JPS60247844A - 磁気光学記憶素子の製造方法 - Google Patents
磁気光学記憶素子の製造方法Info
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- JPS60247844A JPS60247844A JP10420784A JP10420784A JPS60247844A JP S60247844 A JPS60247844 A JP S60247844A JP 10420784 A JP10420784 A JP 10420784A JP 10420784 A JP10420784 A JP 10420784A JP S60247844 A JPS60247844 A JP S60247844A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明は、レーザ等の光を照射することにより情報の記
録、再生、消去等を行なう磁気光学記憶素子に関するも
のである。
録、再生、消去等を行なう磁気光学記憶素子に関するも
のである。
〈発明の技術的背景とその問題点〉
近年、情報の記録、再生、消去が可能な光メモリ素子と
して磁気光学記憶素子の開発が活発に打力われている。
して磁気光学記憶素子の開発が活発に打力われている。
中でも記憶媒体として希土類遷移金属非晶質合金薄膜を
用いたものは、記録ビットが粒界の影響を受けない点及
び記録媒体の膜を大面積に亘って作成することが比較的
容易である点から特に注目を集めている。
用いたものは、記録ビットが粒界の影響を受けない点及
び記録媒体の膜を大面積に亘って作成することが比較的
容易である点から特に注目を集めている。
しかし、記録媒体として上記のような希土類遷移金属非
晶質合金薄膜を用いて磁気光学記憶素子を構成したもの
では、一般に光磁気効果（カー効果、ファラデー効果）
が充分に得られず、その為再生信号のＳ／Ｎが不充分な
ものであった。
晶質合金薄膜を用いて磁気光学記憶素子を構成したもの
では、一般に光磁気効果（カー効果、ファラデー効果）
が充分に得られず、その為再生信号のＳ／Ｎが不充分な
ものであった。
このような問題点を改良するため、従来より例えば特開
８５５６７−１２４２８号公報に示されるように、反射
膜構造と呼ばれる素子構造が磁気光学記憶素子において
採用されている。
８５５６７−１２４２８号公報に示されるように、反射
膜構造と呼ばれる素子構造が磁気光学記憶素子において
採用されている。
第２図は従来の反射膜構造の光磁気記憶素子の一部側面
断面図である。
断面図である。
第２図において、１は透明基板、２はこの透明基板１よ
りも屈折率の高い特性を有する透明誘電体膜、３は希土
類遷移金属で形成された非晶質合金薄膜、４は透明誘電
体膜、５は金属反射膜である。この構造の光磁気記憶素
子では非晶質合金薄膜３は充分に薄く、従ってこの非晶
質合金薄膜３に入射した光はその一部が通り抜ける。そ
の為、再生光は非晶質合金薄膜３表面での反射によるカ
ー効果と、非晶質合金薄膜３を通り抜は金属反射膜５で
反射され、再び非晶質合金薄膜３を通り抜けることで生
起されるファラデー効果が合わせられることによって、
単なるカー効果のみによる素子に比して見かけ上数倍カ
ー回転角が増大するものである。
りも屈折率の高い特性を有する透明誘電体膜、３は希土
類遷移金属で形成された非晶質合金薄膜、４は透明誘電
体膜、５は金属反射膜である。この構造の光磁気記憶素
子では非晶質合金薄膜３は充分に薄く、従ってこの非晶
質合金薄膜３に入射した光はその一部が通り抜ける。そ
の為、再生光は非晶質合金薄膜３表面での反射によるカ
ー効果と、非晶質合金薄膜３を通り抜は金属反射膜５で
反射され、再び非晶質合金薄膜３を通り抜けることで生
起されるファラデー効果が合わせられることによって、
単なるカー効果のみによる素子に比して見かけ上数倍カ
ー回転角が増大するものである。
なお、非晶質合金薄膜３上の透明誘電体膜２も一例とし
て、第２図において透明基板１をガラス板とし、透明誘
電体膜２を１２０ｎｍのＳｊＯとし、非晶質合金薄膜３
を１５ｎｒｎのＧｄＴｂＦｅとし、透明誘電体膜４を５
０ ｎｍの５ｉＯｚとし、金属反射膜５を５０ｎｍのＣ
ｕとじた構成では見かけ上のカー回転角が１７．５度に
まで増大しだ。
て、第２図において透明基板１をガラス板とし、透明誘
電体膜２を１２０ｎｍのＳｊＯとし、非晶質合金薄膜３
を１５ｎｒｎのＧｄＴｂＦｅとし、透明誘電体膜４を５
０ ｎｍの５ｉＯｚとし、金属反射膜５を５０ｎｍのＣ
ｕとじた構成では見かけ上のカー回転角が１７．５度に
まで増大しだ。
以上の素子構造の採用によってカー回転角が著るしく増
大する理由について次に説明する。
大する理由について次に説明する。
第２図に示すように透明基板ｌからレーザ光りを非晶質
合金薄膜３に照射した場合、入射レーザ光りが透明誘電
体膜２の内部で反射が繰返され、干渉した結果見かけ上
のカー回転角が増大するものであり、この際透明誘電体
膜２の屈折率が大きい程カー回転角の増大効果は大きい
。
合金薄膜３に照射した場合、入射レーザ光りが透明誘電
体膜２の内部で反射が繰返され、干渉した結果見かけ上
のカー回転角が増大するものであり、この際透明誘電体
膜２の屈折率が大きい程カー回転角の増大効果は大きい
。
まだ、第２図に示すように非晶質合金薄膜３の背面に反
射膜５を配置したことが見かけ上のカー回転角を増大さ
せており、非晶質合金薄膜３と反射膜５との間に透明誘
電体膜４を介在させることで見かけ上のカー回転角を更
に増大させている。
射膜５を配置したことが見かけ上のカー回転角を増大さ
せており、非晶質合金薄膜３と反射膜５との間に透明誘
電体膜４を介在させることで見かけ上のカー回転角を更
に増大させている。
る０
上記透明誘電体膜４と反射膜５との複合膜を一つの反射
層Ａとして考えると、第２図において、透明基板１側か
ら入射し、非晶質合金薄膜３を通過し、上記反射層Ａに
て反射された後、再び上記非晶質合金薄膜３を通過した
光と、透明基板１側から入射し非晶質合金薄膜３の表面
で反射された光とが合成されるが、この場合、入射光り
が非晶質合金薄膜３の表面で反射することにより生起さ
れるカー効果と、入射光りが非晶質合金薄膜３の内部を
通過することによシ生起されるファラデー効果とが合わ
されることにより、見かけ上のカー回転角が増大するも
のである。
層Ａとして考えると、第２図において、透明基板１側か
ら入射し、非晶質合金薄膜３を通過し、上記反射層Ａに
て反射された後、再び上記非晶質合金薄膜３を通過した
光と、透明基板１側から入射し非晶質合金薄膜３の表面
で反射された光とが合成されるが、この場合、入射光り
が非晶質合金薄膜３の表面で反射することにより生起さ
れるカー効果と、入射光りが非晶質合金薄膜３の内部を
通過することによシ生起されるファラデー効果とが合わ
されることにより、見かけ上のカー回転角が増大するも
のである。
このような構造の磁気光学記憶素子においては、上記フ
ァラデー効果を如何にカー効果に加えるかが極めて重要
になる。
ァラデー効果を如何にカー効果に加えるかが極めて重要
になる。
ファラデー効果についていえば、非晶質合金薄膜３の層
厚を厚くすれば回転角を大きくすることが出来るが、入
射レーザ光りが非晶質合金薄ｍ３に吸収され参へ嶋、所
期の目的を達成し得ない。
厚を厚くすれば回転角を大きくすることが出来るが、入
射レーザ光りが非晶質合金薄ｍ３に吸収され参へ嶋、所
期の目的を達成し得ない。
したがって非晶質合金薄膜３の適切な層厚の値は概ね１
０〜５０ｎｍであり、その値は使用するレーザ光りの波
長や」二記反射層Ａの屈折率等によって決定される。
０〜５０ｎｍであり、その値は使用するレーザ光りの波
長や」二記反射層Ａの屈折率等によって決定される。
上記反射層Ａに対してめられる条件は上記の説明から明
らかなように反射率が高いことである。
らかなように反射率が高いことである。
以上のように、透明基板１と非晶質合金薄膜３との間に
介在する透明誘電体膜２及び非晶質合金薄膜３の背面の
反射層Ａの構成を付加することによって、カー回転角の
増大の効果を得ることが出来る。
介在する透明誘電体膜２及び非晶質合金薄膜３の背面の
反射層Ａの構成を付加することによって、カー回転角の
増大の効果を得ることが出来る。
上記の説明より明らかなように金属反射膜５に対してめ
られる条件は、反射率が高いことである。この条件を満
たす材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ。
られる条件は、反射率が高いことである。この条件を満
たす材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ。
ＡＩ等が挙げられる。
一般に磁気光学記憶素子は作製の容易さからスパッタ法
によって作製されることが多いが、Ａｕ。
によって作製されることが多いが、Ａｕ。
Ａｇ等の材料はターゲットの入手が非常に困難である。
またＣｕはターゲットの入手は容易であり、スパッタリ
ン−ｌ井桁ない易い材料であるので膜形成が容易である
が、磁気光学記憶素子の長期信頼性の面等から、必要と
される耐蝕性に欠ける問題点がある。またＡ１はターゲ
ットの入手も容易であり、上記した耐蝕性にも優れてい
るが高い反射率を得る膜形成が困難であるという欠点を
有している。
ン−ｌ井桁ない易い材料であるので膜形成が容易である
が、磁気光学記憶素子の長期信頼性の面等から、必要と
される耐蝕性に欠ける問題点がある。またＡ１はターゲ
ットの入手も容易であり、上記した耐蝕性にも優れてい
るが高い反射率を得る膜形成が困難であるという欠点を
有している。
ＡＩにおいて、高い反射率を得る膜形成が困難な理由は
膜形成の際に白濁が生じることであり、この白濁によっ
て形成された金属反射膜の反射率が低下してしまい、好
１しくない。この白濁の生じる原因の主なものは、第１
に膜形成の際にわずかに存在するＨ、Ｃ，０２、Ｎ２
、Ｎ２ 、Ｎ２０等の混入物によるものであり、第２は
膜形成に伴う磁気光学記憶素子の基板温度の上昇による
ものである。
膜形成の際に白濁が生じることであり、この白濁によっ
て形成された金属反射膜の反射率が低下してしまい、好
１しくない。この白濁の生じる原因の主なものは、第１
に膜形成の際にわずかに存在するＨ、Ｃ，０２、Ｎ２
、Ｎ２ 、Ｎ２０等の混入物によるものであり、第２は
膜形成に伴う磁気光学記憶素子の基板温度の上昇による
ものである。
従って、白濁しない高反射率を有するアルミニウム反射
膜を得るには上記しだＨ、Ｃ、０２、Ｎ２ 、 Ｎ２
。
膜を得るには上記しだＨ、Ｃ、０２、Ｎ２ 、 Ｎ２
。
Ｎ２０等の混入を防止し、磁気光学記憶素子の基板温度
上昇を防止することが必要とされるが、このようなこと
を実現するにはスパッタ条件が著るし、〈制限されてし
本うことになり、極めて困難である。
上昇を防止することが必要とされるが、このようなこと
を実現するにはスパッタ条件が著るし、〈制限されてし
本うことになり、極めて困難である。
〈発明の目的及び構成〉
本発明は上記諸点に鑑みて成されたものであり、アルミ
ニウム（ＡＩ）蒸着膜の白濁化を防止することにより再
生信号の品質を向上することが出来る新規な磁気光学記
憶素子を提供することを目的とし、この目的を達成する
だめ、本発明は反射膜層を含む多層膜構造の記録層を有
する磁気光学記憶素子において、上記の反射膜層をアル
ミニウムに反射膜形成時に白濁を生じさせない元素を添
加した合金にて形成して成るように構成されている。
ニウム（ＡＩ）蒸着膜の白濁化を防止することにより再
生信号の品質を向上することが出来る新規な磁気光学記
憶素子を提供することを目的とし、この目的を達成する
だめ、本発明は反射膜層を含む多層膜構造の記録層を有
する磁気光学記憶素子において、上記の反射膜層をアル
ミニウムに反射膜形成時に白濁を生じさせない元素を添
加した合金にて形成して成るように構成されている。
〈発明の実施例〉
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例とし
てアルミニウムにニッケルを添加して得られたアルミニ
ウム・ニッケル反射膜を有する磁気光学記憶素子の構造
を示す一部側面断面図である０ 第１図におい弥≧Ｊユはガラス、ポリカーボネート、ア
クリル等の透明基板であり、該透明基板１上に第１の透
明誘電体膜である透明な窒化アルミニウム（ＡＩＮ）膜
６が例えば膜厚１１００ｎに形成され、該窒化アルミニ
ウム（ＡＩＮ）膜６上に希土類遷移金属合金薄膜である
ＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３が例えば膜厚２７ｎｍに形成さ
れ、該ＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３上に第２の透明誘電体膜
である透明な窒化アルミニウム（ＡＩＮ）膜７が例えば
膜厚３５ｎｍに形成され、更に該窒化アルミニウム膜７
上に反射膜として、アルミニウム（Ａ１）にニッケル（
Ｎｉ）を添加したターゲットをスパッタリングすること
により得た窒化アルミニウム膜８が例えば膜厚６０ｎｍ
以上に形成されている。
てアルミニウムにニッケルを添加して得られたアルミニ
ウム・ニッケル反射膜を有する磁気光学記憶素子の構造
を示す一部側面断面図である０ 第１図におい弥≧Ｊユはガラス、ポリカーボネート、ア
クリル等の透明基板であり、該透明基板１上に第１の透
明誘電体膜である透明な窒化アルミニウム（ＡＩＮ）膜
６が例えば膜厚１１００ｎに形成され、該窒化アルミニ
ウム（ＡＩＮ）膜６上に希土類遷移金属合金薄膜である
ＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３が例えば膜厚２７ｎｍに形成さ
れ、該ＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３上に第２の透明誘電体膜
である透明な窒化アルミニウム（ＡＩＮ）膜７が例えば
膜厚３５ｎｍに形成され、更に該窒化アルミニウム膜７
上に反射膜として、アルミニウム（Ａ１）にニッケル（
Ｎｉ）を添加したターゲットをスパッタリングすること
により得た窒化アルミニウム膜８が例えば膜厚６０ｎｍ
以上に形成されている。
このように、反射膜８をアルミニウム・ニッケルで形成
した場合には次のような利点がある。
した場合には次のような利点がある。
即ち、上述したように透明誘電体膜７を窒化アルミニウ
ム（ＡＩＮ）で形成した場合、その上にアルミニウム（
Ａｔ）等の従来の反射膜をレーザ波長域（８００ｎｍ）
での反射率が高い状態で被着することは白濁化を主段て
非常に一部であった。この白濁化は窒化アルミニウム（
ＡＩＮ）内の窒素成分のＣｕやＡＩに対する影響が無視
できない為と考えられる。
ム（ＡＩＮ）で形成した場合、その上にアルミニウム（
Ａｔ）等の従来の反射膜をレーザ波長域（８００ｎｍ）
での反射率が高い状態で被着することは白濁化を主段て
非常に一部であった。この白濁化は窒化アルミニウム（
ＡＩＮ）内の窒素成分のＣｕやＡＩに対する影響が無視
できない為と考えられる。
これに対してアルミニウム・ニッケルによる反射膜８は
窒化アルミニウムの透明誘電体膜７にレーザ波長域での
反射率が高い状態、即ち白濁を生じない状態で被着する
ことが容易に出来る。
窒化アルミニウムの透明誘電体膜７にレーザ波長域での
反射率が高い状態、即ち白濁を生じない状態で被着する
ことが容易に出来る。
この結果、磁気光学記憶素子における反射光量を多くす
ることが出来、再生信号の向上を得ることが出来る。ま
だアルミニウム・ニッケル膜８は耐蝕性においても優れ
ており、記録媒体（記録層）の耐蝕性にも寄与できるも
のである。
ることが出来、再生信号の向上を得ることが出来る。ま
だアルミニウム・ニッケル膜８は耐蝕性においても優れ
ており、記録媒体（記録層）の耐蝕性にも寄与できるも
のである。
なお、本発明に係る磁気光学記憶素子の反射膜は上記実
施例に限定されるものではない。即ちアルミニウム（Ａ
Ｉ）に添加する元素はニッケル（Ｎｉ）以外の例えばパ
ラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）等、スパッタリングに
よる反射膜形成の際に白濁を生じない、即ち反射率を低
下させない元素であれば、如何なるものでも良い。
施例に限定されるものではない。即ちアルミニウム（Ａ
Ｉ）に添加する元素はニッケル（Ｎｉ）以外の例えばパ
ラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）等、スパッタリングに
よる反射膜形成の際に白濁を生じない、即ち反射率を低
下させない元素であれば、如何なるものでも良い。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、高反射率の反射膜を具備
することが出来、その結果磁気光学記憶素子の耐蝕性を
良好に確保することが出来ると共に情報再生特性を大幅
に向上させることが出来る。
することが出来、その結果磁気光学記憶素子の耐蝕性を
良好に確保することが出来ると共に情報再生特性を大幅
に向上させることが出来る。
第１図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の構
成を示す一部側面断面図、第２図は従来の磁気光学記憶
素子の構成を示す一部側面断面図である。 １・・・透明基板、３・・・希土類遷移金属合金薄膜、
６ ・第１の透明誘電体膜（ＡＩＮ膜）、７・・・第２
の透明誘電体膜（ＡＩＮ膜）、８・・・金属反射膜（Ａ
ＩＮｉ反射膜）。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ど 第１図 第２図
成を示す一部側面断面図、第２図は従来の磁気光学記憶
素子の構成を示す一部側面断面図である。 １・・・透明基板、３・・・希土類遷移金属合金薄膜、
６ ・第１の透明誘電体膜（ＡＩＮ膜）、７・・・第２
の透明誘電体膜（ＡＩＮ膜）、８・・・金属反射膜（Ａ
ＩＮｉ反射膜）。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ど 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反射膜層を含む多層膜構造の記録層を有する磁気光
学記憶素子において、 上記反射膜層をアルミニウムに反射膜形成時に白濁を生
じさせない元素を添加した合金にて形成して成ることを
特徴とする磁気光学記憶素子０ ２、前記反射膜層をアルミニウムにニッケルを添加した
アルミニウムニッケル合金にて形成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の磁気光学記憶素子。 ３、前記反射膜層をアルミニウムに白濁を生じさせない
元素を添加した合金のターゲットをスパッタリングする
ことにより形成したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の磁気光学記憶素子。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10420784A JPS60247844A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
| US06/721,707 US4719137A (en) | 1984-04-13 | 1985-04-10 | Magneto-optic memory element |
| CA000478873A CA1234916A (en) | 1984-04-13 | 1985-04-11 | Magneto-optic memory element |
| DE19853587538 DE3587538T2 (de) | 1984-04-13 | 1985-04-12 | Magneto-optisches Speicherelement. |
| EP85302580A EP0161807B1 (en) | 1984-04-13 | 1985-04-12 | Magneto-optic memory element |
| EP19880201371 EP0297689B1 (en) | 1984-04-13 | 1985-04-12 | Magneto-optic memory element |
| DE8585302580T DE3581230D1 (de) | 1984-04-13 | 1985-04-12 | Magneto-optisches speicherelement. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10420784A JPS60247844A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247844A true JPS60247844A (ja) | 1985-12-07 |
| JPH0524571B2 JPH0524571B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=14374523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10420784A Granted JPS60247844A (ja) | 1984-04-13 | 1984-05-22 | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60247844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194664A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-29 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| US6139949A (en) * | 1989-02-10 | 2000-10-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto optical recording medium |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860441A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-09 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP10420784A patent/JPS60247844A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860441A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-09 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194664A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-29 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| US6139949A (en) * | 1989-02-10 | 2000-10-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0524571B2 (ja) | 1993-04-08 |
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