JPH0221440A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） レーザ光等を用いて情報の記録、再生を行なう光磁気記
録媒体に関する。

（従来の技術） 一般に１膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有し、室温よ
り高いキュリー温度を有する磁性薄膜は、高密度垂直磁
気記録媒体としであるいはレーザ光等の光ビームを照射
して教師以下の情報を記録、再生する高密匿光磁気記録
媒体として用いることができる。このような記録媒体と
して、ｃｏ−Ｃｒ。

Ｂａ−７ｚライト＊　ＭｎＢ１等の多結晶薄膜、ＧｄＩ
Ｇ（ガドリニウム鉄ガーネット）等の化合物単結晶薄膜
、Ｔｂ−Ｆｅｅ　Ｇｄ−Ｃｏ＋　’ｒｂ−Ｃｏ、　Ｔｂ
−Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類−鉄族の非晶質合金膜などが
ある。

ＭｎＢ１等の多結晶金属薄膜はキュリー温度σＣ）を利
用して書き込みが行なわれるが、ＴＣ二３６０℃程度と
高いため、書き込みに大きなエネルギーを要する欠点が
ある。又、多結晶体であるため化学量論的な組成の薄膜
を作成する必要が有り、装造が困難であるという欠点も
ある。

又、ＧｄＩＧ等はＧＧＧ　（ガドリニウムガリウムガー
ネット）単結晶基板上に膜形成が行なわれるため、この
基板の状態に磁気特性が影響されやすいこと、大面積の
基板を得にくい等の欠点がある。

これに対し、Ｇｄ　Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ等の希土類−鉄族
の非晶質合金薄膜（ＲＥ−ＴＭ膜）は、任意の大きさの
磁性薄膜が形成できること、組成制御が容易であること
、結晶粒界がないため再生Ｓ／Ｎ比が良好である等の利
点を有し、光磁気記録媒体としての研究が盛んである。

しかしながらこのＲＥ−ＴＭ膜は一般に磁気光学７７ラ
デー効果およびカー効果（Ｋｅ　ｒ　ｒ効果）が小さく
、Ｃ／Ｎ比が充分でなく、また、耐食性に劣る問題があ
った。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は以上の点を考慮してなされたもので、従来とは
異なる新規な光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。

〔発明の構成〕

（へ果題を解決するための手段と作用）本発明は、膜面
と垂直な方向に磁化容易軸を有し、一般式 ％式％ Ｒ：Ｙおよび希土類元素のうち少なくとも１種 Ａ　：　Ｃａｔ　Ｓｒ＋　Ｂａｔ　Ｐｂのうち少なくと
も１種 ＸＯ：　Ｂｔ　Ｏｓ及びＢｌｔＯｓの少なくとも１種で
表わされる結晶質酸化物の磁性体を用いたことを特徴と
する光磁気記録媒体である。

本発明の結晶質酸化物は強磁性ペロプスカイト化合物Ｒ
１−ｘ　ＡｘＭ　ｎ　ＯＨを主体とする酸化物である。

本発明の上記結晶質磁性酸化物において、Ｒ９Ａ、０お
よび地は強磁性を得るために必須の元素であり、Ｘは０
．１　＜１　＜　０．６でちる。Ｘがこの範囲外では室
温以上で強磁性を得るのが困難になるため、？：、、ｆ
）ＲＨトシｆＣｏ　ｉ　ｋ、Ｂｔ　Ｏｎ　ヤＢ　ｂ　Ｏ
ｓは、ｗＩ膜の光吸収係数を小さくし、その結果光磁気
記録媒体としての性能指数（２０Ｆ／α：θＦはファラ
デー指数、αは光吸収係数ンを大きくする走めに有効な
元素であり、その量ｙはｏ、ｏ５くｙ＜ｏ、７である。

ｙが０．７を越えると室温以上で強磁性を得ることが困
難になるのでこの範囲とした。なお好ましくは、０．１
＜）’＜０．２である。また、非晶質中の酸素量は製造
条件等によシ多少変化し例えば酸素欠陥等を生じる。

本発明の結晶質磁性酸化物薄膜は、蒸着法、スパッタ法
、ＣＶＤ法などの気相法、スピンコードなどの塗布法な
ど、従来の良く知られた方法で製造することができる。

以下にスパッタ法による場合について製法を具体的に説
明する。まず、（１−ｙ）　Ｃｎト、ＡｘＭ　ｎｏｓ　
）拳ｙ（ＸＯ）なる組成物を作製し、これをスパッタ用
ターゲットとする。このターゲットをスパッタ装置の所
定の位置に固定し、ｌＸｌ０　　Ｔｏｒｒ以上の真空度
まで排気した後、酸素ガスとＡｒガスを導入し、この混
合ガスとして１０　　Ｔｏｒｒ程度以上の一定の圧力に
装置内を保つ。次に、ターゲットを陰極とし、基板を陽
極として両者間に電圧を印加して放電を起こさせ、ター
ゲットにＡｒｔたは酸素イオンを衝突させてスパッタを
生じさせ、基板上に目的物を堆積させる０できた膜の組
成は必ずしもターゲットの組成とは同じにならない場合
があるが、その場合はターゲットの組成を適宜変えてや
ればよい。

本発明の酸化物は室温以上のキュリー点を持ち、透光性
が高く特に可視から赤外領域で光の透過率が高い、など
の特徴がある。また、本発明の酸化物は光磁気記録媒体
として有効な、１　ｋＯｅ８度以上の高保母力を有する
垂直磁化膜を得ることができる。このような薄膜のキュ
リー点Ｔｃは１００〜１２０℃程度と比較的低いため、
光磁気記録における書込みに要するレーザーパワーが少
なくて済み、半導体レーザーを用いることができる。ま
た、７アラデ一回転角は１０４度／ｃＩｔ以上と大きく
、光吸収係数が比較的小さく従ってＣ／Ｎ比の大きい記
録媒体を提供できる。さらに、酸化物のため耐食性に富
んでおり、長時間使用に対して特性の結果が著しく小さ
い。

本発明においては、磁気記録媒体の作製は蒸発法で行な
うことが好ましい。蒸発法としては例えば、高周波スパ
ッタリング法、イオンビームスパッタリング法、イオン
ブレーティング法、！子ビーム蒸着法、真空蒸着法など
が挙げられ、上記の蒸発法によシ形成された本発８ＡＫ
係る膜は、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する
垂直磁化膜となる。

基板としては成形が容易で、磁性薄膜の磁気特性に影響
を与えることがないように非磁性であれば良く、例えば
塩化ビニール、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹
脂等の樹脂基板、あるいはガラス基板等を用いることが
できる。

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。

（実施例） 第１表に示す組成の酸化物を焼結後、直径５インチの円
板に加工し、表面を平滑にして高周波スパッタ装置内に
ターゲット部に設置後、基板としてガラス板を用いチャ
ンバー内をＩ　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒまで減圧し九。そ
の後ＡｒとＯｌをｌ：ｌの割合で含む混合ガスをチャン
バー内に導入し、その圧力を３　Ｘ　１０−２Ｔｏｒｒ
とした。ガス圧が一定となった時点で高周波電源Ｋ　ｔ
＆、圧を印加し、基板を１０ｒｐｍで回転させながらス
パッタリングを行なった。基板温度は３００℃〜６００
℃に制御した。得られた膜はＸ線回折により結晶質であ
ることを確認した。第１表にはＶＳＭを用いて測定した
磁化の値、室温での検出力、およびキュリー点を示した
。これらの膜は膜面に垂直方向に磁化容易軸をもつ垂直
磁化膜であった。

第１図は実施例１の光の透過率を示したものである。こ
れより吸収端は４２０ｎｍで、可視光から赤外領域で透
光性が非常に大きいことがわかる。

な値を示した。

本発明のアモルファス磁性薄膜記録媒体は、膜面に垂直
方向に磁化容易軸を有し、保龜力が大きく、キュリー点
も適度な大きさを痔ち、７アラデ一回転角が大きく、光
吸収係数が小さい丸め性能指数の大きい新しい光磁気記
録媒体を供することができる。また、本発明の磁性薄膜
記録媒体は百す食性、熱安定性にも優れる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、耐食性に優れ、７
アラデ一回転角が大きく、光吸収係数が小さいので性能
指数が大きく、かつキュリー温度が低いため、書き込み
に要するエネルギー−バ少なくてすむ新規な磁気記録媒
体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は光特性図・　　　　　　　　　→元

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｙを含む希土類元素（Ｌｎ）、マンガン（Ｍｎ）
   、Ａ元素（Ａ：Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ及びＰｂの少なくとも
   一種）及びＸ元素（Ｘ：Ｂ，Ｂｉの少なくとも一種）の
   酸化物（ＸＯ）を （１−ｙ）〔Ｌｎ＿１＿−＿ｘＡ＿ｘＭｎＯ＿３〕・Ｙ
   〔ＸＯ〕で表わされる酸化物に換算して（ただし、ＸＯ
   はＢ＿２Ｏ＿３，Ｂｉ＿２Ｏ＿３に換算） ０．１≦ｘ≦０．６ ０．０５≦ｙ≦０．７ の比率で含有することを特徴とする結晶質酸化物磁性体
   を用いたことを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）Ｍｎの５０原子％以下をＣｏで置換したことを特
   徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。