JPH02192046A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は光磁気記録媒体に関するものであり、特に、
ＣＮ比（Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｎｏ１ｓｅ　Ｒａｔｉｏ：搬
送波対雑音比）と記録感度とに優れた反射膜を具える光
磁気記録媒体に関する。

（従来の技術） 光磁気記録媒体（以下、単に記録媒体と称する場合も有
る。）は、書換えの出来る磁性膜を具えた高密度記録媒
体としで、研究開発が活発に行なわれている。

このような記録媒体の磁性膜を構成する光磁気記録材料
の内でも、希土類金属と遷移金属との非晶質合金（以下
、単にＲＥ−ＴＭ金合金称する場合も有る。）は、磁化
方向が成膜面に対して垂直に配向した垂直磁化膜となる
こと、保磁力か数（にＯｅ）と大きいこと、スパッタ、
真空蒸着またはその他の被着技術で比較的容易に成膜が
可能であること等の点で、最も研究が進み、実用化が進
んでいる。

このようなＲＥ−ＴＭ金合金用いた記録媒体では、磁性
膜が垂直磁化膜であることから１０８（ビット／ｃｍ２
）という極めて高密度な記録が可能であり、ざらに、原
理的には、情報の消去と再書込みとの繰り返しを無限回
に近く行なうことができるという優れた特色を有する。

しかしなから、ＲＥ−ＴＭ金合金ら成る磁性膜は耐食性
が低く（例えば文献■：　「光磁気ディスク」　（今村
修武監修、■トリケッブス発行。

第４２７頁）参照）、シがも、磁気光学的な効果（カー
（にｅｒｒ）効果）が小さいという欠点が有る。

そこで、上述した磁性膜の、読取り側とは相反する位Ｈ
に反射膜を設けたり、保護膜によって磁性膜を挟んで配
設することにより、光の屈折及び反射を利用して見掛は
上のカー（にｅｒｒ）回転角を大きくする構造が知られ
ている（前記文献■：第１１９頁）。

以下、図面を参照しで、上述した従来の光磁気記録媒体
につき説明する。

第５図（Ａ）は、従来の記録媒体の一構成例を説明する
ため、概略的な断面により示す説明図である。尚、同図
中、断面を示すハツチングは一部省略する。

この第５図（Ａ）に示すように、基板１１の表面に保護
膜１３ａ、ｆｉｉ性膜１５、保護膜＋３ｂ及び反射膜１
７ヲ順次形成することによって記録媒体１９が構成され
る。

このうち、基板１１は、ポリカーボネート樹脂、ガラス
、エポキシ樹脂のように記録媒体の書込みや読出しに用
いられる光の波長で透明な材料から構成される。

また、保護膜１３ａと＋３ｂとは、例えば５ｉＯ１Ｓｉ
０２、Ａ見Ｎ　、　５ｉＪ４、／１（ｊＳｉＮ　、　Ａ
（ｊｓｉＯＮといった保護膜材料を被着させて形成する
。

さらに、磁性膜１５は前述したＲＥ−ＴＭ金合金ら構成
され、このような合金として例えばＴｂ−Ｆｅ合金、Ｔ
ｂ　−Ｃｏ合金、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金またはその他、
希土類金属と遷移金属との組み合わせが、種々、知られ
ている。

これに加えて、反射膜１７を構成する材料としては、ア
ルミニウム（／ｌｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（
Ｃｕ）またはチタン（Ｔｉ）といった反射膜材料が知ら
れている。

また、上述の反射膜１７ヲ具えて構成した記録媒体とし
ては、基板１１の表面に、保護膜１３ａ、磁性膜１５、
反射膜１７及び保護膜＋３ｂを順次積層した構成の記録
媒体２１（第５図（Ｂ）ｇ照）も知られている。

このような記録媒体は、外部磁界をかけた状態で、基板
１１から磁性膜１５へ向かう方向に１（ｕｍ）程度のス
ポット径に絞ったレーザビームを照射し、所謂、熱磁気
書込み方式によって情報の書込みが行なわれる。即ち、
上述のレーザヒムによって局部的に加熱された磁性膜は
保磁力か低下し、この際、記録情報を担った外部磁界に
より、磁性膜に情報が書き込まれる。また、このような
記録情報の書込みを上述したレーザビームのビット長や
間隔によって行なうことも成されている。

上述した説明からも理解できるように、光磁気記録媒体
の記録感度は、磁性膜に対する保温性と多重反射の度合
とに大きく影響を受ける。

従って、このような観点から反射膜を見た場合、熱伝導
率が小さい材料で反射膜を構成して書込み時の放熱を抑
制すると共に、反射率が高い材料で当該膜を構成し、読
出し時の多重反射を効率良く行なうことが要求される。

（発明が解決しようとする課題） 上述したように、従来知られている反射膜材料のうち、
銀（八９）を用いて反射膜を構成する場合には、Ａ９が
高い反射率を有するため、約４８（ｄＢ）のＣＮ比を達
成することができる。しかしながら、この反面、熱伝導
率が大きいので、磁性膜の放熱を補うために、書込みに
用いるレーザビームの出力に相当する記録パワーを高エ
ネルギーとする必要か有った。

この発明の目的は、上述した従来の問題点に鑑み、銀単
体で反射膜を構成した場合に比べて小さな記録パワーで
書込むことができ、しかも実用的な読出し感度を有する
光磁気記録媒体を提供することに有る。

（課題を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この出願の第発明に係る光
磁気記録媒体によれば、基板上に少なくとも磁性膜と反
射膜とを具えて成る光磁気記録媒体において、 上述の反射膜が、銀（Ａｇ）とマンガン（Ｍｎ）とから
成る ことを特徴としている。

この第一発明の実施に当っては、上述した反射膜の、銀
（Ａｇ）−マンガン（Ｍｎ）におけるマンガン（Ｍｎ）
の添加率を２（原子％）以上３２（原子％）以下とする
のが好適である。

また、この出願の第二発明に係る光磁気記録媒体の構成
によれば、基板上に少なくとも磁性膜と反射膜とを具え
て成る光磁気記録媒体において、 上述の反射膜が、銀（Ａｇ）とマンガン（Ｍｎ）と錫（
Ｓｎ）とから成る ことを特徴としている。

この第二出願の実施に当っては、上述した銀（Ａｇ）−
マンガン（Ｍｎ）−錫（Ｓｎ）からなる反射膜の組成を
、 ■マンガン（Ｍｎ）の添加率を１（原子１％）とした場
合には、錫（Ｓｎ）の添加率を１（原子％）以上２３（
原子％）以下 ■マンガン（Ｍｎ）の添加率を７（原子％）とした場合
には、錫（Ｓｎ）の添加率を１（原子％）以上２０（原
子％）以下 ■マンガン（Ｍｎ）の添加率ヲ１５（原子％）とした場
合には錫（Ｓｎ）の添加率を１（原子％）以上１４（原
子％）以下 の、夫々の範囲内とするのが好適である。

（作用） この出願の第一発明に係る光磁気記録媒体によれば、Ｃ
Ｎ比を高く採り得る銀（Ａｇ）と、マンガン（Ｍｎ）と
によって反射膜を構成する。これがため、Ｍｎ７ａ含む
構成とすることによりＡ９単体で構成された反射膜に比
べて記録パワーの低減を図ることができる。

また、この出願の第二発明に係る光磁気記録媒体によれ
ば、ＣＮ比を高く採り得る銀（Ａｇ）と、マンガン（Ｍ
ｎ）及び錫（Ｓｎ）との組み合わせで反射膜を構成する
。これがため、Ｍｎ及びＳｎｔ含む構成とすることによ
り、Ａ９単体で構成された反射膜に比べて記録パワーの
低減を図ることができる。

（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の実施例につき説明す
る。尚、以下説明する実施例は、この発明の範囲内の好
ましい数値例、その他の条件で説明するが、これらは単
なる例示であって、この発明がこれら条件にのみ限定さ
れるものではないことを理解されたい。

以下、第一発明に係る銀（Ａｇ）とマンガン（Ｍｎ）と
によって反射膜を構成する場合を実施例１とし、第二発
明に係る銀（Ａｇ）とマンガン（Ｍｎ）及び錫（Ｓｎ）
とによって反射膜を構成する場合を実施例２として説明
する。

東】ｌ性１ ます、この実施例］では、銀（Ａｇ）とマンガン（Ｍｎ
）とで構成される反射膜におけるＭｎの添加率を種々に
変え、異なる膜厚の反射膜を形成した複数の光磁気記録
媒体につき、記録パワーとＣＮ比とを測定した。

〈光磁気記録媒体の作製〉 始めに、図面を参照して、測定試料となる光磁気記録媒
体の作製手順につき説明する。

この実施例では、前述した第５図（Ｂ）に示す構成で記
録媒体を作製し、基板１１の表面に、保護膜１３ａ、磁
性膜１５、反射膜１７及び保護膜＋３ｂを順次積層して
、測定試料となる光磁気記録媒体２１を得た。

まず、ポリカーボネートから成る基板１１の表面に、膜
厚７００（λ）で窒化珪素アルミニウム（＃ｊＳｉＮ）
から成る保護膜１３ａを被着せしめる。

この被着はマグネトロシスバッタ法によって行ない、被
着条件は、投入電力か約５００（Ｗ　）、アルゴンのガ
ス圧が３　（ｍＴｏｒｒ）とした。

続いて、上述の被着方法及び被着条件によって、テルビ
ウム：鉄：コバルトの原子数の比が２２ニア０：８の組
成を有するターゲットを用い、保護膜１３ａの表面に約
３００（人）の膜厚で磁性膜１５を被着する。

次に、上述した保護膜＋３ｂの表面に、Ａ９とＭｎとに
おけるＭｎの添加率をＯ〜４５（原子％）の範囲内で種
々に変え、さらに、膜厚を２００（人）、３００（大）
及び４００（λ）として、Ｍｎ添加率と膜厚とが異なる
反射膜１７を、夫々、被着形成する。

この時の被着条件は、前述と同様に投入電力５００（Ｗ
）　、アルゴンガス圧３　（ｍＴｏｒｒ）とし、各々の
単一金属から成るターゲット同士を重ねた際の、被スパ
ツタ面における面積比を変えることにより、上述したＭ
ｎの添加率を種々に変えた。

然る後、上述した反射膜１７の表面に、保護膜１３ａと
同一の被着条件及び膜厚１こよって、ＡＱＳｊＮから成
る保護膜＋３ｂを被着し、測定試料として、反射膜１７
の組成が異なる複数の光磁気記録媒体２１を得た。

〈特性測定の手順〉 次に、上述した測定試料としての記録媒体につき、記録
パワー及びＣＮ比を測定した手順につき説明する。

まず、各試料の記録パワーの測定（こ当っては、波長８
３０（ｎｍ）の光を用い、回転数１８００（ｒ、ｐ、ｍ
、）、デユーティ−３３（％）、記録周波数３．７（Ｍ
Ｈｚ）の記録条件に統一して行なった。

また、ＣＮ比の測定は上述した条件で夫々の試料に応じ
た記録パワーを以って書込んだ後、読出しパワー１．０
（ｍＷ）　、バント幅３０（にＨｚ）の読出し条件で行
なった。

〈特性測定の結果〉 次に、図面を参照して、上述した記録パワ及びＣＮ比の
測定結果と、Ａ９−ＭｎにおけるＭｎの添加率との関係
につき説明する。

第１図は、上述した添加率と記録パワーとの関係を説明
するため、縦軸に記録パワー（ｍＷ）及び横軸１こは八
ｇ−ＭｎにおけるＭｎの添加率（原子％）を夫々採って
示す特性曲線図である。同図中、曲線ａは膜厚を４００
（λ）として反射膜を具えた試料の結果、曲線すは膜厚
を３００（人）として反射膜を具えた試料の結果、及び
曲線Ｃは膜厚を２００（λ）として反射膜を具えた試料
の結果を、各々、表わしている。

この第１図からも理解できるように、反射膜におけるＭ
ｎ添加率が０（原子％）（Ａｇのみから成る反射膜に相
当）である試料の場合、記録パワは反射膜の膜厚によっ
て異なり、膜厚が４００（＾）では約８．０（ｍＷ）　
、３００（λ）では約６．２（ｍＷ）、２００（大）で
は約５．４（ｍＷ）であった。

これに対して、Ｍｎの添加率を増加させること１こよっ
て記録パワーは減少し、例えば、Ｍｎ添加率を２（原子
％）　（ＡｇｅａＭｎ２の反射膜に相当）として作製し
た試料では、膜厚が４００（λ）では約６．０（ｍＷ）
、３００（λ）では約５．　Ｏ（ｍＷ）、２００（人）
では約４．４（ｍＷ）にまで、夫々、記録パワーを低減
させることができた。

また、反射膜の膜厚を４００（Ａ）とした場合、曲線ａ
から理解できるように、Ｍｎ添加率を上述した２（原子
％）から増加させるに従って記録パワーは減少傾向を示
し、Ｍｎ添加率ヲ４５（原子％）として作製した試料で
は約４．０（ｍＷ）の記録パワーが得られ、当該添加率
を４５（原子％）以上としても、実質的な記録パワーの
低減は図れなかった。

方、この膜厚を３００（λ）（曲線ｂ）または２００（
人）（曲線Ｃ）とした場合には、いずれも−度は減少傾
向を示した記録パワーか、Ｍｎ添加率を増加させるに従
って、再度、増大してしまうのが理解できる。

続いて、第２図ヲ参照して、上述した実施例１の記録媒
体に関するＣＮ比の測定結果とＭｎ添加率との関係につ
き説明する。

第２図は、上述した添加率とＣＮ比との関係を説明する
ため、縦軸にＣＮ比（ｄＢ）及び横軸にはＡ９Ｍｎにお
けるＭｎの添加率（原子％）を夫々採って示す特性曲線
図である。同図中においても、第１図と同様に、各々の
膜厚に対応させて曲線に符号を付して有る。

この第２図からも理解できるように、反射膜におけるＭ
ｎ添加率が０（原子％）（Ａｇのみから成る反射膜に相
当）である試料（曲線ａ）の場合、いずれの膜厚であっ
ても、ＣＮ比は約４８．０（ｄＢ）であった。Ｍｎ添加
率を増加させることによるＣＮ比の低下は当該添加率が
７（原子％）（Ａｇ９Ｊｎ７の反射膜に相当）程度まで
の範囲内では実質的に認められず、約４８．０（ｄＢ）
の値が維持された。ざらに、Ｍｎの添加率を上述の７（
原子％）から増加させるに従ってＣＮ比は低下するのか
理解できる。

その低下の度合は、反射膜の膜厚が小さい程大きく成り
、Ｍｎ添加率ヲ４５（原子％）　　（ＡｇｓｓＭｎ４５
）として作製した記録媒体では、膜厚が４００（λ）の
場合に約４４．０（ｄＢ）　（曲線ａ）　、３００（人
）では約４３．０（ｄＢ）　（曲線ｂ　）　、２００（
Ａ　）では３９（ｄＢ）程度（曲線Ｃ）のＣＮ比であっ
た。

以下、上述した第１図及び第２図を参照して、第一発明
の＾ｑ−Ｍｎによって構成される反射膜におけるＭｎｉ
加率の好適範囲につき説明する。

これら２つの特性曲線図に示す結果からも理解できるよ
うに、Ｍｎ添加率と記録パワーとの関係は反射膜の膜厚
によって異なり、当該膜厚を４００（人）とした場合に
は、Ｍｎ添加率を大きくするに従って記録パワーの低減
を図ることができる。

しかしながら、３００（λ）以下の膜厚で反射膜を形成
した場合、Ｍｎ添加率の増加による反射特性の劣化を来
して光か透過してしまう割合のほうが大きくなり、ＣＮ
比の低下及び記録パワーの増大を来す。

これらの知見から、Ｍｎ添加率の好適範囲の下限は記録
パワーの測定結果から設定し、当該範囲の上限はＣＮ比
の測定結果から設定すれば良い。

まず、第１図に示す曲線から理解できるように、Ｍｎ添
加率を比較的低い値の範囲内で増加させるに従って記録
パワーの低減を図ることができる。ここで、曲線の傾き
に注目すれば、この傾きはＭｎ添加率か約３．５（原子
％）近傍から徐々に小さくなり始めるのが理解できる。

従って、Ａｇ−ＭｎｆこおけるＭｎの添加率の下限は上
述した値を含み、２（原子％）以上とするのが好適であ
る。

また、ＣＮ比については、ＩＳＯ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ
ｏｎａｌＯｒ９ａｎｉｚａｔｉｏｎ　ｆｏｒ　５ｔａｎ
ｄａｒｄｉｚａｔｉｏｎ：国際標準化機構）の国際規格
によって、回転数１８００（ｒ、ｐ、ｍ、）及び周波数
３．７（ＭＨｚ）で書き込みを行なった場合（こ４５（
ｄＢ）以上を満たすことが要求されている。

従って、この規格を満たすＭｎの添加率を第２図から求
め、当該添加率を３２（原子％）以下とすれば良いこと
が理解できる。

上述した説明からも理解できるように、銀単体で反射膜
を構成した場合に比べて小さな記録パワーで書込むこと
ができ、しがも実用的な読出し感度を有する反射膜を得
るには、Ａ９−ＭｎにおけるＭｎの添加率を２（原子％
）以上、３２（原子％）以下とするのが好適である。

東１１性λ この実施例２では、銀（八９）とマンガン（Ｍｎ）及び
錫（Ｓｎ）とで構成される反射膜において、ＭｎとＳｎ
との添加率を種々に変えて反射膜を形成した試料につき
、記録パワーとＣＮ比とを測定した結果を説明する。尚
、特性測定と当該測定に当っての試料となる記録媒体の
作、製とについては、実施例１で述べた条件に統一して
行なった。従って、以下の説明においでは重複説明を回
避するため、測定結果についてのみ図面を参照して説明
する。

また、ＭｎとＳｎとの添加率を変えるに当っては、Ａ９
−Ｍｎ−３ｎにおけるＭｎの添加率を一定とした条件下
でＳｎの添加率のみを種々に変えて複数の記録媒体を作
製することにより行なった。さらに、この実施例では、
反射膜の膜厚を４００（人）として作製した記録媒体と
、当該膜厚を２００（λ）として作製した記録媒体との
測定結果につき説明する。

第３図（Ａ）及び（Ｂ）は、Ａ９−Ｍｎ−Ｓｎにおける
Ｍｎ添加率及び５ｎ５ｆｉ加率と、記録パワーとの関係
を説明するため、縦軸に記録パワー（ｍＷ）及び横軸に
はＳｎの添加率（原子％）を夫々採って示す特性曲線図
である。これら特性曲線図のうち、第３図（Ａ）は反射
膜の膜厚を４００（λ）とした場合の測定結果を表わし
、第３図（Ｂ）は当該膜厚を２００（λ）とし７′Ｌｚ
ｔｉ合の結果を表わしている。ざらに、これら図中、曲
線工は第二発明に係る反射膜との比較を行なうため、Ｍ
ｎｉ添加することなくＡ９とＳｎとの組成を種々に変え
て作製した試料の測定結果を示している。また、曲線Ｉ
Ｉ〜曲線Ｖは、Ｍｎの添加率を１（原子％）、７（原子
％）、１５（原子％）または３０（原子％）で一定とし
、各々、Ｏ〜３５（原子％）の範囲内でＳｎの添加率を
種々に変えで作製した複数の試料の測定結果を示す。こ
れら曲線に関する説明の理解を容易とするため、曲線■
には’Ａ９＋ｏｏ−ｘＳｎｘＪ　、曲線■にはｒＡ９ｅ
ｅ−ｘＭｎＳｎｘ　Ｊ　、曲線■（こはｒ　Ａ（１゜３
−ｘＭｎ７Ｓｎｘ　Ｊ　、曲線■には’Ａ９ａ５−ｘＭ
ｎ＋５Ｓｎｘ　Ｊ及び曲線（こは「八９７ｏ−ｘＭｎ３
ｏＳｎｘ　Ｊ　　（イ旦し、Ｘ＞Ｏ）のように、各々の
曲線が表わす測定試料の反射膜の組成を包括的に表わす
表現を付しである。

まず、４００（λ）の膜厚を有する反射膜では、この第
３図（Ａ）に示す曲線Ｉと曲線ＩＩとの比較から、Ａ９
にＳｎのみを添加した場合に比べて、Ａ９に１（原子％
）のＭｎとＳｎとを添加した場合には、記録パワー低減
の度合が大きい。また、上述の曲線工と、曲線■〜Ｖと
の各々の比較から、所定のＳｎ添加率ではＭｎ添加率を
大きく採った記録媒体はど、記録パワーは小さな値を採
ることが理解できる。

以下、この第３図（Ａ）の曲線■〜Ｖにより示される反
射膜組成と記録パワーとの関係につき、具体的な数値を
例示する。

まず、Ｓｎの添加率を１（原子％）とした場合の記録パ
ワーにつき比較すれば、曲線工に係る記録媒体（Ａｇｓ
ｅＳｎの反射膜）では約７．６　（ｍＷ）の記録パワー
であるのに対して、曲線Ｈに係る記録媒体（ＡｇｅａＭ
ｎＳｎ）では約５．７（ｍＷ）　、曲線■に係る記録媒
体（ＡｑｓＪｎ７Ｓｎ）では約５．０（ｍＷ）　、曲線
■に係る記録媒体（Ａｇａ４Ｍｎ　＋　５Ｓｎ）では約
４．３（ｍＷ）及び曲線■に係る記録媒体（ＡｇｓｅＭ
ｎ３ｏＳｎ）では約４．０（ｍＷ）の、夫々の記録パワ
ーが得られた。

ざらに、この実施例２の記録パワー測定の上限であるＳ
ｎ添加率が３５（原子％）の場合につき比較すれば、曲
線Ｉ（こ係る記録媒体（Ａｇ．ｓＳｎの反射膜）では約
５　、５　（ｍＷ）の記録パワーであるのに対して、曲
線■に係る記録媒体（ＡｇｅａＭｎＳｎ）では約４．１
（ｍＷ）、曲線■に係る記録媒体（ＡｇｅＪｎ７Ｓｎ）
では約３．８（ｍＷ）　、曲線■に係る記録媒体（Ａｇ
ａＪｎ＋５Ｓｎ）では約３．６（ｍＷ）及び曲線Ｖに係
る記録媒体（Ａｇ６゜Ｍｎ３ｏＳｎ）では約３．３（ｍ
Ｗ）となった。尚、Ｍｎ添加率を上述した３０（原子％
）よりも大きな値とした場合であっても、各々のＳｎ添
加率に応じて記録パワーの低減を図ることができた。し
かしながら、この第３図（Ａ）に示す曲線Ｈ−Ｖの比較
からも理解できるように、Ａ９−Ｍｎ−Ｓｎの反射膜に
おいてＭｎの占める割合が大きいほど、Ｓｎの添加率を
増加させてゆく際に得られる記録パワーの低減の度合は
小さくなる傾向が認められる。

次（こ、２００（λ）の膜厚を有する反射膜でも、第３
図（Ｂ）に示す曲！ｍＩと曲線ＩＩとの比較から、Ａ９
−８ｎの反射膜を具えた記録媒体に比べて、Ａ９と１（
原子％）のＭｎとにＳｎを添加した記録媒体では、記録
パワー低減の度合が大きい。

また、上述の曲線Ｉと、曲線■〜Ｖとの各々の比較から
、反射膜の膜厚が２００（人）と薄い場合、記録パワー
は、Ｍｎ添加率とＳｎ添加率とに依存して、複雑な変化
を示すのが理解できる。

この第３図（Ｂ）の曲線工〜Ｖにより示される反射膜組
成と記録パワーとの関係につき、具体的な数値を例示す
る。

ます、Ｓｎの添加率を１（原子％）とした場合の記録パ
ワーにつき比較すれば、曲線■に係る記録媒体（Ａｇ９
９Ｓｎの反射膜）では約５．５（ｍＷ）の記録パワーで
あるのに対して、曲線Ｈに係る記録媒体（ＡｇｅａＭｎ
ｓｎ）では約４．４（ｍＷ）　、曲線■に係る記録媒体
（ＡｇｓＪｎ７Ｓｎ）では約３．４（ｍＷ）　、曲線■
に係る記録媒体（ＡｇａＪｎ＋５Ｓｎ）では約２．９（
ｍＷ）及び曲線Ｖに係る記録媒体では（ＡｇｅｅＭｎ３
ｏＳｎ）では約３．５（ｍＷ）の、夫々の記録パワーが
得られた。

この第３図（Ｂ）から見て採れるように、Ｓｎ添加率を
増加せしめることによって、当該添加率か比較的小さな
範囲では、いずれのＭｎ添加率の場合であっても、Ａ９
−３ｎの反射膜に比べて記録パワーの低減を図ることが
できるが、Ｓｎ添加率が大きくなると、記録パワーが増
大傾向を示すように成る。これは、反射膜が２００（人
）程度の小さな膜厚で形成されているため、Ｓｎの添加
率が多く成る程透過率が高まり、書込みに用いた記録パ
ワーを有効に利用できないためと考えられる。

また、Ａ９−Ｍｎ−８ｎから成る反射膜において、Ｍｎ
添加率を大きく採るほど、記録パワーが増大に転じる際
のＳｎ添加率は少ないのか理解できる。

続いて、第４図（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、上述した
実施例２の記録媒体に関するＣＮ比の測定結果と、Ｍｎ
及びＳｎの添加率との関係につき説明する。

第４図（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２に係る記録媒体に
関するＭｎ及びＳｎの添加率とＣＮ比との関係を説明す
るため、縦軸にＣＮ比（ｄＢ）及び横軸にはＳｎの添加
率（原子％）を夫々採って示す特性曲線図であり、第４
図（Ａ）は反射膜の膜厚が４００（λ）の場合の結果を
表わし、第４図（Ｂ）は当該膜厚を２００（人）とした
場合の結果を表わす。

さらに、これら図に示す曲線には、第３図（Ａ）及び（
Ｂ）に対応して曲線工〜Ｖの符号と共に、各々の曲線か
表わす記録媒体の反射膜の包括的な組成式を付しである
。

まず、比較的膜厚が大きな４００（λ）の反射膜を具え
た記録媒体の場合、第４図（Ａ）に示す曲線Ｉ−Ｖから
も理解できるように、銀単体に対してＭｎ或いはＳｎヲ
添加して作製した記録媒体では、総じてＣＮ比の低下を
来たした。前述したＩＳＯの国際規格である４５（ｄＢ
）のＣＮ比にまで低下するＳｎの添加率を示せば、Ｍｎ
を添加せずに作製した記録媒体（曲線Ｉ）では約３２（
原子％）　、Ｍｎを１（原子％）添加した記録媒体（曲
線ＩＩ　）では約２８（原子％）　、Ｍｎを７（原子％
）添加した記録媒体（曲線■）では約２４（原子％）　
、Ｍｎ＠　１５　（原子％）添加した記録媒体（曲線■
）では約１８（原子％）及びＭｎを３０（原子％）添加
した記録媒体（曲線Ｖ）では約６．５（原子％）の、夫
々の値であった。

次に、第４図（８）に示す曲線からも理解できるように
、比較的膜厚が小さな２００（人）の反射膜を具えた記
録媒体の場合であっても、総じてＣＮ比の低下を来たし
た。前述した４５（ｄＢ）のＣＮ比（こまで低下するＳ
ｎの添加率に着目すれば、Ｍｎを添加せずに作製した記
録媒体（曲線工）では約２７（原子％）　、Ｍｎを１（
原子％）添加した記録媒体（曲線■）では約２３（原子
％）　、Ｍｎを７（原子％）添加した記録媒体（曲線■
）では約２０（原子％）、Ｍｎを１５（原子％）添加し
た記録媒体（曲線■）では約１４（原子％）及びＭｎを
３０（原子％）　：、ｙＡ加した記録媒体（曲線Ｖ）で
は約３（原子％）の、夫々の値であった。

上述した第３図（Ａ）及び第４図（Ａ）と、第３図（Ｂ
）及び第４図（Ｂ）との比較からも理解できるように、
同一組成の反射膜の膜厚を小さく採ることによって、Ｃ
Ｎ比が低下してしまう。従って、実用に供し得るＣＮ比
を達成し、しかも記録パワー低減を図るためには、Ａ９
−　Ｍｎ　−Ｓｎから成る反射膜を構成するに当って、
膜厚が小ざい場合の結果を尺度としで、Ｍ　ｎ　５ＦＡ
加率及びＳｎ添加率に、より狭い好適節回を設定する必
要が有る。

以下、第３図（Ｂ）及び第４図（Ｂ）を参照して、第二
発明のＡｇ−Ｍｎ−５ｎで構成される反射膜の、Ｍｎ添
加率とＳｎ添加率の好適範囲につき説明する。

始めに、マンガン（Ｍｎ）添加率の好適範囲につき説明
する。

ます、第３図（Ｂ）に示す曲線■と曲線■〜Ｖとの比較
から理解できるように、Ｍｎ添加率を１（原子％）以上
とすれば、Ａ９にＳｎのみを添加する場合に比して、充
分な記録パワーの低減効果が得られる。

一方、第４図（Ｂ）に示す４５（ｄＢ）以上のＣＮ比を
達成し得るＳｎ添加率の範囲に着目し、曲線■（閘ｎ添
加率１５（原子％））のうちでＳｎ添加率が約３〜７（
原子％）の範囲内ではＣＮ比の低下が比較的紙やかにな
っている。このような傾向は曲線１１（Ｍｎ添加率１（
原子％））、曲線ＩＩＩ（Ｍｎ添加率７（原子％））及
び曲線ＩＶ（Ｍｎ添加率１５（原子％））に関しても認
められる。これに対して、Ｍｎ添加率ヲ３０（原子％）
とした曲線Ｖでは、測定した範囲内のいずれのＳｎ添加
率でもＣＮ比の低下傾向が連続して見られる。これから
理解できるように、Ｍｎ添加率の好適範囲は１５（原子
％）以下とすれば良い。

上述したように、記録パワーの低減効果とＣＮ比の低下
とから、Ｍｎ添加率の好適範囲を１（原子％）以上１５
（原子％）以下に設定すれば良いことが理解できる。

次に、錫（Ｓｎ）添加率の好適範囲につき説明する。

ます、第３図（Ｂ）から、Ａ９単体で構成した反射膜を
具える記録媒体が約５．７（ｍＷ）の記録パワーである
のに対して、Ｓｎ添加率を１（原子％）以上に設定すれ
ば、曲線ＩＩ　−Ｖとして示すいずれのＭｎ添加率であ
っても２０（％）以上の記録パワー低減を図ることがで
きる。

また、第４図（Ｂ）に示すＣＮ比の測定結果を参照して
既に説明したように、Ｓｎ添加率の上限は実用上充分な
特性とされる国際規格から、４５（ｄＢ）以上のＣＮ比
を満足するように設定すれば良い。

従って、第二発明に係る実施例２の測定結果から得られ
、Ａｇ　−Ｍｎ　−Ｓｎ＠反射膜とした場合の組成範囲
は、 ■曲線ＩＩに示す結果から、Ａ９９゜−ｘＭｎＳｎｘの
組成式で表わされる反射膜組成の場合には、錫（Ｓｎ）
の添加率を１（原子％）以上２３（原子％）以下■曲線
■に示す結果から、Ａ９゜３−ｘＭｎ７ｓｎｘの組成式
で表わされる反射膜組成の場合には、錫（Ｓｎ）の添加
率１Ｆ！、１（原子％）以上２０（原子％）以下０曲線
■に示す結果から、八９ａｓ−ｘＭｎ＋　５Ｓｎｘの組
成式で表わされる反射膜組成の場合には、錫（Ｓｎ）の
添加率を１（原子％）以上１４（原子％）以下 の夫々の範囲内とするのが好適である。

東１１性旦 この実施例３では、上述した実施例１及び実施例２の記
録媒体の代わりに、光磁気記録媒体の他の構成例として
、第５図（Ａ）に示す積層関係で記録媒体を作製し、記
録パワー及びＣＮ比を測定した。

各構成成分の膜厚及び材料につき説明すれば、ポリカー
ボネートからなる基板１１の表面に、膜厚７００（＾）
で窒化珪素アルミニウム（／ｌＱ、５ｉＮ）から成る保
護膜１３ａ、膜厚３００（人）で前述した組成のＴｂ−
Ｆｅ−Ｇｏから成る磁性膜１５及び膜厚１０００　（人
）で上述の＃、ＳｉＮから成る保護膜＋３ｂを順次被着
形成する。

然る後、この保護膜＋３ｂの表面に、第二発明に係るＡ
ｇ−Ｍｎ−３ｎ系の反射膜構成の一例として、Ａ９ａｅ
Ｍｎ７Ｓｎ７の組成式で表わされる反射膜を４００（人
）或いは２００（人）の膜厚で被着形成し、実施例３に
係る光磁気記録媒体１９を得た。

尚、これら保護膜を含む構成成分の被着は前述した実施
例１及び実施例２と同一の条件として行なった。

また、Ａ９のみから成る反射膜を具えることを除いては
同一の条件で記録媒体を別途作製し、これら２つの記録
媒体につき、前述した手順及び数値条件で、記録パワー
とＣＮ比とを測定した。

その結果、反射膜の膜厚を４００（λ）としで作製した
比較例（こ係る記録媒体では、８　（ｍＷ）の記録パワ
ー及び５０．４（ｄＢ）のＣＮ比か得られた。一方、上
述の膜厚を２００（人）とした比較例に係る記録媒体で
は、５．７（ｍＷ）の記録パワー及び５０．２（ｄＢ）
のＣＮ比が得られた。

これに対して、反射膜の膜厚を４００（λ）とした実施
例３に係る記録媒体では、４．５（ｍＷ）の記録パワー
と、実質的（こ比較例と同程度である５０、　Ｉ（ｄＢ
）のＣＮ比とが得られた。さらに、当該膜厚を２００（
大）とした実施例３に係る記録媒体では、３．１（ｍＷ
）の記録パワー及び５０．０（ｄＢ）のＣＮ比とが得ら
れた。

この結果からも理解できるように、この出願に係る実施
例２の記録媒体と、比較例に係る従来の記録媒体のいず
れであっても、保護膜の配設位晋を変更することによっ
て、記録感度を低下させることなく、カー効果エンハン
スメントによるＣＮ比の向上を図ることができる。従っ
て、種々の積層関係で光磁気記録媒体を作製するに当っ
て、この出願に係る発明を利用することにより、実施例
１及び実施例２に係る記録媒体として測定した結果より
も高いＣＮ比を実現することができる。

以上、この出願に係る発明の実施例につき詳細（こ説明
したか、この発明は、上述した実施例にのみ限定される
ものではないこと明らかである。

例えば、上述の実施例では、光磁気記録媒体を構成する
基板、磁性膜及び保護膜につき、材料、膜厚及びその他
、特定の条件を例示して説明した。しかしながら、この
発明は、これら条件に限定してのみ効果が得られるもの
ではない。

また、第−発明及び第二発明に係る実施例として所定の
反射膜組成を有する記録媒体を作製し、好適範囲につき
説明したが、この出願に係る発明は、この好適範囲内で
のみ効果が得られるものではないこと明らかである。例
えば実施例２においては、説明の理解を容易とするため
、所定のＭｎ添加率を例示し、Ｍｎ添加率を一定とした
条件下でＳｎ添加率の好適範囲につき検討した。しかし
ながら、Ｍｎ添加率とＳｎ添加率との組成範囲は、実施
例として例示した好適範囲内でのみ効果が得られるもの
ではなく、例示した反射膜組成を任意好適（こ変更して
作製した記録媒体であっても同等の効果を期待し得る。

これに加えで、上述した一連の実施例では、反射膜を構
成するに当って、所定の膜厚を例示して説明したが、こ
の出願に係る発明は、例示した膜厚にのみ限定されるも
のではない。詳細なデータを省略するが、この出願に係
る発明者の実験によれば、反射膜の膜厚を５００（人）
とした場合には、磁性膜での書き込みに利用し得る熱が
反射膜を介して散逸しでしまい、良好な記録パワーを達
成することが難しがった。ざらに、反射膜の膜厚を１０
０（人）とした場合には、反射膜自体に透過性を生じ、
有効なカーエンハンスメント効果を得ることができず、
ＣＮ比の低下及び記録パワーの増大が著しかった。従っ
て、この発明を適用するに当っては、反射膜の膜厚８２
００〜４００（＾）程度に設定すれば、良好な記録感度
を有する光磁気記録媒体を実現し得る。

これら、材料、膜厚、配ＭＭ係、数値的条件及びその他
、特定の条件は、この発明の目的の範囲内で、任意好適
な設計の変更及び変形を行ない得ること明らかである。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、ます、この出願の
第一発明に係る光磁気記録媒体によれば、銀（Ａｇ）と
マンガン（Ｍｎ）とによって反射膜を構成することによ
り、Ａ９が有する反射率を利用すると共に、Ｍｎによっ
て反射膜の熱伝導率を下げることができる。

また、この出願の第二発明に係る光磁気記録媒体によれ
ば、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）及び錫（Ｓｎ）の３
つの元素によって反射膜を構成することにより、第一発
明と同様に、八９の反射率を利用すると共に、ＭｎとＳ
ｎとによって反射膜の熱伝導率を下げることができる。

従って、この出願に係る第−発明及び第二発明を実施す
ること１こより、実用上充分なＣＮ比を維持し、しかも
小さな熱伝導率を実現することによって記録パワーの低
減を図り、優れた光磁気記録媒体を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、第一発明に係る実施例１を説明するため、縦
軸に記録パワー、及び横軸には＾９−ＭｎにおけるＭｎ
の添加率を各々採って示す特性曲線図、第２図は、第一
発明に係る実施例１を説明するため、縦軸にＣＮ比、及
び横軸にはＡ９−ＭｎにあけるＭｎの添加率を夫々採っ
て示す特性曲線図、第３図（Ａ）及び（Ｂ）は、第二発
明に係る実施例２を説明するため、縦軸に記録パワ及び
横軸にはＡ９−　Ｍｎ　−ＳｎにおけるＳｎの添加率を
各々採って示す特性曲線図、 第４図（Ａ）及び（Ｂ）は、第二発明に係る実施例２１
Ｆ！：説明するため、縦軸にＣＮ比、及び横軸にはＡｇ
　−Ｍｎ　−ＳｎにおけるＳｎの添加率を夫々採って示
す特性曲線図、 第５図（Ａ）及び（Ｂ）は、従来技術及び実施例を説明
するため、光磁気記録媒体の構成を概略的断面により示
す説明図である。 １１・・・・基板、１３ａ、　１３ｂ・・・・・保護膜
１５・・・・磁性膜、１７・・・・反射膜１９．２１・
・・・・光磁気記録媒体。 特 許 出 願 人 沖電気工業株式会社

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に少なくとも磁性膜と反射膜とを具えて成
   る光磁気記録媒体において、 前記反射膜が、銀（Ａｇ）とマンガン（Ｍｎ）とから成
   る ことを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）前記反射膜の、銀（Ａｇ）−マンガン（Ｍｎ）に
   おけるマンガン（Ｍｎ）の添加率を２（原子％）以上３
   ２（原子％）以下としたことを特徴とする請求項１に記
   載の光磁気記録媒体。
3. （３）基板上に少なくとも磁性膜と反射膜とを具えて成
   る光磁気記録媒体において、 前記反射膜が、銀（Ａｇ）とマンガン（Ｍｎ）と錫（Ｓ
   ｎ）とから成る ことを特徴とする光磁気記録媒体。
4. （４）前記反射膜の、銀（Ａｇ）−マンガン（Ｍｎ）−
   錫（Ｓｎ）におけるマンガン（Ｍｎ）の添加率を１（原
   子％）とし、かつ錫（Ｓｎ）の添加率を１（原子％）以
   上２３（原子％）以下としたことを特徴とする請求項３
   に記載の光磁気記録媒体。
5. （５）前記反射膜の、銀（Ａｇ）−マンガン（Ｍｎ）−
   錫（Ｓｎ）におけるマンガン（Ｍｎ）の添加率を７（原
   子％）とし、かつ錫（Ｓｎ）の添加率を１（原子％）以
   上２０（原子％）以下としたことを特徴とする請求項３
   に記載の光磁気記録媒体。
6. （６）前記反射膜の、銀（Ａｇ）−マンガン（Ｍｎ）−
   錫（Ｓｎ）におけるマンガン（Ｍｎ）の添加率を１５（
   原子％）とし、かつ錫（Ｓｎ）の添加率を１（原子％）
   以上１４（原子％）以下としたことを特徴とする請求項
   ３に記載の光磁気記録媒体。