JPH06180880A - 飽和磁気モーメントの補正方法及び光磁気記録膜の 製造方法 - Google Patents
飽和磁気モーメントの補正方法及び光磁気記録膜の 製造方法Info
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- JPH06180880A JPH06180880A JP4334569A JP33456992A JPH06180880A JP H06180880 A JPH06180880 A JP H06180880A JP 4334569 A JP4334569 A JP 4334569A JP 33456992 A JP33456992 A JP 33456992A JP H06180880 A JPH06180880 A JP H06180880A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルゴンガスを含む真空雰囲気中で希土類金
属ターゲット及び遷移金属ターゲットからの多元スパッ
タリングにより光磁気記録膜を経時的に連続して複数枚
製造するときに生じる組成ずれに基づく飽和磁気モーメ
ントの目的値からのずれを補正する。 【構成】 真空チヤンバ１０中のスパッタ源２１、２２
に希土類金属ターゲット及び遷移金属ターゲットを取付
け、回転できる基板ホルダ３１の成膜される基板をセッ
トし、チャンバ１０内を真空引きし、スパッタガスとし
て、ガス導入ポート４１からＡｒガスを導入するととも
に、ガス導入ポート４２からＮ2 ガスを混入し、多元ス
パッタリングにより経時的に連続して複数枚の光磁気記
録膜を製造する。
属ターゲット及び遷移金属ターゲットからの多元スパッ
タリングにより光磁気記録膜を経時的に連続して複数枚
製造するときに生じる組成ずれに基づく飽和磁気モーメ
ントの目的値からのずれを補正する。 【構成】 真空チヤンバ１０中のスパッタ源２１、２２
に希土類金属ターゲット及び遷移金属ターゲットを取付
け、回転できる基板ホルダ３１の成膜される基板をセッ
トし、チャンバ１０内を真空引きし、スパッタガスとし
て、ガス導入ポート４１からＡｒガスを導入するととも
に、ガス導入ポート４２からＮ2 ガスを混入し、多元ス
パッタリングにより経時的に連続して複数枚の光磁気記
録膜を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光磁気記録膜の飽和
磁気モーメントの補正方法とこの飽和磁気モーメントを
補正した光磁気記録膜の製造方法に関するものである。
磁気モーメントの補正方法とこの飽和磁気モーメントを
補正した光磁気記録膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】近年、高密度で大容量、高い
アクセス速度、並びに高速度での記録・再生等の諸性能
を満足する光学的記録再生方法と、それに使用される記
録装置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力
がなされている。各種の光学的記録再生方法の中では、
光磁気記録再生方法は、情報を記録した後に消去するこ
とができ、消去した後に再び新たな情報を記録すること
が繰り返し可能であるというユニークな利点のために、
最も大きな魅力に満ちている。一般に、この光磁気記録
再生方法は垂直磁化膜の記録層とレーザービームを用い
て行われる。記録層の磁化の向きは、記録前に上向き又
は下向きの一方向に初期化される。記録は、直径１ミク
ロン程度に小さく絞ったレーザービームにより記録層の
一部をキュリー点近傍に昇温し記録磁界Ｈb を用いて反
対の向きの磁化を有するマークを形成する。情報は、こ
のマークの有無及び／又はマークの長さによって表現さ
れる。記録情報の再生は、記録層のカー回転角θk によ
るレーザービームの偏光を用いて行う。
アクセス速度、並びに高速度での記録・再生等の諸性能
を満足する光学的記録再生方法と、それに使用される記
録装置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力
がなされている。各種の光学的記録再生方法の中では、
光磁気記録再生方法は、情報を記録した後に消去するこ
とができ、消去した後に再び新たな情報を記録すること
が繰り返し可能であるというユニークな利点のために、
最も大きな魅力に満ちている。一般に、この光磁気記録
再生方法は垂直磁化膜の記録層とレーザービームを用い
て行われる。記録層の磁化の向きは、記録前に上向き又
は下向きの一方向に初期化される。記録は、直径１ミク
ロン程度に小さく絞ったレーザービームにより記録層の
一部をキュリー点近傍に昇温し記録磁界Ｈb を用いて反
対の向きの磁化を有するマークを形成する。情報は、こ
のマークの有無及び／又はマークの長さによって表現さ
れる。記録情報の再生は、記録層のカー回転角θk によ
るレーザービームの偏光を用いて行う。
【０００３】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体である光磁気記録膜については、記録層として垂直
磁気異方性を有する非晶質の希土類−遷移金属合金が知
られている。具体的な合金例としては、GdFe、GdCo、Gd
FeCo、TbFe、TbCo、TbFeCo、DyFe、DyFeCo、GdTbFe、Gd
TbFeCo、TbDyFeCo等が挙げられる。これらの記録膜を製
造する方法には、真空蒸着法、イオンプレーティング
法、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法
等の成膜方法がある。しかし、一般には、取り扱い易さ
からアルゴンガスを用いたスパッタリング法を用いてい
る。そして、アルゴンガスのイオン化の効率を上げるた
めに、ターゲットに磁石が内蔵されているスパッタ源を
用いたマグネトロンスパッタリング法が一般的である。
更にターゲットとして、希土類金属ターゲット及び遷移
金属ターゲットの複数のターゲットを用い、それぞれの
ターゲットに独立にパワーを投入する同時多元スパッタ
リング法が知られている。
媒体である光磁気記録膜については、記録層として垂直
磁気異方性を有する非晶質の希土類−遷移金属合金が知
られている。具体的な合金例としては、GdFe、GdCo、Gd
FeCo、TbFe、TbCo、TbFeCo、DyFe、DyFeCo、GdTbFe、Gd
TbFeCo、TbDyFeCo等が挙げられる。これらの記録膜を製
造する方法には、真空蒸着法、イオンプレーティング
法、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法
等の成膜方法がある。しかし、一般には、取り扱い易さ
からアルゴンガスを用いたスパッタリング法を用いてい
る。そして、アルゴンガスのイオン化の効率を上げるた
めに、ターゲットに磁石が内蔵されているスパッタ源を
用いたマグネトロンスパッタリング法が一般的である。
更にターゲットとして、希土類金属ターゲット及び遷移
金属ターゲットの複数のターゲットを用い、それぞれの
ターゲットに独立にパワーを投入する同時多元スパッタ
リング法が知られている。
【０００４】しかしながら、前記のようなマグネトロン
スパッタリング法により同時多元スパッタリングを行っ
て光磁気記録膜を作製する場合には、次のような問題が
ある。すなわち、この多元スパッタリング法では希土類
金属ターゲット及び遷移金属ターゲットの２種類のター
ゲットを用いるため厚さ方向の組成ムラは比較的少ない
ものの、マグネトロンスパッタリング法を用いる場合に
は、特に遷移金属ターゲットの使用初期と後期ではター
ゲットの下にある磁石からの漏れ磁界が変化してスパッ
タリング効率が変わってしまい、結果的に希土類金属と
遷移金属の組成比が変わってしまうという欠点がある。
従って、成膜された光磁気記録膜には組成のずれに基づ
く飽和磁気モーメントの所定値からのずれが生じてしま
う。
スパッタリング法により同時多元スパッタリングを行っ
て光磁気記録膜を作製する場合には、次のような問題が
ある。すなわち、この多元スパッタリング法では希土類
金属ターゲット及び遷移金属ターゲットの２種類のター
ゲットを用いるため厚さ方向の組成ムラは比較的少ない
ものの、マグネトロンスパッタリング法を用いる場合に
は、特に遷移金属ターゲットの使用初期と後期ではター
ゲットの下にある磁石からの漏れ磁界が変化してスパッ
タリング効率が変わってしまい、結果的に希土類金属と
遷移金属の組成比が変わってしまうという欠点がある。
従って、成膜された光磁気記録膜には組成のずれに基づ
く飽和磁気モーメントの所定値からのずれが生じてしま
う。
【０００５】一般にはこのような経時変化を補正するた
めに、それぞれのターゲットに投入するパワー比をその
都度変化させている。しかしながら、パワー比を計算し
て投入パワーをその都度設定し直すと言う繁雑さは避け
られず、電源の補正幅、精度の問題で組成が敏感なＧｄ
ＦｅＣｏ等の場合には適していないという問題があっ
た。
めに、それぞれのターゲットに投入するパワー比をその
都度変化させている。しかしながら、パワー比を計算し
て投入パワーをその都度設定し直すと言う繁雑さは避け
られず、電源の補正幅、精度の問題で組成が敏感なＧｄ
ＦｅＣｏ等の場合には適していないという問題があっ
た。
【０００６】この発明は、以上の通りの事情に鑑みてな
されたものであり、従来法の欠点を解消し、マグネトロ
ンスパッタリング法による同時多元スパッタリングによ
り光磁気記録膜を作製するに際し、組成のずれに基づく
飽和磁気モーメントの所定の目的値からのずれをなくす
ことのできる補正方法と、この方法による光磁気記録膜
の製造方法を提供することを目的としている。
されたものであり、従来法の欠点を解消し、マグネトロ
ンスパッタリング法による同時多元スパッタリングによ
り光磁気記録膜を作製するに際し、組成のずれに基づく
飽和磁気モーメントの所定の目的値からのずれをなくす
ことのできる補正方法と、この方法による光磁気記録膜
の製造方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、アルゴンガスを含む真空雰囲気
中で希土類金属及び遷移金属のターゲットの多元スパッ
タリングにより光磁気記録膜を経時的に連続して複数枚
製造するに際し、アルゴンガス中に窒素ガスを混入する
ことにより光磁気記録膜に生じる飽和磁気モーメントの
目的値からのずれを補正することを特徴とする飽和磁気
モーメントの補正方法と、この方法に基づいて光磁気記
録膜の製造方法を提供する。
を解決するものとして、アルゴンガスを含む真空雰囲気
中で希土類金属及び遷移金属のターゲットの多元スパッ
タリングにより光磁気記録膜を経時的に連続して複数枚
製造するに際し、アルゴンガス中に窒素ガスを混入する
ことにより光磁気記録膜に生じる飽和磁気モーメントの
目的値からのずれを補正することを特徴とする飽和磁気
モーメントの補正方法と、この方法に基づいて光磁気記
録膜の製造方法を提供する。
【０００８】また、この発明は、上記方法において一定
のスパッタリング時間毎に混入させる窒素ガスの量を変
えることや、アルゴンガス中に混入させる窒素ガスの量
を１％以下にすること、スパッタリングターゲットをGd
ターゲットとFeCo合金ターゲットとすること等を好まし
い態様としてもいる。
のスパッタリング時間毎に混入させる窒素ガスの量を変
えることや、アルゴンガス中に混入させる窒素ガスの量
を１％以下にすること、スパッタリングターゲットをGd
ターゲットとFeCo合金ターゲットとすること等を好まし
い態様としてもいる。
【０００９】
【作用】この発明においては、アルゴンガスを含む真空
雰囲気中で希土類金属ターゲット及び遷移金属ターゲッ
トからの多元スパッタリングにより光磁気記録膜を経時
的に連続して複数枚製造するときに、スパッタリング中
のアルゴンガス中に窒素ガスを添加混入し、その量をコ
ントロールすることにより、ターゲットの経時変化によ
る成膜の組成ずれに基づく光磁気記録膜の飽和磁気モー
メントの目的値からのずれを効果的に補正することがで
きる。
雰囲気中で希土類金属ターゲット及び遷移金属ターゲッ
トからの多元スパッタリングにより光磁気記録膜を経時
的に連続して複数枚製造するときに、スパッタリング中
のアルゴンガス中に窒素ガスを添加混入し、その量をコ
ントロールすることにより、ターゲットの経時変化によ
る成膜の組成ずれに基づく光磁気記録膜の飽和磁気モー
メントの目的値からのずれを効果的に補正することがで
きる。
【００１０】この発明についてさらに詳しく説明する
と、まずこの発明において使用することのできるスパッ
タリング装置としては、その概略を図１に例示すること
ができる。この図１において、チャンバ（１０）は、高
真空度まで真空引きできる真空チャンバである。チャン
バ（１０）の中にはスパッタ源（２１）、（２２）があ
り、それぞれに希土類ターゲット及び遷移金属ターゲッ
トを取り付ける。基板ホルダ（３１）には成膜される基
板がセットされ、回転もできる構造になっている。チャ
ンバ（１０）が一定の真空度まで真空に引かれた後、ガ
ス導入ポート（４１）からアルゴンガス、ポート（４
２）から窒素ガスを導入する。スパッタリングはアルゴ
ンガスのみの雰囲気、或いはアルゴンガスと窒素ガスの
混合雰囲気の中で、スパッタ源（２１）、（２２）に同
時に電力を投入して行う。組成はその投入パワーの比を
変えることによって行う。
と、まずこの発明において使用することのできるスパッ
タリング装置としては、その概略を図１に例示すること
ができる。この図１において、チャンバ（１０）は、高
真空度まで真空引きできる真空チャンバである。チャン
バ（１０）の中にはスパッタ源（２１）、（２２）があ
り、それぞれに希土類ターゲット及び遷移金属ターゲッ
トを取り付ける。基板ホルダ（３１）には成膜される基
板がセットされ、回転もできる構造になっている。チャ
ンバ（１０）が一定の真空度まで真空に引かれた後、ガ
ス導入ポート（４１）からアルゴンガス、ポート（４
２）から窒素ガスを導入する。スパッタリングはアルゴ
ンガスのみの雰囲気、或いはアルゴンガスと窒素ガスの
混合雰囲気の中で、スパッタ源（２１）、（２２）に同
時に電力を投入して行う。組成はその投入パワーの比を
変えることによって行う。
【００１１】一般に、前記したように、マグネトロンス
パッタリングによる希土類金属ターゲットと遷移金属タ
ーゲットの同時スパッタリング法では、長時間スパッタ
リングを続けると両者のターゲットが薄くなり、特に遷
移金属ターゲットの場合それ自体が磁性体であるのでこ
れを載置している磁石の漏れ磁界が初期に比べ大きくな
る。従って、初期に比べスパッタリングが進むにつれ遷
移金属元素が希土類金属より成膜量が多くなり、組成ず
れを起こし、結果的には初期の組成が遷移金属リッチで
あるか希土類金属リッチであるかによって飽和磁気モー
メントＭｓは、たとえば図２、或いは図３のように変化
する。飽和磁気モーメントＭｓは保磁力Ｈｃとともに光
磁気特性を決定する非常に重要な物性のため、この変化
は好ましくない。
パッタリングによる希土類金属ターゲットと遷移金属タ
ーゲットの同時スパッタリング法では、長時間スパッタ
リングを続けると両者のターゲットが薄くなり、特に遷
移金属ターゲットの場合それ自体が磁性体であるのでこ
れを載置している磁石の漏れ磁界が初期に比べ大きくな
る。従って、初期に比べスパッタリングが進むにつれ遷
移金属元素が希土類金属より成膜量が多くなり、組成ず
れを起こし、結果的には初期の組成が遷移金属リッチで
あるか希土類金属リッチであるかによって飽和磁気モー
メントＭｓは、たとえば図２、或いは図３のように変化
する。飽和磁気モーメントＭｓは保磁力Ｈｃとともに光
磁気特性を決定する非常に重要な物性のため、この変化
は好ましくない。
【００１２】図４は、アルゴンガス中の窒素ガス量がＧ
ｄＦｅＣｏ膜の飽和磁気モーメントＭｓ（単位ｅｍｕ／
ｃｃ）にどのように影響を与えるかを示したものであ
る。この図４は遷移金属リッチの場合である。スパッタ
リング中の窒素の作用で遷移金属が増えたように見え
る。これは、窒素が主に希土類元素と反応し希土類元素
の磁性としての寄与を減らしたためである。
ｄＦｅＣｏ膜の飽和磁気モーメントＭｓ（単位ｅｍｕ／
ｃｃ）にどのように影響を与えるかを示したものであ
る。この図４は遷移金属リッチの場合である。スパッタ
リング中の窒素の作用で遷移金属が増えたように見え
る。これは、窒素が主に希土類元素と反応し希土類元素
の磁性としての寄与を減らしたためである。
【００１３】この図４からスパッタリング中のアルゴン
ガス中の窒素ガスの量をコントロールしてやることでタ
ーゲットの経時変化による成膜の組成ずれに基づく飽和
磁気モーメントの目的値からのずれを補正できることが
わかる。ただ、この窒素ガスの混入については、あまり
その量が多くなると膜の反射率が落ちたり、膜の構造が
変わったり、キュリー点等の磁気特性に影響を与えるた
め、これを適切に制御することが必要である。一般的に
は、窒素の量は、１％以下、更には０．５％以下が好ま
しい。
ガス中の窒素ガスの量をコントロールしてやることでタ
ーゲットの経時変化による成膜の組成ずれに基づく飽和
磁気モーメントの目的値からのずれを補正できることが
わかる。ただ、この窒素ガスの混入については、あまり
その量が多くなると膜の反射率が落ちたり、膜の構造が
変わったり、キュリー点等の磁気特性に影響を与えるた
め、これを適切に制御することが必要である。一般的に
は、窒素の量は、１％以下、更には０．５％以下が好ま
しい。
【００１４】
【実施例】実施例１ ４元のマグネトロンスパッタリング装置を用い、厚さ
１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのディスク状溝付きポリカ
ーボネート基板を真空チャンバー内にセットした。真空
チャンバー内を一旦１×１０-5Ｐａまで排気した後、ス
パッタガス（ＡｒガスにＮ2 を５％混入、ガス圧０．２
５Ｐａ）を導入し、膜厚１１０ｎｍのＳｉＮを成膜し
た。続いてスパッタガス（Ａｒガスのみ、ガス圧０．３
Ｐａ）を導入し、ＴｂターゲットとＦｅＣｏ合金ターゲ
ットを用いて、膜厚２０ｎｍのＴｂ21Ｆｅ71Ｃｏ8 （添
え字は原子％を表す）を成膜した。その上にスパッタガ
ス（ＡｒガスにＮ2 を５％混入、ガス圧０．２５Ｐａ）
を導入し５０ｎｍのＳｉＮを成膜、スパッタガス（Ａｒ
ガスにＮ2 を０．５％混入、ガス圧０．３Ｐａ）を導入
しＡｌを６０ｎｍ成膜した。成膜ロット２００ロット毎
にＴｂＦｅＣｏのスパッタガスのみＮ2 混入量を０．１
％ずつ減少させた。
１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのディスク状溝付きポリカ
ーボネート基板を真空チャンバー内にセットした。真空
チャンバー内を一旦１×１０-5Ｐａまで排気した後、ス
パッタガス（ＡｒガスにＮ2 を５％混入、ガス圧０．２
５Ｐａ）を導入し、膜厚１１０ｎｍのＳｉＮを成膜し
た。続いてスパッタガス（Ａｒガスのみ、ガス圧０．３
Ｐａ）を導入し、ＴｂターゲットとＦｅＣｏ合金ターゲ
ットを用いて、膜厚２０ｎｍのＴｂ21Ｆｅ71Ｃｏ8 （添
え字は原子％を表す）を成膜した。その上にスパッタガ
ス（ＡｒガスにＮ2 を５％混入、ガス圧０．２５Ｐａ）
を導入し５０ｎｍのＳｉＮを成膜、スパッタガス（Ａｒ
ガスにＮ2 を０．５％混入、ガス圧０．３Ｐａ）を導入
しＡｌを６０ｎｍ成膜した。成膜ロット２００ロット毎
にＴｂＦｅＣｏのスパッタガスのみＮ2 混入量を０．１
％ずつ減少させた。
【００１５】得られた記録膜ディスクに対して線速度１
５ｍ／ｓ、記録磁界２５０Ｏｅの条件で１ＭＨｚの信号
の記録を行ったところ、最適記録パワーは表１のように
なった。これから、ＴｂターゲットとＦｅＣｏ合金ター
ゲットの経時変化による組成変化がアルゴンガス中の窒
素ガスでうまく補正されたことがわかる。比較例１ 実施例１と同様の手順で磁気記録膜を作成した。但し、
成膜ロット毎の窒素量のコントロールは行わず、初期と
同じ条件で成膜した。
５ｍ／ｓ、記録磁界２５０Ｏｅの条件で１ＭＨｚの信号
の記録を行ったところ、最適記録パワーは表１のように
なった。これから、ＴｂターゲットとＦｅＣｏ合金ター
ゲットの経時変化による組成変化がアルゴンガス中の窒
素ガスでうまく補正されたことがわかる。比較例１ 実施例１と同様の手順で磁気記録膜を作成した。但し、
成膜ロット毎の窒素量のコントロールは行わず、初期と
同じ条件で成膜した。
【００１６】得られた記録膜ディスクに対して実施例１
と同様、線速度１５m/s 、記録磁界２５０Ｏｅの条件で
１ＭＨｚの信号の記録を行ったところ、最適記録パワー
は表１のようになった。記録パワーの変動が大きいこと
がわかる。
と同様、線速度１５m/s 、記録磁界２５０Ｏｅの条件で
１ＭＨｚの信号の記録を行ったところ、最適記録パワー
は表１のようになった。記録パワーの変動が大きいこと
がわかる。
【００１７】
【表１】
【００１８】実施例２ 実施例１と同じ４元のマグネトロンスパッタリング装置
を用い、厚さ１．２ｍｍ、直径３００ｍｍのディスク状
溝付きガラス基板を真空チャンバー内にセットした。真
空チャンバー内を一旦１×１０-5Ｐａまで排気した後、
スパッタガス（ＡｒガスにＮ2 を５％混入、ガス圧２．
２５Ｐａ）を導入し、膜厚７０ｎｍのＳｉＮを成膜し
た。続いてスパッタガス（ＡｒガスにＮ2 を０．５％混
入、ガス圧０．３Ｐａ）を導入し、ＧｄターゲットとＦ
ｅＣｏ合金ターゲットを用いて、保護膜の上に厚さ４０
ｎｍのＧｄ23Ｆｅ67Ｃｏ10（添え字は原子％を表す）か
らなる第１磁性層を成膜した。その上にスパッタガス
（ＡｒガスにＮ2 を０．４％混入、ガス圧０．３Ｐａ）
を導入し、ＤｙターゲットとＦｅＣｏ合金ターゲットを
用いて厚さ３０ｎｍのＤｙ24Ｆｅ66Ｃｏ10からなる第２
磁性層を成膜した。最後に再びＳｉＮターゲットを用い
膜厚７０ｎｍの保護膜層を成膜した。こうして成膜した
各磁性層のキュリー温度は第１磁性層が３１０℃、第２
磁性層が１５５℃であった。
を用い、厚さ１．２ｍｍ、直径３００ｍｍのディスク状
溝付きガラス基板を真空チャンバー内にセットした。真
空チャンバー内を一旦１×１０-5Ｐａまで排気した後、
スパッタガス（ＡｒガスにＮ2 を５％混入、ガス圧２．
２５Ｐａ）を導入し、膜厚７０ｎｍのＳｉＮを成膜し
た。続いてスパッタガス（ＡｒガスにＮ2 を０．５％混
入、ガス圧０．３Ｐａ）を導入し、ＧｄターゲットとＦ
ｅＣｏ合金ターゲットを用いて、保護膜の上に厚さ４０
ｎｍのＧｄ23Ｆｅ67Ｃｏ10（添え字は原子％を表す）か
らなる第１磁性層を成膜した。その上にスパッタガス
（ＡｒガスにＮ2 を０．４％混入、ガス圧０．３Ｐａ）
を導入し、ＤｙターゲットとＦｅＣｏ合金ターゲットを
用いて厚さ３０ｎｍのＤｙ24Ｆｅ66Ｃｏ10からなる第２
磁性層を成膜した。最後に再びＳｉＮターゲットを用い
膜厚７０ｎｍの保護膜層を成膜した。こうして成膜した
各磁性層のキュリー温度は第１磁性層が３１０℃、第２
磁性層が１５５℃であった。
【００１９】成膜ロット２００ロット毎にＧｄＦｅＣｏ
のスパッタガスのＮ2 混入量を０．１％ずつ減少させ、
成膜ロット３００ロット毎にＤｙＦｅＣｏのスパッタガ
スのＮ2 混入量を０．１％ずつ減少させた。得られた記
録膜ディスクに対して線速度１５m/s 、記録磁界２５０
Ｏｅの条件で７．５ＭＨｚの信号の記録を行ったところ
１０００ロットまでの記録パワーの変動が±２％以内で
なおかつどのディスクも再生時の信号のＣＮ比が高く、
記録されたマークが必要な長さより短くなったり或いは
全くマークが形成されていないことが無くなり安定した
記録が行われた。
のスパッタガスのＮ2 混入量を０．１％ずつ減少させ、
成膜ロット３００ロット毎にＤｙＦｅＣｏのスパッタガ
スのＮ2 混入量を０．１％ずつ減少させた。得られた記
録膜ディスクに対して線速度１５m/s 、記録磁界２５０
Ｏｅの条件で７．５ＭＨｚの信号の記録を行ったところ
１０００ロットまでの記録パワーの変動が±２％以内で
なおかつどのディスクも再生時の信号のＣＮ比が高く、
記録されたマークが必要な長さより短くなったり或いは
全くマークが形成されていないことが無くなり安定した
記録が行われた。
【００２０】実施例３ 実施例２と同様の手順で磁気記録膜を作製した。但し、
第１磁性層は厚さ４０ｎｍのＧｄ23Ｆｅ69Ｃｏ8 とし、
第２磁性層は厚さ４０ｎｍのＴｂ27Ｆｅ66Ｃｏ 7 、第１
磁性層のスパッタガスのＮ2 混入量は初期に０．５％、
第２磁性層のスパッタガスのＮ2 混入量は初期に０％と
した。
第１磁性層は厚さ４０ｎｍのＧｄ23Ｆｅ69Ｃｏ8 とし、
第２磁性層は厚さ４０ｎｍのＴｂ27Ｆｅ66Ｃｏ 7 、第１
磁性層のスパッタガスのＮ2 混入量は初期に０．５％、
第２磁性層のスパッタガスのＮ2 混入量は初期に０％と
した。
【００２１】スパッタ時間５０００Ｗ・ｈｒ（単位はス
パッタパワー×スパッタ時間）毎にＧｄＦｅＣｏのスパ
ッタガスのＮ2 混入量を０．１１％ずつ減少させ、スパ
ッタ時間１０００Ｗ・ｒ毎にＴｂＦｅＣｏのスパッタガ
スのＮ2 混入量を０．１％ずつ増加させた。得られた記
録膜ディスクに対して線速度１５m/s 、記録磁界２５０
Ｏｅの条件で７．５ＭＨｚの信号の記録を行ったとこ
ろ、５００ロットまでの記録パワーの変動が±２％以内
でなおかつどのディスクも再生時の信号のＣＮ比が高
く、記録されたマークが必要な長さより短くなったり或
いは全くマークが形成されていないことが無くなり安定
した記録が行われた。
パッタパワー×スパッタ時間）毎にＧｄＦｅＣｏのスパ
ッタガスのＮ2 混入量を０．１１％ずつ減少させ、スパ
ッタ時間１０００Ｗ・ｒ毎にＴｂＦｅＣｏのスパッタガ
スのＮ2 混入量を０．１％ずつ増加させた。得られた記
録膜ディスクに対して線速度１５m/s 、記録磁界２５０
Ｏｅの条件で７．５ＭＨｚの信号の記録を行ったとこ
ろ、５００ロットまでの記録パワーの変動が±２％以内
でなおかつどのディスクも再生時の信号のＣＮ比が高
く、記録されたマークが必要な長さより短くなったり或
いは全くマークが形成されていないことが無くなり安定
した記録が行われた。
【００２２】
【発明の効果】以上の通りこの発明により、ターゲット
の経時変化による飽和磁気モーメントの変化を補正する
ことができ、複数枚のディスクを作製してもいつも安定
した特性のディスクを提供することができる。
の経時変化による飽和磁気モーメントの変化を補正する
ことができ、複数枚のディスクを作製してもいつも安定
した特性のディスクを提供することができる。
【図１】この発明の方法に使用することのできるスパッ
タリング装置の概略図である。
タリング装置の概略図である。
【図２】同時スパッタリングにおける遷移金属リッチ膜
の一般的なターゲット経時変化による飽和磁気モーメン
トの変化の一例を示した図である。
の一般的なターゲット経時変化による飽和磁気モーメン
トの変化の一例を示した図である。
【図３】同時スパッタリングにおける希土類金属リッチ
膜の一般的なターゲット経時変化による飽和磁気モーメ
ントの変化の一例を示した図である。
膜の一般的なターゲット経時変化による飽和磁気モーメ
ントの変化の一例を示した図である。
【図４】スパッタリング中の窒素量に対する飽和磁気モ
ーメントの変化の実験結果を例示した図である。
ーメントの変化の実験結果を例示した図である。
１０ チャンバ ２１ スパッタ源１ ２２ スパッタ源２ ３１ 基板ホルダ ４１ Ａｒガス導入ポート ４２ Ｎ2 ガス導入ポート
Claims (5)
- 【請求項１】 アルゴンガスを含む真空雰囲気中で希土
類金属及び遷移金属のターッゲットの多元スパッタリン
グにより光磁気記録膜を経時的に連続して複数枚製造す
るに際し、前記アルゴンガス中に窒素ガスを混入するこ
とにより光磁気記録膜に生じる飽和磁気モーメントの目
的値からのずれを補正することを特徴とする飽和磁気モ
ーメントの補正方法。 - 【請求項２】 アルゴンガスを含む真空雰囲気中で希土
類金属及び遷移金属のターゲットの多元スパッタリング
により光磁気記録膜を製造する方法において、前記アル
ゴンガス中に窒素ガスを混入させることにより、前記記
録膜を経時的に連続して複数枚製造したときに生じる飽
和磁気モーメントの目的値からのずれを補正することを
特徴とする光磁気記録膜の製造方法。 - 【請求項３】 一定のスパッタリング時間毎に混入させ
る窒素ガスの量を変えることを特徴とする請求項２記載
の光磁気記録膜の製造方法。 - 【請求項４】 アルゴンガス中に混入させる窒素ガスの
量を１％以下にすることを特徴とする請求項２又は３記
載の光磁気記録膜の製造方法。 - 【請求項５】 スパッタリングターゲットがGdターゲッ
トとFeCo合金ターゲットであることを特徴とする請求項
２ないし４のいずれかに記載の光磁気記録膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4334569A JPH06180880A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 飽和磁気モーメントの補正方法及び光磁気記録膜の 製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4334569A JPH06180880A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 飽和磁気モーメントの補正方法及び光磁気記録膜の 製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06180880A true JPH06180880A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18278872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4334569A Withdrawn JPH06180880A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 飽和磁気モーメントの補正方法及び光磁気記録膜の 製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06180880A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038717A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその形成方法 |
-
1992
- 1992-12-15 JP JP4334569A patent/JPH06180880A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038717A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |