることを
顕著に示すために、３種類の比較実験を実施した。比較
例１には、ガラス基板上に直接Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を形成
した場合が示されており、比較例２には、ガラス基板上
にＡｌＮ膜を形成し、その上にＣｏ／Ｐｔ多層膜を形成
した場合が示されている。また、比較例３には、ガラス
基板上にＳｉＮ膜を形成し、その上にＣｏ／Ｐｔ多層膜
を形成した場合が示されている。
【００２１】〈比較例１〉 図６（ａ）に示すように、ガラス基板１１に対し、スパ
ッタリング法を用いて、厚さが１６ÅのＰｔ層１２ａと
厚さが3.３ÅのＣｏ層１２ｂとを１０層ずつ交互に積層
し、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を作製した。このＣｏ／Ｐｔ多層
膜において、カーヒステリシスループをガラス基板１１
と反対側から（図６（ａ）中に矢印１３にて示す）測定
した結果を図６（ｂ）に示す。保磁力Ｈｃは、およそ２
７０Ｏｅであった。なお、測定に用いられたレーザ光の
波長は４５０ｎｍであって、以下の全ての測定において
共通である。
ッタリング法を用いて、厚さが１６ÅのＰｔ層１２ａと
厚さが3.３ÅのＣｏ層１２ｂとを１０層ずつ交互に積層
し、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を作製した。このＣｏ／Ｐｔ多層
膜において、カーヒステリシスループをガラス基板１１
と反対側から（図６（ａ）中に矢印１３にて示す）測定
した結果を図６（ｂ）に示す。保磁力Ｈｃは、およそ２
７０Ｏｅであった。なお、測定に用いられたレーザ光の
波長は４５０ｎｍであって、以下の全ての測定において
共通である。
【００２２】〈比較例２〉 図７（ａ）に示すように、ガラス基板１１に対し、スパ
ッタリング法を用いて、厚さが５００ÅのＡｌＮ膜１４
を形成し、その上に上記比較例１と同様の膜厚および層
数のＰｔ層１２ａとＣｏ層１２ｂとから成るＣｏ／Ｐｔ
多層膜を積層した。このＣｏ／Ｐｔ多層膜において、カ
ーヒステリシスループをガラス基板１１と反対側から
（図７（ａ）中に矢印１５にて示す）測定した結果を図
７（ｂ）に示す。この場合、保磁力Ｈｃは、およそ４５
０Ｏｅであり、ガラス基板１１上に直接Ｃｏ／Ｐｔ多層
膜を形成した上記比較例１に比べて大きくなっている。
ッタリング法を用いて、厚さが５００ÅのＡｌＮ膜１４
を形成し、その上に上記比較例１と同様の膜厚および層
数のＰｔ層１２ａとＣｏ層１２ｂとから成るＣｏ／Ｐｔ
多層膜を積層した。このＣｏ／Ｐｔ多層膜において、カ
ーヒステリシスループをガラス基板１１と反対側から
（図７（ａ）中に矢印１５にて示す）測定した結果を図
７（ｂ）に示す。この場合、保磁力Ｈｃは、およそ４５
０Ｏｅであり、ガラス基板１１上に直接Ｃｏ／Ｐｔ多層
膜を形成した上記比較例１に比べて大きくなっている。
【００２３】カー回転角θk もまた比較例１より増大し
ているが、これは、ＡｌＮ膜１４における光の多重反射
に起因したエンハンス効果が生じているためである。
ているが、これは、ＡｌＮ膜１４における光の多重反射
に起因したエンハンス効果が生じているためである。
【００２４】〈比較例３〉 図８（ａ）に示すように、ガラス基板１６に対し、スパ
ッタリング法を用いて、厚さが５００ÅのＳｉＮ膜１７
を形成し、その上に上記比較例１と同様の膜厚および層
数のＰｔ層１２ａとＣｏ層１２ｂとから成るＣｏ／Ｐｔ
多層膜を積層した。このＣｏ／Ｐｔ多層膜において、カ
ーヒステリシスループをガラス基板１６と反対側から
（図８（ａ）中に矢印１８にて示す）測定した結果を図
８（ｂ）に示す。この場合、保磁力Ｈｃは、およそ４３
０Ｏｅであり、ガラス基板１１上に直接Ｃｏ／Ｐｔ多層
膜を形成した上記比較例１に比べて大きくなっている。
ッタリング法を用いて、厚さが５００ÅのＳｉＮ膜１７
を形成し、その上に上記比較例１と同様の膜厚および層
数のＰｔ層１２ａとＣｏ層１２ｂとから成るＣｏ／Ｐｔ
多層膜を積層した。このＣｏ／Ｐｔ多層膜において、カ
ーヒステリシスループをガラス基板１６と反対側から
（図８（ａ）中に矢印１８にて示す）測定した結果を図
８（ｂ）に示す。この場合、保磁力Ｈｃは、およそ４３
０Ｏｅであり、ガラス基板１１上に直接Ｃｏ／Ｐｔ多層
膜を形成した上記比較例１に比べて大きくなっている。
【００２５】カー回転角θk もまた比較例１より増大し
ているが、これは、ＳｉＮ膜１７における光の多重反射
に起因したエンハンス効果が生じているためである。
ているが、これは、ＳｉＮ膜１７における光の多重反射
に起因したエンハンス効果が生じているためである。
【００２６】〈実施例１〉 図１（ａ）に示すように、ガラス基板１９上に、厚さが
４００ÅのＭｇＯ層２０をスパッタリング法にて形成
し、その上に上記比較例１と同様の膜厚および層数のＰ
ｔ層１２ａとＣｏ層１２ｂとから成るＣｏ／Ｐｔ多層膜
を積層した。
４００ÅのＭｇＯ層２０をスパッタリング法にて形成
し、その上に上記比較例１と同様の膜厚および層数のＰ
ｔ層１２ａとＣｏ層１２ｂとから成るＣｏ／Ｐｔ多層膜
を積層した。
【００２７】本実施例のＣｏ／Ｐｔ多層膜のカーヒステ
リシスループをガラス基板１９と反対側から（図１
（ａ）中に矢印２１にて示す）測定した結果を図１
（ｂ）に示す。保磁力Ｈｃは、およそ５５０Ｏｅであ
り、上記比較例１〜３における保磁力Ｈｃに比べて増大
していることがわかる。
リシスループをガラス基板１９と反対側から（図１
（ａ）中に矢印２１にて示す）測定した結果を図１
（ｂ）に示す。保磁力Ｈｃは、およそ５５０Ｏｅであ
り、上記比較例１〜３における保磁力Ｈｃに比べて増大
していることがわかる。
【００２８】〈実施例２〉 図２（ａ）に示すように、ガラス基板２２上に、厚さが
３００ÅのＰｔ層２３をスパッタリング法にて形成し、
その上に厚さが４００ÅのＭｇＯ層２４を形成した。さ
らに、その上に、上記比較例１と同様の膜厚および層数
のＰｔ層１２ａとＣｏ層１２ｂとから成るＣｏ／Ｐｔ多
層膜を積層した。
３００ÅのＰｔ層２３をスパッタリング法にて形成し、
その上に厚さが４００ÅのＭｇＯ層２４を形成した。さ
らに、その上に、上記比較例１と同様の膜厚および層数
のＰｔ層１２ａとＣｏ層１２ｂとから成るＣｏ／Ｐｔ多
層膜を積層した。
【００２９】本実施例のＣｏ／Ｐｔ多層膜のカーヒステ
リシスループをガラス基板２２と反対側から（図２
（ａ）中に矢印２５にて示す）測定した結果を図２
（ｂ）に示す。保磁力Ｈｃはおよそ１２００Ｏｅであ
り、上記比較例１〜３における保磁力Ｈｃに比べて著し
く増大していることがわかる。
リシスループをガラス基板２２と反対側から（図２
（ａ）中に矢印２５にて示す）測定した結果を図２
（ｂ）に示す。保磁力Ｈｃはおよそ１２００Ｏｅであ
り、上記比較例１〜３における保磁力Ｈｃに比べて著し
く増大していることがわかる。
【００３０】〈実施例３〉 図３（ａ）に示すように、ガラス基板２６上に、厚さが
３００ÅのＰｄ層２７をスパッタリング法にて形成し、
その上に厚さが４００ÅのＭｇＯ層２８を形成した。さ
らに、その上に、上記比較例１と同様の膜厚および層数
のＰｔ層１２ａとＣｏ層１２ｂとから成るＣｏ／Ｐｔ多
層膜を積層した。
３００ÅのＰｄ層２７をスパッタリング法にて形成し、
その上に厚さが４００ÅのＭｇＯ層２８を形成した。さ
らに、その上に、上記比較例１と同様の膜厚および層数
のＰｔ層１２ａとＣｏ層１２ｂとから成るＣｏ／Ｐｔ多
層膜を積層した。
【００３１】本実施例のＣｏ／Ｐｔ多層膜のカーヒステ
リシスループをガラス基板２６と反対側から（図３
（ａ）中に矢印２９にて示す）測定した結果を図３
（ｂ）に示す。保磁力Ｈｃはおよそ１６００Ｏｅであ
り、上記比較例１〜３における保磁力Ｈｃに比べて著し
く増大していることがわかる。
リシスループをガラス基板２６と反対側から（図３
（ａ）中に矢印２９にて示す）測定した結果を図３
（ｂ）に示す。保磁力Ｈｃはおよそ１６００Ｏｅであ
り、上記比較例１〜３における保磁力Ｈｃに比べて著し
く増大していることがわかる。
【００３２】〈実施例４〉 図４（ａ）に示すように、ガラス基板３０上に、厚さが
３００ÅのＰｔＡｇ合金（Ａｇ２０ａｔｏｍ％）層３１
をスパッタリング法にて形成し、その上に厚さが４００
ÅのＭｇＯ層３２を形成した。さらに、その上に、上記
比較例１と同様の膜厚および層数のＰｔ層１２ａとＣｏ
層１２ｂとから成るＣｏ／Ｐｔ多層膜を積層した。
３００ÅのＰｔＡｇ合金（Ａｇ２０ａｔｏｍ％）層３１
をスパッタリング法にて形成し、その上に厚さが４００
ÅのＭｇＯ層３２を形成した。さらに、その上に、上記
比較例１と同様の膜厚および層数のＰｔ層１２ａとＣｏ
層１２ｂとから成るＣｏ／Ｐｔ多層膜を積層した。
【００３３】本実施例のＣｏ／Ｐｔ多層膜のカーヒステ
リシスループをガラス基板３０と反対側から（図４
（ａ）中に矢印３３にて示す）測定した結果を図４
（ｂ）に示す。保磁力Ｈｃはおよそ１４００Ｏｅであ
り、上記比較例１〜３における保磁力Ｈｃに比べて著し
く増大していることがわかる。
リシスループをガラス基板３０と反対側から（図４
（ａ）中に矢印３３にて示す）測定した結果を図４
（ｂ）に示す。保磁力Ｈｃはおよそ１４００Ｏｅであ
り、上記比較例１〜３における保磁力Ｈｃに比べて著し
く増大していることがわかる。
【００３４】実施例１に示したように、本発明に係る光
磁気メモリ素子の保磁力Ｈｃが著しく増大したのは、比
較例２、３におけるＡｌＮ膜１４やＳｉＮ膜１７が非晶
質膜であるのに対して、ＭｇＯ層２０が多結晶膜である
ことが関与していると考えられる。すなわち、Ｃｏ／Ｐ
ｔ多層膜の成膜に、ＭｇＯ層２０の結晶性が反映される
のである。
磁気メモリ素子の保磁力Ｈｃが著しく増大したのは、比
較例２、３におけるＡｌＮ膜１４やＳｉＮ膜１７が非晶
質膜であるのに対して、ＭｇＯ層２０が多結晶膜である
ことが関与していると考えられる。すなわち、Ｃｏ／Ｐ
ｔ多層膜の成膜に、ＭｇＯ層２０の結晶性が反映される
のである。
【００３５】実施例２、３、４における保磁力Ｈｃの増
大は、ＭｇＯ層２４、２８、３２の各結晶性に、その下
地となっているＰｔ層２３、Ｐｄ層２７、およびＰｔＡ
ｇ合金層３１の結晶性が反映されており、Ｃｏ／Ｐｔ多
層膜の結晶性には、これら２層の結晶性が反映されてい
るからと考えられる。
大は、ＭｇＯ層２４、２８、３２の各結晶性に、その下
地となっているＰｔ層２３、Ｐｄ層２７、およびＰｔＡ
ｇ合金層３１の結晶性が反映されており、Ｃｏ／Ｐｔ多
層膜の結晶性には、これら２層の結晶性が反映されてい
るからと考えられる。
【００３６】なお、ＭｇＯ層２０、２４、２８、または
３２の上に、Ｐｔ層１２ａを形成し、以降、Ｃｏ層１２
ｂ／Ｐｔ層１２ａ…の順で交互に積層してもよいし、こ
れとは逆に、先に、Ｃｏ層１２ｂを形成し、以降、Ｐｔ
層１２ａ／Ｃｏ層１２ｂ…の順で交互に積層してもよ
い。
３２の上に、Ｐｔ層１２ａを形成し、以降、Ｃｏ層１２
ｂ／Ｐｔ層１２ａ…の順で交互に積層してもよいし、こ
れとは逆に、先に、Ｃｏ層１２ｂを形成し、以降、Ｐｔ
層１２ａ／Ｃｏ層１２ｂ…の順で交互に積層してもよ
い。
【００３７】
【発明の効果】請求項１の発明に係る光磁気メモリ素子
は、以上のように、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に繰り返し
積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜を挟む第１の誘電体膜および
第２の誘電体膜のうち、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を積層させる
下地層となる第１の誘電体膜が多結晶のＭｇＯから成っ
ている構成である。
は、以上のように、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に繰り返し
積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜を挟む第１の誘電体膜および
第２の誘電体膜のうち、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を積層させる
下地層となる第１の誘電体膜が多結晶のＭｇＯから成っ
ている構成である。
【００３８】それゆえ、光磁気メモリ素子の室温付近に
おける保磁力が従来より増大するため、安定な記録ビッ
トが形成されると共に、第１の誘電体膜が透明膜となる
ため信号強度も低下することがなくなる。この結果、光
磁気メモリ素子の信頼性が向上するという効果を奏す
る。
おける保磁力が従来より増大するため、安定な記録ビッ
トが形成されると共に、第１の誘電体膜が透明膜となる
ため信号強度も低下することがなくなる。この結果、光
磁気メモリ素子の信頼性が向上するという効果を奏す
る。
【００３９】請求項２の発明に係る光磁気メモリ素子
は、以上のように、請求項１の構成に加えて、基板と第
１の誘電体膜との間に反射膜を備えた構成である。
は、以上のように、請求項１の構成に加えて、基板と第
１の誘電体膜との間に反射膜を備えた構成である。
【００４０】それゆえ、反射膜における光の多重反射に
起因したエンハンス効果によって、光磁気メモリ素子の
室温付近における保磁力が一層増大するため、光磁気メ
モリ素子の信頼性がさらに向上するという効果を奏す
る。
起因したエンハンス効果によって、光磁気メモリ素子の
室温付近における保磁力が一層増大するため、光磁気メ
モリ素子の信頼性がさらに向上するという効果を奏す
る。
【００４１】請求項３の発明に係る光磁気メモリ素子
は、以上のように、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を積層させる下地
層となる上記第１の誘電体膜が多結晶のＭｇＯから成っ
ていると共に、さらに第１の誘電体膜を積層させる下地
層となる反射膜が、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｄのうち少な
くとも１種の元素を含む多結晶の合金膜から成っている
構成である。
は、以上のように、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を積層させる下地
層となる上記第１の誘電体膜が多結晶のＭｇＯから成っ
ていると共に、さらに第１の誘電体膜を積層させる下地
層となる反射膜が、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｄのうち少な
くとも１種の元素を含む多結晶の合金膜から成っている
構成である。
【００４２】それゆえ、光磁気メモリ素子の室温付近に
おける保磁力が従来より著しく増大するため、より安定
な記録ビットが形成されるため、光磁気メモリ素子の信
頼性がより一層向上するという効果を奏する。
おける保磁力が従来より著しく増大するため、より安定
な記録ビットが形成されるため、光磁気メモリ素子の信
頼性がより一層向上するという効果を奏する。
【図１】本発明に係る光磁気メモリ素子における（ａ）
は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒステリシスル
ープを示すグラフである。
は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒステリシスル
ープを示すグラフである。
【図２】本発明に係る他の光磁気メモリ素子における
（ａ）は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒステリ
シスループを示すグラフである。
（ａ）は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒステリ
シスループを示すグラフである。
【図３】本発明に係るさらに他の光磁気メモリ素子にお
ける（ａ）は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒス
テリシスループを示すグラフである。
ける（ａ）は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒス
テリシスループを示すグラフである。
【図４】本発明に係るさらに他の光磁気メモリ素子にお
ける（ａ）は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒス
テリシスループを示すグラフである。
ける（ａ）は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒス
テリシスループを示すグラフである。
【図５】本発明に係る光磁気メモリ素子の膜構成を概略
的に示す縦断面図である。
的に示す縦断面図である。
【図６】比較例としての光磁気メモリ素子における
（ａ）は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒステリ
シスループを示すグラフである。
（ａ）は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒステリ
シスループを示すグラフである。
【図７】他の比較例としての光磁気メモリ素子における
（ａ）は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒステリ
シスループを示すグラフである。
（ａ）は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒステリ
シスループを示すグラフである。
【図８】さらに他の比較例としての光磁気メモリ素子に
おける（ａ）は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒ
ステリシスループを示すグラフである。
おける（ａ）は膜構成を示す縦断面図、（ｂ）はカーヒ
ステリシスループを示すグラフである。
１２ａ Ｐｔ層 １２ｂ Ｃｏ層 １９ 基板 ２０ ＭｇＯ層（第１の誘電体膜） ２２ 基板 ２３ Ｐｔ層（反射膜） ２４ ＭｇＯ層（第１の誘電体膜） ２６ 基板 ２７ Ｐｄ層（反射膜） ２８ ＭｇＯ層（第１の誘電体膜） ３０ 基板 ３１ ＰｔＡｇ合金層（反射膜） ３２ ＭｇＯ層（第１の誘電体膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−251356（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−56752（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−183046（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−351733（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に、第１の誘電体膜、Ｃｏ層とＰｔ
層とを交互に繰り返し積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜、第２
の誘電体膜、および反射膜を順次形成した光磁気メモリ
素子において、 上記第１の誘電体膜が多結晶のＭｇＯから成ることを特
徴とする光磁気メモリ素子。 - 【請求項２】基板上に、反射膜、第１の誘電体膜、Ｃｏ
層とＰｔ層とを交互に繰り返し積層したＣｏ／Ｐｔ多層
膜、第２の誘電体膜を順次形成した光磁気メモリ素子に
おいて、 上記第１の誘電体膜が多結晶のＭｇＯから成ることを特
徴とする光磁気メモリ素子。 - 【請求項３】基板上に、反射膜、第１の誘電体膜、Ｃｏ
層とＰｔ層とを交互に繰り返し積層したＣｏ／Ｐｔ多層
膜、第２の誘電体膜を順次形成した光磁気メモリ素子に
おいて、 上記反射膜が、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｄのうち少なくと
も１種の元素を含む多結晶の合金膜から成り、かつ、上
記第１の誘電体膜が多結晶のＭｇＯから成ることを特徴
とする光磁気メモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03260592A JP3095827B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 光磁気メモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03260592A JP3095827B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 光磁気メモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05101465A JPH05101465A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3095827B2 true JP3095827B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=17350095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03260592A Expired - Lifetime JP3095827B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 光磁気メモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3095827B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0568434U (ja) * | 1992-02-17 | 1993-09-17 | フクビ化学工業株式会社 | 水和反応式加温加熱材 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875169A (en) * | 1997-06-12 | 1999-02-23 | Eastman Kodak Company | Magneto-optic data storage device having multiple data storage levels |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP03260592A patent/JP3095827B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0568434U (ja) * | 1992-02-17 | 1993-09-17 | フクビ化学工業株式会社 | 水和反応式加温加熱材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05101465A (ja) | 1993-04-23 |
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