JPH05325279A - 磁気光学メモリ素子 - Google Patents
磁気光学メモリ素子Info
- Publication number
- JPH05325279A JPH05325279A JP13698692A JP13698692A JPH05325279A JP H05325279 A JPH05325279 A JP H05325279A JP 13698692 A JP13698692 A JP 13698692A JP 13698692 A JP13698692 A JP 13698692A JP H05325279 A JPH05325279 A JP H05325279A
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- Japan
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- magneto
- optical memory
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＰｔとＣｏとを交互に積層したＣｏ／Ｐｔ多
層膜からなる記録層を含む磁気光学メモリ素子。記録層
が、Ｃｏ／Ｐｔ膜内の層の数をＮ、Ｃｏ／Ｐｔ膜の膜厚
をδCo/Pt とした時、１２≦Ｃｏ／Ｐｔ膜内のＣｏ含有
率≦１６（atomic％）、０.1≦Ｎ／δCo/Pt （１／Å）
で表される構成からなる。 【効果】 比較的低いＴｃで大きなθK を有するＣｏ／
Ｐｔ多層膜からなる記録層が得られる。
層膜からなる記録層を含む磁気光学メモリ素子。記録層
が、Ｃｏ／Ｐｔ膜内の層の数をＮ、Ｃｏ／Ｐｔ膜の膜厚
をδCo/Pt とした時、１２≦Ｃｏ／Ｐｔ膜内のＣｏ含有
率≦１６（atomic％）、０.1≦Ｎ／δCo/Pt （１／Å）
で表される構成からなる。 【効果】 比較的低いＴｃで大きなθK を有するＣｏ／
Ｐｔ多層膜からなる記録層が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光等の光により
情報の記録、消去及び再生を行なう磁気光学メモリ素子
に関し、更に詳しくは、記録層にＣｏ及びＰｔを主体と
した多層膜を用いた磁気光学メモリ素子に関するもので
ある。
情報の記録、消去及び再生を行なう磁気光学メモリ素子
に関し、更に詳しくは、記録層にＣｏ及びＰｔを主体と
した多層膜を用いた磁気光学メモリ素子に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に繰り返し積層
したＣｏ／Ｐｔ多層膜は垂直磁気異方性を有しているだ
けでなく、短波長の光に対して希土類遷移金属よりも大
きなカー回転角を有している。このためＣｏ／Ｐｔ多層
膜を用いた磁気光学素子は高密度の光磁気記録を可能と
する光磁気記録媒体として注目されている。
したＣｏ／Ｐｔ多層膜は垂直磁気異方性を有しているだ
けでなく、短波長の光に対して希土類遷移金属よりも大
きなカー回転角を有している。このためＣｏ／Ｐｔ多層
膜を用いた磁気光学素子は高密度の光磁気記録を可能と
する光磁気記録媒体として注目されている。
【０００３】カー回転角を用いて信号を読み出すと信号
強度は、Ｒを反射率、カー回転角をθK としたときＲθ
K 2 に比例する。従って、信号強度を大きくする方法の
１つとしてθK を大きくすることが挙げられる。
強度は、Ｒを反射率、カー回転角をθK としたときＲθ
K 2 に比例する。従って、信号強度を大きくする方法の
１つとしてθK を大きくすることが挙げられる。
【０００４】ところで、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜のθK は、Ｃ
ｏ／Ｐｔ膜におけるＣｏの含有率を多くすることにより
大きくなる。そこで、大きなθK を得るためにはＣｏの
含有率を多くすればよいことになる。
ｏ／Ｐｔ膜におけるＣｏの含有率を多くすることにより
大きくなる。そこで、大きなθK を得るためにはＣｏの
含有率を多くすればよいことになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところがＣｏ／Ｐｔ膜
におけるＣｏの含有率を多くすると、膜の飽和磁化（Ｍ
ｓ）が大きくなりキュリー温度（Ｔｃ）も共に大きくな
る（例えば、S. Hashimoto, H. Matsuda and Y. Ochia
i, S.P.I.E, vol. 1248,36(1990))。
におけるＣｏの含有率を多くすると、膜の飽和磁化（Ｍ
ｓ）が大きくなりキュリー温度（Ｔｃ）も共に大きくな
る（例えば、S. Hashimoto, H. Matsuda and Y. Ochia
i, S.P.I.E, vol. 1248,36(1990))。
【０００６】Ｔｃが高くなると記録を行なう際に大きな
レーザパワーが必要となり、大きなレーザパワーは、消
費電力が増大する上にレーザ寿命が短くなるという問題
点を有している。
レーザパワーが必要となり、大きなレーザパワーは、消
費電力が増大する上にレーザ寿命が短くなるという問題
点を有している。
【０００７】本発明は、より低いＴｃで大きなθK をも
つＣｏ／Ｐｔ多層膜からなる記録層を有する磁気光学メ
モリ素子を提供することを目的としている。
つＣｏ／Ｐｔ多層膜からなる記録層を有する磁気光学メ
モリ素子を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気光学メモリ
素子は上記の課題を解決するために、ＰｔとＣｏとを交
互に積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜からなる記録層を含む磁
気光学メモリ素子において、以下の手段を用いることを
特徴としている。
素子は上記の課題を解決するために、ＰｔとＣｏとを交
互に積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜からなる記録層を含む磁
気光学メモリ素子において、以下の手段を用いることを
特徴としている。
【０００９】即ち、上記記録層が、Ｃｏ／Ｐｔ膜内の層
の数をＮ、Ｃｏ／Ｐｔ膜の膜厚をδCo/Pt とした時、 １２≦Ｃｏ／Ｐｔ膜内のＣｏ含有率≦１６（atomic％） ０.1≦Ｎ／δCo/Pt （１／Å） で表される構成となるように作成されている。
の数をＮ、Ｃｏ／Ｐｔ膜の膜厚をδCo/Pt とした時、 １２≦Ｃｏ／Ｐｔ膜内のＣｏ含有率≦１６（atomic％） ０.1≦Ｎ／δCo/Pt （１／Å） で表される構成となるように作成されている。
【００１０】
【作用】上記構成により、記録膜を構成するＣｏ／Ｐｔ
膜のＴｃはＣｏ含有率で決まる範囲となるが、一方０.1
≦Ｎ／δCo/Pt を満足するように層の数を設定すること
により、θK は大きくなる。すなわち、比較的低いＴｃ
で大きなθK を得ることができる。
膜のＴｃはＣｏ含有率で決まる範囲となるが、一方０.1
≦Ｎ／δCo/Pt を満足するように層の数を設定すること
により、θK は大きくなる。すなわち、比較的低いＴｃ
で大きなθK を得ることができる。
【００１１】
【実施例】図３に示すように、ガラス基板５上に、Ｃｏ
層７…とＰｔ層６…とが交互に積層されてなるＣｏ／Ｐ
ｔ多層膜８及びＡｌＮ層９が形成されたサンプルを用い
て、多層膜中の層の数（Ｎ）やＣｏ含有率を変化させた
ときのＴｃ及びθK の変化を図１及び図２に示す。
層７…とＰｔ層６…とが交互に積層されてなるＣｏ／Ｐ
ｔ多層膜８及びＡｌＮ層９が形成されたサンプルを用い
て、多層膜中の層の数（Ｎ）やＣｏ含有率を変化させた
ときのＴｃ及びθK の変化を図１及び図２に示す。
【００１２】尚、上記ＡｌＮ層９の厚さは３００Å、Ｃ
ｏ／Ｐｔ多層膜８の厚さ（δCo/Pt）は２００Åであ
る。また、θK は４５０ｎｍの波長の光を用いてガラス
基板５側から測定されたものである。
ｏ／Ｐｔ多層膜８の厚さ（δCo/Pt）は２００Åであ
る。また、θK は４５０ｎｍの波長の光を用いてガラス
基板５側から測定されたものである。
【００１３】図１より、ＴｃはＮに関係なくＣｏ含有率
が上昇するに従って高くなる。これは（S. Hashimoto,
H. Matsuda and Y. Ochiai, S.P.I.E, vol. 1248,36(19
90))からも分かることである。一方、図２より、θK は
Ｃｏ含有率が同じである場合、Ｎが大きくなるほど大き
くなることがわかる。従って、層の数Ｎを大きくするこ
とで、Ｔｃを高くすることなしにθK を大きくできるこ
とが分かる。
が上昇するに従って高くなる。これは（S. Hashimoto,
H. Matsuda and Y. Ochiai, S.P.I.E, vol. 1248,36(19
90))からも分かることである。一方、図２より、θK は
Ｃｏ含有率が同じである場合、Ｎが大きくなるほど大き
くなることがわかる。従って、層の数Ｎを大きくするこ
とで、Ｔｃを高くすることなしにθK を大きくできるこ
とが分かる。
【００１４】その理由として、Ｃｏ層とＰｔ層の界面に
は磁気的に分極したＰｔ原子が存在しており、この分極
したＰｔ原子がθK に大きく影響するがＴｃにはそれほ
ど大きく影響しないという作用をもつために、分極した
Ｐｔ原子を多く有する層の数が多い膜の方がそれの少な
い膜よりも大きなθK をもつことになるものと思われ
る。
は磁気的に分極したＰｔ原子が存在しており、この分極
したＰｔ原子がθK に大きく影響するがＴｃにはそれほ
ど大きく影響しないという作用をもつために、分極した
Ｐｔ原子を多く有する層の数が多い膜の方がそれの少な
い膜よりも大きなθK をもつことになるものと思われ
る。
【００１５】上記のＣｏ／Ｐｔ多層膜を記録層として用
いて、数ｍＷのレーザ光で記録を行なうには、Ｔｃは２
００℃〜３００℃の範囲内にあることが必要となる。こ
れより、図１から、 １２≦Ｃｏ／Ｐｔ膜内のＣｏ含有率≦１６（ａｔｏｍｉ
ｃ％） の条件が必要となる。
いて、数ｍＷのレーザ光で記録を行なうには、Ｔｃは２
００℃〜３００℃の範囲内にあることが必要となる。こ
れより、図１から、 １２≦Ｃｏ／Ｐｔ膜内のＣｏ含有率≦１６（ａｔｏｍｉ
ｃ％） の条件が必要となる。
【００１６】次に、上記のＣｏ／Ｐｔ多層膜を記録層と
して用いて作成された磁気光学メモリ素子の実施例につ
いて、図４および図５に基づいて説明する。
して用いて作成された磁気光学メモリ素子の実施例につ
いて、図４および図５に基づいて説明する。
【００１７】〔実施例１〕図４に示すように、グルーブ
が形成されたガラス基板１上に、順にＡｌＮ膜２ａ（８
００Å）、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜３、ＡｌＮ膜２ｂ（１２０
０Å）、Ａｌ膜４（３００Å）が形成された４層構造を
有する磁気光学メモリ素子である光磁気ディスクを作製
した。
が形成されたガラス基板１上に、順にＡｌＮ膜２ａ（８
００Å）、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜３、ＡｌＮ膜２ｂ（１２０
０Å）、Ａｌ膜４（３００Å）が形成された４層構造を
有する磁気光学メモリ素子である光磁気ディスクを作製
した。
【００１８】この光磁気ディスクのＣｏ含有率、単位厚
さ当りの層数（Ｎ／δＣｏ／Ｐｔ ）、Ｃｏ／Ｐｔ膜３
の厚さ（δCo/Pt ）、Ｔｃ、θK 、Ｒをそれぞれ表１に
示す。尚、θK 及びＲは８３０ｎｍの波長の光を用いた
測定値である。
さ当りの層数（Ｎ／δＣｏ／Ｐｔ ）、Ｃｏ／Ｐｔ膜３
の厚さ（δCo/Pt ）、Ｔｃ、θK 、Ｒをそれぞれ表１に
示す。尚、θK 及びＲは８３０ｎｍの波長の光を用いた
測定値である。
【００１９】また、図５に８３０ｎｍの波長のレーザ光
を用いて、記録条件（レーザ波長：８３０nm、線速度：
５.6 m/s、記録周波数：３.7 MHz、外部磁場：２００ O
e ）において、光磁気ディスクに対して記録再生を行な
ったときのＣ／Ｎ比のレーザ光強度依存性を示す。
を用いて、記録条件（レーザ波長：８３０nm、線速度：
５.6 m/s、記録周波数：３.7 MHz、外部磁場：２００ O
e ）において、光磁気ディスクに対して記録再生を行な
ったときのＣ／Ｎ比のレーザ光強度依存性を示す。
【００２０】〔比較例１及び比較例２〕表１に示すよう
にＣｏ／Ｐｔ膜の特性を変化させた以外は実施例１と同
様の光磁気ディスクを作成した。尚、比較例２において
はＣｏ／Ｐｔ膜におけるＰｔ層の厚みを大きくしてＮ／
δCo/Pt の値を小さくしている。
にＣｏ／Ｐｔ膜の特性を変化させた以外は実施例１と同
様の光磁気ディスクを作成した。尚、比較例２において
はＣｏ／Ｐｔ膜におけるＰｔ層の厚みを大きくしてＮ／
δCo/Pt の値を小さくしている。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１からわかるように、実施例１の構成の
Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を記録層として用いた光磁気ディスク
においては、同じＴｃの比較例２に比してＮ／δCo/Pt
が大きいためにθK は大きくなっている。また、Ｃｏ含
有率を上げてθK を大きくした比較例１では、実施例１
よりＴｃが大きくなってしまう。
Ｃｏ／Ｐｔ多層膜を記録層として用いた光磁気ディスク
においては、同じＴｃの比較例２に比してＮ／δCo/Pt
が大きいためにθK は大きくなっている。また、Ｃｏ含
有率を上げてθK を大きくした比較例１では、実施例１
よりＴｃが大きくなってしまう。
【００２３】従って、本発明のＣｏ／Ｐｔ多層膜を記録
層として用いた磁気光学メモリ素子では、比較的低いＴ
ｃでもθK を大きくすることができる。
層として用いた磁気光学メモリ素子では、比較的低いＴ
ｃでもθK を大きくすることができる。
【００２４】また、図５より、比較例１に比べて比較例
２及び実施例１はより低いレーザ光強度でＣ／Ｎ比が飽
和することがわかる。これはＴｃが下がったためであ
る。また、実施例１は比較例１及び比較例２に比べてよ
り大きなＣ／Ｎ比をもつことがわかる。これはθK の値
が大きいためである。すなわちθK の値が大きい程Ｃ／
Ｎ比が大きくなる。
２及び実施例１はより低いレーザ光強度でＣ／Ｎ比が飽
和することがわかる。これはＴｃが下がったためであ
る。また、実施例１は比較例１及び比較例２に比べてよ
り大きなＣ／Ｎ比をもつことがわかる。これはθK の値
が大きいためである。すなわちθK の値が大きい程Ｃ／
Ｎ比が大きくなる。
【００２５】ところで、光磁気ディスクからの再生信号
をディジタル処理するには、一般にＣ／Ｎ比は４５ｄＢ
以上が必要である。このために、図５より、比較例２の
構成では充分なＣ／Ｎ比が得られない。従って、４５ｄ
Ｂ以上のＣ／Ｎ比を得るためには、Ｃｏ／Ｐｔ膜におけ
る単位厚さ当りの層数が０.1以上、即ち、０．１≦Ｎ／
δCo/Pt である必要がある。
をディジタル処理するには、一般にＣ／Ｎ比は４５ｄＢ
以上が必要である。このために、図５より、比較例２の
構成では充分なＣ／Ｎ比が得られない。従って、４５ｄ
Ｂ以上のＣ／Ｎ比を得るためには、Ｃｏ／Ｐｔ膜におけ
る単位厚さ当りの層数が０.1以上、即ち、０．１≦Ｎ／
δCo/Pt である必要がある。
【００２６】
【発明の効果】本発明の磁気光学メモリ素子は、以上の
ように、記録層が、Ｃｏ／Ｐｔ膜内の層の数をＮ、Ｃｏ
／Ｐｔ膜の膜厚をδCo/Pt とした時、１２≦Ｃｏ／Ｐｔ
膜内のＣｏ含有率≦１６（atomic％）、０.1≦Ｎ／δ
Co/Pt （１／Å）で表される構成からなっている。
ように、記録層が、Ｃｏ／Ｐｔ膜内の層の数をＮ、Ｃｏ
／Ｐｔ膜の膜厚をδCo/Pt とした時、１２≦Ｃｏ／Ｐｔ
膜内のＣｏ含有率≦１６（atomic％）、０.1≦Ｎ／δ
Co/Pt （１／Å）で表される構成からなっている。
【００２７】それゆえ、比較的低いＴｃで大きなθK を
有するＣｏ／Ｐｔ多層膜からなる記録層を含む磁気光学
メモリ素子を得ることができる。
有するＣｏ／Ｐｔ多層膜からなる記録層を含む磁気光学
メモリ素子を得ることができる。
【００２８】従って、Ｔｃが低いことから、記録に必要
なレーザパワーの消費電力を小さくすることができると
共にレーザの寿命を長くすることができるという効果を
奏する。
なレーザパワーの消費電力を小さくすることができると
共にレーザの寿命を長くすることができるという効果を
奏する。
【００２９】更に、大きなθK が得られることから、信
号品質を向上させることができるという効果も併せて奏
する。
号品質を向上させることができるという効果も併せて奏
する。
【図１】層の数の異なるＣｏ／Ｐｔ多層膜それぞれにお
けるＣｏ含有率とＴｃとの関係を表すグラフである。
けるＣｏ含有率とＴｃとの関係を表すグラフである。
【図２】層の数の異なるＣｏ／Ｐｔ多層膜それぞれにお
けるＣｏ含有率とθK との関係を表すグラフである。
けるＣｏ含有率とθK との関係を表すグラフである。
【図３】図１及び図２において用いられたサンプルの構
成を示す説明図である。
成を示す説明図である。
【図４】本発明の光磁気ディスクの構成を示す説明図で
ある。
ある。
【図５】本発明の実施例と比較例におけるレーザ光強度
とＣ／Ｎ比との関係を表すグラフである。
とＣ／Ｎ比との関係を表すグラフである。
１ ガラス基板 ３ Ｃｏ／Ｐｔ多層膜
Claims (1)
- 【請求項１】ＰｔとＣｏとを交互に積層したＣｏ／Ｐｔ
多層膜からなる記録層を含む磁気光学メモリ素子におい
て、 上記記録層が、Ｃｏ／Ｐｔ膜内の層の数をＮ、Ｃｏ／Ｐ
ｔ膜の膜厚をδCo/Ptとした時、 １２≦Ｃｏ／Ｐｔ膜内のＣｏ含有率≦１６（atomic％） ０.1≦Ｎ／δCo/Pt （１／Å） で表される構成からなることを特徴とする磁気光学メモ
リ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13698692A JPH05325279A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 磁気光学メモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13698692A JPH05325279A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 磁気光学メモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05325279A true JPH05325279A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15188110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13698692A Pending JPH05325279A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 磁気光学メモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05325279A (ja) |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP13698692A patent/JPH05325279A/ja active Pending
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