JPH07262630A - 磁気光学記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気光学記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH07262630A JPH07262630A JP6054063A JP5406394A JPH07262630A JP H07262630 A JPH07262630 A JP H07262630A JP 6054063 A JP6054063 A JP 6054063A JP 5406394 A JP5406394 A JP 5406394A JP H07262630 A JPH07262630 A JP H07262630A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板１上に設けられ、膜面に垂直な磁化容易
軸を有する非晶質磁性薄膜３は、組成をＴｂx Ｄｙ
y （Ｆｅ1-z Ｃｏz ）1-(x+y) で表し、上記ｘ、ｙおよ
びｚが、０＜ｘ≦０．１２、０＜ｙ≦０．１２および０
＜ｚ≦０．３０の範囲であるとき、上記ｘおよびｙの条
件が、０．２５≦ｘ／（ｘ＋ｙ）である。 【効果】 磁気光学記録媒体を安価に製作することがで
きるとともに、ＣＮ比を向上させることができる。
軸を有する非晶質磁性薄膜３は、組成をＴｂx Ｄｙ
y （Ｆｅ1-z Ｃｏz ）1-(x+y) で表し、上記ｘ、ｙおよ
びｚが、０＜ｘ≦０．１２、０＜ｙ≦０．１２および０
＜ｚ≦０．３０の範囲であるとき、上記ｘおよびｙの条
件が、０．２５≦ｘ／（ｘ＋ｙ）である。 【効果】 磁気光学記録媒体を安価に製作することがで
きるとともに、ＣＮ比を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光により情報の
記録、再生、消去を行う磁気光学記録媒体およびその製
造方法に関するものである。
記録、再生、消去を行う磁気光学記録媒体およびその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度・大容量・高速アクセス等
の種々の要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活
発に推進されている。特に、上記光メモリ装置に使用さ
れる磁気光学記録媒体には、膜面に垂直な磁化容易軸を
有する磁性体膜を用いた磁気光学磁性薄膜が使用されて
いる。
の種々の要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活
発に推進されている。特に、上記光メモリ装置に使用さ
れる磁気光学記録媒体には、膜面に垂直な磁化容易軸を
有する磁性体膜を用いた磁気光学磁性薄膜が使用されて
いる。
【０００３】この磁気光学磁性薄膜として、従来よりＭ
ｎＢｉ、ＭｎＣｕＢｉ等の多結晶薄膜、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦ
ｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏ等の非晶質薄膜、Ｇ
ＩＧに代表される化合物単結晶薄膜等が知られている。
ｎＢｉ、ＭｎＣｕＢｉ等の多結晶薄膜、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦ
ｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏ等の非晶質薄膜、Ｇ
ＩＧに代表される化合物単結晶薄膜等が知られている。
【０００４】これらの磁気光学磁性薄膜のうち、大面積
の薄膜を室温近傍において製作できる実用性を備え、ま
た、実用的な半導体（ＧａＡｌＡｓ）レーザ等により書
込み・読出し可能であるという理由から、上記の非晶質
薄膜が磁気光学記録媒体に適していると考えられてい
る。
の薄膜を室温近傍において製作できる実用性を備え、ま
た、実用的な半導体（ＧａＡｌＡｓ）レーザ等により書
込み・読出し可能であるという理由から、上記の非晶質
薄膜が磁気光学記録媒体に適していると考えられてい
る。
【０００５】ここで、以下の表１に非晶質薄膜と性能指
数としてのカー回転角（度）との関係を示す。
数としてのカー回転角（度）との関係を示す。
【０００６】
【表１】
【０００７】表１に示すように、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦ
ｅＣｏがカー回転角が大きく、これらの非晶質薄膜が磁
気光学記録媒体に好適に使用されることが分かる。
ｅＣｏがカー回転角が大きく、これらの非晶質薄膜が磁
気光学記録媒体に好適に使用されることが分かる。
【０００８】また、高密度に情報を記録するために、書
込み磁場を小さくするような組成、即ち垂直磁気異方性
エネルギーが大きくなるような組成の非晶質薄膜が種々
提案されている。
込み磁場を小さくするような組成、即ち垂直磁気異方性
エネルギーが大きくなるような組成の非晶質薄膜が種々
提案されている。
【０００９】また、書込みビット長さ（記録ビット長
さ）０．７６μｍ程度で最も信号対雑音比（ＣＮ比：Ca
rrier-to-noise ratio）の高い組成の非晶質薄膜は、Ｔ
ｂＦｅＣｏがある。これは、ＴｂＦｅＣｏの垂直磁気異
方性エネルギーが大きいためである。
さ）０．７６μｍ程度で最も信号対雑音比（ＣＮ比：Ca
rrier-to-noise ratio）の高い組成の非晶質薄膜は、Ｔ
ｂＦｅＣｏがある。これは、ＴｂＦｅＣｏの垂直磁気異
方性エネルギーが大きいためである。
【００１０】以下の表２に磁気光学磁性薄膜の垂直磁気
異方性エネルギー（Ｋｕ）およびＣＮ比の関係を示す。
異方性エネルギー（Ｋｕ）およびＣＮ比の関係を示す。
【００１１】
【表２】
【００１２】表２に示すように、ＧｄＦｅＣｏよりもカ
ー回転角の小さいＴｂＦｅＣｏの方が垂直磁気異方性エ
ネルギーが高く、ＣＮ比も高くなっており、ＣＮ比を高
めるためには、表１に示したカー回転角よりも垂直磁気
異方性エネルギーが大きいことが必要であることが分か
る。即ち、ＣＮ比を高めるためには、カー回転角の大き
さよりも垂直磁気異方性エネルギーの大きさの方が支配
的であることが分かる。
ー回転角の小さいＴｂＦｅＣｏの方が垂直磁気異方性エ
ネルギーが高く、ＣＮ比も高くなっており、ＣＮ比を高
めるためには、表１に示したカー回転角よりも垂直磁気
異方性エネルギーが大きいことが必要であることが分か
る。即ち、ＣＮ比を高めるためには、カー回転角の大き
さよりも垂直磁気異方性エネルギーの大きさの方が支配
的であることが分かる。
【００１３】ところが、Ｔｂ（テルビウム）は、希土類
の中で最も高価であることから、磁気光学磁性薄膜とし
てＴｂＦｅＣｏを使用すれば、磁気光学記録媒体の価格
が高くなるという問題が生じ、また、磁気光学磁性薄膜
として低コストで比較的垂直磁気異方性エネルギーの大
きいＤｙＦｅＣｏを使用した磁気光学記録媒体では、Ｃ
Ｎ比が小さくなるという問題が生じている。
の中で最も高価であることから、磁気光学磁性薄膜とし
てＴｂＦｅＣｏを使用すれば、磁気光学記録媒体の価格
が高くなるという問題が生じ、また、磁気光学磁性薄膜
として低コストで比較的垂直磁気異方性エネルギーの大
きいＤｙＦｅＣｏを使用した磁気光学記録媒体では、Ｃ
Ｎ比が小さくなるという問題が生じている。
【００１４】そこで、ＣＮ比を実用レベルに維持し、価
格を抑えるために、ＤｙＦｅＣｏにＴｂを加えたＴｂＤ
ｙＦｅＣｏの四元系合金からなる磁気光学磁性薄膜を使
用した磁気光学記録媒体が、例えば特開平３−２０９６
４７号公報に開示されている。
格を抑えるために、ＤｙＦｅＣｏにＴｂを加えたＴｂＤ
ｙＦｅＣｏの四元系合金からなる磁気光学磁性薄膜を使
用した磁気光学記録媒体が、例えば特開平３−２０９６
４７号公報に開示されている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記公報に
開示された磁気光学記録媒体では、記録磁場感度を高め
るために、ＴｂＤｙＦｅＣｏの組成は、保磁力が５ｋＯ
ｅ以下となるように設定されている。このため、磁気光
学記録媒体に対する１０6 回程度の記録再生消去サイク
ルを行う耐久性試験を行った後では、多数のエラーが発
生するという問題が生じている。
開示された磁気光学記録媒体では、記録磁場感度を高め
るために、ＴｂＤｙＦｅＣｏの組成は、保磁力が５ｋＯ
ｅ以下となるように設定されている。このため、磁気光
学記録媒体に対する１０6 回程度の記録再生消去サイク
ルを行う耐久性試験を行った後では、多数のエラーが発
生するという問題が生じている。
【００１６】本発明は、上記の問題点に鑑みなされたも
のであって、その目的は、ＴｂＤｙＦｅＣｏからなる四
元系合金からなる磁気光学磁性薄膜を用いることによ
り、ＣＮ比を実用レベルで維持することが可能で、耐久
性試験後のエラーの発生を抑制するとともに、より安価
に製作し得る磁気光学記録媒体およびその製造方法を提
供することにある。
のであって、その目的は、ＴｂＤｙＦｅＣｏからなる四
元系合金からなる磁気光学磁性薄膜を用いることによ
り、ＣＮ比を実用レベルで維持することが可能で、耐久
性試験後のエラーの発生を抑制するとともに、より安価
に製作し得る磁気光学記録媒体およびその製造方法を提
供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の請求項１の磁気光学記録媒体は、基板の
上に膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質テルビウム
・ディスプロシウム・鉄・コバルト四元系合金薄膜を有
する磁気光学記録媒体において、上記四元系合金薄膜の
組成を以下の式、Ｔｂx Ｄｙy （Ｆｅ1-z Ｃｏz ）
1-(x+y) で表し、上記ｘ、ｙおよびｚが、０＜ｘ≦０．
１２、０＜ｙ≦０．１２および０＜ｚ≦０．３０の範囲
にあるとき、上記ｘおよびｙの条件が、０．２５≦ｘ／
（ｘ＋ｙ）であることを特徴としている。
めに、本発明の請求項１の磁気光学記録媒体は、基板の
上に膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質テルビウム
・ディスプロシウム・鉄・コバルト四元系合金薄膜を有
する磁気光学記録媒体において、上記四元系合金薄膜の
組成を以下の式、Ｔｂx Ｄｙy （Ｆｅ1-z Ｃｏz ）
1-(x+y) で表し、上記ｘ、ｙおよびｚが、０＜ｘ≦０．
１２、０＜ｙ≦０．１２および０＜ｚ≦０．３０の範囲
にあるとき、上記ｘおよびｙの条件が、０．２５≦ｘ／
（ｘ＋ｙ）であることを特徴としている。
【００１８】また、請求項２の磁気光学記録媒体は、請
求項１記載の磁気光学記録媒体において、四元系合金薄
膜は、ＴｂＦｅＣｏ層とＤｙＦｅＣｏ層とを交互に繰り
返し積層した多層膜からなることを特徴としている。
求項１記載の磁気光学記録媒体において、四元系合金薄
膜は、ＴｂＦｅＣｏ層とＤｙＦｅＣｏ層とを交互に繰り
返し積層した多層膜からなることを特徴としている。
【００１９】さらに、請求項３の磁気光学記録媒体の製
造方法は、基板の上に、ＴｂＦｅＣｏターゲットとＤｙ
ＦｅＣｏターゲットとにより交互に繰り返しスパッタリ
ングしてＴｂＦｅＣｏ層とＤｙＦｅＣｏ層とを積層して
上記四元系合金薄膜を形成することを特徴としている。
造方法は、基板の上に、ＴｂＦｅＣｏターゲットとＤｙ
ＦｅＣｏターゲットとにより交互に繰り返しスパッタリ
ングしてＴｂＦｅＣｏ層とＤｙＦｅＣｏ層とを積層して
上記四元系合金薄膜を形成することを特徴としている。
【００２０】
【作用】請求項１記載の磁気光学記録媒体においては、
四元系合金薄膜の組成式を、Ｔｂx Ｄｙy （Ｆｅ1-z Ｃ
ｏz ）1-(x+y) で表したとき、上記ｘ、ｙおよびｚが、
０＜ｘ≦０．１２、０＜ｙ≦０．１２、０＜ｚ≦０．３
０の範囲にあるとき、上記ｘおよびｙの条件が、０．２
５≦ｘ／（ｘ＋ｙ）であることで、磁化を安定して膜面
に垂直な方向に向かわせることができ、さらに、ＣＮ比
を実用レベルとすることができる。
四元系合金薄膜の組成式を、Ｔｂx Ｄｙy （Ｆｅ1-z Ｃ
ｏz ）1-(x+y) で表したとき、上記ｘ、ｙおよびｚが、
０＜ｘ≦０．１２、０＜ｙ≦０．１２、０＜ｚ≦０．３
０の範囲にあるとき、上記ｘおよびｙの条件が、０．２
５≦ｘ／（ｘ＋ｙ）であることで、磁化を安定して膜面
に垂直な方向に向かわせることができ、さらに、ＣＮ比
を実用レベルとすることができる。
【００２１】これにより、ＣＮ比を実用レベルとするた
めのＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜におけるＴｂの最低含有
率が分かり、この結果、低価格でかつＣＮ比の大きい磁
気光学記録媒体を製作することが可能となる。
めのＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜におけるＴｂの最低含有
率が分かり、この結果、低価格でかつＣＮ比の大きい磁
気光学記録媒体を製作することが可能となる。
【００２２】また、上記の組成のＴｂＤｙＦｅＣｏ合金
薄膜を用いた磁気光学記録媒体では、室温での保磁力を
６ｋＯｅ以上とすることができるので、１０6 回の記録
再生消去サイクル耐久性試験を行った後でのエラーの増
加を無くすことができる。
薄膜を用いた磁気光学記録媒体では、室温での保磁力を
６ｋＯｅ以上とすることができるので、１０6 回の記録
再生消去サイクル耐久性試験を行った後でのエラーの増
加を無くすことができる。
【００２３】請求項２記載の磁気光学記録媒体において
は、ＴｂＤｙＦｅＣｏ四元系合金薄膜が、ＴｂＦｅＣｏ
層とＤｙＦｅＣｏ層とが交互に繰り返し積層された多層
膜からなっている。このＴｂＤｙＦｅＣｏ四元系合金薄
膜は、例えば、上記請求項３記載のように、ＴｂＦｅＣ
ｏターゲットとＤｙＦｅＣｏターゲットとにより交互に
繰り返しスパッタリングしてＴｂＦｅＣｏ層とＤｙＦｅ
Ｃｏ層とを積層することによって形成することができ
る。
は、ＴｂＤｙＦｅＣｏ四元系合金薄膜が、ＴｂＦｅＣｏ
層とＤｙＦｅＣｏ層とが交互に繰り返し積層された多層
膜からなっている。このＴｂＤｙＦｅＣｏ四元系合金薄
膜は、例えば、上記請求項３記載のように、ＴｂＦｅＣ
ｏターゲットとＤｙＦｅＣｏターゲットとにより交互に
繰り返しスパッタリングしてＴｂＦｅＣｏ層とＤｙＦｅ
Ｃｏ層とを積層することによって形成することができ
る。
【００２４】これにより、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜
は、膜厚方向に、Ｔｂリッチ層とＤｙリッチ層とが交互
に現れる合金薄膜とすることができる。そして、ＴｂＦ
ｅＣｏ層とＤｙＦｅＣｏ層とを周期的に積層した多層膜
からなるＴｂＤｙＦｅＣｏ四元系合金薄膜は、この多層
膜構造のＴｂＤｙＦｅＣｏ四元系合金薄膜と同一組成
で、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏが均一に混合されたＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ四元系合金薄膜よりも垂直磁気異方性エネル
ギーを大きくすることができ、この結果、ＣＮ比も大き
くすることができる。
は、膜厚方向に、Ｔｂリッチ層とＤｙリッチ層とが交互
に現れる合金薄膜とすることができる。そして、ＴｂＦ
ｅＣｏ層とＤｙＦｅＣｏ層とを周期的に積層した多層膜
からなるＴｂＤｙＦｅＣｏ四元系合金薄膜は、この多層
膜構造のＴｂＤｙＦｅＣｏ四元系合金薄膜と同一組成
で、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏが均一に混合されたＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ四元系合金薄膜よりも垂直磁気異方性エネル
ギーを大きくすることができ、この結果、ＣＮ比も大き
くすることができる。
【００２５】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図５に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２６】本実施例の光磁気ディスク（磁気光学記録
媒体）は、図１に示すように、ガラス、ポリカーボネイ
ト等の光学的に透明な材料からなる基板１の片面に、光
磁気記録膜６と、保護コーティング膜５とが設けられた
構造となっている。
媒体）は、図１に示すように、ガラス、ポリカーボネイ
ト等の光学的に透明な材料からなる基板１の片面に、光
磁気記録膜６と、保護コーティング膜５とが設けられた
構造となっている。
【００２７】上記光磁気記録膜６は、情報の記録層とな
り、基板１側から、順次、ＡｌＮからなる誘電体膜（膜
厚１００ｎｍ）２、ＴｂＤｙＦｅＣｏからなる非晶質磁
性薄膜（膜厚３０ｎｍ）３、ＡｌＮからなる誘電体膜
（膜厚３０ｎｍ）２、およびＡｌからなる反射膜（膜厚
５０ｎｍ）４の４層が積層された構成となっている。
り、基板１側から、順次、ＡｌＮからなる誘電体膜（膜
厚１００ｎｍ）２、ＴｂＤｙＦｅＣｏからなる非晶質磁
性薄膜（膜厚３０ｎｍ）３、ＡｌＮからなる誘電体膜
（膜厚３０ｎｍ）２、およびＡｌからなる反射膜（膜厚
５０ｎｍ）４の４層が積層された構成となっている。
【００２８】上記の非晶質磁性薄膜３は、膜面に垂直な
磁化容易軸を有する非晶質テルビウム・ディスプロシウ
ム・鉄・コバルト四元系合金薄膜（以下、ＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ合金薄膜と称する）からなり、図２に示すように、
ＴｂＦｅＣｏ層７（層厚２．５Å）とＤｙＦｅＣｏ層８
（層厚２．５Å）とが交互に繰り返し積層された多層膜
からなっている。
磁化容易軸を有する非晶質テルビウム・ディスプロシウ
ム・鉄・コバルト四元系合金薄膜（以下、ＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ合金薄膜と称する）からなり、図２に示すように、
ＴｂＦｅＣｏ層７（層厚２．５Å）とＤｙＦｅＣｏ層８
（層厚２．５Å）とが交互に繰り返し積層された多層膜
からなっている。
【００２９】したがって、非晶質磁性薄膜３は、上記の
ようにＴｂＦｅＣｏ層７とＤｙＦｅＣｏ層８とが交互に
繰り返し積層されることによって、膜厚方向に対してＴ
ｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜のＴｂリッチ層とＤｙリッチ層
とが交互に現れるようになっている。
ようにＴｂＦｅＣｏ層７とＤｙＦｅＣｏ層８とが交互に
繰り返し積層されることによって、膜厚方向に対してＴ
ｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜のＴｂリッチ層とＤｙリッチ層
とが交互に現れるようになっている。
【００３０】ここで、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜の組成
を以下の式、 Ｔｂx Ｄｙy （Ｆｅ1-z Ｃｏz ）1-(x+y) で表したとき、上記ｘ、ｙおよびｚが、０＜ｘ≦０．１
２、０＜ｙ≦０．１２、０＜ｚ≦０．３０の範囲であれ
ば、磁化を安定して膜面に垂直な方向に向かわせること
ができる。尚、上記ｚが０．３＜ｚであれば、キュリー
温度または補償温度の組成依存性が大きくなり、実用的
でなくなり、また、ｘおよびｙが上記の範囲外となれ
ば、磁化を膜面に垂直な方向に安定して向かわせること
が困難となり、実用的な記録再生特性を得ることができ
ないことになる。
を以下の式、 Ｔｂx Ｄｙy （Ｆｅ1-z Ｃｏz ）1-(x+y) で表したとき、上記ｘ、ｙおよびｚが、０＜ｘ≦０．１
２、０＜ｙ≦０．１２、０＜ｚ≦０．３０の範囲であれ
ば、磁化を安定して膜面に垂直な方向に向かわせること
ができる。尚、上記ｚが０．３＜ｚであれば、キュリー
温度または補償温度の組成依存性が大きくなり、実用的
でなくなり、また、ｘおよびｙが上記の範囲外となれ
ば、磁化を膜面に垂直な方向に安定して向かわせること
が困難となり、実用的な記録再生特性を得ることができ
ないことになる。
【００３１】そして、Ｔｂx Ｄｙy （Ｆｅ1-z Ｃｏz ）
1-(x+y) のｘ、ｙおよびｚを上記の範囲とし、ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏ合金薄膜の組成を（Ｔｂx Ｄｙy ）0.215 （Ｆ
ｅ1- Z ＣｏZ ）0.785 としたとき、直流スパッタ装置に
おいて、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットを用いてスパ
ッタリングを行い、Ｔｂ量ｘ、Ｄｙ量ｙ、Ｃｏ量ｚを変
えてＣＮ比を測定した結果を表３および図４に示す。
1-(x+y) のｘ、ｙおよびｚを上記の範囲とし、ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏ合金薄膜の組成を（Ｔｂx Ｄｙy ）0.215 （Ｆ
ｅ1- Z ＣｏZ ）0.785 としたとき、直流スパッタ装置に
おいて、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットを用いてスパ
ッタリングを行い、Ｔｂ量ｘ、Ｄｙ量ｙ、Ｃｏ量ｚを変
えてＣＮ比を測定した結果を表３および図４に示す。
【００３２】尚、ｘ／（ｘ＋ｙ）は、ＴｂＤｙ合金中の
Ｔｂ量の割合を示している。また、ｚは、ＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ合金薄膜の各組成において、キュリー温度が２００
℃となるように調整されている。
Ｔｂ量の割合を示している。また、ｚは、ＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ合金薄膜の各組成において、キュリー温度が２００
℃となるように調整されている。
【００３３】
【表３】
【００３４】表３および図４に示すように、Ｔｂ量の割
合とＣＮ比との関係は、必ずしも線形ではなく、ｘ／
（ｘ＋ｙ）が０．２５位よりＣＮ比が飽和状態に近くな
るような非線形となっている。これにより、ｘ／（ｘ＋
ｙ）が、少なくとも０．２５あれば、実用レベルのＣＮ
比とすることができることが分かる。即ち、ＴｂＤｙ中
にＴｂが少なくとも２５％含まれていれば、実用レベル
のＣＮ比とすることができることが分かる。
合とＣＮ比との関係は、必ずしも線形ではなく、ｘ／
（ｘ＋ｙ）が０．２５位よりＣＮ比が飽和状態に近くな
るような非線形となっている。これにより、ｘ／（ｘ＋
ｙ）が、少なくとも０．２５あれば、実用レベルのＣＮ
比とすることができることが分かる。即ち、ＴｂＤｙ中
にＴｂが少なくとも２５％含まれていれば、実用レベル
のＣＮ比とすることができることが分かる。
【００３５】したがって、ＣＮ比を実用レベルとするた
めのＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜におけるＴｂの最低含有
率が分かり、この結果、低価格でかつＣＮ比の大きい磁
気光学記録媒体を製作することが可能となる。
めのＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜におけるＴｂの最低含有
率が分かり、この結果、低価格でかつＣＮ比の大きい磁
気光学記録媒体を製作することが可能となる。
【００３６】また、上記の組成のＴｂＤｙＦｅＣｏ合金
薄膜を用いた磁気光学記録媒体では、室温での保磁力を
６ｋＯｅ以上にすることができるので、１０6 回の記録
再生消去サイクル耐久性試験を行った後でのエラーの増
加を無くすことができる。
薄膜を用いた磁気光学記録媒体では、室温での保磁力を
６ｋＯｅ以上にすることができるので、１０6 回の記録
再生消去サイクル耐久性試験を行った後でのエラーの増
加を無くすことができる。
【００３７】また、上記誘電体膜２、反射膜４は、例え
ば図示しない真空装置を用いたスパッタ法や蒸着法等に
よって形成されるが、上記非晶質磁性薄膜３は、例えば
図３に示す自公転スパッタ装置９によって形成される。
ば図示しない真空装置を用いたスパッタ法や蒸着法等に
よって形成されるが、上記非晶質磁性薄膜３は、例えば
図３に示す自公転スパッタ装置９によって形成される。
【００３８】上記自公転スパッタ装置９は、図３に示す
ように、筐体状のスパッタ室１０内に、基板１上に誘電
体膜２が形成された基体１１を複数枚セットするパレッ
ト１２と、ＴｂＦｅＣｏターゲット１３と、ＤｙＦｅＣ
ｏターゲット１４とを備えた構成となっている。
ように、筐体状のスパッタ室１０内に、基板１上に誘電
体膜２が形成された基体１１を複数枚セットするパレッ
ト１２と、ＴｂＦｅＣｏターゲット１３と、ＤｙＦｅＣ
ｏターゲット１４とを備えた構成となっている。
【００３９】上記のパレット１２は、図示しない駆動手
段により、支軸１２ａを中心に矢印Ｘ方向に回転され、
このとき、このパレット１２上にセットされた基体１１
は矢印Ｙ方向に回転される。即ち、パレット１２は支軸
１２ａを中心に自転し、基体１１は公転する。
段により、支軸１２ａを中心に矢印Ｘ方向に回転され、
このとき、このパレット１２上にセットされた基体１１
は矢印Ｙ方向に回転される。即ち、パレット１２は支軸
１２ａを中心に自転し、基体１１は公転する。
【００４０】また、ＴｂＦｅＣｏターゲット１３とＤｙ
ＦｅＣｏターゲット１４とは、上記パレット１２にセッ
トされた基体１１の対角線上に相当する部位にそれぞれ
配設されている。これにより、基体１１がパレット１２
の自転によってＴｂＦｅＣｏターゲット１３に対向する
位置まで移動したときＴｂＦｅＣｏ層がスパッタリング
され、さらに、ＤｙＦｅＣｏターゲット１４に対向する
位置まで移動したときＤｙＦｅＣｏ層がスパッタリング
される。
ＦｅＣｏターゲット１４とは、上記パレット１２にセッ
トされた基体１１の対角線上に相当する部位にそれぞれ
配設されている。これにより、基体１１がパレット１２
の自転によってＴｂＦｅＣｏターゲット１３に対向する
位置まで移動したときＴｂＦｅＣｏ層がスパッタリング
され、さらに、ＤｙＦｅＣｏターゲット１４に対向する
位置まで移動したときＤｙＦｅＣｏ層がスパッタリング
される。
【００４１】即ち、上記非晶質磁性薄膜３は、基板１上
に誘電体膜２が形成された基体１１に対して、ＴｂＦｅ
Ｃｏターゲット１３としてＴｂ21（Ｆｅ90Ｃｏ10）79タ
ーゲットを使用し、ＤｙＦｅＣｏターゲット１４として
Ｄｙ22（Ｆｅ82Ｃｏ18）78ターゲットを使用し、これら
各ターゲット１３・１４を同時に放電しながら基体１１
を、公転スピード約３０ｒｐｍで矢印Ｘ方向に回転させ
るとともに、自転させ、約１２０秒間２元同時スパッタ
リングを行い、膜厚方向にＴｂＦｅＣｏ層７とＤｙＦｅ
Ｃｏ層８とを交互に繰り返し積層して形成される。これ
により、積層数は、ＴｂＦｅＣｏ層７が３０層、ＤｙＦ
ｅＣｏ層８が３０層となり、非晶質磁性薄膜３として６
０層の多層膜となった。
に誘電体膜２が形成された基体１１に対して、ＴｂＦｅ
Ｃｏターゲット１３としてＴｂ21（Ｆｅ90Ｃｏ10）79タ
ーゲットを使用し、ＤｙＦｅＣｏターゲット１４として
Ｄｙ22（Ｆｅ82Ｃｏ18）78ターゲットを使用し、これら
各ターゲット１３・１４を同時に放電しながら基体１１
を、公転スピード約３０ｒｐｍで矢印Ｘ方向に回転させ
るとともに、自転させ、約１２０秒間２元同時スパッタ
リングを行い、膜厚方向にＴｂＦｅＣｏ層７とＤｙＦｅ
Ｃｏ層８とを交互に繰り返し積層して形成される。これ
により、積層数は、ＴｂＦｅＣｏ層７が３０層、ＤｙＦ
ｅＣｏ層８が３０層となり、非晶質磁性薄膜３として６
０層の多層膜となった。
【００４２】上記のように製造した多層膜のＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ合金薄膜を使用した磁気光学記録媒体と、Ｔｂ、
Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏが均一に混合されたＴｂＤｙＦｅＣｏ
合金薄膜を使用した磁気光学記録媒体に対して、垂直磁
気異方性エネルギー（Ｋｕ）およびＣＮ比を測定した。
この結果を表４に示す。但し、各合金磁性膜の組成は同
一とし、この場合、（Ｔｂ0.46Ｄｙ0.54）0.215 （Ｆｅ
0.86Ｃｏ0.14）0.785として測定を行った。
ｅＣｏ合金薄膜を使用した磁気光学記録媒体と、Ｔｂ、
Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏが均一に混合されたＴｂＤｙＦｅＣｏ
合金薄膜を使用した磁気光学記録媒体に対して、垂直磁
気異方性エネルギー（Ｋｕ）およびＣＮ比を測定した。
この結果を表４に示す。但し、各合金磁性膜の組成は同
一とし、この場合、（Ｔｂ0.46Ｄｙ0.54）0.215 （Ｆｅ
0.86Ｃｏ0.14）0.785として測定を行った。
【００４３】
【表４】
【００４４】表４に示すように、多層膜のＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ合金薄膜（ＴｂＦｅＣｏ／ＤｙＦｅＣｏ多層膜）
は、均一に混合されたＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜よりも
Ｋｕが大きく、ＣＮ比も高くなることが分かる。これに
よって、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜からなる非晶質磁性
薄膜３を、膜厚方向に対してＴｂリッチ層とＤｙリッチ
層とが交互に現れる多層膜とすることで、Ｋｕを向上さ
せることができることが分かる。
Ｃｏ合金薄膜（ＴｂＦｅＣｏ／ＤｙＦｅＣｏ多層膜）
は、均一に混合されたＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜よりも
Ｋｕが大きく、ＣＮ比も高くなることが分かる。これに
よって、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜からなる非晶質磁性
薄膜３を、膜厚方向に対してＴｂリッチ層とＤｙリッチ
層とが交互に現れる多層膜とすることで、Ｋｕを向上さ
せることができることが分かる。
【００４５】したがって、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜
が、その組成式を、Ｔｂx Ｄｙy （Ｆｅ1-z Ｃｏz ）
1-(x+y) で表し、上記ｘ、ｙおよびｚが、０＜ｘ≦０．
１２、０＜ｙ≦０．１２、０＜ｚ≦０．３０の範囲であ
るとき、上記ｘおよびｙの条件が、０．２５≦ｘ／（ｘ
＋ｙ）であり、しかもＴｂＦｅＣｏ層とＤｙＦｅＣｏ層
との多層膜であれば、最小限のＴｂ量で、ＣＮ比を実用
レベルに保ち、製作費を安価にし、しかも耐久性試験に
おいても良好な結果を示す磁気光学記録媒体を提供する
ことができる。
が、その組成式を、Ｔｂx Ｄｙy （Ｆｅ1-z Ｃｏz ）
1-(x+y) で表し、上記ｘ、ｙおよびｚが、０＜ｘ≦０．
１２、０＜ｙ≦０．１２、０＜ｚ≦０．３０の範囲であ
るとき、上記ｘおよびｙの条件が、０．２５≦ｘ／（ｘ
＋ｙ）であり、しかもＴｂＦｅＣｏ層とＤｙＦｅＣｏ層
との多層膜であれば、最小限のＴｂ量で、ＣＮ比を実用
レベルに保ち、製作費を安価にし、しかも耐久性試験に
おいても良好な結果を示す磁気光学記録媒体を提供する
ことができる。
【００４６】また、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜の積層数
であるが、概ね２０層程度、即ちＴｂＦｅＣｏ層７が１
０層、ＤｙＦｅＣｏ層８が１０層程度であれば、均一に
混合されたＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜よりも垂直磁気異
方性エネルギーを向上させることができることが分かっ
ている。尚、積層数が２０層よりも少なければ、均一に
混合されたＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜との垂直磁気異方
性エネルギーの差異はほとんど認められない。
であるが、概ね２０層程度、即ちＴｂＦｅＣｏ層７が１
０層、ＤｙＦｅＣｏ層８が１０層程度であれば、均一に
混合されたＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜よりも垂直磁気異
方性エネルギーを向上させることができることが分かっ
ている。尚、積層数が２０層よりも少なければ、均一に
混合されたＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜との垂直磁気異方
性エネルギーの差異はほとんど認められない。
【００４７】したがって、本実施例では、ＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ合金薄膜を、ＴｂＦｅＣｏ層７とＤｙＦｅＣｏ層８
とが交互に積層して６０層としているが、積層数はこれ
に限定するものではなく、上記のことから少なくとも２
０層以上であれば良い。
Ｃｏ合金薄膜を、ＴｂＦｅＣｏ層７とＤｙＦｅＣｏ層８
とが交互に積層して６０層としているが、積層数はこれ
に限定するものではなく、上記のことから少なくとも２
０層以上であれば良い。
【００４８】また、垂直磁気異方性エネルギー（Ｋｕ）
と記録ビット長さの分布との関係について、表５および
図５に示す。但し、平均ビット長さは６５０ｎｍとし、
Ｋｕ＝４．５×１０5 （ｅｒｇ／ｃｍ3 ）は、ＤｙＦｅ
Ｃｏ合金薄膜、Ｋｕ＝６．０×１０5 （ｅｒｇ／ｃ
ｍ3 ）は、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜（均一混合）、Ｋ
ｕ＝６．３×１０5 （ｅｒｇ／ｃｍ3 ）は、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ合金薄膜（多層膜）とする。
と記録ビット長さの分布との関係について、表５および
図５に示す。但し、平均ビット長さは６５０ｎｍとし、
Ｋｕ＝４．５×１０5 （ｅｒｇ／ｃｍ3 ）は、ＤｙＦｅ
Ｃｏ合金薄膜、Ｋｕ＝６．０×１０5 （ｅｒｇ／ｃ
ｍ3 ）は、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜（均一混合）、Ｋ
ｕ＝６．３×１０5 （ｅｒｇ／ｃｍ3 ）は、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ合金薄膜（多層膜）とする。
【００４９】
【表５】
【００５０】表５に示すように、Ｋｕが大きくなると、
記録ビット長さの標準偏差が小さくなり、Ｋｕが小さく
なると、記録ビット長さの標準偏差が大きくなることが
分かる。即ち、図５（ａ）に示すように、Ｋｕが４．５
×１０5 ｅｒｇ／ｃｍ3 以下であれば、記録ビット長さ
の分布が図中の破線の領域まで広がり、一方、図５
（ｂ）に示すように、Ｋｕが６．３×１０5 ｅｒｇ／ｃ
ｍ3 以上であれば、記録ビット長さの分布が小さくなる
ことが分かる。
記録ビット長さの標準偏差が小さくなり、Ｋｕが小さく
なると、記録ビット長さの標準偏差が大きくなることが
分かる。即ち、図５（ａ）に示すように、Ｋｕが４．５
×１０5 ｅｒｇ／ｃｍ3 以下であれば、記録ビット長さ
の分布が図中の破線の領域まで広がり、一方、図５
（ｂ）に示すように、Ｋｕが６．３×１０5 ｅｒｇ／ｃ
ｍ3 以上であれば、記録ビット長さの分布が小さくなる
ことが分かる。
【００５１】また、前記の表２および表４に示したよう
に、一般にＫｕが大きくなるとＣＮ比も大きくなると考
えられ、上記のことからＫｕが大きくなると記録ビット
長さの分布が均一となることが分かっているので、記録
ビット長さの分布が均一化されると、ＣＮ比も向上する
と考えられる。また、記録ビット長さの分布が均一化さ
れると、記録密度も向上させることができる。
に、一般にＫｕが大きくなるとＣＮ比も大きくなると考
えられ、上記のことからＫｕが大きくなると記録ビット
長さの分布が均一となることが分かっているので、記録
ビット長さの分布が均一化されると、ＣＮ比も向上する
と考えられる。また、記録ビット長さの分布が均一化さ
れると、記録密度も向上させることができる。
【００５２】よって、Ｋｕの大きい多層膜のＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ合金薄膜を非晶質磁性薄膜３として使用すること
で、磁気光学記録媒体の記録密度を向上させることがで
き、この結果、ＣＮ比を大きくすることができる。
ｅＣｏ合金薄膜を非晶質磁性薄膜３として使用すること
で、磁気光学記録媒体の記録密度を向上させることがで
き、この結果、ＣＮ比を大きくすることができる。
【００５３】
【発明の効果】請求項１の発明の磁気光学記録媒体は、
以上のように、基板の上に膜面に垂直な磁化容易軸を有
する非晶質テルビウム・ディスプロシウム・鉄・コバル
ト四元系合金薄膜を有する磁気光学記録媒体において、
上記四元系合金薄膜の組成を以下の式、Ｔｂx Ｄｙ
y （Ｆｅ1-z Ｃｏz ）1-(x+y) で表し、上記ｘ、ｙおよ
びｚが、０＜ｘ≦０．１２、０＜ｙ≦０．１２および０
＜ｚ≦０．３０の範囲にあるとき、上記ｘおよびｙの条
件が、０．２５≦ｘ／（ｘ＋ｙ）である構成である。
以上のように、基板の上に膜面に垂直な磁化容易軸を有
する非晶質テルビウム・ディスプロシウム・鉄・コバル
ト四元系合金薄膜を有する磁気光学記録媒体において、
上記四元系合金薄膜の組成を以下の式、Ｔｂx Ｄｙ
y （Ｆｅ1-z Ｃｏz ）1-(x+y) で表し、上記ｘ、ｙおよ
びｚが、０＜ｘ≦０．１２、０＜ｙ≦０．１２および０
＜ｚ≦０．３０の範囲にあるとき、上記ｘおよびｙの条
件が、０．２５≦ｘ／（ｘ＋ｙ）である構成である。
【００５４】これにより、ＣＮ比を実用レベルとするた
めのＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜におけるＴｂの最低含有
率が分かり、この結果、低価格かつＣＮ比の大きい磁気
光学記録媒体を提供することができるという効果を奏す
る。
めのＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜におけるＴｂの最低含有
率が分かり、この結果、低価格かつＣＮ比の大きい磁気
光学記録媒体を提供することができるという効果を奏す
る。
【００５５】また、請求項２の発明の磁気光学記録媒体
は、以上のように、例えば請求項３記載のように、基板
上に、ＴｂＦｅＣｏターゲットとＤｙＦｅＣｏターゲッ
トとにより交互に繰り返しスパッタリングしてＴｂＦｅ
Ｃｏ層とＤｙＦｅＣｏ層とを積層し、膜面に垂直な磁化
容易軸を有する非晶質のテルビウム・ディスプロシウム
・鉄・コバルト四元系合金薄膜を有する構成である。
は、以上のように、例えば請求項３記載のように、基板
上に、ＴｂＦｅＣｏターゲットとＤｙＦｅＣｏターゲッ
トとにより交互に繰り返しスパッタリングしてＴｂＦｅ
Ｃｏ層とＤｙＦｅＣｏ層とを積層し、膜面に垂直な磁化
容易軸を有する非晶質のテルビウム・ディスプロシウム
・鉄・コバルト四元系合金薄膜を有する構成である。
【００５６】これにより、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金薄膜
は、膜厚方向に、Ｔｂリッチ層とＤｙリッチ層とが交互
に現れる合金薄膜とすることができる。そして、このよ
うにＴｂＦｅＣｏ層とＤｙＦｅＣｏ層とを周期的に積層
した多層膜からなるＴｂＤｙＦｅＣｏ四元系合金薄膜
は、この多層膜と同一組成で、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏ
が均一に混合されたＴｂＤｙＦｅＣｏ四元系合金薄膜よ
りも垂直磁気異方性エネルギーを大きくすることがで
き、この結果、ＣＮ比を大きくすることができるという
効果を奏する。
は、膜厚方向に、Ｔｂリッチ層とＤｙリッチ層とが交互
に現れる合金薄膜とすることができる。そして、このよ
うにＴｂＦｅＣｏ層とＤｙＦｅＣｏ層とを周期的に積層
した多層膜からなるＴｂＤｙＦｅＣｏ四元系合金薄膜
は、この多層膜と同一組成で、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏ
が均一に混合されたＴｂＤｙＦｅＣｏ四元系合金薄膜よ
りも垂直磁気異方性エネルギーを大きくすることがで
き、この結果、ＣＮ比を大きくすることができるという
効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例の磁気光学記録媒体の概略構
成図である。
成図である。
【図２】図１に示す磁気光学記録媒体の非晶質磁性薄膜
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図３】図２に示す非晶質磁性薄膜を形成する自公転ス
パッタ装置の概略構成図である。
パッタ装置の概略構成図である。
【図４】非晶質磁性薄膜のＴｂの含有率とＣＮ比との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図５】垂直磁気異方性エネルギー（Ｋｕ）と記録ビッ
ト形状との相関を示すものであって、同図（ａ）はＫｕ
が４．５×１０5 ｅｒｇ／ｃｍ3 以下の場合の記録ビッ
ト形状を示す説明図であり、同図（ｂ）はＫｕが６．３
×１０5 ｅｒｇ／ｃｍ3以上の場合の記録ビット形状を
示す説明図である。
ト形状との相関を示すものであって、同図（ａ）はＫｕ
が４．５×１０5 ｅｒｇ／ｃｍ3 以下の場合の記録ビッ
ト形状を示す説明図であり、同図（ｂ）はＫｕが６．３
×１０5 ｅｒｇ／ｃｍ3以上の場合の記録ビット形状を
示す説明図である。
１ 基板 ３ 非晶質磁性薄膜 ７ ＴｂＦｅＣｏ層 ８ ＤｙＦｅＣｏ層 １３ ＴｂＦｅＣｏターゲット １４ ＤｙＦｅＣｏターゲット
Claims (3)
- 【請求項１】基板の上に膜面に垂直な磁化容易軸を有す
る非晶質テルビウム・ディスプロシウム・鉄・コバルト
四元系合金薄膜を有する磁気光学記録媒体において、 上記四元系合金薄膜の組成を以下の式、 Ｔｂx Ｄｙy （Ｆｅ1-z Ｃｏz ）1-(x+y) で表し、上記ｘ、ｙおよびｚが、０＜ｘ≦０．１２、０
＜ｙ≦０．１２および０＜ｚ≦０．３０の範囲にあると
き、 上記ｘおよびｙの条件が、０．２５≦ｘ／（ｘ＋ｙ）で
あることを特徴とする磁気光学記録媒体。 - 【請求項２】上記四元系合金薄膜は、ＴｂＦｅＣｏ層と
ＤｙＦｅＣｏ層とを交互に繰り返し積層した多層膜から
なることを特徴とする請求項１記載の磁気光学記録媒
体。 - 【請求項３】基板の上に、ＴｂＦｅＣｏターゲットとＤ
ｙＦｅＣｏターゲットとにより交互に繰り返しスパッタ
リングしてＴｂＦｅＣｏ層とＤｙＦｅＣｏ層とを積層し
て上記四元系合金薄膜を形成することを特徴とする磁気
光学記録媒体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6054063A JP2912154B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 磁気光学記録媒体およびその製造方法 |
| TW084101541A TW303455B (ja) | 1994-03-24 | 1995-02-20 | |
| US08/402,518 US5635309A (en) | 1994-03-24 | 1995-03-10 | Magneto-optical recording medium |
| DE69517726T DE69517726T2 (de) | 1994-03-24 | 1995-03-14 | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zu seiner Herstellung |
| EP95301652A EP0674310B1 (en) | 1994-03-24 | 1995-03-14 | Magneto-optical recording medium and method of producing the same |
| US08/798,796 US5730846A (en) | 1994-03-24 | 1997-02-11 | Method of producing a magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6054063A JP2912154B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 磁気光学記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07262630A true JPH07262630A (ja) | 1995-10-13 |
| JP2912154B2 JP2912154B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=12960165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6054063A Expired - Fee Related JP2912154B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 磁気光学記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5635309A (ja) |
| EP (1) | EP0674310B1 (ja) |
| JP (1) | JP2912154B2 (ja) |
| DE (1) | DE69517726T2 (ja) |
| TW (1) | TW303455B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8243557B2 (en) * | 2006-12-26 | 2012-08-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Optimized ridge apertures for thermally assisted magnetic recording |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0670858B2 (ja) * | 1983-05-25 | 1994-09-07 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体とその製法 |
| JPS6098611A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-01 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 熱磁気記録材料の製造方法 |
| CA1254385A (en) * | 1985-07-26 | 1989-05-23 | Noboru Sato | Magneto-optical recording medium having amorphous artificially layered structure of rare earth element and transition metal element |
| US4749628A (en) * | 1986-04-29 | 1988-06-07 | International Business Machines Corporation | Multilayered vertical magnetic recording medium |
| JP2521713B2 (ja) * | 1986-05-21 | 1996-08-07 | 沖電気工業株式会社 | 光磁気記録用媒体 |
| US4871614A (en) * | 1986-07-09 | 1989-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Opto-magnetic recording medium having three exchange-coupled magnetic layers |
| JP2579489B2 (ja) * | 1987-07-13 | 1997-02-05 | 順彦 佐藤 | 粘着物による袋口の開閉保持具 |
| US5239534A (en) * | 1988-12-12 | 1993-08-24 | Nikon Corporation | Multi-layer over write capable magnetooptical recording medium |
| DE3904611A1 (de) * | 1989-02-16 | 1990-08-23 | Hoechst Ag | Magnetooptische schicht und verfahren zu ihrer herstellung |
| US5233575A (en) * | 1989-11-10 | 1993-08-03 | Mitsubishi Kasei Corporation | Magneto-optical recording medium |
| US6200673B1 (en) * | 1989-11-13 | 2001-03-13 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| JPH03209647A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
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