JPH09265678A - 光磁気記録素子 - Google Patents
光磁気記録素子Info
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- JPH09265678A JPH09265678A JP7290596A JP7290596A JPH09265678A JP H09265678 A JPH09265678 A JP H09265678A JP 7290596 A JP7290596 A JP 7290596A JP 7290596 A JP7290596 A JP 7290596A JP H09265678 A JPH09265678 A JP H09265678A
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- optical recording
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低コストなオーバーライト用光磁気記録素子の
提供 【解決手段】基板１上に垂直磁化可能な磁性薄膜からな
る記録再生層６と、記録補助層７と、制御層８と、初期
化層９とを順次積層したオーバーライト可能な層構成で
あって、記録補助層７を下記原子組成比のＳｍＤｙＦｅ
Ｃｏ合金から構成した光磁気ディスクＭ。 Ｓｍx （Ｄ
ｙ1-y-z Ｆｅz Ｃｏy ）1-x ０＜ｘ＜０．１２５
０．４８＜ｙ＜０．６０ ０．１５＜ｚ＜０．２７
提供 【解決手段】基板１上に垂直磁化可能な磁性薄膜からな
る記録再生層６と、記録補助層７と、制御層８と、初期
化層９とを順次積層したオーバーライト可能な層構成で
あって、記録補助層７を下記原子組成比のＳｍＤｙＦｅ
Ｃｏ合金から構成した光磁気ディスクＭ。 Ｓｍx （Ｄ
ｙ1-y-z Ｆｅz Ｃｏy ）1-x ０＜ｘ＜０．１２５
０．４８＜ｙ＜０．６０ ０．１５＜ｚ＜０．２７
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はオーバーライト可能
な光磁気記録素子の改良に関するものである。
な光磁気記録素子の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】４層膜構造のオーバーライト可能な光磁
気記録素子が特開平７−１１０９７３号に提案されてい
る。同号によれば、スパッタリング法によって透明基板
上に垂直磁化可能な記録再生層（メモリー層）と、垂直
磁化可能な記録補助層と、垂直磁化可能な制御層と、垂
直磁化可能な初期化層とを順次積層し、そして、記録補
助層を膜厚７００ÅのＤｙＦｅＣｏ合金で構成した実施
例が記載されている。
気記録素子が特開平７−１１０９７３号に提案されてい
る。同号によれば、スパッタリング法によって透明基板
上に垂直磁化可能な記録再生層（メモリー層）と、垂直
磁化可能な記録補助層と、垂直磁化可能な制御層と、垂
直磁化可能な初期化層とを順次積層し、そして、記録補
助層を膜厚７００ÅのＤｙＦｅＣｏ合金で構成した実施
例が記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記提
案の光磁気記録素子によれば、記録補助層の膜厚につい
ては、記録補助層への磁化転写動作を大きくするため
に、７００Åよりも大きくする必要があり、この厚みよ
りもさらに小さくすると、磁化の強さをあらわす「飽和
磁化Ｍｓ×膜厚ｔ」も小さくなって、磁化転写が困難と
なり、これにより、記録補助層としての役割を果たさな
くなり、その膜厚ｔを少なくとも７００Åにする必要が
あった。
案の光磁気記録素子によれば、記録補助層の膜厚につい
ては、記録補助層への磁化転写動作を大きくするため
に、７００Åよりも大きくする必要があり、この厚みよ
りもさらに小さくすると、磁化の強さをあらわす「飽和
磁化Ｍｓ×膜厚ｔ」も小さくなって、磁化転写が困難と
なり、これにより、記録補助層としての役割を果たさな
くなり、その膜厚ｔを少なくとも７００Åにする必要が
あった。
【０００４】他方、光磁気記録素子を製造するに当たっ
ては、スパッタリング法などの薄膜形成手段でもって成
膜形成するが、その膜厚が小さいほどに、製造所要時間
が短くなり、その上、材料コストも低減するので、製造
コストが下がるという利点がある。
ては、スパッタリング法などの薄膜形成手段でもって成
膜形成するが、その膜厚が小さいほどに、製造所要時間
が短くなり、その上、材料コストも低減するので、製造
コストが下がるという利点がある。
【０００５】したがって本発明の目的はオーバーライト
可能な４層膜構造のうち記録補助層の膜厚を小さくし
て、製造コストを下がることにある。
可能な４層膜構造のうち記録補助層の膜厚を小さくし
て、製造コストを下がることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録素子
は、透明基板上に垂直磁化可能な磁性薄膜からなる記録
再生層と、記録補助層と、制御層と、初期化層とを順次
積層したオーバーライト可能な構成において、記録補助
層を下記原子組成比のＳｍＤｙＦｅＣｏ合金から構成し
たことを特徴とする。
は、透明基板上に垂直磁化可能な磁性薄膜からなる記録
再生層と、記録補助層と、制御層と、初期化層とを順次
積層したオーバーライト可能な構成において、記録補助
層を下記原子組成比のＳｍＤｙＦｅＣｏ合金から構成し
たことを特徴とする。
【０００７】Ｓｍx （Ｄｙ1-y-z Ｆｅz Ｃｏy ）1-x ０＜ｘ＜０．１２５ ０．１５＜ｙ＜０．２７ ０．４８＜ｚ＜０．６０
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の光磁気ディスクＭ
（直径３．５インチ）の平面図であり、図２は図１に示
す切断面線Ｘ−Ｘによる断面図である。また、図３は光
磁気記録層の層構造を示す。
（直径３．５インチ）の平面図であり、図２は図１に示
す切断面線Ｘ−Ｘによる断面図である。また、図３は光
磁気記録層の層構造を示す。
【０００９】前記透明ディスク基板としてポリカーボネ
ート樹脂からなる基板１を用いており、この基板１の片
面側にはトラッキング用溝２が同心円状に多数形成さ
れ、その中心部にはハブ装着用の穴３が設けられてい
る。トラッキング用溝２が形成された面上には薄膜４が
被覆されている。
ート樹脂からなる基板１を用いており、この基板１の片
面側にはトラッキング用溝２が同心円状に多数形成さ
れ、その中心部にはハブ装着用の穴３が設けられてい
る。トラッキング用溝２が形成された面上には薄膜４が
被覆されている。
【００１０】薄膜４はサイアロンからなる誘電体層と、
情報の記録および消去をおこなう光磁気記録層と、チタ
ンやサイアロンからなる断熱層と、アルミニウムからな
る反射層と、紫外線硬化型樹脂からなる保護樹脂層とが
順次積層された構造である。
情報の記録および消去をおこなう光磁気記録層と、チタ
ンやサイアロンからなる断熱層と、アルミニウムからな
る反射層と、紫外線硬化型樹脂からなる保護樹脂層とが
順次積層された構造である。
【００１１】上記誘電体層と断熱層はサイアロンやチタ
ン以外に酸化シリコン、窒化アルミ、酸化チタン、酸化
タンタルなどによって形成してもよく、また、反射層に
ついてもアルミニウム（Ａｌ）以外にＡｌ、Ｔｉ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉの少なくとも１種の
金属もしくは合金によって形成してもよい。
ン以外に酸化シリコン、窒化アルミ、酸化チタン、酸化
タンタルなどによって形成してもよく、また、反射層に
ついてもアルミニウム（Ａｌ）以外にＡｌ、Ｔｉ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉの少なくとも１種の
金属もしくは合金によって形成してもよい。
【００１２】上記薄膜４の各層の作成方法については、
保護樹脂層を塗布法でもって成膜する以外は、いずれも
スパッタリング法などの薄膜形成手段でもって成膜する
ことができる。
保護樹脂層を塗布法でもって成膜する以外は、いずれも
スパッタリング法などの薄膜形成手段でもって成膜する
ことができる。
【００１３】上記光磁気記録層の層構成を図３に示す。
同図によれば、光磁気記録層５は記録再生層６と、記録
補助層７と、制御層８と、初期化層９とを順次積層した
ものであって、いずれも垂直磁化可能な磁性薄膜からな
り、特開平７−１１０９７３号に記載されている通り、
記録再生層６と記録補助層７とは交換結合して、室温で
記録再生層６の磁化の向きは変化せず、記録補助層７の
磁化のみを所要通りの向きに向けておくことができ、さ
らに記録補助層７と初期化層９とは制御層８のキュリー
点温度以下の温度でもって、その制御層８を介して交換
結合している。そして、記録再生層６において、そのビ
ットの向きでもって情報が記録される。
同図によれば、光磁気記録層５は記録再生層６と、記録
補助層７と、制御層８と、初期化層９とを順次積層した
ものであって、いずれも垂直磁化可能な磁性薄膜からな
り、特開平７−１１０９７３号に記載されている通り、
記録再生層６と記録補助層７とは交換結合して、室温で
記録再生層６の磁化の向きは変化せず、記録補助層７の
磁化のみを所要通りの向きに向けておくことができ、さ
らに記録補助層７と初期化層９とは制御層８のキュリー
点温度以下の温度でもって、その制御層８を介して交換
結合している。そして、記録再生層６において、そのビ
ットの向きでもって情報が記録される。
【００１４】かかるオーバーライト型層構成において、
本発明では記録補助層７を下記の原子組成比のＳｍＤｙ
Ｃｏ合金から構成し、これによって磁化の強さである
「飽和磁化Ｍｓ×膜厚ｔ」のうちの飽和磁化Ｍｓが、先
行する記録補助層がＤｙＦｅＣｏ合金であるものと比べ
て大きくなり、そのため、相対的に膜厚ｔが小さくする
ことができる。
本発明では記録補助層７を下記の原子組成比のＳｍＤｙ
Ｃｏ合金から構成し、これによって磁化の強さである
「飽和磁化Ｍｓ×膜厚ｔ」のうちの飽和磁化Ｍｓが、先
行する記録補助層がＤｙＦｅＣｏ合金であるものと比べ
て大きくなり、そのため、相対的に膜厚ｔが小さくする
ことができる。
【００１５】Ｓｍx （Ｄｙ1-y-z Ｆｅz Ｃｏy ）1-x ０＜ｘ＜０．１２５ 好適には０．０３＜ｘ＜０．０９ ０．１５＜ｙ＜０．２７ 好適には０．１８＜ｙ＜
０．２４ ０．４８＜ｚ＜０．６０ 好適には０．５１＜ｚ＜
０．５７ このｘ値が０．１２５以上の場合には、膜厚が薄くなり
すぎて信頼性が確保できなくなり、また、ｙ値が０．１
５以下の場合には、記録再生層６よりもキュリー点温度
が低くなって転写ができなくなり、０．２７以上の場合
には、キュリー点温度が高くなりすぎる。ｚ値が０．４
８以下の場合には、キュリー点温度が高くなりすぎ、
０．６０以上の場合には、記録再生層６よりもキュリー
点温度が低くなって転写ができなくなる。
０．２４ ０．４８＜ｚ＜０．６０ 好適には０．５１＜ｚ＜
０．５７ このｘ値が０．１２５以上の場合には、膜厚が薄くなり
すぎて信頼性が確保できなくなり、また、ｙ値が０．１
５以下の場合には、記録再生層６よりもキュリー点温度
が低くなって転写ができなくなり、０．２７以上の場合
には、キュリー点温度が高くなりすぎる。ｚ値が０．４
８以下の場合には、キュリー点温度が高くなりすぎ、
０．６０以上の場合には、記録再生層６よりもキュリー
点温度が低くなって転写ができなくなる。
【００１６】上記構成の光磁気ディスクＭにおいては、
基板１を回転させながら、波長７８０ｎｍのレーザービ
ームを基板１を通して照射し、トラッキング用溝２に沿
ってトラッキングすると、そのレーザービームが誘電体
層を通して光磁気記録層５へ到達し、さらにその一部が
この光磁気記録層５を通過し、断熱層を通して反射層で
反射され、その反射光が光磁気記録層５へ到る。
基板１を回転させながら、波長７８０ｎｍのレーザービ
ームを基板１を通して照射し、トラッキング用溝２に沿
ってトラッキングすると、そのレーザービームが誘電体
層を通して光磁気記録層５へ到達し、さらにその一部が
この光磁気記録層５を通過し、断熱層を通して反射層で
反射され、その反射光が光磁気記録層５へ到る。
【００１７】かくして本発明の光磁気ディスクＭによれ
ば、オーバーライト用層構成において、記録補助層を所
定の原子組成比のＳｍＤｙＦｅＣｏ合金でもって形成す
ることで、膜厚ｔが小さくすることができ、その結果、
成膜の所要時間が短くなり、材料コストも低減するの
で、製造コストが下がる。
ば、オーバーライト用層構成において、記録補助層を所
定の原子組成比のＳｍＤｙＦｅＣｏ合金でもって形成す
ることで、膜厚ｔが小さくすることができ、その結果、
成膜の所要時間が短くなり、材料コストも低減するの
で、製造コストが下がる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳述する。前記薄膜
４については、直径８６ｍｍの基板１上に膜厚５００Å
のサイアロンからなる誘電体層と、光磁気記録層５と、
膜厚１００Åのサイアロンからなる断熱層と、膜厚６０
０Åのアルミニウムからなる反射層とを順次積層した。
ただし、本例では保護樹脂層を設けないで実験に供し
た。
４については、直径８６ｍｍの基板１上に膜厚５００Å
のサイアロンからなる誘電体層と、光磁気記録層５と、
膜厚１００Åのサイアロンからなる断熱層と、膜厚６０
０Åのアルミニウムからなる反射層とを順次積層した。
ただし、本例では保護樹脂層を設けないで実験に供し
た。
【００１９】そして、上記光磁気記録層５としては、マ
グネトロンスパッタリング法でもって、Ｔｂ0.20Ｆｅ
0.76Ｃｏ0.04の記録再生層６（厚み２００Å）と、記録
補助層７と、Ｔｂ0.17Ｆｅ0.83の制御層８（厚み１００
Å）と、Ｔｂ0.20Ｃｏ0.80の初期化層９（厚み４００
Å）とを順次積層したものであって、上記記録補助層７
についてはＳｍ0.05（Ｄｙ0.29Ｆｅ0.51Ｃｏ0.20）0.95
の合金からなり、その厚みを６００Åにした場合（例
１）と、Ｓｍ0.125 （Ｄｙ0.35Ｆｅ0.47Ｃｏ0.18）
0.875 の合金からなり、その厚みを３５０Åにした場合
（例２）との２種類を作製した。
グネトロンスパッタリング法でもって、Ｔｂ0.20Ｆｅ
0.76Ｃｏ0.04の記録再生層６（厚み２００Å）と、記録
補助層７と、Ｔｂ0.17Ｆｅ0.83の制御層８（厚み１００
Å）と、Ｔｂ0.20Ｃｏ0.80の初期化層９（厚み４００
Å）とを順次積層したものであって、上記記録補助層７
についてはＳｍ0.05（Ｄｙ0.29Ｆｅ0.51Ｃｏ0.20）0.95
の合金からなり、その厚みを６００Åにした場合（例
１）と、Ｓｍ0.125 （Ｄｙ0.35Ｆｅ0.47Ｃｏ0.18）
0.875 の合金からなり、その厚みを３５０Åにした場合
（例２）との２種類を作製した。
【００２０】かくして得られた両者光磁気ディスクにつ
いて、記録補助層７の飽和磁気モーメントＭｓを測定し
たところ、前者の（例１）では２３０〔ｅｍｕ・ｃ
ｃ-1〕であり、後者の（例２）は３５０〔ｅｍｕ・ｃｃ
-1〕であった。なお、飽和磁気モーメントＭｓはバイブ
レーションサンプルマグネットメーターを用いて室温下
で測定した。
いて、記録補助層７の飽和磁気モーメントＭｓを測定し
たところ、前者の（例１）では２３０〔ｅｍｕ・ｃ
ｃ-1〕であり、後者の（例２）は３５０〔ｅｍｕ・ｃｃ
-1〕であった。なお、飽和磁気モーメントＭｓはバイブ
レーションサンプルマグネットメーターを用いて室温下
で測定した。
【００２１】つぎに、上記記録補助層としてＤｙ0.30Ｆ
ｅ0.35Ｃｏ0.35の合金からなり、その厚みを７００Åに
した場合（例３）と、Ｓｍ0.15（Ｄｙ0.36Ｆｅ0.46Ｃｏ
0.18）0.85の合金からなり、その厚みを３００Åにした
場合（例４）で、しかも、それ以外の構成は上記の通り
にした２種類の光磁気ディスクを作製した。
ｅ0.35Ｃｏ0.35の合金からなり、その厚みを７００Åに
した場合（例３）と、Ｓｍ0.15（Ｄｙ0.36Ｆｅ0.46Ｃｏ
0.18）0.85の合金からなり、その厚みを３００Åにした
場合（例４）で、しかも、それ以外の構成は上記の通り
にした２種類の光磁気ディスクを作製した。
【００２２】そして、双方の光磁気ディスクについて、
記録補助層の飽和磁気モーメントＭｓを測定したとこ
ろ、（例３）は２００〔ｅｍｕ・ｃｃ-1〕であり、（例
４）は３６０〔ｅｍｕ・ｃｃ-1〕であった。
記録補助層の飽和磁気モーメントＭｓを測定したとこ
ろ、（例３）は２００〔ｅｍｕ・ｃｃ-1〕であり、（例
４）は３６０〔ｅｍｕ・ｃｃ-1〕であった。
【００２３】以上の結果から、本発明の光磁気ディスク
であれば、記録補助層の厚みを３５０Åにまで薄くして
も、飽和磁気モーメントＭｓについて所要とおりの値
（２００〜３５０〔ｅｍｕ・ｃｃ-1〕）が得られ、これ
によって好適な磁化の強さが得られた。
であれば、記録補助層の厚みを３５０Åにまで薄くして
も、飽和磁気モーメントＭｓについて所要とおりの値
（２００〜３５０〔ｅｍｕ・ｃｃ-1〕）が得られ、これ
によって好適な磁化の強さが得られた。
【００２４】
【発明の効果】以上の通り、本発明の光磁気記録素子に
よれば、記録再生層と、記録補助層と、制御層と、初期
化層とを順次積層したオーバーライト用層構成におい
て、記録補助層を所定の原子組成比のＳｍＤｙＦｅＣｏ
合金でもって形成することで、膜厚ｔが小さくすること
ができ、これによって、成膜の所要時間が短くなり、材
料コストも低減し、その結果、低コストな光磁気記録素
子が提供できる。
よれば、記録再生層と、記録補助層と、制御層と、初期
化層とを順次積層したオーバーライト用層構成におい
て、記録補助層を所定の原子組成比のＳｍＤｙＦｅＣｏ
合金でもって形成することで、膜厚ｔが小さくすること
ができ、これによって、成膜の所要時間が短くなり、材
料コストも低減し、その結果、低コストな光磁気記録素
子が提供できる。
【図１】本発明の光磁気ディスクＭの平面図である。
【図２】本発明の光磁気ディスクＭの断面図である。
【図３】光磁気記録層の層構成を示す断面図である。
Ｍ 光磁気ディスク １ 基板 ２ トラッキング用溝 ４ 薄膜 ５ 光磁気記録層 ６ 記録再生層 ７ 記録補助層 ８ 制御層 ９ 初期化層
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板上に垂直磁化可能な磁性薄膜か
らなる記録再生層と、記録補助層と、制御層と、初期化
層とを順次積層したオーバーライト可能な光磁気記録素
子において、上記記録補助層を下記原子組成比のＳｍＤ
ｙＦｅＣｏ合金から構成したことを特徴とする光磁気記
録素子。 Ｓｍx （Ｄｙ1-y-z Ｆｅz Ｃｏy ）1-x ０＜ｘ＜０．１２５ ０．１５＜ｙ＜０．２７ ０．４８＜ｚ＜０．６０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7290596A JPH09265678A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 光磁気記録素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7290596A JPH09265678A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 光磁気記録素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09265678A true JPH09265678A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13502844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7290596A Pending JPH09265678A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 光磁気記録素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09265678A (ja) |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP7290596A patent/JPH09265678A/ja active Pending
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