JPS59217249A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS59217249A JPS59217249A JP9206983A JP9206983A JPS59217249A JP S59217249 A JPS59217249 A JP S59217249A JP 9206983 A JP9206983 A JP 9206983A JP 9206983 A JP9206983 A JP 9206983A JP S59217249 A JPS59217249 A JP S59217249A
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- Japan
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- rare earth
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- earth metal
- metal
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば書き換え可能な光磁気ディスクに適用
する光磁気記録媒体に係わる。
する光磁気記録媒体に係わる。
背景技術とその問題点
レーザー光、例えば半導体レーザー光による四き込み、
読み出しを行うことができ書き換え可能な光磁気ディス
ク等の光磁気記録媒体としζ、希土類金属−遷移金属系
の記録材料が用いられる。
読み出しを行うことができ書き換え可能な光磁気ディス
ク等の光磁気記録媒体としζ、希土類金属−遷移金属系
の記録材料が用いられる。
光磁気記録材料としての垂直磁化膜の磁気特性は、これ
に対する記録、すなわち磁気バブルの形成、再生、及び
消去の特性を決める重要な要素である。記録パワーの低
減化に関しては、硼化Ｍが大きく、抗磁ノ月１ｃ及びキ
ュリ一温度Ｔｃがイ１ζいことが望ましいが、再生信号
の大きさ、Ｃ／Ｎ （Ｓ／Ｎ）の改善に関し°ζは、こ
れが磁化の方向に基ずくカー回転角の大きさに依存（比
例）するものであり、このカー回転角θには、磁化Ｍ、
抗磁力１１ｃと同様に温度依存性を有し高温になるにつ
れてその値が小さくなるものであり、キュリ一点Ｔｃで
零となっ°ζしまう。したがっζこの種の光磁気記録材
料の特性としＣば、レーザー照射による温度」１昇に伴
う特性の低下、例えばカー回転角θにの低下による出力
低）を回避するために記録材料のキュリ一点が成る程度
高いことが要求される。このような要求からＴｂ−Ｒｅ
を主体とする希土類−遷移金属系光磁気記録材料ではキ
ュリ一点の商いＧｄ −ＦｅをＴｂ−Ｆｅに混入させる
ことによってキュリ一点Ｔ ｃ’ｃ ｉＡｌめるように
したＧｄＴｂ−Ｆｅが提イハされた。このＧｄＴｂ−Ｆ
ｅは、キュリ一点Ｔｃが市められたことにより、多少の
カー回転角の向−し、したがっ゛ζ多少のＣ／Ｎの向上
ははかられるものの、大きな向上はみられず、また、磁
化Ｍ及び抗磁力Ｉｌｃ等の磁気特性の向上には余り効果
が得られない。つまり、例えば第１図に夫々曲線［１，
＋２１及び（３）で示す磁化Ｍ、抗磁力Ｈｃ及びカー回
転角θにの温度特性を有するＴｂ−Ｆｅ系を主体とする
磁気材料において、上述したＧｄ−Ｆｅの添加によっ”
ζ、各特性を矢印ａにネオ方向に、すなわちキュリ一点
Ｔｃを向上させる方向の改善ははかっている。しかしな
がら、この場合、矢印す及びＣに示ず方向への改善は、
殆んどはかることができないものであって特に磁化Ｍ、
シカ−転角θにの値自体の向上はばかられてぃない。
に対する記録、すなわち磁気バブルの形成、再生、及び
消去の特性を決める重要な要素である。記録パワーの低
減化に関しては、硼化Ｍが大きく、抗磁ノ月１ｃ及びキ
ュリ一温度Ｔｃがイ１ζいことが望ましいが、再生信号
の大きさ、Ｃ／Ｎ （Ｓ／Ｎ）の改善に関し°ζは、こ
れが磁化の方向に基ずくカー回転角の大きさに依存（比
例）するものであり、このカー回転角θには、磁化Ｍ、
抗磁力１１ｃと同様に温度依存性を有し高温になるにつ
れてその値が小さくなるものであり、キュリ一点Ｔｃで
零となっ°ζしまう。したがっζこの種の光磁気記録材
料の特性としＣば、レーザー照射による温度」１昇に伴
う特性の低下、例えばカー回転角θにの低下による出力
低）を回避するために記録材料のキュリ一点が成る程度
高いことが要求される。このような要求からＴｂ−Ｒｅ
を主体とする希土類−遷移金属系光磁気記録材料ではキ
ュリ一点の商いＧｄ −ＦｅをＴｂ−Ｆｅに混入させる
ことによってキュリ一点Ｔ ｃ’ｃ ｉＡｌめるように
したＧｄＴｂ−Ｆｅが提イハされた。このＧｄＴｂ−Ｆ
ｅは、キュリ一点Ｔｃが市められたことにより、多少の
カー回転角の向−し、したがっ゛ζ多少のＣ／Ｎの向上
ははかられるものの、大きな向上はみられず、また、磁
化Ｍ及び抗磁力Ｉｌｃ等の磁気特性の向上には余り効果
が得られない。つまり、例えば第１図に夫々曲線［１，
＋２１及び（３）で示す磁化Ｍ、抗磁力Ｈｃ及びカー回
転角θにの温度特性を有するＴｂ−Ｆｅ系を主体とする
磁気材料において、上述したＧｄ−Ｆｅの添加によっ”
ζ、各特性を矢印ａにネオ方向に、すなわちキュリ一点
Ｔｃを向上させる方向の改善ははかっている。しかしな
がら、この場合、矢印す及びＣに示ず方向への改善は、
殆んどはかることができないものであって特に磁化Ｍ、
シカ−転角θにの値自体の向上はばかられてぃない。
一方、Ｔｂ−Ｐｅ糸の光磁気記録材料として、キュリ一
点の低いＤｙ −Ｆｅを添加したＤｙＴｂ−Ｆｅ糸材料
は、キュリ一点が低く、これによって記録パワーの減少
をはかることができるものである。
点の低いＤｙ −Ｆｅを添加したＤｙＴｂ−Ｆｅ糸材料
は、キュリ一点が低く、これによって記録パワーの減少
をはかることができるものである。
発明の目的
本発明においては、特に磁化及びカー回転角の向上、す
なわち−に述の第１図に不ず特性にお番ノる矢印す及び
Ｃ方向への改善をはかることができるようにした光磁気
記録媒体を提供するものである。
なわち−に述の第１図に不ず特性にお番ノる矢印す及び
Ｃ方向への改善をはかることができるようにした光磁気
記録媒体を提供するものである。
ずなわら本発明においては、磁化及びカー回転角の向上
によっζ、再生特性の向」二をはかると共に高密度記録
、Ｃ／Ｎ比の向上をはかることができる。ずなわぢ、こ
の種の記録における記録ビットの直径は抗磁力と磁化に
反比例するので、上述したよ・うに磁化の向上に伴って
記録ヒソ］・径の縮小化がはかられζ、これによって１
１〕１密度記録化。
によっζ、再生特性の向」二をはかると共に高密度記録
、Ｃ／Ｎ比の向上をはかることができる。ずなわぢ、こ
の種の記録における記録ビットの直径は抗磁力と磁化に
反比例するので、上述したよ・うに磁化の向上に伴って
記録ヒソ］・径の縮小化がはかられζ、これによって１
１〕１密度記録化。
Ｃ／Ｎの向上がはかられるものである。
発明のＪ既要
本発明におい°Ｃは、上述したような、希土類金属−遷
移金属系光磁気記録材料による光磁気記録媒体において
、希土類金属が１５〜３０原子％に、遷移金属が８５〜
７０原子％に、最も望ましい値としては、希土類金属が
約２０原子％、遷移金属が８０原子％の割合とし、しか
も遷移金属としては、特にＧｏを１〜２０原子％含むＦ
ｅＣｏを用い、また希土類金属としては、Ｔｂを用いる
か、１０原子％以ドのＧｄを含むＴｂＧｄを用いるか、
５０原子％以下のＯｙを含むＴｂＤｙを用いる。
移金属系光磁気記録材料による光磁気記録媒体において
、希土類金属が１５〜３０原子％に、遷移金属が８５〜
７０原子％に、最も望ましい値としては、希土類金属が
約２０原子％、遷移金属が８０原子％の割合とし、しか
も遷移金属としては、特にＧｏを１〜２０原子％含むＦ
ｅＣｏを用い、また希土類金属としては、Ｔｂを用いる
か、１０原子％以ドのＧｄを含むＴｂＧｄを用いるか、
５０原子％以下のＯｙを含むＴｂＤｙを用いる。
実施例
実施例１
遷移金属として４原子％Ｃｏ−残部Ｆｅ（１；）、トＰ
ｅＣｏ４と表わす）を８０重量％、希土類金属としζＴ
ｂを２０重量％とし゛ζ光磁気記録媒体を作製した。こ
の媒体は、第２図に示すように、基体（１）、例えばガ
ラス、或いはアクリル、ポリカーボネイト等より成るデ
ィスク基体上に、希土類金属層（２）と、遷移金属層（
３）とが、夫々１層以上例えば多層に順次交ＪＬに積層
されるようにすると共に、これら希土類金属層（２）と
遷移金属層（３）との間に、これら金属層（２）及び（
３）の各成分を共に含む中間層（４）を介在させる。
ｅＣｏ４と表わす）を８０重量％、希土類金属としζＴ
ｂを２０重量％とし゛ζ光磁気記録媒体を作製した。こ
の媒体は、第２図に示すように、基体（１）、例えばガ
ラス、或いはアクリル、ポリカーボネイト等より成るデ
ィスク基体上に、希土類金属層（２）と、遷移金属層（
３）とが、夫々１層以上例えば多層に順次交ＪＬに積層
されるようにすると共に、これら希土類金属層（２）と
遷移金属層（３）との間に、これら金属層（２）及び（
３）の各成分を共に含む中間層（４）を介在させる。
このような構成を有する光磁気記録媒体を得るには、希
土類金属と遷移金属とを夫々異るスパッター源として設
け、両スパックー源から基体（１）に向って同時に夫々
の金属をスパッタリングする。この場合、両スパッタリ
ング源からの基体（１）に対する土たるスパッタリング
位置がＪＬいに異るように、両スパッタリンク源と基体
との位置関係と、史に両スパンタリング源と基体との間
に配置するマスクを選定する。そし”Ｃ１これら各スパ
ッター倣と基体とを相対的に回転移動させることにょっ
”ζ基体ｆｉｌ １に、赤土１．１１金属層と、遷移金
属層とを積層し、両金属層間に希土類金属と遷移金属と
の両成分を含む中間層を介在させた光磁気記録層を形成
する。
土類金属と遷移金属とを夫々異るスパッター源として設
け、両スパックー源から基体（１）に向って同時に夫々
の金属をスパッタリングする。この場合、両スパッタリ
ング源からの基体（１）に対する土たるスパッタリング
位置がＪＬいに異るように、両スパッタリンク源と基体
との位置関係と、史に両スパンタリング源と基体との間
に配置するマスクを選定する。そし”Ｃ１これら各スパ
ッター倣と基体とを相対的に回転移動させることにょっ
”ζ基体ｆｉｌ １に、赤土１．１１金属層と、遷移金
属層とを積層し、両金属層間に希土類金属と遷移金属と
の両成分を含む中間層を介在させた光磁気記録層を形成
する。
このようにして、基体（１〕上に遷移金属層と希土類金
属ｊ留とが積層され”ζ形成された記録層におけるその
厚さ方向に関する各金属の分布は、例えば第３図に夫々
遷移金属を実線で、希土類金属を破線で不ずように、Ｊ
！ｔさ方向に交互にピークを有し、このピーク部では互
いに他の金属を殆んど含まないような分布を生じるよう
にする。ずなゎら遷移金属の分布のピーク部では、希土
類金属を殆んど含まずに遷移金属のみの層（３）が形成
されるようにし、希土類金属の分布のピーク部では遷移
金属を殆んど含まずに希土類金属のみの層（２）が形成
され、両ピーク部間において希土類及び遷移金属の両金
属を含む中間１％ （４１が形成されるようにする。
属ｊ留とが積層され”ζ形成された記録層におけるその
厚さ方向に関する各金属の分布は、例えば第３図に夫々
遷移金属を実線で、希土類金属を破線で不ずように、Ｊ
！ｔさ方向に交互にピークを有し、このピーク部では互
いに他の金属を殆んど含まないような分布を生じるよう
にする。ずなゎら遷移金属の分布のピーク部では、希土
類金属を殆んど含まずに遷移金属のみの層（３）が形成
されるようにし、希土類金属の分布のピーク部では遷移
金属を殆んど含まずに希土類金属のみの層（２）が形成
され、両ピーク部間において希土類及び遷移金属の両金
属を含む中間１％ （４１が形成されるようにする。
尚、この場合、基体に対するスパッタリングによる各金
属層の成長速度は、２〜２０人／秒就中５〜１０人／秒
となるように基体とスパックリング源との相対的回転速
度、そのほかのスパッタリング条件を選定することが望
ましい。すなわち、基体とスパッタリング源との相対的
回転速度が速すぎζ、その成長速度が２人／秒未満とな
ると、遷移金属と希土類金属とが夫々１楢状に形成され
難くなり、また２０人／秒を超えると磁気的特性が低下
しζくることが認められた。
属層の成長速度は、２〜２０人／秒就中５〜１０人／秒
となるように基体とスパックリング源との相対的回転速
度、そのほかのスパッタリング条件を選定することが望
ましい。すなわち、基体とスパッタリング源との相対的
回転速度が速すぎζ、その成長速度が２人／秒未満とな
ると、遷移金属と希土類金属とが夫々１楢状に形成され
難くなり、また２０人／秒を超えると磁気的特性が低下
しζくることが認められた。
尚、このスパッタリングを実施するスパンクリング装置
としζは、マグネトし１ン型構成をとり得るが、これを
特殊の構成とする。第４図はスパッタリング装置の一例
の路線的構成を示すもので、この場合、ベルン中（図示
せず）内に、軸心〇−〇′を中心として回転する基台（
６）を設け、これの例えば下面に目的とする光磁気記録
媒体を構成するガラス根、樹脂扱等より成る基体（１１
が配置される。そしζ、この基体（１）に対向して軸心
０−０′を中心に等月間Ｈ＋、４、ずなわぢ１８０°の
角間隔を保持しζ２個のスパッター源（７）及び（８）
を配置する。
としζは、マグネトし１ン型構成をとり得るが、これを
特殊の構成とする。第４図はスパッタリング装置の一例
の路線的構成を示すもので、この場合、ベルン中（図示
せず）内に、軸心〇−〇′を中心として回転する基台（
６）を設け、これの例えば下面に目的とする光磁気記録
媒体を構成するガラス根、樹脂扱等より成る基体（１１
が配置される。そしζ、この基体（１）に対向して軸心
０−０′を中心に等月間Ｈ＋、４、ずなわぢ１８０°の
角間隔を保持しζ２個のスパッター源（７）及び（８）
を配置する。
これらスパッター海（７）及び＋８＋と基台（６）、ず
なわぢ基体（１１との間には、スパッター源（７）及び
（８）より夫々スパッターされる金属のスパッターイ１
フ置を規制するマスク（９）を配置する。この例では、
スパッター源（７）は赤土幻１金属Ｔｂの板状体より成
るターゲット００）を有し、スパッター源（８）は、遷
移金属ＦｅＣｏ４の板状体より成るターゲラＩ−（１１
）をイ１して成る。
なわぢ基体（１１との間には、スパッター源（７）及び
（８）より夫々スパッターされる金属のスパッターイ１
フ置を規制するマスク（９）を配置する。この例では、
スパッター源（７）は赤土幻１金属Ｔｂの板状体より成
るターゲット００）を有し、スパッター源（８）は、遷
移金属ＦｅＣｏ４の板状体より成るターゲラＩ−（１１
）をイ１して成る。
（１２）及び（１３）は、人々マグネットを示す。
マスク（９）は、例えば第５図にボずように、ターゲラ
１−（１０）及び（１１）に対向する部分にこれらター
ゲラｌ−ＧＯ）及び（１１）の中心を通る直線Ｘ方向に
外側に向っζ広がる例えばいちょう形の窓（１４）及び
（１５）が穿設されζ成る。第５図においては内窓（１
４）及び（１５）の大きさは、同一に選ばれているが、
これら窓（１４）及び（１５）の面積は、基体ｆｌｌ上
に形成する記録層の希土類金属と、遷移金属との割合に
刻応する比率をもって形成し得る。
１−（１０）及び（１１）に対向する部分にこれらター
ゲラｌ−ＧＯ）及び（１１）の中心を通る直線Ｘ方向に
外側に向っζ広がる例えばいちょう形の窓（１４）及び
（１５）が穿設されζ成る。第５図においては内窓（１
４）及び（１５）の大きさは、同一に選ばれているが、
これら窓（１４）及び（１５）の面積は、基体ｆｌｌ上
に形成する記録層の希土類金属と、遷移金属との割合に
刻応する比率をもって形成し得る。
すなわち、この実施例１においＣは、希土類金属よる媒
体を作製した。
体を作製した。
実施例３
実施例１と同様の方法によるも、この場合、希土類金属
として、すなわちスパッター源（７）のターゲットａ〔
としてＤｙが５０１京子％以上のＴｂＤｙを用い、遷移
金属としζＦｅＣｏ４を用いた。
として、すなわちスパッター源（７）のターゲットａ〔
としてＤｙが５０１京子％以上のＴｂＤｙを用い、遷移
金属としζＦｅＣｏ４を用いた。
実施例２及び３のいずれの場合も、比較例１に比し、Ｍ
ｓ及びθにの向上がばかられた。
ｓ及びθにの向上がばかられた。
面、」二速の各実施例におい°乙遷移令属ＦｅＣｏのＣ
ｏの含有量を１〜２０原子％に選定するときは比較例に
比し、Ｍｓ、θにの向上がみられるが、より好ましくは
３〜７原子％であった。そして、この構成による光磁気
材料は、いわゆるキュリ一点記録材があった。尚、この
組成において、ＰｅＣｏにおけるＧｏの含有量が１原子
％未満でばＭｓ、θにの向上の効果は殆んどのられず、
２０原子％を越えると補償点記録材の性質を帯びて来゛
Ｃ１組成の多少のばらつきによっ゛ζキュリ一点記録材
か補償点記録材かに変化するので記録媒体の製造が１ｒ
ｔｊ例となる。
ｏの含有量を１〜２０原子％に選定するときは比較例に
比し、Ｍｓ、θにの向上がみられるが、より好ましくは
３〜７原子％であった。そして、この構成による光磁気
材料は、いわゆるキュリ一点記録材があった。尚、この
組成において、ＰｅＣｏにおけるＧｏの含有量が１原子
％未満でばＭｓ、θにの向上の効果は殆んどのられず、
２０原子％を越えると補償点記録材の性質を帯びて来゛
Ｃ１組成の多少のばらつきによっ゛ζキュリ一点記録材
か補償点記録材かに変化するので記録媒体の製造が１ｒ
ｔｊ例となる。
また、実施例２で挙げたように、希土類金属ＴｂＧｄを
用いる場合、そのＧｄはｌＯ原子％以ドとする。その理
由はＧｄが１０原子％を越える場合、キュリ一点Ｔｃが
ｔｒｔｒ ＜なり過き゛るごとを認めたことに３上る。
用いる場合、そのＧｄはｌＯ原子％以ドとする。その理
由はＧｄが１０原子％を越える場合、キュリ一点Ｔｃが
ｔｒｔｒ ＜なり過き゛るごとを認めたことに３上る。
また希土類金属とし°Ｃ実施例３で示したように１１３
１を添加するときはＴｃの（！に−１−の効果を１４Ｉ
ることができるので、遷移金属とし“ｊＣｏを添加する
ことによってＴｃが篩くなり過ぎることによるＴｃ調整
の効果を得ることができる。しかしながらＩ）ｙが５０
原子％を越えると、Ｔｃが低くなり過ぎ、これに伴う冒
頭に述べた諸欠点が生じζくる。
１を添加するときはＴｃの（！に−１−の効果を１４Ｉ
ることができるので、遷移金属とし“ｊＣｏを添加する
ことによってＴｃが篩くなり過ぎることによるＴｃ調整
の効果を得ることができる。しかしながらＩ）ｙが５０
原子％を越えると、Ｔｃが低くなり過ぎ、これに伴う冒
頭に述べた諸欠点が生じζくる。
尚、上述のスパッター装置における各スパッター源（７
）及び（８）の各ターゲット００及び（１１）は、希土
類金属及び遷移金属が２元素以上の場合、夫々の合金よ
り構成することもできるし各金属元素の張り合せ体によ
っ゛ζ構成することができる。
）及び（８）の各ターゲット００及び（１１）は、希土
類金属及び遷移金属が２元素以上の場合、夫々の合金よ
り構成することもできるし各金属元素の張り合せ体によ
っ゛ζ構成することができる。
発明の効果
上述したように本発明によれば、特に飽和磁化Ｍｓ、カ
ー回転角θにの向上をはかることができるものであり、
したがって、記録パワーの低減化。
ー回転角θにの向上をはかることができるものであり、
したがって、記録パワーの低減化。
再生出力の向上、高密度記録化、Ｃ／Ｎの向上をはかる
ことができるものである。
ことができるものである。
第１図は本発明の説明に供する光磁気記録媒体の磁化曲
線図、第２図は本発明による光磁気記録媒体の路線的拡
大１１１ｉ面図、第３図はその成分分布図、第４図は本
発明製法を実施するスパッタリング装置の一例の路線的
構成図、第５図はその要部の平面図、第６図は本発明に
よる光磁気記録媒体の磁化曲線図、第７図は比較例の磁
化曲線図である。 ［１は基体、（２）は希土類金属１ｔｊ、（３）は遷移
金属層、（４）は中間層である。 第１図 閂、Ｈｃ、θに 第５図 第６図 第７図
線図、第２図は本発明による光磁気記録媒体の路線的拡
大１１１ｉ面図、第３図はその成分分布図、第４図は本
発明製法を実施するスパッタリング装置の一例の路線的
構成図、第５図はその要部の平面図、第６図は本発明に
よる光磁気記録媒体の磁化曲線図、第７図は比較例の磁
化曲線図である。 ［１は基体、（２）は希土類金属１ｔｊ、（３）は遷移
金属層、（４）は中間層である。 第１図 閂、Ｈｃ、θに 第５図 第６図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 希土類金属−遷移金属系光磁気記録材料による光磁気記
録媒体におい°ζ、上記希土類金属が１５〜３０原子％
、」１記遷移金属が８５〜７０原子％に選定され、上記
遷移金属としζＣｏを１〜２０原子％含むＦｅＣ。 を用い、上記希土類金属としてＴｂを用いるか、または
１０原子％以−トのＧｄを含むＴｂＧｄを用いるか、或
いは５０原子％以下のＤｙを含むｒｂｏｙを用い°ζ成
る光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9206983A JPS59217249A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9206983A JPS59217249A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217249A true JPS59217249A (ja) | 1984-12-07 |
Family
ID=14044169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9206983A Pending JPS59217249A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217249A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6068607A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 磁性薄膜記録媒体 |
| JPS6083305A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Hitachi Ltd | 磁気光学媒体 |
| JPS61108112A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Ricoh Co Ltd | 垂直磁化膜 |
| EP0210855A2 (en) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Sony Corporation | Magneto-optical recording media |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5873746A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-04 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
| JPS58196639A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-16 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
| JPS5961011A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP9206983A patent/JPS59217249A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5873746A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-04 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
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| JPH063768B2 (ja) * | 1984-10-31 | 1994-01-12 | 株式会社リコー | 垂直磁化膜 |
| EP0210855A2 (en) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Sony Corporation | Magneto-optical recording media |
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