JP2003272264A - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空槽およびターゲットの数を減らし、光磁
気記録媒体の製造設備の簡略化および小型化、製造費用
やタクトタイムの低減を可能にする。 【解決手段】 複数の磁性層が積層されてなる光磁気記
録媒体の製造方法において、磁性層のうちの少なくとも
２層をそれぞれの元素組成比率および／あるいは磁気特
性に応じて、スパッタリングプロセス時に異なる条件で
同一真空槽内において同一ターゲット手段をスパッタリ
ングすることにより造り分けることが可能となる製造方
法を提供する。
気記録媒体の製造設備の簡略化および小型化、製造費用
やタクトタイムの低減を可能にする。 【解決手段】 複数の磁性層が積層されてなる光磁気記
録媒体の製造方法において、磁性層のうちの少なくとも
２層をそれぞれの元素組成比率および／あるいは磁気特
性に応じて、スパッタリングプロセス時に異なる条件で
同一真空槽内において同一ターゲット手段をスパッタリ
ングすることにより造り分けることが可能となる製造方
法を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光磁気記録媒体
およびその製造方法に関し、例えば、複数の磁性層を備
えた光磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
およびその製造方法に関し、例えば、複数の磁性層を備
えた光磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光を用いて媒体表面を加熱し、
そこに磁界を加えて磁化の向きを変化させることによっ
て、デジタルデータを記録する光磁気ディスクが実用化
されている。
そこに磁界を加えて磁化の向きを変化させることによっ
て、デジタルデータを記録する光磁気ディスクが実用化
されている。
【０００３】近年では、さらに大容量のデジタルデータ
が記録可能であり、かつ安価な光磁気ディスクの要求が
高まっている。この要求に応えるべく、複数の磁性層が
積層された多層膜構造を有する磁壁移動検出(ＤＷＤＤ
(Domain Wall Displacement Detection))方式の光磁気
ディスクや磁気超解像(ＭＳＲ(Magnetically induced S
uper Resolution))方式の光磁気ディスクが提案されて
いる。これらの光磁気ディスクは、原理的には光学系の
波長や対物レンズの開口数（ＮＡ）に制限されることな
く、線記録密度を非常に大きくできるという利点を有し
ている。
が記録可能であり、かつ安価な光磁気ディスクの要求が
高まっている。この要求に応えるべく、複数の磁性層が
積層された多層膜構造を有する磁壁移動検出(ＤＷＤＤ
(Domain Wall Displacement Detection))方式の光磁気
ディスクや磁気超解像(ＭＳＲ(Magnetically induced S
uper Resolution))方式の光磁気ディスクが提案されて
いる。これらの光磁気ディスクは、原理的には光学系の
波長や対物レンズの開口数（ＮＡ）に制限されることな
く、線記録密度を非常に大きくできるという利点を有し
ている。
【０００４】これらの光磁気ディスクの製造方法とし
て、枚葉式スパッタリング装置を用いて、基板の一主面
に複数の磁性層を順次積層させる製造方法が検討されて
いる。
て、枚葉式スパッタリング装置を用いて、基板の一主面
に複数の磁性層を順次積層させる製造方法が検討されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、枚葉式スパ
ッタリング装置を用いて、基板の一主面に磁性層を積層
させる製造方法では、スパッタリングプロセス槽の数が
増加してしまうため、製造設備の複雑化および大型化を
招いてしまうという問題があった。
ッタリング装置を用いて、基板の一主面に磁性層を積層
させる製造方法では、スパッタリングプロセス槽の数が
増加してしまうため、製造設備の複雑化および大型化を
招いてしまうという問題があった。
【０００６】また、スパッタリングプロセス槽の数が増
加することにより、光磁気ディスクの製造費用やタクト
タイムの増大を招いてしまうという問題もあった。
加することにより、光磁気ディスクの製造費用やタクト
タイムの増大を招いてしまうという問題もあった。
【０００７】これらの問題を解決するために、磁性層の
層数を減らすと、信号特性の劣化を招いてしまう。これ
は、磁気拡大検出方式や磁気超解像方式の光磁気ディス
クでは、光学系に依存しない高密度記録再生の高品質な
信号特性を実現するためには、磁性層の層数を増やすこ
とが不可欠であるからである。
層数を減らすと、信号特性の劣化を招いてしまう。これ
は、磁気拡大検出方式や磁気超解像方式の光磁気ディス
クでは、光学系に依存しない高密度記録再生の高品質な
信号特性を実現するためには、磁性層の層数を増やすこ
とが不可欠であるからである。
【０００８】したがって、この発明の目的は、製造設備
を簡略化および小型化することができる光磁気記録媒体
およびその製造方法を提供することにある。
を簡略化および小型化することができる光磁気記録媒体
およびその製造方法を提供することにある。
【０００９】また、この発明の目的は、製造費用やタク
トタイムを低減することができる光磁気記録媒体および
その製造方法を提供することにある。
トタイムを低減することができる光磁気記録媒体および
その製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願第１の発明は、複数の磁性層が積層されてなる
記録膜を基板の一主面にスパッタリングにより形成する
光磁気記録媒体の製造方法において、複数の磁性層のう
ちの少なくとも２層を、同一真空槽内において、同一タ
ーゲット手段をスパッタリングすることにより形成する
ようになし、少なくとも２層のそれぞれの元素組成比率
および／あるいは磁気特性に応じて、少なくとも２層の
それぞれ異なるスパッタリングプロセス時のプロセス条
件を選択することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法である。
に、本願第１の発明は、複数の磁性層が積層されてなる
記録膜を基板の一主面にスパッタリングにより形成する
光磁気記録媒体の製造方法において、複数の磁性層のう
ちの少なくとも２層を、同一真空槽内において、同一タ
ーゲット手段をスパッタリングすることにより形成する
ようになし、少なくとも２層のそれぞれの元素組成比率
および／あるいは磁気特性に応じて、少なくとも２層の
それぞれ異なるスパッタリングプロセス時のプロセス条
件を選択することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法である。
【００１１】本願第１の発明において、典型的には、タ
ーゲット手段は、合金ターゲット、あるいは、複数のタ
ーゲットである。
ーゲット手段は、合金ターゲット、あるいは、複数のタ
ーゲットである。
【００１２】本願第２の発明は、複数の磁性層が積層さ
れてなる記録膜を基板の一主面に有する光磁気記録媒体
において、複数の磁性層のうちの少なくとも２層が同一
構成元素からなるとともに、互いに異なる元素組成比率
および／または磁気特性を有することを特徴とする光磁
気記録媒体である。
れてなる記録膜を基板の一主面に有する光磁気記録媒体
において、複数の磁性層のうちの少なくとも２層が同一
構成元素からなるとともに、互いに異なる元素組成比率
および／または磁気特性を有することを特徴とする光磁
気記録媒体である。
【００１３】この発明によれば、光磁気記録媒体が有す
る複数の磁性層のうちの少なくとも２層を、同―真空槽
内において、同一ターゲット手段をスパッタリングする
ことにより形成する際に、各層の元素組成比率および／
あるいは磁気特性に応じて、スパッタリングプロセス時
のプロセス条件を選択するため、スパッタリングプロセ
ス時のプロセス条件を変更するだけで磁性層を作り分け
ることができる。
る複数の磁性層のうちの少なくとも２層を、同―真空槽
内において、同一ターゲット手段をスパッタリングする
ことにより形成する際に、各層の元素組成比率および／
あるいは磁気特性に応じて、スパッタリングプロセス時
のプロセス条件を選択するため、スパッタリングプロセ
ス時のプロセス条件を変更するだけで磁性層を作り分け
ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。図１は、この発明の
一実施形態による光磁気ディスク１の構成の一例を示す
断面図である。図１に示すように、この発明の一実施形
態による光磁気ディスク１は、誘電体膜３、記録膜９お
よび保護膜８を、基板２の一主面上に順次積層すること
により構成される。ここで、記録膜９は、移動層４、制
御層５、切断層６、記録層７を誘電体膜３上に順次積層
することにより構成される。この光磁気ディスク１は、
例えば、レーザースポット近傍の記録膜の温度分布を利
用して磁区を拡大および／または縮小し、その磁区面積
の変化が情報として検出される、いわゆる磁壁移動検出
方式の光磁気ディスクである。
いて図面を参照しながら説明する。図１は、この発明の
一実施形態による光磁気ディスク１の構成の一例を示す
断面図である。図１に示すように、この発明の一実施形
態による光磁気ディスク１は、誘電体膜３、記録膜９お
よび保護膜８を、基板２の一主面上に順次積層すること
により構成される。ここで、記録膜９は、移動層４、制
御層５、切断層６、記録層７を誘電体膜３上に順次積層
することにより構成される。この光磁気ディスク１は、
例えば、レーザースポット近傍の記録膜の温度分布を利
用して磁区を拡大および／または縮小し、その磁区面積
の変化が情報として検出される、いわゆる磁壁移動検出
方式の光磁気ディスクである。
【００１５】基板２は、例えば射出成形により樹脂材料
をディスク状に成形したものからなる。この樹脂材料と
しては、例えば、ポリカーボネートなどが用いられる。
また、この基板２を射出成形する際、凹凸パターンを有
するスタンパにより、基板２の一主面にランドおよびグ
ルーブが例えばスパイラル状に形成される。
をディスク状に成形したものからなる。この樹脂材料と
しては、例えば、ポリカーボネートなどが用いられる。
また、この基板２を射出成形する際、凹凸パターンを有
するスタンパにより、基板２の一主面にランドおよびグ
ルーブが例えばスパイラル状に形成される。
【００１６】また、基板２の一主面に形成された誘電体
膜３は、例えば、ＳｉＮからなる。また、誘電体膜３上
に形成された移動層４は、例えば、ＧｄＦｅＣｏＡｌか
ら構成される。
膜３は、例えば、ＳｉＮからなる。また、誘電体膜３上
に形成された移動層４は、例えば、ＧｄＦｅＣｏＡｌか
ら構成される。
【００１７】また、移動層４上に形成された制御層５
は、切断層６と同一の構成元素、例えば、ＴｂＦｅＣｏ
Ａｌから構成される。ただし、この制御層５は、切断層
６とは異なる元素組成比率および／または磁気特性を有
する磁性層である。
は、切断層６と同一の構成元素、例えば、ＴｂＦｅＣｏ
Ａｌから構成される。ただし、この制御層５は、切断層
６とは異なる元素組成比率および／または磁気特性を有
する磁性層である。
【００１８】また、制御層５上に形成された切断層６
は、制御層５と同一の構成元素、例えば、ＴｂＦｅＣｏ
Ａｌから構成される。
は、制御層５と同一の構成元素、例えば、ＴｂＦｅＣｏ
Ａｌから構成される。
【００１９】また、切断層６上に形成された記録層７
は、例えば、ＴｂＦｅＣｏから構成される。また、記録
層７上に形成された保護膜８は、記録層７を保護するた
めのものであり、例えば、ＳｉＮから構成される。
は、例えば、ＴｂＦｅＣｏから構成される。また、記録
層７上に形成された保護膜８は、記録層７を保護するた
めのものであり、例えば、ＳｉＮから構成される。
【００２０】次に、以上のように構成された光磁気ディ
スク１の製造方法について説明する。まず、光磁気ディ
スク１を製造するためのマグネトロンスパッタリング装
置について説明する。
スク１の製造方法について説明する。まず、光磁気ディ
スク１を製造するためのマグネトロンスパッタリング装
置について説明する。
【００２１】図２Ａは、マグネトロンスパッタリング装
置のキャリア台車１１の正面図である。図２Ｂは、マグ
ネトロンスパッタリング装置の断面図である。このマグ
ネトロンスパッタリング装置は、図２Ｂに示すように、
基板２を載置するためのキャリア台車１１と、複数のカ
ソード１２とを有する。これらのカソード１２は、各カ
ソードの中心が中心軸Ｏ−Ｏから同一距離にあるととも
に、隣り合うカソード１２の距離が等間隔となるように
配置されている。カソード１２のターゲット配置面１２
ａには、それぞれ、ターゲット１３が備えられる。具体
的には、カソード１２のターゲット配置面１２ａには、
それぞれ、Ｇｄターゲット、Ｔｂターゲット、Ｆｅター
ゲット、ＦｅＣｏ（Ｆｅ70Ｃｏ30）合金ターゲット、Ａ
ｌターゲット、Ｓｉターゲットが備えられる。なお、タ
ーゲット１３の外径は、１５．２４ｃｍ（６インチ）で
ある。
置のキャリア台車１１の正面図である。図２Ｂは、マグ
ネトロンスパッタリング装置の断面図である。このマグ
ネトロンスパッタリング装置は、図２Ｂに示すように、
基板２を載置するためのキャリア台車１１と、複数のカ
ソード１２とを有する。これらのカソード１２は、各カ
ソードの中心が中心軸Ｏ−Ｏから同一距離にあるととも
に、隣り合うカソード１２の距離が等間隔となるように
配置されている。カソード１２のターゲット配置面１２
ａには、それぞれ、ターゲット１３が備えられる。具体
的には、カソード１２のターゲット配置面１２ａには、
それぞれ、Ｇｄターゲット、Ｔｂターゲット、Ｆｅター
ゲット、ＦｅＣｏ（Ｆｅ70Ｃｏ30）合金ターゲット、Ａ
ｌターゲット、Ｓｉターゲットが備えられる。なお、タ
ーゲット１３の外径は、１５．２４ｃｍ（６インチ）で
ある。
【００２２】キャリア台車１１は、図２Ａに示すよう
に、回転可能に構成された円盤状のパレット１４を備
え、このパレット１４は、基板配置面１４ａに複数の基
板２を装着可能に構成されている。なお、これらの基板
２は、各基板２の中心がパレット１４の中心から等距離
にあるとともに、隣り合う基板２の距離が等間隔となる
ように、基板配置面１４ａに配置される。ここで、パレ
ット１４の中心から基板２の中心までの距離は、中心軸
Ｏ−Ｏからカソード１２の中心までの距離に略等しい。
に、回転可能に構成された円盤状のパレット１４を備
え、このパレット１４は、基板配置面１４ａに複数の基
板２を装着可能に構成されている。なお、これらの基板
２は、各基板２の中心がパレット１４の中心から等距離
にあるとともに、隣り合う基板２の距離が等間隔となる
ように、基板配置面１４ａに配置される。ここで、パレ
ット１４の中心から基板２の中心までの距離は、中心軸
Ｏ−Ｏからカソード１２の中心までの距離に略等しい。
【００２３】また、キャリア台車１１は、スパッタリン
グ時には、基板配置面１４ａがターゲット配置面１２ａ
と対向するとともに、中心軸Ｏ−Ｏがパレット１４の中
心を通過するように配置される。すなわち、スパッタリ
ング時には、パレット１４が、中心軸Ｏ−Ｏを回転軸と
して、ターゲット配置面１２ａに対して平行な面内を回
転する。なお、スパッタリング時におけるパレット１４
の基板配置面１４ａとターゲット配置面１２ａとの距離
は１５０ｍｍである。
グ時には、基板配置面１４ａがターゲット配置面１２ａ
と対向するとともに、中心軸Ｏ−Ｏがパレット１４の中
心を通過するように配置される。すなわち、スパッタリ
ング時には、パレット１４が、中心軸Ｏ−Ｏを回転軸と
して、ターゲット配置面１２ａに対して平行な面内を回
転する。なお、スパッタリング時におけるパレット１４
の基板配置面１４ａとターゲット配置面１２ａとの距離
は１５０ｍｍである。
【００２４】ここで、この発明の一実施形態による光磁
気ディスク１の製造方法の理解を容易にするために、基
板、誘電体膜、磁性層、保護膜を、基板の一主面に順次
積層して構成されてなるサンプル１およびサンプル２の
製造方法について示す。なお、サンプル１とサンプル２
とは、磁性層を形成するスパッタリングプロセス時のプ
ロセス条件が異なる。
気ディスク１の製造方法の理解を容易にするために、基
板、誘電体膜、磁性層、保護膜を、基板の一主面に順次
積層して構成されてなるサンプル１およびサンプル２の
製造方法について示す。なお、サンプル１とサンプル２
とは、磁性層を形成するスパッタリングプロセス時のプ
ロセス条件が異なる。
【００２５】スパッタリングプロセス時のプロセス条件
について説明する。ガス圧力とは、スパッタリング中の
槽内の圧力値である。槽内の容積とガス流量、排気口の
コンダクタンス、ポンプの排気量等で決まる値であり、
請求項に記載した、ガス流量、排気口の開口率等に強く
依存する値である。磁性層を構成する元素の磁性層中の
密度分布とは、例えば表記上の組成がＴｂ20Ｆｅ68Ｃｏ
12で表される磁性層があった場合、元素が磁性層内でほ
ぼ一様に分布している状態と、Ｔｂ数原子層／Ｆｅ及び
Ｃｏ合金数原子層というように層状に分布している状態
とを密度分布として区別することを指し、これはスパッ
タリングの条件によって作り分けられる。
について説明する。ガス圧力とは、スパッタリング中の
槽内の圧力値である。槽内の容積とガス流量、排気口の
コンダクタンス、ポンプの排気量等で決まる値であり、
請求項に記載した、ガス流量、排気口の開口率等に強く
依存する値である。磁性層を構成する元素の磁性層中の
密度分布とは、例えば表記上の組成がＴｂ20Ｆｅ68Ｃｏ
12で表される磁性層があった場合、元素が磁性層内でほ
ぼ一様に分布している状態と、Ｔｂ数原子層／Ｆｅ及び
Ｃｏ合金数原子層というように層状に分布している状態
とを密度分布として区別することを指し、これはスパッ
タリングの条件によって作り分けられる。
【００２６】はじめに、サンプル１の製造方法について
示す。まず、基板を、図２Ａおよび図２Ｂに示したキャ
リア台車１１の基板配置面１４ａに装着し、キャリア台
車１１をチャンバー槽に搬入する。そして、チャンバー
槽内を５×１０-5Ｐａ以下まで真空排気する。その後、
アルゴンガスおよび窒素をチャンバー槽内に流すととも
に、チャンバー槽内の圧力を０．１０Ｐａに保ちながら
パレット１４を回転させ、Ｓｉターゲットを反応性スパ
ッタリングして基板の一主面に約３５ｎｍのＳｉＮから
なる誘電体膜を形成する。この際、アルゴンと窒素の流
量比は、４：１である。
示す。まず、基板を、図２Ａおよび図２Ｂに示したキャ
リア台車１１の基板配置面１４ａに装着し、キャリア台
車１１をチャンバー槽に搬入する。そして、チャンバー
槽内を５×１０-5Ｐａ以下まで真空排気する。その後、
アルゴンガスおよび窒素をチャンバー槽内に流すととも
に、チャンバー槽内の圧力を０．１０Ｐａに保ちながら
パレット１４を回転させ、Ｓｉターゲットを反応性スパ
ッタリングして基板の一主面に約３５ｎｍのＳｉＮから
なる誘電体膜を形成する。この際、アルゴンと窒素の流
量比は、４：１である。
【００２７】次に、Ｔｂ、Ｆｅ、ＦｅＣｏ合金、Ａｌの
各ターゲットを放電させてスパッタリングを行うことに
より、誘電体膜上に約４０ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌから
なる磁性層を形成する。このスパッタリングプロセスで
のプロセス条件を以下に示す。なお、ガス流量と排気バ
ルブ開口率は本明細書中における実施例で使用したスパ
ッタリング装置において用いた値であり、この値を用い
ると常に当該ガス圧力が得られるというわけではない
為、参考値として（ ）内に示した。 ガス圧力：０．０６Ｐａ （ガス流量：６０ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：１００
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ、Ａｌターゲット ８０Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
各ターゲットを放電させてスパッタリングを行うことに
より、誘電体膜上に約４０ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌから
なる磁性層を形成する。このスパッタリングプロセスで
のプロセス条件を以下に示す。なお、ガス流量と排気バ
ルブ開口率は本明細書中における実施例で使用したスパ
ッタリング装置において用いた値であり、この値を用い
ると常に当該ガス圧力が得られるというわけではない
為、参考値として（ ）内に示した。 ガス圧力：０．０６Ｐａ （ガス流量：６０ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：１００
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ、Ａｌターゲット ８０Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
【００２８】次に、アルゴンガスおよび窒素をチャンバ
ー槽内に流すとともに、チャンバー槽内の圧力を０．１
０Ｐａに保ちながらパレット１４を回転させ、Ｓｉター
ゲットを反応性スパッタリングして磁性層上にＳｉＮか
らなる保護膜を形成する。この際、アルゴンと窒素の流
量比は、例えば、４：１である。
ー槽内に流すとともに、チャンバー槽内の圧力を０．１
０Ｐａに保ちながらパレット１４を回転させ、Ｓｉター
ゲットを反応性スパッタリングして磁性層上にＳｉＮか
らなる保護膜を形成する。この際、アルゴンと窒素の流
量比は、例えば、４：１である。
【００２９】そして、上述のように形成された磁性層の
保持力の温度変化を計測した。なお、この計測には、カ
ー効果を使用した測定装置を用いた。
保持力の温度変化を計測した。なお、この計測には、カ
ー効果を使用した測定装置を用いた。
【００３０】図３は、磁性層の保持力の温度変化を示す
グラフである。保持力が０になる温度（キュリー温度と
略同一）は１３４℃であった。また、室温から保持力が
０になる温度（１３４℃）までの温度範囲において、磁
性層の希土類（Ｔｂ）−遷移金属（Ｆｅ、Ｃｏ）の優勢
な磁化は希土類の方であった。
グラフである。保持力が０になる温度（キュリー温度と
略同一）は１３４℃であった。また、室温から保持力が
０になる温度（１３４℃）までの温度範囲において、磁
性層の希土類（Ｔｂ）−遷移金属（Ｆｅ、Ｃｏ）の優勢
な磁化は希土類の方であった。
【００３１】次に、サンプル２の製造方法について示
す。まず、サンプル１の製造方法と同様にして、基板上
に約３５ｎｍのＳｉＮからなる誘電体膜を形成する。
す。まず、サンプル１の製造方法と同様にして、基板上
に約３５ｎｍのＳｉＮからなる誘電体膜を形成する。
【００３２】次に、Ｔｂ、Ｆｅ、ＦｅＣｏ合金、Ａｌの
各ターゲットを放電させてスパッタリングを行うことに
より、誘電体膜上に約４０ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌから
なる磁性層を形成する。このスパッタリングプロセスで
のプロセス条件を以下に示す。なお、このスパッタリン
グプロセスにおけるガス圧力以外のプロセス条件は、上
述したサンプル１の磁性層を形成した際のプロセス条件
と同様である。 ガス圧力：０．３４Ｐａ （ガス流量：１００ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：４５
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ、Ａｌターゲット ８０Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
各ターゲットを放電させてスパッタリングを行うことに
より、誘電体膜上に約４０ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌから
なる磁性層を形成する。このスパッタリングプロセスで
のプロセス条件を以下に示す。なお、このスパッタリン
グプロセスにおけるガス圧力以外のプロセス条件は、上
述したサンプル１の磁性層を形成した際のプロセス条件
と同様である。 ガス圧力：０．３４Ｐａ （ガス流量：１００ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：４５
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ、Ａｌターゲット ８０Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
【００３３】次に、サンプル１の製造方法と同様にし
て、磁性層上にＳｉＮからなる保護膜を形成する。
て、磁性層上にＳｉＮからなる保護膜を形成する。
【００３４】そして、上述のように形成された磁性層の
保持力の温度変化を計測した。なお、この計測には、カ
ー効果を使用した測定装置を用いた。
保持力の温度変化を計測した。なお、この計測には、カ
ー効果を使用した測定装置を用いた。
【００３５】図４は、磁性層の保持力の温度変化を示す
グラフである。保持力が０になる温度（キュリー温度と
略同一）は１１５℃であった。また、室温から保持力が
０になる温度（１１５℃）までの温度範囲において、磁
性層の希土類（Ｔｂ）−遷移金属（Ｆｅ、Ｃｏ）の優勢
な磁化は遷移金属の方であった。
グラフである。保持力が０になる温度（キュリー温度と
略同一）は１１５℃であった。また、室温から保持力が
０になる温度（１１５℃）までの温度範囲において、磁
性層の希土類（Ｔｂ）−遷移金属（Ｆｅ、Ｃｏ）の優勢
な磁化は遷移金属の方であった。
【００３６】上述したサンプル１およびサンプル２の製
造方法より、同一のターゲットを用いたスパッタリング
において、スパッタリングプロセスのプロセス条件とし
て、ガス圧力を変えることにより、図３および図４に示
すように、温度変化に伴う保持力の値が異なる磁性層を
作り分けることができる。
造方法より、同一のターゲットを用いたスパッタリング
において、スパッタリングプロセスのプロセス条件とし
て、ガス圧力を変えることにより、図３および図４に示
すように、温度変化に伴う保持力の値が異なる磁性層を
作り分けることができる。
【００３７】以下、この発明の一実施形態による光磁気
ディスク１の製造方法について説明する。ここでは、同
一のターゲットをスパッタリングする際に、スパッタリ
ングプロセスのプロセス条件として、ガス圧力のみを変
えることにより、光磁気ディスク１の移動層４と制御層
５とを作り分ける場合を例として示す。
ディスク１の製造方法について説明する。ここでは、同
一のターゲットをスパッタリングする際に、スパッタリ
ングプロセスのプロセス条件として、ガス圧力のみを変
えることにより、光磁気ディスク１の移動層４と制御層
５とを作り分ける場合を例として示す。
【００３８】まず、基板２を、図２Ａおよび図２Ｂに示
したキャリア台車１１の基板配置面１４ａに装着し、キ
ャリア台車１１をチャンバー槽に搬入する。そして、チ
ャンバー槽内を５×１０-5Ｐａ以下まで真空排気する。
その後、アルゴンガスおよび窒素をチャンバー槽内に流
すとともに、チャンバー槽内の圧力を０．１０Ｐａに保
ちながらパレット１４を回転させ、Ｓｉターゲットを反
応性スパッタリングして基板２の一主面にＳｉＮからな
る誘電体膜３を形成する。この際、アルゴンと窒素の流
量比は、例えば、４：１である。
したキャリア台車１１の基板配置面１４ａに装着し、キ
ャリア台車１１をチャンバー槽に搬入する。そして、チ
ャンバー槽内を５×１０-5Ｐａ以下まで真空排気する。
その後、アルゴンガスおよび窒素をチャンバー槽内に流
すとともに、チャンバー槽内の圧力を０．１０Ｐａに保
ちながらパレット１４を回転させ、Ｓｉターゲットを反
応性スパッタリングして基板２の一主面にＳｉＮからな
る誘電体膜３を形成する。この際、アルゴンと窒素の流
量比は、例えば、４：１である。
【００３９】次に、アルゴンガスをチャンバー槽内に流
すとともに、チャンバー槽内を所定圧力に保ちながらパ
レット１４を回転させ、Ｇｄターゲット、Ｆｅターゲッ
ト、ＦｅＣＯ合金ターゲット、Ａｌターゲットを放電さ
せ、誘電体膜３上にＧｄＦｅＣｏＡｌからなる移動層４
を形成する。
すとともに、チャンバー槽内を所定圧力に保ちながらパ
レット１４を回転させ、Ｇｄターゲット、Ｆｅターゲッ
ト、ＦｅＣＯ合金ターゲット、Ａｌターゲットを放電さ
せ、誘電体膜３上にＧｄＦｅＣｏＡｌからなる移動層４
を形成する。
【００４０】次に、Ｔｂ、Ｆｅ、ＦｅＣｏ合金、Ａｌの
各ターゲットを放電させてスパッタリングを行うことに
より、移動層４上に約３ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌからな
る制御層５を形成する。このスパッタリングプロセスで
のプロセス条件を以下に示す。 ガス圧力：０．０６Ｐａ （ガス流量：６０ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：１００
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ、Ａｌターゲット ６０Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 記磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
各ターゲットを放電させてスパッタリングを行うことに
より、移動層４上に約３ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌからな
る制御層５を形成する。このスパッタリングプロセスで
のプロセス条件を以下に示す。 ガス圧力：０．０６Ｐａ （ガス流量：６０ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：１００
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ、Ａｌターゲット ６０Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 記磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
【００４１】次に、スパッタリングプロセスのプロセス
条件を変えて、Ｔｂ、Ｆｅ、ＦｅＣｏ合金、Ａｌの各タ
ーゲットを放電させてスパッタリングを行うことによ
り、制御層５上に約１０ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌからな
る切断層６を形成する。このスパッタリングプロセスで
のプロセス条件を以下に示す。 ガス圧力：０．３４Ｐａ （ガス流量：１００ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：４５
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ、Ａｌターゲット ６０Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 記磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
条件を変えて、Ｔｂ、Ｆｅ、ＦｅＣｏ合金、Ａｌの各タ
ーゲットを放電させてスパッタリングを行うことによ
り、制御層５上に約１０ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌからな
る切断層６を形成する。このスパッタリングプロセスで
のプロセス条件を以下に示す。 ガス圧力：０．３４Ｐａ （ガス流量：１００ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：４５
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ、Ａｌターゲット ６０Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 記磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
【００４２】次に、アルゴンガスをチャンバー槽内に流
すとともに、チャンバー槽内を所定圧力に保ちながらパ
レット１４を回転させ、Ｔｂターゲット、Ｆｅターゲッ
ト、ＦｅＣＯ合金ターゲットを放電させ、切断層６上に
ＴｂＦｅＣｏからなる記録層７を形成する。
すとともに、チャンバー槽内を所定圧力に保ちながらパ
レット１４を回転させ、Ｔｂターゲット、Ｆｅターゲッ
ト、ＦｅＣＯ合金ターゲットを放電させ、切断層６上に
ＴｂＦｅＣｏからなる記録層７を形成する。
【００４３】次に、アルゴンガスと窒素をチャンバー槽
内に流すとともに、チャンバー槽内を所定圧力に保ちな
がらパレット１４を回転させ、Ｓｉを反応性スパッタリ
ングして、基板２の一主面にＳｉＮからなる保護膜８を
形成する。
内に流すとともに、チャンバー槽内を所定圧力に保ちな
がらパレット１４を回転させ、Ｓｉを反応性スパッタリ
ングして、基板２の一主面にＳｉＮからなる保護膜８を
形成する。
【００４４】次に、本発明者は、制御層が省略された光
磁気ディスク（比較例１）（比較例２）と、構成元素が
異なる制御層５と切断層６を有する光磁気ディスクとを
作製した。そして、この発明の一実施形態による光磁気
ディスク１、比較例１の光磁気ディスクおよび比較例２
の光磁気ディスクのジッタ(Jitter)値の再生パワー依存
性を測定し、比較を行った。
磁気ディスク（比較例１）（比較例２）と、構成元素が
異なる制御層５と切断層６を有する光磁気ディスクとを
作製した。そして、この発明の一実施形態による光磁気
ディスク１、比較例１の光磁気ディスクおよび比較例２
の光磁気ディスクのジッタ(Jitter)値の再生パワー依存
性を測定し、比較を行った。
【００４５】図５は、比較例１の光磁気ディスク２１の
構成を示す断面図である。この光磁気ディスク２１は、
いわゆる磁壁移動検出方式の光磁気ディスクである。な
お、図５に示した光磁気ディスク２１において、図１に
示した光磁気ディスク１に対応する部分には、同一の符
号を付し、説明を省略する。図５に示すように、比較例
１の光磁気ディスク２１は、一実施形態による光磁気デ
ィスク１の制御層５が省略された構成を有する。
構成を示す断面図である。この光磁気ディスク２１は、
いわゆる磁壁移動検出方式の光磁気ディスクである。な
お、図５に示した光磁気ディスク２１において、図１に
示した光磁気ディスク１に対応する部分には、同一の符
号を付し、説明を省略する。図５に示すように、比較例
１の光磁気ディスク２１は、一実施形態による光磁気デ
ィスク１の制御層５が省略された構成を有する。
【００４６】次に、比較例１の光磁気ディスク２１の製
造方法について示す。まず、一実施形態による光磁気デ
ィスク１の製造方法と同様にして、基板２の一主面に、
誘電体膜３、移動層４を形成する。
造方法について示す。まず、一実施形態による光磁気デ
ィスク１の製造方法と同様にして、基板２の一主面に、
誘電体膜３、移動層４を形成する。
【００４７】次に、Ｔｂ、Ｆｅ、ＦｅＣｏ合金、Ａｌの
各ターゲットを放電させてスパッタリングを行うことに
より、移動層４上に約１０ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌから
なる切断層６を形成する。このスパッタリングプロセス
でのプロセス条件を以下に示す。 ガス圧力：０．０６Ｐａ （ガス流量：６０ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：１００
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ、Ａｌターゲット ９０Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
各ターゲットを放電させてスパッタリングを行うことに
より、移動層４上に約１０ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌから
なる切断層６を形成する。このスパッタリングプロセス
でのプロセス条件を以下に示す。 ガス圧力：０．０６Ｐａ （ガス流量：６０ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：１００
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ、Ａｌターゲット ９０Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
【００４８】これ以降の比較例１の光磁気ディスク２１
の製造方法は、一実施形態による光磁気ディスク１の製
造方法と同様であるので説明を省略する。
の製造方法は、一実施形態による光磁気ディスク１の製
造方法と同様であるので説明を省略する。
【００４９】図６は、比較例２の光磁気ディスク３１の
構成を示す断面図である。この光磁気ディスク３１は、
いわゆる磁壁移動検出方式の光磁気ディスクである。な
お、図５に示した光磁気ディスク３１おいて、図１に示
した光磁気ディスク１に対応する部分には、同一の符号
を付し、説明を省略する。上述した一実施形態による光
磁気ディスク１では、制御層５と切断層６とが同一の構
成元素から構成されるが、比較例２の光磁気ディスク３
１では、制御層３２と切断層３３とが異なる構成元素か
ら構成される。具体的には、制御層３２がＴｂＦｅＣｏ
から構成され、切断層３３がＴｂＦｅＣｏＡｌから構成
される。
構成を示す断面図である。この光磁気ディスク３１は、
いわゆる磁壁移動検出方式の光磁気ディスクである。な
お、図５に示した光磁気ディスク３１おいて、図１に示
した光磁気ディスク１に対応する部分には、同一の符号
を付し、説明を省略する。上述した一実施形態による光
磁気ディスク１では、制御層５と切断層６とが同一の構
成元素から構成されるが、比較例２の光磁気ディスク３
１では、制御層３２と切断層３３とが異なる構成元素か
ら構成される。具体的には、制御層３２がＴｂＦｅＣｏ
から構成され、切断層３３がＴｂＦｅＣｏＡｌから構成
される。
【００５０】次に、比較例２の光磁気ディスク３１の製
造方法について示す。まず、一実施形態による光磁気デ
ィスク１の製造方法と同様にして、基板２の一主面に、
誘電体膜３、移動層４を形成する。
造方法について示す。まず、一実施形態による光磁気デ
ィスク１の製造方法と同様にして、基板２の一主面に、
誘電体膜３、移動層４を形成する。
【００５１】次に、Ｔｂ、Ｆｅ、ＦｅＣｏ合金の各ター
ゲットを放電させてスパッタリングを行うことにより、
移動層４上に約３ｎｍのＴｂＦｅＣｏからなる制御層３
２を形成する。このスパッタリングプロセスでのプロセ
ス条件を以下に示す。 ガス圧力：０．０６Ｐａ （ガス流量：６０ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：１００
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
ゲットを放電させてスパッタリングを行うことにより、
移動層４上に約３ｎｍのＴｂＦｅＣｏからなる制御層３
２を形成する。このスパッタリングプロセスでのプロセ
ス条件を以下に示す。 ガス圧力：０．０６Ｐａ （ガス流量：６０ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：１００
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
【００５２】次に、スパッタリングプロセスのプロセス
条件を変えて、Ｔｂ、Ｆｅ、ＦｅＣｏ合金、Ａｌの各タ
ーゲットを放電させてスパッタリングを行うことによ
り、制御層３２上に約１０ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌから
なる切断層３３を形成する。このスパッタリングプロセ
スでのプロセス条件を以下に示す。 ガス圧力：０．０６Ｐａ （ガス流量：６０ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：１００
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ、Ａｌターゲット ９０Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
条件を変えて、Ｔｂ、Ｆｅ、ＦｅＣｏ合金、Ａｌの各タ
ーゲットを放電させてスパッタリングを行うことによ
り、制御層３２上に約１０ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌから
なる切断層３３を形成する。このスパッタリングプロセ
スでのプロセス条件を以下に示す。 ガス圧力：０．０６Ｐａ （ガス流量：６０ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：１００
％） ガス種：アルゴンガス 放電パワー（投入電力）：Ｔｂターゲット ７５Ｗ、Ｆ
ｅターゲット１８０Ｗ、ＦｅＣｏ合金ターゲット ６０
Ｗ、Ａｌターゲット ９０Ｗ 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ パレット回転速度：１．３ｒｐｓ（８０ｒｐｍ）
【００５３】これ以外の比較例２の光磁気ディスクの製
造方法３１は、一実施形態による光磁気ディスクの製造
方法と同様であるので説明を省略する。
造方法３１は、一実施形態による光磁気ディスクの製造
方法と同様であるので説明を省略する。
【００５４】次に、これらの光磁気ディスク１、光磁気
ディスク２１、光磁気ディスク３１のそれぞれのジッタ
値の再生パワー依存性を測定した。
ディスク２１、光磁気ディスク３１のそれぞれのジッタ
値の再生パワー依存性を測定した。
【００５５】比較例１の光磁気ディスク２１は、制御層
５が備えられていないため、いわゆるゴースト信号が発
生し、信号波形に歪みが生じた。したがって、比較例１
の光磁気ディスク２１では、良好なジッタ値を得ること
ができなかった。
５が備えられていないため、いわゆるゴースト信号が発
生し、信号波形に歪みが生じた。したがって、比較例１
の光磁気ディスク２１では、良好なジッタ値を得ること
ができなかった。
【００５６】一方、一実施形態による光磁気ディスク１
と、比較例２の光磁気ディスク３１とでは、良好なジッ
タ値が得られた。なお、一実施形態による光磁気ディス
ク１と、比較例２の光磁気ディスク３１との信号波形
は、略同様であった。
と、比較例２の光磁気ディスク３１とでは、良好なジッ
タ値が得られた。なお、一実施形態による光磁気ディス
ク１と、比較例２の光磁気ディスク３１との信号波形
は、略同様であった。
【００５７】すなわち、比較例２の光磁気ディスク３１
の製造方法ように、異なるターゲットを用いたスパッタ
リングにより、異なる材料組成を有する制御層３２と切
断層３３とを作り分けなくても、一実施形態による光磁
気ディスク１による製造方法のように、同一ターゲッ
ト、同一放電パワー、同一チャンバー槽を用いたスパッ
タリングでガス圧力のみを変えることにより、制御層５
と切断層６とを作り分け、良好か信号特性の光磁気ディ
スクを製造することができる。
の製造方法ように、異なるターゲットを用いたスパッタ
リングにより、異なる材料組成を有する制御層３２と切
断層３３とを作り分けなくても、一実施形態による光磁
気ディスク１による製造方法のように、同一ターゲッ
ト、同一放電パワー、同一チャンバー槽を用いたスパッ
タリングでガス圧力のみを変えることにより、制御層５
と切断層６とを作り分け、良好か信号特性の光磁気ディ
スクを製造することができる。
【００５８】この一実施形態によれば、以下のような利
点を得ることができる。光磁気ディスク１が有する制御
層５と切断層６とを、スパッタリングプロセス時のプロ
セス条件を変更することにより、基板２の一主面に形成
する少なくとも２層の磁性層を作り分けることができ
る。
点を得ることができる。光磁気ディスク１が有する制御
層５と切断層６とを、スパッタリングプロセス時のプロ
セス条件を変更することにより、基板２の一主面に形成
する少なくとも２層の磁性層を作り分けることができ
る。
【００５９】次に、この発明の他の実施形態について説
明する。上述した一実施形態においては、複数のターゲ
ットを用いた同時スパッタリングにより基板の一主面に
磁性層を積層する例について示したが、この発明の他の
実施形態においては、合金ターゲットを用いた枚葉式ス
パッタリング装置により、基板の一主面に磁性層を積層
する例について示す。
明する。上述した一実施形態においては、複数のターゲ
ットを用いた同時スパッタリングにより基板の一主面に
磁性層を積層する例について示したが、この発明の他の
実施形態においては、合金ターゲットを用いた枚葉式ス
パッタリング装置により、基板の一主面に磁性層を積層
する例について示す。
【００６０】この発明の他の実施形態による光磁気ディ
スクの構成は、上述した一実施形態と同様であるので説
明を省略し、以下では、一実施形態の構成の説明に用い
た図１を用いて、この発明の他の実施形態により光磁気
ディスクの製造方法について説明する。
スクの構成は、上述した一実施形態と同様であるので説
明を省略し、以下では、一実施形態の構成の説明に用い
た図１を用いて、この発明の他の実施形態により光磁気
ディスクの製造方法について説明する。
【００６１】まず、基板２をＳｉターゲットが設置され
たチャンバー槽に搬入する。そして、チャンバー槽内を
所定圧力まで真空排気する。その後、アルゴンガスおよ
び窒素をチャンバー槽内に流すとともに、チャンバー槽
内の圧力を所定圧力に保ちながら、Ｓｉターゲットを反
応性スパッタリングして基板２の一主面にＳｉＮからな
る誘電体膜３を形成する。
たチャンバー槽に搬入する。そして、チャンバー槽内を
所定圧力まで真空排気する。その後、アルゴンガスおよ
び窒素をチャンバー槽内に流すとともに、チャンバー槽
内の圧力を所定圧力に保ちながら、Ｓｉターゲットを反
応性スパッタリングして基板２の一主面にＳｉＮからな
る誘電体膜３を形成する。
【００６２】次に、誘電体膜３が形成された基板２を、
ＧｄＦｅＣＯＡｌからなる合金ターゲットが設置された
チャンバー槽に搬入し、チャンバー槽内を所定圧力まで
真空排気する。そして、アルゴンガスをチャンバー槽内
に流すとともに、チャンバー槽内を所定圧力に保ちなが
ら、ターゲットを放電させ、誘電体膜３上にＧｄＦｅＣ
ｏＡｌからなる移動層４を形成する。
ＧｄＦｅＣＯＡｌからなる合金ターゲットが設置された
チャンバー槽に搬入し、チャンバー槽内を所定圧力まで
真空排気する。そして、アルゴンガスをチャンバー槽内
に流すとともに、チャンバー槽内を所定圧力に保ちなが
ら、ターゲットを放電させ、誘電体膜３上にＧｄＦｅＣ
ｏＡｌからなる移動層４を形成する。
【００６３】次に、移動層４が形成された基板２を、Ｔ
ｂＦｅＣｏＡｌからなる合金ターゲットが設置されたチ
ャンバー槽に搬入し、チャンバー槽内を所定圧力まで真
空排気する。そして、アルゴンガスをチャンバー槽内に
流すとともに、チャンバー槽内を所定圧力に保ちなが
ら、ターゲットを放電させ、移動層４上に約３ｎｍのＴ
ｂＦｅＣｏＡｌからなる制御層５を形成する。このスパ
ッタリングプロセスでのプロセス条件を以下に示す。 ガス圧力：０．０６Ｐａ （ガス流量：６０ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：１００
％） ガス種：アルゴンガス 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 記磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ
ｂＦｅＣｏＡｌからなる合金ターゲットが設置されたチ
ャンバー槽に搬入し、チャンバー槽内を所定圧力まで真
空排気する。そして、アルゴンガスをチャンバー槽内に
流すとともに、チャンバー槽内を所定圧力に保ちなが
ら、ターゲットを放電させ、移動層４上に約３ｎｍのＴ
ｂＦｅＣｏＡｌからなる制御層５を形成する。このスパ
ッタリングプロセスでのプロセス条件を以下に示す。 ガス圧力：０．０６Ｐａ （ガス流量：６０ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：１００
％） ガス種：アルゴンガス 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 記磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ
【００６４】次に、スパッタリングプロセスのプロセス
条件を変えて、ＴｂＦｅＣｏＡｌの合金ターゲットを放
電させてスパッタリングを行うことにより、制御層５上
に約１０ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌからなる切断層６を形
成する。このスパッタリングプロセスでのプロセス条件
を以下に示す。 ガス圧力：０．３４Ｐａ （ガス流量：１００ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：４５
％） ガス種：アルゴンガス 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 記磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ
条件を変えて、ＴｂＦｅＣｏＡｌの合金ターゲットを放
電させてスパッタリングを行うことにより、制御層５上
に約１０ｎｍのＴｂＦｅＣｏＡｌからなる切断層６を形
成する。このスパッタリングプロセスでのプロセス条件
を以下に示す。 ガス圧力：０．３４Ｐａ （ガス流量：１００ｓｃｃｍ、排気バルブ開口率：４５
％） ガス種：アルゴンガス 基板へのバイアス電圧：０Ｖ 記磁性層を構成する元素の磁性層中の密度分布：一様 基板とターゲット間距離：１５０ｍｍ
【００６５】次に、誘電体膜３が形成された基板２を、
ＴｂＦｅＣＯからなる合金ターゲットが設置されたチャ
ンバー槽に搬入し、チャンバー槽内を所定圧力まで真空
排気する。そして、アルゴンガスをチャンバー槽内に流
すとともに、チャンバー槽内を所定圧力に保ちながら、
ターゲットを放電させ、切断層６上にＴｂＦｅＣｏから
なる記録層７を形成する。
ＴｂＦｅＣＯからなる合金ターゲットが設置されたチャ
ンバー槽に搬入し、チャンバー槽内を所定圧力まで真空
排気する。そして、アルゴンガスをチャンバー槽内に流
すとともに、チャンバー槽内を所定圧力に保ちながら、
ターゲットを放電させ、切断層６上にＴｂＦｅＣｏから
なる記録層７を形成する。
【００６６】次に、記録層７が形成された基板２を、Ｓ
ｉターゲットが設けられたチャンバー槽に搬入し、チャ
ンバー槽内を所定圧力まで真空排気する。そして、アル
ゴンガスと窒素をチャンバー槽内に流すとともに、チャ
ンバー槽内を所定圧力に保ちながら、Ｓｉを反応性スパ
ッタリングして、基板の一主面にＳｉＮからなる保護膜
８を形成する。
ｉターゲットが設けられたチャンバー槽に搬入し、チャ
ンバー槽内を所定圧力まで真空排気する。そして、アル
ゴンガスと窒素をチャンバー槽内に流すとともに、チャ
ンバー槽内を所定圧力に保ちながら、Ｓｉを反応性スパ
ッタリングして、基板の一主面にＳｉＮからなる保護膜
８を形成する。
【００６７】この他の実施形態によれば、以下のような
利点を得ることができる。光磁気ディスク１が有する制
御層５と切断層６とを、同一チャンバー槽内において、
同一の合金ターゲットをスパッタリングすることにより
形成する際に、制御層５と切断層６それぞれの元素組成
比率および／あるいは磁気特性に応じて、スパッタリン
グプロセス時のガス圧力を選択するため、スパッタリン
グプロセス時のプロセス条件を変更するだけで磁性層を
作り分けることができる。したがって、チャンバー槽の
槽数を減らすことができるため、磁性多層膜を備えた光
磁気ディスク１の製造装置を簡素化および小型化するこ
とができる。また、磁性多層膜を備えた光磁気ディスク
１の材料費やタクトタイムを低減することができる。
利点を得ることができる。光磁気ディスク１が有する制
御層５と切断層６とを、同一チャンバー槽内において、
同一の合金ターゲットをスパッタリングすることにより
形成する際に、制御層５と切断層６それぞれの元素組成
比率および／あるいは磁気特性に応じて、スパッタリン
グプロセス時のガス圧力を選択するため、スパッタリン
グプロセス時のプロセス条件を変更するだけで磁性層を
作り分けることができる。したがって、チャンバー槽の
槽数を減らすことができるため、磁性多層膜を備えた光
磁気ディスク１の製造装置を簡素化および小型化するこ
とができる。また、磁性多層膜を備えた光磁気ディスク
１の材料費やタクトタイムを低減することができる。
【００６８】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定
されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各
種の変形が可能である。
的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定
されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各
種の変形が可能である。
【００６９】例えば、上述の一実施形態において挙げた
数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異な
る数値を用いてもよい。
数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異な
る数値を用いてもよい。
【００７０】また、上述した一実施形態においては、光
磁気ディスク１が有する制御層５と切断層６とを、同一
チャンバー層内において、同一ターゲット１３をスパッ
タリングすることにより形成する際に、制御層５と切断
層６それぞれの元素組成比率および／あるいは磁気特性
に応じて、スパッタリングプロセス時のガス圧力を変化
させる例について示したが、スパッタリングにより磁性
層を形成する際の、ガス圧力、ガス流量、ガス種、ター
ゲットへの投入電力、基板へのバイアス電圧、磁性層を
構成する元素の磁性層中の密度分布および基板と材料タ
ーゲット間距離、パレット回転速度（パレット１４の回
転周期）を変化させるようにしてもかまわない。
磁気ディスク１が有する制御層５と切断層６とを、同一
チャンバー層内において、同一ターゲット１３をスパッ
タリングすることにより形成する際に、制御層５と切断
層６それぞれの元素組成比率および／あるいは磁気特性
に応じて、スパッタリングプロセス時のガス圧力を変化
させる例について示したが、スパッタリングにより磁性
層を形成する際の、ガス圧力、ガス流量、ガス種、ター
ゲットへの投入電力、基板へのバイアス電圧、磁性層を
構成する元素の磁性層中の密度分布および基板と材料タ
ーゲット間距離、パレット回転速度（パレット１４の回
転周期）を変化させるようにしてもかまわない。
【００７１】また、上述した他の実施形態においては、
光磁気ディスク１が有する制御層５と切断層６とを、同
一チャンバー層内において、同一ターゲット１３をスパ
ッタリングすることにより形成する際に、制御層５と切
断層６それぞれの元素組成比率および／あるいは磁気特
性に応じて、スパッタリングプロセス時のガス圧力を変
化させる例について示したが、スパッタリングにより磁
性層を形成する際の、ガス圧力、ガス流量、ガス種、タ
ーゲットへの投入電力、基板へのバイアス電圧、磁性層
を構成する元素の磁性層中の密度分布および基板と材料
ターゲット間距離を変化させるようにしてもかまわな
い。
光磁気ディスク１が有する制御層５と切断層６とを、同
一チャンバー層内において、同一ターゲット１３をスパ
ッタリングすることにより形成する際に、制御層５と切
断層６それぞれの元素組成比率および／あるいは磁気特
性に応じて、スパッタリングプロセス時のガス圧力を変
化させる例について示したが、スパッタリングにより磁
性層を形成する際の、ガス圧力、ガス流量、ガス種、タ
ーゲットへの投入電力、基板へのバイアス電圧、磁性層
を構成する元素の磁性層中の密度分布および基板と材料
ターゲット間距離を変化させるようにしてもかまわな
い。
【００７２】また、上述した一実施形態および他の実施
形態においては、この発明を磁壁移動検出方式の光磁気
ディスクに適用する例について示したが、この発明はこ
の例に限られるものではない。例えば、磁気拡大再生
(ＭＡＭＭＯＳ(Magnetically Amplified MO System))方
式の光磁気ディスクなどにこの発明を適用するようにし
てもかまわない。
形態においては、この発明を磁壁移動検出方式の光磁気
ディスクに適用する例について示したが、この発明はこ
の例に限られるものではない。例えば、磁気拡大再生
(ＭＡＭＭＯＳ(Magnetically Amplified MO System))方
式の光磁気ディスクなどにこの発明を適用するようにし
てもかまわない。
【００７３】また、上述した他の実施形態においては、
移動層４、制御層５、切断層６、記録層７を、それぞ
れ、ＧｄＦｅＣｏＡｌからなる合金ターゲット、ＴｂＦ
ｅＣｏＡｌからなる合金ターゲット、ＴｂＦｅＣｏＡｌ
からなる合金ターゲット、ＴｂＦｅＣｏからなる合金タ
ーゲットを用いて形成する例について示したが、これら
の磁性層を同時スパッタリングにより形成するようにし
てもかまわない。
移動層４、制御層５、切断層６、記録層７を、それぞ
れ、ＧｄＦｅＣｏＡｌからなる合金ターゲット、ＴｂＦ
ｅＣｏＡｌからなる合金ターゲット、ＴｂＦｅＣｏＡｌ
からなる合金ターゲット、ＴｂＦｅＣｏからなる合金タ
ーゲットを用いて形成する例について示したが、これら
の磁性層を同時スパッタリングにより形成するようにし
てもかまわない。
【００７４】例えば、Ｇｄターゲット、Ｆｅターゲッ
ト、ＦｅＣｏターゲットおよびＡｌターゲットが備えら
れたチャンバー槽内で、これらのターゲットを同時スパ
ッタリングすることにより、移動層４を形成するように
してもかまわない。
ト、ＦｅＣｏターゲットおよびＡｌターゲットが備えら
れたチャンバー槽内で、これらのターゲットを同時スパ
ッタリングすることにより、移動層４を形成するように
してもかまわない。
【００７５】また、Ｔｂターゲット、Ｆｅターゲット、
ＦｅＣｏターゲットおよびＡｌターゲットが備えられた
チャンバー槽内で、これらのターゲットを同時スパッタ
リングすることにより、制御層５および切断層６を形成
するようにしてもかまわない。
ＦｅＣｏターゲットおよびＡｌターゲットが備えられた
チャンバー槽内で、これらのターゲットを同時スパッタ
リングすることにより、制御層５および切断層６を形成
するようにしてもかまわない。
【００７６】また、Ｔｂターゲット、Ｆｅターゲット、
ＦｅＣｏターゲットが備えられたチャンバー槽内で、こ
れらのターゲットを同時スパッタリングすることによ
り、記録層７を形成するようにしてもかまわない。
ＦｅＣｏターゲットが備えられたチャンバー槽内で、こ
れらのターゲットを同時スパッタリングすることによ
り、記録層７を形成するようにしてもかまわない。
【００７７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、真空槽およびターゲットの数を減らすことができ
る。したがって、光磁気記録媒体の製造設備を簡略化お
よび小型化することができる。また、光磁気記録媒体の
製造費用やタクトタイムを低減することができる。
ば、真空槽およびターゲットの数を減らすことができ
る。したがって、光磁気記録媒体の製造設備を簡略化お
よび小型化することができる。また、光磁気記録媒体の
製造費用やタクトタイムを低減することができる。
【図１】この発明の一実施形態による光磁気ディスクの
構成の一例を示す断面図である。
構成の一例を示す断面図である。
【図２】この発明の一実施形態による光磁気ディスクを
製造するためのマグネトロンスパッタリング装置の構成
の一例を示す。
製造するためのマグネトロンスパッタリング装置の構成
の一例を示す。
【図３】サンプル１の磁性層の磁気特性を示すグラフで
ある。
ある。
【図４】サンプル２の磁性層の磁気特性を示すグラフで
ある。
ある。
【図５】第１の比較例の光磁気ディスクの構成を示す断
面図である。
面図である。
【図６】第２の比較例の光磁気ディスクの構成を示す断
面図である。
面図である。
１，２１，３１・・・光磁気ディスク、２・・・基板、
３・・・誘電体膜、４・・・移動層、５・・・制御層、
６・・・切断層、７・・・記録層、８・・・保護膜、１
１・・・キャリア台車、１２・・・カソード、１２ａ・
・・ターゲット配置面、１３・・・ターゲット、１４・
・・パレット、１４ａ・・・基板配置面
３・・・誘電体膜、４・・・移動層、５・・・制御層、
６・・・切断層、７・・・記録層、８・・・保護膜、１
１・・・キャリア台車、１２・・・カソード、１２ａ・
・・ターゲット配置面、１３・・・ターゲット、１４・
・・パレット、１４ａ・・・基板配置面
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 11/105 ５４６ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５４６Ｋ
Claims (11)
- 【請求項１】 複数の磁性層が積層されてなる記録膜を
基板の一主面にスパッタリングにより形成する光磁気記
録媒体の製造方法において、 上記複数の磁性層のうちの少なくとも２層を、同一真空
槽内において、同一ターゲット手段をスパッタリングす
ることにより形成するようになし、 上記少なくとも２層のそれぞれの元素組成比率および／
あるいは磁気特性に応じて、 上記少なくとも２層のそれぞれ異なるスパッタリングプ
ロセス時のプロセス条件を選択することを特徴とする光
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 上記スパッタリングプロセス時のプロセ
ス条件は、上記スパッタリングのガス圧力、ガス流量、
排気口の開口率、ガス種、上記ターゲット手段への投入
電力、上記基板へのバイアス電圧、上記磁性層を構成す
る元素の磁性層中の密度分布および／または上記基板と
上記ターゲット間距離であることを特徴とする請求項１
記載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 上記複数の磁性層のうちの少なくとも２
層を、同一真空槽内において、同一ターゲット手段をス
パッタリングすることにより連続して積層することを特
徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 上記同一ターゲット手段が少なくとも遷
移金属元素および希土類元素からなる合金ターゲットで
あることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項５】 上記同一ターゲット手段が複数のターゲ
ットからなり、上記複数のターゲットが互いに異なる構
成元素からなることを特徴とする請求項１記載の光磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 上記複数のターゲットには、希土類元素
からなるターゲットと遷移金属元素からなるターゲット
とを少なくとも含むことを特徴とする請求項５記載の光
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 上記複数のターゲットを交互に、かつ周
期的にスパッタリングすることを特徴とする請求項５記
載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 上記スパッタリングプロセス時のプロセ
ス条件は、上記スパッタリングのガス圧力、ガス流量、
排気口の開口率、ガス種、上記ターゲット手段への投入
電力、上記基板へのバイアス電圧、上記磁性層を構成す
る元素の磁性層中の密度分布、上記基板と上記ターゲッ
ト間距離および／または上記周期であることを特徴とす
ることを請求項７記載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 複数の磁性層が積層されてなる記録膜を
基板の一主面に有する光磁気記録媒体において、 上記複数の磁性層のうちの少なくとも２層が同一構成元
素からなるとともに、互いに異なる元素組成比率および
／または磁気特性を有することを特徴とする光磁気記録
媒体。 - 【請求項１０】 レーザースポット近傍の記録膜の温度
分布を利用して磁区を拡大および／または縮小し、上記
磁区の面積の変化が情報として検出されることを特徴と
する請求項９記載の光磁気学記録媒体。 - 【請求項１１】 上記複数の磁性層のうちの少なくとも
２層が連続して積層されていることを特徴とする請求項
９記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002070375A JP2003272264A (ja) | 2002-03-14 | 2002-03-14 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
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| PCT/JP2003/002910 WO2003077245A1 (fr) | 2002-03-14 | 2003-03-12 | Support d'enregistrement magneto-optique et son procede de fabrication |
| EP03710309A EP1484759A4 (en) | 2002-03-14 | 2003-03-12 | MAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| KR10-2003-7014745A KR20040086726A (ko) | 2002-03-14 | 2003-03-12 | 광자기 기록 매체 및 그 제조 방법 |
| US12/001,340 US20080102318A1 (en) | 2002-03-14 | 2007-12-11 | Magneto-optical recording medium and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002070375A JP2003272264A (ja) | 2002-03-14 | 2002-03-14 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003272264A true JP2003272264A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=27800340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002070375A Pending JP2003272264A (ja) | 2002-03-14 | 2002-03-14 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
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| WO (1) | WO2003077245A1 (ja) |
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| JP2539401B2 (ja) * | 1986-11-18 | 1996-10-02 | 日立マクセル株式会社 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH03142732A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-18 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録用媒体の製造方法 |
| US5814400A (en) * | 1990-05-18 | 1998-09-29 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording medium and method |
| US6033535A (en) * | 1990-08-28 | 2000-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording disk and method for manufacturing the same |
| JPH05217232A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-27 | Nkk Corp | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH05303777A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Dainippon Ink & Chem Inc | 光磁気記録媒体とその製造方法 |
| JP2942060B2 (ja) * | 1992-05-15 | 1999-08-30 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH05325283A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-10 | Tosoh Corp | 光磁気記録媒体 |
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| JP3514408B2 (ja) * | 1996-09-12 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | 透明導電膜をスパッタ形成する方法 |
| JPH11213466A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Nikon Corp | 光ディスクの製造方法および製造装置 |
| US6492035B1 (en) * | 1998-08-31 | 2002-12-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium with intermediate layer having a controlled saturation magnetization |
| JP3477384B2 (ja) * | 1998-11-27 | 2003-12-10 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3434242B2 (ja) * | 1999-07-29 | 2003-08-04 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| DE19944067A1 (de) * | 1999-09-14 | 2001-03-15 | Mannesmann Vdo Ag | Verfahren zur Anzeige von Primär- und Sekundärinformationen |
| AU2001258855A1 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto optical recording medium, manufacturing method for the same, and method and apparatus for reading the same |
| JP2003162848A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及び記憶装置 |
-
2002
- 2002-03-14 JP JP2002070375A patent/JP2003272264A/ja active Pending
-
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- 2003-03-12 US US10/476,628 patent/US7517436B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2003-03-12 WO PCT/JP2003/002910 patent/WO2003077245A1/ja active Application Filing
- 2003-03-12 EP EP03710309A patent/EP1484759A4/en not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-12-11 US US12/001,340 patent/US20080102318A1/en not_active Abandoned
Also Published As
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| US20040157087A1 (en) | 2004-08-12 |
| US20080102318A1 (en) | 2008-05-01 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040409 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070911 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080129 |