JPH07296434A - 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 - Google Patents

光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法

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JPH07296434A JP6211102A JP21110294A JPH07296434A JP H07296434 A JPH07296434 A JP H07296434A JP 6211102 A JP6211102 A JP 6211102A JP 21110294 A JP21110294 A JP 21110294A JP H07296434 A JPH07296434 A JP H07296434A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は再生すべきマークに隣接するマーク
を完全にマスクして再生出力の向上を図ることのできる
光磁気記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 光磁気記録媒体は透明基板１４と、透明基板
１４上に積層された磁性再生層１８と、磁性再生層１８
上に積層された非磁性中間層２０と、非磁性中間層２０
上に積層された磁性記録層２２とを含んでいる。磁性再
生層１８は室温では面内方向に磁化容易軸を有し、所定
温度以上では膜面１４に対して垂直の磁化容易方向を有
している。磁性記録層２２は膜面１４に対して垂直の磁
化容易方向を有している。非磁性中間層２０は所定温度
以上で磁性記録層２２と磁性再生層１８の間の静磁結合
を許容するのに十分な薄さである。非磁性中間層２０に
代えて、室温からキュリー温度まで面内の磁化容易方向
を有する磁性中間層３０を再生層１８と記録層２２の間
に介装するようにしても良い。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】（目次） 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は高密度光磁気記録媒体に
関する。光磁気ディスクは高密度記録媒体として知られ
ているが、情報量の増大に伴いさらなる高密度化が要望
されている。高密度化は記録マークの間隔を詰めること
によって実現できるが、その記録、再生は、媒体上の光
ビームの大きさ（ビームスポット）によって制限され
る。
【０００３】ビームスポット内に一つの記録マークしか
存在しないように設定した場合、記録マークがあるかな
いかによって“１”，“０”に対応する出力波形が再生
信号として観測できる。
【０００４】しかし、記録マークの間隔を詰めてビーム
スポット内に複数個存在するようにすると、媒体上のビ
ームスポットが移動しても再生出力に変化が生じないた
め、出力波形は直線となって記録マークの有り無しを識
別できなくなる。
【０００５】このようなビームスポット以下の周期を持
つ小さな記録マークを再生するためには、ビームスポッ
トを小さく絞れば良いが、ビームスポットの大きさは光
源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡとで制約され、十
分に小さく絞ることはできない。
【０００６】
【従来の技術】最近、現行の光学系をそのまま利用して
ビームスポット以下の記録マークを再生する磁気誘導超
解像技術を利用した再生方法が提案されている。これ
は、ビームスポット内の一つのマークを再生していると
き他のマークをマスクすることで再生分解能を上げた再
生方法である。
【０００７】このため超解像ディスク媒体には、マーク
を記録するための記録層以外に信号再生時に一つのマー
クのみが再生されるように他のマークを隠しておくため
のマスク層又は再生層が最低必要となる。
【０００８】再生層に垂直磁化膜を用いた光磁気記録媒
体が特開平３−８８１５６号で提案されている。しか
し、この公開公報に記載された従来技術では、再生層を
初期化するために数キロエルステッド程度の初期化磁界
が必要であるため、装置を小型化できないという問題が
ある。
【０００９】一方、再生層に室温で面内に磁化容易方向
を有し所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方
向を有する磁性膜を用いた光磁気記録媒体が特開平５−
８１７１７号及び特開平５−３４２６７０号で提案され
ている。
【００１０】この従来技術の再生原理を図３１を参照し
て簡単に説明する。図３１（Ｃ）に示すように、光磁気
ディスク２は透明基板４上に磁性再生層６及び磁性記録
層８を積層して構成されている。
【００１１】磁性再生層６は室温では面内に磁化容易方
向を有しているが、再生パワーが照射されて所定温度以
上になると磁化容易方向が垂直に変化する。磁性記録層
８は垂直磁化膜である。符号１０は光ビームを示してい
る。
【００１２】光ビームの強度分布は図３１（Ａ）に示す
ようにガウス分布をしているため、ディスクが静止して
いる場合にはディスク上の温度分布も中心部分が周辺部
分よりも高温となっている。
【００１３】しかし実際には、ディスク２が矢印Ｒ方向
に回転しているため、ディスク上の温度分布は図３１
（Ｂ）に示すようにビームスポット内のディスク移動方
向前方側が高温となっている。
【００１４】このように温度分布が生じているため、ビ
ームスポット内の温度が低い領域では磁性再生層６の磁
化容易方向が面内を向いているので、反射光のカー回転
角は殆ど零となる。高温領域では、磁性再生層６の磁化
容易方向は面内から垂直へと変化する。
【００１５】このとき磁性再生層６の垂直磁化は、磁性
記録層８の磁化と交換力によって結合し磁性記録層８の
磁化方向に揃うため、磁性記録層８に記録した磁化を磁
性再生層６に転写することができる。この転写領域の広
さは、再生レーザビームパワーによって変えることがで
きる。
【００１６】このように磁性再生層のマスクの大きさを
一つの記録マークだけを再生できるように制御すること
によって、ビームスポットの面積を実質的に縮小したの
と同じ効果を得ることができ、解像度が向上し高密度化
を実現できる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ディ
スク２に照射されるレーザビーム１０の強度分布はガウ
ス分布をしており、ディスク２は矢印Ｒ方向に回転して
いるため、磁性再生層６上には低温領域１０ａと高温領
域１０ｂが生じ、高温領域１０ｂはレーザビーム１０に
対してディスク回転方向の前方側にシフトする。
【００１８】しかし、特開平５−８１７１７号に開示さ
れた従来技術では、図３２に示すようにビームスポット
内の低温領域１０ａの磁性再生層６の面内磁化が磁性記
録層８の垂直磁化と結合して、面内磁化から傾き垂直成
分を生じる。
【００１９】このためマスクの効果が低減し、記録層に
記録された再生すべきマークに隣接するマークを完全に
マスクすることができないため、低温領域でも記録層の
磁化が再生層に転写されることとなり、干渉のため個々
のマークを識別できずに再生出力が低下するという問題
がある。
【００２０】上述した特開平５−３４２６７０号には、
磁性再生層と磁性記録層との間に磁性中間層を介在させ
た光磁気記録媒体が開示されている。この磁性中間層
は、記録層と再生層の間の交換結合力が強すぎる場合に
は、レーザビームが照射されていない箇所でも再生層の
磁化が垂直磁化となって再生層のマスク効果がなくなる
恐れがあるので、これを防止するために設けたものであ
る。
【００２１】この公開公報に記載された磁性中間層は、
その組成から判断すると再生レーザビームで昇温される
温度以下にキュリー点を有している。よって、この公開
公報中には磁性中間層の作用については詳細な記述はな
いが、以下のように考えられる。
【００２２】即ち、磁性中間層がキュリー温度以上に熱
せられてその磁化が消失し、ビームスポット内の低温領
域においては再生層に安定した面内マスクを形成し、高
温領域においては静磁結合により記録層の磁化が再生層
に転写されるため、高温領域において媒体に記録された
情報を読み出すことができる。
【００２３】しかし、静磁結合力による磁化の転写は交
換結合力による転写よりも弱いため、この公開公報に記
載された磁性中間層を設けた媒体では、ビームスポット
内の高温領域における磁化の転写特性が十分でないとい
う問題がある。記録層と再生層との間の静磁結合力は、
磁性中間層により吸収されるため、磁化の転写特性がさ
らに阻害される。
【００２４】よって本発明の目的は、再生すべきマーク
に隣接するマークを完全にマスクして再生出力の向上を
図ることのできる光磁気記録媒体を提供することであ
る。本発明の他の目的は、再生すべきトラックに隣接す
るトラックとのクロストークを防止して再生出力の向上
を実現できる光磁気記録媒体を提供することである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成によ
ると、透明基板と、該透明基板上に積層された、室温で
は面内に磁化容易方向を有し所定温度以上では膜面に対
して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性
再生層上に積層された非磁性中間層と、該非磁性中間層
上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有す
る磁性記録層とを具備し、前記非磁性中間層は前記所定
温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層の間の静磁
結合を許容するのに十分な薄さである光磁気記録媒体が
提供される。
【００２６】好ましくは、非磁性中間層は１ｎｍ以上、
１０ｎｍ以下の厚さを有している。非磁性中間層はＡ
ｌ，Ｓｉ，Ｔｉ及びこれらの酸化物、窒化物からなる群
から選択される物質から構成される。
【００２７】本発明の第２の構成によると、透明基板
と、該透明基板上に積層された、室温では面内に磁化容
易方向を有し所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化
容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層
された面内に磁化容易方向を有する磁性中間層と、該磁
性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方
向を有する磁性記録層とを具備した光磁気記録媒体が提
供される。
【００２８】好ましくは、磁性中間層は、ＲX ＦｅY Ｃ
ｏ1-x-Y （Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ） ０＜Ｘ＜０．５ ０≦Ｙ＜０．５ で表される軽希土類−遷移金属非晶質合金膜から構成さ
れる。
【００２９】本発明の第３の構成によると、透明基板
と、該透明基板上に積層された面内に磁化容易方向を有
し、透過率が６０％以上の磁性開口部分制御層と、該磁
性開口部分制御層上に積層された、室温では面内に磁化
容易方向を有し所定温度以上では膜面に対して垂直の磁
化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積
層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性
記録層とを具備した光磁気記録媒体が提供される。
【００３０】磁性開口部分制御層、磁性再生層及び磁性
記録層のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ
３とし、室温をＴroom、再生パワー照射時の磁性再生層
の温度をＴreadとすると、Ｔｃ２＞Ｔｃ３＞Ｔｃ１＞Ｔ
room、且つ開口部分においてＴread＞Ｔｃ１である。
【００３１】本発明の第４の構成によると、透明基板
と、該透明基板上に積層された膜面に対して垂直の磁化
容易方向を有する磁性再生補助層と、該磁性再生補助層
上に積層された室温で面内に磁化容易方向を有する磁性
再生層と、該磁性再生層上に積層された膜面に対して垂
直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、前記
磁性再生補助層、磁性再生層及び磁性記録層のキュリー
温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とするとき、Ｔ
ｃ３＜Ｔｃ１及びＴｃ３＜Ｔｃ２の関係を満たし、前記
磁性再生補助層及び磁性記録層の保磁力をそれぞれＨｃ
１，Ｈｃ３とするとき、Ｈｃ３＞Ｈｃ１の関係を満たす
光磁気記録媒体が提供される。
【００３２】本発明の他の側面によると、透明基板と、
該透明基板上に積層された室温では面内に磁化容易方向
を有し、所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易
方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層され
た非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層された膜面
に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具
備し、前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性
記録層と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容するのに
十分な薄さである光磁気記録媒体に記録された情報の再
生方法であって、前記再生層の保磁力をＨｃ、前記再生
層と前記記録層との間の静磁結合力をＨｓとするとき、
Ｈｒの強さのバイアス磁界を印加しながら前記記録媒体
にレーザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度
以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット内に前記
再生層の磁化が面内方向を向く低温領域と、Ｈｒ≦Ｈｓ
＋Ｈｃの関係を満たし、前記記録層の磁化が静磁結合に
よって前記再生層に転写される中間温度領域と、Ｈｒ＞
Ｈｓ＋Ｈｃの関係を満たし、前記再生層の磁化がバイア
ス磁界方向に揃えられる高温領域とからなる温度分布を
形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された
情報の再生方法が提供される。
【００３３】好ましくは、前記磁性再生層及び磁性記録
層は希土類−遷移金属非晶質合金膜から構成される。記
録層として、希土類リッチの希土類−遷移金属非晶質合
金膜を採用した場合には、ビームスポット内に再生層の
磁化がバイアス磁界方向に揃えられる低温領域と、前記
記録層の磁化が静磁結合によって前記再生層に転写され
る中間温度領域と、前記再生層の磁化がバイアス磁界方
向に揃えられる高温領域とからなる温度分布が形成され
る。
【００３４】本発明の更に他の側面によると、透明基板
と、該透明基板上に積層された室温では面内に磁化容易
方向を有し、所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化
容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層
された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層された
膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層と
を具備し、前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記
磁性記録層と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容する
のに十分な薄さである光磁気記録媒体に記録された情報
の再生方法であって、前記再生層の保磁力をＨｃ、前記
再生層と前記記録層との間の静磁結合力をＨｓとすると
き、前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記記録
層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビーム
スポット内に前記再生層の磁化が面内方向を向く低温領
域と、前記記録層の磁化が静磁結合によって前記再生層
に転写される中間温度領域と、前記再生層に転写された
磁化が高温になることによって自然に消滅して再生層の
磁化が消去方向の磁化方向と同一方向に揃えられる高温
領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光
磁気記録媒体に記録された情報の再生方法が提供され
る。
【００３５】
【作用】第１の構成によると、磁性記録層と磁性再生層
との間に非磁性中間層を設けたために、両磁性層の間の
交換結合力が完全に遮断される。
【００３６】非磁性中間層の厚さを十分に薄くすること
により、再生パワーを照射して磁性再生層の温度を所定
温度以上に上昇させると、磁性記録層の磁化が静磁相互
作用により磁性再生層に転写され、磁性記録層に記録さ
れた情報を再生することができる。
【００３７】非磁性中間層により磁性記録層と磁性再生
層との間の交換相互作用を遮断したことにより、ビーム
スポット内の低温領域における交換相互作用に起因する
磁性再生層の磁化の面内方向からの傾きを防止すること
ができるため、再生出力を向上することができる。
【００３８】第２の構成によると、磁性記録層と磁性再
生層との間に常に面内に磁化容易方向を有する磁性中間
層を介在したため、再生パワーを照射したときのビーム
スポット内の低温領域においては磁性中間層の面内磁化
が安定であるので、磁性記録層の垂直磁化に起因する磁
性中間層の磁化の傾きは発生しない。
【００３９】ビームスポット内の高温領域においては、
磁性再生層の磁化容易方向は垂直となる。このとき磁性
中間層の磁化は、記録層、再生層両層の垂直磁化のため
垂直方向が磁化容易方向となり、磁性記録層の磁化との
交換結合作用で記録層の磁化方向に揃う。さらに再生層
の磁化は磁性中間層の磁化と交換結合して中間層の磁化
方向に揃うため、結局記録層の磁化方向が再生層に転写
される。
【００４０】第３の構成によると、透過率が６０％以上
の磁性開口部分制御層を設けたために、再生ビームスポ
ット内の低温領域では磁性開口部分制御層のキュリー温
度以下のため、制御層内には面内磁化が残っている。
【００４１】その結果、磁性再生層の磁化が交換結合力
によって制御層の磁化にならって面内磁化になるため、
低温領域では制御層がマスクの役割を果たして、磁性再
生層のマークを再生することはできない。
【００４２】一方、再生ビームスポット内の高温領域で
は、磁性開口部分制御層がキュリー温度以上に加熱さ
れ、制御層の磁化が消失するため、再生層の磁化は制御
層との結合が切れて完全に垂直磁化となり、磁性再生層
のマークを制御層を通して再生することができる。
【００４３】第４の構成によると、ビームスポット内の
低温領域においては、再生層の磁化は面内方向を向いて
いるので、再生補助層の磁化はバイアス磁界方向に揃え
られ、垂直方向のマスクが形成される。
【００４４】ビームスポット内の高温領域では、再生層
の磁化は記録層の磁化と交換結合し、さらに再生層と再
生補助層の磁化が交換結合するので、記録層の磁化方向
が再生補助層に転写されることになり、記録層の情報を
読み出すことができる。
【００４５】従って、磁気光学的出力を差動検出した場
合、ビームスポット内において温度の低い領域はマスク
として働き、光磁気信号を読み出すことはなく、ビーム
スポット内の高温領域だけの光磁気信号が読み出され
る。よって、再生レーザ波長の回折限界以下の大きさの
マークを正確に読み出すことができる。
【００４６】
【実施例】図１を参照して、本発明第１実施態様の記録
媒体の構成を説明する。１２は光磁気記録媒体であり、
通常はディスク形状をしている。ガラス等の透明基板１
４上に例えばスパッタリングによりＳｉＮ等からなる誘
電体層１６が積層されている。誘電体層１６はその上に
積層される磁性層の酸化及び腐食を防止する。
【００４７】透明基板１４としては、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレ
フィン等の樹脂が採用可能である。また、誘電体層１６
としては、ＡｌＮ等の金属窒化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 等の金属酸化物及びＺｎＳ等の金属硫化物が採用可能
である。
【００４８】誘電体層１６上にはＧｄＦｅＣｏ等の希土
類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性再生層１
８が積層されている。磁性再生層１８は、室温では面内
に磁化容易方向を有し、再生ビームパワーで昇温される
所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有
している。
【００４９】磁性再生層１８上にはＳｉＮ等から形成さ
れた非磁性中間層２０が積層されている。非磁性中間層
２０としてはＡｌＮ等の金属窒化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3等の金属酸化物及びＺｎＳ等の金属硫化物が採用可
能である。
【００５０】非磁性中間層２０上にはＴｂＦｅＣｏ等の
希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性記録
層２２が積層されている。磁性記録層２２は膜面に対し
て垂直の磁化容易方向を有している。
【００５１】磁性再生層１８と磁性記録層２２との間に
非磁性中間層２０が介装されているため、磁性再生層１
８と磁性記録層２２との間の交換結合作用は完全に遮断
される。
【００５２】非磁性中間層２０は、磁性再生層１８が所
定温度以上に昇温されたとき、磁性記録層２２と磁性再
生層１８との間の静磁結合を許容するのに十分な薄さで
ある必要がある。具体的には、後で詳細に説明するよう
に、１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下の厚さであるのが望まし
い。
【００５３】誘電体層１６には最適膜厚が存在する。こ
れを以下に求めてみる。媒体反射率Ｒが最小の場合にカ
ー回転角が最大となり、カーエンハンスメントが増幅さ
れる。干渉条件の式は以下で与えられる。
【００５４】２ｎｄ＝λ（２ｍ＋１）／２… ここで、ｎ＝屈折率、λ＝レーザ波長、ｄ＝誘電体層膜
厚、ｍ＝次数である。式にｎ＝２．１５、λ＝７８０ｎ
ｍ、ｍ＝０を代入すると、ｄ＝７８０／（４×２．１
５）＝９０．７≒９０が得られる。
【００５５】従って、誘電体層１６の最適膜厚は９０ｎ
ｍである。磁性記録層２２上には保護膜２４が積層され
て光磁気記録媒体１２が完成する。この保護膜は、空気
中からの水や酸素或いはハロゲン元素のような物質の侵
入を防止し、磁性記録層２２を保護する目的で設けられ
る。
【００５６】保護膜２４は、ＳｉＮ，ＡｌＮ等の金属窒
化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の金属酸化物及びＺｎＳ
等の金属硫化物から形成される。図２を参照して、第１
実施態様の光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法
について説明する。磁性再生層及び磁性記録層の磁化方
向が矢印で示されており、記録媒体１２は矢印Ｒ方向に
回転している。
【００５７】磁性再生層１８の磁化方向が面内方向から
垂直方向へ転移する温度をＴs とすると、再生ビーム２
６が照射されたとき媒体の温度ＴがＴ＜Ｔs である低温
領域２８ａでは、磁性再生層１８と磁性記録層２２の間
に非磁性中間層２０が介在しているため、両磁性層１
８，２２の間の交換結合作用が完全に遮断され、磁性再
生層１８は磁性記録層２２の垂直磁化の影響を受けずに
完全に面内磁化を示している。
【００５８】媒体温度ＴがＴs ＜Ｔとなる高温領域２８
ｂでは、磁性再生層１８は垂直磁化となる。このときの
磁化方向は、磁性記録層２２の垂直磁化からの浮遊磁場
で静磁結合し、磁性記録層２２の磁化方向に揃う。従っ
て、磁性記録層２２の磁化が磁性再生層１８に転写さ
れ、この領域のみを読み出すことにより再生出力を向上
できる。
【００５９】図示したように、磁性再生層の磁化が垂直
磁化となる高温領域は、ビームスポット外にも存在する
が、ビームスポット外の磁化領域は再生されないため、
高温領域２８ｂ内のうちビームスポット内の垂直磁化領
域のみを読み出すことが可能となる。
【００６０】本実施例では、低温領域での磁性再生層１
８が安定な面内磁化であるため、完全にマスクとして働
き、再生時に隣接マークが干渉せず高い再生出力を得る
ことができる。上述したように、非磁性中間層２０は、
Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ等の金属、或いはこれらの酸化物、窒
化物等から形成される。
【００６１】非磁性中間層２０は、所定温度以上で磁性
記録層２２と磁性再生層１８との間の静磁結合を許容す
るのに十分な薄さである必要がある。以下、非磁性中間
層２０の好ましい厚さの範囲について説明する。
【００６２】図３を参照すると、非磁性中間層２０の厚
さを変えたときのキャリア対ノイズ比、即ちＣ／Ｎのマ
ーク長依存性が示されている。このグラフから明らかな
ように、非磁性中間層２０の厚さを１ｎｍ以上、１０ｎ
ｍ以下にしたときＣ／Ｎが顕著に向上している。
【００６３】非磁性中間層２０の厚さが１０ｎｍより厚
くなった場合、例えば１５ｎｍの場合には、磁性再生層
１８と磁性記録層２２とが十分に静磁結合できないた
め、厚さが１０ｎｍより厚い非磁性中間層２０は望まし
くない。
【００６４】また、非磁性中間層２０の厚さが１ｎｍよ
り薄い場合には、再生層１８と記録層２２との間の交換
結合力を遮断できないため、望ましくない。よって、非
磁性中間層２０の望ましい膜厚は、１ｎｍ以上、１０ｎ
ｍ以下である。
【００６５】図４を参照して、本発明第２実施態様の光
磁気記録媒体の構成について説明する。本実施態様の説
明において、図１に示した第１実施態様と同一構成部分
については同一符号を付し、重複を避けるためその説明
を省略する。
【００６６】本実施態様は磁性再生層１８と磁性記録層
２２との間に磁性中間層３０を介装した点が、上述した
第１実施態様と相違する。他の各層の構成は上述した第
１実施態様と同様である。
【００６７】磁性中間層３０は面内に磁化容易方向を有
する磁性層であり、大きな飽和磁化Ｍs を有している。
よって、室温からキュリー温度にわたり面内磁化方向が
安定である。
【００６８】磁性中間層３０は、ＲX ＦｅY Ｃｏ1-X-Y
（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ） ０＜Ｘ＜０．５ ０≦Ｙ＜０．５ で表される軽希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成さ
れる。
【００６９】図５を参照して、第２実施態様の光磁気記
録媒体に記録された情報の再生方法について説明する。
光磁気記録媒体１２′は矢印Ｒ方向に移動している。再
生レーザビーム２６が照射されて媒体上に形成されたレ
ーザスポットの低温領域２８ａでは、媒体の温度ＴがＴ
＜Ｔs であるため、磁性再生層１８は面内磁化を示す。
【００７０】この低温領域２８ａでは、磁性中間層３０
は飽和磁化Ｍs が大きいため、磁性中間層３０の面内磁
化方向が安定である。よって、磁性記録層２２の垂直磁
化による磁性中間層３０の磁化の傾きは発生しない。そ
の結果、低温領域２８ａにおける磁性再生層１８の面内
磁化方向も安定である。
【００７１】媒体の温度ＴがＴs ＜Ｔとなる高温領域２
８ｂでは、磁性再生層１８の磁化容易方向は垂直とな
る。このとき磁性中間層３０の磁化は、記録層２２及び
再生層１８の垂直磁化のため垂直方向が磁化容易方向と
なり、記録層２２の磁化との交換結合により記録層２２
の磁化方向に揃う。
【００７２】さらに再生層１８は、この磁性中間層３０
の磁化と交換結合し磁性中間層３０の磁化方向に揃うた
め、結局記録層２２の磁化が再生層１８に転写され、再
生レーザビーム２６の照射によりこの再生層１８に転写
された磁化を読み出すことができる。
【００７３】また、磁性再生層１８の膜厚を磁性中間層
３０にレーザビームが到達する程度に薄くすれば、Ｎｄ
等の軽希土類−遷移金属非晶質合金膜からなる磁性中間
層３０のカー回転角は再生層１８のカー回転角よりも大
きいため、再生光に大きなカー回転角を得られることと
なり、高い再生出力を得ることができる。
【００７４】本実施態様の磁性中間層３０は特開平５−
３４２６７０号に記載された磁性中間層と以下の点で相
違する。即ち、特開平５−３４２６７０号に記載された
磁性中間層では、再生レーザビームで昇温される温度で
は、磁性中間層の磁化が消失するが、本実施態様の磁性
中間層３０ではキュリー温度が十分高いため、再生レー
ザビームで昇温される温度では磁性中間層３０の磁化は
消失しない。
【００７５】よって、記録層２２の磁化は交換結合によ
り磁性中間層３０に転写され、さらに磁性中間層３０の
磁化が交換結合により再生層１８に転写されるため、本
実施態様では磁化の転写特性が非常に良好である。
【００７６】次に図６を参照して、本発明第３実施態様
の光磁気記録媒体の構成について説明する。本実施態様
の説明において、図１に示した第１実施態様と同一構成
部分については同一符号を付し、重複を避けるためその
説明を省略する。
【００７７】本実施態様では、誘電体層１６上に例えば
ＤＣマグネトロンスパッタリングにより磁性開口部分制
御層３２を積層する。そして、この制御層３２上に磁性
再生層１８を積層する。
【００７８】磁性開口部分制御層３２は室温から該制御
層３２のキュリー温度まで、常に面内に磁化容易方向を
有している。また、制御層３２の透過率は６０％以上で
あることが必要であり、好ましくは透過率が７５％以上
である。制御層３２の膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲
内、好ましくは１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内である。
【００７９】磁性開口部分制御層３２、磁性再生層１８
及び磁性記録層２２のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，
Ｔｃ２，Ｔｃ３とし、室温をＴroom、再生パワー照射時
の媒体表面温度をＴreadとすると、Ｔｃ２＞Ｔｃ３＞Ｔ
ｃ１＞Ｔroom且つ開口部分においてＴread＞Ｔｃ１であ
ることが必要である。
【００８０】例えば、磁性開口部分制御層３２のキュリ
ー温度は約９０℃、磁性再生層１８のキュリー温度は約
３００℃、磁性記録層２２のキュリー温度は約２００℃
である。
【００８１】図７を参照すると、磁性再生層１８と磁性
記録層２２の保磁力の温度特性が示されている。曲線３
４が磁性記録層２２の温度特性を示しており、曲線３６
が磁性再生層１８の温度特性をそれぞれ示している。
【００８２】曲線３６の点Ｐは、磁性再生層１８の磁化
方向が面内から垂直に転移する転移点である。制御層３
２は面内磁化膜であり、約９０℃のキュリー温度を有し
ており、その保磁力は室温から約９０℃までの磁性再生
層１８の保磁力と類似している。
【００８３】図８及び図９を参照して、本発明第３実施
態様の光磁気記録媒体の再生方法について説明する。図
中矢印が各磁性層１８，２２及び３２の磁化方向を示し
ている。また、媒体１２″は矢印Ｒ方向に移動してい
る。
【００８４】図９において、４０は再生中のトラックを
示しており、４０ａ，４０ｂは隣接トラックを示してい
る。再生レーザビーム２６が媒体１２″に照射されて形
成されたビームスポット２８内の高温領域２８ｂでは、
媒体の温度が制御層３２のキュリー温度以上となるた
め、制御層３２の磁化が消失してこの部分に開口が形成
される。
【００８５】高温領域２８ｂでは、磁性再生層１８の磁
化方向が面内から垂直方向に転移するため、磁性記録層
２２の磁化が再生層１８に転写される。よって、再生レ
ーザビーム２６を照射することにより、再生層１８に転
写されたマークを制御層３２の開口を通して読み出すこ
とができる。
【００８６】ビームスポット２８内の低温領域２８ａで
は、再生層１８の面内磁化は制御層３２がない場合、記
録層２２との交換結合によりある程度垂直方向に傾く。
しかし、制御層がある場合、低温領域２８ａの温度は制
御層３２のキュリー温度以下であるので、制御層３２に
面内磁化が残っているため、再生層１８は制御層３２と
の交換結合で面内磁化となり、再生層１８の磁化の垂直
成分はほとんどなくなる。わずかばかりの磁化の垂直成
分も制御層３２がマスクとなって読み出すことはできな
い。
【００８７】このように、制御層３２の磁化の有無を利
用することにより、微小マークを再生することが可能と
なる。また、図９に示すように同一トラック内の隣りの
マークや隣りのトラック４０ａ，４０ｂに記録されたマ
ークが再生されることはなく、クロストークを抑制する
ことが可能となる。
【００８８】次に図１０を参照して、本発明第４実施態
様の光磁気記録媒体の構成について説明する。本実施態
様の説明において、図１に示した第１実施態様と同一構
成部分については同一符号を付し、重複を避けるためそ
の説明を省略する。
【００８９】本実施態様では、誘電体層１６上に例えば
ＤＣマグネトロンスパッタリングにより磁性再生補助層
４２を積層する。そして、この再生補助層４２上に磁性
再生層１８を積層する。
【００９０】磁性再生補助層４２は膜面と垂直の磁化容
易方向を有している。再生補助層４２、再生層１８及び
記録層２２のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２及
びＴｃ３とすると、 Ｔｃ１＞Ｔｃ３及びＴｃ２＞Ｔｃ３ の関係を満足する。また、再生補助層４２、再生層１８
及び記録層２２の室温における保磁力をそれぞれＨｃ
１，Ｈｃ２及びＨｃ３とすると、 Ｈｃ３＞Ｈｃ１及びＨｃ３＞Ｈｃ２ の関係を満足する。
【００９１】再生補助層４２、再生層１８及び記録層２
２は、希土類−遷移金属非晶質合金膜から構成されるこ
とが好ましい。また組成としては、再生補助層４２及び
再生層１８はＧｄＦｅＣｏ合金又はＧｄＦｅ合金が好ま
しく、記録層２２はＴｂＦｅＣｏ又はＤｙＦｅＣｏ合金
からなることが好ましい。
【００９２】好ましくは、再生補助層４２は２５ｎｍ〜
６０ｎｍの膜厚及び室温において６００エルステッド以
下の保磁力を有している。更に、再生補助層４２の組成
はＧｄ，Ｆｅ及びＣｏからなり、Ｇｄの含有量が２０ａ
ｔ％〜２７ａｔ％の間に設定されているのが望ましい。
【００９３】金属に対する光の浸入深さは約２５ｎｍと
いわれている。従って、それ以下の膜厚では再生層１８
の磁化方向も再生することになり、ノイズを生じる可能
性がある。よって、再生補助層４２の膜厚は２５ｎｍ以
上にするべきである。
【００９４】一方、媒体感度をよくするためには厚すぎ
ることは好ましくない。そこで、再生補助層４２の膜厚
と媒体感度及び光磁気信号出力の関係を調べたところ、
十分な光磁気信号出力を得るためには再生補助層４２の
膜厚は６０ｎｍ以下が好ましいことが判明した。
【００９５】再生補助層４２は、室温における保磁力が
記録のためのバイアス磁界より小さくなくてはならない
ので、６００エルステッド以下の保磁力を有することが
好ましい。また、再生補助層４２は大きなカー回転角を
示す材料から形成されることが要求される。このために
は、キュリー温度も高いことが好ましい。
【００９６】そこで、再生補助層４２の組成について検
討したところ、上述したようにＧｄＦｅＣｏが好ましい
ことが判明した。特に室温における保磁力を小さくする
ためには、Ｇｄの含有量が２０ａｔ％〜２７ａｔ％で垂
直磁化を示す材料が好適であることが判明した。
【００９７】好ましくは、再生層１８は１ｎｍ〜４０ｎ
ｍの膜厚を有しており、その組成はＧｄ，Ｆｅ及びＣｏ
からなり、Ｇｄの含有量が２９ａｔ％〜４０ａｔ％の間
であるのが望ましい。
【００９８】再生層１８は、再生補助層４２と記録層２
２の交換結合力を制御する層である。室温において再生
補助層４２と記録層２２の交換結合力を遮断しなければ
ならないので、再生層１８の膜厚は厚いほうがよい。
【００９９】しかし、再生パワーで昇温された場合、記
録層２２の磁化方向は再生層１８に転写されなければな
らないので、再生層１８の膜厚は薄いほうがよい。即
ち、室温では厚い方が好ましく、昇温された場合には薄
い方が好ましい。この相反する要求を満たすための実験
を行ったところ、再生層１８の膜厚が１ｎｍ〜４０ｎｍ
の間で高い光磁気信号出力を得られることが判明した。
【０１００】上述したように、再生層１８の組成はＧｄ
ＦｅＣｏが好ましい。特に室温において面内磁化を示
し、昇温時に記録層２２と交換結合する磁気特性を示す
とともに、磁性膜全体（三層膜）を薄膜化するために
は、飽和磁化の値が大きいことが要求される。この要求
を満たす組成を調べるために実験を行ったところ、再生
層１８のＧｄの含有量は２９ａｔ％〜４０ａｔ％の間が
好ましいことが判明した。
【０１０１】好ましくは、記録層２２は６０ｎｍ以下の
膜厚を有しており、２５０°Ｃ以下のキュリー温度を有
している。記録層２２は情報を記録する層であることか
ら、上述したように磁気異方性の大きなＴｂＦｅＣｏ又
はＤｙＦｅＣｏが好ましい。
【０１０２】記録層２２の最適膜厚について検討したと
ころ、昇温時に記録層２２と再生層１８が交換結合し、
高い光磁気信号出力を得るためには、記録層２２の膜厚
を６０ｎｍ以下にすることが好ましいことが判明した。
更に、高感度な光記録媒体を実現するためには、記録層
２２のキュリー温度を２５０°Ｃ以下にすることが好ま
しい。
【０１０３】次に図１１を参照して、第４実施態様の記
録媒体に記録された情報の消去方法つにいて説明する。
記録媒体１２ａにレーザビームを照射することによって
記録層２２のキュリー温度付近まで媒体を昇温し、バイ
アス磁界を下向きに印加することにより情報を消去す
る。
【０１０４】図１１に情報を消去した後の各磁性層の磁
化方向を矢印で示す。ここで、再生層１８の矢印は右方
向を向いているが、これは再生層１８の磁化方向が面内
方向に向いていることを意味しており、面内方向の特定
方向に限定されるものではない。
【０１０５】図１２を参照すると、第４実施態様の記録
媒体１２ａに情報を記録した後の状態が示されている。
情報の記録時には、バイアス磁界を上向きにして、記録
層２２のキュリー温度付近まで昇温する。これにより、
記録層２２の磁化方向は上向きとなる。
【０１０６】このとき、再生層１８及び再生補助層４２
の磁化方向も記録層２２の磁化方向と同一方向（上向
き）に向く。温度が下がると再生層１８の飽和磁化の値
が大きくなるので、再生層１８の磁化は面内方向を向
く。従って、記録パワーが照射された領域では、記録層
２２及び再生補助層４２の磁化は上方向を向く。
【０１０７】記録データがない領域（即ち再生パワーに
相当するパワーが照射された領域）では、再生層１８が
記録層２２と交換結合する温度以上に昇温されるが、冷
却過程で再生層１８の磁化は面内方向を向き、再生補助
層４２の磁化は上向きとなる。
【０１０８】次に図１３を参照して、第４実施態様の光
磁気記録媒体に記録された情報の再生方法について説明
する。光磁気記録媒体１２ａは矢印Ｒ方向に移動してい
る。本実施態様における情報の再生には、記録時と同一
方向のバイアス磁界、即ち上向きのバイアス磁界Ｈｂを
印加しながら再生を行う。再生レーザビーム２６が照射
されると媒体上にビームスポットが形成され、それに伴
い温度分布が形成される。
【０１０９】ビームスポット内の低温領域２８ａでは、
記録層２２と再生層１８が交換結合する温度以下なの
で、再生層１８の磁化は面内方向を向き、再生補助層４
２の磁化は上向きである。
【０１１０】ビームスポット内の高温領域２８ｂでは、
記録層２２と再生層１８が交換結合し、さらに再生層１
８と再生補助層４２が交換結合するので、再生補助層４
２には記録層２２の磁化方向が転写される。
【０１１１】よって、ビームスポット内の高温領域２８
ｂで記録層２２に記録された情報が再生される。ビーム
スポットから外れて温度が下がると、再生層１８の磁化
は面内方向を向き、記録層２２の磁化は記録されていた
状態を保つ。
【０１１２】このように、再生レーザパワーを調整する
とビームスポット内に低温領域２８ａと高温領域２８ｂ
が形成され、高温領域２８ｂだけが開口部となり、低温
領域２８ａには磁化が上向きのマスク、即ちアップスピ
ンマスクが形成される。よって、高温領域２８ｂだけで
光磁気信号を取り出すことができ、超解像再生が可能に
なる。
【０１１３】図１４を参照すると、本発明第５実施態様
の光磁気記録媒体１２ｂの構成が示されている。本実施
態様の説明において、図１０に示した第４実施態様と同
一構成部分については同一符号を付し、重複を避けるた
めその説明を省略する。
【０１１４】上述した第４実施態様の光磁気記録媒体１
２ａでは、再生補助層４２と再生層１８は室温において
強く交換結合する傾向にあり、バイアス磁界で磁性再生
補助層４２の磁化方向を反転させることが難しい場合が
ある。
【０１１５】そこで本実施態様では、再生補助層４２と
再生層１８の交換結合力を弱めるために、再生補助層４
２と再生層１８の間に非磁性体又は常磁性体の中間層４
３を挿入した。
【０１１６】中間層４３を挿入することによって、再生
補助層４２と再生層１８は磁気的に弱い結合となり、バ
イアス磁界で再生補助層４２の磁化方向を容易に反転さ
せることが可能となる。
【０１１７】中間層４３はＳｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ或い
はこれらの窒化物から構成される。中間層４３の膜厚
は、０．５ｎｍ〜２０ｎｍの間が好ましい。本実施態様
の他の構成は図１０に示した第４実施態様と同様であ
る。
【０１１８】上述した第５実施態様によると、再生補助
層４２と再生層１８の間に非磁性体又は常磁性体の中間
層４３を挿入することによって、高性能な光磁気記録媒
体を提供した。
【０１１９】しかし、各磁性層４２，１８，２２の組成
が異なっているために、３種類の磁性膜用のスパッタタ
ーゲットと、１種類の中間層用のスパッタターゲットの
合計４種類のターゲットを必要とした。
【０１２０】そこで、第５実施態様の変形例として、再
生補助層４２と再生層１８を同一組成の磁性膜から構成
することもできる。例えば、ＧｄＦｅＣｏ非晶質合金膜
は膜厚が厚い場合は磁性膜に作用する反磁界が小さいた
めに垂直磁化膜となるが、膜厚が薄くなると反磁界が大
きくなるために室温において面内磁化膜となる。
【０１２１】上述した第１実施態様の光磁気記録媒体１
２では、記録層２２の磁化を再生層１８に転写する場
合、再生パワーが上がるにつれて面内磁化マスク領域が
狭まり転写領域が広がって、隣接マークの干渉が起こり
再生出力が低下するという問題が発生する。
【０１２２】再生層１８と記録層２２の磁気特性を所定
の関係に規定し、さらに再生時のバイアス磁界の大きさ
を調整することにより、この問題を解決した光磁気記録
媒体１２に記録された情報の再生方法について以下に説
明する。
【０１２３】図１５は記録層２２の磁化Ｍの温度依存性
を示している。磁化容易方向が面内から垂直に転移した
ときの再生層１８の磁化方向は記録層２２の磁化からの
漏洩磁場による静磁結合力Ｈｓで決まる。
【０１２４】静磁結合力によって再生層１８の磁化を記
録層２２の磁化方向に揃えるために最低必要な記録層２
２の磁化の大きさをＭ1 とすると、記録層２２の磁化が
Ｍ1以下となる温度領域では再生層１８の磁化方向は記
録層２２の磁化の向きに揃わなくなる。
【０１２５】従って、再生層１８の保磁力をＨｃ、記録
層２２と再生層１８との間の静磁結合力をＨｓとする
と、この温度のときに再生用のバイアス磁界Ｈｒを印加
すると、Ｈｒ＞Ｈｃ＋Ｈｓのとき再生層１８の磁化は再
生用のバイアス磁界方向に揃い、磁化が垂直方向のマス
クを形成する。このようにビームスポット内に磁化が垂
直方向のマスク（アップスピンマスク）を形成すること
により、上述した問題を解決できる。
【０１２６】以下、図１６乃至図２０を参照して、本実
施態様の再生方法について詳細に説明する。上述したよ
うに、第１実施態様の光磁気記録媒体１２の再生層１８
及び記録層２２は好ましくは希土類−遷移金属非晶質合
金膜から形成される。
【０１２７】図１６に記録層２２として遷移金属リッチ
の希土類−遷移金属非晶質合金膜を採用した場合の、記
録層２２と再生層１８の磁化の温度依存性を示す。また
図１７に、再生時の媒体の磁化状態とビームスポット内
の温度分布を示す。
【０１２８】図１６に示すように、再生層１８が面内磁
化から垂直磁化になる温度Ｔt を記録層２２の補償温度
Ｔcompとキュリー温度Ｔc との間に設定する。記録層２
２の磁化がＭ1 以下となる温度は、補償温度近傍（Ｔ1
〜Ｔ2 ）とキュリー温度近傍（Ｔ3 〜Ｔc ）である。
【０１２９】図１７（Ａ）において、媒体は矢印Ｒ方向
に回転している。また、図１７（Ｂ）において、符号２
８はビームスポットを示し、符号２９は媒体上に記録さ
れた記録マークを示している。
【０１３０】図１７（Ｂ）に示すように、ビームスポッ
ト２８内の低温領域Ａでは、再生層１８はまだ面内磁化
であるため、記録層２２の磁化をマスクした状態となっ
ている。ビームスポット２８内の中間温度領域Ｂでは、
Ｈｒ≦Ｈｃ＋Ｈｓの条件を満たし、記録層２２の磁化が
静磁結合により再生層１８に転写される。
【０１３１】ビームスポット２８内の高温領域Ｃでは、
Ｈｒ＞Ｈｃ＋Ｈｓの条件が満たされるため、再生層１８
の磁化はバイアス磁界Ｈｒの方向を向き、アップスピン
マスクが形成される。
【０１３２】このように再生パワーの上昇に伴って面内
磁化マスク領域Ａは縮小するが、同時に再生用バイアス
磁界方向に揃えられたアップスピンマスク領域Ｃが生じ
るため、記録マーク転写領域Ｂは実質的にほとんど変化
しないため、再生出力が低下することはない。
【０１３３】図１８に記録層２２として希土類リッチの
希土類−遷移金属非晶質合金膜を採用した場合の、記録
層２２と再生層１８の磁化の温度依存性を示す。また図
１９（Ａ）に再生時の媒体の磁化状態を示し、図１９
（Ｂ）にビームスポット内の温度分布のために生じた４
つの磁化領域を示す。
【０１３４】記録層２２の磁化がＭ1 以下となる温度
は、記録層２２の補償温度近傍（Ｔ1〜Ｔ2 ）とキュリ
ー温度近傍（Ｔ3 〜ＴC ）である。本実施態様では、記
録層２２としてＲＥリッチの希土類−遷移金属非晶質合
金膜を使用したことにより、記録層２２の補償温度Ｔ
compをキュリー温度Ｔc 近くに上げることができる。
【０１３５】これにより、再生層１８が面内から垂直磁
化へ転移する温度Ｔt を記録層２２の補償温度近くに設
定することができ、ビームスポット２８内に再生層１８
の磁化が再生用バイアス磁界方向に揃えられたアップス
ピンマスクを２つ形成することができる（図１９（Ｂ）
の領域ＢとＤ）。
【０１３６】即ち、温度Ｔt 以下ではビームスポット２
８内に面内磁化マスク領域Ａが形成され、温度がＴt 〜
Ｔ2 の範囲とＴ3 〜Ｔc の範囲ではＨｒ＞Ｈｃ＋Ｈｓの
条件が満たされ、再生層１８の磁化が再生用のバイアス
磁界方向に揃ったアップスピンマスク領域Ｂ及びＤが形
成される。
【０１３７】温度がＴ2 〜Ｔ3 までの中間温度領域で
は、Ｈｒ≦Ｈｃ＋Ｈｓの条件が満たされ、記録層２２の
磁化が静磁結合により再生層１８に転写される記録マー
ク転写領域Ｃが形成される。
【０１３８】このように再生パワーの上昇に伴って面内
磁化マスク領域Ａは非常に小さくなるが、同時に再生用
バイアス磁界方向に揃えられた２つのアップスピンマス
ク領域Ｂ及びＤを生じるため、記録マーク転写領域Ｃは
実質的にほとんど変化せず、再生出力が低下することは
ない。
【０１３９】再生層１８の保磁力Ｈｃが非常に小さい場
合には、光ヘッドに設けられた対物レンズアクチュエー
タに使用されている永久磁石から漏洩した磁場を再生用
のバイアス磁界として利用することができる。これを図
２０を参照して説明する。
【０１４０】対物レンズアクチュエータ４４はヨークベ
ース４６上に設けられた２個のヨーク４８，５０と、各
ヨークに設けられた２個の永久磁石５２，５４を有して
いる。対物レンズアクチュエータ４４はさらに、対物レ
ンズ５６のフォーカシングを行う図示しないフォーカシ
ングコイルと、トラッキングを行う図示しないトラッキ
ングコイルとを含んでいる。
【０１４１】光磁気ディスク１２ａと永久磁石５２，５
４とは非常に近くに配置されているため、永久磁石５
２，５４から漏洩した磁力線５８が光磁気ディスク１２
ａにも影響を及ぼす。よって、再生層１８の保磁力Ｈｃ
が非常に小さい場合には、永久磁石５２，５４から漏洩
した磁場を再生用のバイアス磁界として利用することが
できる。
【０１４２】実施例１ ガラス基板１４上にＳｉＮ誘電体層１６、ＧｄＦｅＣｏ
再生層１８、ＳｉＮ中間層２０、ＴｂＦｅＣｏ記録層２
２及びＳｉＮ保護層２４をＲＦスパッタリングにより順
次形成した。
【０１４３】スパッタリングによる各層の形成は、到達
真空度５×１０-5Ｐａ以下の真空槽内で、ＳｉＮ層１
６，２０，２４を作製する場合は、Ａｒガス圧０．２Ｐ
ａ、投入電力０．８ｋＷで行い、磁性層１８，２２を作
製する場合は、Ａｒガス圧０．５Ｐａ、投入電力１．０
ｋＷで行った。
【０１４４】磁性再生層１８の組成はＧｄ29Ｆｅ55Ｃｏ
16であり、磁性記録層２２の組成はＴｂ20Ｆｅ72Ｃｏ8
である。また各層１６，１８，２０，２２，２４の膜厚
は、それぞれ９０ｎｍ，４０ｎｍ，５ｎｍ，４０ｎｍ，
４５ｎｍである。
【０１４５】磁性再生層１８のキュリー温度は３３０
℃、補償温度は２１０℃であり、磁性記録層２２のキュ
リー温度は２２０℃、補償温度は室温である。ＧｄＦｅ
Ｃｏ再生層１８単層のときは、約１５０℃で磁化容易方
向が面内から垂直へと変化した。基板１４上に中間層を
除いた４層膜を積層した従来構成では、約９０℃で再生
層１８の磁化容易方向が面内から垂直へと変化した。
【０１４６】しかし、基板１４上に非磁性中間層２０を
含む５層膜を積層した本実施例では、再生層１８の磁化
容易方向が約１２０℃で面内から垂直へと変化した。こ
れは記録層２２と再生層１８の交換結合力が弱まったこ
とを示している。
【０１４７】図２１に中間層のない４層膜を有する従来
の媒体と本実施例のＣ／Ｎのマーク長依存性を示す。測
定条件は、線速３ｍ／ｓ、再生パワー１．２ｍＷ、記録
パワー２．３〜２．５ｍＷである。
【０１４８】中間層がない４層膜を有する従来の媒体で
は、長いマーク長でもＣ／Ｎ値が低い値を示すのに対
し、非磁性中間層２０を積層した本実施例の媒体ではＣ
／Ｎ値が大幅に改善されたことを確認できた。
【０１４９】実施例２ ガラス基板１４上にＳｉＮ誘電体層１６、ＧｄＦｅＣｏ
再生層１８、Ａｌ中間層２０、ＴｂＦｅＣｏ記録層２２
及びＳｉＮ保護層２４をスパッタリングにより順次形成
した。
【０１５０】各層の作製は到達真空度５×１０-5Ｐａ以
下の真空槽内で行い、中間層２０以外は実施例１と同一
条件で行った。Ａｌ中間層２０はＡｒガス圧０．２Ｐ
ａ、投入電力ＤＣ１．０ｋＷのＤＣスパッタリングによ
り形成した。
【０１５１】再生層１８及び記録層２２の組成は実施例
１と同一である。また各層１６，１８，２０，２２及び
２４の膜厚は、それぞれ９０ｎｍ，２５ｎｍ，３ｎｍ，
４０ｎｍ，４５ｎｍである。
【０１５２】図２２に中間層を有しない従来構成の媒体
と非磁性金属中間層を有する本実施例の媒体のＣ／Ｎの
マーク長依存性を示す。測定条件は、線速９ｍ／ｓ、再
生パワー２．２ｍＷ、記録パワー４．８〜５．２ｍＷで
ある。非磁性金属中間層２０を再生層１８と記録層２２
の間に介装することによって、Ｃ／Ｎ値が大きく改善さ
れたことが確認された。
【０１５３】実施例３ ガラス基板１４上にＳｉＮ誘電体層１６、ＧｄＦｅＣｏ
再生層１８、ＮｄＣｏ中間層３０、ＴｂＦｅＣｏ記録層
２２及びＳｉＮ保護層２４をスパッタリングにより順次
形成した。
【０１５４】各層の作製は到達真空度５×１０-5Ｐａ以
下の真空槽内で行い、磁性中間層３０以外は実施例１と
同一条件で行った。ＮｄＣｏ中間層３０は、Ａｒガス圧
０．２Ｐａ、投入電力ＤＣ１．０ｋＷのＤＣスパッタリ
ングにより形成した。
【０１５５】再生層１８及び記録層２２の組成は実施例
１と同一である。磁性中間層３０の組成は、Ｎｄ27Ｃｏ
73である。また各層１６，１８，３０，２２及び２４の
膜厚は、それぞれ９０ｎｍ，４０ｎｍ，１０ｎｍ，４０
ｎｍ，４５ｎｍである。
【０１５６】図２３に中間層を除いた４層膜構成の従来
の媒体と本実施例の媒体のＣ／Ｎのマーク長依存性を示
す。測定条件は、線速９ｍ／ｓ、再生パワー２．２ｍ
Ｗ、記録パワー４．８〜５．２ｍＷである。
【０１５７】図２３から明らかなように、磁性中間層３
０を再生層１８と記録層２２の間に介装することによっ
て、Ｃ／Ｎ値が大きく改善されたことが確認された。 実施例４ ガラス基板１４上にＴｂ−ＳｉＯ2 誘電体層１６、Ｄｙ
Ｆｅ制御層３２、ＧｄＦｅＣｏ再生層１８、ＴｂＦｅＣ
ｏ記録層２２及びＴｂ−ＳｉＯ2 保護層２４をスパッタ
リングにより形成した。
【０１５８】誘電体層１６及び保護層２４は、ＲＦマグ
ネトロンスパッタリングにより形成し、制御層３２、再
生層１８及び記録層２２はＤＣマグネトロンスパッタリ
ングにより形成した。
【０１５９】制御層３２の組成はＤｙ12Ｆｅ88、再生層
１８の組成はＧｄ30Ｆｅ50Ｃｏ20、記録層２２の組成は
Ｔｂ20Ｆｅ72Ｃｏ8 である。また各層１６，３２，１
８，２２及び２４の膜厚は、それぞれ９０ｎｍ，１０ｎ
ｍ，５０ｎｍ，５０ｎｍ，９０ｎｍである。
【０１６０】誘電体層１６及び保護層２４のスパッタリ
ングは、Ａｒガス圧０．５Ｐａ、投入電力ＲＦ２ｋＷで
行い、制御層３２、再生層１８及び記録層２２のスパッ
タリングは、Ａｒガス圧０．５Ｐａ、投入電力ＤＣ１ｋ
Ｗで行った。
【０１６１】制御層３２、再生層１８及び記録層２２の
キュリー温度はそれぞれ、９０℃、３００℃、２００℃
である。図２４を参照して、本実施例における再生パワ
ーと再生状況の関係を説明する。図２４（Ａ）は再生パ
ワーが２ｍＷ未満の状態を示しており、図２４（Ｂ）は
再生パワーが２ｍＷ以上の状態を示している。
【０１６２】２ｍＷ未満の再生レーザビーム２６が照射
された図２４（Ａ）の状態では、媒体の温度が十分上昇
しないため、再生層１８は面内磁化を示しているが、記
録層２２との交換結合により磁化方向がある程度の垂直
成分を有している。
【０１６３】しかし、この温度では制御層３２が面内磁
化膜であるため、再生層１８に転写された磁化方向の垂
直成分はほとんど無視できるほどわずかであるため読み
出すことはできない。
【０１６４】２ｍＷ以上の再生レーザビーム２６が照射
された図２４（Ｂ）の状態では、ビームスポット内に低
温領域２８ａと高温領域２８ｂが形成される。高温領域
２８ｂでは制御層３２がキュリー温度以上に加熱される
ため、その磁化が消失して制御層３２に開口が形成され
る。
【０１６５】さらに高温領域２８ｂでは、再生層１８の
磁化容易方向が面内から垂直へと転移し、交換結合力に
より記録層２２の磁化が再生層１８に転写される。制御
層３２はその膜厚が１０ｎｍと薄くて透過率が６０％と
高いため、再生層１８に転写されたマークを制御層３２
の開口を介して読み出すことが可能である。
【０１６６】低温領域２８ａでは制御層３２のキュリー
温度以下のため、制御層３２がマスクとなって再生層１
８に転写された記録マーク以外の部分が再生されること
が防止される。
【０１６７】図２５に制御層３２を有しない従来例と比
較した本実施例のＣ／Ｎの再生パワー依存性を示す。本
実施例を実線で示し、従来例は点線で示してある。図２
５から明らかなように、本実施例のＣ／Ｎ値は従来例に
比較して顕著に改善されている。
【０１６８】図２６に制御層を有しない従来例と比較し
た本実施例のクロストークの再生パワー依存性を示す。
本実施例を実線で示し、従来例を点線で示してある。尚
ここで言うクロストークとは、現信号と旧信号との差分
のｄＢ値である。図２６から明らかなように、本実施例
のクロストークは従来例と比較して顕著に改善されてい
る。
【０１６９】実施例５ ガラス基板１４上にＴｂ−ＳｉＯ2 誘電体層１６、Ｄｙ
ＦｅＣｏ制御層３２、ＧｄＦｅＣｏ再生層１８、ＴｂＦ
ｅＣｏ記録層２２及びＴｂ−ＳｉＯ2 保護層２４を順次
スパッタリングにより形成した。
【０１７０】制御層３２の組成はＤｙ35Ｆｅ62Ｃｏ3 で
あり、再生層１８の組成はＧｄ30Ｆｅ50Ｃｏ20であり、
記録層２２の組成はＴｂ20Ｆｅ72Ｃｏ8 である。また各
層１６，３２，１８，２２、２４の膜厚は、それぞれ９
０ｎｍ，５ｎｍ，７０ｎｍ，３０ｎｍ，９０ｎｍであ
る。
【０１７１】制御層３２のキュリー温度は１００℃、再
生層１８及び記録層２２のキュリー温度は実施例４と同
一である。本実施例では、制御層３２の膜厚が実施例４
よりも薄いために、制御層３２の透過率が８５％と実施
例４よりも高くなる。磁気誘導超解像再生のメカニズム
は実施例４と同様である。
【０１７２】図２７に本実施例のＣ／Ｎの再生パワー依
存性を示し、図２８にクロストークの再生パワー依存性
を示す。図２７を図２５と比較すると明らかなように、
本実施例では制御層３２の透過率が実施例４の制御層の
透過率よりも高いため、Ｃ／Ｎは実施例４よりも高くな
る。クロストークは実施例４と同様である。
【０１７３】実施例６ スパッタリング装置内にＴｂＦｅＣｏ、第１のＧｄＦｅ
Ｃｏ、第２のＧｄＦｅＣｏ及びＳｉのターゲットと１．
２μｍピッチを有するポリカーボネート基板をセット
し、スパッタリング装置のチャンバ内を１０-5Ｐａまで
真空引きした。
【０１７４】そしてポリカーボネート基板１４上にＳｉ
Ｎ誘電体層１６、ＧｄＦｅＣｏ再生補助層４２、ＧｄＦ
ｅＣｏ再生層１８、ＴｂＦｅＣｏ記録層２２及びＳｉＮ
保護層２４をＤＣスパッタリング法で順次形成した。
【０１７５】スパッタリングによる各層の形成は、到達
真空度５×１０-5Ｐａのチャンバ内で、ＳｉＮ層１６，
２４を作成する場合は、Ａｒガス圧０．２Ｐａ、投入電
力０．８ｋＷで行い、磁性層４２，１８，２２を作成す
る場合は、Ａｒガス圧０．５Ｐａ、投入電力１．０ｋＷ
で行った。
【０１７６】再生補助層４２の組成はＧｄ20Ｆｅ54Ｃｏ
26、再生層１８の組成はＧｄ39Ｆｅ 37Ｃｏ24、記録層２
２の組成はＴｂ19Ｆｅ73Ｃｏ8 である。また各層１６，
４２，１８，２２，２４の膜厚は、それぞれ７０ｎｍ，
４０ｎｍ，１２ｎｍ，４０ｎｍ，１００ｎｍである。
【０１７７】この組成から明らかなように、再生補助層
４２及び記録層２２はＴＭリッチであり、再生層１８は
ＲＥリッチである。再生補助層４２、再生層１８及び記
録層２２のキュリー温度はそれぞれ３６０℃、３３０
℃、２２０℃である。
【０１７８】また、再生補助層４２、再生層１８及び記
録層２２の室温における保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ
２，Ｈｃ３とすると、Ｈｃ３＞Ｈｃ１及びＨｃ３＞Ｈｃ
２の関係がある。
【０１７９】このように作成した光磁気記録媒体の記録
特性を調べた。用いたレーザの波長は７８０ｎｍであ
る。まずバイアス磁界を下向きに印加しながら９ｍＷの
レーザパワーを照射して、記録媒体のデータを消去し
た。
【０１８０】データの記録は、媒体を線速３ｍ／ｓｅｃ
で回転させながら、記録パワー４ｍＷ、周波数７．５Ｍ
Ｈｚ、デューティ比２６％で行った。記録時にはバイア
ス磁界を上向きに印加した。これにより媒体上に長さ約
０．４μｍのマークが記録された。
【０１８１】次にこの記録媒体の再生特性を調べた。デ
ータの再生はバイアス磁界を上向きに印加しながら行っ
た。再生パワー１．５ｍＷでは、先に記録された信号に
対する光磁気信号の出力は得られなかった。これはビー
ムスポット内の再生補助層４２全域がアップスピンマス
クを形成しているためと思われる。
【０１８２】再生パワー１．６ｍＷでは、記録層２２の
磁化方向が再生層１８を通して再生補助層４２に転写さ
れ、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビ
ームスポット内で記録層２２の磁化方向が再生層１８に
転写される温度以上の領域ができたために、アップスピ
ンマスクと開口部が形成されたためと思われる。このと
きのキャリアとノイズの比（Ｃ／Ｎ）は４２ｄＢであっ
た。
【０１８３】再生パワー１．７ｍＷでは、再生補助層４
２の磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向を向き、再
生層１８が記録層２２と交換結合する領域（開口部）の
直径が０．４μｍ程度となったために、４８ｄＢのＣ／
Ｎを得ることができた。
【０１８４】実施例７ 再生補助層４２の組成及びキュリー温度を変え、その他
の条件は実施例６と同様にして光磁気記録媒体を作成し
た。再生補助層４２の組成はＧｄ23Ｆｅ58Ｃｏ 19であ
り、キュリー温度は３００℃である。記録・再生特性を
実施例６と同様に測定すると、再生パワー１．８ｍＷで
４６ｄＢのＣ／Ｎを得ることができた。
【０１８５】実施例８ 実施例６で作成した記録媒体の再生層１８と記録層２２
の間に膜厚５ｎｍのＳｉＮ膜を設けた。記録・再生特性
を実施例６と同様に測定すると、再生パワー１．７ｍＷ
で４９ｄＢのＣ／Ｎを得ることができた。尚、この測定
に先立ちＳｉＮ膜の膜厚について検討したところ、３ｎ
ｍ〜１０ｎｍが超解像再生に適していることが判明し
た。
【０１８６】実施例９ スパッタリング装置内にＴｂＦｅＣｏ、第１のＧｄＦｅ
Ｃｏ、第２のＧｄＦｅＣｏ及びＳｉのターゲットと１．
２μｍのトラックピッチを有するポリカーボネート基板
をセットし、スパッタリング装置のチャンバー内を１０
-5Ｐａまで真空引きした。
【０１８７】次いで、以下の条件で基板上に膜厚７０ｎ
ｍのＳｉＮをＤＣスパッタ法で製膜した。この膜は磁性
膜を酸化から保護する役目だけでなく、光磁気信号を増
大させるエンハンス効果も有している。
【０１８８】ガス圧：０．３Ｐａ スパッタガス：アルゴン、窒素 分圧：アルゴン：窒素＝６：４ 投入電力：０．８ｋＷ 次に再びチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引きし、以
下の条件でＳｉＮの上に第１のＧｄＦｅＣｏ、第２のＧ
ｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏの順にＤＣスパッタリング法
で連続的に製膜した。
【０１８９】ガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス：アルゴン 投入電力：１ｋＷ 再生補助層４２の組成はＧｄ20Ｆｅ54Ｃｏ26、再生層１
８の組成はＧｄ39Ｆｅ 37Ｃｏ24、記録層２２の組成はＴ
ｂ19Ｆｅ73Ｃｏ8 である。また、各層４２，１８，２２
の膜厚は、それぞれ４０ｎｍ，１２ｎｍ，５０ｎｍであ
る。
【０１９０】この組成から明らかなように、再生補助層
４２及び記録層２２はＴＭリッチであり、再生層１８は
ＲＥリッチである。再生補助層４２、再生層１８及び記
録層２２のキュリー温度はそれぞれ３６０°Ｃ，３３０
°Ｃ，２２０°Ｃである。
【０１９１】また、再生補助層４２、再生層１８及び記
録層２２の室温における保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ
２，Ｈｃ３とすると、Ｈｃ３＞Ｈｃ１及びＨｃ３＞Ｈｃ
２の関係がある。
【０１９２】このように作成した光磁気記録媒体の記録
特性を調べた。用いたレーザの波長は７８０ｎｍであ
る。まず、バイアス磁界を下向きに印加しながら９ｍＷ
のレーザパワーを照射して記録媒体のデータを消去し
た。
【０１９３】データの記録は、媒体を線速３ｍ／ｓｅｃ
で回転させながら、記録パワー４ｍＷ、周波数７．５Ｍ
Ｈｚ、デューティ比２６％で行った。記録時にはバイア
ス磁界を上向きに印加した。これにより媒体上に長さ約
０．４μｍのマークが記録された。
【０１９４】次にこの記録媒体の再生特性を調べた。デ
ータの再生はバイアス磁界を上向きに印加しながら行っ
た。再生パワー１．５ｍＷでは、先に記録されたデータ
信号に対する光磁気信号の出力は得られなかった。これ
はビームスポット内の再生補助層４２全域がアップスピ
ンマスクを形成しているためと思われる。
【０１９５】再生パワー１．６ｍＷでは、記録層２２の
磁化方向が再生層１８を通して再生補助層４２に転写さ
れ、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビ
ームスポット内で記録層２２の磁化方向が再生層１８に
転写される温度以上の領域ができたために、アップスピ
ンマスクと開口部が形成されたためと思われる。このと
きのＣ／Ｎは４２ｄＢであった。
【０１９６】再生パワー１．７ｍＷでは、再生補助層４
２の磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向を向き、再
生層１８が記録層２２と交換結合する領域（開口部）の
直径が０．４μｍ程度となったために、４８ｄＢのＣ／
Ｎを得ることができた。
【０１９７】次に、再生層１８と記録層２２の条件は上
述した条件と同一として、再生補助層４２の組成を変え
て同様な記録再生特性を測定した。その結果を表１に示
す。ここで、ＦｅとＣｏの比は一定として、Ｇｄの含有
量を変化させた。
【０１９８】
【表１】
【０１９９】表１から、Ｇｄの含有量が２０ａｔ％〜２
７ａｔ％の間で高いＣ／Ｎを得られることが理解され
る。 実施例１０ 再生補助層４２の膜厚を検討するために、実施例９と同
様構成の記録媒体で、再生補助層４２の膜厚だけを変え
た実験を行った。記録再生方式は実施例９と同様であ
る。結果を表２に示す。
【０２００】
【表２】
【０２０１】表２から明らかなように、再生補助層４２
の膜厚が２５ｎｍ〜６０ｎｍの間で高いＣ／Ｎが得られ
ている。 実施例１１ 実施例９と同一構成を有する光磁気記録媒体で、再生層
１８の組成を変化させた光磁気ディスクを試作し、その
光磁気信号出力を調べた。その結果を表３に示す。ここ
で、ＦｅとＣｏの比は一定として、Ｇｄの含有量を変化
させた。再生層１８の膜厚は１２ｎｍである。
【０２０２】
【表３】
【０２０３】表３から明らかなように、再生層１８のＧ
ｄ含有量が２９ａｔ％〜４０ａｔ％の時高いＣ／Ｎが得
られることが理解される。 実施例１２ 実施例９と同一構成の光磁気記録媒体で、再生層１８の
膜厚を変化させた光磁気ディスクを試作し、その光磁気
信号出力を調べた。その結果を表４に示す。
【０２０４】
【表４】
【０２０５】表４から明らかなように、再生層１８の膜
厚が１ｎｍ〜２０ｎｍの間で高いＣ／Ｎが得られること
が判明した。表４で×印は、磁気超解像再生が不可能で
あったことを示している。
【０２０６】実施例１３ 実施例９と同一構成を有する光磁気記録媒体で、記録層
２２の膜厚とキュリー温度について検討した。記録層２
２が３００°Ｃのキュリー温度を有するときには、実施
例９と同一条件で媒体上にマークを記録したところ、約
６ｍＷの記録パワーが必要であった。
【０２０７】実施例９では線速を３ｍ／ｓｅｃとした
が、実際の光磁気ディスクはその３倍〜５倍の速度で回
転されている。従って、線速１５ｍ／ｓｅｃでは３０ｍ
Ｗ程度の出力が可能な半導体レーザが必要となる。
【０２０８】しかし、現在の光磁気記録装置に搭載され
ている半導体レーザの最高出力は１２ｍＷ程度であり、
記録層２２のキュリー温度が３００°Ｃでは実用化でき
ない。
【０２０９】そこで、記録層２２のキュリー温度につい
て検討したところ、２５０°Ｃ程度であれば、線速１５
ｍ／ｓｅｃでも十分にマークを媒体上に記録することが
可能であることが判明した。
【０２１０】実施例１４ 記録層２２の膜厚について検討した。再生補助層４２の
膜厚を５５ｎｍ、再生層１８の膜厚を１５ｎｍとして、
２５０°Ｃのキュリー温度を有する記録層２２を採用し
た。
【０２１１】このとき記録層２２の膜厚を変化させたと
ころ、膜厚７０ｎｍでは線速１５ｍ／ｓｅｃとしたと
き、レーザパワー１２ｍＷでは十分な記録を行うことが
できなかった。
【０２１２】しかし、記録層２２の膜厚を６０ｎｍとし
た場合には、レーザパワー１２ｍＷでも十分記録を行う
ことができた。従って、記録層２２の膜厚は６０ｎｍ以
下が好ましいことが判明した。
【０２１３】実施例１５ 以下の構成を有する光磁気記録媒体を用いて光磁気信号
のクロストークを調べた。ここでクロストークとは、隣
接するトラックに記録されている光磁気信号を読み出し
てしまうことである。
【０２１４】再生補助層４２の組成はＧｄ20Ｆｅ54Ｃｏ
26、再生層１８の組成はＧｄ39Ｆｅ 37Ｃｏ24、記録層２
２の組成はＴｂ19Ｆｅ73Ｃｏ8 である。また、再生補助
層４２、再生層１８及び記録層２２の膜厚は、それぞれ
５０ｎｍ，１５ｎｍ，５５ｎｍであり、キュリー温度は
それぞれ３６０°Ｃ，３３０°Ｃ，２５０°Ｃである。
【０２１５】基板のトラックピッチは１μｍであり、ラ
ンドの幅は０．８μｍ、グルーブの幅は０．２μｍであ
る。この基板上に製膜された上記構成を有する光磁気記
録媒体にマーク長０．４μｍ、マーク間隔０．４μｍの
信号を記録し、波長７８０ｎｍのレーザを用いて再生し
た。
【０２１６】隣接するトラックからのクロストークは−
４０ｄＢ以下であり、トラックピッチが狭くなった場合
に問題となるクロストークを改善できることが判明し
た。 実施例１６ スパッタリング装置内にＴｂＦｅＣｏ、第１のＧｄＦｅ
Ｃｏ、第２のＧｄＦｅＣｏ及びＳｉのターゲットと１．
２μｍのトラックピッチを有するポリカーボネート基板
をセットし、スパッタリング装置のチャンバー内を１０
-5Ｐａまで真空引きした。
【０２１７】次に、以下の条件で基板上に膜厚７０ｎｍ
のＳｉＮをＤＣスパッタリング法で製膜した。この膜は
磁性膜を酸化から保護する役目だけでなく、光磁気信号
を増大させるエンハンス効果も有している。
【０２１８】ガス圧：０．３Ｐａ スパッタガス：アルゴン、窒素 分圧：アルゴン：窒素＝６：４ 投入電力：０．８ｋＷ 次に、再びチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引きし、
以下に示す条件でＳｉＮの上に第１のＧｄＦｅＣｏ，Ｓ
ｉ，第２のＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏの順にＤＣスパ
ッタリング法で連続的に製膜した。
【０２１９】ガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス：アルゴン 投入電力：１ｋＷ 再生補助層４２の組成はＧｄ20Ｆｅ54Ｃｏ26、再生層１
８の組成はＧｄ39Ｆｅ 37Ｃｏ24、記録層２２の組成はＴ
ｂ19Ｆｅ73Ｃｏ8 である。再生補助層４２と再生層１８
の間にＳｉ中間層４３を介在させた。
【０２２０】各層４２，４３，１８，２２の膜厚は、そ
れぞれ４０ｎｍ，５ｎｍ，１２ｎｍ，５０ｎｍである。
再生補助層４２、再生層１８及び記録層２２のキュリー
温度はそれぞれ３６０°Ｃ，３３０°Ｃ，２２０°Ｃで
ある。
【０２２１】また、再生補助層４２、再生層１８及び記
録層２２の室温における保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ
２，Ｈｃ３とすると、Ｈｃ３＞Ｈｃ１及びＨｃ３＞Ｈｃ
２の関係がある。
【０２２２】このように作成した光磁気記録媒体の記録
特性を調べた。用いたレーザの波長は７８０ｎｍであ
る。まず、バイアス磁界を下向きに印加しながら９ｍＷ
のレーザパワーを照射して、記録媒体のデータを消去し
た。
【０２２３】データの記録は、媒体を線速３ｍ／ｓｅｃ
で回転させながら、記録パワー４ｍＷ、周波数７．５Ｍ
Ｈｚ、デューティ比２６％で行った。記録時にはバイア
ス磁界を上向きに印加した。これにより媒体上に長さ約
０．４μｍのマークが記録された。
【０２２４】次にこの記録媒体の再生特性を調べた。デ
ータの再生はバイアス磁界を上向きに印加しながら行っ
た。再生パワー１．５ｍＷでは、先に記録されたデータ
信号に対する光磁気信号の出力は得られなかった。これ
はビームスポット内の再生補助層４２全域がアップスピ
ンマスクを形成しているためと思われる。
【０２２５】再生パワー１．６ｍＷでは、記録層２２の
磁化方向が再生層１８を通して再生補助層４２に転写さ
れ、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビ
ームスポット内で記録層２２の磁化方向が再生層１８に
転写される温度以上の領域ができたために、アップスピ
ンマスクと開口部が形成されたためと思われる。このと
きのＣ／Ｎは４２ｄＢであった。
【０２２６】再生パワー１．７ｍＷでは、再生補助層４
２の磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向を向き、再
生層１８が記録層２２と交換結合する領域（開口部）の
直径が０．４μｍ程度となったために、４８ｄＢのＣ／
Ｎを得ることができた。
【０２２７】実施例１７ 中間層をＳｉＮから形成した以外は、実施例１６と同様
な光磁気記録媒体を作成した。ＳｉＮ中間層４３は５ｎ
ｍの膜厚を有している。
【０２２８】この光磁気記録媒体の再生特性を調べたと
ころ、実施例１６と同様な高い信号出力を得ることがで
きた。中間層４３をＡｌ又はＡｌＮから形成した光磁気
記録媒体で同様な実験を行ったところ、同様に高い信号
出力を得ることができた。
【０２２９】実施例１８ 実施例１６と同様な構成で、中間層４３の膜厚を変化さ
せた光磁気記録媒体を試作し、その光磁気信号出力を調
べた。その結果を表５に示す。
【０２３０】
【表５】
【０２３１】表５から明らかなように、中間層４３の膜
厚が０．５ｎｍ〜２０ｎｍの時高いＣ／Ｎを得ることが
できた。中間層４３の膜厚が薄過ぎる場合、再生補助層
４２と再生層１８の磁気的な結合が強過ぎるため、Ｃ／
Ｎが下がっていると思われる。中間層４３の膜厚が厚過
ぎる場合、再生補助層４２と再生層１８の磁気的な結合
が弱くなり過ぎるために、Ｃ／Ｎが下がっていると思わ
れる。
【０２３２】実施例１９ 実施例１６の構成を有する多層膜を１μｍのトラックピ
ッチを有する基板上に製膜した。ランドの幅は０．８μ
ｍであり、グルーブの幅は０．２μｍである。この光磁
気記録媒体にマーク長０．４μｍ、マーク間隔０．４μ
ｍの信号を記録し、波長７８０ｎｍのレーザを用いて再
生した。
【０２３３】隣接するトラックからのクロストークは−
４０ｄＢ以下であり、トラックピッチが狭くなった場合
に問題となるクロストークを改善できることを確認し
た。 実施例２０ スパッタリング装置内にＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ及
びＳｉのターゲットと１．２μｍのトラックピッチを有
するポリカーボネート基板をセットし、スパッタリング
装置のチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引きした。
【０２３４】次に、以下の条件で基板上に膜厚７０ｎｍ
のＳｉＮをＤＣスパッタリング法で製膜した。 ガス圧：０．３Ｐａ スパッタガス：アルゴン、窒素 分圧：アルゴン：窒素＝６：４ 投入電力：０．８ｋＷ 次に再びチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引きし、以
下の条件でＳｉＮの上にＧｄＦｅＣｏ，Ｓｉ，ＧｄＦｅ
Ｃｏ，ＴｂＦｅＣｏの順にＤＣスパッタリング法で連続
的に製膜した。
【０２３５】ガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス：アルゴン 投入電力：１ｋＷ 再生補助層４２の組成はＧｄ20Ｆｅ54Ｃｏ26であり、再
生層１８も再生補助層４２と同一の組成を有している。
記録層２２の組成はＴｂ19Ｆｅ73Ｃｏ8 である。再生補
助層４２と再生層１８の間にはＳｉ中間層４３が介在し
ている。
【０２３６】各層４２，４３，１８，２２の膜厚は、そ
れぞれ４０ｎｍ，５ｎｍ，１２ｎｍ，５０ｎｍである。
再生補助層４２、再生層１８及び記録層２２のキュリー
温度はそれぞれ３６０°Ｃ，３６０°Ｃ，２２０°Ｃで
ある。更に続けて、記録層２２の上に１００ｎｍの膜厚
を有するＳｉＮを上記と同様な方法で製膜した。このＳ
ｉＮは磁性膜を酸化から防止する役目をする。
【０２３７】このように作成した光磁気記録媒体の記録
特性を調べた。用いたレーザの波長は７８０ｎｍであ
る。まず、バイアス磁界を下向きに印加しながら９ｍＷ
のレーザパワーを照射して、記録媒体のデータを消去し
た。
【０２３８】データの記録は、媒体を線速３ｍ／ｓｅｃ
で回転させながら、記録パワー４ｍＷ、周波数７．５Ｍ
Ｈｚ、デューティ比２６％で行った。記録時にはバイア
ス磁界を上向きに印加した。これにより媒体上に長さ約
０．４μｍのマークが記録された。
【０２３９】次にこの記録媒体の再生特性を調べた。デ
ータの再生はバイアス磁界を上向きに印加しながら行っ
た。再生パワー１．５ｍＷでは、先に記録されたデータ
信号に対する光磁気信号の出力は得られなかった。これ
はビームスポット内の再生補助層４２全域がアップスピ
ンマスクを形成しているためと思われる。
【０２４０】再生パワー１．６ｍＷでは、記録層２２の
磁化方向が再生層１８を通して再生補助層４２に転写さ
れ、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビ
ームスポット内で記録層２２の磁化方向が再生層１８に
転写される温度以上の領域ができたために、アップスピ
ンマスクと開口部が形成されたためと思われる。このと
きのＣ／Ｎは４２ｄＢであった。
【０２４１】再生パワー１．７ｍＷでは、再生補助層の
磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向を向き、再生層
１８が記録層２２と交換結合する領域（開口部）の直径
が０．４μｍ程度となったために、４８ｄＢのＣ／Ｎを
得ることができた。
【０２４２】実施例２１ 中間層４３をＳｉＮから形成した以外は、実施例２０と
同様な条件で光磁気記録媒体を作成した。実施例２１と
同様な実験を行ったところ、実施例２０と同様な高い信
号出力を得ることができた。
【０２４３】中間層４３をＡｌ又はＡｌＮから形成した
光磁気記録媒体について同様な実験を行ったところ、同
様に高い信号出力を得ることができた。 実施例２２ スパッタリング装置内にＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ及
びＳｉのターゲットと１．２μｍのトラックピッチを有
するポリカーボネート基板をセットし、スパッタリング
装置のチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引きした。
【０２４４】次に、以下の条件で基板上に膜厚７０ｎｍ
のＳｉＮをＤＣスパッタリング法で製膜した。 ガス圧：０．３Ｐａ スパッタガス：アルゴン、窒素 分圧：アルゴン：窒素＝６：４ 投入電力：０．８ｋＷ 次に、再びチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引きし、
以下に示す条件でＳｉＮの上にＧｄＦｅＣｏ，Ｓｉ，Ｇ
ｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏの順にＤＣスパッタリング法
で連続的に製膜した。
【０２４５】ガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス：アルゴン 投入電力：１ｋＷ 再生補助層４２の組成はＧｄ23Ｆｅ51Ｃｏ26であり、再
生層１８も再生補助層４２と同一の組成を有している。
記録層２２の組成はＴｂ19Ｆｅ73Ｃｏ8 である。再生補
助層４２と再生層１８の間にはＳｉ中間層４３が介在し
ている。
【０２４６】各層４２，４３，１８，２２の膜厚は、そ
れぞれ３０ｎｍ，５ｎｍ，１０ｎｍ，５０ｎｍである。
再生補助層４２、再生層１８及び記録層２２のキュリー
温度はそれぞれ３６０°Ｃ，３６０°Ｃ，２２０°Ｃで
ある。
【０２４７】更に、記録層２２の上に１００ｎｍの膜厚
を有するＳｉＮを上記と同様な方法で製膜した。この光
磁気記録媒体の記録再生特性を調べた。実施例２０と同
様な測定を行ったところ、再生パワー２ｍＷで４８ｄＢ
のＣ／Ｎを得ることができた。
【０２４８】実施例２３ 再生補助層４２と再生層１８の組成をＴｂＦｅＣｏ或い
はＤｙＦｅＣｏからなる非晶質合金に置き換えて実施例
２０と同様な実験を行った。その結果、膜厚が薄い場合
でも面内磁化膜を実現できなかった。従って、再生補助
層４２と再生層１８の組成は、ＧｄＦｅＣｏが最適であ
ることが判明した。
【０２４９】実施例２４ 実施例２０の構成を有する多層膜を１μｍのトラックピ
ッチを有する基板上に製膜した。ランドの幅は０．８μ
ｍ、グルーブの幅は０．２μｍである。この光磁気記録
媒体にマーク長０．４μｍ、マーク間隔０．４μｍの信
号を記録し、波長７８０ｎｍのレーザを用いて再生し
た。
【０２５０】隣接するトラックからのクロストークは−
４０ｄＢ以下であり、トラックピッチが狭くなった場合
に問題となるクロストークを改善できることを確認し
た。 実施例２５ ガラス基板１４上にＳｉＮ誘電体層１６、ＧｄＦｅＣｏ
再生層１８、ＳｉＮ中間層２０、ＴｂＦｅＣｏ記録層２
２及びＳｉＮ保護層２４をＲＦスパッタリングにより順
次形成した。
【０２５１】スパッタリングによる各層の形成は、到達
真空度５×１０-5Ｐａ以下の真空チャンバ内で、ＳｉＮ
層１６，２０，２４を作成する場合は、Ａｒガス圧０．
２Ｐａ、投入電力０．８ｋＷで行い、磁性層１８，２２
を作成する場合は、Ａｒガス圧０．５Ｐａ、投入電力
１．０ｋＷで行った。
【０２５２】再生層１８の組成はＧｄ29Ｆｅ55Ｃｏ12で
あり、記録層２２の組成はＴｂ18Ｆｅ68Ｃｏ14である。
また各層１６，１８，２０，２２，２４の膜厚は、それ
ぞれ９０ｎｍ，４０ｎｍ，５ｎｍ，４０ｎｍ，４５ｎｍ
である。
【０２５３】再生層１８のキュリー温度は３３０℃、補
償温度は２２０℃であり、記録層２２のキュリー温度は
２６０℃、補償温度は８０℃である。このように作成し
た光磁気記録媒体を用いてマーク長０．４μｍのビット
を記録し、Ｃ／Ｎの再生パワー依存性を測定した結果を
図２９に実線で示す。破線は実施例１で作成した記録媒
体のＣ／Ｎの再生パワー依存性を示している。
【０２５４】記録・再生条件は、線速５ｍ／ｓｅｃ、記
録パワー５．４ｍＷ、デューティ比２５％である。再生
用のバイアス磁界は、対物レンズアクチュエータからの
漏洩磁場（約４０Ｏｅ）を利用した。本実施例で作成し
た記録媒体は実施例１の記録媒体に比較して、再生パワ
ーが上昇しても再生出力が低下しないことが確認でき
た。
【０２５５】実施例２６ ガラス基板１４上にＳｉＮ誘電体層１６、ＧｄＦｅＣｏ
再生層１８、ＳｉＮ中間層２０、ＴｂＦｅＣｏ記録層２
２及びＳｉＮ保護層２４をＲＦスパッタリングにより順
次形成した。
【０２５６】記録層２２の組成はＴｂ26Ｆｅ61Ｃｏ13で
あり、再生層１８の組成は実施例２５と同じである。記
録層２２のキュリー温度は２２０℃、補償温度１４０℃
である。また各層１６，１８，２０，２２，２４の膜厚
は、それぞれ９０ｎｍ，４０ｎｍ，５ｎｍ，４０ｎｍ，
４５ｎｍである。
【０２５７】このように作成した光磁気記録媒体にマー
ク長０．４μｍのビットを記録し、Ｃ／Ｎの再生パワー
依存性を測定した結果を図３０に実線で示す。破線は実
施例１で作成した記録媒体のＣ／Ｎの再生パワー依存性
を示している。
【０２５８】記録・再生条件は、線速５ｍ／ｓ、記録パ
ワー５．４ｍＷ、デューティ比２５％である。再生用の
バイアス磁界は、対物レンズアクチュエータからの漏洩
磁場（約４０Ｏｅ）を利用した。
【０２５９】このようにＲＥリッチの希土類−遷移金属
非晶質合金膜を記録層２２に用いた場合にも、再生パワ
ーが上昇した場合に再生出力が低下しないことが確認で
きた。
【０２６０】
【発明の効果】本発明は以上詳述したように構成したの
で、再生すべきマークに隣接するマークを完全にマスク
して再生出力の向上を図ることができるという効果を奏
する。またクロストークも改善される。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施態様の光磁気記録媒体の構成図であ
る。
【図２】第１実施態様の記録媒体の再生方法を説明する
図である。
【図３】非磁性中間層の厚さを変えたときのＣ／Ｎのマ
ーク長依存性を示す図である。
【図４】第２実施態様の光磁気記録媒体の構成を示す図
である。
【図５】第２実施態様の記録媒体の再生方法を説明する
図である。
【図６】第３実施態様の光磁気記録媒体の構成を示す図
である。
【図７】磁性再生層と磁性記録層の保磁力の温度特性を
示す図である。
【図８】第３実施態様の記録媒体の再生方法を説明する
図である。
【図９】再生レーザビーム照射領域と再生可能領域との
関係を示す図である。
【図１０】第４実施態様の光磁気記録媒体の構成を示す
図である。
【図１１】第４実施態様の記録媒体のデータの消去状態
を説明する図である。
【図１２】第４実施態様の記録媒体のデータの記録状態
を説明する図である。
【図１３】第４実施態様の記録媒体の再生方法を説明す
る図である。
【図１４】第５実施態様の光磁気記録媒体の構成を示す
図である。
【図１５】記録層の磁化Ｍの温度依存性を示す図であ
る。
【図１６】再生層とＴＭリッチ記録層の磁化の温度依存
性を示す図である。
【図１７】再生時のＴＭリッチ記録層を有する媒体の磁
化状態とビームスポット内の温度分布を示す図である。
【図１８】再生層とＲＥリッチ記録層の磁化の温度依存
性を示す図である。
【図１９】再生時のＲＥリッチ記録層を有する媒体の磁
化状態とビームスポット内の温度分布を示す図である。
【図２０】対物レンズアクチュエータの漏洩磁場を説明
する図である。
【図２１】従来例と比較した実施例１のＣ／Ｎのマーク
長依存性を示す図である。
【図２２】従来例と比較した実施例２のＣ／Ｎのマーク
長依存性を示す図である。
【図２３】従来例と比較した実施例３のＣ／Ｎのマーク
長依存性を示す図である。
【図２４】再生パワーと再生状況の関係を説明する図で
ある。
【図２５】従来例と比較した実施例４のＣ／Ｎの再生パ
ワー依存性を示す図である。
【図２６】従来例と比較した実施例４のクロストークの
再生パワー依存性を示す図である。
【図２７】実施例５のＣ／Ｎの再生パワー依存性を示す
図である。
【図２８】実施例５のクロストークの再生パワー依存性
を示す図である。
【図２９】実施例９の記録媒体と実施例１の記録媒体の
Ｃ／Ｎの再生パワー依存性を示す図である。
【図３０】実施例１０の記録媒体と実施例１の記録媒体
のＣ／Ｎの再生パワー依存性を示す図である。
【図３１】従来例の再生原理を説明する図である。
【図３２】従来例の問題点説明図である。
【符号の説明】
１４ 透明基板 １６ 誘電体層 １８ 再生層 ２０ 非磁性中間層 ２２ 記録層 ２４ 保護層 ２８ａ 低温領域 ２８ｂ 高温領域 ３０ 磁性中間層 ３２ 磁性開口部分制御層 ４２ 再生補助層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒田 純夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 三原 基伸 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明基板と、 該透明基板上に積層された、室温では面内に磁化容易方
    向を有し所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易
    方向を有する磁性再生層と、 該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、 該非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化
    容易方向を有する磁性記録層とを具備し、 前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性記録層
    と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容するのに十分な
    薄さである光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】 前記非磁性中間層は１ｎｍ以上、１０ｎ
    ｍ以下の厚さを有する請求項１記載の光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】 前記磁性再生層及び前記磁性記録層は、
    希土類−遷移金属非晶質合金膜からそれぞれ構成される
    請求項１記載の光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】 前記非磁性中間層はＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ及
    びこれらの酸化物、窒化物からなる群から選択される物
    質から構成される請求項１記載の光磁気記録媒体。
  5. 【請求項５】 透明基板と、 該透明基板上に積層された、室温では面内に磁化容易方
    向を有し所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易
    方向を有する磁性再生層と、 該磁性再生層上に積層された面内に磁化容易方向を有す
    る磁性中間層と、 該磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容
    易方向を有する磁性記録層とを具備した光磁気記録媒
    体。
  6. 【請求項６】 前記磁性中間層のキュリー温度をＴｃ、
    再生パワー照射時の前記磁性再生層の温度をＴreadとす
    るとき、Ｔread＜Ｔｃである請求項５記載の光磁気記録
    媒体。
  7. 【請求項７】 前記磁性中間層は前記所定温度以上で前
    記磁性記録層との交換結合により垂直方向に磁化され、
    前記磁性再生層と前記磁性記録層とが該磁性中間層を介
    して交換結合される請求項６記載の光磁気記録媒体。
  8. 【請求項８】 前記磁性中間層は、ＲX ＦｅY Ｃｏ
    1-x-Y （Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ） ０＜Ｘ＜０．５ ０≦Ｙ＜０．５ で表される軽希土類−遷移金属非晶質合金膜から構成さ
    れる請求項７記載の光磁気記録媒体。
  9. 【請求項９】 透明基板と、 該透明基板上に積層された面内に磁化容易方向を有し、
    透過率が６０％以上の磁性開口部分制御層と、 該磁性開口部分制御層上に積層された、室温では面内に
    磁化容易方向を有し所定温度以上では膜面に対して垂直
    の磁化容易方向を有する磁性再生層と、 該磁性再生層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容
    易方向を有する磁性記録層とを具備した光磁気記録媒
    体。
  10. 【請求項１０】 前記磁性開口部分制御層、磁性再生層
    及び磁性記録層のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ
    ２及びＴｃ３とし、室温をＴroom、再生パワー照射時の
    前記磁性再生層の温度をＴreadとしたとき、 Ｔｃ２＞Ｔｃ３＞Ｔｃ１＞Ｔroom、且つ開口部分におい
    てＴread＞Ｔｃ１である請求項９記載の光磁気記録媒
    体。
  11. 【請求項１１】 前記磁性開口部分制御層、磁性再生層
    及び磁性記録層が、希土類−遷移金属非晶質合金膜から
    構成される請求項１０記載の光磁気記録媒体。
  12. 【請求項１２】 前記磁性開口部分制御層の透過率が７
    ５％以上である請求項１０記載の光磁気記録媒体。
  13. 【請求項１３】 前記磁性開口部分制御層が１ｎｍ以
    上、１０ｎｍ以下の厚さを有している請求項１０記載の
    光磁気記録媒体。
  14. 【請求項１４】 透明基板と、 該透明基板上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易
    方向を有する磁性再生補助層と、 該磁性再生補助層上に積層された室温で面内に磁化容易
    方向を有する磁性再生層と、 該磁性再生層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容
    易方向を有する磁性記録層とを具備し、 前記磁性再生補助層、磁性再生層及び磁性記録層のキュ
    リー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とすると
    き、Ｔｃ３＜Ｔｃ１及びＴｃ３＜Ｔｃ２の関係を満た
    し、 前記磁性再生補助層及び磁性記録層の保磁力をそれぞれ
    Ｈｃ１，Ｈｃ３とするとき、Ｈｃ３＞Ｈｃ１の関係を満
    たす光磁気記録媒体。
  15. 【請求項１５】 前記磁性再生補助層、前記磁性再生層
    及び前記磁性記録層は、希土類−遷移金属非晶質合金膜
    からそれぞれ構成される請求項１４記載の光磁気記録媒
    体。
  16. 【請求項１６】 前記磁性再生補助層は２５ｎｍ〜６０
    ｎｍの膜厚及び室温において６００エルステッド以下の
    保磁力を有しており、前記磁性再生補助層の組成はＧ
    ｄ，Ｆｅ及びＣｏから構成され、Ｇｄの含有量が２０ａ
    ｔ％〜２７ａｔ％の間に設定されている請求項１４記載
    の光磁気記録媒体。
  17. 【請求項１７】 前記磁性再生層は１ｎｍ〜４０ｎｍの
    膜厚を有しており、前記磁性再生補助層の組成はＧｄ，
    Ｆｅ及びＣｏから構成され、Ｇｄの含有量が２９ａｔ％
    〜４０ａｔ％の間に設定されている請求項１４記載の光
    磁気記録媒体。
  18. 【請求項１８】 前記磁性記録層は６０ｎｍ以下の膜厚
    と、２５０°Ｃ以下のキュリー温度を有している請求項
    １４記載の光磁気記録媒体。
  19. 【請求項１９】 前記磁性再生層と前記磁性記録層との
    間に介在された厚さ０．５ｎｍ〜２０ｎｍの非磁性中間
    層をさらに具備した請求項１４記載の光磁気記録媒体。
  20. 【請求項２０】 前記磁性再生層と前記磁性記録層との
    間に介在された厚さ０．５ｎｍ〜２０ｎｍの常磁性中間
    層をさらに具備した請求項１４記載の光磁気記録媒体。
  21. 【請求項２１】 前記中間層は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃ
    ｕ，Ｃｒ及びこれらの窒化物からなる群から選択される
    物質から構成される請求項１９又は２０記載の光磁気記
    録媒体。
  22. 【請求項２２】 前記磁性再生補助層と前記磁性再生層
    が同一組成の材料から構成され、前記磁性再生補助層は
    前記磁性再生層の膜厚より厚い膜厚を有している請求項
    １９又は２０記載の光磁気記録媒体。
  23. 【請求項２３】 前記磁性再生補助層は使用される膜厚
    を有する単層膜の場合に、それ単層では膜面に対して垂
    直の磁化容易方向を有している請求項１９又は２０記載
    の光磁気記録媒体。
  24. 【請求項２４】 前記磁性再生層は使用される膜厚を有
    する単層膜の場合に、それ単層では面内に磁化容易方向
    を有している請求項２３記載の光磁気記録媒体。
  25. 【請求項２５】 透明基板と、該透明基板上に積層され
    た室温では面内に磁化容易方向を有し、所定温度以上で
    は膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層
    と、該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、該非
    磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易
    方向を有する磁性記録層とを具備し、前記非磁性中間層
    は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層
    の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さである光磁気
    記録媒体に記録された情報の再生方法であって、 前記再生層の保磁力をＨｃ、前記再生層と前記記録層と
    の間の静磁結合力をＨｓとするとき、 Ｈｒの強さのバイアス磁界を印加しながら前記記録媒体
    にレーザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度
    以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット内に前記
    再生層の磁化が面内方向を向く低温領域と、Ｈｒ≦Ｈｓ
    ＋Ｈｃの関係を満たし、前記記録層の磁化が静磁結合に
    よって前記再生層に転写される中間温度領域と、Ｈｒ＞
    Ｈｓ＋Ｈｃの関係を満たし、前記再生層の磁化がバイア
    ス磁界方向に揃えられる高温領域とからなる温度分布を
    形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された
    情報の再生方法。
  26. 【請求項２６】 前記磁性記録層は遷移金属リッチの希
    土類−遷移金属非晶質合金膜から構成される請求項２５
    記載の光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。
  27. 【請求項２７】 透明基板と、該透明基板上に積層され
    た室温では面内に磁化容易方向を有し、所定温度以上で
    は膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層
    と、該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、該非
    磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易
    方向を有する磁性記録層とを具備し、前記非磁性中間層
    は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層
    の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さである光磁気
    記録媒体に記録された情報の再生方法であって、 前記再生層の保磁力をＨｃ、前記再生層と前記記録層と
    の間の静磁結合力をＨｓとするとき、 前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記記録層の
    キュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポ
    ット内に前記再生層の磁化が面内方向を向く低温領域
    と、前記記録層の磁化が静磁結合によって前記再生層に
    転写される中間温度領域と、前記再生層に転写された磁
    化が高温になることによって自然に消滅して再生層の磁
    化が消去方向の磁化方向と同一方向に揃えられる高温領
    域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光磁
    気記録媒体に記録された情報の再生方法。
  28. 【請求項２８】 透明基板と、該透明基板上に積層され
    た室温では面内に磁化容易方向を有し所定温度以上では
    膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層
    と、該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、該非
    磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易
    方向を有する磁性記録層とを具備し、前記非磁性中間層
    は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層
    の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さである光磁気
    記録媒体に記録された情報の再生方法であって、 前記再生層の保磁力をＨｃ、前記再生層と前記記録層と
    の間の静磁結合力をＨｓとするとき、 Ｈｒの強さのバイアス磁界を印加しながら前記記録媒体
    にレーザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度
    以下に前記記録媒体を加熱し、 ビームスポット内にＨｒ＞Ｈｓ＋Ｈｃの関係を満たし、
    前記再生層の磁化がバイアス磁界方向を向く低温領域
    と、Ｈｒ≦Ｈｓ＋Ｈｃの関係を満たし、前記記録層の磁
    化が静磁結合によって前記再生層に転写される中間温度
    領域と、Ｈｒ＞Ｈｓ＋Ｈｃの関係を満たし、前記再生層
    の磁化が前記バイアス磁界方向を向く高温領域とからな
    る温度分布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体
    に記録された情報の再生方法。
  29. 【請求項２９】 前記磁性記録層は希土類リッチの希土
    類−遷移金属非晶質合金膜から構成される請求項２８記
    載の光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。
  30. 【請求項３０】 光ヘッドに設けられた対物レンズアク
    チュエータの永久磁石からの漏洩磁場を前記再生用のバ
    イアス磁界として利用する請求項２５又は請求項２８に
    記載の光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。
  31. 【請求項３１】 透明基板と、該透明基板上に積層され
    た膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生補
    助層と、該磁性再生補助層上に積層された室温で面内に
    磁化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に
    積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁
    性記録層とを具備し、前記磁性再生補助層、磁性再生層
    及び磁性記録層のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ
    ２，Ｔｃ３とするとき、Ｔｃ３＜Ｔｃ１及びＴｃ３＜Ｔ
    ｃ２の関係を満たし、前記磁性再生補助層及び磁性記録
    層の保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ３とするとき、Ｈｃ
    ３＞Ｈｃ１の関係を満たす光磁気記録媒体に記録された
    情報の再生方法であって、 Ｈｒの強さのバイアス磁界を印加しながら前記記録媒体
    にレーザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度
    以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット内に前記
    磁性再生補助層の磁化がバイアス磁界方向を向く低温領
    域と、前記記録層の磁化が交換結合によって前記再生補
    助層に転写される高温領域とからなる温度分布を形成す
    ることを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の
    再生方法。
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