JPH0773516A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 - Google Patents

光磁気記録媒体及び光磁気記録方法

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JPH0773516A
JPH0773516A JP5218899A JP21889993A JPH0773516A JP H0773516 A JPH0773516 A JP H0773516A JP 5218899 A JP5218899 A JP 5218899A JP 21889993 A JP21889993 A JP 21889993A JP H0773516 A JPH0773516 A JP H0773516A
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recording
recording medium
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    • G11B11/105Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 安定した記録感度を有する光磁気記録媒体を
得る。 【構成】 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶
質磁化膜において、前記非晶質磁化膜が希土類金属が多
い場合に相対的にキュリー点が高くなる性質を持つ希土
類金属と遷移金属との組み合わせからなる合金薄膜であ
ることを特徴とする光磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光等で加熱した
状態で磁気的に情報の記録・消去・再生を行う光磁気記
録媒体及び光磁気記録方法に関する。
【0002】
【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、消去した後、再び新たな情報を記録することが繰
り返し可能であるというユニークな利点のために、最も
大きな魅力に満ちている。
【0003】一般に、この方法は垂直磁化膜の記録層と
レーザビームを用いて行われる。記録層の磁化の向き
は、記録前に上向き又は下向きの一方向に初期化され
る。記録は、直径1ミクロン程度に小さく絞ったレーザ
ービームにより記録層の一部をキュリー点近傍に昇温し
記録磁界Hbを用いて反対の向きの磁化を有するマーク
を形成する。情報は、このマークの有無及び/又はマー
クの長さによって表現される。記録情報の再生は、記録
層のカー回転角θkによるレーザービームの偏光を用い
て行う。
【0004】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体は、記録層として垂直磁気異方性を有する非晶質の
希土類−遷移金属合金が知られている。とりわけ、大き
な保磁力を有し安定な記録状態を保持できる物質とし
て、最も一般的にはTbFeCoが使用されている。
記録媒体を製造する方法として、真空蒸着法、イオンプ
レーティング法、スパッタリング法、イオンビームスパ
ッタリング法等の成膜方法がある。しかし、一般には、
取扱い易さからアルゴンガスを用いたスパッタリング法
を用いている。それには、アルゴンガスのイオン化の効
率を上げるために、ターゲットの下に磁石が内蔵されて
いるスパッタ源を用いたマグネトロンスパッタリング法
が一般的である。更にターゲットとして、希土類金属タ
ーゲット及び遷移金属ターゲットの複数のターゲットを
用い、それぞれのターゲットに独立にパワーを投入する
同時多元スパッタリング法やターゲットとして、希土類
−遷移金属合金ターゲットを用いたスパッタリング法が
知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記のような
マグネトロンスパッタリング法の同時多元スパッタリン
グ法で光磁気記録媒体を作製すると、次のような問題が
ある。多元スパッタリングではそれぞれ希土類金属ター
ゲット、遷移金属ターゲットを用いるため厚さ方向の組
成ムラはそれぞれ少ないが、マグネトロンスパッタリン
グ法を用いているため、特に遷移金属ターゲットの使用
初期と後期ではターゲットの下にある磁石からの漏れ磁
界が変化し、スパッタリング効率が変わってしまい結果
的に希土類金属と遷移金属の比が変わってしまう。一
方、合金ターゲットを用いた場合、ターゲットの製法
上、厚さ方向に組成ムラができてしまう。従って、ター
ゲット使用初期での成膜組成と、使用中にターゲットが
消耗し薄くなった場合での成膜組成では差がでてしまう
ことがある。
【0006】結果的に初期に作製した媒体と後期に作製
した媒体で組成が異なることになる。特に、TbFeC
oの場合組成が異なった場合記録感度が変わってしま
う、記録感度がばらつくという問題があった。
【0007】
【課題を解決する為の手段】上記問題点を解決するため
に本発明は、第1に「膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有する非晶質磁化膜において、前記非晶質磁化膜が希土
類金属が多い場合に相対的にキュリー点が高くなる性質
を持つ希土類金属と遷移金属との組み合わせからなる合
金薄膜であることを特徴とする光磁気記録媒体(請求項
1)」を提供する。
【0008】第2に「該非晶質磁化膜の補償温度が室温
より高くキュリー点より低いことを特徴とする請求項1
記載の光磁気記録媒体(請求項2)」を提供する。第3
に「該非晶質磁化膜が下記式 Dyx(Fe1-yCoy1-x 0.26≦x≦0.29 0.15≦y≦0.25 を満足する請求項1記載の光磁気記録媒体(請求項
3)」を提供する。
【0009】第4に「該非晶質磁化膜が下記式 (Tb1-zDyzx(Fe1-yCoy1-x 0.26≦x≦0.29 0.15≦y≦0.25 0.50≦z≦0.95 を満足する請求項1記載の光磁気記録媒体(請求項
4)」を提供する。
【0010】第5に「希土類金属が多い場合に相対的に
キュリー点が高くなる性質を持つ希土類金属と遷移金属
との組み合わせからなる光磁気記録媒体を用い、組成の
ばらつきがあっても記録感度にあまり影響を与えない記
録磁界を設定したことを特徴とする光磁気記録方法(請
求項5)」を提供する。第6に「記録磁界を300Oeか
ら600Oeにしたことを特徴とする請求項5記載の光磁
気記録方法(請求項6)」を提供する。
【0011】
【作用】以下、本発明について詳細に説明する。図2は
従来のTbFeCoの保磁力の温度特性である。図中、
21は組成が目標組成よりREリッチの場合であり、2
2は組成が目標組成よりTMリッチの場合の温度特性で
ある。記録時は記録磁界(23)を印加しながら加熱す
るため、記録感度は概ね保磁力の温度特性と記録磁界の
交差する温度で決まる。TbFeCoの場合、Tb組成
が変わってもキュリー点(Tc)が変化しないが保磁力
の温度特性が図2のように変わってしまうため、記録磁
界と保磁力の温度特性の交差する温度がT1からT2に変
化し、そのまま記録感度のばらつきになってしまう。特
にマークエッジ記録時にはマークの長さのばらつきにな
り問題になる。
【0012】一方、図1は本発明の媒体の保磁力の温度
特性である。図中、11は組成が目標組成よりREリッ
チの場合であり、12は組成が目標組成よりTMリッチ
の場合の温度特性である。記録時は記録磁界13を印加
しながら加熱するため、TbFeCoの場合と同様に記
録感度は概ね保磁力の温度特性と記録磁界の交差する温
度で決まる。本発明の場合、TMリッチのキュリー点
(Tc2)がREリッチのキュリー点(Tc1)より高い
ので、キュリー点の変化と保磁力の温度特性の変化が補
償しあい、記録磁界と交差する温度はTMリッチ
(T2)でも、REリッチ(T1)でも大きく変わらな
い。このため、組成がばらついても記録感度のばらつき
が小さくできる。結果的に記録されるマークの長さのば
らつきが少なくなる。
【0013】以下、実施例により詳細に説明する。
【0014】
【実施例1】4元のマグネトロンスパッタリング装置を
用い、厚さ1.2mm、直径130mmのディスク状溝
付きポリカーボネート基板を真空チャンバー内にセット
する。真空チャンバー内を一旦1×10-5Paまで排気
した後、 スパッタガス(ArガスにN2を5%混入、
ガス圧0.25Pa)を導入し、膜厚110nmのSi
Nを成膜する。続いてスパッタガス(Arガスのみ、ガ
ス圧0.3Pa)を導入し、DyターゲットとFeCo
合金ターゲットを用いて、表1に示す膜厚200nmの
DyFeCoを成膜した。その上にスパッタガス(Ar
ガスにN2を5%混入、ガス圧0.25Pa)を導入し
50nmのSiNを成膜、スパッタガス(Arガスの
み、ガス圧0.3Pa)を導入しAlを60nm成膜し
た。初期にスパッタしたディスクと同じ条件で100ロ
ット毎にスパッタしたディスクを取り出し、これらのデ
ィスクに対し、線速度8m/s、記録磁界350Oeの
条件で1MHzの信号の記録を行ったところ最適記録パ
ワーは表1のようになった。これから、Dyターゲット
とFeCo合金ターゲットの経時変化による組成変化が
あっても記録感度の変化は殆ど無いことが分かった。
【0015】
【実施例2】実施例1と同じ4元のマグネトロンスパッ
タリング装置を用い、厚さ1.2mm、直径305mm
のディスク状溝付きガラス基板を真空チャンバー内にセ
ットする。真空チャンバー内を一旦1×10-5Paまで
排気した後、スパッタガス(ArガスにN2を5%混
入、ガス圧0.1Pa)を導入し、 膜厚70nmのS
iNを成膜する。続いてスパッタガス(Arガスのみ、
ガス圧0.2Pa)を導入し、TbDyFeCo合金タ
ーゲットを用いて、表1に示す厚さ60nmのTbDy
FeCo膜を成膜した。 最後に再びSiNターゲット
を用い膜厚70nmの保護膜層を成膜した。初期にスパ
ッタしたディスクと同じ条件で200ロット毎にスパッ
タしたディスクを取り出し、これらのディスクに対し、
線速度10m/s、記録磁界300Oeの条件で1MH
zの信号の記録を行ったところ最適記録パワーは表2の
ようになった。これから、TbDyFeCo合金ターゲ
ットの経時変化による組成変化があっても記録感度の変
化は殆ど無いことが分かった。
【0016】
【比較例1】ターゲットをTbとFeCo合金にし、記
録膜をTbFeCoとした以外は実施例1と同様の手順
で比較例の媒体は作製された。これらのディスクは実施
例1と同様、線速度8m/s、記録磁界350Oeの条
件で1MHzの信号の記録を行ったところ最適記録パワ
ーは表1のようになった。これから、記録感度の変動が
大きいことがわかる。
【0017】
【比較例2】ターゲットをTbFeCo合金にし、記録
膜をTbFeCoとした以外は実施例2と同様の手順で
比較例の媒体は作製された。これらのディスクは実施例
2と同様、線速度10m/s、記録磁界300Oeの条
件で1MHzの信号の記録を行ったところ最適記録パワ
ーは表2のようになった。これから、記録感度の変動が
大きいことがわかる。
【0018】
【表1】
【0019】
【表2】
【0020】
【発明の効果】以上の通り本発明により、ターゲットの
経時変化によりディスク毎に組成にばらつきがあっても
記録感度の変化が少ない媒体と記録方法を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】は、本発明の記録媒体及び記録方法を説明する
ための記録媒体の保磁力の温度特性と記録磁界の関係を
表す概要図である。
【図2】は、従来の記録媒体及び記録方法を説明するた
めの記録媒体の保磁力の温度特性と記録磁界の関係を表
す概要図である。
【符号の説明】
11・・・組成が目標組成よりREリッチな本発明の媒
体の保磁力の温度特性 12・・・組成が目標組成よりTMリッチな本発明の媒
体の保磁力の温度特性 21・・・組成が目標組成よりREリッチな従来の媒体
の保磁力の温度特性 22・・・組成が目標組成よりTMリッチな従来の媒体
の保磁力の温度特性 以上
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年11月14日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項5
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】
【課題を解決する為の手段】上記問題点を解決するため
に本発明は、第1に「薄膜の膜面に対して垂直な方向に
磁化容易軸を持つ希土類金属と遷移金属との合金から成
る非晶質磁化膜を有し、前記磁化膜は、前記磁化膜中に
おける遷移金属の存在比率が多くなると前記磁化膜のキ
ュリー点が高くなる磁化膜であることを特徴とする光磁
気記録媒体(請求項1)」を提供する。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】第5に「薄膜の膜面に対して垂直な方向に
磁化容易軸を持つ希土類金属と遷移金属との合金から成
る非晶質磁化膜を有し、前記磁化膜は、前記磁化膜中に
おける遷移金属の存在比率が多くなると前記磁化膜のキ
ュリー点が高くなる磁化膜であることを特徴とする光磁
気記録媒体を用い、組成のばらつきがあっても記録感度
にあまり影響を与えない記録磁界を設定したことを特徴
とする光磁気記録方法(請求項5)」を提供する。第6
に「記録磁界を300 Oe から600 Oe にしたことを特徴
とする請求項5記載の光磁気記録方法(請求項6)」を
提供する。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非
    晶質磁化膜において、前記非晶質磁化膜が希土類金属が
    多い場合に相対的にキュリー点が高くなる性質を持つ希
    土類金属と遷移金属との組み合わせからなる合金薄膜で
    あることを特徴とする光磁気記録媒体。
  2. 【請求項2】該非晶質磁化膜の補償温度が室温より高く
    キュリー点より低いことを特徴とする請求項1記載の光
    磁気記録媒体。
  3. 【請求項3】該非晶質磁化膜が下記式 Dyx(Fe1-yCoy1-x 0.26≦x≦0.29 0.15≦y≦0.25 を満足する請求項1記載の光磁気記録媒体。
  4. 【請求項4】該非晶質磁化膜が下記式 (Tb1-zDyzx(Fe1-yCoy1-x 0.26≦x≦0.29 0.15≦y≦0.25 0.50≦z≦0.95 を満足する請求項1記載の光磁気記録媒体。
  5. 【請求項5】希土類金属が多い場合に相対的にキュリー
    点が高くなる性質を持つ希土類金属と遷移金属との組み
    合わせからなる光磁気記録媒体を用い、組成のばらつき
    があっても記録感度にあまり影響を与えない記録磁界を
    設定したことを特徴とする光磁気記録方法。
  6. 【請求項6】記録磁界を300Oeから600Oeにしたこと
    を特徴とする請求項5項記載の光磁気記録方法。
JP5218899A 1993-09-02 1993-09-02 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 Pending JPH0773516A (ja)

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