JPS59217248A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS59217248A JPS59217248A JP9206883A JP9206883A JPS59217248A JP S59217248 A JPS59217248 A JP S59217248A JP 9206883 A JP9206883 A JP 9206883A JP 9206883 A JP9206883 A JP 9206883A JP S59217248 A JPS59217248 A JP S59217248A
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- JP
- Japan
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- rare earth
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- earth metal
- layer
- recording medium
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば書き換え可能な光磁気ディスクに適用
する光磁気記録媒体に係わる。
する光磁気記録媒体に係わる。
背景技術とその問題点
レーザー光、例えば半導体レーザー光による刊き込み、
読み出しを行うことができＷＦき換え可能な光磁気ディ
スク等の光磁気記録媒体としては、ＭｎＢ１などの多結
晶材料、ＴｂＦｅ、 ＧｄＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅなどの
希土類−遷移金属系の非晶質材料などがある。
読み出しを行うことができＷＦき換え可能な光磁気ディ
スク等の光磁気記録媒体としては、ＭｎＢ１などの多結
晶材料、ＴｂＦｅ、 ＧｄＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅなどの
希土類−遷移金属系の非晶質材料などがある。
このうち非晶質材料は、結晶粒界に因るいわゆるグレイ
ンノイズがないこと、抗磁力の選定の自由度力畑１いな
どの利点を有する。
ンノイズがないこと、抗磁力の選定の自由度力畑１いな
どの利点を有する。
一方、この種の光磁気記録材料には、キュリ一点記録に
よるものと、補償点記録によるものとがあり、一般に報
告されている鉄−希土類系の記録材料は、キュリ一点記
録材である。この記録材料は、鉄を主成分としているが
ために、極めて酸化し易く、特性劣化が生じ易い。
よるものと、補償点記録によるものとがあり、一般に報
告されている鉄−希土類系の記録材料は、キュリ一点記
録材である。この記録材料は、鉄を主成分としているが
ために、極めて酸化し易く、特性劣化が生じ易い。
光磁気記録材料としての垂直磁化膜の磁気特性は、これ
に対する記録、すなわち磁気バブルの形成、再生、及び
消去の特性を決める重要な要素である。記録パワーの低
減化に関しては、磁化Ｍが大きく、抗磁力１１ｃ及びキ
ュリ一温度Ｔｃが低いことが望ましいが、再生信号の大
きさ、Ｃ／Ｎ （Ｓ／Ｎ）の改善に関しては、これが磁
化の方向に基ずくカー回転角の大きさに依存（比例）す
るものであり、このカー回転角θには、磁化Ｍ、抗磁力
１１ｃと同様に６ｖ度依存性を有し品温になるにつれて
その値が小さくなるものであり、キュリ一点Ｔｃで零と
なってしまう。したがってこの種の光磁気記録材料の特
性としては、レーザー照射による温度上昇に伴う特性の
低下、例えばカー回転角θにの低下による出力像−トを
回避するために記録材料のキュリ一点が成る程度高いこ
とが要求される。このような要求からＴｂ−Ｆｅを主体
とする希土類−遷移金属系光磁気記録材料ではキュリ一
点の高いＧｄ −ＰｅをＴｂ−Ｆｅに混入させることに
よってキュリ一点Ｔｃを高めるようにしたＧｄＴｂ−Ｆ
ｅが提供された。
に対する記録、すなわち磁気バブルの形成、再生、及び
消去の特性を決める重要な要素である。記録パワーの低
減化に関しては、磁化Ｍが大きく、抗磁力１１ｃ及びキ
ュリ一温度Ｔｃが低いことが望ましいが、再生信号の大
きさ、Ｃ／Ｎ （Ｓ／Ｎ）の改善に関しては、これが磁
化の方向に基ずくカー回転角の大きさに依存（比例）す
るものであり、このカー回転角θには、磁化Ｍ、抗磁力
１１ｃと同様に６ｖ度依存性を有し品温になるにつれて
その値が小さくなるものであり、キュリ一点Ｔｃで零と
なってしまう。したがってこの種の光磁気記録材料の特
性としては、レーザー照射による温度上昇に伴う特性の
低下、例えばカー回転角θにの低下による出力像−トを
回避するために記録材料のキュリ一点が成る程度高いこ
とが要求される。このような要求からＴｂ−Ｆｅを主体
とする希土類−遷移金属系光磁気記録材料ではキュリ一
点の高いＧｄ −ＰｅをＴｂ−Ｆｅに混入させることに
よってキュリ一点Ｔｃを高めるようにしたＧｄＴｂ−Ｆ
ｅが提供された。
発明の目的
本発明においては、上述した希土類−遷移金属系光磁気
記録材料による記録媒体において、補償点記録によるも
のではあるが安定した特性を有し、しかもカー回転角θ
に、磁化Ｍの１１い光磁気記録媒体を得んとするもので
ある。
記録材料による記録媒体において、補償点記録によるも
のではあるが安定した特性を有し、しかもカー回転角θ
に、磁化Ｍの１１い光磁気記録媒体を得んとするもので
ある。
発明の概要
本発明においては、赤土力１金属−遷移金属系光磁気記
録祠料による光磁気記録媒体において、希土類金属が１
５〜３０原子％゛、遷移金属が８５〜７０原子％に選定
され、希土類金属としてｌＯ〜５０原子％好ましくは２
０〜３０原子％のＧｄを含むＴｂＧｄを用い、遷移金属
としてＣｏを４〜５０原子％好ましくは５〜２０原子％
含むＦｅＣｏを用いる。
録祠料による光磁気記録媒体において、希土類金属が１
５〜３０原子％゛、遷移金属が８５〜７０原子％に選定
され、希土類金属としてｌＯ〜５０原子％好ましくは２
０〜３０原子％のＧｄを含むＴｂＧｄを用い、遷移金属
としてＣｏを４〜５０原子％好ましくは５〜２０原子％
含むＦｅＣｏを用いる。
実施例
実施例１
遷移金属として４１京子％Ｃｏ−残部Ｆｅ（以°上Ｆｅ
Ｃｏ＋と表わず）を８０車量％、希土類金属としてＴｂ
及びＧｄを夫々５０原子％含むＴｂＧｄを２０車量％と
じて光磁気記録媒体を作製した。この媒体は、第１図に
ボずように、基体（１１、例えばガラス、或いはアクリ
ル、ポリカーボネイト等より成るディスク基体上に、希
土類金属層（２）と、遷移金属層（３）とが、夫々１層
以上例えば多層に順次交互に積層されるようにすると共
に、これら希土類金属層（２）と遷移金属層（３）との
間に、これら金属層（２）及び（３）の各成分を共に含
む中間層（４）を介在させる。このような構成を有する
光磁気記録媒体を得るには、希土類金属と遷移金属とを
夫々異るスパッター踪として設け、両スパッター源から
基体（１１に向っ°Ｃ同時に夫々の金属をスパッタリン
グする。この場合、両スパッタリング源からの基体（１
１に対する主たるスバ・７クリング位ｉ６：が互いに異
るように、両スパッタリング源と基体との位置関係と、
更に両スパッタリング源と基体との間に配置するマスク
を選定する。
Ｃｏ＋と表わず）を８０車量％、希土類金属としてＴｂ
及びＧｄを夫々５０原子％含むＴｂＧｄを２０車量％と
じて光磁気記録媒体を作製した。この媒体は、第１図に
ボずように、基体（１１、例えばガラス、或いはアクリ
ル、ポリカーボネイト等より成るディスク基体上に、希
土類金属層（２）と、遷移金属層（３）とが、夫々１層
以上例えば多層に順次交互に積層されるようにすると共
に、これら希土類金属層（２）と遷移金属層（３）との
間に、これら金属層（２）及び（３）の各成分を共に含
む中間層（４）を介在させる。このような構成を有する
光磁気記録媒体を得るには、希土類金属と遷移金属とを
夫々異るスパッター踪として設け、両スパッター源から
基体（１１に向っ°Ｃ同時に夫々の金属をスパッタリン
グする。この場合、両スパッタリング源からの基体（１
１に対する主たるスバ・７クリング位ｉ６：が互いに異
るように、両スパッタリング源と基体との位置関係と、
更に両スパッタリング源と基体との間に配置するマスク
を選定する。
そして、これら各スパッター源と基体とを相対的に回転
移動させることによって基体（１）上に、希土類金属層
と、遷移金属層とを積層し、両金属層間に希土類金属と
遷移金属との両成分を含む中間１響を介在させた光磁気
記録層を形成する。
移動させることによって基体（１）上に、希土類金属層
と、遷移金属層とを積層し、両金属層間に希土類金属と
遷移金属との両成分を含む中間１響を介在させた光磁気
記録層を形成する。
このようにして、基体（１１上に遷移金属層と希土類金
属層とが積層されて形成された記録層におけるそのＪ■
さ方向に関する各金属の分布は、例えは第２図に夫々遷
移金属を実線で、希土類金属を破線で示すように、厚さ
方向に交互にピークを有し、このピーク部では互いに他
の金属を殆んど含まないような分布を生じるようにする
。すなわち遷移金属の分布のピーク部では、希土類金属
を殆んど含まずに遷移金属のみの層（３）が形成される
ようにし、希土類金属の分布のピーク部では遷移金属を
殆んど含まずに希土類金属のみの層（２）が形成され、
両ピーク部間におい゛ζ希土類及び遷移金属の両金属を
含む中間層（４）が形成されるようにする。
属層とが積層されて形成された記録層におけるそのＪ■
さ方向に関する各金属の分布は、例えは第２図に夫々遷
移金属を実線で、希土類金属を破線で示すように、厚さ
方向に交互にピークを有し、このピーク部では互いに他
の金属を殆んど含まないような分布を生じるようにする
。すなわち遷移金属の分布のピーク部では、希土類金属
を殆んど含まずに遷移金属のみの層（３）が形成される
ようにし、希土類金属の分布のピーク部では遷移金属を
殆んど含まずに希土類金属のみの層（２）が形成され、
両ピーク部間におい゛ζ希土類及び遷移金属の両金属を
含む中間層（４）が形成されるようにする。
尚、この場合、基体に対するスパッタリングによる各金
属層の成長速度は、２〜２０人／秒、就中５〜１０人／
秒となるように基体とスパッタリング源との相対的回転
速度、そのほかのスパッタリング条件を選定することが
望ましい。すなゎぢ、基体とスパッタリング源との相対
的回転速度が速すぎて、その成長速度が２人／秒未満と
なると、遷移金属と希土類金属とが夫々層状に形成され
難くなり、また２０人／秒を超えると磁気的特性が低下
してくることが認められた。
属層の成長速度は、２〜２０人／秒、就中５〜１０人／
秒となるように基体とスパッタリング源との相対的回転
速度、そのほかのスパッタリング条件を選定することが
望ましい。すなゎぢ、基体とスパッタリング源との相対
的回転速度が速すぎて、その成長速度が２人／秒未満と
なると、遷移金属と希土類金属とが夫々層状に形成され
難くなり、また２０人／秒を超えると磁気的特性が低下
してくることが認められた。
尚、このスパッタリングを実施するスパッタリング装置
としては、マグネトロン型構成をとり得るが、これを特
殊の構成とする。第３図はスパッタリング装置の一例の
路線的構成を示すもので、この場合、ベルジャ（図示せ
ず）内に、軸心０−０′を中心とし°Ｃ回転する基台（
６）を設け、これの例えば下面に目的とする光磁気記録
媒体を構成するガラス扱、樹脂機等より成る基体（１１
が配置される。そし°ζ、この基体（１］に対向して軸
心０−０′を中心に等角間隔、ずなわら１８０°の角間
隔を保持して２個のスパッター源（７）及び（８）を配
置する。
としては、マグネトロン型構成をとり得るが、これを特
殊の構成とする。第３図はスパッタリング装置の一例の
路線的構成を示すもので、この場合、ベルジャ（図示せ
ず）内に、軸心０−０′を中心とし°Ｃ回転する基台（
６）を設け、これの例えば下面に目的とする光磁気記録
媒体を構成するガラス扱、樹脂機等より成る基体（１１
が配置される。そし°ζ、この基体（１］に対向して軸
心０−０′を中心に等角間隔、ずなわら１８０°の角間
隔を保持して２個のスパッター源（７）及び（８）を配
置する。
これらスパッター源（７）及び（８）と基台（６）、す
なわち基体（１）との間には、スパッター源（７）及び
（８）より夫々スパンターされる金属のスパッター位置
を規制するマスク（９）を配置する。この例では、スパ
ッター源（７）は希土類金属ＴｂＧｄ合金の根状体より
成るターゲット０ωを有し、スパック−源（８）は、遷
移金属ＦｅＣｏ４の根状体より成るターゲット（１１）
を有し”ζ成る。（１２）及び（１３）は、夫々マグネ
ットを不ず。
なわち基体（１）との間には、スパッター源（７）及び
（８）より夫々スパンターされる金属のスパッター位置
を規制するマスク（９）を配置する。この例では、スパ
ッター源（７）は希土類金属ＴｂＧｄ合金の根状体より
成るターゲット０ωを有し、スパック−源（８）は、遷
移金属ＦｅＣｏ４の根状体より成るターゲット（１１）
を有し”ζ成る。（１２）及び（１３）は、夫々マグネ
ットを不ず。
マスク（９）は、例えば第４図に不ずように、ターゲッ
トαψ及び（１１）に対向する部分にこれらターゲット
０ω及び（１１）の中心を通る直線Ｘ方向に外側に向っ
て広がる例えばいちょう形の窓（１４）及び（１５）が
穿設されて成る。第４図においては内窓（１４）及び（
１５）の大ぎさは、同一に選ばれているが、これら窓（
１４）及び（■５）の面積は、基体＋１１」二に形成す
る記録層の希土類金属と、遷移金属との割合に対応する
比率をもって形成しＩＭる。
トαψ及び（１１）に対向する部分にこれらターゲット
０ω及び（１１）の中心を通る直線Ｘ方向に外側に向っ
て広がる例えばいちょう形の窓（１４）及び（１５）が
穿設されて成る。第４図においては内窓（１４）及び（
１５）の大ぎさは、同一に選ばれているが、これら窓（
１４）及び（■５）の面積は、基体＋１１」二に形成す
る記録層の希土類金属と、遷移金属との割合に対応する
比率をもって形成しＩＭる。
ずなわら、この実施例１においては、希土類金属と遷移
金属とを１＝４ （重量比）の割合とする場合、これを
体積比に換算した割合に窓（１４）及び（１５）の面禎
比を設定する。
金属とを１＝４ （重量比）の割合とする場合、これを
体積比に換算した割合に窓（１４）及び（１５）の面禎
比を設定する。
また両スパッター源（７）及び（８）のターゲット００
１及び（１１）は、合金によっ°ζ構成する場合に限ら
ず、例えば、ＴｂとＧｄとが人々５ｏ原子％、ＦＢとＧ
ｏとが５ｏ原子％とするとき、夫々−半部をＴｂ、他半
部をＧｄとする各材料の張り合せ、 Ｆａを一半部、他
半部をＣｏとする張り合せによって構成し得る。
１及び（１１）は、合金によっ°ζ構成する場合に限ら
ず、例えば、ＴｂとＧｄとが人々５ｏ原子％、ＦＢとＧ
ｏとが５ｏ原子％とするとき、夫々−半部をＴｂ、他半
部をＧｄとする各材料の張り合せ、 Ｆａを一半部、他
半部をＣｏとする張り合せによって構成し得る。
そし°ζ基台（６）を回転させながらターゲット００１
及び（１１）を負極側として直流スパッタリングを行う
。
及び（１１）を負極側として直流スパッタリングを行う
。
今この方法によってこの基台（６）の回転を１回転３秒
間の回転速度をもって回転させて基体＋１１上に全体と
して１０００人の金属層を堆積被着し、そし°ζ、この
ようにして形成された金属層は、第２図で説明したよう
にＴｂ層、ずなゎら希土類金属層（２）と、Ｆｅ及びＣ
ｏ層、すなわち遷移金属層（３）と両者間に両金属の成
分を含んで成る中間ＩＦＪ （４１が介在された積層構
造を有する。
間の回転速度をもって回転させて基体＋１１上に全体と
して１０００人の金属層を堆積被着し、そし°ζ、この
ようにして形成された金属層は、第２図で説明したよう
にＴｂ層、ずなゎら希土類金属層（２）と、Ｆｅ及びＣ
ｏ層、すなわち遷移金属層（３）と両者間に両金属の成
分を含んで成る中間ＩＦＪ （４１が介在された積層構
造を有する。
このような方法によっ°Ｃ形成した実施例１による媒体
の磁化曲線は、第５図に示すようになった。
の磁化曲線は、第５図に示すようになった。
すなわち、この場合、飽和磁化Ｍｓは１５０ｇａｕｓｓ
、 ｌｌｃは３ ｋＯｅであった。またキュリ一点Ｔｃ
は２２５℃。
、 ｌｌｃは３ ｋＯｅであった。またキュリ一点Ｔｃ
は２２５℃。
カー回転角θには約０．２０°であった。
尚、本発明において、希土類金属とし゛このＧｄを１０
〜５０１ｊａ子％に選定する理由は、ＧｄがＩＯ原子％
未満ではＴｃの向上の効果が殆んど生じなくなり、また
Ｇｄが５ｏ原子％を越えるとｌｌｃ、 Ｍｓの低−トが
生じてくることを認めたごとによるものであり、このＧ
ｄの最適範囲は２０〜３０原子％であった。
〜５０１ｊａ子％に選定する理由は、ＧｄがＩＯ原子％
未満ではＴｃの向上の効果が殆んど生じなくなり、また
Ｇｄが５ｏ原子％を越えるとｌｌｃ、 Ｍｓの低−トが
生じてくることを認めたごとによるものであり、このＧ
ｄの最適範囲は２０〜３０原子％であった。
またＦｅＣｏの遷移金属において、Ｇｏを４〜ｇｏ原子
ン６に選定する理由は、Ｃｏが４原子％未満でＴｃの向
」二がみられず、５ｏ原子％を越えるとＭｓの減少を生
じてくることが認められたことに因り、そのＧｏの最適
量は５〜２０原子％であった。
ン６に選定する理由は、Ｃｏが４原子％未満でＴｃの向
」二がみられず、５ｏ原子％を越えるとＭｓの減少を生
じてくることが認められたことに因り、そのＧｏの最適
量は５〜２０原子％であった。
発明の効果
上述したように本発明によれば、高い飽和磁化Ｍｓ、カ
ー回転角θｋを有するごとによっ゛ζ再生出力の向上が
はかられるが記録ビットの経はＭｓ、θＫに反比例する
ことからこのビット径の縮少をも、はかることができ、
これによっ−（，０Ｊ密度記録、Ｃ／Ｈの向上をはかる
ことができる。そして、これが酸化しに＜（、特性の安
定化、長寿命化がはかられることができることが確めら
れた。
ー回転角θｋを有するごとによっ゛ζ再生出力の向上が
はかられるが記録ビットの経はＭｓ、θＫに反比例する
ことからこのビット径の縮少をも、はかることができ、
これによっ−（，０Ｊ密度記録、Ｃ／Ｈの向上をはかる
ことができる。そして、これが酸化しに＜（、特性の安
定化、長寿命化がはかられることができることが確めら
れた。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の路線的拡大断面
図、第２図はその成分分布図、第３図は本発明製法を実
施するスパッタリング装置の一例の路線的構成図、第４
図はその要部の平面図、第５図は本発明による光磁気記
録媒体の磁化曲線図である。 （１１は基体、（２）は希土類金属層、（３）は遷移金
属ｊ−１（４）は中間層である。 第２図 第１図 ４、 第３図 ？ 第４図 手続ネｉｔｉ ｊＥ ？；！ｆｆ” 昭和５９年 ４月 １２日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿昭和５８年 特
許 願 第 ９２０６８号３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５４＋名称（
２１８）ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 ｔＪｔ ４、代理人 ６、？１正により増加する売切の数 ８、補正の内容 （１１明細■中、第４頁、１１行〜第同真１５行［希土
類金属層（２）と、遷移金属層（３）・・・介在させる
。］を、１−希土類金属と遷移金属とを含む光磁気記録
層（２）を有する光磁気記録媒体（３）を構成するが、
この記録層（２）における上述の希土類金属と遷移金属
との組成比が記録層（２）の厚さ方向に関して周期的に
変化するようにする。すなわち、第２図Ａ及びＢに、希
土類金属の含有量と遷移金属の含有量の記録層（２）の
厚さ方向に関する各分布を対比して示すように、一方が
大のとき、他方が小となるように周期的に変化させる。 」と訂正する。 （２）同、第５頁、５行〜第６頁、１行１希土類金属層
と、・・・ようにする。」を１−希土類金属層（４）と
、遷移金属層（５）とを、第２図に示すように交互に且
つ相互に混入するように積層し、前述したように、希土
類金属と遷移金属との組成比が膜厚方向に関して周期的
に変化するようにする。この場合、各希土類金属層及び
遷移金属層が、相互にこれより先に堆積形成された遷移
金属！−及び希土類金属層にも相互に各金属が少なくと
も拡散するようにして、希土類金属のみ、或いは遷移金
属のみによる層が存在することがないようにすることが
望まれる。」と訂正する。 （３） 同、第６頁３行１２〜２０人／秒」を１２〜
２５人／秒」と訂正する。 （４）同、同頁４行「５〜ＩＯ人／秒」を１５〜２０人
／秒」と訂正する。 （５）同、第１０頁、１４〜１５行１（２）は・・・で
ある。」を］（２）は光磁気記録層である。」と訂正す
る。 （６）図面中、第１図及び第２図を添付図面のように補
正する。 以 上 第１図 Ａ Ｂ
図、第２図はその成分分布図、第３図は本発明製法を実
施するスパッタリング装置の一例の路線的構成図、第４
図はその要部の平面図、第５図は本発明による光磁気記
録媒体の磁化曲線図である。 （１１は基体、（２）は希土類金属層、（３）は遷移金
属ｊ−１（４）は中間層である。 第２図 第１図 ４、 第３図 ？ 第４図 手続ネｉｔｉ ｊＥ ？；！ｆｆ” 昭和５９年 ４月 １２日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿昭和５８年 特
許 願 第 ９２０６８号３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５４＋名称（
２１８）ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 ｔＪｔ ４、代理人 ６、？１正により増加する売切の数 ８、補正の内容 （１１明細■中、第４頁、１１行〜第同真１５行［希土
類金属層（２）と、遷移金属層（３）・・・介在させる
。］を、１−希土類金属と遷移金属とを含む光磁気記録
層（２）を有する光磁気記録媒体（３）を構成するが、
この記録層（２）における上述の希土類金属と遷移金属
との組成比が記録層（２）の厚さ方向に関して周期的に
変化するようにする。すなわち、第２図Ａ及びＢに、希
土類金属の含有量と遷移金属の含有量の記録層（２）の
厚さ方向に関する各分布を対比して示すように、一方が
大のとき、他方が小となるように周期的に変化させる。 」と訂正する。 （２）同、第５頁、５行〜第６頁、１行１希土類金属層
と、・・・ようにする。」を１−希土類金属層（４）と
、遷移金属層（５）とを、第２図に示すように交互に且
つ相互に混入するように積層し、前述したように、希土
類金属と遷移金属との組成比が膜厚方向に関して周期的
に変化するようにする。この場合、各希土類金属層及び
遷移金属層が、相互にこれより先に堆積形成された遷移
金属！−及び希土類金属層にも相互に各金属が少なくと
も拡散するようにして、希土類金属のみ、或いは遷移金
属のみによる層が存在することがないようにすることが
望まれる。」と訂正する。 （３） 同、第６頁３行１２〜２０人／秒」を１２〜
２５人／秒」と訂正する。 （４）同、同頁４行「５〜ＩＯ人／秒」を１５〜２０人
／秒」と訂正する。 （５）同、第１０頁、１４〜１５行１（２）は・・・で
ある。」を］（２）は光磁気記録層である。」と訂正す
る。 （６）図面中、第１図及び第２図を添付図面のように補
正する。 以 上 第１図 Ａ Ｂ
Claims (1)
- 希土類金属−遷移金属系光磁気記録材料による光磁気記
録媒体において、上記希土類金属が１５〜３０原子％、
上記遷移金属が８５〜７０原子％に選定され、上記希土
類金属とし′Ｃ１０〜５０原子％のＧｄを含むＴｂＧｄ
が用いられ、遷移金属としてＧｏを４〜５０原子％含む
ＦｅＣｏが用いられた光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9206883A JPS59217248A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9206883A JPS59217248A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217248A true JPS59217248A (ja) | 1984-12-07 |
Family
ID=14044145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9206883A Pending JPS59217248A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217248A (ja) |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP9206883A patent/JPS59217248A/ja active Pending
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